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JP2009145172A - パッシブプローブ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 プローブヘッドが大幅な温度変化を受けた場合でも安定した分圧確度の得られるパッシブプローブ装置を提供する。
【解決手段】 被測定信号Vinがプローブヘッド10に入力され、ケーブル21およびインターフェース部30を介して、所定のインピーダンス比で分圧された信号をオシロスコープに出力するパッシブプローブ装置101において、プローブヘッド10の抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度変化によるインピーダンス比の変化を相殺するように、プローブヘッド10内の温度センサ13の検出信号に対応して、インターフェース部30内の可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCを補正制御手段32で制御することを特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、オシロスコープなどに用いられるパッシププローブ装置に関し、特に広い温度範囲で使用できるパッシププローブ装置に関する。
従来から、パッシブプローブはアクティブプローブと比較して、広い温度範囲と広い入力電圧範囲に対応しやすく、かつ堅牢であるなどの利点により、多くのオシロスコープで用いられている。
図4は、従来の一般的なオシロスコープ用パッシブプローブ装置を示す回路構成図である。オシロスコープ用パッシブプローブ装置100は、被測定信号Vinが入力されるプローブヘッド1と、プローブヘッド1から出力される信号を伝搬するケーブル2と、ケーブル2を経由した信号のインピーダンス比を調整するインターフェース部3とからなり、被測定信号Vinを所定のインピーダンス比で分圧した信号をオシロスコープの入力部4に出力する。
プローブヘッド1において、抵抗器RheadとキャパシタCheadからなる並列回路は入力端子11にその一端が接続される。
ケーブル2は同軸ケーブルからなり、その一端において、内部導体が抵抗器RheadとキャパシタCheadからなる並列回路の他端に接続され、その外部導体がGND端子に接続される。ケーブル2はGND端子との間で浮遊容量Ccableを持つ。
インターフェース部3において、ケーブル2の他端の内部導体は同軸ケーブル用の出力端子31に接続され、外部導体はGND端子に接続される。調整用可変キャパシタCadjは、オシロスコープの入力インピーダンスと並列となるように、その一端がケーブル2の内部導体に接続され、他端がGND端子に接続される。
オシロスコープの入力部4において、入力端子41はパッシブプローブ装置100の出力端子31と接続される同軸ケーブル用の端子である。入力抵抗Rinと入力容量Cinはオシロスコープの等価入力インピーダンスで、それぞれその一端が入力端子41に接続され、他端がGND端子に接続される。アンプ42は入力端子41を介して入力された信号を増幅する。
図4の装置の動作を次に説明する。被測定信号Vinはプローブヘッド1に入力され、ケーブル2およびインターフェース部3を介して、所定のインピーダンス比で分圧された信号がオシロスコープの入力部4に出力される。
プローブヘッド1内の抵抗器RheadおよびキャパシタCheadからなる並列回路と、オシロスコープ入力部4内の入力抵抗Rinおよび入力容量Cin、インターフェース部3内の調整用可変キャパシタCadjおよびケーブル2の浮遊容量Ccableからなる並列回路とは被測定信号Vinに対し分圧器を構成する。
分圧比10:1(電圧ゲイン1/10)のパッシブプローブ装置の代表的な例を以下に示す。直流からRheadとCheadの時定数に対応する周波数f1までは、プローブヘッド1の抵抗Rhead(9MΩ)とオシロスコープの入力抵抗Rin(1MΩ)とで9:1のインピーダンス比を構成して10:1の分圧比を得る。周波数f1以上では、プローブヘッド1の10pF前後のキャパシタCheadと、オシロスコープの入力容量Cinおよび、これと並列になる全ての静電容量Cin+Cadj+Ccable(90pF前後)とで9:1のインピーダンス比を構成して10:1の分圧比を得る。この場合、抵抗器については、比較的許容差の小さい抵抗器が入手可能なため通常は固定抵抗を使用するが、キャパシタや浮遊容量等は、許容差及び温度係数が大きいため、可変コンデンサCadjを用いて上記の容量によるインピーダンス比を正確に9:1に調整する。
パッシブプローブ装置に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
特開平6−331657号公報
従来のパッシブプローブ装置では、測定を行う環境温度において可変コンデンサCadjを調整することで、規定の分圧確度による測定が行える。
しかし、恒温槽試験等を用いて広い温度範囲に渡って連続的に測定する場合には、恒温槽内の測定対象に直接接続されるプローブヘッド1は、測定対象物と同じ温度環境下に置かれるため、内部の抵抗RheadとキャパシタCheadの温度ドリフトにより分圧比が変化する。また、抵抗RheadとキャパシタCheadの温度係数が異なるため、基準温度状態でパッシブプローブ装置の調整をしても、抵抗によるインピーダンス比と容量によるインピーダンス比が一致しなくなるので、周波数特性に段差ができて正しい測定が行えなくなる。
図5は従来のパッシブプローブ装置の電圧ゲインの周波数特性を示す特性曲線図である。基準温度で調整したパッシブプローブ装置でそのまま測定した場合の平坦な周波数特性51(実線)に対し、調整後に温度変化があった場合の周波数特性52(点線)には段差が生じている。
本発明はこのような課題を解決しようとするもので、プローブヘッドが大幅な温度変化を受けた場合でも安定した分圧確度の得られるパッシブプローブ装置を提供することを目的とする。
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
被測定信号がプローブヘッドに入力され、ケーブルおよびインターフェース部を介して、所定のインピーダンス比で分圧された信号をオシロスコープに出力するパッシブプローブ装置において、
前記オシロスコープの入力インピーダンスと並列となるように前記インターフェース部に設けられた可変抵抗手段および可変キャパシタ手段と、
前記プローブヘッドに設けられた温度センサと、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化による前記インピーダンス比の変化を相殺するように、前記温度センサの検出信号に対応して前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する補正制御手段と
を備えたことを特徴とする。
請求項2記載の発明は、
請求項1記載のパッシブプローブ装置において、
前記補正制御手段は、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度係数が予め格納されたメモリと、
前記温度センサから出力された検出信号に対応して前記メモリから出力される信号に基づいて前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段の補正値を演算し、この補正値に基づいて前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する制御回路と
を備えたことを特徴とする。
請求項3記載の発明は、
請求項1記載のパッシブプローブ装置において、
前記補正制御手段は、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化に対する前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段の補正値が予め格納されたメモリと、
前記温度センサの検出信号に対応する前記メモリ出力に対応して前記可変抵抗手段および可変キャパシタ手段を制御する制御回路と
を備えたことを特徴とする。
請求項4記載の発明は、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置において、
前記可変抵抗手段は、
複数の抵抗素子と、
該複数の抵抗素子を切り換えるスイッチと
を備えたことを特徴とする。
請求項5記載の発明は、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置において、
前記可変キャパシタ手段は、
複数のキャパシタ素子と、
該複数のキャパシタを切り換えるスイッチと
を備えたことを特徴とする。
請求項6記載の発明は、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置において、
前記可変抵抗手段として電子負荷を用いたことを特徴とする。
請求項7記載の発明は、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置において、
前記可変キャパシタ手段として可変容量ダイオードを用いたことを特徴とする。
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば、被測定信号がプローブヘッドに入力され、ケーブルおよびインターフェース部を介して、所定のインピーダンス比で分圧された信号をオシロスコープに出力するパッシブプローブ装置において、前記オシロスコープの入力インピーダンスと並列となるように前記インターフェース部に設けられた可変抵抗手段および可変キャパシタ手段と、前記プローブヘッドに設けられた温度センサと、前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化による前記インピーダンス比の変化を相殺するように、前記温度センサの検出信号に対応して前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する補正制御手段とを備えたことにより、プローブヘッドが大幅な温度変化を受けた場合でも安定した分圧確度の得られるパッシブプローブ装置を提供することができる。
以下本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
図1は本発明の実施の形態に係るパッシブプローブ装置の一実施例を示す構成ブロック図である。図4と同じ部分は同一の記号を付して重複する説明を省略する。
パッシブプローブ装置101において、温度センサ13は、プローブヘッド10の温度をモニタし、温度検出信号を伝送線21に出力する。インターフェース部30の制御回路321は、伝送線21を介して入力した温度検出信号に対応してメモリ322から出力される信号に基づいて、可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCの値を制御する。メモリ322は、プローブヘッド10の抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度係数が予め格納された校正データ用メモリである。
ここで、制御回路321とメモリ322は、プローブヘッド10の抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度変化によるインピーダンス比の変化を補正で相殺するように、温度センサ13の検出信号に対応して可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCを制御する補正制御手段32を構成する。
図2は可変抵抗手段VRの一例を示す回路図である。主抵抗素子Rmainと直列に、バイナリステップ等に重み付けされた複数の抵抗R1〜RnがスイッチS11〜S1nによって切り換えられるステップ切換回路が接続される。
図3は可変キャパシタ手段VCの一例を示す回路図である。可変主キャパシタ素子Cmainと並列に、バイナリステップ等に重み付けされた複数のキャパシタC1〜CnがスイッチS21〜S2nによって切り換えられるステップ切換回路が接続される。
図1の装置の動作を次に説明する。
プローブヘッド10内の温度センサ13から出力される温度検出信号は伝送線21を経由して制御回路321に送られる。制御回路321は温度検出信号に対応するプローブヘッド10の抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度係数をメモリ322から読み出し、この信号に基づいて、抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度変化によるインピーダンス比の変化を相殺するように、可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCの補正値を演算する。この補正値に基づいて、制御回路321は可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCの値を制御する。
上記パッシブプローブ装置101の初期設定は以下のようにして行われる。
プローブヘッド10の、抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度係数を予め測定し、メモリ322に格納しておく。
また、常温においてパッシブプローブ装置101をオシロスコープに接続し、可変抵抗手段VRを設定中心値に設定し、可変キャパシタ手段VCを重み付けキャパシタC1からCnによる可変範囲の中心に設定した状態において、周波数特性が平坦になるようにプローブの可変主キャパシタCmainを調整しておく。可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCをこのように初期設定しておくことにより、プラスマイナス両方向に値を制御することができる。
パッシブプローブ装置101の動作中は、プローブヘッド10の温度センサ13は常にプローブヘッド10の温度をモニタする。測定中に温度変化が検出されると、制御回路321はメモリ322からプローブヘッド10の抵抗Rhead及びキャパシタCheadの温度係数を読み出し、この温度係数データに基づいて9:1のインピーダンス比を保つための可変抵抗手段VR及び可変キャパシタ手段VCの値を計算し、可変抵抗手段VR及び可変キャパシタ手段VCの値として設定する。
上述のように、可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCは、バイナリステップ等に重み付けされた複数の抵抗R1〜Rn及びキャパシタC1〜Cnがスイッチによって切り換えられるとともに、主キャパシタCmainが可変なので、インピーダンス比の補正に必要な調整範囲と設定分解能を得ることができる。
上記のような構成のパッシブプローブ装置によれば、アクティブプローブと比較して広い温度範囲と広い入力電圧範囲に対応しやすい丈夫なパッシブプローブ装置において、温度変化に対する補償回路を内臓し、プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度係数の影響を補正することができるので、オシロスコープ側に特別な仕組みを持つことなしに、広い温度範囲に渡って一定の分圧確度及び周波数平坦度を自動的に実現することができる。
なお、補正制御手段32は、プローブヘッド10の抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度変化に対する可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCの補正値が予め格納されたメモリと、温度センサ13の検出信号に対応するメモリ出力に対応して可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCを制御する制御回路とで構成してもよい。
また、プローブインターフェース部30の可変抵抗手段VRは、スイッチによるステップ切換えではなく、連続可変できる電子負荷等を用いても良い。
また、プローブインターフェース部30の可変キャパシタ手段VCは、スイッチによるステップ切換えではなく、連続可変できる可変容量ダイオード等を用いても良い。
また、インピーダンス比は9:1に限らず、任意の値をとることができる。
また、本発明に係るパッシププローブ装置はオシロスコープに限らず、各種計測器で用いることができる。
本発明の実施の形態に係るパッシブプローブ装置の一実施例を示す構成ブロック図である。 可変抵抗手段VRの一例を示す回路図である。 可変キャパシタ手段VCの一例を示す回路図である。 従来の一般的なオシロスコープ用パッシブプローブ装置を示す回路構成図である。 従来のパッシブプローブ装置の電圧ゲインの周波数特性を示す特性曲線図である。
符号の説明
10 プローブヘッド
21 ケーブル
13 温度センサ
30 インターフェース部
32 補正制御手段
101 パッシブプローブ装置
321 制御回路
322 メモリ
C1〜Cn 複数のキャパシタ素子
Chead プローブヘッドのキャパシタ
R1〜Rn 複数の抵抗素子
Rhead プローブヘッドの抵抗
S11〜S1n 複数の抵抗素子を切り換えるスイッチ
S21〜S2n 複数のキャパシタを切り換えるスイッチ
VC 可変キャパシタ手段
VR 可変抵抗手段
Vin 被測定信号

Claims (7)

  1. 被測定信号がプローブヘッドに入力され、ケーブルおよびインターフェース部を介して、所定のインピーダンス比で分圧された信号をオシロスコープに出力するパッシブプローブ装置において、
    前記オシロスコープの入力インピーダンスと並列となるように前記インターフェース部に設けられた可変抵抗手段および可変キャパシタ手段と、
    前記プローブヘッドに設けられた温度センサと、
    前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化による前記インピーダンス比の変化を相殺するように、前記温度センサの検出信号に対応して前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する補正制御手段と
    を備えたことを特徴とするパッシブプローブ装置。
  2. 前記補正制御手段は、
    前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度係数が予め格納されたメモリと、
    前記温度センサから出力された検出信号に対応して前記メモリから出力される信号に基づいて前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段の補正値を演算し、この補正値に基づいて前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する制御回路と
    を備えたことを特徴とする請求項1記載のパッシブプローブ装置。
  3. 前記補正制御手段は、
    前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化に対する前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段の補正値が予め格納されたメモリと、
    前記温度センサの検出信号に対応する前記メモリ出力に対応して前記可変抵抗手段および可変キャパシタ手段を制御する制御回路と
    を備えたことを特徴とする請求項1記載のパッシブプローブ装置。
  4. 前記可変抵抗手段は、
    複数の抵抗素子と、
    該複数の抵抗素子を切り換えるスイッチと
    を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置。
  5. 前記可変キャパシタ手段は、
    複数のキャパシタ素子と、
    該複数のキャパシタを切り換えるスイッチと
    を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置。
  6. 前記可変抵抗手段として電子負荷を用いたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置。
  7. 前記可変キャパシタ手段として可変容量ダイオードを用いたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置。
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