JP2009032749A - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、感光性基板上にパターンを転写する露光装置およびデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method for transferring a pattern onto a photosensitive substrate.
従来、液晶表示素子、半導体素子等のデバイス上に回路パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術を利用した露光装置が用いられている。かかる露光装置では、例えば回路パターンの原画としてのパターンが形成されたマスクを所定の波長帯域の露光光によって照明し、この照明したパターンの像をデバイスの基板となる感光性基板上に形成することでパターンが転写される。 Conventionally, in order to form a circuit pattern on a device such as a liquid crystal display element or a semiconductor element, an exposure apparatus using a photolithography technique has been used. In such an exposure apparatus, for example, a mask on which a pattern as an original image of a circuit pattern is illuminated with exposure light of a predetermined wavelength band, and an image of the illuminated pattern is formed on a photosensitive substrate which is a device substrate. The pattern is transferred.
近年、露光装置では、液晶表示素子等の大面積化の要求にともない、感光性基板上に転写するパターンの転写領域(露光領域)の拡大が要望されている。これに対して、マルチレンズ方式の投影光学系を備え、マスクおよび感光性基板を投影光学系に対して同期走査させながらパターンの転写を行うステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が開発されている(例えば、特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art In recent years, an exposure apparatus is required to expand a transfer area (exposure area) of a pattern to be transferred onto a photosensitive substrate in accordance with a demand for a large area of a liquid crystal display element or the like. On the other hand, a step-and-scan type exposure apparatus that has a multi-lens type projection optical system and transfers a pattern while synchronously scanning a mask and a photosensitive substrate with respect to the projection optical system has been developed. (For example, refer to Patent Document 1).
特許文献1に記載された露光装置では、感光性基板のパターン転写面(露光面)に沿って複数の投影光学ユニットが配列されており、この配列数を増やすことで露光領域が拡大される。その際、1つの光源では露光光が光量不足となる場合には、複数の光源を用い、その各光源が発する露光光を混合してマスクを照明することで光量不足を解消することができる。この場合、各光源が発する露光光は、例えば複数の光ファイバーをランダムに束ねて構成されるライトガイドを用いて混合される。
In the exposure apparatus described in
ところが、複数の光源を用いると、例えば光源の経時劣化や点灯数の変更などにより、各光源から発せられる露光光の光量比が変化する。このため、特許文献1に記載の露光装置では、複数の光源が発する露光光を混合してマスクを照明する場合、感光性基板に対する露光光の光学特性が投影光学ユニットごと、および各投影光学ユニット間で変化する恐れがあった。また、露光光の光学特性が変化することで、感光性基板上に形成されるパターンの像の像質が劣化し、感光性基板上に転写されるパターンの精度が低下するという問題があった。
However, when a plurality of light sources are used, the ratio of the amount of exposure light emitted from each light source changes due to, for example, deterioration of the light source over time or change in the number of lighting. Therefore, in the exposure apparatus described in
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、複数の光源が発する各露光光の光量比に対応して感光性基板に対する露光光の光学特性を調整することができ、感光性基板上に高精度にパターンを転写することができる露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and can adjust the optical characteristics of the exposure light with respect to the photosensitive substrate in accordance with the light intensity ratio of each exposure light emitted from a plurality of light sources. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a device manufacturing method capable of transferring a pattern with high accuracy.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる露光装置は、複数の光源が発する露光光を混合し、所定面に位置するパターンに照射する照明手段と、前記パターンを介した前記露光光をもとに、前記所定面の共役面に位置する感光性基板上に前記パターンの像を形成する投影手段とを備えた露光装置において、前記照明手段または前記投影手段の少なくとも一方に含まれる光学素子を駆動して前記共役面における前記露光光の光学特性を変化させる調整手段と、前記複数の光源のうちの第1光源および第2光源が発する各露光光の光量に対応する情報をもとに該各露光光の光量比に対応する情報を検知する検知手段と、前記検知手段の検知結果をもとに前記調整手段を用いて前記光学特性を変化させる調整制御手段と、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, an exposure apparatus according to the present invention mixes exposure light emitted from a plurality of light sources, and irradiates a pattern located on a predetermined surface, via the pattern. An exposure apparatus comprising: a projection unit that forms an image of the pattern on a photosensitive substrate located on a conjugate plane of the predetermined plane based on the exposure light; and at least one of the illumination unit and the projection unit Corresponding to the light quantity of each exposure light emitted from the first light source and the second light source of the plurality of light sources, and an adjusting means for driving the optical element included in the light source to change the optical characteristics of the exposure light on the conjugate plane. Detection means for detecting information corresponding to the light intensity ratio of each exposure light based on the information, adjustment control means for changing the optical characteristics using the adjustment means based on the detection result of the detection means, Be equipped Characterized in that was.
また、本発明にかかるデバイス製造方法は、上記の露光装置を用いて前記感光性基板上に前記パターンを転写する露光工程と、前記パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に生成する現像工程と、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程と、を含むことを特徴とする。 The device manufacturing method according to the present invention includes an exposure step of transferring the pattern onto the photosensitive substrate using the exposure apparatus described above, and developing the photosensitive substrate to which the pattern has been transferred. A developing step for generating a mask layer having a corresponding shape on the surface of the photosensitive substrate; and a processing step for processing the surface of the photosensitive substrate through the mask layer.
本発明にかかる露光装置およびデバイス製造方法によれば、複数の光源が発する各露光光の光量比に対応して感光性基板に対する露光光の光学特性を調整することができ、感光性基板上に高精度にパターンを転写することができる。 According to the exposure apparatus and the device manufacturing method according to the present invention, the optical characteristics of the exposure light with respect to the photosensitive substrate can be adjusted in accordance with the light intensity ratio of each exposure light emitted from the plurality of light sources. The pattern can be transferred with high accuracy.
以下、添付図面を参照して、本発明にかかる露光装置およびデバイス製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一符号を付して示している。 Exemplary embodiments of an exposure apparatus and a device manufacturing method according to the present invention will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment. Moreover, in description of drawing, the same code | symbol is attached | subjected and shown to the same part.
(実施の形態)
図1は、本実施の形態にかかる露光装置100の全体構成を示す斜視図である。この図に示すように、露光装置100は、複数の光源1(ただし、図1では1つのみ図示)と、照明手段としての照明光学系ILと、複数の投影手段としての投影光学ユニットPL1〜PL5(ただし、投影光学ユニットPL2は不図示)を用いて構成された投影光学系PLとを備える。照明光学系ILは、各光源1が発する露光光をもとに、投影光学ユニットPL1〜PL5に対応するマスクM上の5つの領域を照明する。投影光学系PLは、投影光学ユニットPL1〜PL5ごとに、照明光学系ILから照射される露光光をもとに、マスクMの下面に形成されたパターンの像を感光性基板としてのプレートP上に形成する。
(Embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of an exposure apparatus 100 according to the present embodiment. As shown in this figure, the exposure apparatus 100 includes a plurality of light sources 1 (only one is shown in FIG. 1), an illumination optical system IL as an illumination unit, and projection optical units PL1 to PL1 as a plurality of projection units. And a projection optical system PL configured using PL5 (however, the projection optical unit PL2 is not shown). The illumination optical system IL illuminates five areas on the mask M corresponding to the projection optical units PL1 to PL5 based on the exposure light emitted from each
なお、本実施の形態では、露光装置100に対して図1に示すようにXYZ座標系を設定し、以降の説明において、このXYZ座標系を適宜参照する。また、図1以降の各図にも、このXYZ座標系を適宜図示するものとする。具体的には、XYZ座標系は、例えば水平面と平行にX軸およびY軸が設定され、鉛直上方を正方向としてZ軸が設定される。 In the present embodiment, an XYZ coordinate system is set for the exposure apparatus 100 as shown in FIG. 1, and this XYZ coordinate system will be referred to as appropriate in the following description. In addition, the XYZ coordinate system is also illustrated as appropriate in each figure after FIG. Specifically, in the XYZ coordinate system, for example, the X axis and the Y axis are set in parallel with the horizontal plane, and the Z axis is set with the vertical direction as the positive direction.
ここで、マスクMは、下面に形成されたパターンが、照明光学系ILと投影光学系PLとの間にあらかじめ設定される所定面に位置するように、露光装置100に対して交換自在に配置される。露光装置100では、この所定面は、水平面であるXY平面と平行に設定されている。また、プレートPは、パターンの転写面である上面の露光面が、その所定面の投影光学系PLによる共役面に位置するように、露光装置100に対して交換自在に配置される。すなわち、プレートPの露光面は、マスクMに形成されたパターンの共役面に配置される。 Here, the mask M is disposed so as to be exchangeable with respect to the exposure apparatus 100 so that the pattern formed on the lower surface is positioned on a predetermined surface set in advance between the illumination optical system IL and the projection optical system PL. Is done. In the exposure apparatus 100, the predetermined plane is set in parallel with the XY plane which is a horizontal plane. Further, the plate P is disposed so as to be exchangeable with respect to the exposure apparatus 100 so that the upper exposure surface, which is a pattern transfer surface, is located on a conjugate surface of the predetermined surface by the projection optical system PL. That is, the exposure surface of the plate P is disposed on the conjugate surface of the pattern formed on the mask M.
露光装置100は、マスクステージMSおよびプレートステージPS(図2参照)を備える。マスクステージMSは、上部にマスクMを保持し、プレートステージPSは、上部にプレートPを保持する。マスクステージMSおよびプレートステージPSには、それぞれ図示しない走査駆動機構が設けられている。これらの走査駆動機構は、マスクステージMSおよびプレートステージPSをX軸方向へ個別あるいは同期して移動させることで、投影光学系PLによるパターン投影領域をプレートP上でX軸方向に走査させる。 The exposure apparatus 100 includes a mask stage MS and a plate stage PS (see FIG. 2). The mask stage MS holds the mask M on the top, and the plate stage PS holds the plate P on the top. Each of the mask stage MS and the plate stage PS is provided with a scanning drive mechanism (not shown). These scanning drive mechanisms scan the pattern projection area by the projection optical system PL on the plate P in the X-axis direction by moving the mask stage MS and the plate stage PS individually or synchronously in the X-axis direction.
また、マスクステージMSおよびプレートステージPSには、それぞれ図示しない調整駆動機構およびステップ駆動機構が設けられている。調整駆動機構は、マスクステージMSをY軸方向へ微小移動させるとともにZ軸回りに微小回転させることで、プレートPに対するマスクMの姿勢をXY平面に沿って調整する。ステップ駆動機構は、プレートステージPSをY軸方向へステップ移動させることで、投影光学系PLによるパターン投影領域をプレートP上でY軸方向にステップ移動させる。 The mask stage MS and the plate stage PS are provided with an adjustment drive mechanism and a step drive mechanism (not shown), respectively. The adjustment driving mechanism adjusts the posture of the mask M with respect to the plate P along the XY plane by moving the mask stage MS slightly in the Y-axis direction and rotating it slightly around the Z-axis. The step driving mechanism moves the pattern projection region by the projection optical system PL in the Y-axis direction on the plate P by step-moving the plate stage PS in the Y-axis direction.
なお、マスクステージMSは、露光装置100の図示しない本体架台もしくはマスクステージMSに固定されるバーミラー25と、図示しないレーザ干渉計とを用いてXY平面に沿って位置制御される。同様にプレートステージPSは、露光装置100の図示しない本体架台もしくはプレートステージPSに固定されるバーミラー26x,26yと、図示しないレーザ干渉計とを用いてXY平面に沿って位置制御される。
Note that the position of the mask stage MS is controlled along the XY plane by using a body mirror (not shown) of the exposure apparatus 100 or a
また、露光装置100は、プレートステージPSをZ軸方向へ移動させる図示しない合焦駆動機構を備える。合焦駆動機構は、プレートステージPSをZ軸方向へ移動させることで、プレートPの露光面を投影光学ユニットPL1〜PL5によるパターンの像の像面、つまりパターンの共役面に一致させる。なお、プレートステージPSは、図示しない焦点検出装置を用いてZ軸方向に沿って位置制御される。 The exposure apparatus 100 also includes a focusing drive mechanism (not shown) that moves the plate stage PS in the Z-axis direction. The focusing drive mechanism moves the plate stage PS in the Z-axis direction so that the exposure surface of the plate P coincides with the image plane of the pattern image by the projection optical units PL1 to PL5, that is, the conjugate plane of the pattern. The position of the plate stage PS is controlled along the Z-axis direction using a focus detection device (not shown).
さらに、露光装置100は、マスクMとプレートPとのXY平面に沿った相対位置計測を行う一対のアライメント装置27a,27bを備える。アライメント装置27a,27bは、マスクMの上方でY軸方向に所定の間隔を隔てて配置されている。アライメント装置27a,27bは、例えば画像処理技術を用い、マスクM上に形成された所定のマスクアライメントマークと、プレートP上に形成されたプレートアライメントマークもしくはプレートステージPSの所定位置に設けられた基準部材28上の基準アライメントマークとの相対位置を計測することで、マスクMとプレートPとのXY平面に沿った相対位置を計測する。これによって、マスクMとプレートPとはXY平面に沿って相対位置が制御される。なお、アライメント装置27a,27bは、それぞれ対応する投影光学ユニットPL1,PL5を介してプレートアライメントマークもしくは基準アライメントマークを検出する。
Further, the exposure apparatus 100 includes a pair of
また、露光装置100は、照明光学系ILにより投影光学ユニットPL1〜PL5を介してプレートP上に照射される露光光の照度を検出する照度検出部29を備える。照度検出部29は、例えばスリット状もしくはピンホール状等の所定の大きさの開口部が形成された光制限部材と、この光制限部材の開口部を通過した露光光を光電検出する光検出器とを用いて構成され、光制限部材をプレートPとほぼ同じ高さにしてプレートステージPSにおけるX軸方向の端部に設けられる。照度検出部29は、投影光学ユニットPL1〜PL5によるプレートP上の各パターン投影領域内に適宜移動され、各パターン投影領域における露光光の照度分布、照度ムラ、平均照度等、照度に関する各種情報を検出する。
The exposure apparatus 100 further includes an
さらに、露光装置100は、照明光学系ILによって照射されてマスクMのパターンを介した露光光をもとに、投影光学ユニットPL1〜PL5がそれぞれプレートP上に形成するパターンの像を検出する空間像検出部24を備える。空間像検出部24は、例えば所定の指標が形成された光透過部材である指標板60と、指標板60上に形成されるパターンの像を画像として検出する像検出ユニット61とを用いて構成され、指標板60の上面をプレートPとほぼ同じ高さにしてプレートステージPSにおけるX軸方向の端部に設けられる。像検出ユニット61は、投影光学ユニットPL1〜PL5に対応して複数設けられ、それぞれ対応する投影光学ユニットPL1〜PL5が形成するパターンの像を検出する。
Further, the exposure apparatus 100 detects a pattern image formed on the plate P by the projection optical units PL1 to PL5 based on the exposure light irradiated by the illumination optical system IL and passed through the pattern of the mask M. An
また、空間像検出部24は、合焦駆動機構によってプレートステージPSがZ軸方向へ所定量ずつ順次駆動されるごとにパターンの像を検出することで、プレートステージPSのZ軸方向の位置(高さ)に対するパターンの像のX軸方向およびY軸方向の位置を検知する。露光装置100では、この検知結果をもとに、マスクMのパターンの共役面における露光光のテレセントリシティが検出される。
In addition, the aerial
つぎに、投影光学系PLについて詳細に説明する。図2は、投影光学系PLが備える投影光学ユニットPL1の要部構成を示す図である。投影光学系PLは、この図に示す投影光学ユニットPL1と、この投影光学ユニットPL1と同様に構成される投影光学ユニットPL2〜PL5とを用いて構成されている。投影光学ユニットPL1〜PL5は、それぞれXZ平面に沿って構成部品が配置されている。 Next, the projection optical system PL will be described in detail. FIG. 2 is a diagram showing a main configuration of the projection optical unit PL1 provided in the projection optical system PL. The projection optical system PL is configured using the projection optical unit PL1 shown in this figure and projection optical units PL2 to PL5 configured in the same manner as the projection optical unit PL1. In the projection optical units PL1 to PL5, components are arranged along the XZ plane.
投影光学ユニットPL1は、図2に示すように、結像光学系30a,30bおよび視野絞りASを備える。結像光学系30aは、直角プリズム31aと、屈折光学系32aおよび凹面反射鏡33aを有する反射屈折光学系34aとを用いて構成されている。結像光学系30aは、マスクMの下面に形成されたパターンDPを介した露光光をもとに、パターンDPの一次像を形成する。結像光学系30bは、結像光学系30aと同様に、直角プリズム31bと、屈折光学系32bおよび凹面反射鏡33bを有する反射屈折光学系34bとを用いて構成されており、パターンDPの一次像を介した露光光をもとに、パターンDPの正立正像である二次像をプレートP上に形成する。
As shown in FIG. 2, the projection optical unit PL1 includes imaging
ここで、直角プリズム31aは、直交する2つの反射面を有し、Z軸に平行な軸AX10に沿って+Z側から入射する露光光をX軸に平行な光軸AX11に沿って−X側へ反射させる。また、光軸AX11に沿って−X側から入射する露光光を軸AX10に沿って−Z側へ反射させる。なお、軸AX10は、照明光学系ILにおける後述の光軸AX2と一致させる軸である。反射屈折光学系34aは、屈折光学系32aと凹面反射鏡33aとが光軸AX11を共通の光軸として直角プリズム31a側からこの順に配置されており、凹面反射鏡33aが屈折光学系32aの後側焦点位置もしくはその近傍に配置されている。反射屈折光学系34aは、光軸AX11に沿って+X側から入射する露光光を光軸AX11に沿って−X側へ射出させる。なお、屈折光学系32aは正の屈折力を有しており、凹面反射鏡33aは凹面反射面を屈折光学系32aに対向させている。また、光軸AX11は、直角プリズム31aの2つの反射面がなす稜線と直交している。
Here, the right-
同様に、直角プリズム31bは、直交する2つの反射面を有し、軸AX10に沿って+Z側から入射する露光光をX軸に平行な光軸AX12に沿って−X側へ反射させるとともに、光軸AX12に沿って−X側から入射する露光光を軸AX10に沿って−Z側へ反射させる。反射屈折光学系34bは、屈折光学系32bと凹面反射鏡33bとが光軸AX12を共通の光軸として直角プリズム31b側からこの順に配置されており、凹面反射鏡33bが屈折光学系32bの後側焦点位置もしくはその近傍に配置されている。反射屈折光学系34bは、光軸AX12に沿って+X側から入射する露光光を光軸AX12に沿って−X側へ射出させる。なお、屈折光学系32bは正の屈折力を有し、凹面反射鏡33bは凹面反射面を屈折光学系32bに対向させている。また、光軸AX12は、直角プリズム31bの2つの反射面がなす稜線と直交している。
Similarly, the right-
視野絞りASは、所定の開口部を有し、パターンDPの一次像の像面上もしくはその近傍に設けられている。視野絞りASは、投影光学ユニットPL1によって一括して投影可能なパターンDPのパターン領域を規定するとともに、投影光学ユニットPL1によって一括して投影されるパターンDPのプレートP上におけるパターン投影領域を規定する。具体的には、視野絞りASは、例えば台形状の開口部を有し、これによってパターン領域およびパターン投影領域を台形状に規定している。 The field stop AS has a predetermined opening and is provided on or near the image plane of the primary image of the pattern DP. The field stop AS defines a pattern area of the pattern DP that can be projected collectively by the projection optical unit PL1, and also defines a pattern projection area on the plate P of the pattern DP that is projected collectively by the projection optical unit PL1. . Specifically, the field stop AS has, for example, a trapezoidal opening, thereby defining the pattern region and the pattern projection region in a trapezoidal shape.
投影光学ユニットPL1は、さらに、フォーカス補正光学系35、平行平面板36,37および倍率補正光学系38を備える。フォーカス補正光学系35は、等しいクサビ角を有する2枚のクサビ状プリズムを用いて構成され、マスクMと直角プリズム31aとの間に設けられている。2枚のクサビ状プリズムは、それぞれ一方の面を軸AX10に直交させるとともに他方の面を互いに対向させ、軸AX10に沿って隣接して配置されている。初期状態において、2枚のクサビ状プリズムは、互いに対向する面が平行とされ、全体として1つの平行平面板状に配置される。
The projection optical unit PL1 further includes a focus correction optical system 35,
このように構成されたフォーカス補正光学系35では、2枚のクサビ状プリズムの一方を他方に対して相対的に、かつ互いに対向する面に沿って軸AX10に対して傾斜した方向へ移動させることで、投影光学ユニットPL1によるパターンDPの像の合焦位置を軸AX10方向に移動させる(上下動させる)ことができる。あるいは、2枚のクサビ状プリズムの一方を他方に対して相対的に、かつ互いの間隔を変化させるように軸AX10に対して垂直方向へ移動させるようにしてもよい。フォーカス補正光学系35におけるクサビ状プリズムは、駆動機構39によって移動可能とされている。
In the focus correction optical system 35 configured in this way, one of the two wedge-shaped prisms is moved relative to the other and in a direction inclined with respect to the axis AX10 along the surfaces facing each other. Thus, the in-focus position of the image of the pattern DP by the projection optical unit PL1 can be moved (moved up and down) in the direction of the axis AX10. Alternatively, one of the two wedge-shaped prisms may be moved in the vertical direction with respect to the axis AX10 so as to change the distance from each other relative to the other. The wedge-shaped prism in the focus correction optical system 35 can be moved by a
一対の平行平面板36,37は、マスクMと直角プリズム31aとの間に設けられ、初期状態においてそれぞれ軸AX10に直交して配置される。平行平面板36は、例えばX軸回りに回転可能とされ、X軸回りに回転された場合、プレートP上に形成されるパターンDPの像をY軸方向に移動させる。同様に、平行平面板37は、例えばY軸回りに回転可能とされ、Y軸回りに回転された場合、プレートP上に形成されるパターンDPの像をX軸方向に移動させる。平行平面板36,37は、それぞれ駆動機構40,41によって、対応する軸回りに回転可能とされている。
The pair of parallel
倍率補正光学系38は、例えばほぼ等しい曲率の曲面を有した2つの平凹レンズと両凸レンズとを用いて構成されるレンズ系であって、その光軸を軸AX10に一致させて直角プリズム31bとプレートPとの間に設けられるとともに、各平凹レンズの曲面と両凸レンズの曲面とをそれぞれ光軸方向に所定の間隔を隔てて対向させている。このように構成された倍率補正光学系38では、少なくとも一方の平凹レンズと両凸レンズとの間隔を変化させることで、プレートP上に投影されるパターンDPの像の投影倍率を変化させることができる。倍率補正光学系38におけるレンズ間隔は、駆動機構42によって変更可能とされている。
The magnification correction
また、投影光学ユニットPL1では、直角プリズム31bは、駆動機構43によって軸AX10回りに回転可能とされている。直角プリズム31bは、軸AX10回りに回転された場合、プレートP上に投影されるパターンDPの像を軸AX10回りに回転させることができる。なお、直角プリズム31bに代えて直角プリズム31aを軸AX10回りに回転可能としてもよく、直角プリズム31a,31bの双方を回転可能としてもよい。直角プリズム31aを軸AX10回りに回転させることで、直角プリズム31bを回転させる場合と同様にパターンDPの像を軸AX10回りに回転させることができる。
In the projection optical unit PL1, the right-
以上のように構成された投影光学ユニットPL1では、視野絞りASの台形状の開口部に対応するマスクM上のパターン領域内に位置するパターンDPが照明光学系ILによって照明されることで、そのパターンDPの像(二次像)が、視野絞りASの台形状の開口部に対応するプレートP上のパターン投影領域内に正立正像として形成される。その際、パターンDPの像は、凹面反射鏡33a,33bがそれぞれ屈折光学系32a,32bの後側焦点位置もしくはその近傍に配置されているため、プレートPに対してテレセントリックに投影される。
In the projection optical unit PL1 configured as described above, the pattern DP positioned in the pattern region on the mask M corresponding to the trapezoidal opening of the field stop AS is illuminated by the illumination optical system IL. An image (secondary image) of the pattern DP is formed as an erect image in the pattern projection area on the plate P corresponding to the trapezoidal opening of the field stop AS. At this time, the image of the pattern DP is projected on the plate P in a telecentric manner because the concave reflecting
また、プレートP上に形成されるパターンDPの像は、フォーカス補正光学系35、平行平面板36,37、倍率補正光学系38および直角プリズム31bをそれぞれ駆動機構39,40,41,42および43によって駆動させることで、プレートP上における合焦位置、投影位置、投影倍率および軸AX10回りの姿勢が適宜調整される。その際、各駆動機構は、露光装置100が備える主制御系20によって駆動制御される。
Further, the image of the pattern DP formed on the plate P is obtained by driving the focus correction optical system 35, the plane
ここで、主制御系20は、露光装置100において電気的に作動可能な各部と電気的に接続されており、露光装置100が備える記憶装置19にあらかじめ記憶された所定の処理プログラムを実行させることで、その各部における処理および動作を制御する。その際、主制御系20は、例えばキーボード、マウス、タッチパネル等を用いて構成される図示しない情報入力装置、または有線もしくは無線による情報通信装置等を介して入力される指示情報をもとに各部の制御を行うことができる。また、照明光学系ILにおける各種の照明条件等の変更に対応して各部の制御を行うことができる。
Here, the
つぎに、照明光学系ILについて詳細に説明する。図3は、照明光学系ILの全体構成を示す斜視図である。この図に示すように、照明光学系ILは、2組の導入光学系ILa,ILbと、光伝送部材としてのライトガイド9と、5組の導光光学系IL1〜IL5とを備える。図4は、照明光学系ILを代表する構成として導入光学系ILa、ライトガイド9および導光光学系IL1の要部構成を示す側面図である。導入光学系ILa,ILbは、互いに同一の構成部品を用いて構成され、導光光学系IL1〜IL5は、各々同一の構成部品を用いて構成されている。 Next, the illumination optical system IL will be described in detail. FIG. 3 is a perspective view showing the overall configuration of the illumination optical system IL. As shown in this figure, the illumination optical system IL includes two sets of introduction optical systems ILa and ILb, a light guide 9 as an optical transmission member, and five sets of light guide optical systems IL1 to IL5. FIG. 4 is a side view showing a main configuration of the introduction optical system ILa, the light guide 9, and the light guide optical system IL1 as a configuration representative of the illumination optical system IL. The introduction optical systems ILa and ILb are configured using the same components, and the light guide optical systems IL1 to IL5 are configured using the same components.
導入光学系ILa,ILbは、図3および図4に示すように、それぞれ楕円鏡2、ダイクロイックミラー3、シャッター4、コリメートレンズ5、波長選択フィルタ6,7およびリレーレンズ8を用いて構成されている。光源1は、例えば超高圧水銀ランプが用いられる。光源1は、その発光部が楕円鏡2の第1焦点位置に設けられており、楕円鏡2は、光源1が発する露光光をダイクロイックミラー3を介して第2焦点位置に集光させる。ダイクロイックミラー3は、光源1が発した光のうち、露光光として用いる波長帯域の光を選択的に反射させ、例えば、少なくともi線(波長365nm)〜g線(波長436nm)の波長帯域の光を反射させる。
The introduction optical systems ILa and ILb are configured by using an
シャッター4は、開口板4aおよび遮蔽板4bを用いて構成されている。開口板4aは開口部を有し、シャッター4は、開口板4aの開口部が楕円鏡2の第2焦点位置を囲うように配置されている。遮蔽板4bは、開口板4aの開口部を開放自在に閉塞する。コリメートレンズ5は、シャッター4が通過させた発散光束である光を平行光束に変換する。波長選択フィルタ6,7は、コリメートレンズ5が射出させた光の中から露光光として用いる所定の波長帯域の光を選択的に透過させる。リレーレンズ8は、波長選択フィルタ6または7が透過させた露光光をライトガイド9の入射端部9a−1または9a−2の入射端面に集光させる。ここで、コリメートレンズ5およびリレーレンズ8は、光軸AX1を共通の光軸として配置されている。
The shutter 4 is configured using an
波長選択フィルタ6は、ダイクロイックミラー3が反射させた光の中から、例えばi線の光を選択的に抽出して透過させ、波長選択フィルタ7は、例えばi線〜g線の波長帯域の光を選択的に透過させる。波長選択フィルタ6,7は、駆動装置18によって、コリメートレンズ5とリレーレンズ8との間における平行光束の光路に対して挿脱自在とされている。駆動装置18は、主制御系20に電気的に接続されており、主制御系20によって駆動制御される。
The wavelength selection filter 6 selectively extracts, for example, i-line light from the light reflected by the
ライトガイド9は、例えば複数の光ファイバーをランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバが用いられる。ライトガイド9は、導入光学系ILa,ILbに各々対応する入射端部9a−1,9a−2と、導光光学系IL1〜IL5に各々対応する射出端部9b〜9fとを有する。ライトガイド9では、一端が入射端部9a−1において束ねられた光ファイバー群は、他端において射出端部9b〜9fに等分配されている。同様に、一端が入射端部9a−2において束ねられた光ファイバー群も、他端において射出端部9b〜9fに等分配されている。このため、ライトガイド9は、導入光学系ILa,ILbによって集光される各露光光をそれぞれ対応する入射端部9a−1,9a−2から受光し、この受光した各露光光をそれぞれ複数の射出端部9b〜9fへ分配して射出させる。言い換えると、ライトガイド9は、射出端部9b〜9fごとに、異なる入射端部9a−1,9a−2から受光した露光光を共通の射出端部から射出する。
As the light guide 9, for example, a random light guide fiber configured by randomly bundling a plurality of optical fibers is used. The light guide 9 has
導光光学系IL1〜IL5は、それぞれ減光フィルタ10、コリメートレンズ11、フライアイレンズ12、開口絞り13およびコンデンサレンズ14を用いて構成され、各々対応する射出端部9b〜9fとマスクMとの間に配置されている。減光フィルタ10は、射出端部9b〜9fのうち対応する射出端部から射出された露光光の減光率を0%から所定範囲内で変更可能、つまり透過率を100%から所定範囲内で変更可能なフィルタである。減光フィルタ10は、例えば図5に示すように露光光の透過位置に対応して減光率(透過率)を変化させるフィルタが用いられる。図5において、黒色部は露光光に対する不透明領域(非透過領域)を示し、白色部は露光光に対する透明領域(透過領域)を示している。かかる減光フィルタ10では、X軸方向に沿って不透明領域の面積が連続的に変化することで、その方向における露光光の透過位置に対応して減光率(透過率)を連続的に変化させる。
The light guide optical systems IL1 to IL5 are respectively configured by using a
コリメートレンズ11は、減光フィルタ10が透過させた発散光束である露光光を平行光束に変換する。フライアイレンズ12は、複数のレンズエレメントがZ軸に平行な光軸AX2周りに稠密に2次元配列されたレンズ素子であって、コリメートレンズ11が射出させた露光光をレンズエレメントごとにその射出面近傍の後側焦点面に集光させる。これによって、フライアイレンズ12は、射出端部9b〜9fのうち対応する射出端部の射出端面の像をレンズエレメントごとに形成するとともに、この複数の射出端面の像からなる面光源としての二次光源を形成する。
The collimating
開口絞り13は、開口径が変更可能な開口部を有し、フライアイレンズ12の射出端面近傍に設けられている。開口絞り13は、フライアイレンズ12から射出する露光光の光束径、すなわち二次光源の口径を制限することで、マスクMに照射する露光光の開口数(NA)を規定するとともに、照明条件としてのσ値を規定する。ここでσ値とは、投影光学ユニットPL1〜PL5のうち対応する投影光学ユニットの瞳径に対するその瞳面上での二次光源の口径の比として算出される。
The
コンデンサレンズ14は、二次光源の各点から発する露光光のうち開口絞り13が通過させた露光光をそれぞれ平行光束に変換するとともに、この変換した各露光光を、投影光学ユニットPL1〜PL5のうち対応する投影光学ユニットによって規定されるマスクM上のパターン領域内に位置するパターンDPに照射する。これによって、投影光学ユニットPL1〜PL5ごとに、パターン領域内のパターンDPは、複数の光源1が発する露光光を混合した露光光によって照明される。
The
ここで、ライトガイド9の射出端部9b〜9fと、導光光学系IL1〜IL5に含まれる各光学素子とは、プレートP上における露光光の光学特性、つまり投影光学ユニットPL1〜PL5によるパターンDPの共役面における露光光の光学特性を調整するために、それぞれ光軸AX2に対して駆動可能とされている。
Here, the
具体的には、射出端部9b〜9fは、それぞれ駆動機構51が設けられ、この駆動機構51によって光軸AX2に対してX軸方向およびY軸方向へ傾斜駆動(チルト駆動)可能とされている。駆動機構51は、射出端部9b〜9fを、それぞれ射出端面と光軸AX2との交点を含む軸回りに光軸AX2に対して傾斜駆動させることで、各々対応するフライアイレンズ12の入射端面における露光光の光束、すなわち露光光の照度分布を光軸AX2に直交する方向へ移動させることができる。これによって、駆動機構51は、フライアイレンズ12の入射端面と共役なマスクM上およびプレートP上における露光光の照度分布の傾斜成分、つまり照度分布の傾斜にともなう照度ムラを変化させることができる。
Specifically, each of the exit ends 9b to 9f is provided with a drive mechanism 51, and the drive mechanism 51 can be driven to tilt (tilt drive) in the X-axis direction and the Y-axis direction with respect to the optical axis AX2. Yes. The drive mechanism 51 drives the
図6は、駆動機構51による射出端部9bの駆動状態を示す図である。この図において(a)は、駆動機構51が射出端部9bを駆動せず、射出端部9bの射出端面が光軸AX2に対して垂直な初期状態にあることを示している。また、(b)は、駆動機構51が射出端部9bを+X側へチルト駆動した状態を示している。この図に示すように、フライアイレンズ12の入射端面における露光光は、射出端部9bのX軸方向へのチルト駆動にともなってX軸方向へ移動する。
FIG. 6 is a diagram illustrating a driving state of the
図7は、露光光の照度分布を示す図である。この図において(a)は、フライアイレンズ12の入射端面における露光光の照度分布を示し、(b)は、この入射端面と共役なプレートP上、つまり投影光学ユニットPL1によるパターンDPの共役面上における照度分布を示している。射出端部9bが図6(a)に示す状態にある場合、フライアイレンズ12の入射端面における露光光の照度分布は、図7(a)に示す照度分布PF10となり、プレートP上における露光光の照度分布は、図7(b)に示す照度分布PF20となる。
FIG. 7 is a diagram showing an illuminance distribution of exposure light. In this figure, (a) shows the illuminance distribution of the exposure light on the incident end face of the fly-
これに対して、射出端部9bが図6(b)に示す状態にある場合、フライアイレンズ12の入射端面における露光光の照度分布は、図7(a)に示す照度分布PF11のようになり、プレートP上における露光光の照度分布は、図7(b)に示す照度分布PF21のようになる。すなわち、射出端部9bを図6(a)に示す状態と図6(b)に示す状態との間で傾斜駆動させることで、プレートP上における露光光の照度分布の傾斜成分を図7(b)に示す照度分布PF20と照度分布PF21との間で変化させることができる。
On the other hand, when the
コリメートレンズ11は、駆動機構53が設けられ、この駆動機構53によって光軸AX2に対して垂直方向(X軸方向およびY軸方向)へ直線駆動(シフト駆動)可能とされている。駆動機構53は、コリメートレンズ11を光軸AX2に対して直線駆動させることで、フライアイレンズ12の入射端面における露光光の照度分布をその入射端面に対して相対的に光軸AX2に直交する方向へ移動させることができる。これによって、駆動機構53は、駆動機構51と同様に、マスクM上およびプレートP上における露光光の照度分布の傾斜成分を変化させることができる。
The collimating
コンデンサレンズ14は、駆動機構56が設けられ、この駆動機構56によって、コンデンサレンズ14に含まれる少なくとも1つのレンズ等の光学部材(以下、可動レンズと呼ぶ。)が光軸AX2に対してX軸方向およびY軸方向へ傾斜駆動可能にされるとともに、光軸AX2方向へ直線駆動可能とされている。駆動機構56は、コンデンサレンズ
14の可動レンズを光軸AX2に対して傾斜駆動させることで、駆動機構51,53と同様に、マスクM上およびプレートP上における露光光の照度分布の傾斜成分を変化させることができる。また、駆動機構56は、コンデンサレンズ14の可動レンズを光軸AX2方向へ直線駆動することで、マスクM上およびプレートP上における露光光の照度分布の光軸AX2回りもしくは軸AX10回りの軸対称成分、つまり照度分布の2次成分にともなう照度ムラを変化させることができる。なお、駆動機構56が傾斜駆動させる可動レンズと直線駆動させる可動レンズとは、コンデンサレンズ14の構成等に応じて同一部材または個別部材とされる。
The
図8は、プレートP上、つまり投影光学ユニットPL1によるパターンDPの共役面上における照度分布を示す図である。コンデンサレンズ14の可動レンズが光軸AX2方向の基準位置にある場合、プレートP上における露光光の照度分布は、図8に照度分布PF20として示すように均一となる。これに対して、駆動機構56が可動レンズを基準位置から光軸AX2方向へ所定量駆動させた場合、プレートP上における照度分布は、例えば照度分布PF22として示すように、軸AX10回りに軸対称の成分を有するように変化する。すなわち、コンデンサレンズ14の可動レンズを光軸AX2方向に基準位置から所定量駆動させることで、プレートP上における露光光の照度分布の軸対称成分を図8に示す照度分布PF20と照度分布PF22との間で変化させることができる。
FIG. 8 is a diagram showing the illuminance distribution on the plate P, that is, on the conjugate plane of the pattern DP by the projection optical unit PL1. When the movable lens of the
減光フィルタ10は、駆動機構52が設けられ、この駆動機構52によって光軸AX2に対して垂直方向(例えばX軸方向)へ直線駆動可能とされている。駆動機構52は、減光フィルタ10を光軸AX2に対して垂直方向へ直線駆動させることで、減光フィルタ10を透過する露光光の減光率(透過率)を変化させることができ、マスクM上およびプレートP上における露光光の照度(平均照度、最大照度および最小照度等)を変化させることができる。また、導光光学系IL1〜IL5ごとに、すなわち投影光学ユニットPL1〜PL5ごとに、駆動機構52によって減光フィルタ10を適宜直線駆動させることで、導光光学系IL1〜IL5ごとにマスクM上に照射される露光光の照度比と、投影光学ユニットPL1〜PL5ごとにプレートP上に照射される露光光の照度比とをそれぞれ変化させることができる。
The
フライアイレンズ12は、駆動機構54が設けられ、この駆動機構54によって光軸AX2に対して垂直方向(X軸方向およびY軸方向)へ直線駆動可能とされている。駆動機構54は、フライアイレンズ12を光軸AX2に対して垂直方向へ直線駆動させることで、マスクM上およびプレートP上における露光光のテレセントリシティを変化させることができる。この場合、特に、露光光のテレセントリシティの全体的な傾斜成分をその直線駆動方向へ変化させることができる。また、フライアイレンズ12は、駆動機構54によって光軸AX2方向へ駆動可能とされており、駆動機構54は、フライアイレンズ12を光軸AX2方向へ駆動させることで、露光光のテレセントリシティのうち、特に光軸AX2に対する軸対称成分を変化させることができる。
The fly-
開口絞り13は、駆動機構55が設けられ、この駆動機構55によって光軸AX2に対して垂直方向(X軸方向およびY軸方向)へ直線駆動可能とされている。駆動機構55は、開口絞り13を光軸AX2に対して垂直方向へ直線駆動させることで、駆動機構54と同様に、マスクM上およびプレートP上における露光光のテレセントリシティの全体的な傾斜成分を変化させることができる。また、開口絞り13は、駆動機構55によって光軸AX2方向へ駆動可能とされており、駆動機構55は、開口絞り13を光軸AX2方向へ駆動させることで、駆動機構54と同様に、露光光のテレセントリシティのうちの光軸AX2に対する軸対称成分を変化させることができる。
The
駆動機構51〜56は、それぞれ主制御系20と電気的に接続されており、主制御系20によって駆動制御される。主制御系20は、駆動機構51〜56の他、各光源1に対応して設けられた光量検出センサ16と、各光源1に供給される電力を制御する光源制御装置17とに電気的に接続されており、駆動機構51〜56とともに光量検出センサ16および光源制御装置17における処理および動作を制御する。主制御系20は、光量検出センサ16または光源制御装置17による検出情報もしくは制御情報をもとに、駆動機構51〜56の制御を行う。
The drive mechanisms 51 to 56 are electrically connected to the
ここで、光量検出センサ16は、例えば光検出器が用いられ、光源1に対してダイクロイックミラー3の背面側(光透過側)に設けられる(図4参照)。光量検出センサ16は、ダイクロイックミラー3の背面側における楕円鏡2の第2焦点位置もしくはその近傍に配置され、光源1が発した光のうちダイクロイックミラー3を透過した光を受光してその光量を検出する。ダイクロイックミラー3を透過する光には、露光光として用いる波長帯域の光の他、露光光以外の波長帯域の光が含まれる。光量検出センサ16は、これらの光のうちの少なくとも一方を検出し、その検出結果としての光量情報を主制御系20へ出力する。
Here, for example, a light detector is used as the light
光源制御装置17は、各光源1と、各光源1に対して電力供給を行う図示しない電源装置とに電気的に接続されている。光源制御装置17は、電源装置を制御することで、電源装置から各光源1に供給される各電力を制御するとともに、この電力の制御結果に対応する制御情報を主制御系20へ出力する。また、光源制御装置17は、電源装置から各光源1に供給される各電力を検出し、その検出結果としての電力情報を主制御系20へ出力する。なお、ここでは電源装置が光源制御装置17とは別に設けられるものとしたが、光源制御装置17と一体に設けることもできる。
The light
主制御系20は、光量検出センサ16の検出結果としての光量情報をもとに、各光源1が発する露光光の光量比に対応する情報(以下、光量比情報と呼ぶ。)を検知する。具体的には、例えば光量情報として、光量検出センサ16が光源1ごとに検出した各光量の検出値を取得し、この各光量の検出値を除算することで光量比情報を検知する。
The
また、主制御系20は、光源制御装置17の制御結果に対応する制御情報をもとに、光量比情報を検知する。具体的には、例えば制御情報として、光源制御装置17が各光源1を点灯または消灯させる指示情報を取得し、光源1ごとのその指示情報に対応して、光量比情報を検知する。この場合、主制御系20は、指示情報に対応して、各光源1の光量比が例えば「1:1」、「1:0」、「0:1」もしくは「0:0」のいずれかであるものと検知する。
Further, the
さらに、主制御系20は、光源制御装置17の検出結果としての電力情報をもとに、光量比情報を検知する。具体的には、例えば電力情報として、光源制御装置17が光源1ごとに検出した各電力の検出値を取得し、この各電力の検出値を除算することで、光量比情報を検知する。あるいは、取得した各電力の検出値を所定演算によって光量値に換算した結果を除算して光量比情報とすることもできる。
Further, the
主制御系20は、このように光量検出センサ16による光量情報または光源制御装置17による制御情報もしくは電力情報をもとに検知した各光量比情報のうち少なくとも1つに基づいて駆動機構51〜56を適宜駆動制御し、プレートP上における露光光の光学特性、つまり投影光学ユニットPL1〜PL5によるパターンDPの共役面における露光光の光学特性を変化させて調整する。
The
これによって、主制御系20は、例えば、複数の光源1のうち、1つの光源のみを点灯させ、他の光源を消灯させるなど、複数の光源1の点灯状態を変化させた場合に、その点灯状態に対応して駆動機構51〜56を適宜駆動制御することができる。そして、主制御系20は、プレートP上における露光光の光学特性を複数の光源1の点灯状態に対して最適化することができる。また、主制御系20は、例えば、複数の光源1のうちの1つが寿命等の要因で消灯した場合には、光量情報をもとに検知した光量比情報に基づいて駆動機構51〜56を適宜駆動制御することで、プレートP上における露光光の光学特性を最適化することができる。
Thus, the
その際、主制御系20は、例えば検知した光量比情報をもとに、駆動機構51〜56の各々に対応する光学素子の駆動量を算出し、この算出した駆動量だけその光学素子を駆動させるように駆動機構51〜56の少なくとも1つを駆動制御する。あるいは、主制御系20は、検知した光量比情報をもとに記憶装置19を参照し、その光量比情報に対応付けて記憶装置19に記憶された各光学素子の駆動量を取得するとともに、この取得した駆動量だけその光学素子を駆動させるように駆動機構51〜56の少なくとも1つを駆動制御することもできる。この場合、記憶装置19は、異なる光量比情報に対して駆動機構51〜56に対応する各光学素子の駆動量をあらかじめ記憶しておくものとする。
At that time, the
また、主制御系20は、照度検出部29および空間像検出部24の少なくとも一方の検出結果をもとに駆動機構51〜56を駆動制御することもできる。この場合、例えば照度検出部29による投影光学ユニットPL1〜PL5ごとの照度の検出値、あるいは空間像検出部24による投影光学ユニットPL1〜PL5ごとのテレセントリシティの検出値がそれぞれ所定範囲内に収束されるように、駆動機構51〜56の少なくとも1つを駆動させることができる。
The
これによって、主制御系20は、例えば、複数の光源1のうち、1つの光源のみを点灯させ、他の光源を消灯させるなど、複数の光源1の点灯状態を変化させた場合、あるいは複数の光源1のうちの1つが寿命等の要因で消灯した場合に、プレートP上における露光光の光学特性を適宜補正することができ、光学特性の変化を抑制することができる。なお、照度検出部29および空間像検出部24の少なくとも一方の検出結果に基づく駆動機構51〜56の駆動制御は、光量比情報に基づく駆動制御と併用して、あるいは個別に行うことができる。
Accordingly, the
また、ここでは主制御系20は、光量検出センサ16による光量情報と、光源制御装置17による制御情報および電力情報との各情報に基づいてそれぞれ光量比情報を検知するものとしたが、これら光量情報、制御情報または電力情報のいずれか1つに基づいて光量比情報を検知するようにしても構わない。あるいは、主制御系20は、図示しない情報入力手段を介して露光装置100のオペレータ等から入力される指示情報等をもとに光量比情報を検知するようにしてもよい。ここで、指示情報とは、例えば各光源1の点灯もしくは消灯を指示する情報が含まれる。さらに、ここでは主制御系20は、駆動機構51〜56に各々対応する光学素子の各駆動量を取得するものとしたが、所定もしくは適宜選択される光学素子の駆動量のみ取得するようにしても構わない。
Here, the
つぎに、露光装置100によるプレートPの露光処理手順について説明する。図9は、その露光処理手順を示すフローチャートである。この図に示す露光処理手順は、主制御系20が記憶装置19に記憶された所定の処理プログラムを実行することで処理される。まず、主制御系20は、記憶装置19にあらかじめ記憶された露光データファイルを読み込み(ステップS10)、露光データファイルの内容に応じて波長選択フィルタ6,7の切り替えを行う(ステップS11)。
Next, a procedure for exposing the plate P by the exposure apparatus 100 will be described. FIG. 9 is a flowchart showing the exposure processing procedure. The exposure processing procedure shown in this figure is processed by the
ステップS10では、主制御系20は、露光データファイルをもとに、プレートPの露光処理に必要な各種情報を取得する。この露光データファイルには、例えば、露光するプレートPに塗布されたレジスト等の感光性材料の特性(例えば、感度特性)に関する情報、パターンDPの転写に必要な解像度、使用するマスクM、波長選択フィルタ6,7の選択指示情報、照明光学系ILの調整情報、投影光学系PLの調整情報、プレートPの平坦度に関する情報等が含まれる。
In step S10, the
つづいて、主制御系20は、照明光学系ILによってマスクMを照明し、投影光学ユニットPL1〜PL5を介してプレートP上に照射される各露光光の照度ムラ等の光学特性を検出するとともに光源1の光量比情報を検知し(ステップS12)、この光学特性の検出値、光量比情報および露光データファイル内の照明光学系ILの調整情報等に基づいて照明光学系ILの調整を行う(ステップS13)。
Subsequently, the
ステップS12では、主制御系20は、照度検出部29によって、投影光学ユニットPL1〜PL5によるパターンDPの共役面における露光光の照度分布、照度ムラ、平均照度等の照度に関する各種情報を検出するとともに、空間像検出部24によって、パターンDPの共役面における露光光のテレセントリシティを検出する。また、主制御系20は、光量検出センサ16による光量情報と、光源制御装置17による制御情報および電力情報との少なくとも一つを取得して光量比情報を検知する。
In step S12, the
ステップS13では、主制御系20は、光学特性の検出値、光量比情報および照明光学系ILの調整情報等をもとに駆動機構51〜56を適宜駆動制御し、投影光学ユニットPL1〜PL5ごとのパターンDPの共役面における露光光の照度ムラおよびテレセントリシティと、投影光学ユニットPL1〜PL5における各投影光学ユニット間の露光光の照度比とを適宜調整する。なお、主制御系20は、ステップS12,S13を適宜繰り返すことで、パターンDPの共役面における露光光の光学特性を所望範囲内に収束させるようにすることもできる。
In step S13, the
つづいて、主制御系20は、マスクステージMSに形成された図示しない基準パターンの、投影光学ユニットPL1〜PL5による各投影像を検出し(ステップS14)、この検出結果および露光データファイル内の投影光学系PLの調整情報等に基づいて投影光学系PLの調整を行う(ステップS15)。
Subsequently, the
ステップS14では、主制御系20は、空間像検出部24によって、基準パターンの投影光学ユニットPL1〜PL5による各投影像を検出し、それらの大きさ、投影位置、合焦位置、回転量、配列誤差等を計測する。また、ステップS15では、主制御系20は、この計測結果および投影光学系PLの調整情報等をもとに駆動機構39〜43を適宜駆動制御し、投影光学ユニットPL1〜PL5による投影像の投影倍率、投影位置、合焦位置および回転を適宜調整する。なお、主制御系20は、ステップS14,S15を適宜繰り返すことで、投影像の投影倍率、投影位置、合焦位置および回転を所望範囲内に収束させるようにすることもできる。
In step S <b> 14, the
つづいて、主制御系20は、アライメント装置27a,27bを用いて基準部材28の位置計測を行い(ステップS16)、その後、露光データファイル内の使用するマスクMの情報等をもとに、マスクMを搬入してマスクステージMS上に載置するとともに、プレートPを搬入してプレートステージPS上に載置する(ステップS17)。そして、主制御系20は、アライメント装置27a,27bおよび焦点検出装置を用い、その検出結果に基づいてマスクMとプレートPとの相対的な位置合わせを行う(ステップS18)。
Subsequently, the
ステップS18では、主制御系20は、プレートP上にあらかじめ設定された複数のショット領域のうち、マスクMのパターンDPを転写すべきショット領域が、投影光学系PLによるパターン投影領域の近傍に位置するように、マスクMとプレートPとの相対位置合わせを行う。また、投影光学系PLによるパターンDPの共役面とプレートPの露光面との位置合わせ、つまり焦点合わせを行う。
In step S18, the
つづいて、主制御系20は、マスクMのパターンDPをプレートP上のショット領域に転写し(ステップS19)、他に露光すべきショット領域があるか否かを判断する(ステップS20)。そして、露光すべきショット領域があると判断した場合(ステップS
20:Yes)、パターン転写領域に対応させるショット領域を切り換え(ステップS
21)、ステップS18からの処理を繰り返す。
Subsequently, the
20: Yes), the shot area corresponding to the pattern transfer area is switched (step S).
21) The processing from step S18 is repeated.
一方、露光すべきショット領域がないと判断した場合(ステップS20:No)、主制御系20は、露光すべきすべてのプレートPに対して露光が終了しているか否かを判断し(ステップS22)、すべてのプレートPに対して露光が終了していない場合には(ステップS22:No)、プレートPを交換し(ステップS23)、ステップS18からの処理を繰り返す。すべてのプレートPに対して露光が終了している場合には(ステップS22:Yes)、主制御系20は、一連の露光処理を終了する。
On the other hand, if it is determined that there is no shot area to be exposed (step S20: No), the
ステップS19では、主制御系20は、照明光学系ILによって露光光をパターンDPの一部に照射させるとともに、走査駆動機構によってマスクMとプレートPとをX軸方向へ同期して走査させることで、パターンDP全体をプレートP上の1つのショット領域に転写する。また、ステップS21では、主制御系20は、走査駆動機構およびステップ駆動機構の少なくとも一方を用いてプレートPを移動させることで、パターン投影領域に対応させるショット領域を切り換える。主制御系20は、このステップS19およびS21を繰り返すことで、プレートP上の各ショット領域にパターンDPを転写する。なお、ステップS21,S22では、主制御系20は、必要に応じてマスクMを交換することもできる。
In step S19, the
つぎに、露光装置100を用いたデバイス製造方法について説明する。図10は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。この図に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハに金属膜を蒸着し(ステップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する(ステップS42)。つづいて、露光装置100を用い、マスクMに形成されたパターンDPをウェハ上の各ショット領域に転写し(ステップS44:露光工程)、この転写が終了したウェハの現像、つまりパターンDPが転写されたフォトレジストの現像を行う(ステップS46:現像工程)。その後、ステップS46によってウェハ表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハ表面に対してエッチング等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。 Next, a device manufacturing method using the exposure apparatus 100 will be described. FIG. 10 is a flowchart showing a manufacturing process of a semiconductor device. As shown in this figure, in the semiconductor device manufacturing process, a metal film is vapor-deposited on a wafer to be a substrate of a semiconductor device (step S40), and a photoresist, which is a photosensitive material, is applied onto the vapor-deposited metal film ( Step S42). Subsequently, by using the exposure apparatus 100, the pattern DP formed on the mask M is transferred to each shot area on the wafer (step S44: exposure process), and the development of the wafer after the transfer, that is, the pattern DP is transferred. The developed photoresist is developed (step S46: development step). Thereafter, using the resist pattern generated on the wafer surface in step S46 as a mask, processing such as etching is performed on the wafer surface (step S48: processing step).
ここで、レジストパターンとは、露光装置100によって転写されたパターンDPに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハ表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハ表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、露光装置100は、フォトレジストが塗布されたウェハを感光性基板つまりプレートPとしてパターンDPの転写を行う。 Here, the resist pattern is a photoresist layer in which unevenness having a shape corresponding to the pattern DP transferred by the exposure apparatus 100 is generated, and the recess penetrates the photoresist layer. In step S48, the wafer surface is processed through this resist pattern. The processing performed in step S48 includes at least one of etching of the wafer surface or film formation of a metal film, for example. In step S44, the exposure apparatus 100 transfers the pattern DP using the wafer coated with the photoresist as the photosensitive substrate, that is, the plate P.
図11は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。この図に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィルタ形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ステップS54)およびモジュール組立工程(ステップS56)を順次行う。 FIG. 11 is a flowchart showing a manufacturing process of a liquid crystal device such as a liquid crystal display element. As shown in this figure, in the liquid crystal device manufacturing process, a pattern forming process (step S50), a color filter forming process (step S52), a cell assembling process (step S54) and a module assembling process (step S56) are sequentially performed.
ステップS50のパターン形成工程では、プレートPとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、露光装置100を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、露光装置100を用いてフォトレジスト層にパターンDPを転写する露光工程と、パターンDPが転写されたプレートPの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンDPに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。 In the pattern forming process of step S50, a predetermined pattern such as a circuit pattern and an electrode pattern is formed on the glass substrate coated with a photoresist as the plate P using the exposure apparatus 100. In this pattern formation step, an exposure step of transferring the pattern DP to the photoresist layer using the exposure apparatus 100, development of the plate P to which the pattern DP has been transferred, that is, development of the photoresist layer on the glass substrate, A development step for generating a photoresist layer having a shape corresponding to the pattern DP and a processing step for processing the surface of the glass substrate through the developed photoresist layer are included.
ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドットの組をマトリクス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。 In the color filter forming step in step S52, a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix, or three of R, G, and B are arranged. A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning direction.
ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。 In the cell assembly process in step S54, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the glass substrate on which the predetermined pattern is formed in step S50 and the color filter formed in step S52. Specifically, for example, a liquid crystal panel is formed by injecting liquid crystal between a glass substrate and a color filter.
ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。 In the module assembling process in step S56, various components such as an electric circuit and a backlight for performing the display operation of the liquid crystal panel are attached to the liquid crystal panel assembled in step S54.
以上説明したように、本実施の形態にかかる露光装置100では、複数の光源1が発する露光光を混合し、この混合した露光光をあらかじめ設定される所定面に位置するパターンDPに照射する照明光学系ILと、パターンDPを介した露光光をもとに、その所定面の共役面に位置する感光性基板としてのプレートP上にパターンDPの像を形成する複数の投影光学ユニットPL1〜PL5と、照明光学系ILまたは投影光学ユニットPL1〜PL5の少なくとも1つに含まれる光学素子を駆動し、パターンDPの共役面における露光光の光学特性を変化させる調整手段としての駆動機構51〜56と、複数の光源1のうち第1の光源としての一方の光源1および第2の光源としての他方の光源1が発する各露光光の光量に対応する情報をもとにこの各露光光の光量比に対応する情報を検知するとともに、この検知結果をもとに駆動機構51〜56の少なくとも1つを用いて露光光の光学特性を変化させる検知手段兼調整制御手段としての主制御系20とを備えているため、複数の光源1が発する各露光光の光量比に対応してプレートPに対する露光光の光学特性を調整することができ、プレートP上に高精度にパターンDPを転写することができる。
As described above, in the exposure apparatus 100 according to the present embodiment, the exposure light emitted from the plurality of
ここまで、本発明を実施する最良の形態を実施の形態として説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。 So far, the best mode for carrying out the present invention has been described as an embodiment. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. Is possible.
例えば、上述した実施の形態では、露光装置100は、駆動機構51〜56を備え、この各駆動機構によってライトガイド9の射出端部9b〜9f、減光フィルタ10、コリメートレンズ11、フライアイレンズ12、開口絞り13およびコンデンサレンズ14の可動レンズをそれぞれ駆動可能としたが、必ずしも駆動機構51〜56をすべて備える必要はなく、その一部だけを備えるようにしても構わない。具体的には、例えば露光光の照度分布の傾斜成分を調整する機構として、駆動機構51,53または56のいずれか一つを備えるようにすることができる。
For example, in the above-described embodiment, the exposure apparatus 100 includes the drive mechanisms 51 to 56, and the emission ends 9 b to 9 f of the light guide 9, the
また、上述した実施の形態では、光量検出センサ16は、光源1が発した光のうちダイクロイックミラー3を透過した光を検出するものとしたが、ダイクロイックミラー3を透過した光に限定されず、ダイクロイックミラー3によって反射された露光光の一部を検出するものとしてもよい。この場合、例えばダイクロイックミラー3からマスクMまでの光路において露光光の一部を分岐させ、この分岐させた露光光を光量検出センサ16によって検出することができる。あるいは、照度検出部29を光量検出センサとして兼用し、投影光学系PLを介した露光光の光量を検出するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the light
また、上述した実施の形態では、投影光学系PLは、投影光学ユニットPL1〜PL5を備える、すなわち5組の投影光学ユニットを備えるものとしたが、5組に限らず4組以下もしくは6組以上備える構成としてもよい。具体的には、例えば投影光学ユニットを1組だけ備えるようにしてもよい。また、投影光学ユニットPL1〜PL5は、反射屈折式の結像光学系であるものとしたが、反射屈折式に限定されず、反射曲面を用いない屈折式の結像光学系、あるいは屈折曲面を用いない反射式の結像光学系であってもよい。 In the above-described embodiment, the projection optical system PL includes the projection optical units PL1 to PL5. That is, the projection optical system PL includes five sets of projection optical units. It is good also as a structure provided. Specifically, for example, only one set of projection optical units may be provided. The projection optical units PL1 to PL5 are catadioptric imaging optical systems. However, the projection optical units PL1 to PL5 are not limited to the catadioptric system, and are not limited to a catadioptric system. A reflective imaging optical system that is not used may be used.
また、上述した実施の形態では、光源1は、超高圧水銀ランプ等を用いるランプ光源であるものとして説明したが、ランプ光源に限定されず、エキシマレーザ等のレーザ光源であってもよい。この場合、照明光学系ILは、楕円鏡2およびコリメートレンズ5等に替えて、レーザ光源から射出するビームを拡大整形するビームエキスパンダ等を用いるとよい。
In the above-described embodiment, the
また、上述した実施の形態では、露光装置100は、露光光を透過させる透過型のマスクMに形成されたパターンDPをプレートP上に転写するものとしたが、透過型に限定されず、反射型のマスクMに形成されたパターンDPを転写する構成としてもよい。さらに、露光装置100は、固定パターンが形成されたマスクを用いることに限定されず、パターン形状を適宜変更可能な可変パターンマスクを用いることができる。可変パターンマスクとしては、例えば、プログラム可能LCDアレイ(米国特許第5229872号明細書を参照)、DMD等のプログラム可能ミラーアレイ(米国特許第5296891号明細書を参照)、もしくはマトリックス状(アレイ状)発光点をもつ自己発光型マスク等の可変パターンジェネレータを用いることができる。ここで、可変パターンジェネレータは、アドレス指定された領域のみ露光光を透過、反射または発光させるマトリックスアドレス可能面をもち、露光光がマトリックスアドレス可能面におけるアドレス指定パターンに従ってパターン化されるようになっている。必要なアドレス指定は、適当な電子手段を使って行われる。このとき、上記マトリックスアドレス可能面が、照明光学系ILと投影光学系PLとの間に設定される所定面に位置することになる。 In the above-described embodiment, the exposure apparatus 100 transfers the pattern DP formed on the transmission mask M that transmits the exposure light onto the plate P. The pattern DP formed on the mask M of the mold may be transferred. Furthermore, the exposure apparatus 100 is not limited to using a mask on which a fixed pattern is formed, and a variable pattern mask capable of changing the pattern shape as appropriate can be used. Examples of the variable pattern mask include a programmable LCD array (see US Pat. No. 5,229,872), a programmable mirror array such as DMD (see US Pat. No. 5,296,891), or a matrix (array). A variable pattern generator such as a self-luminous mask having a light emitting point can be used. Here, the variable pattern generator has a matrix addressable surface that transmits, reflects or emits exposure light only in the addressed region, and the exposure light is patterned according to the addressing pattern on the matrix addressable surface. Yes. The necessary addressing is performed using suitable electronic means. At this time, the matrix addressable surface is positioned on a predetermined surface set between the illumination optical system IL and the projection optical system PL.
また、上述した実施の形態では、露光装置100は、導光光学系L1〜L5が各々備える減光フィルタ10、コリメータレンズ11、フライアイレンズ12、開口絞り13またはコンデンサレンズ14中の可動レンズの少なくとも1つを用いてプレートP上における露光光の光学特性を変化させ、これによって例えばプレートP上の露光量を各ショット領域内で均一にするようにしていたが、露光光の光学特性を変化させる代わりに、各投影光学ユニットPL1〜PL5によるパターン転写領域を変化させることで各ショット領域内の露光量を均一化することもできる。具体的には、例えば、走査駆動機構によるプレートPの走査方向と直交する方向における露光光の照度分布に傾斜成分が生じた場合、投影光学ユニットPL1〜PL5が備える各視野絞りASの大きさを、プレートPの走査方向に対して、照度分布の傾斜成分の程度に対応して適宜非対称とさせることで、ショット領域内の露光量を均一化することができる。この場合、走査方向と直交する方向における照度分布が高い側に対応する視野絞りASの走査方向の幅を、照度分布が低い側に対応する幅に対して狭めるとよい。
In the above-described embodiment, the exposure apparatus 100 is a movable lens in the
1 光源
9 ライトガイド
10 減光フィルタ
11 コリメートレンズ
12 フライアイレンズ
13 開口絞り
14 コンデンサレンズ
16 光量検出センサ
17 光源制御装置
18 駆動装置
19 記憶装置
20 主制御系
24 空間像検出部
29 照度検出部
51〜56 駆動機構
100 露光装置
DP パターン
IL 照明光学系
IL1〜IL5 導光光学系
ILa,ILb 導入光学系
M マスク
P プレート
PL 投影光学系
PL1〜PL5 投影光学ユニット
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記照明手段または前記投影手段の少なくとも一方に含まれる光学素子を駆動して前記共役面における前記露光光の光学特性を変化させる調整手段と、
前記複数の光源のうちの第1光源および第2光源が発する各露光光の光量に対応する情報をもとに該各露光光の光量比に対応する情報を検知する検知手段と、
前記検知手段の検知結果をもとに前記調整手段を用いて前記光学特性を変化させる調整制御手段と、
を備えたことを特徴とする露光装置。 An illumination unit that mixes exposure light emitted from a plurality of light sources and irradiates a pattern positioned on a predetermined surface, and a photosensitive substrate positioned on a conjugate plane of the predetermined surface based on the exposure light via the pattern In an exposure apparatus comprising a projection means for forming an image of the pattern
Adjusting means for driving an optical element included in at least one of the illuminating means or the projecting means to change the optical characteristics of the exposure light on the conjugate plane;
Detecting means for detecting information corresponding to the light quantity ratio of each exposure light based on information corresponding to the light quantity of each exposure light emitted from the first light source and the second light source of the plurality of light sources;
Adjustment control means for changing the optical characteristics using the adjustment means based on the detection result of the detection means;
An exposure apparatus comprising:
前記検知手段は、前記光量検出手段の検出結果をもとに前記光量比に対応する情報を検知することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 A light amount detecting means for detecting a light amount of each exposure light emitted from the first light source and the second light source;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection unit detects information corresponding to the light amount ratio based on a detection result of the light amount detection unit.
前記検知手段は、前記電力検出手段の検出結果をもとに前記光量比に対応する情報を検知することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 Power detection means for detecting each power supplied to the first light source and the second light source;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection unit detects information corresponding to the light amount ratio based on a detection result of the power detection unit.
前記検知手段は、前記電力制御手段の制御情報をもとに前記光量比に対応する情報を検知することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 Power control means for controlling each power supplied to the first light source and the second light source;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection unit detects information corresponding to the light amount ratio based on control information of the power control unit.
前記調整制御手段は、前記検知手段が検知した前記光量比に対応する情報に対応付けて前記記憶手段に記憶された前記駆動量に基づいて前記光学特性を変化させることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。 Storage means for storing in advance the driving amount of the optical element in association with information corresponding to the light amount ratio;
2. The adjustment control unit changes the optical characteristic based on the driving amount stored in the storage unit in association with information corresponding to the light amount ratio detected by the detection unit. The exposure apparatus according to any one of -4.
前記調整制御手段は、前記光学特性検出手段による前記光学特性の検出値が所定範囲内となるように前記光学特性を変化させることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置。 An optical property detecting means for detecting the optical property;
The said adjustment control means changes the said optical characteristic so that the detected value of the said optical characteristic by the said optical characteristic detection means may be in a predetermined range, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Exposure device.
前記複数の光源が発する各露光光を異なる入射端部から受光して共通の射出端部から射出させる光伝送部材と、
前記光学素子を含み、前記射出端部から射出される前記露光光を前記パターンへ導く導光光学系と、
を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。 The illumination means includes
A light transmission member that receives each exposure light emitted from the plurality of light sources from a different incident end and emits the light from a common exit end;
A light guide optical system that includes the optical element and guides the exposure light emitted from the emission end to the pattern;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus includes:
前記複数の光源が発する各露光光を異なる入射端部から受光し、この受光した各露光光をそれぞれ複数の前記射出端部へ分配して射出させる光伝送部材と、
複数の前記射出端部ごとに、前記光学素子を含み、該射出端部から射出される前記露光光を前記パターンへ導く導光光学系群と、
を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。 The illumination means includes
A light transmission member that receives each exposure light emitted from the plurality of light sources from different incident end portions, distributes the received exposure light to the plurality of exit end portions, and emits the light;
A light guide optical system group that includes the optical element for each of a plurality of the emission ends, and guides the exposure light emitted from the emission ends to the pattern,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus includes:
前記パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に生成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 An exposure step of transferring the pattern onto the photosensitive substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 12,
Developing the photosensitive substrate to which the pattern is transferred, and developing a mask layer having a shape corresponding to the pattern on the surface of the photosensitive substrate;
A processing step of processing the surface of the photosensitive substrate through the mask layer;
A device manufacturing method comprising:
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