[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2009164586A - 電圧調整回路及びその電圧調整回路を用いた電圧調整方法 - Google Patents

電圧調整回路及びその電圧調整回路を用いた電圧調整方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009164586A
JP2009164586A JP2008306998A JP2008306998A JP2009164586A JP 2009164586 A JP2009164586 A JP 2009164586A JP 2008306998 A JP2008306998 A JP 2008306998A JP 2008306998 A JP2008306998 A JP 2008306998A JP 2009164586 A JP2009164586 A JP 2009164586A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
test
voltage source
source
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008306998A
Other languages
English (en)
Inventor
Te-Chang Tseng
徳彰 曾
Chun-Yi Tu
君毅 杜
Kyoji Yamazaki
恭治 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Powerchip Semiconductor Corp
Original Assignee
Powerchip Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Powerchip Semiconductor Corp filed Critical Powerchip Semiconductor Corp
Publication of JP2009164586A publication Critical patent/JP2009164586A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/31721Power aspects, e.g. power supplies for test circuits, power saving during test
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3172Optimisation aspects, e.g. using functional pin as test pin, pin multiplexing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

【課題】電圧調整回路及びその電圧調整回路を用いた電圧調整方法を提供する。
【解決手段】電圧調整回路として、試験制御装置とマルチプレクサとコンパレーターとBIST装置とを備える、複数の電圧源の電圧を調整できる電圧調整回路を用いる。試験制御装置は複数の電圧源からテスト電圧源を1つ選択し、テスト電圧源選択指示信号を入出力パッドに出力し、目標電圧を単一パッドに出力する。テスト電圧源に接続したマルチプレクサがBIST装置からイネーブル信号を受信し、イネーブル信号に基づいてテスト電圧源がテスト電圧を出力する。コンパレーターがテスト電圧と目標電圧とを比較し、比較結果を出力する。BIST装置は選択指示信号を受信してイネーブル信号を出力にすると共に、比較結果に基づいてテスト電圧源の出力電圧を所定の電圧に調整する。
【選択図】図1

Description

本件発明は、電圧調整回路及びその電圧調整回路を用いた電圧調整方法に関し、特に、BIST技術を適用した電圧調整回路を用いた電圧調整方法に関する。
集積回路(IC)素子は、通常、回路を作動させるために必要な、異なる電圧を生成する多くの電圧源を内部に備えている。しかし、製造工程の変動に起因して電圧源が出力する電圧が変動するので、IC素子を製造した後に、これらのIC素子が備える電圧源の回路をトリミングして修正する必要がある。回路のトリミングでは、電圧源の出力電圧が目標電圧に近くなるまで電圧テストが繰り返される。
図4に、従来技術における電圧調整回路のブロック図を示す。図4では、IC素子100は電圧源V1〜電圧源V4と単一パッドPad1〜Pad4と入出力パッドI/OPadとを備えるものとしている。電圧源V1〜電圧源V4が出力した電圧は、それぞれ単一パッドPad1〜Pad4から出力される。テスト機器15はIC素子100に外付けするICテスト機器であり、電圧源V1〜電圧源V4が出力した電圧を単一パッドPad1〜Pad4から受信し、テスト機器15の内部に設定された目標電圧と各電圧とを比較する。この比較結果は入出力パッドI/OPadから電圧源V1〜電圧源V4にフィードバックされ、電圧源V1〜電圧源V4の電圧を再度微調整する。以上の手順を反復して、電圧源V1〜電圧源V4の出力電圧が目標電圧に近付くように調整する。
しかし、図4に示すように、従来技術における電圧調整方法では、電圧源はそれぞれに対応するパッドを必要とする。そのため、パッドの数を電圧源の数と同数にする必要があり、多くのパッドがチップ面積の大きな部分を占めることになる。そして、外付けのテスト機器15は各電圧源を順番に調整しなければならないので、パッドの切り換えにも時間がかかる。更に、精密な電圧レベルが求められる特定電圧源、例えば、バンドギャップ参照電圧発生器(bandgap reference voltage generator)等では、出力信号が微弱で敏感なので従来技術ではパッドに接続して電圧調整することができない。
上記のように、チップ面積、パッド数及び電圧テスト時間が少なくて済み、且つ、精密な電圧調整結果を提供できる電圧調整回路に対する要求があった。
特開平11−66890号公報
チップ面積、ピン数及び電圧テスト時間が少なくて済み、且つ、精密な電圧調整が可能な電圧調整回路とその電圧調整回路を用いた電圧調整方法を提供する。
本件発明に係る電圧調整回路: 本件発明に係る電圧調整回路は、複数の電圧源が出力する電圧を目標電圧に調整するために用いる、以下に示す試験制御装置とマルチプレクサとコンパレーターとBIST装置とを備える電圧調整回路であって、試験制御装置は、複数の電圧源の中の1つのテスト電圧源が出力するテスト電圧を所定の電圧に調整した後、複数の電圧源の中から別のテスト電圧源を選択し、別のテスト電圧源を選択させる選択指示信号を入出力パッドに出力し、そのテスト電圧源に対応する目標電圧を単一パッドに出力するものであることを特徴としている。
試験制御装置: 複数の電圧源の中から1つの電圧源をテスト電圧源として選択し、テスト電圧源を選択させる選択指示信号を入出力パッドに出力し、テスト電圧源に対応する目標電圧を単一パッドに出力する装置。
マルチプレクサ: 複数の電圧源に接続しており、イネーブル信号を受信し、イネーブル信号に基づいてテスト電圧源にテスト電圧を出力させる装置。
コンパレーター: テスト電圧と目標電圧とを受信し、テスト電圧と目標電圧とを比較し、比較結果を出力する装置。
BIST装置: 選択指示信号を受信し、選択指示信号に基づいてテスト電圧源を有効にするイネーブル信号を出力し、比較結果に基づいてテスト電圧源が出力するテスト電圧を所定の電圧に調整する装置。
本件発明に係る電圧調整回路においては、所定の電圧が目標電圧以上であることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、BIST装置は、電圧源に対応する最大調整可能電圧と調整結果とを保存するレジスタを備えるものであることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、比較結果におけるテスト電圧が目標電圧以上であれば、BIST装置が電圧テスト合格信号を試験制御装置に伝送してテスト電圧をテスト電圧源に対応する調整結果としてレジスタに保存するものであることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、比較結果におけるテスト電圧が目標電圧よりも小さければ、BIST装置がテスト電圧がテスト電圧源に対応する最大調整可能電圧以上であるかどうかを判定し、テスト電圧が最大調整可能電圧以上であれば電圧テスト失敗信号を試験制御装置に伝送してテスト電圧源の調整結果が失敗であったことを示す情報をレジスタに保存するものであることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、テスト電圧がテスト電圧源の最大調整電圧よりも小さければ、BIST装置が昇圧指示信号をテスト電圧源に伝送し、テスト電圧源は昇圧指示信号に基づいて昇圧した電圧まで出力電圧を昇圧し、昇圧指示信号に基づいて昇圧した電圧をテスト電圧とするものであることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、電圧源とBIST装置とマルチプレクサと単一パッドと入出力パッドとコンパレーターとは、フラッシュメモリIC素子の内部に配置したものであることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、試験制御装置は、電圧テスト合格信号又は電圧テスト失敗信号を受信後にBIST装置への書き込み指示信号を出力し、BIST装置がテスト電圧源に対応する調整結果をフラッシュメモリIC素子が内部に備える保存ユニットに書き込むように制御するものであることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、試験制御装置はBIST装置から受信するそれぞれのテスト電圧源の電圧テスト結果を電圧テスト合格信号又は電圧テスト失敗信号に基づいて記録するメモリデバイスを備えており、試験制御装置が電圧テスト合格信号又は電圧テスト失敗信号を受信後、別のテスト電圧源を選択する別の選択指示信号を入出力パッドに出力し、別のテスト電圧源に対応する別の目標電圧を単一パッドに出力するものであることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、コンパレーターは電圧が0〜26Vの入力信号を受信するものであることも好ましい。
本件発明に係る電圧調整回路においては、コンパレーターは、以下の第1トランジスタと第2トランジスタと電流ミラー回路とを備えるものであって、第2参照電圧が第1参照電圧の約半分であり、比較結果を第1接続ノードからを出力するものであることも好ましい。
第1トランジスタ: 目標電圧を受信する第1の第1ノードとテスト電圧を受信する第1の第2ノードとを備えるトランジスタ。
第2トランジスタ: 第1参照電圧を受信する第2の第1ノードと第2参照電圧を受信する第2の第2ノードとを備えるトランジスタ。
電流ミラー回路: 第1接続ノードで第1トランジスタと接続し、第2接続ノードで第2トランジスタと接続した回路。
本件発明に係る電圧調整方法: 本件発明に係る電圧調整方法は、電圧調整回路を用いた電圧調整方法であって、以下に示すステップを含むことを特徴としている。
第1テスト電圧源選択ステップ: 第1電圧源を第1テスト電圧源として選択し、第1テスト電圧源から第1テスト電圧を出力させるステップ。
第1目標電圧選択ステップ: 第1電圧源に対応する第1目標電圧を選択し、単一パッドから第1目標電圧を出力するステップ。
第1テスト電圧比較ステップ: 第1テスト電圧と第1目標電圧とを比較し、第1比較結果を出力するステップ。
第1テスト電圧調整ステップ: 第1比較結果に基づき、第1テスト電圧源が出力する第1テスト電圧を、第1電圧源に対応する所定の電圧に調整し、第1電圧源に対応する第1電圧テスト結果として伝送するステップ。
第1電圧テスト結果保存ステップ: 第1電圧源に対応する第1電圧テスト結果を保存するステップ。
第2テスト電圧源選択ステップ: 第2電圧源を第2テスト電圧源とし、第2テスト電圧源から第2テスト電圧を出力するステップ。
第2目標電圧選択ステップ: 第2電圧源に対応する第2目標電圧を選択し、単一パッドから第2目標電圧を出力するステップ。
第2テスト電圧比較ステップ: 第2テスト電圧と第2目標電圧とを比較し、第2比較結果を出力するステップ。
第2電圧テスト調整ステップ: 第2比較結果に基づき、第2テスト電圧源が出力する第2テスト電圧を、第2電圧源に対応する所定の電圧に調整し、第2電圧源に対応する第2電圧テスト結果として伝送するステップ。
第2電圧テスト結果保存ステップ: 第2電圧源に対応する第2電圧テスト結果を保存するステップ。
本件発明に係る、試験制御装置とマルチプレクサとコンパレーターとBIST装置とを備える電圧調整回路を用い、第1テスト電圧源選択ステップと第1目標電圧選択ステップと第1テスト電圧比較ステップと第1テスト電圧調整ステップと第1電圧テスト結果保存ステップと第2テスト電圧源選択ステップと第2目標電圧選択ステップと第2テスト電圧比較ステップと第2電圧テスト調整ステップと第2電圧テスト結果保存ステップとを含む電圧調整方法を実施すれば、電圧調整に必要なパッド数が少なくなるため、ICチップの面積を小さくできる。また、短時間の電圧テストで精密な電圧調整ができる。
図1に、本件発明に係る1つの実施形態として、複数の電圧源が出力する電圧を調整する電圧調整回路20を示す。電圧調整回路20は、試験制御装置25、マルチプレクサ35、コンパレーター45、BIST装置55を備えている。例えばN個の電圧源を調整する必要があるとすれば、図1で調整が必要な電圧源は電圧源V1〜電圧源V4であるため、N=4となる。
試験制御装置25は内部に備えるメモリデバイス(図示せず。)に、調整が必要な電圧源の数であるNの値を記録する。そして、電圧調整を開始する時、電圧源V1〜電圧源V4中から電圧源V1をテスト電圧源として選択し、メモリデバイスが保存している変数nをn=1に初期化する。そして、試験制御装置25は電圧源V1を選択するための選択指示信号を入出力パッドI/OPadからBIST装置55に出力し、電圧源V1に対応する目標電圧VTarget(1)を単一パッドPadに出力する。
BIST装置55は、試験制御装置25が発信した選択指示信号を受信し、この選択指示信号に基づいて、選択したテスト電圧源を有効にするイネーブル信号E(n)を出力する。この時、選択されたテスト電圧源は電圧源V1なので、BIST装置55はイネーブル信号E(1)を出力して、電圧源V1を有効にする。
電圧源V1〜電圧源V4に接続したマルチプレクサ35は、BIST装置55が出力したイネーブル信号E(n)を受信し、イネーブル信号E(n)に基づいて電圧源Vnが出力する電圧をテスト電圧V(n)とする。この時、選択されたテスト電圧源は電圧源V1であれば、マルチプレクサ35は電圧源V1が出力する電圧をテスト電圧V(1)とする。
図1に示すように、テスト電圧V(n)と目標電圧VTarget(n)とがコンパレーター45に入力され、コンパレーター45はテスト電圧V(n)と目標電圧VTarget(n)とを比較して、比較結果をBIST装置55に出力する。BIST装置55は、受信した比較結果に基づき、電圧源Vnが出力する電圧を所定の電圧になるように調整する(具体的な操作は後述する。)。本実施形態では、所定の電圧が電圧源Vnの目標電圧VTarget(n)以上になれば電圧源Vnの電圧調整工程を終了する。しかし、本件発明の精神と範囲を逸脱しない限り、その他の条件によって、電圧源Vnの調整工程を終了してもよく、本件発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
本件発明に係るBIST装置55は、電圧源V1〜電圧源V4に対応する最大調整可能電圧Vmaxと調整結果とを保存するレジスタ(図示せず。)を備える。また、BIST装置55は受信した比較結果に基づいて、テスト電圧源Vnが出力する電圧の調整工程を制御する。比較結果が示すテスト電圧V(n)が目標電圧VTarget(n)よりも小さければBIST装置55が、そのテスト電圧V(n)が現在のテスト電圧源Vnに対応する最大調整可能電圧Vmax(n)以上であるかどうかを判定する。テスト電圧V(n)が最大調整可能電圧Vmax(n)より小さければBIST装置55は昇圧信号を調整中のテスト電圧源Vnに出力する。そして、昇圧後の電圧はマルチプレクサ35から出力して、テスト電圧源Vnの新しいテスト電圧V(n)とする。
本件発明でテスト電圧源が出力する電圧を昇圧する方法では、例えば当初の出力電圧Vorig(n)に電圧ΔVを上乗せする。例えば、ΔVを0.1Vとすれば、当初の出力電圧Vorig(n)は(Vorig(n)+0.1)に調整されることになり、(Vnew(n)= Vorig(n)+0.1)となる。しかし、本件発明に係るテスト電圧源の出力電圧は、その他の方法で調整することもできる。そして、マルチプレクサ35が新しいテスト電圧Vnew(n)を出力すると、コンパレーター45が再度、新しいテスト電圧Vnew(n)と目標電圧VTarget(n)とを比較し、比較結果をBIST装置55に出力する。
一方、比較結果が示すテスト電圧Vorig(n)が目標電圧VTarget(n)よりも小さく、BIST装置55がテスト電圧Vorig(n)はテスト電圧源Vnに対応する最大調整可能電圧Vmax(n)以上であることを検出すると、BIST装置55は電圧テスト失敗信号を試験制御装置25に伝送し、テスト電圧源Vnに対する電圧調整結果が失敗であることを示す情報をレジスタに保存する。
比較結果が示すテスト電圧Vorig(n)が目標電圧VTarget(n)以上であればBIST装置55は電圧テスト合格信号を試験制御装置25に伝送し、テスト電圧Vorig(n)と調整結果をレジスタに保存する。
試験制御装置25は、テスト電圧源V1に対応する電圧テスト合格信号又は電圧テスト失敗信号を受信すると、テスト電圧源V1の電圧テストと電圧調整工程が完了したと判定する。試験制御装置25はこれらの信号に基づいて、内部のメモリデバイスにテスト電圧源V1のテスト結果(この時、n=1)を記録し、変数nがテストを必要とする電圧源数Nより多いかどうかを判定する。n<Nの場合、電圧テストを必要とする全ての電圧源の調整がまだ終了していないと判定し、変数nをn+1として次の電圧源をテスト電圧源Vn+1とする。例えば、テスト電圧源V1(n=1)に対する電圧テストと電圧調整工程が終了すると、電圧源V2(n=2)をテスト電圧源V2とする。そして、続いて上述の電圧源V1と同様の工程で電圧源V2に対する電圧テストと電圧調整とを実行するために、電圧源V2を選択する選択指示信号を入出力パッドI/OPadに出力し、電圧源V2に対応する目標電圧VTarget(2)を単一パッドPadに出力する。
本件発明では図1に示すように、マルチプレクサ35とコンパレーター45とBIST装置55とをIC素子の内部に配置している。このIC素子は、例えば、フラッシュメモリIC素子であり、電圧源V1〜電圧源V4はIC素子が内部に備える電圧源である。図1に示すように、試験制御装置25は各電圧源に対応する目標電圧VTargetを単一パッドPadに出力する。また、試験制御装置25は、試験制御信号の出力とBIST装置55からの信号の受信を入出力パッドI/OPadを通じて行う。そして、試験制御装置25は、電圧テスト合格信号又は電圧テスト失敗信号を受信すると、フラッシュメモリIC素子が内部に備える保存ユニットにそれぞれの電圧源に対応する電圧調整結果を書き込むことをBIST装置55に指示する書き込み指示信号をBIST装置55に出力する。その結果、IC素子の複数の電圧源の出力電圧を、保存した調整結果に基づいて精確に調整できるので、各IC素子では最適な電圧が供給されることになる。
本件発明に係るコンパレーター45は、受信できる入力信号の電圧が0〜26Vの高電圧コンパレーターである。従って、図1に示すように、試験制御装置25は、1つの単一パッドがあれば電圧源V1〜電圧源V4のそれぞれに対応する目標電圧を入力することができる。図2に、コンパレーター45の回路構成を示す。図2に示すように、コンパレーター45は、トランジスタT1〜トランジスタT7を備えている。トランジスタT1はソース電極(第1の第1ノード)が目標電圧VTarget(n)を受信し、ゲート電極(第1の第2ノード)がテスト電圧V(n)を受信する。トランジスタT2はソース電極(第2の第1ノード)が参照電圧Vddを受信し、ゲート電極(第2の第2ノード)が参照電圧Vdd/2を受信する。トランジスタT3は制御電圧VAをゲート電極が受信して目標電圧VTarget(n)の入力を制御し、トランジスタT4は逆の制御電圧VBをゲート電極が受信して参照電圧源Vddの入力を制御する。トランジスタT6とトランジスタT7とは電流ミラー回路65を構成する。電流ミラー回路65はトランジスタT1とトランジスタT2とに接続している。トランジスタT5は制御電圧VBによって電流ミラー回路65と電圧Vssとの接続を制御する。従来のコンパレーターと比べると、コンパレーター45は、広範囲の電圧で入力信号を受信できるようにトランジスタT1と目標電圧VTarget(n)とを接続しており、比較結果の出力信号SOUTはトランジスタT1とトランジスタT6とを接続している第1接続ノードから出力する。
図3に、本件発明で実施する電圧調整工程のフロー図を示す。上述のように、電圧調整工程では最初に変数nをn=1に初期化する操作(S1)を行い、テスト電圧V(n)と目標電圧VTarget(n)とを選択する操作(S2)を行う。続いて、テスト電圧V(n)と目標電圧VTarget(n)とを比較し、テスト電圧V(n)が目標電圧VTarget(n)以上であるかどうかを判定する(S3)。テスト電圧V(n)が目標電圧VTarget(n)よりも小さければ、テスト電圧V(n)が最大調整可能電圧Vmax(n)以上であるかどうかを判定し(S4)、テスト電圧V(n)が目標電圧VTarget(n)よりも小さければ、昇圧してVnew(n)をVorig(n)+ΔVとし(S5)、操作S3に戻って、再度、テスト電圧Vnew(n)と目標電圧VTarget(n)とを比較する。テスト電圧Vnew(n)が最大調整可能電圧Vmax(n)以上であれば、電圧テスト失敗信号を伝送する(S6)。
一方、テスト電圧Vorig(n)又はVnew(n)が目標電圧VTarget(n)以上であれば、電圧テスト合格信号を伝送する(S7)。試験制御装置25は、受信した電圧テスト合格信号又は電圧テスト失敗信号に基づいてテスト結果を記録し(S8)、nがNより小さいかどうかを判定し(S9)、nがNよりも小さければ、電圧源の電圧テストと調整工程の全てはまだ終了していないため、変数nをn+1に変更する操作(S10)を行う。そして、次の電圧源Vn+1をテスト電圧源Vn+1とするために操作S2に戻り、テスト電圧V(n+1)と目標電圧VTarget(n+1)とを選択する。nがN以上であれば、全ての電圧源のテストと調整が完了しているため、電圧調整工程を終了する。
上記に本件発明に係る好ましい実施形態を示したが、これらは決して本件発明に限定するものではなく、当業者であれば、本件発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができることは明らかである。従って、本件発明の保護範囲は、特許請求の範囲に記載した内容を基準とする。
本件発明に係るBIST技術を採用した電圧調整回路を用いて電圧調整したIC素子では、内蔵する電圧源の出力電圧をIC素子自身が最適化する。そのため、このIC素子は、安定した動作が可能になった、信頼性の高いIC素子である。従って、フラッシュメモリIC素子であればデータの書き込みや読み取りの信頼性に優れたものとなる。
本件発明に係る電圧調整回路を示すブロック図である。 本件発明に係るコンパレーターの回路図である。 本件発明に係る電圧調整方法の流れを示すフロー図である。 従来技術の電圧調整回路を示すブロック図である。
符号の説明
15 テスト機器
20 電圧調整回路
25 試験制御装置
35 マルチプレクサ
45 コンパレーター
55 BIST装置
65 電流ミラー回路
100、200 IC素子
E(n) イネーブル信号
I/OPad 入出力パッド
Pad、Pad1、Pad2、Pad3、Pad4 単一パッド
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10 操作
OUT 比較結果の出力信号
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7 トランジスタ
V1、V2、V3、V4 電圧源
V(n)、VTarget(n)、Vmax(n)、Vorig(n)、VNew(n)、VA、VB、Vdd、Vss、ΔV 電圧

Claims (12)

  1. 複数の電圧源が出力する電圧を目標電圧に調整するために用いる、以下に示す試験制御装置とマルチプレクサとコンパレーターと組み込み自己テスト(Built in Self Test: 以下「BIST」と称する。)装置とを備える電圧調整回路であって、
    前記試験制御装置は、前記複数の電圧源の中の1つのテスト電圧源が出力するテスト電圧を所定の電圧に調整した後、前記複数の電圧源の中から別のテスト電圧源を選択し、前記別のテスト電圧源を選択させる選択指示信号を入出力パッドに出力し、そのテスト電圧源に対応する目標電圧を単一パッドに出力するものであることを特徴とする電圧調整回路。
    試験制御装置: 前記複数の電圧源の中から1つの電圧源を前記テスト電圧源として選択し、当該テスト電圧源を選択させる前記選択指示信号を前記入出力パッドに出力し、当該テスト電圧源に対応する前記目標電圧を前記単一パッドに出力する装置。
    マルチプレクサ: 前記複数の電圧源に接続しており、イネーブル信号を受信し、当該イネーブル信号に基づいて前記テスト電圧源に前記テスト電圧を出力させる装置。
    コンパレーター: 前記テスト電圧と前記目標電圧とを受信し、当該テスト電圧と当該目標電圧とを比較し、比較結果を出力する装置。
    BIST装置: 前記選択指示信号を受信し、当該選択指示信号に基づいて前記テスト電圧源を有効にする前記イネーブル信号を出力し、前記比較結果に基づいて当該テスト電圧源が出力する前記テスト電圧を所定の電圧に調整する装置。
  2. 前記所定の電圧が前記目標電圧以上である請求項1に記載の電圧調整回路。
  3. 前記BIST装置は、前記電圧源に対応する最大調整可能電圧と調整結果とを保存するレジスタを備えるものである請求項1又は請求項2に記載の電圧調整回路。
  4. 前記比較結果における前記テスト電圧が前記目標電圧以上であれば、前記BIST装置が電圧テスト合格信号を前記試験制御装置に伝送して当該テスト電圧を前記テスト電圧源に対応する調整結果として前記レジスタに保存するものである請求項1〜請求項3のいずれかに記載の電圧調整回路。
  5. 前記比較結果における前記テスト電圧が前記目標電圧よりも小さければ、前記BIST装置が当該テスト電圧が前記テスト電圧源に対応する前記最大調整可能電圧以上であるかどうかを判定し、当該テスト電圧が当該最大調整可能電圧以上であれば電圧テスト失敗信号を前記試験制御装置に伝送して当該テスト電圧源の調整結果が失敗であったことを示す情報を前記レジスタに保存するものである請求項1〜請求項4のいずれかに記載の電圧調整回路。
  6. 前記テスト電圧が前記テスト電圧源の前記最大調整電圧よりも小さければ、前記BIST装置が昇圧指示信号を当該テスト電圧源に伝送し、当該テスト電圧源は当該昇圧指示信号に基づいて昇圧した電圧まで出力電圧を昇圧し、当該昇圧指示信号に基づいて昇圧した電圧を前記テスト電圧とするものである請求項1〜請求項5のいずれかに記載の電圧調整回路。
  7. 前記電圧源と前記BIST装置と前記マルチプレクサと前記単一パッドと前記入出力パッドと前記コンパレーターとは、フラッシュメモリIC素子の内部に配置したものである請求項1〜請求項6のいずれかに記載の電圧調整回路。
  8. 前記試験制御装置は、前記電圧テスト合格信号又は前記電圧テスト失敗信号を受信後に前記BIST装置への書き込み指示信号を出力し、当該BIST装置が前記テスト電圧源に対応する前記調整結果を前記フラッシュメモリIC素子が内部に備える保存ユニットに書き込むように制御するものである請求項1〜請求項7のいずれかに記載の電圧調整回路。
  9. 前記試験制御装置は前記BIST装置から受信するそれぞれの前記テスト電圧源の電圧テスト結果を前記電圧テスト合格信号又は前記電圧テスト失敗信号に基づいて記録するメモリデバイスを備えており、前記試験制御装置が前記電圧テスト合格信号又は前記電圧テスト失敗信号を受信後、別のテスト電圧源を選択する別の選択指示信号を前記入出力パッドに出力し、別のテスト電圧源に対応する別の目標電圧を前記単一パッドに出力するものである請求項1〜請求項8のいずれかに記載の電圧調整回路。
  10. 前記コンパレーターは電圧が0〜26Vの入力信号を受信するものである請求項1〜請求項9のいずれかに記載の電圧調整回路。
  11. 前記コンパレーターは、以下の第1トランジスタと第2トランジスタと電流ミラー回路とを備えるものであって、
    第2参照電圧が第1参照電圧の約半分であり、前記比較結果を第1接続ノードからを出力するものである請求項1〜請求項10のいずれかに記載の電圧調整回路。
    第1トランジスタ: 前記目標電圧を受信する第1の第1ノードと前記テスト電圧を受信する第1の第2ノードとを備えるトランジスタ。
    第2トランジスタ: 前記第1参照電圧を受信する第2の第1ノードと前記第2参照電圧を受信する第2の第2ノードとを備えるトランジスタ。
    電流ミラー回路: 前記第1接続ノードで前記第1トランジスタと接続し、第2接続ノードで前記第2トランジスタと接続した回路。
  12. 請求項1〜請求項11に記載の電圧調整回路を用いた電圧調整方法であって、以下に示すステップを含むことを特徴とする電圧調整方法。
    第1テスト電圧源選択ステップ: 第1電圧源を第1テスト電圧源として選択し、当該第1テスト電圧源から第1テスト電圧を出力させるステップ。
    第1目標電圧選択ステップ: 前記第1電圧源に対応する第1目標電圧を選択し、前記単一パッドから当該第1目標電圧を出力するステップ。
    第1テスト電圧比較ステップ: 前記第1テスト電圧と前記第1目標電圧とを比較し、第1比較結果を出力するステップ。
    第1テスト電圧調整ステップ: 前記第1比較結果に基づき、前記第1テスト電圧源が出力する前記第1テスト電圧を、前記第1電圧源に対応する所定の電圧に調整し、当該第1電圧源に対応する第1電圧テスト結果として伝送するステップ。
    第1電圧テスト結果保存ステップ: 前記第1電圧源に対応する前記第1電圧テスト結果を保存するステップ。
    第2テスト電圧源選択ステップ: 第2電圧源を第2テスト電圧源とし、当該第2テスト電圧源から第2テスト電圧を出力するステップ。
    第2目標電圧選択ステップ: 前記第2電圧源に対応する第2目標電圧を選択し、前記単一パッドから当該第2目標電圧を出力するステップ。
    第2テスト電圧比較ステップ: 前記第2テスト電圧と前記第2目標電圧とを比較し、第2比較結果を出力するステップ。
    第2電圧テスト調整ステップ: 前記第2比較結果に基づき、前記第2テスト電圧源が出力する前記第2テスト電圧を、前記第2電圧源に対応する所定の電圧に調整し、当該第2電圧源に対応する第2電圧テスト結果として伝送するステップ。
    第2電圧テスト結果保存ステップ: 前記第2電圧源に対応する前記第2電圧テスト結果を保存するステップ。
JP2008306998A 2007-12-31 2008-12-02 電圧調整回路及びその電圧調整回路を用いた電圧調整方法 Pending JP2009164586A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96151441A TW200928654A (en) 2007-12-31 2007-12-31 Voltage adjusting circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009164586A true JP2009164586A (ja) 2009-07-23

Family

ID=40797292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008306998A Pending JP2009164586A (ja) 2007-12-31 2008-12-02 電圧調整回路及びその電圧調整回路を用いた電圧調整方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8278952B2 (ja)
JP (1) JP2009164586A (ja)
TW (1) TW200928654A (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8860455B2 (en) 2010-12-24 2014-10-14 Intel Corporation Methods and systems to measure a signal on an integrated circuit die
US9588171B2 (en) 2012-05-16 2017-03-07 Infineon Technologies Ag System and method for testing an integrated circuit
US9665298B2 (en) * 2015-04-21 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc Method and system to reduce power usage on an I/O interface
TWI580984B (zh) * 2015-10-27 2017-05-01 力晶科技股份有限公司 電壓校正電路及電壓校正系統
TWI639847B (zh) * 2017-06-27 2018-11-01 Powerchip Technology Corporation 積體電路晶片及其檢查方法
US11112455B2 (en) * 2019-02-26 2021-09-07 Texas Instruments Incorporated Built-in self-test circuits and related methods
US11404334B1 (en) * 2021-06-08 2022-08-02 Windbond Electronics Corp. Testing circuit with shared testing pads located on the scribe line and testing method thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2752312B1 (fr) * 1996-08-07 1998-10-30 Motorola Semiconducteurs Procede et circuit permettant d'ajuster dynamiquement la tension d'alimentation et, ou bien, la frequence du signal d'horloge dans un circuit numerique
DE19960244C1 (de) 1999-12-14 2001-02-01 Infineon Technologies Ag Anordnung zum Trimmen von Referenzspannungen in Halbleiterchips, insb. Halbleiterspeichern
US7162672B2 (en) * 2001-09-14 2007-01-09 Rambus Inc Multilevel signal interface testing with binary test apparatus by emulation of multilevel signals
JP2003307545A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Hitachi Ltd 半導体検査装置、半導体集積回路装置、検査方法および製造方法
US6940777B2 (en) 2002-10-31 2005-09-06 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and semiconductor memory device provided with internal current setting adjustment circuit
JP2005102086A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Renesas Technology Corp 半導体装置およびレベル変換回路
US8581610B2 (en) 2004-04-21 2013-11-12 Charles A Miller Method of designing an application specific probe card test system
US20060259840A1 (en) * 2005-05-12 2006-11-16 International Business Machines Corporation Self-test circuitry to determine minimum operating voltage
US7319358B2 (en) * 2005-12-29 2008-01-15 Ati Technologies Inc. Method and apparatus for generating an adaptive power supply voltage

Also Published As

Publication number Publication date
US20090167094A1 (en) 2009-07-02
TW200928654A (en) 2009-07-01
US8278952B2 (en) 2012-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009164586A (ja) 電圧調整回路及びその電圧調整回路を用いた電圧調整方法
US7539072B2 (en) Semiconductor memory device
KR20170022413A (ko) 내부 전압 트리밍 장치와 이를 구비하는 반도체 집적 회로
US8570097B2 (en) Semiconductor integrated circuit
KR20150022241A (ko) 반도체 메모리 장치
KR100486310B1 (ko) 메모리 시험장치 및 메모리 시험방법
US8780666B2 (en) Decoupling capacitance calibration devices and methods for DRAM
US8358556B2 (en) Internal power supply circuit, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
KR20120098169A (ko) 반도체 장치의 내부전압 생성회로
JP2007005776A (ja) 半導体装置
JP2014147044A (ja) 半導体集積回路
US20100309735A1 (en) Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method
KR20070079111A (ko) 반도체 메모리 장치의 기준 전압 생성 회로
KR100804148B1 (ko) 반도체 소자
US20060164116A1 (en) Internal reference voltage generation for integrated circuit testing
JPH08298722A (ja) 半導体装置および半導体装置の内部電源電位の調整方法
KR20150018092A (ko) 반도체 장치 테스트 방법 및 이를 이용한 테스트 시스템
JP2003016800A (ja) 半導体装置
KR20150094114A (ko) 반도체 메모리 장치 및 이를 위한 기준전압 제어회로와 내부전압 발생회로
KR100825021B1 (ko) 내부전압 생성기
US10658052B2 (en) Semiconductor device
US7898270B2 (en) Circuit for testing internal voltage of semiconductor memory apparatus
US9368165B2 (en) Current generation circuit and semiconductor device having the same
KR100613445B1 (ko) 고전압 감지회로 및 이를 이용한 고전압 펌핑장치
KR100383261B1 (ko) 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 입력신호 버퍼방법