JP2009145172A - パッシブプローブ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被測定信号Vinがプローブヘッド10に入力され、ケーブル21およびインターフェース部30を介して、所定のインピーダンス比で分圧された信号をオシロスコープに出力するパッシブプローブ装置101において、プローブヘッド10の抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度変化によるインピーダンス比の変化を相殺するように、プローブヘッド10内の温度センサ13の検出信号に対応して、インターフェース部30内の可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCを補正制御手段32で制御することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
被測定信号がプローブヘッドに入力され、ケーブルおよびインターフェース部を介して、所定のインピーダンス比で分圧された信号をオシロスコープに出力するパッシブプローブ装置において、
前記オシロスコープの入力インピーダンスと並列となるように前記インターフェース部に設けられた可変抵抗手段および可変キャパシタ手段と、
前記プローブヘッドに設けられた温度センサと、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化による前記インピーダンス比の変化を相殺するように、前記温度センサの検出信号に対応して前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する補正制御手段と
を備えたことを特徴とする。
請求項1記載のパッシブプローブ装置において、
前記補正制御手段は、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度係数が予め格納されたメモリと、
前記温度センサから出力された検出信号に対応して前記メモリから出力される信号に基づいて前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段の補正値を演算し、この補正値に基づいて前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する制御回路と
を備えたことを特徴とする。
請求項1記載のパッシブプローブ装置において、
前記補正制御手段は、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化に対する前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段の補正値が予め格納されたメモリと、
前記温度センサの検出信号に対応する前記メモリ出力に対応して前記可変抵抗手段および可変キャパシタ手段を制御する制御回路と
を備えたことを特徴とする。
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置において、
前記可変抵抗手段は、
複数の抵抗素子と、
該複数の抵抗素子を切り換えるスイッチと
を備えたことを特徴とする。
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置において、
前記可変キャパシタ手段は、
複数のキャパシタ素子と、
該複数のキャパシタを切り換えるスイッチと
を備えたことを特徴とする。
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置において、
前記可変抵抗手段として電子負荷を用いたことを特徴とする。
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置において、
前記可変キャパシタ手段として可変容量ダイオードを用いたことを特徴とする。
図1の装置の動作を次に説明する。
プローブヘッド10の、抵抗RheadおよびキャパシタCheadの温度係数を予め測定し、メモリ322に格納しておく。
また、常温においてパッシブプローブ装置101をオシロスコープに接続し、可変抵抗手段VRを設定中心値に設定し、可変キャパシタ手段VCを重み付けキャパシタC1からCnによる可変範囲の中心に設定した状態において、周波数特性が平坦になるようにプローブの可変主キャパシタCmainを調整しておく。可変抵抗手段VRおよび可変キャパシタ手段VCをこのように初期設定しておくことにより、プラスマイナス両方向に値を制御することができる。
21 ケーブル
13 温度センサ
30 インターフェース部
32 補正制御手段
101 パッシブプローブ装置
321 制御回路
322 メモリ
C1〜Cn 複数のキャパシタ素子
Chead プローブヘッドのキャパシタ
R1〜Rn 複数の抵抗素子
Rhead プローブヘッドの抵抗
S11〜S1n 複数の抵抗素子を切り換えるスイッチ
S21〜S2n 複数のキャパシタを切り換えるスイッチ
VC 可変キャパシタ手段
VR 可変抵抗手段
Vin 被測定信号
Claims (7)
- 被測定信号がプローブヘッドに入力され、ケーブルおよびインターフェース部を介して、所定のインピーダンス比で分圧された信号をオシロスコープに出力するパッシブプローブ装置において、
前記オシロスコープの入力インピーダンスと並列となるように前記インターフェース部に設けられた可変抵抗手段および可変キャパシタ手段と、
前記プローブヘッドに設けられた温度センサと、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化による前記インピーダンス比の変化を相殺するように、前記温度センサの検出信号に対応して前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する補正制御手段と
を備えたことを特徴とするパッシブプローブ装置。 - 前記補正制御手段は、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度係数が予め格納されたメモリと、
前記温度センサから出力された検出信号に対応して前記メモリから出力される信号に基づいて前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段の補正値を演算し、この補正値に基づいて前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段を制御する制御回路と
を備えたことを特徴とする請求項1記載のパッシブプローブ装置。 - 前記補正制御手段は、
前記プローブヘッドの抵抗およびキャパシタの温度変化に対する前記可変抵抗手段および前記可変キャパシタ手段の補正値が予め格納されたメモリと、
前記温度センサの検出信号に対応する前記メモリ出力に対応して前記可変抵抗手段および可変キャパシタ手段を制御する制御回路と
を備えたことを特徴とする請求項1記載のパッシブプローブ装置。 - 前記可変抵抗手段は、
複数の抵抗素子と、
該複数の抵抗素子を切り換えるスイッチと
を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置。 - 前記可変キャパシタ手段は、
複数のキャパシタ素子と、
該複数のキャパシタを切り換えるスイッチと
を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置。 - 前記可変抵抗手段として電子負荷を用いたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置。
- 前記可変キャパシタ手段として可変容量ダイオードを用いたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパッシブプローブ装置。
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- 2007-12-13 JP JP2007322195A patent/JP5071086B2/ja active Active
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