JP2009053727A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 支持体および該支持体上の感光層を有し、かつ表面層が導電性粒子を含有する層である電子写真感光体において、該導電性粒子が、未撥水処理の導電性粒子に対し、撥水処理剤と該未撥水処理の導電性粒子に対して2〜10質量%の水とを用いた撥水処理を施すことによって得られた撥水処理済みの導電性粒子である。
【選択図】 なし
Description
該撥水処理剤を用いて撥水処理する前の導電性粒子を105℃で2時間乾燥した後の質量をMdとし、乾燥する前の質量をMとすると、乾燥減量([(M−Md)/M]×100)が2〜7質量%であることを特徴とする電子写真感光体である。
該撥水処理剤を用いて撥水処理された導電性粒子が、該撥水処理剤を用いて撥水処理する前の導電性粒子の質量に対して2〜10質量%の水を用いて撥水処理された導電性粒子であることを特徴とする電子写真感光体である。
下記(i)から(vi)の順に行う。
(i)Sb2O5をドープしたSnO2の粒子の乾燥減量を確認する。Sb2O5をドープしたSnO2の粒子の乾燥減量が2質量%未満の場合は、その粒子を湿度60%RH以上の雰囲気下に曝すことによって、乾燥減量が2〜7質量%になるように調整する。一方、Sb2O5をドープしたSnO2の粒子の乾燥減量が7質量%を超える場合は、真空乾燥機などの乾燥機を用いて、乾燥減量が2〜7質量%になるように調整する。
(ii)Sb2O5をドープしたSnO2の粒子、該粒子と略同質量のトルエンおよびメタノール、および、該粒子の質量に対して8〜30質量%の上記式(SC−1)で示される構造を有するフッ素原子含有シランカップリング剤をウルトラミキサーに入れ、十分に攪拌する。攪拌した混合液を連続式のビーズミルに送り、分散、湿式粉砕をする。
(iii)質量比1:1のトルエン/メタノール混合溶剤にて、ビーズミルから混合液を回収する。
(iv)加熱しながら真空ポンプにて減圧蒸留を行う。
(v)150℃で2時間キュアリングを行う。
(vi)乾式粉砕機にて粉砕を行い、撥水処理済みの導電性粒子を得る。
撥水処理例1において、(ii)の工程を以下のように変更した以外は、撥水処理例1と同じ。
すなわち、
(ii)Sb2O5をドープしたSnO2の粒子と略同質量のトルエンおよびメタノールをウルトラミキサーに入れ、次に、該粒子の質量に対して8〜30質量%の上記式(SC−1)で示される構造を有するフッ素原子含有シランカップリング剤を加え、次に、該粒子の質量に対して2〜10質量%の水を加え、最後に、Sb2O5をドープしたSnO2の粒子を入れ、十分に攪拌する。攪拌した混合液を連続式のビーズミルに送り、分散、湿式粉砕をする。
撥水処理例1において、(ii)の工程を以下のように変更した以外は、撥水処理例1と同じ。
すなわち、
(ii)Sb2O5をドープしたSnO2の粒子と略同質量のトルエンおよびメタノールをウルトラミキサーに入れ、次に、該粒子の質量に対して2〜10質量%の水を加え、次に、Sb2O5をドープしたSnO2の粒子を入れ、十分に攪拌する。次に、該粒子の質量に対して8〜30質量%の上記式(SC−1)で示される構造を有するフッ素原子含有シランカップリング剤を加え、再度十分に攪拌する。攪拌した混合液を連続式のビーズミルに送り、分散、湿式粉砕をする。
撥水処理例2において、(i)の工程を省いた以外は、撥水処理例2と同じ。
撥水処理例3において、(i)の工程を省いた以外は、撥水処理例3と同じ。
直径30mm、長さ254mmのアルミニウムシリンダーを支持体とした。
実施例1において、以下の点を変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
導電性粒子の撥水処理を、撥水処理例4から撥水処理例5に変更した。また、撥水処理剤を、上記式(SC−1)で示される構造を有するフッ素原子含有シランカップリング剤から、上記式(SX−1)で示される構造を有するシロキサン化合物(nsxの平均は21、Xsxの全部に対する水素原子の割合は43.5%)に変更した。上記式(SX−1)で示される構造を有するシロキサン化合物の割合は撥水処理前の導電性粒子の質量に対して20質量%とし、水の割合は撥水処理前の導電性粒子の質量に対して7質量%とした。
実施例1において、以下の点を変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
導電性粒子の撥水処理を、撥水処理例4から撥水処理例1に変更した。Sb2O5をドープしたSnO2の粒子は、撥水処理前に湿度80%RHの雰囲気下に8時間曝して乾燥減量を4質量%に調整した。上記式(SC−1)で示される構造を有するフッ素原子含有シランカップリング剤の割合は撥水処理前の導電性粒子の質量に対して13質量%とした。
実施例3において、撥水処理前の導電性粒子を湿度80%RHの雰囲気下に曝す時間を変更することによって乾燥減量を2質量%に調整した以外は、実施例3と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例3において、撥水処理前の導電性粒子を湿度80%RHの雰囲気下に曝す時間を変更することによって乾燥減量を7質量%に調整した以外は、実施例3と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、以下の点を変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例1で用いた導電性粒子120部の代わりに、撥水処理例4により撥水処理したSb2O5をドープしたSnO2の粒子(導電性粒子、平均粒径:0.02μm、上記式(SC−1)で示される構造を有するフッ素原子含有シランカップリング剤の割合は該粒子の質量に対して13質量%、水の割合は該粒子の質量に対して4質量%)40部と、撥水処理例4により撥水処理したSb2O5をドープしたSnO2の粒子(導電性粒子、平均粒径:0.02μm、撥水処理剤は上記式(SX−1)で示される構造を有するシロキサン化合物(nsxの平均は21、Xsxの全部に対する水素原子の割合は43.5%)に変更、該シロキサン化合物の割合は該粒子の質量に対して25質量%、水の割合は該粒子の質量に対して5質量%)80部とを併用した。
実施例1において、導電性粒子の撥水処理に用いたフッ素原子含有シランカップリング剤の割合を撥水処理前の導電性粒子の質量に対して8質量%に変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、導電性粒子の撥水処理に用いたフッ素原子含有シランカップリング剤の割合を撥水処理前の導電性粒子の質量に対して30質量%に変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、導電性粒子の撥水処理に用いた水の割合を撥水処理前の導電性粒子の質量に対して2質量%に変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、導電性粒子の撥水処理に用いた水の割合を撥水処理前の導電性粒子の質量に対して10質量%に変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、以下の点を変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
導電性粒子の撥水処理を、撥水処理例4から撥水処理例2に変更した。上記式(SC−1)で示される構造を有するフッ素原子含有シランカップリング剤の割合は撥水処理前の導電性粒子の質量に対して13質量%とし、水の割合は撥水処理前の導電性粒子の質量に対して4質量%とした。また、Sb2O5をドープしたSnO2の粒子は、撥水処理前に湿度80%RHの雰囲気下に8時間曝して乾燥減量を4質量%に調整した。
実施例1において、以下の点を変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
導電性粒子の撥水処理を、撥水処理例4から撥水処理例3に変更した。上記式(SC−1)で示される構造を有するフッ素原子含有シランカップリング剤の割合は撥水処理前の導電性粒子の質量に対して13質量%とし、水の割合は撥水処理前の導電性粒子の質量に対して4質量%とした。また、Sb2O5をドープしたSnO2の粒子は、撥水処理前に湿度80%RHの雰囲気下に8時間曝して乾燥減量を4質量%に調整した。
実施例3において、撥水処理前の導電性粒子の乾燥減量が1質量%である以外は、実施例3と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例11において、撥水処理前の導電性粒子の乾燥減量が1質量%であり、導電性粒子の撥水処理に用いた水の割合が撥水処理前の導電性粒子の質量に対して12質量%である以外は、実施例11と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
比較例2において、撥水処理前の導電性粒子の乾燥減量が8質量%である以外は、比較例2と同様にして電子写真感光体および保護層体積抵抗率測定用試料を作製し、評価した。結果を表1に示す。
102 導電層
103 中間層
104 感光層
1041 電荷発生層
1042 電荷輸送層
105 撥水処理剤を用いて撥水処理された導電性粒子を含有する層
105’ 電荷輸送物質および撥水処理剤を用いて撥水処理された導電性粒子を含有する層
1 電子写真感光体
2 軸
3 帯電手段
4 露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 クリーニング手段
8 定着手段
9 プロセスカートリッジ
10 案内手段
Claims (16)
- 支持体および該支持体上の感光層を有し、かつ表面層が導電性粒子を含有する層である電子写真感光体において、
該導電性粒子が、未撥水処理の導電性粒子に対し、撥水処理剤と該未撥水処理の導電性粒子に対して2〜10質量%の水とを用いた撥水処理を施すことによって得られた撥水処理済みの導電性粒子である
ことを特徴とする電子写真感光体。 - 請求項1に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項1に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
- 支持体および該支持体上の感光層を有し、かつ表面層が導電性粒子を含有する層である電子写真感光体を製造する方法において、
未撥水処理の導電性粒子に対し、撥水処理剤と該未撥水処理の導電性粒子に対して2〜10質量%の水とを用いた撥水処理を施すことによって、撥水処理済みの導電性粒子を得る撥水処理工程と、
該撥水処理済みの導電性粒子を用いて該表面層を形成する表面層形成工程と
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 前記未撥水処理の導電性粒子の乾燥減量(未撥水処理の導電性粒子を105℃で2時間乾燥した後の質量をMdとし、乾燥する前の質量をMとしたとき、[(M−Md)/M]×100で算出される乾燥減量[質量%])が2〜7質量%である請求項4に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 撥水処理工程の前に、未撥水処理の導電性粒子を湿度60%RH以上の雰囲気下に曝すことによって前記乾燥減量が2〜7質量%である未撥水処理の導電性粒子を得る工程をさらに有する請求項5に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 撥水処理工程において用いる前記撥水処理剤の質量が、前記未撥水処理の導電性粒子の質量に対して8〜30質量%である請求項4〜6のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
- 撥水処理工程における撥水処理が湿式法による撥水処理である請求項4〜7のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記導電性粒子が、金属粒子または金属酸化物粒子である請求項4〜8のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記金属酸化物粒子が、酸化スズの粒子である請求項9に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記金属酸化物粒子が、酸化アンチモンをドープした酸化スズの粒子である請求項9に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記酸化アンチモンが、Sb2O5である請求項11に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記酸化スズが、SnO2である請求項10〜12のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記撥水処理剤が、シランカップリング剤である請求項4〜13のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記撥水処理剤が、シロキサン化合物またはフッ素原子含有化合物である請求項4〜13のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記撥水処理剤が、フッ素原子含有シランカップリング剤、フッ素変性シリコーンオイルおよびフッ素原子含有界面活性剤からなる群より選択される少なくとも1種である請求項4〜13のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
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