JP2009146933A - バスバーとバスバーを備えた半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な構成で電流検出を実行可能とする発熱性の半導体素子への電流供給用のバスバーを提供すると共に、該バスバーを用いて、更なる放熱性の向上を図りつつ、簡易な構成で電流検出を低コストで実行可能とする半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】バスバー３０は、外部電源に接続される基端部３００と、基端部３００から延設した主回路部３０１、３０２、３０３、３０４と、主回路部３０１、３０２、３０３、３０４から複数に枝分かれする従回路部３１１、３１２、３１３、３１４と、従回路部３１１、３１２、３１３、３１４のそれぞれの端部に設けられ半導体素子を実装する実装部３１２、３２２、３２３、３２４とを具備し、基端部３００から複数の実装部３１２、３２２、３２３、３２４に至るまでの各抵抗値Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４を同一に設定する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、発熱性の半導体素子に電流を供給するバスバーに係り、該バスバーを用いて半導体素子に流れる電流を検出する検出部を備えた半導体装置に関するものである。

自動車等の車両には、半導体素子のスイッチング機能を利用して、燃料噴射制御、点火制御、モータ制御、油圧制御、電力分配制御等の様々な制御を行う半導体装置が種々と搭載されている。
近年、これらの半導体装置の更なる高機能化、高速応答化を図るべく、半導体素子には高い信頼性とともに更なる高電力化、高周波化、小型化等が要求されている。
この為、これらの半導体素子としては、パワーＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜型電界効果トランジスタ）、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ＢＳＩＴ（バイポーラモード静電誘導トランジスタ）等のパワーデバイスが用いられている。
このようなパワーデバイスの多くは、作動に伴って発熱するため、素子の放熱性に優れた半導体装置の構造について種々と提案されている。
また、これらの半導体装置においては、半導体素子に流れる電流を検出し、過電流を抑制し素子の破壊を防いだり、外部の負荷を制御したりするために、電流流路の途中に所定の抵抗値Ｒを有した電流検出抵抗を介装し、該検出抵抗の端子間に生じる電圧降下Ｖを測定し、素子に流れる電流Ｉ（＝Ｖ／Ｒ）を測定している。

特許文献１には、発熱性の電子部品を含む各種電子部品が実装されるプリント板と、該プリント板の電子部品実装面に対し平行又は垂直方向にに配設され、該プリント板に実装された電子部品に対し熱伝導性の良好な絶縁物を介して接するバスバーとを具備することにより、プリント板の小型化や電子部品の熱保護を図り、プリント板に実装した電子部品やシステムの信頼性向上を図る技術が開示されている。

特許文献２には、半導体素子を流れる主回路電流を検出する検出部として、第１の回路パターンと第２の回路パターンとをボンディングワイヤで接続し、ボンディングワイヤの両端間の電位差を検出して、シャント抵抗を用いることなく主回路電流を検出する技術が開示されている。

例えば、従来の車載用半導体装置として、図略の内燃機関の気筒毎に載置されたグロープラグの通電を制御する、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すＧＣＵ（グロープラグコントローラ）１０ｘは、ヒートシンク４００ｘに絶縁性樹脂４１０ｘを介して実装したパワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）と、図略のＥＣＵからの信号に従ってパワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）の開閉を制御して図略のグロープラグへの通電を制御する集積回路１５０ｘを含む制御回路基板１００ｘとによって構成されている。ＧＣＵ１０ｘでは、発熱性のパワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）と制御回路基板１００ｘとを分離し、パワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）で発生した熱をヒートシンク４００ｘへ速やかに放熱することにより、パワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）からの熱による集積回路１５０ｘへの影響を少なくしている。
特開平５−６７８８９号公報 特開２００５−３３９６５号公報

ところが、近年、始動時における高速昇温を図る為にグロープラグの低抵抗化が進んでおり、また、燃費向上、燃焼排気エミッション低減等の要求から、ＰＷＭ（パルス幅変調）制御等により、始動時のみならず走行中にも常時グロープラグへの通電が行われるようになっており、パワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘに流れる電流の大容量化と更なる放熱性の向上必要とされている。

ＧＣＵ１０ｘでは、回路基板１００ｘには、電源端子１１１ｘに入力された大電流をパワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）のドレイン端子２１０ｘ（１〜４）へ流す入力側配線回路１１４ｘ（１〜４）と、パワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）によりスイッチング制御され、パワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）のソース端子２２０ｘ（１〜４）から出力端子１２１ｘ（１〜４）へ出力される大電流を流す出力配線回路１２３ｘ（１〜４）とが形成されている。 従って、数十Ａの大電流が流れる配線回路１１４ｘ、１２３ｘは、発熱を抑制するため、配線を太く又は厚く形成しなければならず、回路基板１００ｘの小型化が困難であった。更に、両配線回路１１４ｘ、１２３ｘの絶縁性を確保するために、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、両配線回路１１４ｘ、１２３ｘを別々の層に形成した多層基板を使用しなければならず、省コスト化を阻んでいた。

また、配線抵抗のバラツキを相殺してグロープラグへの供給電流を精度良く検出するために、入力側配線回路１１４ｘ（１〜４）又は、出力側配線回路１２３ｘ（１〜４）とパワーＭＯＳＦＥＴ２００ｘ（１〜４）との間に、低抵抗の電流検出用抵抗１４０ｘ（１〜４）を介装して、その上流側と下流側とにそれぞれ上流側電流検出用配線１１３ｘ（１〜４）と下流側電流検出用配線２１３ｘ（１〜４）を形成し、集積回路１５０ｘによって、電流検出用抵抗１４０ｘ（１〜４）における電圧降下を測定し、流れる電流を計測している。この為、回路基板１００ｘに形成される配線回路が複雑となり、回路基板１００ｘの小型化、省コスト化を阻んでいた。

そこで、本発明は上記実情に鑑み、発熱性の半導体素子への電流供給用のバスバーにおいて、簡易な構成で電流検出を実行可能とするバスバーを提供すると共に、半導体素子の発熱による半導体素子制御用集積回路への影響の低減を図るべく、半導体素子と集積回路の実装された回路基板とを離隔した状態で載置した半導体装置において、該バスバーを用いて、更なる放熱性の向上を図りつつ、簡易な構成で電流検出を低コストで実行可能とする半導体装置の提供を目的とするものである。

請求項１の発明では、帯板状の金属からなり、発熱性の半導体素子に電力供給を行うバスバーであって、上記バスバーは、外部電源に接続される基端部と、該基端部から延設した主回路部と、該主回路部から複数に枝分かれする従回路部と、該複数の従回路部のそれぞれの端部に設けられ上記半導体素子を実装する実装部とを具備し、上記基端部から上記複数の従回路部を経由して上記実装部に至るまでの各抵抗値を同一に設定する。

請求項１の発明によれば、上記基端部から各実装部までの抵抗値が一定であるので、上記バスバーを電流検出用抵抗として利用すれば、電流検出抵抗を用いずとも、上記半導体素子に流れる電流を精度良く検出できる。しかも、バスバーは放熱性に優れているので、発熱性の半導体素子を効率よく冷却できる。

請求項２の発明では、上記バスバーの板厚を一定に形成し、且つ、上記主回路部の幅を一定に形成し、更に、上記従回路部の幅を上記基端部から上記実装部までの距離が遠いほど広く形成し、上記基端部から上記実装部までの距離が近いほど狭く形成する。

請求項２の発明によれば、上記従回路部の幅の調整を行うだけで、基端部から実装部までの距離に比例し、断面積に反比例するバスバーの抵抗値を極めて容易に統一できる。従って、基端部と各実装部との電位差を測定すれば、上記半導体素子に流れる電流を精度良く検出できる。

請求項３の発明では、少なくとも、請求項１又は２に記載のバスバーと、該バスバーに実装する半導体素子と、上記半導体素子に接続され上記半導体を制御する集積回路を有する回路基板とを具備する半導体装置であって、上記基端部を上記実装部の実装面に対して略垂直方向に延設し、上記回路基板と上記実装面とが階層状態となるように接続すると共に、上記回路基板には、上記基端部から上記集積回路に接続する上流側電流検出用配線と上記複数の実装部から上記集積回路に接続する下流側電流検出用配線とを形成する。

請求項３の発明によれば、上記回路基板に、上記半導体素子への電源を供給する大容量の入力配線をする必要がなく、回路基板の小型化が極めて容易である。また、電流検出用配線の内、上流側は上記基端部に接続する１本だけで良く、更に回路基板の小型化が可能となる。加えて、使用する集積回路の入力端子数も削減できるので更なるコスト低減が可能となる。更に、バスバーは、回路基板上に形成される配線に比べ、遙に放熱性に優れているので、簡易な構成で信頼性の高い半導体装置を実現できる。

請求項４の発明では、上記バスバーの実装面に対向する面側に、絶縁性接着剤を介して高熱伝導率を有する材料からなるヒートシンクを設ける。

請求項４の発明によれば、上記半導体素子の放熱が極めて容易となり、半導体装置の信頼性が更に向上する。また、装置全体の放熱性が向上するので、更なる小型化も可能となる。

請求項５の発明では、燃機関の気筒毎に設けられたグロープラグへの通電を上記半導体素子のスイッチングによって制御するグロープラグ制御装置に、請求項３または４に記載の半導体装置を適用する。

請求項５の発明によれば、小型で、放熱性に優れたグロープラグ制御装置が低コストで実現できる。

図１を参照して本発明の第１の実施形態として図略の半導体素子へ電力供給を行うバスバー３０について説明する。本図（ａ）は、バスバー３０の概要を示す斜視図、本図（ｂ）は、その内部抵抗を模式的に示した等価回路図である。
バスバー３０は、例えば、銅、銅とニッケルとの合金、銅と亜鉛との合金、銅と錫との合金、銅と亜鉛とニッケルとの合金等の金属材料を帯板状に形成されている。

バスバー３０には、図略の外部電源に接続される基端部３００が形成され、基端部３００から一定幅で延設された主回路部３０１、３０２、３０３、３０４が形成され、主回路部３０１、３０２、３０３、３０４から複数に枝分かれする従回路部３１１、３１２、３１３、３１４が形成され、複数の従回路部３１１、３１２、３１３、３１４のそれぞれの端部には図略の半導体素子を実装する実装部３２１、３２２、３２３、３２４が形成されている。従回路部３１１、３１２、３１３、３１４の幅は、基端部３００から実装部３２１、３２２、３２３、３２４までの距離に応じて、内部抵抗が同一となるように調整されている。

例えば、図１（ｂ）に示すように、一定幅の単位長さ当たりの内部抵抗をｒ（Ω）とし、基端部３００の長さを２単位、基端部から各従回路部３１１、３１２、３１３、３１４までの距離が等間隔で１単位づつ離れ、各実装部３２１、３２２、３２３、３２４が１単位相当の大きさに形成されている場合、基端部３００から最も遠い従回路部３１４内部抵抗をｒ（Ω）とし、その幅を１とすると、従回路部３１１、３１２、３１３の幅をそれぞれ、４分の１、３分の１、２分の１に設定すれば、従回路部３１１、３１２、３１３の内部抵抗はそれぞれ、４ｒ（Ω）、３ｒ（Ω）、２ｒ（Ω）となり、基端部３００から実装部３２１、３２２、３２３、３２４までの内部抵抗Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４は全て一定（８ｒ）とすることができる。

基端部３００から各実装部３２１、３２２、３２３、３２４までの抵抗値が一定であるので、バスバー３０を電流検出用抵抗として利用すれば、電流検出抵抗を用いずとも、半導体素子に流れる電流を精度良く検出できる。しかも、バスバー３０は放熱性に優れているので、発熱性の半導体素子を効率よく冷却できる。

尚、本実施形態に示したバスバー３０の内部抵抗は相対的な関係を例示したもので、特定の範囲に限定するものではない。また、本実施形態において、実装部を４個具備するものを例示したが、本発明は、実装部の数を限定するものではなく、実装部の数に応じて、実装部までの距離が離れるほど従回路部の幅は広く、距離が近いほど従回路部の幅を狭く形成し、抵抗値が一定となるように調整すれば良い。

図２を参照して、本発明の第２の実施形態として、本発明のバスバー３０を半導体素子への電流供給用配線として用いた半導体装置において、半導体素子として、複数のパワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）を用い、図略の内燃機関の気筒毎に装着されるグロープラグの通電を制御するグロープラグコントローラＧＣＵ１０に適用した場合について説明する。図２は、ＧＣＵ１０の概要を示す展開斜視図である。

バスバー３０には、上記実施形態と同様、基端部３００と主回路部３０１、３０２、３０３、３０４と、従回路部３１１、３１２、３１３、３１４と、実装部３２１、３２２、３２３、３２４とが形成されている。
バスバー３０は、基端部３００から各実装部３２１、３２２、３２３、３２４に至る内部抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が一定となるように従回路部３１１、３１２、３１３、３１４の幅が調整されている。

実装部３２１、３２２、３２３、３２４の表面には、動作時のオン電流によって発熱する発熱性の半導体素子としてパワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）がハンダ箔等を介して実装されている。尚、パワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）は、ネジ等によりバスバー３０にネジ止めしても良い。

パワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）の下面には、内部でドレイン端子２１０（１〜４）と導通しつつ、電源入力用の端子と放熱板とを兼ねて設けられている下面ドレイン端子２１１（１〜４）が形成されている。各下面ドレイン端子２１１（１〜４）は、それぞれ、対応する実装部３２１、３２２、３２３、３２４に導通している。

回路基板１００には、ガラスエポキシ樹脂等の基板にパワーＭＯＳＦＥＴ２００を制御する集積回路１５０が実装され、後述する出力用配線回路、信号配線等が形成されている。また、回路基板１００には、電源端子挿入孔１１２（１〜４）、出力端子挿入孔１２２（１〜４）、入力端子挿入孔１３２（１〜４）、ドレイン端子挿入孔２１２（１〜４）、ソース端子挿入孔２２２（１〜４）、ゲート端子挿入孔２３１（１〜４）が穿設されている。

パワーＭＯＳＦＥＴ２００と回路基板１００とを接続する導通線として、ドレイン端子２１０（１〜４）、ソース端子２２０（１〜４）、ゲート端子２３０（１〜４）が、パワーＭＯＳＦＥＴ２００から垂直方向に伸びて、回路基板１００に穿設されたドレイン端子挿入孔２１２（１〜４）、ソース端子挿入孔２２１（１〜４）、ゲート端子挿入孔２３１（１〜４）に挿入され、後述する回路基板１００の表面に形成された回路とハンダ付け等により導通接続されている。

電源コネクタ部１１０には、電源端子１１１がインサート成形され、出力コネクタ部１２０には、出力端子１２１がインサート成形され、入力コネクタ部１３０には、入力端子１３１がインサート成形されている。

電源端子１１１、出力端子１２１、入力端子１３１は、それぞれ電源端子挿入孔１１２、出力端子挿入孔１２２、入力端子挿入孔１３２に挿入され、後述する回路にハンダ付け等により導通接続されている。

回路基板１００には、後述する回路が形成され、集積回路１５０によって、バスバー３０の基端部３００とドレイン端子２１０（１〜４）の間における電圧降下を検出し、各パワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）に流れる電流を測定可能となっている。

バスバー３０の実装面に対向する下面側には、電気絶縁性の接着剤４１０を介してヒートシンク４００が接着されている。ヒートシンク４００は、アルミニウム等の高い熱伝導率を有した金属材料等を用いて形成されている。

バスバー３０は、回路基板１００上での回路形成に比較して遙に抵抗値を低くできるので、パワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）への大電流の供給が容易である。
また、電源入力回路をバスバー３０によって形成することによって、回路基板１００上に電源入力回路を形成する必要がないので出力用回路の占有面積を多く取る事ができ、出力用の大電流を流しやすくなる。従って、ＧＣＵ１０の耐久性と安定性との更なる向上が期待できる。

尚、上記施形態においては、ＧＣＵ１０は、４気筒の内燃機関に装着される４個のグロープラグを制御する場合を例示しており、パワーＭＯＳＦＥＴ２００は４個実装されているが、本発明は、半導体素子の数を限定するものではなく、適宜変更可能である。

図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して、本発明の要部であるバスバー３０と、回路基板１００に形成された回路と、組み付け状態でのＧＣＵ１０とについて更に詳述する。
尚、本図に示した回路基板１００の回路パターンは模式的なもので、実際の回路パターンを限定するものではない。
バスバー３０は、ヒートシンク４００に絶縁性接着剤４１０で貼付されており、実装部３２１、３２２、３２３、３２４には、パワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）が実装されている。ドレイン端子２１０（１〜４）は、下面ドレイン端子２１１（１〜４）とパワーＭＯＳＦＥＴ２００の内部で導通している。ドレイン端子２１０（１〜４）は、回路基板１００に穿設されたドレイン端子挿入孔２１２（１〜４）に挿入され、更に回路基板１００の表面に形成された電流検出回路２１３（１〜４）の一端に接続され、更に電流検出回路２１３（１〜４）の他端は集積回路１５０の入出力端子１５１の所定の端子に接続され、ドレイン端子２１０（１〜４）に入力されるドレイン端子電圧Ｖｄ（１〜４）を測定可能となっている。

電源端子１１１は、バスバー３０の基端部３００とともに、回路基板１００に穿設された電源端子挿入孔１１２に挿入され、更に電源端子１１１とバスバー３０とは、回路基板１００の表面に形成された電源回路１１３の一端に導通接続され、電源回路１１３の他端は、集積回路１５０に出力端子１５１の所定の端子に接続され、電源端子１１１に入力される電源電圧Ｖ０を測定している。

従って、バスバー３０の基端部３００からドレイン端子２１０（１〜４）までに至る抵抗（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒ４＝Ｒ）は、全て等しく、電源電圧Ｖ０とドレイン端子電圧Ｖｄ（１〜４）との電位差（Ｖ０−Ｖｄ）並びに抵抗（Ｒ）からパワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）に流れる電流Ｉ（＝（Ｖ０−Ｖｄ）／Ｒ）を測定することができる。

ゲート端子２３０（１〜４）は、回路基板１００に穿設されたゲート端子挿入孔２３１（１〜４）に挿入され、ゲート回路２３２（１〜４）の一端に接続され、ゲート回路２３２（１〜４）の他端は、集積回路１５０の入出力端子１５１の所定の端子に接続されている。

出力端子１２１（１〜４）は、回路基板１００に穿設された入力端子挿入孔１２２（１〜４）に挿入され、出力回路２２２（１〜４）の一端に接続され、出力回路２２２（１〜４）の他端は、ソース端子２２０（１〜４）に接続されている。

入力端子１３１（１〜４）は、回路基板１００に穿設された入力端子挿入孔１３２（１〜４）に挿入され、入力回路１３３（１〜４）の一端に接続され、入力回路１３３（１〜４）の他端は集積回路１５０の入出力端子１５１の所定の端子に接続され、外部に設けられた図略のＥＣＵからの信号を集積回路１５０に入力している。

パワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）の実装されたバスバー３０の実装面と回路基板１００とは、略平行で、階層構造となっており、回路基板１００の外周を筐体５００で覆いつつ、回路基板１００、各ターミナル部１１０、１２０、１３０、ヒートシンク４００が固定されている。
パワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）から発生する熱を、ヒートシンク４００へ放熱して、集積回路１５０の受熱による誤動作や、パワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）の熱暴走が防止されている。

図４を参照して、本発明の第２の実施形態における効果を比較例と共に説明する。
本図（ａ）は、実施例１として、本発明のＧＣＵ１０を用いたグロープラグ通電システム１を示し、本図（ｂ）は、比較例１として従来構造のＧＣＵ１０ｘを用いたグロープラグ通電システム１ｘを示す等価回路図である。

図略の内燃機関は複数の気筒によって構成され、気筒毎にグロープラグＧＰ（１〜４）が設けられており、電源７０からＧＰ（１〜４）への通電をパワーＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）のスイッチングによって制御している。
本実施形態においては、図４（ａ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ２００（１〜４）に流れる電流検出は、上流側の電圧を検出する電源端子１１１側から引き出された電源回路１１３からの入力と、下流側の電圧を検出する各ドレイン端子２１０（１〜４）に導通する電流検出回路２１３（１〜４）からの入力との差によって測定できる。バスバー３０の電源端子１１１から各ドレイン端子２１０に至る配線抵抗（Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４）が等しいので、電流検出用抵抗が不要となる。

一方、図４（ｂ）に示すように、従来のＧＣＵ１０ｘを用いたグロープラグ通電システム１ｘでは、電源端子１１１ｘから素子にいたる配線抵抗（Ｒ_１ｘ、Ｒ_２Ｘ、Ｒ_３ｘ、Ｒ_４ｘ）にバラツキがあるため、一定の抵抗値Ｒｓを有する電流検出用抵抗１４０ｘ（１〜４）を介装し、その上流側と下流側との電圧降下を測定して、各ドレイン端子２１０ｘ（１〜４）に流れる電流を検出しなければならず、上流側電流検出用配線１４３ｘ（１〜４）と下流側電流検出用配線２１３ｘ（１〜４）とが必要である。

図５（ａ）、（ｂ）に、本発明の要部であるバスバー３０の他の実施形態を示す。上記実施形態においてバスバー３０の基端部３００は、主回路３０１、３０２、３０３、３０４の端部に設けた例を示したが、本図（ａ）に示すように基端部３００ａを主回路３０１ａ、３０２ａ、３０３ａ、３０４ａの中心に設けても良い。本実施形態においても、従回路部３１１ａ、３１２ａ、３１３ａ、３１４ａの幅を調整することによって、本図（ｂ）に示すように、基端部３００ａから各実装部３２１ａ、３２２ａ、３２３ａ、３２４ａに至る内部抵抗Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ３ａ、Ｒ４ａが全て等しくすることができる。本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果が得られる。

本発明は上記実施形態に限定するものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、半導体装置の用途、機能に応じて、使用する半導体素子、集積回路の機能、形状等は適宜変更可能である。

(ａ)は、本発明の第１の実施形態におけるバスバーを示す斜視図、（ｂ）は、その等価回路を示す模式図。 は、本発明の第２の実施形態におけるグロープラグコントローラの構成を示す展開斜視図。 は、本発明の第２の実施形態におけるグロープラグコントローラの詳細を示し、（ａ）は、バスバー載置部の概要を示す平面図、（ｂ）は、回路基板部の概要を示す平面図、（ｃ）は、その断面図。 （ａ）は、本発明の第２の実施形態におけるグロープラグコントローラを用いたグロープラグ制御システムの全体構成を示す等価回路図、（ｂ）は比較例として従来構造のグロープラグコントローラを用いたグロープラグ制御システムの全体構成を示す等価回路。 （ａ）は、本発明の第３の実施形態におけるバスバーの斜視図、（ｂ）は、その等価回路を示す模式図。 は、従来のグロープラグコントローラの詳細を示し、（ａ）は、入力配線の概要を示す平面図、（ｂ）は、出力配線の概要を示す平面図（ｃ）は、その断面図。

符号の説明

３０ バスバー
３００ 基端部
３０１、３０２、３０３、３０４ 主回路部
３１１、３１２、３１３、３１４ 従回路部
３２１、３２２、３２３、３２４ 実装部

Claims (5)

1. 帯板状の金属からなり、発熱性の半導体素子に電力供給を行うバスバーであって、
   上記バスバーは、外部電源に接続される基端部と、該基端部から延設した主回路部と、該主回路部から複数に枝分かれする従回路部と、該複数の従回路部のそれぞれの端部に設けられ上記半導体素子を実装する実装部とを具備し、上記基端部から上記複数の従回路部を経由して上記実装部に至るまでの各抵抗値を同一に設定したことを特徴とするバスバー。
2. 上記バスバーの板厚を一定に形成し、且つ、上記主回路部の幅を一定に形成し、更に、上記従回路部の幅を上記基端部から上記実装部までの距離が遠いほど広く形成し、上記基端部から上記実装部までの距離が近いほど狭く形成した請求項１に記載のバスバー。
3. 少なくとも、請求項１又は２に記載のバスバーと、該バスバーに実装する半導体素子と、上記半導体素子に接続され上記半導体を制御する集積回路を有する回路基板とを具備する半導体装置であって、
   上記基端部を上記実装部の実装面に対して略垂直方向に延設し、上記回路基板と上記実装面とが階層状態となるように接続すると共に、
   上記回路基板には、上記基端部から上記集積回路に接続する上流側電流検出用配線と上記複数の実装部から上記集積回路に接続する下流側電流検出用配線とを形成したことを特徴とする半導体装置。
4. 上記バスバーの実装面に対向する面側に、絶縁性接着剤を介して高熱伝導率を有する材料からなるヒートシンクを設けた請求項３に記載の半導体装置。
5. 内燃機関の気筒毎に設けられたグロープラグへの通電を上記半導体素子のスイッチングによって制御するグロープラグ制御装置に適用したことを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置。

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