JP2009164499A - 端面処理用治具およびそれを用いる半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体レーザ装置の光学損傷劣化を防止して、半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜を形成することのできる端面処理用治具およびそれを用いる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 端面処理用治具３の窓部５を酸化物および窒化物の少なくとも一方で構成し、窓部５の窓４から端面が露出するように半導体レーザバー１を固定する。この状態で、半導体レーザバー１の端面９に反射率制御膜を形成して、半導体レーザ装置を製造する。これによって、反射率制御膜中に金属が取込まれることを防止し、取込まれた金属による光吸収を防止することができるので、半導体レーザ装置の光学損傷劣化を防止して、半導体レーザバー１の端面９に反射率制御膜を形成することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体レーザ装置の光が射出する端面およびその反対側の端面に反射率制御膜を形成するときに好適に用いられる端面処理用治具およびそれを用いる半導体レーザ装置の製造方法に関する。

半導体レーザ装置は、その内部で発生した光を効率的に取出すこと、および半導体レーザ装置の酸化に起因する劣化を防止することを目的として、光が射出する端面およびその反対側の端面に反射率制御膜が形成される。半導体レーザ装置の前記端面に反射率制御膜を形成する場合、半導体レーザ装置は、以下のようにして製造される。まず、化合物半導体の基板上にｐ型およびｎ型から成る層を形成した後、ｐ型層およびｎ型層の各々に電極を形成する。そして、劈開によって複数個の半導体レーザ装置本体が連なったバー状態にし、そのバー（以下「半導体レーザバー」という）とは異なる材料の直方体（以下「スペーサ」という）と交互に並べて、これらを固定する治具に取り付けて、前記端面に反射率制御膜を形成する（たとえば、特許文献１，２参照）。

特開平９−８３０７２号公報 特公平６−７６１９号公報

前述の従来技術では、スパッタ法、真空蒸着法または化学気相成長（Chemical Vapor Deposition；略称：ＣＶＤ）法などの方法を用いて、単層または少なくとも２層以上の多層膜を成膜することによって、反射率制御膜を形成する。これらの方法では、反射率制御膜を構成する材料の粒子が、エネルギーを持った状態で、半導体レーザバーおよびスペーサを固定する治具またはスペーサに衝突する。治具またはスペーサに衝突する粒子のうち、多くの粒子は付着するけれども、一部の粒子は治具またはスペーサをエッチングし、エッチングによって治具またはスペーサから放出された粒子が半導体レーザ装置の端面に形成される反射率制御膜中に取込まれる場合がある。

半導体レーザバーおよびスペーサを固定する治具が、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）などの金属で構成されている場合、金属が反射率制御膜中に取込まれることになる。金属が反射率制御膜に取込まれた状態でレーザ発振すると、その金属が光吸収し、光学損傷（Catastrophic Optical Damage；略称：ＣＯＤ）劣化を引起こして、半導体レーザ装置の信頼性が低下するという問題がある。

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、半導体レーザ装置の光学損傷劣化を防止して、半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜を形成することのできる端面処理用治具およびそれを用いる半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の端面処理用治具は、半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜を形成して半導体レーザ装置を製造するために半導体レーザ装置本体を固定する端面処理用治具であって、半導体レーザ装置本体の端面が露出する窓が形成される窓部を有し、少なくとも窓部は、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成ることを特徴とする。

本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、前記端面処理用治具によって半導体レーザ装置本体を固定し、前記端面処理用治具の窓から露出する半導体レーザ装置本体の端面に、反射率制御膜を形成する工程を備えることを特徴とする。

また本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、複数の半導体レーザ装置本体を、隣合う２つの半導体レーザ装置本体間にスペーサを介在させて配置して、前記端面処理用治具によって固定し、前記端面処理用治具の窓から露出する各半導体レーザ装置本体の端面に、反射率制御膜を形成する工程を備え、前記スペーサは、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成ることを特徴とする。

本発明の端面処理用治具によれば、半導体レーザ装置本体は、窓部の窓から端面が露出するように固定される。この状態で、半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜を形成して、半導体レーザ装置が製造される。半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜の材料を付着させて反射率制御膜を形成するときに、端面処理用治具の窓部に反射率制御膜の材料が付着して、窓部がエッチングされると、エッチングによって放出された窓部の材料が反射率制御膜中に取込まれる。端面処理用治具の窓部が金属から成る場合、反射率制御膜中に金属が取込まれ、取込まれた金属が光吸収し、光学損傷劣化を引起こす。本発明の端面処理用治具の窓部は、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成るので、窓部の材料が反射率制御膜中に取込まれる場合、反射率制御膜中には酸化物または窒化物の少なくとも一方が取込まれることになる。

したがって、反射率制御膜中に金属が取込まれることを防止し、取込まれた金属による光吸収を防止することができるので、半導体レーザ装置の光学損傷劣化を防止して、半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜を形成することができる。

本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、窓部が酸化物および窒化物の少なくとも一方から成る端面処理用治具で半導体レーザ装置本体を固定して、窓部の窓から露出する半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜を形成するので、半導体レーザ装置本体の端面に形成される反射率制御膜の中に金属が取込まれることを防止し、取込まれる金属による光吸収を防止することができる。これによって、半導体レーザ装置の光学損傷劣化を防止し、信頼性が高い半導体レーザ装置を得ることができる。

また本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、窓部が酸化物および窒化物の少なくとも一方から成る端面処理用治具によって、複数の半導体レーザ装置本体が固定される。隣合う２つの半導体レーザ装置本体間には、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成るスペーサが介在する。この状態で、端面処理用治具の窓部に形成される窓から露出する各半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜が形成される。各半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜の材料を付着させて反射率制御膜を形成するとき、端面処理用治具の窓部およびスペーサがエッチングされて、それらの材料が放出されることがある。

端面処理用治具の窓部およびスペーサは、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成るので、窓部およびスペーサが金属から成る場合とは異なり、エッチングによって窓部およびスペーサの材料が放出されても、反射率制御膜の中に金属が取込まれることを防止し、取込まれた金属による光吸収を防止することができる。特に本発明では、窓部だけでなく、スペーサも、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成るので、反射率制御膜中への金属の取込みをより確実に防止することができる。したがって、半導体レーザ装置の光学損傷劣化をより確実に防止し、信頼性が高い半導体レーザ装置を得ることができる。

＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態である半導体レーザ端面処理用治具３を示す平面図である。図２は、図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。図３は、保持治具７を簡略化して示す斜視図である。図４は、固定治具８を簡略化して示す斜視図である。図１では、後述する図５に示すウエハ１５をバー状態に劈開して成る半導体レーザバー１とスペーサ２とが交互に配置され、かつ半導体レーザ端面処理用治具（以下「端面処理用治具」という）３に固定された状態を示している。換言すれば、図１では、複数の半導体レーザバー１が、隣合う２つの半導体レーザバー１間にスペーサ２を介在させて配置され、かつ端面処理用治具３に固定された状態を示している。

半導体レーザバー１は、後述する図６に示すように、複数個の半導体レーザ装置本体２０が予め定める方向に連なって直方体状に形成される。スペーサ２は、半導体レーザバー１と同様に直方体状に形成される。したがって図１に示すように複数の半導体レーザバー１を、隣合う２つの半導体レーザバー１間にスペーサ２を介在させて幅方向に並べて配置することによって、複数の半導体レーザ装置本体２０が、隣合う２つの半導体レーザ装置本体２０間にスペーサ２を介在させて配置される。

端面処理用治具３は、半導体レーザ装置本体の端面である半導体レーザバー１の端面９に、後述する図７に示すように反射率制御膜２２，２３を形成して半導体レーザ装置２１を製造するために、半導体レーザ装置本体、具体的には半導体レーザバー１を固定する治具である。端面処理用治具３は、ザグリ部６が形成される保持治具７と、半導体レーザバー１およびスペーサ２を、保持治具７と協働して挟持して固定する固定治具８とを備えて構成される。保持治具７および固定治具８は、その厚み方向一方から見て略正方形枠状に形成されている。

また図２および図３に示すように、保持治具７にザグリ部６を形成することによって、半導体レーザバー１およびスペーサ２を保持治具７に取付けることが可能となる。端面処理用治具３は、半導体レーザ装置本体の端面９が露出する窓４が形成される窓部５を有する。本実施の形態では、保持治具７の外方に臨む表面部および固定治具８の外方に臨む表面部が、窓部５を構成する。半導体レーザ装置本体は、窓部５の窓４から端面９が露出するように固定される。

半導体レーザ装置本体の端面９に反射率制御膜を形成するにあたって、本実施の形態では、反射率制御膜の材料が、反射率制御膜の予め定める第１成膜方向１１または第１成膜方向１１と１８０度異なる第２成膜方向１２から付着されるように、端面処理用治具３を成膜装置に配置する。反射率制御膜は、スパッタ法、真空蒸着法または化学気相成長（ＣＶＤ）法などの方法を用いて、単層または少なくとも２層以上の多層膜を成膜することによって形成される。本実施の形態における第１成膜方向１１は、半導体レーザ装置本体の２つの端面９のうち、一部が固定治具８と接する側の端面９に垂直でかつその端面９に近接する方向であり、第２成膜方向１２は、半導体レーザ装置本体の２つの端面９のうち、一部が保持治具７と接する側の端面９に垂直でかつその端面９に近接する方向である。

半導体レーザ装置本体の端面９が、第１および第２成膜方向１１，１２に垂直となるように、半導体レーザバー１およびスペーサ２を保持治具７のザグリ部６に配置することによって、半導体レーザ装置本体の端面９に反射率制御膜を形成する前の工程が完了する。

図３に示す保持治具７および図４に示す固定治具８は、実際には保持治具７および固定治具８の両者を固定するねじ、ならびに半導体レーザバー１の長さ寸法および本数にあわせて、それらを構成する多数の部品を含んで構成されるが、理解を容易にするために、図３では保持治具７を簡略化して示し、図４では固定治具８を簡略化して示している。保持治具７および固定治具８の形態は、必ずしも図３および図４に示した形態に限定されるものではなく、たとえば、保持治具７および固定治具８が、その厚み方向一方から見て長方形枠状に形成されていてもよい。

本実施の形態において、端面処理用治具３を構成する保持治具７および固定治具８のうち、少なくとも窓部５に相当する部分は、酸化物および窒化物の少なくとも一方の材料から成る。本実施の形態では、端面処理用治具３の全体、すなわち保持治具７および固定治具８の全体が、酸化物および窒化物の少なくとも一方の材料から成る。このように本実施の形態では、端面処理用治具３の窓部５を、酸化物および窒化物の少なくとも一方の材料から成るようにしているが、同じ酸化物または窒化物でも材料が異なると、反射率制御膜の屈折率に影響を及ぼすので、端面処理用治具３の窓部５を構成する材料は、半導体レーザ装置本体の端面９に形成する反射率制御膜と同じ材料であることが好ましい。

本実施の形態の反射率制御膜は、酸化物または窒化物の少なくとも一方の材料で構成される。酸化物の一例としては、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化チタン、酸化マグネシウム、および酸化ニオブが挙げられる。また窒化物の一例としては、窒化アルミニウムおよび窒化シリコンが挙げられる。反射率制御膜は、前記酸化物または窒化物を単層または少なくとも２層以上の多層膜を成膜することによって形成される。本実施の形態の端面処理用治具３は、前記反射率制御膜と同一の材料によって構成される。

前述のように本実施の形態の端面処理用治具３によれば、半導体レーザ装置本体は、窓部５の窓４から端面９が露出するように固定される。この状態で、半導体レーザ装置本体の端面９に反射率制御膜を形成して、半導体レーザ装置が製造される。第１または第２成膜方向１１，１２から、半導体レーザ装置本体の端面９に反射率制御膜の材料を付着させて反射率制御膜を形成するとき、端面処理用治具３の窓部５に反射率制御膜の材料が付着して、窓部５がエッチングされると、エッチングによって放出された窓部５の材料が反射率制御膜中に取込まれる。端面処理用治具３の窓部５が金属から成る場合、反射率制御膜中に金属が取込まれ、取込まれた金属が光吸収し、光学損傷劣化を引起こす。本実施の形態の端面処理用治具３の窓部５は、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成るので、窓部５の材料が反射率制御膜中に取込まれる場合、反射率制御膜中には酸化物または窒化物の少なくとも一方が取込まれることになる。

したがって、反射率制御膜中に金属が取込まれることを防止し、取込まれた金属による光吸収を防止することができるので、半導体レーザ装置の光学損傷劣化を防止して、半導体レーザ装置本体の端面９に反射率制御膜を形成することができる。

反射率制御膜は、前述のようにスパッタ法、真空蒸着法またはＣＶＤ法などの方法を用いて形成されるが、本実施の形態の端面処理用治具３は、反射率制御膜の材料の粒子のエネルギーが高いスパッタ法によって反射率制御膜を形成する場合に、特に有効に前述の効果を奏する。

また、本実施の形態の端面処理用治具３によれば、前述の方法で反射率制御膜を形成する前に、希ガス、窒素ガス、酸素ガス、もしくはこれらの混合ガスを含むプラズマで、半導体レーザ装置本体の端面９の汚染物、水分、自然酸化膜などを除去する場合にも、前述の反射率制御膜を形成するときと同様の効果を奏する。

図５は、ＧａＡｓ基板に対するエピタキシャル成長工程、絶縁膜形成工程および金属電極形成工程が終了した段階のウエハ１５の構成を示す断面図である。図６は、図５に示すウエハ１５を共振器長に劈開した半導体レーザバー１を示す斜視図である。図７は、半導体レーザ装置２１の構成を示す断面図である。

半導体レーザ装置２１となる半導体レーザ装置本体２０は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板、インジウムリン（ＩｎＰ）基板または窒化ガリウム（ＧａＮ）基板上に、エピタキシャル成長して、レーザ光が発振する領域を形成して製造される。本実施の形態では、ＧａＡｓ基板を用いた、発振波長が６５０ｎｍの半導体レーザ装置の製造方法について説明する。半導体レーザ装置の基板および発振波長は、必ずしも前記基板および前記発振波長に限定されるものではない。

複数の半導体レーザ装置本体２０を含むウエハ１５は、ＧａＡｓ基板１１に活性層１２およびクラッド層１３をエピタキシャル成長法によって結晶成長し、結晶側および基板側に電極１４をそれぞれ形成して製造される。このようにして製造されたウエハ１５を共振器長に劈開して、複数個の半導体レーザ装置本体２０が連なった半導体レーザバー１を製造する。劈開によって形成された端面９に、前述の端面処理用治具３を用いて、スパッタ法、真空蒸着法またはＣＶＤ法などの各種成膜方法によって反射率制御膜を形成する。

高出力が要求される半導体レーザ装置２１では、レーザ光を射出する側の端面９に反射率の低い反射率制御膜（以下「第１反射率制御膜」という場合がある）２２を形成し、その反対側の端面９には反射率の高い反射率制御膜（以下「第２反射率制御膜」という場合がある）２３を形成する。第１反射率制御膜２２の反射率は、単に低ければよいというものではなく、半導体レーザ装置に要求される特性に応じて選定される。高出力の半導体レーザ装置では、第１反射率制御膜２２の反射率として３％〜７％程度の反射率が選定され、戻り光対策が必要な場合は７％〜１０％程度の反射率が選定される。また第２反射率制御膜２３の反射率は、６０％以上、好ましくは８０％以上である。図７に示すように、端面９に第１および第２反射率制御膜２２，２３を形成した後は、半導体レーザバー１をチップごとに、すなわち半導体レーザ装置本体２０ごとに分離することによって、半導体レーザ装置２１が得られる。

本実施の形態の半導体レーザ装置の製造方法によれば、窓部５が酸化物および窒化物の少なくとも一方から成る端面処理用治具３で半導体レーザ装置本体２０を固定して、窓部５の窓４から露出する半導体レーザ装置本体２０の端面９に第１および第２反射率制御膜２２，２３を形成するので、半導体レーザ装置本体２０の端面９に形成される第１および第２反射率制御膜２２，２３の中に金属が取込まれることを防止し、取込まれる金属による光吸収を防止することができる。これによって、半導体レーザ装置２１の光学損傷劣化を防止し、信頼性が高い半導体レーザ装置２１を得ることができる。

＜第２の実施の形態＞
次に本発明の第２の実施の形態の端面処理用治具およびそれを用いる半導体レーザ装置の製造方法について説明する。本実施の形態の半導体レーザバーの製造工程については、前述の第１の実施の形態と同様であるので、対応する箇所に同一の参照符を付して、第１の実施の形態と共通する説明を省略する。

第１の実施の形態では、端面処理用治具３を酸化物または窒化物の材料で構成する場合について説明したが、酸化物および窒化物は金属に比べて加工しにくく、また製造コストが増大するという問題がある。したがって、ザグリ部６が形成される保持治具７は、特に金属、たとえばステンレス鋼（Stainless Used Steel；略称：ＳＵＳ）で構成されることが望ましい。

本実施の形態の端面処理用治具３２は、前述のような端面処理用治具の加工性およびコストを考慮したものであり、第１または第２成膜方向１１，１２から半導体レーザバー１の端面に反射率制御膜を成膜する場合、反射率制御膜が付着する位置に、酸化物または窒化物の材料で構成されるカバー治具を、図１〜図４に示される第１の実施の形態の端面処理用治具３に取付けて構成される。すなわち本実施の形態の端面処理用治具３２は、第１の実施の形態の端面処理用治具３と同様の構成の治具本体３１と、カバー治具２５，２８とを備えて構成される。

図８は、端面処理用治具３２に備わる第１カバー治具２５を示す斜視図である。図９は、第１および第２カバー治具２５，２８を保持治具２９と固定治具３０とに取付けた状態を示す斜視図である。図１０は、図９の切断面線Ｘ−Ｘから見た断面図である。

本実施の形態では、治具本体３１は、前述の第１の実施の形態の端面処理用治具３と同様に構成されるが、治具本体３１を構成する保持治具２９および固定治具３０は、金属から成る。第１および第２カバー治具２５，２８は、その厚み方向一方から見て略正方形枠状に形成される。第１および第２カバー治具２５，２８全体の大きさは、第１の実施の形態の端面処理用治具３に相当する治具本体３１よりも大きく、また窓２６は治具本体３１の窓４と同じかまたは小さくなるように作製する。第２カバー治具２８は、図９に示すように、治具本体３１を覆うのみで、半導体レーザバー１およびスペーサ２を保持する必要がないので、板に孔を開けた程度の加工で済む。したがって第１および第２カバー治具２５，２８を含んで端面処理用治具３２を構成することによって、前述の加工が困難という問題および製造コストが増大するという問題が解消される。

第１および第２カバー治具２５，２８は、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成る。これによって、保持治具２９と固定治具３０とが、金属、たとえばＳＵＳで構成されるとしても、予め定める第１成膜方向１１または第１成膜方向１１と１８０度異なる第２成膜方向１２から、反射率制御膜を構成する材料の粒子を衝突させて反射率制御膜を形成するときに、ＳＵＳに反射率制御膜の材料が付着することはなく、反射率制御膜へのＳＵＳの取込みを防止できる。このようにＳＵＳなどの金属材料の反射率制御膜への取込みが発生しないので、信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。第１および第２カバー治具２５，２８の材料は、第１の実施の形態で述べたように、好ましくは端面９に形成する反射率制御膜２２，２３と同じ材料であることが好ましい。

本実施の形態では、保持治具２９および固定治具３０はいずれも金属から成るので、保持治具２９および固定治具３０をそれぞれ覆うように、２つのカバー治具２５，２８が設けられる。カバー治具の数は、２つに限定されず、保持治具２９および固定治具３０を構成する材料に応じて選ばれる。たとえば、保持治具２９および固定治具３０のうち、固定治具３０のみが酸化物および窒化物の少なくとも一方で構成される場合、固定治具３０を覆う第１カバー治具２５は不要となり、また、保持治具２９のみが酸化物および窒化物の少なくとも一方で構成される場合、保持治具２９を覆う第２カバー治具２８は不要となる。

本実施の形態の端面処理用治具によれば、治具本体３１とカバー治具２５，２８とを備えて端面処理用治具３２が構成される。半導体レーザ装置本体２０は、治具本体３１によって固定され、半導体レーザ装置本体２０の端面９が露出する窓２６は、治具本体３１を覆うカバー治具２５，２８の窓部２７に形成される。これによって、治具本体３１を窓部２７とは別の材料で形成することができるので、治具本体３１を加工しやすく、かつ安価な材料、たとえば金属によって形成することができる。またカバー治具２５，２８を簡単な構成、たとえば板に孔を開けた程度の加工で形成できるような構成にすることができるので、カバー治具２５，２８を容易に、かつ安価に製造することができる。したがって、端面処理用治具３２全体を酸化物および窒化物の少なくとも一方で形成する場合に比べて、端面処理用治具３２を容易に、かつ安価に製造することができる。

＜第３の実施の形態＞
次に本発明の第３の実施の形態の端面処理用治具およびそれを用いる半導体レーザ装置の製造方法について説明する。本実施の形態の半導体レーザバーの製造工程および端面処理用治具は、前述の第１の実施の形態と同様であるので、対応する箇所に同一の参照符を付して、第１の実施の形態と共通する説明を省略する。

反射率制御膜形成時は、端面処理用治具３だけでなく、スペーサ２にも反射率制御膜２２，２３を構成する材料が付着する。したがって、スペーサ２が金属である場合、スペーサ２に反射率制御膜２２，２３の材料が付着することによって、スペーサ２がエッチングされ、エッチングによってスペーサ２から放出された金属粒子が反射率制御膜２２，２３中に取込まれてしまう場合がある。

そこで本実施の形態では、スペーサ２を酸化物および窒化物の少なくとも一方の材料で構成することによって、反射率制御膜２２，２３中に金属粒子が取込まれることをさらに低減することができ、信頼性の高い半導体レーザ装置を得ることができる。

またスペーサ２の材料は、第１および第２の実施の形態で述べたように、端面９に形成する反射率制御膜２２，２３と同じ材料であることが好ましい。

本実施の形態では、前述の第２の実施の形態と同様に、端面処理用治具３にカバー治具２５，２８を取付ける構成であってもよい。このような構成の場合、前述の第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

本実施の形態の半導体レーザ装置の製造方法によれば、窓部５が酸化物および窒化物の少なくとも一方から成る端面処理用治具３によって、複数の半導体レーザ装置本体２０が固定されるとき、隣合う２つの半導体レーザ装置本体２０間には、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成るスペーサ２が介在する。この状態で、端面処理用治具３の窓部５に形成される窓４から露出する各半導体レーザ装置本体２０の端面９に反射率制御膜２２，２３が形成される。

端面処理用治具３の窓部５およびスペーサ２は、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成るので、窓部５およびスペーサ２が金属から成る場合とは異なり、エッチングによって窓５およびスペーサ２の材料が放出されても、反射率制御膜２２，２３の中に金属が取込まれることを防止し、取込まれた金属による光吸収を防止することができる。特に本実施の形態では、窓部５だけでなく、スペーサ２も、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成るので、反射率制御膜２２，２３中への金属の取込みをより確実に防止することができる。したがって、半導体レーザ装置の光学損傷劣化をより確実に防止し、信頼性が高い半導体レーザ装置を得ることができる。

本発明の第１の実施の形態である半導体レーザ端面処理用治具３を示す平面図である。 図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。 保持治具７を簡略化して示す斜視図である。 固定治具８を簡略化して示す斜視図である。 ＧａＡｓ基板に対するエピタキシャル成長工程、絶縁膜形成工程および金属電極形成工程が終了した段階のウエハ１５の構成を示す断面図である。 図５に示すウエハ１５を共振器長に劈開した半導体レーザバー１を示す斜視図である。 半導体レーザ装置２１の構成を示す断面図である。 端面処理用治具３２に備わる第１カバー治具２５を示す斜視図である。 第１および第２カバー治具２５，２８を保持治具２９と固定治具３０とに取付けた状態を示す斜視図である。 図９の切断面線Ｘ−Ｘから見た断面図である。

符号の説明

１ 半導体レーザバー、２ スペーサ、３，３２ 半導体レーザ端面処理用治具、４，２６ 窓、５，２７ 窓部、６ ザグリ部、７，２９ 保持治具、８，３０ 固定治具、９ 端面、２０ 半導体レーザ装置本体、２１ 半導体レーザ装置、２２ 第１反射率制御膜、２３ 第２反射率制御膜、２５ 第１カバー治具、２８ 第２カバー治具、３１ 治具本体。

Claims (4)

1. 半導体レーザ装置本体の端面に反射率制御膜を形成して半導体レーザ装置を製造するために半導体レーザ装置本体を固定する端面処理用治具であって、
   半導体レーザ装置本体の端面が露出する窓が形成される窓部を有し、
   少なくとも窓部は、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成ることを特徴とする端面処理用治具。
2. 半導体レーザ装置本体を固定する治具本体と、
   前記窓部を有し、前記治具本体を覆うカバー治具とを備えることを特徴とする請求項１に記載の端面処理用治具。
3. 請求項１または２に記載の端面処理用治具によって半導体レーザ装置本体を固定し、
   前記端面処理用治具の窓から露出する半導体レーザ装置本体の端面に、反射率制御膜を形成する工程を備えることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
4. 複数の半導体レーザ装置本体を、隣合う２つの半導体レーザ装置本体間にスペーサを介在させて配置して、請求項１または２に記載の端面処理用治具によって固定し、
   前記端面処理用治具の窓から露出する各半導体レーザ装置本体の端面に、反射率制御膜を形成する工程を備え、
   前記スペーサは、酸化物および窒化物の少なくとも一方から成ることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

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