[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2009158503A - Tape for processing wafer - Google Patents

Tape for processing wafer Download PDF

Info

Publication number
JP2009158503A
JP2009158503A JP2007331410A JP2007331410A JP2009158503A JP 2009158503 A JP2009158503 A JP 2009158503A JP 2007331410 A JP2007331410 A JP 2007331410A JP 2007331410 A JP2007331410 A JP 2007331410A JP 2009158503 A JP2009158503 A JP 2009158503A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
intermediate resin
resin layer
sensitive adhesive
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007331410A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satomi Yazaki
里美 矢崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2007331410A priority Critical patent/JP2009158503A/en
Publication of JP2009158503A publication Critical patent/JP2009158503A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tape for processing a wafer which suppresses chipping of a chip side face and burrs of an adhesive layer during dicing, and having excellent strippability when picking up thin film chips. <P>SOLUTION: An intermediate resin layer 2, a pressure sensitive adhesive layer 3, and an adhesive layer 4 are laminated in this order on a base material film 1 to form this tape 10 for processing the wafer. The intermediate resin layer 2 is harder than the pressure sensitive adhesive layer 3, and the thicknesses of the intermediate layer 2 and the pressure sensitive adhesive layer 3 are less than 10 μm respectively, and the total thickness of the intermediate resin layer 2 and the pressure sensitive adhesive layer 3 is less than 15 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハ等の加工のために使用されるウエハ加工用テープであって、より詳細には、ウエハのダイシング工程にて使用されるダイシングテープ、及び、ダイシング工程とダイシングされたチップをリードフレームや他のチップに接着させるためのマウント工程とに使用されるダイシング・ダイボンディングテープに関する。   The present invention relates to a wafer processing tape used for processing a semiconductor wafer or the like, and more specifically, a dicing tape used in a wafer dicing process, and a chip diced with the dicing process. The present invention relates to a dicing die bonding tape used in a mounting process for bonding to a lead frame or another chip.

ICなどの半導体装置の製造工程では、半導体ウエハの裏面に伸縮性のある粘着テープを貼り付けた後、パターン形成後の半導体ウエハを個々のチップに切断分離(ダイシング)する工程と、切断されたチップをピックアップする工程と、ピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する、あるいは、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するマウント工程が実施される。   In the manufacturing process of a semiconductor device such as an IC, after attaching a stretchable adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer, the process of cutting and separating (dicing) the semiconductor wafer after pattern formation into individual chips was performed. A step of picking up a chip and a step of bonding the picked-up chip to a lead frame, a package substrate, or the like, or a stacked package is performed in which semiconductor chips are stacked and bonded together.

上記半導体装置の製造工程に使用される粘着テープとして、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたダイシングテープの他、基材フィルム上に粘着剤層、接着剤層がこの順に積層されたダイシング・ダイボンディングテープが提案され、既に実用化されている。   As a pressure-sensitive adhesive tape used in the manufacturing process of the semiconductor device, in addition to a dicing tape in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on a base film, a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer are laminated in this order on the base film.・ Die bonding tape has been proposed and already put into practical use.

ダイシングテープは、半導体ウエハをダイシングする工程で、切断されたチップが飛び散らないようにウエハを固定するものであり、ウエハを強力に固定する高い粘着力が求められる一方で、チップのピックアップ時には、チップから容易に剥がれることが求められる。
一方、ダイシング・ダイボンディングテープは、上記ダイシングテープの機能に加え、ダイシングテープとダイボンディングフィルム(ダイアタッチフィルムともいう)としての機能を有するものであり、チップのピックアップ工程において、接着剤層は粘着剤層から剥離して、チップの裏面に付着した状態でチップとともにピックアップされる。このようなダイシング・ダイボンディングテープを用いることで、接着剤層付きのチップを、リードフレームやパッケージ基板等にダイレクトにマウント可能であるので、接着剤の塗布工程や別途各チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。
The dicing tape is a process for dicing a semiconductor wafer, which fixes the wafer so that the cut chips do not scatter, and requires high adhesive strength to firmly fix the wafer. Is required to be easily peeled off.
On the other hand, the dicing die bonding tape has a function as a dicing tape and a die bonding film (also referred to as a die attach film) in addition to the function of the dicing tape. It is picked up with the chip in a state where it is peeled from the agent layer and attached to the back surface of the chip. By using such a dicing die bonding tape, it is possible to mount a chip with an adhesive layer directly on a lead frame, a package substrate, etc. The step of bonding can be omitted.

上記ダイシング工程では、ダイシングブレードにより、チップ形状に沿って粘着剤層の一部まで、あるいは、基材フィルムの一部まで切削される。しかしながら、ダイシング・ダイボンディングテープに用いられている接着剤層は、エポキシ樹脂等の低分子量物質を多く含んでおり、一般のダイシングテープに用いられている粘着剤層と比較すると、軟らかく切削性が劣る傾向がある。そのため、ダイシング時に接着剤層のバリが発生する。このような接着剤層のバリは、ダイシング後のピックアップ工程でのピックアップ不良や、マウント工程でのチップの接着不良などを引き起こし、半導体装置の歩留まりを低下させる。   In the dicing step, the dicing blade cuts up to a part of the adhesive layer or a part of the substrate film along the chip shape. However, the adhesive layer used in dicing die bonding tape contains a lot of low molecular weight substances such as epoxy resin, and it is softer and more machinable than the adhesive layer used in general dicing tape. There is a tendency to be inferior. Therefore, burrs of the adhesive layer occur during dicing. Such burr of the adhesive layer causes a pickup failure in the pickup process after dicing, a chip adhesion failure in the mounting process, and the like, and decreases the yield of the semiconductor device.

上記の問題を解決するために、例えば、特許文献1には、基材フィルムと粘着剤層との間に、粘着剤層よりも貯蔵弾性率の大きい中間樹脂層を設けたウエハ加工用テープが開示されている。
特開2006−49509号公報
In order to solve the above problem, for example, Patent Document 1 discloses a wafer processing tape in which an intermediate resin layer having a larger storage elastic modulus than the pressure-sensitive adhesive layer is provided between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer. It is disclosed.
JP 2006-49509 A

上記特許文献1には、基材フィルムと粘着剤層との間に、粘着剤層よりも貯蔵弾性率の大きい中間樹脂層を設けることで、チップ側面の欠けや割れ(チッピング)を抑制できるとともに、ダイシング時のヒゲ状切削屑が少なく、接着剤層の良好な切削性を得ることができることが記載されている。また、特許文献1では、厚さ100μmのウエハをダイシング及びピックアップした際に、ピックアップ成功率100%を達成できたことが記載されている。
しかしながら、近年、半導体装置の小型化、薄膜化に伴い、ダイシングするウエハの薄膜化が進み、その厚さが50μm以下のものが多くなり、チップのテープからの剥離が困難になってきている。したがって、ウエハ加工用テープに対して、ピックアップ時の剥離性のさらなる改善が求められている。
In Patent Document 1, by providing an intermediate resin layer having a larger storage elastic modulus than the pressure-sensitive adhesive layer between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer, chip side cracks and cracking (chipping) can be suppressed. In addition, it is described that there is little beard-like cutting waste during dicing, and good machinability of the adhesive layer can be obtained. Patent Document 1 describes that when a wafer having a thickness of 100 μm is diced and picked up, a pickup success rate of 100% can be achieved.
However, in recent years, with the miniaturization and thinning of semiconductor devices, thinning of wafers to be diced has progressed, and the thickness thereof has increased to 50 μm or less, making it difficult to peel off chips from tape. Therefore, further improvement of the peelability at the time of pick-up is required for the wafer processing tape.

そこで、本発明は、ダイシング時のチップ側面のチッピングや接着剤層のバリの発生を抑制するとともに、薄膜チップをピックアップする際の剥離性に優れるウエハ加工用テープを提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer processing tape that suppresses chipping on the side surface of a chip during dicing and generation of burrs on an adhesive layer and is excellent in releasability when a thin film chip is picked up.

本発明者らは、基材フィルムと粘着剤層との間に、粘着剤層よりも硬い中間樹脂層を設け、中間樹脂層及び粘着剤層の厚さをそれぞれ10μm未満、且つ、中間樹脂層と粘着剤層との合計の厚さを15μm未満に設定することで、ダイシング時のチップ側面のチッピングや接着剤層のバリの発生を抑制するとともに、50μm以下の薄膜チップを良好にピックアップできることを見出した。本発明は、この知見に基づき完成されたものである。   The inventors have provided an intermediate resin layer harder than the adhesive layer between the base film and the adhesive layer, the intermediate resin layer and the adhesive layer have a thickness of less than 10 μm, respectively, and the intermediate resin layer By setting the total thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer to less than 15 μm, it is possible to suppress chipping on the side surface of the chip during dicing and generation of burrs on the adhesive layer and to pick up a thin film chip of 50 μm or less well. I found it. The present invention has been completed based on this finding.

本発明の第1の態様は、基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層がこの順に積層されているウエハ加工用テープであって、前記中間樹脂層は前記粘着剤層よりも硬く、前記中間樹脂層及び前記粘着剤層の厚さはそれぞれ10μm未満であり、且つ、前記中間樹脂層と前記粘着剤層との合計の厚さは15μm未満であることを特徴とするウエハ加工用テープである。   A first aspect of the present invention is a wafer processing tape in which an intermediate resin layer and an adhesive layer are laminated in this order on a base film, the intermediate resin layer being harder than the adhesive layer, A wafer processing tape, wherein the thickness of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer is less than 10 μm, respectively, and the total thickness of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer is less than 15 μm. is there.

本発明の第2の態様は、上記第1の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記粘着剤層の上に、さらに接着剤層を有することを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to the first aspect, an adhesive layer is further provided on the pressure-sensitive adhesive layer.

本発明の第3の態様は、上記第1又は第2の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中間樹脂層及び前記粘着剤層の厚さはそれぞれ7μm未満であり、且つ、前記中間樹脂層と前記粘着層との合計の厚さは14μm未満であることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to the first or second aspect, each of the intermediate resin layer and the adhesive layer has a thickness of less than 7 μm, and the intermediate resin layer The adhesive layer has a total thickness of less than 14 μm.

本発明の第4の態様は、上記第3の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中間樹脂層と前記粘着剤層との合計の厚さは10μm未満であることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to the third aspect, a total thickness of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer is less than 10 μm.

本発明の第5の態様は、上記第4の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中間樹脂層及び前記粘着剤層の厚さはそれぞれ5μm未満であることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to the fourth aspect, each of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of less than 5 μm.

本発明の第6の態様は、上記第1から第5のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中間樹脂層の厚さは、前記粘着剤層よりも大きいことを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to any one of the first to fifth aspects, the thickness of the intermediate resin layer is larger than the pressure-sensitive adhesive layer.

本発明の第7の態様は、上記第1から第6のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率が、5×104〜1×107Paの範囲にあることを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to any one of the first to sixth aspects, a storage elastic modulus at 80 ° C. of the intermediate resin layer is 5 × 10 4 to 1 × 10 7. It is in the range of Pa.

本発明の第8の態様は、上記第1から第7のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中間樹脂層の25℃における貯蔵弾性率が、5×104〜1×107Paの範囲にあることを特徴とする。 According to an eighth aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to any one of the first to seventh aspects, a storage elastic modulus at 25 ° C. of the intermediate resin layer is 5 × 10 4 to 1 × 10 7. It is in the range of Pa.

本発明の第9の態様は、上記第1から第8のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中間樹脂層は、3次元網状構造を有するアクリル系樹脂であることを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to any one of the first to eighth aspects, the intermediate resin layer is an acrylic resin having a three-dimensional network structure. .

本発明の第10の態様は、上記第1から第9のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記中間樹脂層は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする。   According to a tenth aspect of the present invention, in the wafer processing tape according to any one of the first to ninth aspects, the intermediate resin layer is a thermosetting resin.

本発明の第11の態様は、上記第1から第10のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記粘着剤層は、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも1種選ばれる化合物(B)とを含有することを特徴とする。   An eleventh aspect of the present invention is the wafer processing tape according to any one of the first to tenth aspects, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable carbon having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule. It contains a compound (A) having a carbon double bond and at least one compound (B) selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins and epoxy resins.

本発明のウエハ加工用テープは、薄膜チップのピックアップ時に要求される剥離性に優れ、ウエハのダイシング時に発生するチップ側面のチッピングや接着剤層のバリの発生を抑制、防止することができる。   The wafer processing tape of the present invention is excellent in releasability required at the time of picking up a thin film chip, and can suppress and prevent chip side chipping and adhesive layer burr generated during wafer dicing.

以下、本発明の実施の形態について説明する。
図1及び図2は、本発明のウエハ加工用テープの二つの例を示したものである。図1は、基材フィルム1上に中間樹脂層2、粘着剤層3、及び接着剤層4が積層されたダイシング・ダイボンディングテープ10であり、図2は、基材フィルム1上に中間樹脂層2、粘着剤層3が積層されたダイシングテープ20である。図1及び図2においては、ウエハ加工用テープに半導体ウエハWとダイシング用リングフレーム12とが貼り合わされた様子が示されている。
Embodiments of the present invention will be described below.
1 and 2 show two examples of the wafer processing tape of the present invention. FIG. 1 shows a dicing die bonding tape 10 in which an intermediate resin layer 2, an adhesive layer 3, and an adhesive layer 4 are laminated on a base film 1, and FIG. 2 shows an intermediate resin on the base film 1. A dicing tape 20 in which the layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 are laminated. 1 and 2 show a state in which the semiconductor wafer W and the dicing ring frame 12 are bonded to the wafer processing tape.

それぞれの層は、使用工程や装置に併せて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよい。また、ウエハWが貼り合わされる前のダイシング・ダイボンディングテープ10及びダイシングテープ20には、接着剤層4又は粘着剤層3を保護するためにカバーフィルムが設けられていても良い。また、本発明のウエハ加工用テープは、ウエハ1枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態とを含む。   Each layer may be cut (precut) into a predetermined shape in advance in accordance with the use process and apparatus. Further, the dicing die bonding tape 10 and the dicing tape 20 before the wafer W is bonded may be provided with a cover film for protecting the adhesive layer 4 or the pressure-sensitive adhesive layer 3. Further, the wafer processing tape of the present invention includes a form cut for each wafer and a form obtained by winding a plurality of long sheets formed in a roll shape.

図1及び図2の構成において、中間樹脂層2及び粘着剤層3の厚さはそれぞれ10μm未満であり、且つ、中間樹脂層2と粘着剤層3との合計の厚さは15μm未満に設定される。中間樹脂層2及び粘着剤層3の厚さを、このような範囲に設定することで、薄膜チップをピックアップする際に優れた剥離性が発現される。より好ましくは、中間樹脂層2及び粘着剤層3の厚さがそれぞれ7μm未満であり、且つ、中間樹脂層2と粘着層3との合計の厚さが14μm未満である。さらに好ましくは、中間樹脂層2及び粘着剤層3の厚さがそれぞれ7μm未満であり、且つ、中間樹脂層2と粘着層3との合計の厚さが10μm未満である。よりいっそう好ましくは、中間樹脂層2及び粘着剤層3の厚さがそれぞれ5μm未満である。また、チップ側面のチッピングを抑制する観点からは、中間樹脂層2の厚さが、粘着剤層3よりも大きいことが好ましい。
なお、中間樹脂層2及び粘着剤層3は、それぞれ複数の層が積層された構成であってもよい。
次に、基材フィルムと各層の構成について順に説明する。
1 and FIG. 2, the thickness of the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 10 μm, respectively, and the total thickness of the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is set to be less than 15 μm. Is done. By setting the thickness of the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 in such a range, excellent releasability is exhibited when picking up a thin film chip. More preferably, the thickness of each of the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 7 μm, and the total thickness of the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 14 μm. More preferably, the thickness of each of the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 7 μm, and the total thickness of the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 10 μm. Even more preferably, the thicknesses of the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 are each less than 5 μm. From the viewpoint of suppressing chipping on the side surface of the chip, the thickness of the intermediate resin layer 2 is preferably larger than that of the pressure-sensitive adhesive layer 3.
The intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 may have a structure in which a plurality of layers are laminated.
Next, the structure of a base film and each layer is demonstrated in order.

(基材フィルム)
本発明のダイシング・ダイボンディングテープ10及びダイシングテープ20を構成する基材フィルムについて説明する。
基材フィルムとしては、特に限定されるものではなく公知のプラスチック、ゴムなどを用いることができる。一般に基材フィルムとしては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。放射線透過性であることが好ましく、特に粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合にはその粘着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択する必要がある。このような基材として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらを複層にしたものを使用しても良い。
(Base film)
The base film which comprises the dicing die-bonding tape 10 and the dicing tape 20 of this invention is demonstrated.
The base film is not particularly limited, and known plastics, rubbers and the like can be used. In general, a thermoplastic plastic film is used as the base film. It is preferable that it is radiation transmissive. In particular, when a radiation curable pressure sensitive adhesive is used for the pressure sensitive adhesive layer, it is necessary to select a material having good radiation transparency at a wavelength at which the pressure sensitive adhesive is cured. Examples of polymers that can be selected as such a substrate include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic. Homopolymer or copolymer of α-olefin such as ethyl acid copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer, or a mixture thereof, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate Engineering plastics such as polyurethane, thermoplastic elastomers such as polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers, polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof. Moreover, you may use what made these two or more layers.

なお、半導体チップ間隙を大きくするためには、ネッキング(基材フィルムを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生)の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルムを用いると効果的である。   In order to increase the gap between the semiconductor chips, it is preferable that necking (occurrence of partial elongation due to poor propagation of force that occurs when the base film is stretched radially) is as small as possible, including polyurethane, molecular weight and styrene. Examples thereof include styrene-ethylene-butene or pentene copolymers with limited amounts, and it is effective to use a cross-linked substrate film to prevent elongation or deflection during dicing.

基材フィルムの中間樹脂層が設けられる側の表面には、中間樹脂層との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施しても良い。   The surface of the base film on the side on which the intermediate resin layer is provided may be appropriately subjected to treatment such as corona treatment or provision of a primer layer in order to improve the adhesion with the intermediate resin layer.

基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常30〜300μmが適当である。なお、基材フィルムの粘着剤層が塗布されない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることによって、ブロッキング防止、粘着テープの放射状延伸時の粘着テープと治具との摩擦を減少することによる基材フィルムのネッキング防止などの効果が得られ、好ましい。   The thickness of the substrate film is usually suitably from 30 to 300 μm from the viewpoint of strong elongation characteristics and radiation transparency. In addition, the base material by reducing the friction between the adhesive tape and the jig at the time of radial stretching of the adhesive tape by applying a texture or lubricant coating on the surface of the base film on which the adhesive layer is not applied. Effects such as prevention of necking of the film are obtained, which is preferable.

(中間樹脂層)
本発明の本発明のダイシング・ダイボンディングテープ10及びダイシングテープ20を構成する中間樹脂層2は、後述する粘着剤層3より硬いもの、すなわち室温又は80℃での貯蔵弾性率が粘着剤層3よりも高いものである限り、特に制限は無い。ダイシング時のチップの割れ・欠け(チッピング)を抑制するためには、中間樹脂層2の80℃又は25℃における貯蔵弾性率の好ましい範囲は5×10〜1×10Paであり、より好ましくは1×10〜5×10Paである。
(Intermediate resin layer)
The intermediate resin layer 2 constituting the dicing die bonding tape 10 and the dicing tape 20 of the present invention is harder than the pressure-sensitive adhesive layer 3 described later, that is, the storage elastic modulus at room temperature or 80 ° C. is the pressure-sensitive adhesive layer 3. As long as it is higher than that, there is no particular limitation. In order to suppress chip cracking and chipping (chipping) during dicing, the preferred range of the storage elastic modulus at 80 ° C. or 25 ° C. of the intermediate resin layer 2 is 5 × 10 4 to 1 × 10 7 Pa, and more It is preferably 1 × 10 5 to 5 × 10 6 Pa.

特に、図1に示すダイシング・ダイボンディングテープ10を用いる場合には、このように粘着剤層3よりも硬い中間樹脂層2を設けることで、粘着剤層3を介して、流動性の高い柔軟な接着剤層4の下に硬い中間樹脂層2が存在することになるので、ダイシングの際の接着剤層4の切削性が向上し、接着剤層のバリの発生を抑制することができる。   In particular, when the dicing die bonding tape 10 shown in FIG. 1 is used, by providing the intermediate resin layer 2 that is harder than the pressure-sensitive adhesive layer 3 in this way, the flexible fluid having high fluidity through the pressure-sensitive adhesive layer 3. Since the hard intermediate resin layer 2 is present under the adhesive layer 4, the machinability of the adhesive layer 4 during dicing is improved, and the occurrence of burrs in the adhesive layer can be suppressed.

中間樹脂層は粘着成分と硬化成分とを含む混合物を基材フィルム上に塗工した後、硬化させることによって形成することができる。中間樹脂層には、室温で1週間程度放置することによって徐々に硬化し、好ましい範囲の弾性率となるような材料を用いることが好ましい。   The intermediate resin layer can be formed by coating a mixture containing an adhesive component and a curing component on a base film and then curing the mixture. For the intermediate resin layer, it is preferable to use a material that is gradually cured by leaving it to stand at room temperature for about one week and has an elastic modulus in a preferable range.

中間樹脂層を硬くする方法としては、主成分として使用される粘着成分のガラス転移点(Tg)を高くする、中間樹脂層に添加される硬化剤量を多く配合する、あるいは無機化合物フィラーを加えるなどの方法が挙げられるがこれに限定されるものではない。また、放射線照射によって硬化する材料を使用し、放射線照射によって硬化させて中間樹脂層の硬さを調整してもよい。なお、ここで、放射線とは、例えば紫外線のような光、あるいはレーザ光、または電子線のような電離性放射線を総称して言うものである。(以下、放射線と言う。)   Methods for hardening the intermediate resin layer include increasing the glass transition point (Tg) of the adhesive component used as the main component, adding a large amount of curing agent added to the intermediate resin layer, or adding an inorganic compound filler. However, it is not limited to this method. Alternatively, a material that is cured by radiation irradiation may be used, and the hardness of the intermediate resin layer may be adjusted by curing by radiation irradiation. Here, the radiation is a general term for ionizing radiation such as light such as ultraviolet rays, laser light, or electron beams. (Hereafter referred to as radiation.)

粘着成分は、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系、シリコーン系、天然ゴム系などの種々の汎用粘着剤を用いることができるが、本発明においては、特にアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、たとえば、(メタ)アクリル酸エステルモノマーおよび(メタ)アクリル酸誘導体から導かれる構成単位とからなる(メタ)アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで(メタ)アクリル酸エステルモノマーとしては、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸ベンジルエステル、アルキル基の炭素数が1〜18である(メタ)アクリル酸アルキルエステルが用いられる。また、(メタ)アクリル酸誘導体としては、たとえばグリシジル基を有する(メタ)アクリル酸グリシジル等、また水酸基を有するヒドロキシエチルアクリレートを挙げることができる。   As the adhesive component, various general-purpose adhesives such as acrylic, polyester, urethane, silicone, and natural rubber can be used. In the present invention, an acrylic adhesive is particularly preferable. Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include (meth) acrylic acid ester copolymers composed of structural units derived from (meth) acrylic acid ester monomers and (meth) acrylic acid derivatives. Here, as the (meth) acrylic acid ester monomer, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid benzyl ester, and (meth) acrylic acid alkyl ester having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group are used. . Examples of the (meth) acrylic acid derivative include glycidyl (meth) acrylate having a glycidyl group, and hydroxyethyl acrylate having a hydroxyl group.

硬化剤としてはポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。この硬化剤は架橋剤として働き、アクリル樹脂等の粘着成分と反応した結果できる架橋構造により、中間樹脂層は3次元網状構造を有し、ダイシング等によって生じる温度上昇時にも軟化しにくいものとなる。   The curing agent is a compound selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins, and can be used alone or in combination of two or more. This curing agent acts as a cross-linking agent, and the intermediate resin layer has a three-dimensional network structure due to the cross-linking structure formed as a result of reacting with an adhesive component such as an acrylic resin, and is difficult to soften even when the temperature rises due to dicing or the like. .

ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートL等を用いることができる。   The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4 -Phenoxyphenyl) propane] aromatic isocyanate such as diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate Lysine diisocyanate, lysine triisocyanate and the like. Specifically, Coronate L etc. can be used as a commercial item.

また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、例えば、ニカラックMX−45(三和ケミカル社製)、メラン(日立化成工業株式会社製)等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、例えば、TETRAD−X(三菱化学株式会社製)等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
As the melamine / formaldehyde resin, for example, Nicalac MX-45 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), melan (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), or the like can be used.
Furthermore, as an epoxy resin, TETRAD-X (made by Mitsubishi Chemical Corporation) etc. can be used, for example.
In the present invention, it is particularly preferable to use polyisocyanates.

さらに、中間樹脂層に放射線硬化性を持たせることで、ダイシング後に放射線硬化により中間樹脂層を硬化収縮させチップのピックアップ性を向上させても良い。
放射線硬化性を持たせるためには例えば光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリレート系オリゴマーを添加することが挙げられる。これらのオリゴマーとしては光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。
Furthermore, by providing the intermediate resin layer with radiation curability, the chip pick-up property of the chip may be improved by curing and shrinking the intermediate resin layer by radiation curing after dicing.
In order to impart radiation curability, for example, an acrylate oligomer having a photopolymerizable carbon-carbon double bond may be added. As these oligomers, low molecular weight compounds having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation are widely used. Specifically, trimethylolpropane triacrylate, Tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate, polyethylene glycol di Acrylate and oligoester acrylate are widely applicable.

また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いる事も出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。   In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) It is obtained by reacting.

放射線により中間樹脂層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用する事が出来る。これらのうち少なくとも1種類を中間樹脂層に添加する事により、効率よく重合反応を進行させる事が出来る。   When the intermediate resin layer is polymerized by radiation, a photopolymerization initiator such as isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, benzyl methyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethyl phenyl Propane etc. can be used together. By adding at least one of these to the intermediate resin layer, the polymerization reaction can proceed efficiently.

さらに中間樹脂層には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。   Further, the intermediate resin layer may contain a tackifier, a tackifier, a surfactant, or other modifiers as necessary.

このように基材に塗布された硬化後の中間樹脂層は熱硬化性の樹脂であり、ダイシング温度付近でも急激に軟化することなく良好な切削性が得られる。   Thus, the cured intermediate resin layer applied to the base material is a thermosetting resin, and good machinability is obtained without being rapidly softened even near the dicing temperature.

(粘着剤層)
図1に示すダイシングテープ20は、基材フィルム1に中間樹脂層2を形成し、中間樹脂層2上にさらに粘着剤層3を形成することで得られる。
粘着剤層3の形成は、通常のダイシングテープ同様に基材フィルム1に形成された中間樹脂層2上に粘着剤を塗工して製造してよく、粘着剤の塗工は、中間樹脂層2が塗工された後であればよいが、中間樹脂層2が放射線照射によって貯蔵弾性率が調整されるものであれば、中間樹脂層2が放射線によって硬化された後に塗工することが必要である。
(Adhesive layer)
The dicing tape 20 shown in FIG. 1 is obtained by forming the intermediate resin layer 2 on the base film 1 and further forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 on the intermediate resin layer 2.
The pressure-sensitive adhesive layer 3 may be formed by applying a pressure-sensitive adhesive on the intermediate resin layer 2 formed on the base film 1 in the same manner as a normal dicing tape. However, if the intermediate resin layer 2 is one whose storage elastic modulus is adjusted by radiation irradiation, the intermediate resin layer 2 needs to be coated after being cured by radiation. It is.

本発明のダイシング・ダイボンディングテープ10及びダイシングテープ20を構成する粘着剤層3としては、特に制限は無く、ダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであれば良い。ダイシング後のチップのピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、特にダイシング・ダイボンディングテープ10においては、接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。   The pressure-sensitive adhesive layer 3 constituting the dicing die-bonding tape 10 and the dicing tape 20 of the present invention is not particularly limited, and retainability that does not cause defects such as chip jumping with the adhesive layer during dicing, and pickup It may be sufficient if it has a characteristic that it can be easily peeled off from the adhesive layer. In order to improve the pick-up property of the chip after dicing, the pressure-sensitive adhesive layer is preferably radiation-curable, and in particular, the dicing die bonding tape 10 is preferably a material that can be easily separated from the adhesive layer. .

このような粘着剤層としては、例えば、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物(B)とを含むアクリル系粘着剤を用いることができる。   Examples of such an adhesive layer include a compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule, polyisocyanates, melamine / formaldehyde resin, and epoxy. An acrylic pressure-sensitive adhesive containing a compound (B) selected from resins can be used.

粘着剤層の主成分の1つである化合物(A)について説明する。化合物(A)の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で0.5〜20、より好ましくは0.8〜10である。ヨウ素価が0.5以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができる。また、ヨウ素価が20以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分であるので、ウエハダイシング後にウエハ加工用テープのエキスパンドを行う場合のチップ間隙を十分得ることができ、ピックアップ時の各チップの画像認識性を向上させることができる。さらに、化合物(A)そのものに安定性があり、製造が容易となる。   The compound (A) that is one of the main components of the pressure-sensitive adhesive layer will be described. A preferable introduction amount of the radiation curable carbon-carbon double bond of the compound (A) is 0.5 to 20, more preferably 0.8 to 10 in terms of iodine value. When the iodine value is 0.5 or more, an effect of reducing the adhesive strength after radiation irradiation can be obtained. If the iodine value is 20 or less, the flowability of the pressure-sensitive adhesive after irradiation is sufficient, so that a sufficient chip gap can be obtained when expanding the wafer processing tape after wafer dicing. The image recognizability of each chip can be improved. Furthermore, the compound (A) itself is stable and easy to manufacture.

上記化合物(A)は、ガラス転移点が−70℃〜0℃であることが好ましく、−66℃〜−28℃であることがより好ましい。ガラス転移点(以下、Tgと言う。)が−70℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、0℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物(A)はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物((1))と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物((2))とを反応させて得たものが用いられる。
The compound (A) preferably has a glass transition point of −70 ° C. to 0 ° C., more preferably −66 ° C. to −28 ° C. If the glass transition point (hereinafter referred to as Tg) is −70 ° C. or higher, the heat resistance against heat accompanying radiation irradiation is sufficient, and if it is 0 ° C. or lower, the element after dicing on a wafer having a rough surface state A sufficient scattering prevention effect can be obtained.
The compound (A) may be produced by any method, and has, for example, a radiation curable carbon-carbon double bond such as an acrylic copolymer or a methacrylic copolymer, and a functional group. A compound obtained by reacting a compound having the functional group ((1)) with a compound having a functional group capable of reacting with the functional group ((2)) is used.

このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物((1))は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体((1)−1)と、官能基を有する単量体((1)−2)とを共重合させて得ることができる。   Among these, the compound ((1)) having a radiation curable carbon-carbon double bond and a functional group is a single compound having a radiation curable carbon-carbon double bond such as an acrylic acid alkyl ester or a methacrylic acid alkyl ester. It can be obtained by copolymerizing a monomer ((1) -1) and a monomer having a functional group ((1) -2).

単量体((1)−1)としては、炭素数6〜12のヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数5以下の単量体である、ペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体((1)−1)として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体((1)−1)の総質量の5質量%以下の範囲内で可能である。
As a monomer ((1) -1), C6-C12 hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, or a single quantity having 5 or less carbon atoms The pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or methacrylates similar to these can be listed.
As the monomer ((1) -1) is used, the glass transition point becomes lower as the monomer having a larger carbon number is used, so that the desired glass transition point can be produced. In addition to the glass transition point, a monomer ((1) -1) may be blended with a low molecular compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene, or acrylonitrile for the purpose of improving compatibility and various performances. ) In the range of 5% by mass or less of the total mass.

単量体((1)−2)が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体((1)−2)の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。   Examples of the functional group of the monomer ((1) -2) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group. The monomer ((1)- Specific examples of 2) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates. N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, Phthalic anhydride, glycidyl acrylate, It can be enumerated those urethanization a monomer having a carbon-carbon double bond and - glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, a portion of the isocyanate groups of the polyisocyanate compound a hydroxyl group or a carboxyl group and a radiation-curable carbon.

化合物((2))において、用いられる官能基としては、化合物((1))、つまり単量体((1)−2)の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体((1)−2)の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
化合物((1))と化合物((2))の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
In the compound ((2)), the functional group used is a compound ((1)), that is, when the functional group of the monomer ((1) -2) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group. Can include a hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and in the case of a hydroxyl group, it can include a cyclic acid anhydride group, an isocyanate group, and the like, and in the case of an amino group, an epoxy group, an isocyanate group In the case of an epoxy group, a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, an amino group, and the like can be exemplified. Specific examples of the monomer ((1) -2) The same thing as what was enumerated by can be enumerated.
By leaving an unreacted functional group in the reaction of the compound ((1)) and the compound ((2)), it is possible to produce those specified in the present invention with respect to characteristics such as acid value or hydroxyl value.

上記の化合物(A)の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物(A)を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。   In the synthesis of the above compound (A), as the organic solvent when the reaction is carried out by solution polymerization, ketone, ester, alcohol, and aromatic solvents can be used, among which toluene, ethyl acetate , Isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, etc., are generally good solvents for acrylic polymers and preferably have a boiling point of 60-120 ° C. The polymerization initiator is α, α′-azobisisobutyl. A radical generator such as an azobis type such as nitrile or an organic peroxide type such as benzoyl peroxide is usually used. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used together as necessary, and the compound (A) having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. This reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

以上のようにして、化合物(A)を得ることができるが、本発明において、化合物(A)の分子量は、30万〜100万程度が好ましい。30万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、40万以上である方が好ましい。また、分子量が100万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、化合物(A)が、水酸基価5〜100となるOH基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物(A)が、酸価0.5〜30となるCOOH基を有することが好ましい。
As described above, the compound (A) can be obtained. In the present invention, the molecular weight of the compound (A) is preferably about 300,000 to 1,000,000. If it is less than 300,000, the cohesive force due to radiation irradiation becomes small, and when the wafer is diced, the device is likely to be displaced, and image recognition may be difficult. In order to prevent the deviation of the element as much as possible, the molecular weight is preferably 400,000 or more. Further, if the molecular weight exceeds 1,000,000, there is a possibility of gelation at the time of synthesis and coating.
In addition, it is preferable that the compound (A) has an OH group having a hydroxyl value of 5 to 100 because the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after radiation irradiation. Moreover, it is preferable that a compound (A) has a COOH group used as the acid value of 0.5-30.

ここで、化合物(A)の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
なお、ヨウ素価は、Das法に基づき反応条件を40℃、24時間にして算出したものであり、分子量は、テトラヒドロフランに溶解して得た1%溶液を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(ウオータース社製、商品名:150−C ALC/GPC)により測定した値をポリスチレン換算の質量平均分子量と算出したものである。また、水酸基価は、FT−IR法にて算出したものであり、酸価は、JIS K 5407の11.1に準じて算出したものである。
Here, if the hydroxyl value of the compound (A) is too low, the effect of reducing the adhesive strength after irradiation is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the adhesive after irradiation tends to be impaired. If the acid value is too low, the effect of improving the tape restoring property is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive tends to be impaired.
The iodine value was calculated based on the Das method under the reaction conditions of 40 ° C. for 24 hours, and the molecular weight was determined by gel permeation chromatography (Waters Corporation) using a 1% solution obtained by dissolving in tetrahydrofuran. The value measured by a product name, 150-C ALC / GPC) is calculated as the weight average molecular weight in terms of polystyrene. The hydroxyl value is calculated by the FT-IR method, and the acid value is calculated in accordance with 11.1 of JIS K 5407.

つぎに、粘着剤層のもう1つの主成分である化合物(B)について説明する。化合物(B)は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物(B)は架橋剤として働き、化合物(A)または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物(A)および(B)を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。   Next, the compound (B) which is another main component of the pressure-sensitive adhesive layer will be described. The compound (B) is a compound selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins, and can be used alone or in combination of two or more. This compound (B) acts as a cross-linking agent, and the cross-linking structure formed as a result of reacting with the compound (A) or the base film causes the cohesive strength of the pressure-sensitive adhesive mainly composed of the compounds (A) and (B) to It can be improved after application.

ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートL等を用いることができる。   The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4 -Phenoxyphenyl) propane] aromatic isocyanate such as diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate Lysine diisocyanate, lysine triisocyanate and the like. Specifically, Coronate L etc. can be used as a commercial item.

また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックMX−45(三和ケミカル社製)、メラン(日立化成工業株式会社製)等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、TETRAD−X(三菱化学株式会社製)等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
Further, as the melamine / formaldehyde resin, specifically, Nicalac MX-45 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), Melan (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), etc. can be used as commercial products.
Furthermore, TETRAD-X (made by Mitsubishi Chemical Corporation) etc. can be used as an epoxy resin.
In the present invention, it is particularly preferable to use polyisocyanates.

(B)の添加量としては、化合物(A)100質量部に対して0.1〜10質量部とすることが好ましく、0.4〜3質量部とすることがより好ましい。その量が0.1質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、10質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれる傾向がある。   As addition amount of (B), it is preferable to set it as 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of compounds (A), and it is more preferable to set it as 0.4-3 mass parts. If the amount is less than 0.1 parts by mass, the effect of improving the cohesive force tends to be insufficient. If the amount exceeds 10 parts by mass, the curing reaction proceeds rapidly during the formulation and application of the adhesive, and a crosslinked structure is formed. Therefore, workability tends to be impaired.

また、本発明において、粘着剤層には、光重合開始剤(C)が含まれていることが好ましい。粘着剤層の含まれる光重合開始剤(C)に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、4,4'−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’−ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、2−エチルアントラキノン、t−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、2−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、2,4,5−トリアリ−ルイミダゾール二量体(ロフィン二量体)、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Moreover, in this invention, it is preferable that the photoinitiator (C) is contained in the adhesive layer. There is no restriction | limiting in particular in the photoinitiator (C) in which an adhesive layer is contained, A conventionally well-known thing can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone and 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Examples include anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triarylimidazole dimer (lophine dimer), acridine compounds, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

(C)の添加量としては、化合物(A)100質量部に対して0.1〜10質量部とすることが好ましく、0.5〜5質量部とすることがより好ましい。   As addition amount of (C), it is preferable to set it as 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of compounds (A), and it is more preferable to set it as 0.5-5 mass parts.

さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。   Furthermore, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive used in the present invention can be blended with a tackifier, a pressure-adjusting agent, a surfactant, or other modifiers as necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably.

(接着剤層)
図2に示すダイシング・ダイボンディングテープ20は、図1に示すダイシングテープ10に、さらに接着剤層4が形成されることで得られる。
接着剤層とは、ウエハWが貼り合わされダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層から剥離してチップ裏面に付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層3としては、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/フェノール樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
(Adhesive layer)
The dicing die bonding tape 20 shown in FIG. 2 is obtained by further forming the adhesive layer 4 on the dicing tape 10 shown in FIG.
The adhesive layer is an adhesive used to fix the chip to the substrate or lead frame by peeling off the adhesive layer and adhering to the back of the chip when the chip is picked up after the wafer W is bonded and diced. It is what is used. Although it does not specifically limit as the adhesive bond layer 3, What is necessary is just a film adhesive generally used for a dicing die-bonding tape, and an acrylic adhesive, epoxy resin / phenol resin / An acrylic resin blend adhesive is preferred. The thickness may be appropriately set, but is preferably about 5 to 100 μm.

本発明のダイシング・ダイボンディングテープ10の接着剤層3は、予め接着剤層3がフィルム化されたもの(以下、接着フィルムと言う。)を、前述の中間樹脂層2および粘着剤層3が基材フィルム1上に形成された本発明のダイシングテープの粘着剤層面にラミネートして形成することができる。ラミネート時の温度は10〜100℃の範囲で、0.1〜100kgf/cmの線圧をかけることが好ましい。なお、接着剤フィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシング・ダイボンディングテープのカバーフィルムとして使用し、ウエハを貼り合わせる際に剥離しても良い。また、接着フィルムは粘着剤層3の全面に積層してもよいが、予め貼り合わされるウエハに応じた形状に切断された(プリカットされた)接着フィルムを積層しても良い。ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、本発明のダイシング・ダイボンディングテープの使用時において、ウエハが貼り合わされる部分には接着剤層が有り、ダイシング用のリングフレームが貼合される部分には接着剤層がなく、粘着剤層に貼り合わされて使用される。一般に接着剤層は被着体と剥離しにくいため、リングフレーム等に糊残りを生じやすい。プリカットされた接着剤フィルムを使用することで、リングフレームは粘着剤層に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。   As the adhesive layer 3 of the dicing die bonding tape 10 of the present invention, the adhesive layer 3 previously formed into a film (hereinafter referred to as an adhesive film) is used as the intermediate resin layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 described above. It can be formed by laminating on the pressure-sensitive adhesive layer surface of the dicing tape of the present invention formed on the base film 1. It is preferable to apply a linear pressure of 0.1 to 100 kgf / cm at a laminating temperature of 10 to 100 ° C. In addition, the adhesive film may be formed on the separator, and the separator may be peeled off after lamination, or it may be used as a cover film for dicing die bonding tape and peeled off when the wafer is bonded. Also good. Moreover, although an adhesive film may be laminated | stacked on the whole surface of the adhesive layer 3, you may laminate | stack the adhesive film cut | disconnected (pre-cut) in the shape according to the wafer bonded together. When the adhesive film according to the wafer is laminated, when using the dicing die bonding tape of the present invention, the portion to which the wafer is bonded has an adhesive layer, and the dicing ring frame is bonded to the portion to be bonded. Is used without being bonded to an adhesive layer. In general, since the adhesive layer is difficult to peel off from the adherend, adhesive residue is likely to occur on the ring frame or the like. By using the pre-cut adhesive film, the ring frame can be bonded to the pressure-sensitive adhesive layer, and the effect of hardly causing adhesive residue on the ring frame when the tape is peeled after use can be obtained.

次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples.

下記のように中間樹脂層組成物、粘着剤層組成物、接着フィルムを調整し、厚さ100μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、中間樹脂層組成物を乾燥膜厚が表1に示す厚さとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、さらに粘着剤層組成物を乾燥膜厚が表1に示す厚さとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、粘着テープを作製した。これらの粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムを貼り合わせ、表1及び表2に示すような実施例1〜6、比較例1〜4のダイシング・ダイボンディングテープを作製し、特性評価をおこなった。   The intermediate resin layer composition, the pressure-sensitive adhesive layer composition, and the adhesive film are prepared as described below, and the dry film thickness of the intermediate resin layer composition is shown in Table 1 as an ethylene-vinyl acetate copolymer film having a thickness of 100 μm. It was coated to a thickness and dried at 110 ° C. for 3 minutes. Further, the pressure-sensitive adhesive layer composition was coated so that the dry film thickness was as shown in Table 1, and dried at 110 ° C. for 3 minutes. A tape was prepared. Adhesive films are bonded onto the adhesive layer of these adhesive tapes, and the dicing die bonding tapes of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 as shown in Tables 1 and 2 are prepared, and the characteristics are evaluated. It was.

<中間樹脂層組成物の調製>
(中間樹脂層組成物1A)
アクリル樹脂(質量平均分子量:73万、ガラス転移温度−24℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して中間樹脂層組成物1Aを得た。
<Preparation of intermediate resin layer composition>
(Intermediate resin layer composition 1A)
Intermediate resin by mixing 100 parts by mass of acrylic resin (mass average molecular weight: 730,000, glass transition temperature −24 ° C.) and 10 parts by mass of polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name: Coronate L) as a curing agent. A layer composition 1A was obtained.

(中間樹脂層組成物1B)
アクリル樹脂(質量平均分子量:80万、ガラス転移温度−7℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して放射線硬化性の中間樹脂層組成物1Cを得た。
(Intermediate resin layer composition 1B)
Radiation curing by mixing 100 parts by mass of acrylic resin (mass average molecular weight: 800,000, glass transition temperature -7 ° C.) and 10 parts by mass of a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name: Coronate L) as a curing agent. Intermediate resin layer composition 1C was obtained.

<粘着剤層組成物の調製>
(粘着剤組成物2A)
溶媒のトルエン400g中に、n−ブチルアクリレート128g、2−エチルヘキシルアクリレート307g、メチルメタアクリレート67g、メタクリル酸1.5g、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつ化合物(1)の溶液を得た。
次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物(2)として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した2−ヒドロキシエチルメタクリレート2.5g、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、表1に示すヨウ素価、分子量、ガラス転移点をもつ放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)の溶液を得た。続いて、化合物(A)溶液中の化合物(A)100質量部に対してポリイソシアネート(B)として日本ポリウレタン社製:コロネートLを1質量部を加え、光重合開始剤として日本チバガイギー社製:イルガキュアー184を0.5質量部、溶媒として酢酸エチル150質量部を化合物(A)溶液に加えて混合して、放射線硬化性の粘着剤組成物2Aを調製した。
<Preparation of adhesive layer composition>
(Adhesive composition 2A)
In 400 g of toluene as a solvent, 128 g of n-butyl acrylate, 307 g of 2-ethylhexyl acrylate, 67 g of methyl methacrylate, 1.5 g of methacrylic acid, and a mixed solution of benzoyl peroxide as a polymerization initiator are appropriately adjusted in a dropping amount, and reacted. The temperature and reaction time were adjusted to obtain a solution of compound (1) having a functional group.
Next, 2.5 g of 2-hydroxyethyl methacrylate synthesized separately from methacrylic acid and ethylene glycol as a compound (2) having a radiation curable carbon-carbon double bond and a functional group was added to this polymer solution, and hydroquinone as a polymerization inhibitor. A solution of the compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value, a molecular weight, and a glass transition point shown in Table 1 by appropriately adjusting the dropping amount and adjusting the reaction temperature and reaction time. Got. Subsequently, 100 parts by mass of the compound (A) in the compound (A) solution is made by Nippon Polyurethane Co., Ltd. as a polyisocyanate (B): 1 part by mass of Coronate L is added, and Nihon Ciba Geigy Co., Ltd. is used as a photopolymerization initiator: A radiation-curable pressure-sensitive adhesive composition 2A was prepared by adding 0.5 parts by mass of Irgacure 184 and 150 parts by mass of ethyl acetate as a solvent to the compound (A) solution and mixing them.

(粘着剤組成物2B)
アクリル樹脂(質量平均分子量:61万、ガラス転移温度−22℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して粘着剤組成物2Bを得た。
(Adhesive composition 2B)
100 parts by mass of acrylic resin (mass average molecular weight: 610,000, glass transition temperature −22 ° C.) and 10 parts by mass of polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name: Coronate L) as a curing agent Composition 2B was obtained.

<接着フィルムの作製>
(接着フィルム3A)
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)50質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン1.5質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン3質量部、平均粒径16nmのシリカフィラー30質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて90分混練した。
<Preparation of adhesive film>
(Adhesive film 3A)
50 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 197, molecular weight 1200, softening point 70 ° C.) as an epoxy resin, 1.5 parts by mass of γ-mercaptopropyltrimethoxysilane as a silane coupling agent, γ-ureidopropyltriethoxysilane Cyclohexanone was added to a composition consisting of 3 parts by mass and 30 parts by mass of silica filler having an average particle size of 16 nm, and the mixture was stirred and mixed, and further kneaded for 90 minutes using a bead mill.

これにアクリル樹脂(質量平均分子量:80万、ガラス転移温度−17℃)100質量部、6官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート5部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体0.5部、キュアゾール2PZ(四国化成(株)製、商品名:2−フェニルイミダゾール)2.5部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤を得た。
接着剤を厚さ25μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、110℃で1分間加熱乾燥して、膜厚が40μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルム3Aを作製した。
To this, 100 parts by mass of acrylic resin (mass average molecular weight: 800,000, glass transition temperature-17 ° C), 5 parts of dipentaerythritol hexaacrylate as a hexafunctional acrylate monomer, 0.5 part of an adduct of hexamethylene diisocyanate as a curing agent, 2.5 parts of Curesol 2PZ (trade name: 2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) was added, mixed with stirring, and vacuum degassed to obtain an adhesive.
Adhesive is applied onto a 25 μm thick release-treated polyethylene terephthalate film, heated and dried at 110 ° C. for 1 minute to form a B-stage coating film with a thickness of 40 μm, and an adhesive with a carrier film Film 3A was produced.

<特性評価>
表1に示すような実施例1〜6及び比較例1〜4のダイシング・ダイボンディングテープを作製し、また、中間樹脂層の25℃および80℃における弾性率80℃での粘着剤層の弾性率とチップ表面、接着剤のバリの有無、側面チッピングの平均値(μm)、ピックアップ成功率特性評価を下記のようにおこなった。
<Characteristic evaluation>
The dicing die bonding tapes of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 as shown in Table 1 were prepared, and the elasticity of the adhesive layer at an elastic modulus of 80 ° C. at 25 ° C. and 80 ° C. of the intermediate resin layer. Evaluation of the rate, chip surface, adhesive burr presence, side chipping average (μm), and pickup success rate characteristics were performed as follows.

(弾性率)
中間樹脂層および粘着剤層の25℃または80℃での弾性率は、粘弾性計(レオメトリックサイエンス社製、商品名:ARES)を用いて、0℃から測定を開始し昇温速度5℃/分、周波数1Hzで、動的粘弾性を測定し、25℃または80℃に達した時点での貯蔵弾性率G´をそれぞれの弾性率とした。
また、測定される中間樹脂層および粘着剤層には作製後14日経過したものを使用した。
(Elastic modulus)
The elastic modulus at 25 ° C. or 80 ° C. of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer was measured from 0 ° C. using a viscoelasticity meter (manufactured by Rheometric Science Co., Ltd., trade name: ARES), and the heating rate was 5 ° C. The dynamic viscoelasticity was measured at a frequency of 1 Hz per minute, and the storage elastic modulus G ′ when the temperature reached 25 ° C. or 80 ° C. was defined as the respective elastic modulus.
Moreover, what passed 14 days after preparation was used for the intermediate | middle resin layer and adhesive layer which are measured.

(接着剤のバリの有無)
実施例および比較例によって得られるダイシング・ダイボンディングテープに厚さ50μm直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、シリコンウエハ中央部のチップ20個について、ダイボンド剤が転着したチップ側面の接着剤のバリの有無を顕微鏡観察により調査した。
(With or without adhesive burr)
A silicon wafer having a thickness of 50 μm and a diameter of 200 mm was heated and bonded to the dicing die bonding tape obtained in Examples and Comparative Examples at 70 ° C. for 10 seconds, and then a dicing apparatus (manufactured by DISCO, trade name: DAD340) was used. Dicing was performed to 5 mm × 5 mm at a rotation speed of 40000 rpm and a cutting speed of 100 mm / sec. Thereafter, for 20 chips at the center of the silicon wafer, the presence or absence of burrs in the adhesive on the side surface of the chip to which the die bond agent was transferred was examined by microscopic observation.

(側面チッピング)
ダイシング時の欠け・クラック(チッピング)の評価として、側面チッピングを下記のように測定した。
実施例および比較例によって得られるダイシング・ダイボンディングテープに厚さ50μm直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、5mm×5mmにダイシングし、ダイシング後のチップを観察し、チップ側面に発生したチッピングの大きさ(チップ端部からの大きさ)をシリコンウエハ中央部のチップ50個について測定し、その平均値を側面チッピングの値として求めた。
(Side chipping)
As an evaluation of chipping / cracking (chipping) during dicing, side chipping was measured as follows.
A silicon wafer having a thickness of 50 μm and a diameter of 200 mm was heated and bonded at 70 ° C. for 10 seconds to the dicing die bonding tape obtained in the examples and comparative examples, and then a dicing apparatus (trade name: DAD340, manufactured by DISCO Corporation) was used. Dicing was performed to 5 mm × 5 mm at a rotation speed of 40000 rpm and a cutting speed of 100 mm / sec. Then, dicing to 5 mm × 5 mm, observing the chip after dicing, measuring the chipping size (size from the end of the chip) generated on the side surface of the chip with respect to 50 chips at the center of the silicon wafer, and averaging Values were determined as side chipping values.

(ピックアップ性)
実施例および比較例によって得られるダイシング・ダイボンディングテープに厚み50μmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、10mm×10mmにダイシングした。その後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯(80W/cm、照射距離10cm)により200mJ/cm2照射した後、シリコンウエハ中央部のチップ50個についてダイボンダー装置(NECマシナリー製、商品名:CPS−100FM)によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個でのピックアップ成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子に粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。ピックアップ性を以下のようにランク付けした。
(Pickup property)
A silicon wafer having a thickness of 50 μm was bonded by heating at 70 ° C. for 10 seconds to the dicing die bonding tape obtained in Examples and Comparative Examples, and then diced to 10 mm × 10 mm. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer was irradiated with 200 mJ / cm 2 of ultraviolet light by an air-cooled high-pressure mercury lamp (80 W / cm, irradiation distance 10 cm), and then a die bonder device (manufactured by NEC Machinery, trade name: CPS-) for 50 chips in the center of the silicon wafer. 100FM), and the pickup success rate for each pickup chip was determined. At that time, the pick-up success rate was calculated by assuming that the picked-up element had the adhesive layer peeled off from the adhesive layer and that the pick-up was successful. The pickup properties were ranked as follows.

突き上げピンによる突き上げ高さ0.7mm、0.5mm、0.3mmにおけるピックアップ成功率が100%のもの・・・◎
突き上げ高さ0.5mm、0.5mmにおけるピックアップ成功率が100%で、且つ、突き上げ高さ0.3mmにおけるピックアップ成功率が100%未満のもの・・・○
突き上げ高さ0.7mmにおけるピックアップ成功率が100%で、且つ、突き上げ高さ0.5mm、0.3mmにおけるピックアップ成功率が100%未満のもの・・・△
突き上げ高さ0.7mm、0.5mm、0.3mmにおけるピックアップ成功率が100未満のもの・・・×
Pickup success rate with push-up pins of 0.7mm, 0.5mm, and 0.3mm is 100% success rate ... ◎
Pickup success rate at 0.5mm push-up height and 0.5mm is 100%, and pick-up success rate at push-up height 0.3mm is less than 100%.
Pickup success rate at a push-up height of 0.7 mm is 100%, and pick-up success rate at a push-up height of 0.5 mm and 0.3 mm is less than 100%.
Pickup success rate at push-up heights of 0.7 mm, 0.5 mm, and 0.3 mm is less than 100 ... ×

それぞれの実施例、比較例における80℃および25℃での中間樹脂層の弾性率、80℃における粘着剤層の弾性率、チップ表面、接着剤のバリの有無、側面チッピングの平均値(μm)、ピックアップ性を表1、表2にまとめた。   The elastic modulus of the intermediate resin layer at 80 ° C. and 25 ° C. in each example and comparative example, the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 80 ° C., chip surface, presence or absence of adhesive burrs, average value of side chipping (μm) The pickup properties are summarized in Tables 1 and 2.

Figure 2009158503
Figure 2009158503

Figure 2009158503
Figure 2009158503

比較例1及び2では、中間樹脂層及び粘着剤の厚さがそれぞれ10μm以上であるため、薄膜チップのピックアップ性に劣る。特に、比較例2では、中間樹脂層が粘着剤層よりも柔らかいため、接着剤のバリも発生した。
比較例3及び4では、中間樹脂層がないため、ダイシング時に接着剤のバリが生じた。
これに対し、実施例1〜6では、ダイシング時のチップ側面のチッピングや接着剤層のバリの発生を抑制するとともに、薄膜チップを良好にピックアップすることができた。
In Comparative Examples 1 and 2, since the thickness of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive is 10 μm or more, the pickup property of the thin film chip is inferior. In particular, in Comparative Example 2, since the intermediate resin layer was softer than the pressure-sensitive adhesive layer, an adhesive burr was also generated.
In Comparative Examples 3 and 4, since there was no intermediate resin layer, burrs of the adhesive occurred during dicing.
On the other hand, in Examples 1 to 6, the chip side surface during dicing and the generation of burrs on the adhesive layer were suppressed, and the thin film chip was successfully picked up.

本発明の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハとダイシング用リングフレームとが貼り合わされた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the semiconductor wafer and the dicing ring frame were bonded together on the wafer processing tape concerning embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハとダイシング用リングフレームとが貼り合わされた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the semiconductor wafer and the ring frame for dicing were bonded together on the tape for wafer processing concerning other embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1:基材フィルム
2:中間樹脂層
3:粘着剤層
4:接着剤層
10:ダイシング・ダイボンディングテープ
12:ダイシング用リングフレーム
20:ダイシングテープ
1: base film 2: intermediate resin layer 3: pressure-sensitive adhesive layer 4: adhesive layer 10: dicing die bonding tape 12: dicing ring frame 20: dicing tape

Claims (11)

基材フィルム上に中間樹脂層、粘着剤層がこの順に積層されているウエハ加工用テープであって、
前記中間樹脂層は前記粘着剤層よりも硬く、
前記中間樹脂層及び前記粘着剤層の厚さはそれぞれ10μm未満であり、且つ、前記中間樹脂層と前記粘着剤層との合計の厚さは15μm未満であることを特徴とするウエハ加工用テープ。
A wafer processing tape in which an intermediate resin layer and an adhesive layer are laminated in this order on a base film,
The intermediate resin layer is harder than the adhesive layer,
The wafer processing tape, wherein the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer each have a thickness of less than 10 μm, and the total thickness of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer is less than 15 μm. .
前記粘着剤層の上に、さらに接着剤層を有することを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工用テープ。   The wafer processing tape according to claim 1, further comprising an adhesive layer on the pressure-sensitive adhesive layer. 前記中間樹脂層及び前記粘着剤層の厚さはそれぞれ7μm未満であり、且つ、前記中間樹脂層と前記粘着層との合計の厚さは14μm未満であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウエハ加工用テープ。   The thickness of each of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer is less than 7 μm, and the total thickness of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer is less than 14 μm. Item 3. A wafer processing tape according to Item 2. 前記中間樹脂層と前記粘着剤層との合計の厚さは10μm未満であることを特徴とする請求項3に記載のウエハ加工用テープ。   The wafer processing tape according to claim 3, wherein the total thickness of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer is less than 10 μm. 前記中間樹脂層及び前記粘着剤層の厚さはそれぞれ5μm未満であることを特徴とする請求項4に記載のウエハ加工用テープ。   The wafer processing tape according to claim 4, wherein each of the intermediate resin layer and the pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of less than 5 μm. 前記中間樹脂層の厚さは、前記粘着剤層よりも大きいことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。   The wafer processing tape according to claim 1, wherein a thickness of the intermediate resin layer is larger than that of the pressure-sensitive adhesive layer. 前記中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率が、5×104〜1×107Paの範囲にあることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。 The storage elastic modulus at 80 ° C. of the intermediate resin layer is in the range of 5 × 10 4 to 1 × 10 7 Pa. 7. For wafer processing according to claim 1, tape. 前記中間樹脂層の25℃における貯蔵弾性率が、5×104〜1×107Paの範囲にあることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。 The storage elastic modulus at 25 ° C. of the intermediate resin layer is in the range of 5 × 10 4 to 1 × 10 7 Pa. 8. tape. 前記中間樹脂層は、3次元網状構造を有するアクリル系樹脂であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。   The wafer processing tape according to any one of claims 1 to 8, wherein the intermediate resin layer is an acrylic resin having a three-dimensional network structure. 前記中間樹脂層は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。   The tape for wafer processing according to any one of claims 1 to 9, wherein the intermediate resin layer is a thermosetting resin. 前記粘着剤層は、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも1種選ばれる化合物(B)とを含有することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のウエハ加工用テープ。
The pressure-sensitive adhesive layer is at least one selected from a compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule, a polyisocyanate, a melamine / formaldehyde resin, and an epoxy resin. The wafer processing tape according to claim 1, further comprising a compound (B) to be produced.
JP2007331410A 2007-12-25 2007-12-25 Tape for processing wafer Pending JP2009158503A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007331410A JP2009158503A (en) 2007-12-25 2007-12-25 Tape for processing wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007331410A JP2009158503A (en) 2007-12-25 2007-12-25 Tape for processing wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009158503A true JP2009158503A (en) 2009-07-16

Family

ID=40962245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007331410A Pending JP2009158503A (en) 2007-12-25 2007-12-25 Tape for processing wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009158503A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129786A (en) * 2009-12-18 2011-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for wafer processing and method of manufacturing the same
JP2011225706A (en) * 2010-04-19 2011-11-10 Denki Kagaku Kogyo Kk Adhesive sheet and method for manufacturing electronic component
JPWO2012132520A1 (en) * 2011-03-31 2014-07-24 リンテック株式会社 Adhesive sheet
KR101484065B1 (en) 2013-04-29 2015-01-19 에이엠씨주식회사 Burr free dicing and die attach film, and method for manufacturing thereof
KR20150076150A (en) 2012-10-19 2015-07-06 린텍 가부시키가이샤 Adhesive agent composition and adhesive sheet
US9458364B2 (en) 2010-03-31 2016-10-04 Lintec Corporation Adhesive sheet

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007646A (en) * 2001-06-18 2003-01-10 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for dicing and method of manufacturing cut chip
JP2006049509A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for processing wafer
JP2006188607A (en) * 2005-01-06 2006-07-20 Nitto Denko Corp Removable adhesive sheet
JP2006210433A (en) * 2005-01-25 2006-08-10 Sekisui Chem Co Ltd Adhesive sheet for adhering wafer and method of manufacturing semiconductor
JP2006339652A (en) * 2005-06-03 2006-12-14 Ls Cable Ltd Dicing die adhesion film for semiconductor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007646A (en) * 2001-06-18 2003-01-10 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for dicing and method of manufacturing cut chip
JP2006049509A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for processing wafer
JP2006188607A (en) * 2005-01-06 2006-07-20 Nitto Denko Corp Removable adhesive sheet
JP2006210433A (en) * 2005-01-25 2006-08-10 Sekisui Chem Co Ltd Adhesive sheet for adhering wafer and method of manufacturing semiconductor
JP2006339652A (en) * 2005-06-03 2006-12-14 Ls Cable Ltd Dicing die adhesion film for semiconductor

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129786A (en) * 2009-12-18 2011-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for wafer processing and method of manufacturing the same
US9458364B2 (en) 2010-03-31 2016-10-04 Lintec Corporation Adhesive sheet
JP2011225706A (en) * 2010-04-19 2011-11-10 Denki Kagaku Kogyo Kk Adhesive sheet and method for manufacturing electronic component
JPWO2012132520A1 (en) * 2011-03-31 2014-07-24 リンテック株式会社 Adhesive sheet
JP5857037B2 (en) * 2011-03-31 2016-02-10 リンテック株式会社 Adhesive sheet
KR20150076150A (en) 2012-10-19 2015-07-06 린텍 가부시키가이샤 Adhesive agent composition and adhesive sheet
KR101484065B1 (en) 2013-04-29 2015-01-19 에이엠씨주식회사 Burr free dicing and die attach film, and method for manufacturing thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4776189B2 (en) Wafer processing tape
JP2007073930A (en) Tape for wafer processing
JP5294358B2 (en) Wafer processing tape and semiconductor device manufacturing method using the same
JP4748518B2 (en) Dicing die bond tape and dicing tape
JP2007019151A (en) Tape for processing wafer and method of manufacturing chip using the same
JP5158864B2 (en) Wafer processing tape
JP2006156754A (en) Dicing die bond tape
JP5089358B2 (en) Wafer processing tape
JP5184664B2 (en) Dicing tape and semiconductor chip manufacturing method
JP2009158503A (en) Tape for processing wafer
WO2011125683A1 (en) Adhesive sheet for semiconductor wafer processing
JP4712468B2 (en) Dicing die bond tape
JP2012023161A (en) Wafer processing sheet used for semiconductor device manufacturing, manufacturing method of the same and semiconductor device manufacturing method
JP5583080B2 (en) Wafer processing tape and semiconductor processing method using the same
JP4913584B2 (en) Wafer processing method and wafer processing tape used therefor
JP5184685B1 (en) Semiconductor wafer processing tape
JP5291040B2 (en) Adhesive tape for wafer processing
JP2009200076A (en) Tape for processing wafer
JP5016703B2 (en) Method for manufacturing adhesive sheet and electronic component
WO2020153499A1 (en) Ultraviolet light-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing, method for manufacturing semiconductor chip and method for using ultraviolet light-curable pressure-sensitive adhesive tape
JP5566749B2 (en) Wafer processing tape
JP5578911B2 (en) Wafer processing tape
JP5950519B2 (en) Wafer processing tape
JP2007005611A (en) Adhesive tape for fixing semiconductor wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120514

A977 Report on retrieval

Effective date: 20120517

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120921