JP2009099730A - パッケージ基板の半田ボール配置側表面構造およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッケージ基板の半田ボール配置側表面構造において、パッケージ基板に互いに対向するチップ配置側及び半田ボール配置側を有し、チップ配置側及び半田ボール配置側にそれぞれ第1及び第2の回路層を有し、パッケージ基板のチップ配置側及び第1の回路層上に第1の絶縁保護層が形成され、半田ボール配置側の表面構造が、第2の回路層の一部である金属パッドと、金属パッドに周設された金属凸縁と、パッケージ基板の半田ボール配置側に位置し、金属凸縁の一部の表面を露出させるための金属凸縁の外径サイズより小さい第2の開口を有する第2の絶縁保護層と、を備えている。
【選択図】図3H(a)
Description
図3Aないし図3H(a)は、本発明に係わるパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法の第1の実施例を模式的に示した断面図である。
図4Aないし図4G(a)は、本発明に係わるパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法の第2の実施例を模式的に示した断面図である。
11a 第1の表面
11b 第2の表面
111 第1の電気接続パッド
112 第2の電気接続パッド
12 半導体チップ
121 電極パッド
13a 第1の導電素子
13b 第2の導電素子
14 金属バンプ
201 電気接続パッド
21 絶縁保護層
210 開口
22、301 導電層
23 レジスト層
230、320d 環状開口
24 凸縁
3a チップ配置側
3b 半田ボール配置側
30 コア板
310b’金属パッド
31a 第1の金属層
31a’ 第1の回路層
31b 第2の金属層
31b’第2の回路層
32a 第1のレジスト層
320a 第1の開口
32b 第2のレジスト層
320b 第2の開口
32c 第3のレジスト層
320c 第3の開口
32d 第4のレジスト層
320d 第4の開口
321d 第5の開口
33 金属バンプ
33’金属凸縁
331’金属層
34a 第1の絶縁保護層
340a 第1の開口
34b 第2の絶縁保護層
340b、340b’第2の開口
35 表面処理層
36 導電素子
37a SMDパッド
37b’、NSMDパッド
Claims (30)
- 互いに対向するチップ配置側および半田ボール配置側を有し、前記チップ配置側および半田ボール配置側にそれぞれ第1および第2の回路層を有し、チップ配置側および第1の回路層上に第1の絶縁保護層が形成されているパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造において、
前記第2の回路層の一部である金属パッドと、
前記金属パッドに周設された金属凸縁と、
前記パッケージ基板の半田ボール配置側に位置し、前記金属凸縁の一部の表面を露出させるための前記金属凸縁の外径サイズより小さい第2の開口を有する第2の絶縁保護層と、
を備えていることを特徴とするパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。 - 前記金属凸縁の外径が、前記金属パッドの外径より小さいことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記金属凸縁内の前記金属パッド上に位置する金属層をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記金属凸縁および金属層上に位置する表面処理層をさらに備えていることを特徴とする請求項3に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記表面処理層が、有機半田付け性保護材、ニッケル/金、ニッケル/パラジウム/金、および錫/鉛のいずれか1つであることを特徴とする請求項4に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記表面処理層が、金、銀、錫および銅からなるグループのいずれか1つであることを特徴とする請求項4に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記金属パッドおよび金属凸縁上に位置する表面処理層をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記パッケージ基板表面と金属パッドとの間に位置する導電層をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 互いに対向するチップ配置側および半田ボール配置側を有し、前記チップ配置側および半田ボール配置側にそれぞれ第1および第2の回路層を有し、チップ配置側および第1の回路層上に第1の絶縁保護層が形成されているパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造において、
前記第2の回路層の一部である金属パッドと、
前記金属パッドに周設された金属凸縁と、
前記パッケージ基板の半田ボール配置側に位置し、前記金属凸縁および金属パットを露出させるための前記金属パッドのサイズより大きい第2の開口を有する第2の絶縁保護層と、
を備えていることを特徴とするパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。 - 前記金属凸縁の外径が、前記金属パッドの外径より小さいことを特徴とする請求項9に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記金属凸縁内の前記金属パッド上に位置する金属層をさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記金属凸縁、金属層および金属パッド上に位置する表面処理層をさらに備えていることを特徴とする請求項11に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記金属パッドおよび金属凸縁上に位置する表面処理層をさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- 前記パッケージ基板表面と金属パッドとの間に位置する導電層をさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造。
- パッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法であって、
コア板が用意され、前記コア板の対向した両表面に第1の金属層および第2の金属層が形成される工程と、
前記第2の金属層上に金属バンプが電気めっきにより形成される工程と、
前記第1の金属層上に第3のレジスト層が形成され、前記第1の金属層の一部の表面を露出させるための第3の開口が形成され、前記第2の金属層および金属バンプ上に第4のレジスト層が形成され、前記第2の金属層の一部の表面を露出させるための第4の開口および前記金属バンプの一部の表面を露出させるための第5の開口が形成される工程と、
前記第3および第4のレジスト層の第3および第4の開口における第1および第2の金属層を除去することにより、前記コア板の対向した両表面にそれぞれ第1の回路層、第2の回路層および金属パッドが形成され、前記第5の開口における金属バンプを除去することにより、金属凸縁が前記金属パッド上に周設されるように形成される工程と、
前記3および第4のレジスト層を除去する工程と、
前記コア板および第1の回路層上に第1の絶縁保護層が形成され、電気接続パッドとして前記第1の回路層の一部の表面を露出させるための第1の開口が形成される工程と、
前記コア板、第2の回路層およびその上にある金属パッドに第2の絶縁保護層が形成され、前記第2の絶縁保護層に前記金属凸縁の一部の表面を露出させるための第2の開口が形成される工程と、
を備えていることを特徴とするパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。 - 前記第2の開口が、前記金属凸縁の外径より小さいことを特徴とする請求項15に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記第2の開口が、前記金属パッドの外径より大きいことを特徴とする請求項15に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記コア板が、表面に誘電層を有する2層または多層回路板および絶縁板のいずれか1つであることを特徴とする請求項15に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記金属凸縁の外径が、前記金属パッドの外径より小さいことを特徴とする請求項15に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記第2の金属層上に金属バンプが電気めっきにより形成される製造方法が、
前記第1の金属層および第2の金属層にそれぞれ第1および第2のレジスト層が形成され、前記第2のレジスト層に前記第2の金属層の一部の表面を露出させるための第2の開口が形成される工程と、
前記第2のレジスト層の第2の開口における第2の金属層上に金属バンプが電気めっきにより形成される工程と、
前記第1および第2のレジスト層を除去することにより、前記第1、第2の金属層および金属バンプを露出させる工程と、
を備えていることを特徴とする請求項15に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。 - 前記第5の開口における金属バンプが、一部の厚さを除去することにより前記金属パッド上に金属層が形成されることを特徴とする請求項15に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記金属凸縁および金属層上に表面処理層が形成される工程をさらに備えていることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記第5の開口における金属バンプが完全に除去されることにより前記金属パッドの一部の表面が露出されることを特徴とする請求項15に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記金属凸縁および金属パッド上に表面処理層が形成される工程をさらに備えていることを特徴とする請求項23に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- パッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法であって、
コア板が用意される工程と、
前記コア板の表面に導電層が形成される工程と、
前記コア板の両表面の導電層上にそれぞれ第1および第2のレジスト層が形成され、前記第1および第2のレジスト層に前記導電層の一部の表面を露出させるための第1および第2の開口が形成される工程と、
前記コア板の両表面の第1および第2のレジスト層の第1および第2の開口にそれぞれ電気めっきにより第1回路層、および金属パッドを有する第2の回路層が形成される工程と、
前記第1のレジスト層および第1の回路層の表面に第3のレジスト層が形成され、前記第2のレジスト層および第2の回路層表面に第4のレジスト層が形成され、前記第4のレジスト層に前記金属パッドの一部の表面を露出させるための環状開口が形成される工程と、
前記導電層を電流伝導ルートとして前記金属パッドの表面に電気めっきにより金属凸縁が形成される工程と、
前記第2のレジスト層、第1のレジスト層およびそれにより被覆された導電層を除去し、前記第4のレジス層、第3のレジスト層およびそれにより被覆された導電層を除去することにより、前記第1の回路層、第2の回路層およびその金属パッド上の金属凸縁を露出させる工程と、
前記コア板および第1の回路層上に第1の絶縁保護層が形成され、電気接続パッドとして前記第1の回路層の一部の表面を露出させるための第1の開口が形成される工程と、
前記コア板、第2の回路層およびその上の金属パッド上に第2の絶縁保護層が形成され、前記第2の絶縁保護層に前記金属凸縁の一部の表面を露出させるための第2の開口が形成される工程と、
を備えていることを特徴とするパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。 - 前記第2の開口が、前記金属凸縁の外径より小さいことを特徴とする請求項25に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記第2の開口が、前記金属パッドの外径より大きいことを特徴とする請求項25に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記コア板が、表面に誘電層を有する2層または多層回路板、銅張積層板および絶縁板のいずれか1つであることを特徴とする請求項25に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記金属凸縁の外径が、前記金属パッドの外径より小さいことを特徴とする請求項25に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
- 前記金属凸縁および金属パッド上に表面処理層が形成される工程をさらに備えていることを特徴とする請求項25に記載のパッケージ基板の半田ボール配置側表面構造の製造方法。
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JP2007269168A JP2009099730A (ja) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | パッケージ基板の半田ボール配置側表面構造およびその製造方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102623429A (zh) * | 2012-04-11 | 2012-08-01 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 封装载体结构 |
KR101300318B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2013-08-28 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법 |
CN103299410A (zh) * | 2011-01-26 | 2013-09-11 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件模块及电子元器件单元 |
KR101575172B1 (ko) | 2013-06-07 | 2015-12-07 | 주하이 어드밴스드 칩 캐리어스 앤드 일렉트로닉 서브스트레이트 솔루션즈 테크놀러지즈 컴퍼니 리미티드 | 칩과 기판 사이에서의 신규한 종결 및 결합 |
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JPH1032280A (ja) * | 1996-04-01 | 1998-02-03 | Anam Ind Co Inc | Bga半導体パッケージのソルダボールランドメタル構造 |
-
2007
- 2007-10-16 JP JP2007269168A patent/JP2009099730A/ja active Pending
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