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JP2006156754A - Dicing die bond tape - Google Patents

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JP2006156754A
JP2006156754A JP2004345921A JP2004345921A JP2006156754A JP 2006156754 A JP2006156754 A JP 2006156754A JP 2004345921 A JP2004345921 A JP 2004345921A JP 2004345921 A JP2004345921 A JP 2004345921A JP 2006156754 A JP2006156754 A JP 2006156754A
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JP
Japan
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adhesive layer
dicing
adhesive
dicing die
base film
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Pending
Application number
JP2004345921A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Kita
賢二 喜多
Yasumasa Morishima
泰正 盛島
Shinichi Ishiwatari
伸一 石渡
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing die bond tape by which direct die bonding of a semiconductor element is possible by easily separating the semiconductor element and an adhesive layer from a pressure sensitive adhesive for using in the case of pick up. <P>SOLUTION: The base material film whose rupture elongation is ≤500% and whose rupture strength is 10 to 40 MPa is used, and the base material film contacting with the pressure sensitive adhesive is ethylene vinyl acetate copolymer. Thus, cutting property in the case of dicing is improved. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、シリコンウエハ等の半導体装置を製造するにあたり、ウエハ等を固定しダイシングするとともに、ダイシング後にリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程にも使用される半導体ウエハダイシングダイボンドテープに関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer dicing die-bonding tape that is used in an adhering process for fixing a wafer or the like and dicing the semiconductor substrate to a lead frame or a semiconductor chip after dicing when manufacturing a semiconductor device such as a silicon wafer.

ICなどの半導体装置の組立工程においては、パターン形成後の半導体ウエハ等は個々のチップに切断分離(ダイシング)する工程と、チップを基板等にマウントする工程、さらに樹脂等で封止する工程からなっている。
ダイシング工程は、半導体ウエハをあらかじめダイシングテープに貼り付けて固定した後、チップ形状に沿ってダイシングを行う。その後マウント工程が行われるが、近年前記ダイシングテープの粘着層にチップを基板にマウントするのに適した接着剤があらかじめ塗工されるか、ダイシング工程とマウント工程の両工程に適した粘接着剤が塗工された、いわゆるダイシングダイボンドテープが開発されている。前者の場合は、粘着層と接着層の間で剥離することによってマウント工程に供されるのに対し、後者の場合は、粘接着層と基材層の間で剥離することによってマウント工程に供されるのが一般的である。
In the assembly process of a semiconductor device such as an IC, a semiconductor wafer after pattern formation is cut and separated (diced) into individual chips, a process of mounting a chip on a substrate, and a process of sealing with a resin or the like. It has become.
In the dicing step, the semiconductor wafer is previously attached and fixed to a dicing tape, and then dicing is performed along the chip shape. After that, a mounting process is performed. In recent years, an adhesive suitable for mounting a chip on a substrate is applied in advance to the adhesive layer of the dicing tape, or an adhesive suitable for both the dicing process and the mounting process. So-called dicing die-bonding tapes coated with an agent have been developed. In the former case, the mounting process is performed by peeling between the adhesive layer and the adhesive layer, whereas in the latter case, the mounting process is performed by peeling between the adhesive layer and the base material layer. Generally provided.

いずれの場合も、ダイシングする際にはウエハが剥離したりしない十分な粘着力を必要とし、ピックアップの際には容易に剥離できる性質が要求される。
また、マウント工程においては、チップ−チップ間およびチップ−基板間において十分な接着力が要求され、各種のダイシングダイボンドテープが提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
In either case, a sufficient adhesive force that does not peel off the wafer is required when dicing, and a property that can be easily peeled off is required when picking up.
Further, in the mounting process, sufficient adhesive force is required between the chip and the chip and between the chip and the substrate, and various dicing die bond tapes have been proposed (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

特開2002−226796号公報JP 2002-226996 A 特開2002−158276号公報JP 2002-158276 A 特開2004−123963号公報JP 2004-123963 A

これらのダイシングダイボンドテープは、ダイシング後、チップ裏面に接着剤層を付けたままでピックアップし、基板等にマウントした後加熱などにより硬化接着させるいわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、接着剤の塗布工程を省略できるようにするものである。
しかしながら、これらのダイシングダイボンドテープに用いられているフィルム状接着剤はエポキシ樹脂等の低分子量物質を多く含んでおり、一般のダイシングテープに用いられている粘着剤層と比較すると、軟らかく切削性が劣る傾向がある。そのため、ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑やフィルム状接着剤のバリが多く発生する、ダイシング後のピックアップ工程でピックアップ不良をおこしやすい、ICなどの半導体装置組立工程でのチップの接着不良が生じやすい、あるいはIC等の不良品が発生してしまうという問題点があった。
These dicing die bond tapes enable so-called direct die bonding after dicing, picking up with the adhesive layer on the back of the chip, mounting it on a substrate, etc., and then curing and bonding by heating, etc., eliminating the adhesive application process It is something that can be done.
However, the film adhesive used in these dicing die-bonding tapes contains a large amount of low molecular weight substances such as epoxy resin, and is softer and more machinable than the pressure-sensitive adhesive layer used in general dicing tapes. There is a tendency to be inferior. Therefore, a lot of whisker-like cutting waste and film-like adhesive burrs are generated during dicing, pick-up failure is likely to occur in the pick-up process after dicing, and chip adhesion failure is liable to occur in a semiconductor device assembly process such as an IC. Or, there is a problem that defective products such as ICs are generated.

そこで、本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、基材フィルムの破断伸び率が500%以下、破断強度が10〜40MPaである基材フィルムを使用し、更に粘着剤と接する基材フィルム層にエチレン−酢酸ビニル共重合体を使用することによって、ダイシング時の切削性が向上できることを見出したものである。   Thus, as a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have used a base film having a base film having a breaking elongation of 500% or less and a breaking strength of 10 to 40 MPa, and further a pressure-sensitive adhesive. It has been found that the machinability at the time of dicing can be improved by using an ethylene-vinyl acetate copolymer for the base film layer in contact with the substrate.

すなわち本発明は、
(1)基材フィルム上に粘接着剤層が形成されたダイシングダイボンドテープであって、該基材フィルムの破断伸び率が500%以下で、かつ破断強度が10〜40MPaであることを特徴とするダイシングダイボンドテープ、
(2)前記粘接着剤層と接する基材フィルム層がエチレン−酢酸ビニル共重合体であることを特徴とする(1)記載のダイシングダイボンドテープ、
(3)前記粘接着剤層と接する基材フィルム層の酢酸ビニル含量が3〜20質量%であることを特徴とする(2)記載のダイシングダイボンドテープ、
(4)前記粘接着剤層のうち基材フィルム層に接する層は粘着剤層であって、該粘着剤層に直接または間接に接着剤層が積層されてなる(1)〜(3)のいずれか1項記載のダイシングダイボンドテープ、
(5)前記粘着剤層は、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも1種の化合物(B)を付加反応させてなるポリマーを含有していることを特徴とする(4)記載のダイシングダイボンドテープ、
(6)半導体装置を製造するにあたり、ダイシング時にはダイシング用フレームに固定されて、ウエハを固定しダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用されるダイシングダイボンドテープであって、ダイシング用フレームに貼合される部分には接着剤層がないことを特徴とする(4)または(5)に記載のダイシングダイボンドテープ、






























を提供するものである。
That is, the present invention
(1) A dicing die-bonding tape in which an adhesive layer is formed on a base film, wherein the base film has a breaking elongation of 500% or less and a breaking strength of 10 to 40 MPa. Dicing die bond tape,
(2) The dicing die-bonding tape according to (1), wherein the base film layer in contact with the adhesive layer is an ethylene-vinyl acetate copolymer,
(3) The dicing die-bonding tape according to (2), wherein the base film layer in contact with the adhesive layer has a vinyl acetate content of 3 to 20% by mass,
(4) The layer in contact with the base film layer in the adhesive layer is an adhesive layer, and the adhesive layer is laminated directly or indirectly on the adhesive layer (1) to (3) The dicing die-bonding tape according to any one of
(5) The pressure-sensitive adhesive layer is selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins for the compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule. A dicing die-bonding tape according to (4), comprising a polymer obtained by addition reaction of at least one compound (B) obtained;
(6) A dicing die bond tape that is fixed to a dicing frame at the time of dicing to manufacture a semiconductor device, and is used in an adhering process for fixing and dicing the wafer, and further superimposing the lead frame and the semiconductor chip. The dicing die-bonding tape according to (4) or (5), wherein the portion bonded to the dicing frame has no adhesive layer,






























Is to provide.

本発明のダイシングダイボンドテープは、半導体ウエハに貼合してダイシングの際にはダイシングテープとして使用することができ、ウエハをダイシングする際のヒゲ状切削屑等が少なく良好な切削性を得ることができるという効果を奏するとともに、ピックアップする際には半導体素子と接着剤層とを容易に粘着剤層から剥離して使用することができ、半導体素子のダイレクトダイボンディングを可能とするものである。   The dicing die-bonding tape of the present invention can be used as a dicing tape when it is bonded to a semiconductor wafer and diced, and it can obtain good machinability with little whisker-like cutting waste when dicing the wafer. In addition to having the effect of being able to be picked up, the semiconductor element and the adhesive layer can be easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer when picking up, enabling direct die bonding of the semiconductor element.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1には、ダイシング用リングフレーム12に本発明のダイシングダイボンドテープ10が貼り付けられ、該リングフレーム内側に露出した該テープの粘接着面に半導体ウエハ11が貼合された様子が示されている。
図1における本発明のダイシングダイボンドテープ10は、基材フィルム1上に粘着剤層2、接着剤層3が順次この順に設けられた構造を有している。図1にはこのように粘着剤層2と接着剤層3が積層されて、粘接着剤層が形成されている場合が記載されているが、このような場合だけでなく、1層で粘接着の両方の性質を有する場合でもよい。本発明においては、前者の場合は粘着剤層2と接着剤層3の積層されたものを、粘接着剤層と称する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. FIG. 1 shows a state in which a dicing die-bonding tape 10 of the present invention is attached to a dicing ring frame 12 and a semiconductor wafer 11 is attached to the adhesive surface of the tape exposed inside the ring frame. ing.
The dicing die-bonding tape 10 of the present invention in FIG. 1 has a structure in which a pressure-sensitive adhesive layer 2 and an adhesive layer 3 are sequentially provided on a base film 1 in this order. FIG. 1 shows the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive layer 3 are laminated in this way to form an adhesive layer. It may be a case having both properties of adhesiveness. In the present invention, the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive layer 3 are laminated is referred to as an adhesive layer in the former case.

本発明のダイシングダイボンドテープは、使用工程や装置に合せて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよく、ウエハ等が貼合される前のダイシングダイボンドテープは粘接着剤層を保護するためにカバーフィルムが設けられていてもよい。また、本発明のダイシングダイボンドテープは、ウエハ1枚分ごとに切断されていてもよいし、これを長尺にしたロール状であってもよい。
図2には、ダイシング用リングフレーム12部分には、基材フィルム上に粘着剤層が形成されているだけであるが、該リングフレーム内側の半導体ウエハ貼合部分にのみ該粘着剤層上に接着剤層が形成された本発明のダイシングダイボンド用粘接着テープが示されている。本実施形態では、リングフレームには粘着剤層が貼合されているだけで、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。
次に、本発明のダイシングダイボンドテープの構成について順に説明する。
The dicing die-bonding tape of the present invention may be cut (pre-cut) into a predetermined shape in advance according to the use process and apparatus, and the dicing die-bonding tape before the wafer or the like is bonded protects the adhesive layer. Therefore, a cover film may be provided. Moreover, the dicing die-bonding tape of the present invention may be cut for each wafer, or may be in the form of a roll that is elongated.
In FIG. 2, the dicing ring frame 12 part has only an adhesive layer formed on the base film, but only on the semiconductor wafer bonding part inside the ring frame. A dicing die-bonding adhesive tape of the present invention having an adhesive layer formed thereon is shown. In this embodiment, the adhesive layer is only bonded to the ring frame, and an effect that adhesive residue on the ring frame hardly occurs when the tape is peeled off after use is obtained.
Next, the configuration of the dicing die bond tape of the present invention will be described in order.

(基材フィルム)
本発明のダイシングダイボンドテープを構成する基材フィルムについて説明する。基材フィルムは複層でもよいし、単層で構成されていてもよい。ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑やフィルム状接着剤のバリを少なくするために基材フィルムの破断伸び率が500%以下、破断強度が10〜40MPaであることが好ましく、更に好ましくは伸び率が200〜500%でかつ破断強度が20〜35MPaである。基材フィルムを構成する樹脂組成物としては上記物性値の範囲内であれば特に限定されるものではなく、従来公知の各種プラスチック、ゴムなどを用いることができる。
(Base film)
The base film which comprises the dicing die-bonding tape of this invention is demonstrated. The base film may be a multilayer or a single layer. When dicing, in order to reduce the burrs of the beard-like cutting waste and the film adhesive, it is preferable that the elongation at break of the base film is 500% or less and the breaking strength is 10 to 40 MPa, more preferably the elongation is It is 200 to 500% and the breaking strength is 20 to 35 MPa. The resin composition constituting the base film is not particularly limited as long as it is within the range of the above physical properties, and various conventionally known plastics, rubbers, and the like can be used.

更に粘接着剤層と接する層がエチレン−酢酸ビニル共重合体をベースポリマーとする樹脂組成物で形成されていることが好ましい。このようなエチレン−酢酸ビニル共重合体をベースポリマーとする層が形成されていることにより、ダイシング時にはヒゲ状の切削屑やフィルム状粘接着剤のバリを少なくすることができる。その効果を発揮するためには、エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸エチル含量が3質量%以上であることが好ましい。エチレン−酢酸ビニル共重合体をベースポリマーとする樹脂組成物層は従来公知の方法により形成されるが、厚み精度の点からキャスティング方式が好ましい。その場合には、酢酸エチル含量が20質量%以下であることが好ましい。製膜中にローラーへフィルムが転着することなく製膜が可能であるという点で、粘着剤層と接するエチレン−酢酸ビニル共重合体層の酢酸ビニル含量のさらに好ましい範囲は5〜20%である。   Further, the layer in contact with the adhesive layer is preferably formed of a resin composition having an ethylene-vinyl acetate copolymer as a base polymer. By forming such a layer having an ethylene-vinyl acetate copolymer as a base polymer, it is possible to reduce the burrs of the beard-like cutting waste and the film-like adhesive during dicing. In order to exert the effect, it is preferable that the ethyl acetate content of the ethylene-vinyl acetate copolymer is 3% by mass or more. The resin composition layer having an ethylene-vinyl acetate copolymer as a base polymer is formed by a conventionally known method, but a casting method is preferable from the viewpoint of thickness accuracy. In that case, the ethyl acetate content is preferably 20% by mass or less. A more preferable range of the vinyl acetate content of the ethylene-vinyl acetate copolymer layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is 5 to 20% in that film formation is possible without film transfer to a roller during film formation. is there.

後述の粘接着剤層として、放射線照射により硬化して粘接着力の制御を行うタイプのものを使用する場合には、基材フィルムは放射線透過性であることが好ましく、粘着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択することが好ましい。このような基材としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらを複層にしたものを使用しても良い。   When using the type of the adhesive layer described below that cures by irradiation and controls the adhesive force, the base film is preferably radiation transmissive and the adhesive is cured. It is preferable to select one having good radiation transparency at a wavelength. Examples of such a base material include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, Α-olefin homopolymer or copolymer such as ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, Listed are thermoplastic elastomers such as polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof. Moreover, you may use what made these two or more layers.

なお、半導体ウエハをダイシング後、素子をピックアップする際に、ダイボンドダイシング用粘接着テープはエキスパンドすることが行われることがあるが、そのような場合には、素子間隙を大きくするために、ネッキング(基材フィルムを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生)の極力少ないものが好ましい。そのような場合には、例えばポリウレタンのほか、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができるが、特にモノマー成分としてスチレンを有する共重合体を使用する場合には、分子量やスチレン含有量を適宜選択することが好ましい。ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルムを選択することが好ましい。   In addition, when picking up an element after dicing the semiconductor wafer, the die-bonding dicing adhesive tape may be expanded. In such a case, necking is performed to increase the element gap. Those having as little as possible (occurrence of partial elongation due to force propagation failure occurring when the base film is radially stretched) are preferable. In such a case, for example, in addition to polyurethane, a styrene-ethylene-butene or pentene copolymer can be exemplified, but in particular, when using a copolymer having styrene as a monomer component, the molecular weight It is preferable to select the styrene content appropriately. In order to prevent elongation or deflection during dicing, it is preferable to select a cross-linked base film.

さらには基材フィルムの粘接着剤層が設けられる側の表面には、粘接着剤層との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。
基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常30〜300μmが適当である。なお、基材フィルムの粘着剤層が塗布されない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることによって、ブロッキング防止、粘着テープの放射状延伸時の粘着テープと治具との摩擦を減少することによる基材フィルムのネッキング防止などの効果が得られ、好ましい。
Furthermore, the surface of the base film on which the adhesive layer is provided may be appropriately subjected to a treatment such as a corona treatment or a primer layer in order to improve the adhesion with the adhesive layer. Good.
The thickness of the substrate film is usually suitably from 30 to 300 μm from the viewpoint of strong elongation characteristics and radiation transparency. In addition, the base material by reducing the friction between the adhesive tape and the jig at the time of radial stretching of the adhesive tape by applying a texture or lubricant coating on the surface of the base film on which the adhesive layer is not applied. Effects such as prevention of necking of the film are obtained, which is preferable.

(粘接着剤層)
以上のように基材フィルムが形成された後、基材フィルム上にさらに粘接着剤層が形成され、本発明のダイシングダイボンド用粘接着テープが製造される。以下、基材フィルム上に粘着剤、接着剤が順次形成される粘接着剤層が積層タイプの場合について説明する。
(Adhesive layer)
After the base film is formed as described above, an adhesive layer is further formed on the base film, and the adhesive tape for dicing die bonding of the present invention is manufactured. Hereinafter, the case where the adhesive layer in which the pressure-sensitive adhesive and the adhesive are sequentially formed on the base film is a laminated type will be described.

(粘着剤層)
粘着剤層は、基材フィルム上に粘着剤を塗工して製造してよい。本発明のダイシングダイボンドテープを構成する粘着剤層に特に制限はなく、ダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。
例えば、本発明では、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも1種の化合物(B)を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。
(Adhesive layer)
The pressure-sensitive adhesive layer may be produced by applying a pressure-sensitive adhesive on the base film. There is no particular limitation on the pressure-sensitive adhesive layer constituting the dicing die-bonding tape of the present invention. Retention property that does not cause defects such as chip jumping with the adhesive layer during dicing, and ease of peeling from the adhesive layer during pickup. What has a characteristic should just be. In order to improve the pickup property after dicing, the pressure-sensitive adhesive layer is preferably a radiation curable material, and is preferably a material that can be easily peeled off from the adhesive layer.
For example, in the present invention, the compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule, polyisocyanate, melamine / formaldehyde resin, and epoxy resin are selected. It is preferable to contain a polymer obtained by addition reaction of at least one compound (B).

粘着剤層の主成分の1つである化合物(A)について説明する。化合物(A)の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で0.5〜20、より好ましくは0.8〜10である。ヨウ素価が0.5以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が20以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物(A)そのものに安定性があり、製造が容易となる。   The compound (A) that is one of the main components of the pressure-sensitive adhesive layer will be described. A preferable introduction amount of the radiation curable carbon-carbon double bond of the compound (A) is 0.5 to 20, more preferably 0.8 to 10 in terms of iodine value. If the iodine value is 0.5 or more, an effect of reducing the adhesive strength after irradiation can be obtained. If the iodine value is 20 or less, the fluidity of the adhesive after irradiation is sufficient and after stretching. Therefore, the problem that the image recognition of each element becomes difficult at the time of pick-up can be suppressed. Furthermore, the compound (A) itself is stable and easy to manufacture.

上記化合物(A)は、ガラス転移点が−70℃〜0℃であることが好ましく、−66℃〜−28℃であることがより好ましい。ガラス転移点(以下、Tgという。)が−70℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、0℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物(A)はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物((1))と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物((2))とを反応させて得たものが用いられる。
The compound (A) preferably has a glass transition point of −70 ° C. to 0 ° C., more preferably −66 ° C. to −28 ° C. When the glass transition point (hereinafter referred to as Tg) is −70 ° C. or higher, the heat resistance against heat associated with radiation irradiation is sufficient. A sufficient scattering prevention effect can be obtained.
The compound (A) may be produced by any method, and has, for example, a radiation curable carbon-carbon double bond such as an acrylic copolymer or a methacrylic copolymer, and a functional group. A compound obtained by reacting a compound having the functional group ((1)) with a compound having a functional group capable of reacting with the functional group ((2)) is used.

このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物((1))は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体((1)−1)と、官能基を有する単量体((1)−2)とを共重合させて得ることができる。
単量体((1)−1)としては、炭素数6〜12のヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数5以下の単量体である、ペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
Among these, the compound ((1)) having the radiation curable carbon-carbon double bond and the functional group is a single compound having a radiation curable carbon-carbon double bond such as an acrylic acid alkyl ester or a methacrylic acid alkyl ester. It can be obtained by copolymerizing a monomer ((1) -1) and a monomer ((1) -2) having a functional group.
As a monomer ((1) -1), C6-C12 hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, or a single quantity of 5 or less carbon atoms The pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or methacrylates similar to these can be listed.

単量体((1)−1)として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体((1)−1)の総質量の5質量%以下の範囲内で可能である。
単量体((1)−2)が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体((1)−2)の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
Since a glass transition point becomes so low that a monomer with a large carbon number is used as a monomer ((1) -1), the thing of a desired glass transition point can be produced. In addition to the glass transition point, a monomer ((1) -1) may be blended with a low molecular compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene, acrylonitrile for the purpose of improving compatibility and various performances. ) In the range of 5% by mass or less of the total mass.
Examples of the functional group of the monomer ((1) -2) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group. The monomer ((1)- Specific examples of 2) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates. N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, Phthalic anhydride, glycidyl acrylate And glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, and those obtained by urethanizing a part of the isocyanate group of a polyisocyanate compound with a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group and a radiation curable carbon-carbon double bond. it can.

化合物(2)において、用いられる官能基としては、化合物(1)、つまり単量体((1)−2)の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体((1)−2)の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。   In the compound (2), as the functional group used, when the functional group of the compound (1), that is, the monomer ((1) -2) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, a hydroxyl group, In the case of a hydroxyl group, examples include a cyclic acid anhydride group and an isocyanate group. In the case of an amino group, examples include an epoxy group and an isocyanate group. In the case of an epoxy group, a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, an amino group, and the like can be mentioned. Specific examples include those listed in the specific examples of the monomer ((1) -2) Can be listed.

化合物(1)と化合物(2)の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
上記の化合物(A)の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物(A)を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
By leaving an unreacted functional group in the reaction between the compound (1) and the compound (2), it is possible to produce those specified in the present invention with respect to characteristics such as acid value or hydroxyl value.
In the synthesis of the above compound (A), as the organic solvent when the reaction is carried out by solution polymerization, ketone, ester, alcohol, and aromatic solvents can be used, among which toluene, ethyl acetate , Isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, etc., are generally good solvents for acrylic polymers and preferably have a boiling point of 60-120 ° C. The polymerization initiator is α, α′-azobisisobutyl. A radical generator such as an azobis type such as nitrile or an organic peroxide type such as benzoyl peroxide is usually used. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used together as necessary, and the compound (A) having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. This reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

以上のようにして、化合物(A)を得ることができるが、本発明において、化合物(A)の分子量は、30万〜100万程度が好ましい。30万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、40万以上である方が好ましい。また、分子量が100万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
なお、化合物(A)が、水酸基価5〜100となるOH基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物(A)が、酸価0.5〜30となるCOOH基を有することが好ましい。
ここで、化合物(A)の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
As described above, the compound (A) can be obtained. In the present invention, the molecular weight of the compound (A) is preferably about 300,000 to 1,000,000. If it is less than 300,000, the cohesive force due to radiation irradiation becomes small, and when the wafer is diced, the device is likely to be displaced, and image recognition may be difficult. In order to prevent the deviation of the element as much as possible, the molecular weight is preferably 400,000 or more. Further, if the molecular weight exceeds 1,000,000, there is a possibility of gelation at the time of synthesis and coating.
In addition, the molecular weight in this invention is a mass mean molecular weight of polystyrene conversion.
In addition, it is preferable that the compound (A) has an OH group having a hydroxyl value of 5 to 100 because the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after radiation irradiation. Moreover, it is preferable that a compound (A) has a COOH group used as the acid value of 0.5-30.
Here, if the hydroxyl value of the compound (A) is too low, the effect of reducing the adhesive strength after irradiation is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the adhesive after irradiation tends to be impaired. If the acid value is too low, the effect of improving the tape restoring property is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive tends to be impaired.

次に 、粘着剤層のもう1つの主成分である化合物(B)について説明する。化合物(B)は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物(B)は架橋剤として働き、化合物(A)または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物(A)および(B)を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、コロネートL(日本ポリウレタン株式会社製商品名)等を用いることができる。
Next, the compound (B) which is another main component of the pressure-sensitive adhesive layer will be described. The compound (B) is a compound selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins, and can be used alone or in combination of two or more. This compound (B) acts as a cross-linking agent, and the cross-linking structure formed as a result of reacting with the compound (A) or the base film causes the cohesive strength of the pressure-sensitive adhesive mainly composed of the compounds (A) and (B) to It can be improved after application.
The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 '-[2,2-bis (4 -Phenoxyphenyl) propane] aromatic isocyanate such as diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate Lysine diisocyanate, lysine triisocyanate and the like. Specifically, Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) or the like can be used.

また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックMX−45(三和ケミカル株式会社製商品名)、メラン(日立化成工業株式会社製商品名)等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、TETRAD−X(三菱化学株式会社製商品名)等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
As the melamine / formaldehyde resin, specifically, Nicalac MX-45 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), Melan (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), or the like can be used.
Furthermore, as the epoxy resin, TETRAD-X (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) or the like can be used.
In the present invention, it is particularly preferable to use polyisocyanates.

(B)の添加量としては、化合物(A)100重量部に対して0.1〜10重量部、好ましくは0.4〜3重量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。   The addition amount of (B) needs to be selected so as to be a ratio of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.4 to 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound (A). By selecting within this range, it is possible to obtain an appropriate cohesive force, and since the crosslinking reaction does not proceed abruptly, workability such as blending and application of the adhesive is improved.

また、本発明において、粘着剤層には、光重合開始剤(C)が含まれていることが好ましい。粘着剤層の含まれる光重合開始剤(C)に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、4,4'−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4'−ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、2−エチルアントラキノン、t−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、2−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、2,4,5−トリアリ−ルイミダゾール二量体(ロフィン二量体)、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(C)の添加量としては、化合物(A)100質量部に対して0.1〜10質量部とすることが好ましく、0.5〜5質量部とすることがより好ましい。
Moreover, in this invention, it is preferable that the photoinitiator (C) is contained in the adhesive layer. There is no restriction | limiting in particular in the photoinitiator (C) in which an adhesive layer is contained, A conventionally well-known thing can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone and 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Examples include anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triallylimidazole dimer (rophine dimer), and acridine compounds. These can be used alone or in combination of two or more.
As addition amount of (C), it is preferable to set it as 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of compounds (A), and it is more preferable to set it as 0.5-5 mass parts.

さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層の厚さは少なくとも5μm、より好ましくは10μm以上であることが好ましい。なお、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
Furthermore, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive used in the present invention can be blended with a tackifier, a pressure-adjusting agent, a surfactant, or other modifiers as necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably at least 5 μm, more preferably 10 μm or more. The pressure-sensitive adhesive layer may have a structure in which a plurality of layers are laminated.

(接着剤層)
本発明の好ましい一実施態様である、ダイシングダイボンドテープとしては前記の粘着剤層に接着剤層が積層された構成とすることができる。
なお、ここで接着剤層とは半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンドテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/フェノール樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
(Adhesive layer)
A dicing die-bonding tape, which is a preferred embodiment of the present invention, can have a configuration in which an adhesive layer is laminated on the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer.
Here, the adhesive layer means that after a semiconductor wafer or the like is bonded and diced, when the chip is picked up, it is peeled off from the adhesive layer and attached to the chip, and the chip is fixed to the substrate or lead frame. It is used as an adhesive when The adhesive layer is not particularly limited, but may be a film adhesive generally used for dicing die-bonding tapes. Acrylic adhesive, epoxy resin / phenolic resin / acrylic resin blend A system adhesive or the like is preferable. The thickness may be appropriately set, but is preferably about 5 to 100 μm.

本発明のダイシングダイボンド用粘接着テープにおいて、接着剤層は予め接着剤層がフィルム化されたもの(以下、接着フィルムと言う。)を、基材フィルム上に直接または間接にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は10〜100℃の範囲で、0.01〜10N/mの線圧をかけることが好ましい。なお、接着剤フィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンド用粘接着テープのカバーフィルムとして使用し、ウエハ等を貼合する際に剥離してもよい。また、接着フィルムは粘着剤層の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された(プリカットされた)接着フィルムを積層してもよい。ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、本発明のダイシングダイボンドテープの使用時において、ウエハが貼合される部分には接着剤層があり、ダイシング用のリングフレームが貼合される部分には接着剤層がなく、粘着剤層に貼合されて使用される。一般に接着剤層は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤フィルムを使用することで、リングフレームは粘着剤層に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。 In the adhesive tape for dicing die-bonding of the present invention, the adhesive layer is formed by laminating directly or indirectly on a base film a film in which the adhesive layer has been formed in advance (hereinafter referred to as an adhesive film). May be. It is preferable to apply a linear pressure of 0.01 to 10 N / m in a temperature range of 10 to 100 ° C. during laminating. In addition, the adhesive film used on the separator may be peeled off after laminating, or used as a cover film for dicing die-bonding adhesive tape and bonding wafers etc. It may be peeled off. Moreover, although an adhesive film may be laminated | stacked on the whole surface of an adhesive layer, you may laminate | stack the adhesive film cut | disconnected (pre-cut) in the shape according to the wafer bonded beforehand. When the adhesive film according to the wafer is laminated, when using the dicing die-bonding tape of the present invention, the portion where the wafer is bonded has an adhesive layer, and the portion where the dicing ring frame is bonded There is no adhesive layer and it is used by being bonded to the pressure-sensitive adhesive layer. In general, since the adhesive layer is difficult to peel off from the adherend, the ring frame can be bonded to the pressure-sensitive adhesive layer by using a pre-cut adhesive film. The effect that it is hard to produce adhesive residue is acquired.

次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
下記のように粘着剤層組成物、接着フィルムを調整し、各種基材フィルムに粘着剤層組成物を乾燥膜厚が表1に示す厚さとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、粘着テープを作製した。これらの粘着テープの粘着剤層上に接着フィルム3A〜3Cを貼合し、表1、表2に示すような実施例1〜7、比較例1〜3のダイシングダイボンドテープを作製した。実施例8については基材フィルムに粘接着剤層組成物を乾燥膜厚が表1に示す厚さとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、ダイシングダイボンドテープを作製した。この際に、実施例1〜7、比較例1〜3については基材フィルムと粘着剤との密着性を良好とするため基材フィルムの表面改質処理としてコロナ処理を行った。実施例8についてはダイシング後に基材フィルムからの粘接着剤の剥離を容易とするために表面改質処理を行わなかった。これら実施例1〜8、比較例1〜3のダイシングダイボンドフィルムで各種特性評価を行った。
EXAMPLES Next, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples.
The pressure-sensitive adhesive layer composition and adhesive film were adjusted as follows, and the pressure-sensitive adhesive layer composition was applied to various substrate films so that the dry film thickness was as shown in Table 1, and dried at 110 ° C. for 3 minutes. Then, an adhesive tape was produced. Adhesive films 3A to 3C were bonded onto the pressure-sensitive adhesive layer of these pressure-sensitive adhesive tapes, and dicing die-bonding tapes of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 as shown in Tables 1 and 2 were produced. For Example 8, the adhesive layer composition was applied to the base film so that the dry film thickness was as shown in Table 1, and dried at 110 ° C. for 3 minutes to prepare a dicing die bond tape. At this time, Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 were subjected to corona treatment as a surface modification treatment of the base film in order to improve the adhesion between the base film and the adhesive. In Example 8, the surface modification treatment was not performed in order to facilitate the peeling of the adhesive from the base film after dicing. Various characteristics evaluation was performed with the dicing die-bonding films of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3.

使用した材料を下記に示す。
基材フィルム1A:エチレン−酢酸ビニル共重合体(酢酸ビニル含量5質量%)の単層フィルム
基材フィルム1B:エチレン−酢酸ビニル共重合体(酢酸ビニル含量20質量%)の単層フィルム
基材フィルム1D:エチレン−酢酸ビニル共重合体 酢酸ビニル含量 5質量%の層(厚さ50μm)とポリプロピレン50μm(日本ポリケム社製商品名 FW3E)の層を積層した2層構成のフィルム
基材フィルム1E:エチレン−アイオノマー共重合体(三井デュポン・ケミカル社製 商品名ハイミラン1706)の単層フィルム
基材フィルム1F:エチレン−メタクリル酸共重合体(三井デュポン・ケミカル製 ニュクレル 0903HC)の層(厚さ50μm)とエチレン−アイオノマー共重合体(三井デュポン・ケミカル社製商品名ハイミラン1706)の層(厚さ50μm)を積層した2層構成のフィルム
基材フィルム1G:ポリプロピレン(日本ポリケム社製商品名FW3E)と水素添加してなるスチレン・ブタジエン共重合体(JSR社製商品名ダイナロン1320P)を7:3の割合で混合してなる単層フィルム
基材フィルム1H:水素添加してなるスチレン・ブタジエン共重合体(JSR社製商品名ダイナロン1320P)の層を両側からポリプロピレン(日本ポリケム社製商品名 FW3E)の層で挟んだ3層構成のフィルム
基材フィルム1I:ポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポン社製商品名 テトロン)を使用した基材フィルム
The materials used are shown below.
Base film 1A: Single-layer film base film of ethylene-vinyl acetate copolymer (vinyl acetate content 5 mass%) 1B: Single-layer film base material of ethylene-vinyl acetate copolymer (vinyl acetate content 20 mass%) Film 1D: Ethylene-vinyl acetate copolymer Film base film 1E having a two-layer structure in which a layer of vinyl acetate content 5% by mass (thickness 50 μm) and a layer of polypropylene 50 μm (trade name FW3E manufactured by Nippon Polychem Co., Ltd.) are laminated: Single layer film base film 1F of ethylene-ionomer copolymer (trade name HiMilan 1706, manufactured by Mitsui DuPont Chemical Co., Ltd.): layer (thickness 50 μm) of ethylene-methacrylic acid copolymer (Nucrel 0903HC, manufactured by Mitsui DuPont Chemical Co., Ltd.) And ethylene-ionomer copolymer (trade name HiMilan 1 manufactured by Mitsui DuPont Chemical Co., Ltd.) The film base film 1G having a two-layer structure in which the layer (06 μm) is laminated (polypropylene (trade name FW3E manufactured by Nippon Polychem) and hydrogenated styrene / butadiene copolymer (trade name manufactured by JSR) Single layer film substrate film 1H: Dynalon 1320P) mixed at a ratio of 7: 3: Hydrogenated styrene / butadiene copolymer (trade name Dynalon 1320P manufactured by JSR) from both sides with polypropylene (Japan) Film substrate film 1I having a three-layer structure sandwiched between layers of a product name manufactured by Polychem Co., Ltd. (FW3E): a substrate film using a polyethylene terephthalate film (trade name: Tetron, manufactured by Teijin DuPont)

粘着剤層組成物の調製
(粘着剤組成物2A)
溶媒のトルエン400g中に、n−ブチルアクリレート128g、2−エチルヘキシルアクリレート307g、メチルメタアクリレート67g、メタクリル酸1.5g、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつ化合物(1)の溶液を得た。
次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物(2)として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した2−ヒドロキシエチルメタクリレート2.5g、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、表1に示すヨウ素価、分子量、ガラス転移点をもつ放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)の溶液を得た。続いて、化合物(A)溶液中の化合物(A)100質量部に対してポリイソシアネート(B)として日本ポリウレタン社製:コロネートLを1質量部を加え、光重合開始剤として日本チバガイギー社製:イルガキュアー184を0.5質量部、溶媒として酢酸エチル150質量部を化合物(A)溶液に加えて混合して、放射線硬化性の粘着剤組成物2Aを調製した。
Preparation of pressure-sensitive adhesive layer composition (pressure-sensitive adhesive composition 2A)
In 400 g of toluene as a solvent, 128 g of n-butyl acrylate, 307 g of 2-ethylhexyl acrylate, 67 g of methyl methacrylate, 1.5 g of methacrylic acid, and a mixed solution of benzoyl peroxide as a polymerization initiator are appropriately adjusted in a dropping amount, and reacted. The temperature and the reaction time were adjusted to obtain a solution of the compound (1) having a functional group.
Next, 2.5 g of 2-hydroxyethyl methacrylate synthesized separately from methacrylic acid and ethylene glycol as a compound (2) having a radiation curable carbon-carbon double bond and a functional group was added to this polymer solution, and hydroquinone as a polymerization inhibitor. A solution of the compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value, a molecular weight, and a glass transition point shown in Table 1 by appropriately adjusting the dropping amount and adjusting the reaction temperature and reaction time. Got. Subsequently, 100 parts by mass of the compound (A) in the compound (A) solution is made by Nippon Polyurethane Co., Ltd. as a polyisocyanate (B): 1 part by mass of Coronate L is added, and Nihon Ciba Geigy Co., Ltd. is used as a photopolymerization initiator: A radiation-curable pressure-sensitive adhesive composition 2A was prepared by adding 0.5 parts by mass of Irgacure 184 and 150 parts by mass of ethyl acetate as a solvent to the compound (A) solution and mixing them.

(粘着剤組成物2B)
アクリル樹脂(質量平均分子量:60万、ガラス転移温度−20℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して粘着剤組成物2Bを得た。
(Adhesive composition 2B)
100 parts by mass of acrylic resin (mass average molecular weight: 600,000, glass transition temperature-20 ° C.) and 10 parts by mass of a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name: Coronate L) as a curing agent Composition 2B was obtained.

接着フィルムの作製
(接着フィルム3A)
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)50質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン1.5質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン3質量部、平均粒径16nmのシリカフィラー30質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて90分間混練した。
これにアクリル樹脂(質量平均分子量:80万、ガラス転移温度−17℃)100質量部、6官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート5部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体0.5部、キュアゾール2PZ(四国化成(株)製商品名、2−フェニルイミダゾール)2.5部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤を得た。
接着剤を厚さ25μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、110℃で1分間加熱乾燥して、膜厚が40μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルム3Aを作製した。
Production of adhesive film (adhesive film 3A)
50 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 197, molecular weight 1200, softening point 70 ° C.) as an epoxy resin, 1.5 parts by mass of γ-mercaptopropyltrimethoxysilane as a silane coupling agent, γ-ureidopropyltriethoxysilane Cyclohexanone was added to a composition composed of 3 parts by mass and 30 parts by mass of silica filler having an average particle size of 16 nm, and the mixture was stirred and mixed, and further kneaded for 90 minutes using a bead mill.
To this, 100 parts by mass of acrylic resin (mass average molecular weight: 800,000, glass transition temperature-17 ° C), 5 parts of dipentaerythritol hexaacrylate as a hexafunctional acrylate monomer, 0.5 part of an adduct of hexamethylene diisocyanate as a curing agent, 2.5 parts of Cureazole 2PZ (trade name, 2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) was added, mixed with stirring and vacuum degassed to obtain an adhesive.
Adhesive is applied onto a 25 μm thick release-treated polyethylene terephthalate film, heated and dried at 110 ° C. for 1 minute to form a B-stage coating film with a thickness of 40 μm, and an adhesive with a carrier film Film 3A was produced.

(接着剤3B)
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)50質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体1部とした以外は接着フィルム3Aの作製と全く同様の操作を行い、接着フィルム3Bを作製した。
(Adhesive 3B)
Exactly the same operation as the production of the adhesive film 3A except that 50 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 197, molecular weight 1200, softening point 70 ° C.) as an epoxy resin and 1 part of an adduct of hexamethylene diisocyanate as a curing agent The adhesive film 3B was produced.

(接着剤3C)
硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体0.5質量部とし、キュアゾール2PZにかえてキュアゾール2PHZ(四国化成(株)製商品名、2−フェニル-4,5−ジヒドロキシイミダゾール)2.5質量部とした以外は接着フィルム3Aの作成と全く同様の操作を行い、接着フィルム3Cを作製した。
(Adhesive 3C)
The adduct of hexamethylene diisocyanate as a curing agent is 0.5 parts by mass, and instead of Curezol 2PZ, Curezole 2PHZ (trade name, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) Except for the above, the same operation as in the production of the adhesive film 3A was performed to produce an adhesive film 3C.

粘接着フィルムの作製
(粘接着フィルム1D)
エチルアクリレート、メタクリル酸、2−ヒドロキシエチルアクリレートがモル比で80:5:15からなる重量平均分子量23万のアクリル系共重合体に2−イソシアネートエチルメタクリレートを2−ヒドロキシエチルアクリレートに対してモル比で60%付加反応させた紫外線硬化性アクリル系共重合体100質量部とポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名コロネートL)3質量部、エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名エピコート1002)300質量部を攪拌混合し、真空脱気し、粘接着剤を得た。接着剤を厚さ25μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、110℃で1分間加熱乾燥して、膜厚が40μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた粘接着フィルム1Dを作製した。
Production of adhesive film (adhesive film 1D)
Ethyl acrylate, methacrylic acid, and 2-hydroxyethyl acrylate are in a molar ratio of 80: 5: 15 and an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 230,000 is a molar ratio of 2-isocyanatoethyl methacrylate to 2-hydroxyethyl acrylate. 100 parts by mass of UV curable acrylic copolymer subjected to 60% addition reaction, 3 parts by mass of a polyisocyanate compound (product name: Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.), bisphenol A type epoxy resin (Japan Epoxy) as an epoxy resin 300 parts by mass of Resin Co., Ltd., trade name Epicoat 1002) were mixed with stirring and vacuum degassed to obtain an adhesive. The adhesive was applied onto a 25 μm thick release-treated polyethylene terephthalate film, heated and dried at 110 ° C. for 1 minute to form a B-stage coating film having a thickness of 40 μm, and a viscous film provided with a carrier film. An adhesive film 1D was produced.

特性評価
表1に示すような実施例1〜8、比較例1〜3のダイシングダイボンド用粘接着テープを作製し、破断伸び率、破断強度、チップ表面、基材上のヒゲ状切削屑の数、接着剤のバリの有無、ピックアップ成功率特性評価を下記のようにおこなった。
Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3 as shown in the characteristic evaluation table 1 were produced as dicing die-bonding adhesive tapes. Elongation at break, breaking strength, chip surface, shavings on the substrate The number, presence / absence of burrs in the adhesive, and pickup success rate characteristics were evaluated as follows.

(基材フィルム破断伸び率、基材フィルム破断強度)
実施例および比較例に使用した基材フィルムを、JIS K 7127(プラスチックフィルム及びシートの引張試験方法)の引張試験方法に準拠し、23±2℃の温度、 50±5%の湿度、50mmの標線間距離及びつかみ間距離、300mm/minの速度で試験を行ない、機械加工方向(MD)における測定値である。
(Base film breaking elongation, base film breaking strength)
The base film used in Examples and Comparative Examples was compliant with the tensile test method of JIS K 7127 (Plastic film and sheet tensile test method), temperature of 23 ± 2 ° C., humidity of 50 ± 5%, and 50 mm. The test values are measured in the machining direction (MD) by performing tests at a distance between marked lines, a distance between grips, and a speed of 300 mm / min.

(チップ表面のヒゲ状切削屑の数、および基材上のヒゲ状切削屑の数)
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚さ100μm、直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、シリコンウエハ中央部のチップ100個分について、チップ表面のヒゲ状切削屑数を顕微鏡観察によりカウントし、チップ表面のヒゲ状切削屑の数とした。また、シリコンウエハ中央部の接着剤が転着したチップ100個分を剥離後のテープ上のヒゲ状切削屑数をシリコンウエハ中央部のチップ100個分について、顕微鏡観察によりカウントし、基材上のヒゲ状切削屑数とした。
(Number of beard-like chips on the chip surface and number of beard-like chips on the substrate)
A silicon wafer having a thickness of 100 μm and a diameter of 200 mm was bonded by heating at 70 ° C. for 10 seconds to a dicing die-bonding film obtained in Examples and Comparative Examples, and then rotated using a dicing apparatus (trade name: DAD340, manufactured by DISCO Corporation). Dicing was performed to 5 mm × 5 mm at several 40,000 rpm and a cutting speed of 100 mm / sec. Thereafter, for 100 chips in the center of the silicon wafer, the number of shaving-like cutting debris on the chip surface was counted by microscopic observation to obtain the number of shaving-like cutting debris on the chip surface. In addition, the number of shavings on the tape after peeling off the 100 chips to which the adhesive at the center of the silicon wafer was transferred was counted by microscopic observation for the 100 chips at the center of the silicon wafer. The number of shaving-like cutting scraps.

(接着剤のバリの有無)
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚さ100μm直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、ダイボンド剤が転着したチップの側面の接着剤のバリの有無をシリコンウエハ中央部のチップ20個について、顕微鏡観察により接着剤のバリの有無を調査した。
(With or without adhesive burr)
A silicon wafer having a thickness of 100 μm and a diameter of 200 mm was bonded by heating at 70 ° C. for 10 seconds to a dicing die-bonding film obtained in Examples and Comparative Examples, and then rotated using a dicing apparatus (trade name: DAD340, manufactured by DISCO Corporation). Dicing was performed at 40000 rpm and a cutting speed of 100 mm / sec to 5 mm × 5 mm. Thereafter, the presence or absence of adhesive burrs on the side surface of the chip to which the die bond agent was transferred was examined for the 20 chips in the center of the silicon wafer by microscopic observation.

(ピックアップ成功率)
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚み100μmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、10mm×10mmにダイシングした。その後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯(80W/cm、照射距離10cm)により200mJ/cm2照射した後、シリコンウエハ中央部のチップ50個についてダイボンダー装置(NECマシナリー製、商品名CPS−100FM)によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個でのピックアップ成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子に粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。
(Pickup success rate)
A silicon wafer having a thickness of 100 μm was heated and bonded at 70 ° C. for 10 seconds to a dicing die bond film obtained in Examples and Comparative Examples, and then diced to 10 mm × 10 mm. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer was irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ / cm 2 with an air-cooled high-pressure mercury lamp (80 W / cm, irradiation distance 10 cm), and then a die bonder device (manufactured by NEC Machinery, trade name CPS-) for 50 chips in the center of the silicon wafer. 100FM), and the pickup success rate for each pickup chip was determined. At that time, the pick-up success rate was calculated by assuming that the picked-up element had the adhesive layer peeled off from the adhesive layer and that the pick-up was successful.

それぞれの実施例、比較例における基材フィルム破断伸び率、基材フィルム破断強度、チップ表面、基材上のヒゲ状切削屑の数、接着剤のバリの有無、ピックアップ成功率を表1、表2にまとめた。   Table 1, Table 1 shows the base film break elongation rate, base film break strength, chip surface, number of shavings on the base material, presence or absence of adhesive burrs, and pickup success rate in each example and comparative example. It was summarized in 2.

Figure 2006156754
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Figure 2006156754
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エチレン-酢酸ビニル共重合体を使用しなかった比較例1〜3のテープを使用した場合には、ダイシング時に接着剤のバリが生じた。さらに、比較例1〜3のテープを使用した場合にはチップ上、基材上のヒゲ切削屑の数が共に実施例に比べかなり多いものとなった。 When the tapes of Comparative Examples 1 to 3 that did not use an ethylene-vinyl acetate copolymer were used, burrs of the adhesive occurred during dicing. Furthermore, when the tapes of Comparative Examples 1 to 3 were used, the number of shaving cutting scraps on the chip and on the substrate was considerably larger than that of the Examples.

実施例1〜8のダイシングダイボンドテープを用いてシリコンウエハをダイシングして得られた、5mm×5mmの大きさのICチップを、ダイボンダーを用いてリードフレーム上にダイレクトマウントした後、170℃、2時間の条件で加熱を行いリードフレームとICチップとを強固に接着できていることを確認した。 An IC chip having a size of 5 mm × 5 mm obtained by dicing a silicon wafer using the dicing die-bonding tape of Examples 1 to 8 was directly mounted on a lead frame using a die bonder, and then 170 ° C., 2 It was confirmed that the lead frame and the IC chip were firmly bonded by heating under time conditions.

本発明のダイシングダイボンドテープに半導体ウエハとダイシング用フレームが貼合された様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the semiconductor wafer and the flame | frame for dicing were bonded to the dicing die-bonding tape of this invention. 本発明のその他の実施形態のダイシングダイボンドテープに半導体ウエハとダイシング用フレームが貼合された様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the semiconductor wafer and the flame | frame for dicing were bonded to the dicing die-bonding tape of other embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1: 基材フィルム
2: 粘着剤層
3: 接着剤層
10:ダイシングダイボンドテープ
11:半導体ウエハ
12:ダイシング用リングフレーム
1: Base film 2: Adhesive layer 3: Adhesive layer 10: Dicing die bond tape 11: Semiconductor wafer 12: Ring frame for dicing

Claims (6)

基材フィルム上に粘接着剤層が形成されたダイシングダイボンドテープであって、該基材フィルムの破断伸び率が500%以下で、かつ破断強度が10〜40MPaであることを特徴とするダイシングダイボンドテープ。 A dicing die-bonding tape in which an adhesive layer is formed on a base film, wherein the base film has a breaking elongation of 500% or less and a breaking strength of 10 to 40 MPa. Die bond tape. 前記粘接着剤層と接する基材フィルム層がエチレン−酢酸ビニル共重合体であることを特徴とする請求項1記載のダイシングダイボンドテープ。 2. The dicing die-bonding tape according to claim 1, wherein the base film layer in contact with the adhesive layer is an ethylene-vinyl acetate copolymer. 前記粘接着剤層と接する基材フィルム層の酢酸ビニル含量が3〜20質量%であることを特徴とする請求項2記載のダイシングダイボンドテープ。 The dicing die-bonding tape according to claim 2, wherein the base film layer in contact with the adhesive layer has a vinyl acetate content of 3 to 20% by mass. 前記粘接着剤層のうち基材フィルム層に接する層は粘着剤層であって、該粘着剤層に直接または間接に接着剤層が積層されてなる請求項1〜3のいずれか1項記載のダイシングダイボンドテープ。 The layer which touches a base film layer among the said adhesive layers is an adhesive layer, Comprising: An adhesive layer is laminated | stacked directly or indirectly on this adhesive layer. The dicing die-bonding tape described. 前記粘着剤層は、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも1種の化合物(B)を付加反応させてなるポリマーを含有していることを特徴とする請求項4記載のダイシングダイボンドテープ。 The pressure-sensitive adhesive layer is a compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule, at least selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins and epoxy resins. The dicing die-bonding tape according to claim 4, comprising a polymer obtained by subjecting one kind of compound (B) to an addition reaction. 半導体装置を製造するにあたり、ダイシング時にはダイシング用フレームに固定されて、ウエハを固定しダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用されるダイシングダイボンドテープであって、ダイシング用フレームに貼合される部分には接着剤層がないことを特徴とする請求項4または5に記載のダイシングダイボンドテープ。
A dicing die-bonding tape that is fixed to a dicing frame during dicing, fixed in a wafer, diced, and used in an adhesion process for stacking with a lead frame or semiconductor chip. The dicing die-bonding tape according to claim 4 or 5, wherein there is no adhesive layer in a portion to be bonded to the frame.
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