JP2008311250A - Reflow system and reflow method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レジストのリフロー処理を行うリフローシステムおよびリフロー方法に関する。 The present invention relates to a reflow system and a reflow method for performing a resist reflow process.
例えば半導体装置の製造プロセスにおいては、所定の層が形成された基板の表面にレジスト層を形成し、所定のパターンに対応して露光処理を行った後に当該ウエハのレジスト層に形成された露光パターンを現像するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパターンに対応したレジストマスクが用いられる。 For example, in a manufacturing process of a semiconductor device, a resist layer is formed on the surface of a substrate on which a predetermined layer is formed, and an exposure pattern formed on the resist layer of the wafer after performing exposure processing corresponding to the predetermined pattern A resist mask corresponding to a predetermined pattern is used by developing so-called photolithography technology.
ところで、近年、半導体装置の高集積化と微細化が益々進展しており、これにともなって半導体装置の製造工程が複雑化し、必要なマスクパターンが増加し、製造コストが増加する。このため、製造コストを大幅に低減すべく、フォトリソグラフィのためのマスクパターンの形成工程を統合させて全体の工程数を短縮させることが検討されている。 By the way, in recent years, high integration and miniaturization of semiconductor devices are progressing, and accordingly, the manufacturing process of the semiconductor devices becomes complicated, the necessary mask patterns increase, and the manufacturing cost increases. For this reason, in order to significantly reduce the manufacturing cost, it has been studied to integrate the mask pattern forming process for photolithography to reduce the total number of processes.
マスクパターンの形成工程数を削減する技術として、レジストに有機溶剤を浸透させることによりレジストを軟化させ、レジストのパターン形状を変化させることによって新たなマスクパターンを形成して、フォトリソグラフィによるマスクパターンの形成工程を低減することができるリフロー処理が提案されている(例えば、特許文献1)。 As a technique for reducing the number of mask pattern formation processes, a resist is softened by infiltrating the resist with an organic solvent, and a new mask pattern is formed by changing the resist pattern shape. A reflow process capable of reducing the formation process has been proposed (for example, Patent Document 1).
このようなリフロー処理は、レジスト層を形成した基板をシンナー雰囲気に曝すことにより行われるが、従来から、このような処理を密閉チャンバー内で行う装置が用いられている(例えば特許文献2参照)。 Such a reflow process is performed by exposing a substrate on which a resist layer is formed to a thinner atmosphere. Conventionally, an apparatus that performs such a process in a sealed chamber has been used (for example, see Patent Document 2). .
このようなリフロー処理をFPD(フラットパネルディスプレイ)の薄膜トランジスタ(TFT)の製造に適用しようとする場合、FPD用のガラス基板が益々大型化しており、リフロー装置も大型化、複雑化の傾向にあり、コストが高いという問題がある。 When such reflow processing is applied to the manufacture of thin film transistors (TFTs) for FPDs (flat panel displays), glass substrates for FPDs are becoming larger and reflow devices are becoming larger and more complex. There is a problem that the cost is high.
このような問題を解消するために、基板を連続して搬送している間に、基板にシンナーを供給してリフロー処理を行う、いわゆる平流しタイプのリフロー装置も検討されている。すなわち、このような平流し方式では、搬送路を搬送されている基板に対してシンナーを吐出して処理するので、大きなサイズの基板に対してもハンドリングが容易であり、装置の簡素化が可能となる。 In order to solve such a problem, a so-called flat-flow type reflow apparatus that performs reflow processing by supplying thinner to the substrate while the substrate is being continuously transported has been studied. In other words, in such a flat flow method, since thinner is discharged onto the substrate being transported on the transport path for processing, it is easy to handle even a large size substrate, and the apparatus can be simplified. It becomes.
しかしながら、平流し方式では、密閉チャンバー方式のように減圧処理ができないため、乾燥が不十分な状態で加熱処理ユニットに搬送されてプリベーク処理されるため、レジスト層から急激に溶剤が排出されて乾燥不均一が生じ、それに起因してローラー等の転写跡が発生するなどの不都合が生じるおそれがある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板を連続的に搬送しつつ基板に溶剤を供給してリフロー処理を行なう際に、レジストの乾燥不均一にともなう転写跡等の不都合の生じ難いリフローシステムおよびリフロー方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and when performing reflow processing by supplying a solvent to the substrate while continuously transporting the substrate, there are inconveniences such as transfer traces due to non-uniform drying of the resist. An object of the present invention is to provide a reflow system and a reflow method that are unlikely to occur.
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行うリフローユニットと、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する乾燥ユニットと、乾燥ユニットにより乾燥された基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニットとを具備することを特徴とするリフローシステムを提供する。 In order to solve the above-mentioned problem, in the first aspect of the present invention, the resist layer is reflowed by supplying a solvent to the substrate while the substrate having the resist layer having a predetermined pattern is being conveyed along the conveyance path. A reflow system comprising: a reflow unit; a drying unit that dries a substrate after the reflow treatment is applied to the resist layer; and a heat treatment unit that heats and bake the substrate dried by the drying unit. I will provide a.
上記第1の観点において、前記リフローユニットは、前記搬送路に形成されたリフロー処理空間に溶剤雰囲気を形成する溶剤雰囲気形成器を有し、前記溶剤雰囲気形成器は、前記リフロー処理空間に溶剤を供給する溶剤供給機構と、前記リフロー処理空間に供給された溶剤を吸引する吸引機構とを有する構成とすることができる。 In the first aspect, the reflow unit includes a solvent atmosphere forming device that forms a solvent atmosphere in a reflow processing space formed in the transport path, and the solvent atmosphere forming device supplies a solvent to the reflow processing space. It can be set as the structure which has the solvent supply mechanism to supply, and the suction mechanism which attracts | sucks the solvent supplied to the said reflow process space.
また、前記乾燥ユニットは、基板を減圧状態で乾燥するものであってよく、その場合には、前記乾燥ユニットは、基板が搬入される搬入口および基板が搬出される搬出口を側壁部に有し、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバーの前記搬入口および搬出口を開閉するゲート部材と、前記チャンバー内を排気して減圧する減圧機構と、基板を水平方向に搬送して前記搬入口から前記チャンバー内に搬入し、前記チャンバー内で基板を水平状態で支持し、減圧処理後に基板を水平に搬送して前記搬出口から搬出する搬送機構とを有する構成とすることができる。前記搬送機構としては、前記チャンバー内で2つのプーリー部材に巻き掛けられたベルトを有し、基板を前記ベルト上に載置した状態で減圧処理を行うとともに、前記ベルトを動作させることにより基板の搬入および搬出を行うものを用いることができるし、基板を搬送する複数のコロを有するものとしてもよい。 The drying unit may dry the substrate in a reduced pressure state. In this case, the drying unit has a carry-in port into which the substrate is carried in and a carry-out port through which the substrate is carried out in the side wall portion. A chamber for accommodating the substrate, a gate member for opening and closing the carry-in port and the carry-out port of the chamber, a decompression mechanism for exhausting and depressurizing the inside of the chamber, and transporting the substrate in the horizontal direction to It may be configured to have a transport mechanism that carries the substrate into the chamber, supports the substrate in the horizontal state in the chamber, transports the substrate horizontally after decompression processing, and unloads it from the carry-out port. The transport mechanism includes a belt wound around two pulley members in the chamber, performs a decompression process with the substrate placed on the belt, and operates the belt to operate the substrate. What carries in and out can be used, and it is good also as what has several rollers which convey a board | substrate.
上記第1の観点において、前記乾燥ユニットは、基板に気流を付与しながら乾燥するものであってもよい。この場合に、前記乾燥ユニットは、基板が搬送される搬送路と、搬送路に沿って設けられ、その中に気流が形成される気流形成部と、搬送路に沿って基板を搬送する搬送機構と
を有する構成を採用することができる。また、前記気流形成部は、基板の搬送方向とは反対向きに気流が形成されることが好ましい。
In the first aspect, the drying unit may dry the substrate while applying an air flow to the substrate. In this case, the drying unit is provided along a conveyance path through which the substrate is conveyed, an airflow forming unit in which an airflow is formed therein, and a conveyance mechanism that conveys the substrate along the conveyance path. It is possible to adopt a configuration having Moreover, it is preferable that the airflow forming unit forms an airflow in a direction opposite to the substrate transport direction.
さらに、前記加熱処理ユニットは、前記乾燥ユニットで乾燥された後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を加熱してベーク処理する構成であってよく、この場合に、前記加熱処理ユニットは、前記乾燥ユニットで乾燥された後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を加熱する加熱エリアと、加熱後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を冷却する冷却エリアとを有する構成とすることができる。また、加熱処理ユニットとしては、加熱された熱板により基板を加熱してベーク処理するものを好適に用いることができる。 Further, the heat treatment unit may be configured to heat and bake the substrate while transporting the substrate after being dried by the drying unit along the transport path. The processing unit includes a heating area for heating the substrate while transporting the substrate after being dried by the drying unit along the transport path, and a state in which the substrate after heating is transported along the transport path. It can be set as the structure which has a cooling area which cools a board | substrate. Moreover, as a heat processing unit, what heat-processes a board | substrate with the heated hot plate and can bake can be used suitably.
本発明の第2の観点では、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って一方向に搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行うリフローユニットと、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する乾燥ユニットと、乾燥ユニットにより乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間に基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニットとを具備することを特徴とするリフローシステムを提供する。 In a second aspect of the present invention, a reflow unit that supplies a solvent to the substrate and performs a reflow process of the resist layer while the substrate having the resist layer having a predetermined pattern is transported in one direction along the transport path; A drying unit that transports the substrate after the reflow treatment to the resist layer in the one direction and carries it into the chamber, dries the substrate therein, transports the substrate in the one direction, and carries it out of the chamber; And a heat treatment unit for heating and baking the substrate while the substrate dried by the drying unit is transported in the one direction along the transport path.
上記第2の観点において、前記乾燥ユニットは、前記チャンバー内に基板を搬入した後、前記チャンバー内を減圧状態にして基板を減圧乾燥し、減圧乾燥後に前記チャンバー外に搬出する構成とすることができる。また、前記乾燥ユニットは、基板を搬送しながら基板に気流を付与す基板に気流を付与するものであってもよい。さらに、前記加熱処理ユニットは、加熱された熱板により基板を加熱してベーク処理するものを好適に用いることができる。 In the second aspect, the drying unit has a configuration in which after the substrate is carried into the chamber, the inside of the chamber is decompressed to dry the substrate under reduced pressure, and after drying under reduced pressure, the substrate is carried out of the chamber. it can. Moreover, the said drying unit may provide an airflow to the board | substrate which provides an airflow to a board | substrate, conveying a board | substrate. Furthermore, the said heat processing unit can use suitably the thing which heats a board | substrate with the heated hot plate and performs a baking process.
本発明の第3の観点では、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行う工程と、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する工程と、乾燥された基板を加熱してベーク処理を行う工程とを含むことを特徴とするリフロー方法を提供する。 According to a third aspect of the present invention, a step of supplying a solvent to the substrate while the substrate having a resist layer having a predetermined pattern is being conveyed along the conveyance path and performing a reflow process on the resist layer; Provided is a reflow method characterized by including a step of drying a substrate after the treatment and a step of baking the dried substrate.
本発明の第4の観点では、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って一方向に搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行う工程と、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、乾燥後の基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する工程と、乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間にその基板を加熱してベーク処理する工程とを含むことを特徴とするリフロー方法を提供する。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a step of supplying a solvent to a substrate and carrying out a reflow process of the resist layer while the substrate having a resist layer having a predetermined pattern is being conveyed in one direction along the conveyance path; A step of transporting the substrate after the reflow treatment to the layer in one direction and carrying it into the chamber, drying the substrate therein, transporting the dried substrate in the one direction and carrying it out of the chamber And a step of heating and baking the substrate while the dried substrate is transported in the one direction along the transport path.
上記第3、第4の観点において、前記乾燥は、前記チャンバー内に基板を搬入した後、前記チャンバー内を減圧状態にして基板を減圧乾燥し、減圧乾燥後に前記チャンバー外に搬出するものとすることができるし、基板を搬送しながら基板に気流を付与して行うものとすることもできる。また、前記加熱は、加熱された熱板により好適に行うことができる。 In the third and fourth aspects, the drying is performed by loading the substrate into the chamber, then depressurizing and drying the substrate with the inside of the chamber in a reduced pressure state, and transporting the substrate out of the chamber after the reduced pressure drying. It can also be performed by applying an air flow to the substrate while transporting the substrate. Moreover, the said heating can be suitably performed with the heated hotplate.
本発明の第5の観点では、コンピュータ上で動作し、リフローシステムを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第3または第4の観点のリフロー方法が行われるように、コンピュータに前記リフローシステムを制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a storage medium that stores a program that operates on a computer and controls a reflow system, and the program is executed when the reflow method according to the third or fourth aspect is executed. A storage medium is provided for causing a computer to control the reflow system.
本発明によれば、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行った後、乾燥を行い、その後基板を加熱してベーク処理を行うので、搬送している間に溶剤を供給されることによって溶剤を多く含んだレジスト層から急激な溶剤の放出が行われず、不均一な乾燥により転写跡が生じる等の不都合を抑制することができる。 According to the present invention, while a substrate having a resist layer having a predetermined pattern is being conveyed along the conveyance path, a solvent is supplied to the substrate to perform a reflow process of the resist layer, and then drying is performed. Since the baking process is performed by heating, the solvent is supplied while transporting, so that the solvent is not released rapidly from the resist layer containing a large amount of solvent, and transfer marks are generated due to uneven drying. Inconvenience can be suppressed.
また、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行った後、基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、その後、基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する乾燥処理を行い、さらに、乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間に基板を加熱してベーク処理するようにしたので、転写跡が生じる等の不都合を抑制することができるとともに、上記平流しタイプのリフローユニットから搬出されたガラス基板を、そのまま連続的に搬送した状態で一連の処理を行うことができる。そのため、装置の簡略化を実現することができるとともに、極めて効率的な処理を行うことができる。 In addition, while a substrate having a resist layer having a predetermined pattern is being transported along the transport path, a solvent is supplied to the substrate to perform a reflow process of the resist layer, and then the substrate is transported in the one direction to the inside of the chamber. The substrate is dried in the substrate, and then the substrate is dried. Thereafter, the substrate is transported in the one direction and is transported out of the chamber, and the dried substrate is transported in the one direction along the transport path. Since the substrate is heated and baked during operation, inconveniences such as transfer marks can be suppressed, and the glass substrate unloaded from the above-mentioned flat-flow type reflow unit can be continuously used as it is. A series of processes can be performed in a state of being conveyed. Therefore, simplification of the apparatus can be realized and extremely efficient processing can be performed.
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るリフローシステムを示す概略平面図である。ここでは、LCD用のガラス基板Gの表面に形成された現像処理後のレジスト膜に気体状の溶剤を供給してリフロー処理を行い、乾燥してレジストパターンの形状を変化させるシステムを例にとって説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view showing a reflow system according to an embodiment of the present invention. Here, a system that supplies a gaseous solvent to a resist film after development processing formed on the surface of a glass substrate G for LCD, performs reflow processing, and dries to change the resist pattern shape will be described as an example. To do.
このリフローシステム100は、所定パターンのレジスト膜が形成されたガラス基板Gに対し、リフロー処理を含む一連の処理を施す処理ステーション1と、複数の処理前のガラス基板Gが収容されたカセットを載置し、そこから処理ステーション1にガラス基板Gを搬入する搬入部2と、空のカセットを載置し、処理ステーション2から搬出された処理済みのガラス基板をそのカセットに収容する搬出部3と、リフロー処理システム100の各構成部を制御する制御部4とを備えている。
The
処理ステーション1は、ガラス基板Gに対してレジストのリフロー処理、およびその後処理を行うための複数のユニットを備えている。具体的には、ガラス基板Gのレジスト層に溶剤を供給してリフロー処理を施すためのリフローユニット11と、リフローユニット11でのリフロー処理後、ガラス基板Gを乾燥して溶剤を揮発させる乾燥ユニット12と、乾燥後のガラス基板Gにプリベーク処理を施す加熱処理ユニット13とを備えている。
The
リフローユニット11は、ガラス基板G上にパターン形成されたレジストを溶剤雰囲気中で軟化させて流動化させ、パターンを変化させて新たなレジストパターンを形成するリフロー処理に用いられるユニットである。このリフローユニット11の内部構成について、図2、3を参照しながら説明する。
The
図2に示すように、リフローユニット11は、ガラス基板Gを連続的に搬送しながらリフロー処理を行う、いわゆる平流しタイプのものであり、筐体21を有し、筐体21内にはガラス基板Gが水平に搬送される搬送路22が形成されている。筐体21の一方の側壁には基板搬入口21aが形成され、その側壁と対向する側壁には基板搬出口21bが形成されていて、基板搬入口21aから搬入されたガラス基板Gが搬送路22を水平に搬送され、基板搬出口21bから搬出されるようになっている。また、ガラス基板Gを搬送するための搬送機構として、ガラス基板Gの幅方向に延びる複数のローラー23を備えている。複数のローラー23は水平方向に配列されており、その一部は、回転駆動機構(図示せず)に接続されて回転駆動され、これによりガラス基板Gが水平方向に搬送される。各ローラー23の内部には、温度調節媒体流路23aが設けられており、該温度調節用媒体流路23aに温度調節媒体を流通させることによって、ガラス基板Gの温度を調節できるようになっている。
As shown in FIG. 2, the
筐体21内には、搬送路22に沿って、複数(図2では3個)の溶剤雰囲気形成器であるリフロー処理器24が設けられている。
A plurality of (three in FIG. 2) solvent
図3はリフロー処理器の概略構成を示す縦断面図である。図3に示すように、リフロー処理器24は、ガラス基板Gが通過可能な角筒形状をなすケーシング25を有しており、その天壁26には溶剤供給部27および溶剤吸引部28が設けられている。また、ケーシング25の搬送方向上流側側壁には基板搬入口25aが設けられており、搬送方向下流側側壁には基板搬出口25bが設けられている。ケーシング25の内部には、リフロー処理時に溶剤雰囲気となるリフロー処理空間Sが形成されている。このように、ケーシング25の内部にリフロー処理空間Sを形成することにより溶剤の漏出が防止される。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the reflow processor. As shown in FIG. 3, the
リフロー処理器24において、溶剤供給部27および溶剤吸引部28は、天板26から外側(斜め上方)に突出して設けられている。溶剤供給部27の内部には溶剤供給路27aが形成されており、この溶剤供給路27aの上端には複数の溶剤供給管31が接続されていて、溶剤供給管31は溶剤供給源32に接続されている。溶剤供給路27aは、天壁26に設けられた溶剤供給孔26aに連続しており、溶剤供給孔26aはリフロー処理空間Sに臨むようにガラス基板Gの幅方向に長尺に開口している。この溶剤供給孔26a内には、例えば多孔質セラミックスなどの微細な気体流路を有する整流部材33が設けられ、気化された溶剤を含む気体をガラス基板Gへ向けて均一に吹き出すことができるように構成されている。
In the
また、溶剤吸引部28は、内部に排気路28aを備えており、この排気路28aの上端には複数の排気管34が接続されていて、排気管34は吸引ポンプなどの吸引機構35に接続されている。排気路28aは、天壁26に設けられた排気孔26bに連続しており、排気孔26bはリフロー処理空間Sに臨むように基板Gの幅方向に長尺に開口している。
Further, the
次に、乾燥ユニット12について説明する。
図4は乾燥ユニット12の概略構成を示す断面図である。この乾燥ユニット12は、リフローユニット11により溶剤雰囲気中でガラス基板Gに形成されたレジスト層のリフロー処理を行った後に、レジスト層に含まれる溶剤を均一に乾燥させるために減圧乾燥を行うものであり、ガラス基板Gを収容可能なチャンバー41と、ガラス基板Gのチャンバー41内への搬入、およびチャンバー41外への搬出を行う搬送機構42とを備えている。
Next, the drying
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the drying
チャンバー41は、薄型の箱状に形成されてガラス基板Gを略水平状態で収容可能であり、搬送方向に対向する側面部にそれぞれ、ガラス基板Gが通過可能なスリット状をなす搬入口41aおよび搬出口41bを有しており、搬入口41aおよび搬出口41bはゲート部材43および44により開閉されるようになっている。
The
チャンバー41の底面部には、このチャンバー41内と連通する排気管46が所定の間隔を有して複数設けられ、排気管46は排気装置47に接続されている。そして、ゲート部材43、44によって搬入口41aおよび搬出口41bを閉塞してチャンバー41内を密封した状態で排気装置47を作動させることにより、チャンバー41内を所定値に減圧することが可能となっている。排気管46および排気装置47は、チャンバー41内を減圧して、チャンバー41内に収容されたガラス基板Gの溶剤が供給されたレジスト層を乾燥させるための減圧機構を構成している。
A plurality of
搬送機構42は、ガラス基板Gを略水平に搬送し、搬入口41aからチャンバー41内に搬入し、搬出口41bからチャンバー41外に搬出するものである。搬送機構42は、チャンバー41内でガラス基板Gを搬送するチャンバー内搬送部42aと、ガラス基板Gを搬入口41aから搬入してチャンバー内搬送部42aに搬送する搬入側搬送部42bと、チャンバー内搬送部42aのガラス基板Gを搬出口41bから搬出する搬出側搬送部42cとを備えている。
The
内側搬送部42aは、チャンバー41内に、搬入口41a側端部および搬出口41b側端部にそれぞれ設けられた、円柱状をなすプーリー部材50aおよび50bと、これらプーリー部材50aおよび50bに掛け渡されたベルト51とを有している。ベルト51は、その上面が搬入口41aおよび搬出口41bの高さ範囲内に位置するように配置されている。プーリー部材50aおよび50bのうちの少なくとも一方は、回転軸がモーター等の駆動源に接続されており、駆動源によりプーリー部材を介してベルト51が作動され、ガラス基板Gが搬送される。
The
ベルト51は、適宜の樹脂材料で構成されることが好ましく、例えばウレタン系材料またはテフロン(登録商標)等のフッ素系材料により構成されている。また、ベルト51はガラス基板Gの幅と略等しい幅を有しており、また、プーリー部材50aおよび50b間の間隔は、ガラス基板Gの搬送方向長さよりも大きく設定されている。これにより、ベルト51は、減圧乾燥処理時に、ガラス基板Gの裏面を略全面にわたって支持することができる。
The
チャンバー41内には、プーリー部材50aおよび50bの外側に、それぞれ、案内用コロ部材54aおよび54bが回転可能に設けられている。これら案内用コロ部材54aおよび54bは、ベルト51の上面と同じ高さか若干高い高さとなるように設けられ、搬入側搬送部42bからベルト51へ、およびベルト51から搬出側搬送部42cへ確実に案内するようになっている。
In the
プーリー部材50aおよび50bに巻き掛けられたベルト51の間の空間には、充填部材45が、ベルト51に接触しないように設けられている。これにより、チャンバー41内の容積が小さくなり、減圧機構によってチャンバー41内を迅速に減圧することできる。
In the space between the
プーリー部材50aおよび50b間には、ガラス基板Gの幅方向に延びる、ベルト51の撓み防止するための補助用コロ部材55がベルト51を支持するように設けられている。
Between the
搬入側搬送部42bおよび搬出側搬送部42cは、それぞれ搬送方向に沿って複数のコロ部材56を有している。搬入側搬送部42bの外側コロ部材56は、リフロー処理後のガラス基板Gをチャンバー41内へ搬送する。一方、搬出側搬送部42cの外側コロ部材56は、減圧乾燥後のガラス基板を減圧乾燥ユニット12から加熱ユニット13へ搬送する。このように搬入側および搬出側がコロタイプとなっていることにより、アクチュエーター型やロボット型等の複雑な搬送機構を必要とすることなく、ガラス基板Gを搬送することができる。
The carry-in
チャンバー41内のプーリー部材50aと案内用コロ部材54aとの間、およびプーリー部材50bと案内用コロ部材54bとの間にはそれぞれ、上方に向かって窒素ガスを供給する窒素ガス供給部62が、ベルト51の幅方向に延びるように設けられている。窒素ガス供給部62は、減圧されたチャンバー41内に窒素ガスを供給することにより、チャンバー41内を素早く昇圧するとともに、ガラス基板Gのリフロー処理後のレジスト層が外部の空気に接触するのを抑制するためのものである。また、チャンバー41内の側面部には、ベルト51に付着した塵埃等を排出するため、局所排気管63がベルト51の間(ベルト51の裏面側)にベルトの幅方向に沿って設けられ、この局所排気管63は排気装置(図示せず)に接続されている。また、ベルト51の表面側にも局所排気管64が設けられている。この場合には、パーティクル対策として、局所排気管64にイオナイザーを配備しておき、ベルト51の表面を除電可能に構成しておくことが好ましく、局所排気管64およびイオナイザーは、ベルト51の作動時に作動し、ベルト51の停止時に停止するように制御させることが好ましい。
Between the
次に、加熱処理ユニット13について説明する。
図5は加熱処理ユニット13の概略構成を示す断面図である。この加熱処理ユニット13は、リフロー処理後のレジスト層を加熱してプリベーク処理を施すためのものであり、ガラス基板Gを連続的に搬送しながら加熱処理を行う、いわゆる平流しタイプのものであって、上記減圧乾燥ユニット12で減圧乾燥された後のガラス基板Gに加熱処理を施す。この加熱処理ユニット13は、筐体71を有し、筐体71内にはガラス基板Gが水平に搬送される搬送路72が形成されている。筐体71の一方の側壁には基板搬入口71aが形成され、その側壁と対向する側壁には基板搬出口71bが形成されていて、基板搬入口71aから搬入されたガラス基板Gが搬送路72を水平に搬送され、基板搬出口71bから搬出されるようになっている。また、ガラス基板Gを搬送するための搬送機構として、ガラス基板Gの幅方向に延びる複数のローラー73を備えている。複数のローラー73は水平方向に配列されており、その一部は、図示しない回転駆動機構に接続されて回転駆動され、これによりガラス基板Gが水平方向に搬送される。
Next, the
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the
筐体71内には、本来の加熱処理を行う加熱エリア13aと、加熱されたガラス基板Gを搬送可能な温度まで冷却する冷却エリア13bとが設けられている。
In the
加熱エリア13aには、ガラス基板Gを加熱するための複数のパネル形状のヒータ(熱板)74と、これら複数のヒータ74の間の隙間75から搬送路72の上方空間に所定温度に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給装置76と、隙間75から吸気を行うための吸気装置77と、ローラー73によって搬送されるガラス基板Gの裏面を加熱するためのIR(赤外線)ヒータ78とが設けられている。加熱ガス供給装置76からの加熱ガスの供給は加熱ガス供給配管79を介して行われ、吸気装置77による吸引は吸気配管80を介して行われる。
In the
ガラス基板Gの表裏で温度差が発生するとガラス基板Gに反りが生じるので、ガラス基板Gの表裏の温度が同程度となるように、ヒータ74とIRヒータ78の出力を制御する。ヒータ74からガラス基板Gの表面までの距離と、IRヒータ78からガラス基板Gの裏面までの距離は異なるので、ガラス基板Gの設定温度に対するヒータ74とIRヒータ78の出力の相関関係データを制御部4に記憶させておき、ガラス基板Gの設定処理温度に応じてヒータ74とIRヒータ78とを制御する。
When a temperature difference occurs between the front and back surfaces of the glass substrate G, the glass substrate G is warped. Therefore, the outputs of the
加熱処理の際に加熱ガス供給装置76から加熱ガスをガラス基板Gとヒータ74との間に供給することにより、ガラス基板Gの加熱を促進することができる。また、このようにガラス基板Gとヒータ74との間の空間に加熱ガスの供給排気を行うことによって、ガラス基板Gから発生する昇華物等を気流に乗せて、ガラス基板Gとヒータ74との間の空間から排除することができる。
When the heating gas is supplied between the glass substrate G and the
上記IRヒータ78は、ガラス基板Gのみならず、ローラー73を加熱するように配置することが好ましい。これによりローラー73からの熱伝達および熱輻射によってもガラス基板Gが加熱され、ガラス基板Gの加熱処理時間を短縮することができる。このため、ローラー73は、蓄熱性材料(例えば、セラミックス等)で構成されているものを用いることが好ましい。
The
冷却エリア13bには、ガラス基板Gを表面側から冷却するためにガラス基板Gの搬送路72の上方に設けられた冷却板81と、ガラス基板Gを裏面から冷却するためにガラス基板Gの裏面に冷却ガスを吹き付ける冷却ガス噴射装置82とが設けられている。
In the
冷却板81は、その内部に冷却媒体を通すための配管が埋設されており、配管84を介してチラー83との間で冷媒が循環するように構成されている。冷却板81の隙間から、冷却板81とガラス基板Gとの間の空間の温まったガスを吸気する構成としてもよい。
The cooling
また、冷却ガス噴射装置82は、冷却ガスを供給する冷却ガス供給部85と、冷却ガスを噴出する冷却ガス噴出ノズル86と、冷却ガス供給部85から冷却ガス噴出ノズル86へ冷却ガスを導く冷却ガス配管87とを有する。
Further, the cooling
なお、加熱エリア13aと冷却エリア13bとは大きな温度差があるため、これらの間をシャッタ等により遮断可能な構成として熱影響を排除する構成としてもよい。
In addition, since there is a large temperature difference between the
上記制御部4は、図1に示すように、リフローシステム100の各構成部が接続されるマイクロプロセッサからなるプロセスコントローラ14を有し、これにより各構成部が制御される。プロセスコントローラ14には、オペレータがリフローシステム100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、リフローシステム100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース15が接続されている。
As shown in FIG. 1, the control unit 4 includes a
また、プロセスコントローラ14には、リフローシステム100で実行される各種処理をプロセスコントローラ14の制御にて実現するための制御プログラムや、リフローシステム100の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部16が接続されている。レシピは記憶部16中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体はハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CDROM、DVD等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース15からの指示等にて任意のレシピを記憶部16から呼び出してプロセスコントローラ14に実行させることで、プロセスコントローラ14の制御下で、リフローシステム100での所望の処理が行われる。
The
このように構成されるリフローシステム100においては、所定のパターンにパターン形成されたレジスト層を有し、必要に応じて薄膜除去のための再現像処理やアドヒージョン処理等の所定の前処理が施されたガラス基板Gを複数収容したカセットを搬入部2に載置し、そこから適宜の搬送機構によりガラス基板Gを一枚ずつ処理ステーション1に搬入し、コロ等によりリフローユニット11に搬送する。
The
リフローユニット11においては、回転駆動機構(図示せず)を駆動させてローラー23を回転させ、ガラス基板Gを搬送路22に沿って搬送させ、筐体21内に搬入する。筐体21内において搬送路22を搬送されているガラス基板Gは、リフロー処理器24のケーシング25内に形成されたリフロー処理空間Sを通過する間に、溶剤供給源32から、溶剤供給管31、溶剤供給部27の溶剤供給路27aおよび天壁26の溶剤供給孔26aを介して傾斜した状態でリフロー処理空間Sにシンナー等の溶剤を含む気体を供給する。そして、リフロー処理空間Sに供給された溶剤を含む気体は、天壁26に形成された排気孔26bから溶剤吸引部28の排気路28aおよび排気管を経て吸引機構35により吸引される。これによりリフロー処理空間Sには溶剤供給孔26aから排気口26bへ向かう一方向の流れが形成され、溶剤を含む気体の流れにより、ガラス基板Gの表面にレジスト層が軟化して流動化し、変形レジストパターンが形成される。
In the
このとき、このような平流しタイプのリフローユニット11では、吸引機構35は、リフロー処理空間Sに供給された溶剤を含む気体を吸引するのみであり、密閉チャンバー方式のように減圧処理ができないため、レジスト層に吸収された溶剤が十分に排出されない高溶剤濃度の状態でガラス基板Gが排出される。
At this time, in such a flat-flow
従来はこの状態のままプリベーク処理を行っていたが、レジスト層中の溶剤濃度が高い状態でベーク処理を行うと、加熱によりレジスト層から急激に溶剤が排出されて乾燥不均一が生じ、それに起因してローラー等の転写跡が発生するなどの不都合が生じるおそれがある。 Conventionally, the pre-bake treatment was performed in this state. However, if the bake treatment is performed in a state where the solvent concentration in the resist layer is high, the solvent is suddenly discharged from the resist layer by heating, resulting in uneven drying. This may cause inconveniences such as generation of transfer marks such as rollers.
そこで、本実施形態では、リフローユニット11に隣接して乾燥ユニット12を設け、その乾燥ユニット12において緩やかな乾燥を行うことにより、不均一な乾燥状態を形成させないようにする。
Therefore, in the present embodiment, the drying
リフローユニット11から搬出されたガラス基板Gは、乾燥ユニット12の搬入側搬送部42bに受け渡され、搬入口41aから搬入されてチャンバー内搬送部42aのベルト51上に到達するまで搬送される。この際に、プーリー部材50bを回転駆動させてベルト51を作動させることにより、ベルト51上に達したガラス基板Gは、搬入側搬送部42bからチャンバー内搬送部42aに受け渡され、ベルト51上を搬送されてチャンバー41内に収容される。ガラス基板Gが、チャンバー41内に収容されてベルト51上に略全面にわたって載置された時点で、ベルト51の作動を停止し、ゲート部材43、44によって搬入口41aおよび搬出口41bを閉塞してチャンバー41内を密封する。
The glass substrate G carried out from the
そして、この状態で排気装置47を作動させてチャンバー41内を所定値まで減圧する。これにより、ガラス基板Gの表面に形成されたレジスト層が緩やかに乾燥され、溶剤の急激な放出が生じず、不均一な乾燥に起因するレジスト層の転写跡が生じ難くなる。
In this state, the
また、この際にベルト51がガラス基板Gを略全面に接して均等に支持し、ガラス基板Gの受け渡しの際にガラス基板Gを把持する機構やリフトピンを用いないので、これらに起因した転写跡が生じるおそれがなく、転写跡を一層生じ難くすることができる。
At this time, the
このようにして排気装置47を所定時間作動させた時点で排気装置47を停止し、減圧乾燥処理を停止する。そして、窒素ガス供給部62によりチャンバー41内に窒素ガスを供給してチャンバー41内を昇圧するとともに、ゲート部材43および44を退避させて搬入口41aおよび搬出口41bを開放する。この状態でベルト51を作動させるとともに搬出側搬送部42cのコロ部材56を駆動させることによりガラス基板Gをチャンバー41から搬出し、加熱処理ユニット13へ搬送される。
In this way, when the
加熱処理ユニット13においては、ガラス基板Gはローラー73により搬送路72を搬送されて、筐体71内に搬入される。そして、ガラス基板Gは、搬送路72を搬送されて加熱エリア13aを移動する間に、ヒータ74およびIRヒータ78により加熱されてプリベーク処理が施される。この際に加熱ガスをガラス基板Gとヒータ74との間の空間に供給するので加熱が促進され、また、ガラス基板Gとヒータ74との間の空間を排気するので昇華物等を速やかに排出することができる。
In the
この加熱の際には、ガラス基板Gのレジスト層中の溶剤が既に乾燥ユニット12によりある程度排出されているので、レジスト層に不均一な乾燥は生じず、転写跡が生じ難い。
During this heating, since the solvent in the resist layer of the glass substrate G has already been discharged to some extent by the drying
このようにプリベーク処理された後のガラス基板Gは、さらに搬送路72に沿って搬送されて、冷却エリア13bにおいて室温近傍まで冷却されて筐体71から排出される。その後、ガラス基板Gは、搬出部3に搬送され、そこに載置されたカセット内に収容される。そして、カセット内に所定枚数のガラス基板Gが収容された時点で、カセットを次工程の処理装置へ搬送する。
The glass substrate G that has been pre-baked in this way is further transported along the
このように、平流しタイプのリフローユニットによりリフロー処理した後に、ベーク処理に先立って緩やかな乾燥を行うので、リフロー処理直後にベーク処理を行う場合のような急激な乾燥が回避され、転写跡等の不都合を生じ難くすることができる。また、リフローユニット11、乾燥ユニット12、加熱処理ユニット13を一体としたシステムとしたので、リフロー処理からプリベーク処理までの工程を効率良く行うことができる。さらに、乾燥ユニット12の搬送機構をコロ56およびベルト51を用いたものとし、加熱処理ユニットを平流しタイプとしたので、平流しタイプのリフローユニット11から搬出されたガラス基板Gを、そのまま連続的に搬送した状態で一連の処理を行うことができ、装置の簡略化を実現することができるとともに、極めて効率的な処理を行うことができる。
As described above, after the reflow process is performed by the flat-flow type reflow unit, the drying is performed prior to the baking process, so that the rapid drying as in the case of performing the baking process immediately after the reflow process is avoided, and the transfer traces, etc. The inconvenience can be made difficult to occur. In addition, since the
次に、上記乾燥ユニット12における搬送機構の他の例について説明する。図6は他の例の搬送機構を備えた乾燥ユニットを示す断面図である。図6の乾燥ユニットは、搬送機構の構成が異なる点と、ガラス基板Gを上下するためのリフト機構が設けられている点が図4の乾燥ユニットと相違しており、他の構成は図4の乾燥ユニットと同じであるため、図4の乾燥ユニットと同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
Next, another example of the transport mechanism in the drying
ここでは、図4の搬送機構42の内側搬送部42aをコロ搬送を主体とする内側搬送部42a′に変更した搬送機構42′を用いている。搬入側搬送部42bおよび搬出側搬送部42cは図4の搬送機構42と同様に構成されている。
Here, a
内側搬送部42a′は、チャンバー41内の搬送方向に沿って配列された複数のコロ90を有している。このコロ90を回転させることにより、ガラス基板Gをコロ搬送で搬送方向に送るようになっている。そして、搬入側搬送部42bからコロ搬送で送られてくるガラス基板Gを同速度のコロ搬送でチャンバー41内に引き込むとともに、チャンバー41内で減圧乾燥処理の済んだガラス基板Gをチャンバー41の外部の搬出側搬送部42cへコロ搬送により送り出すようになっている。
The
内側搬送部42a′を構成するコロ90は、搬入口41aおよび搬出口41bに対応した高さ位置で搬送方向に沿って適当な間隔をおいて一列に配置されており、一部または全部のころ90がチャンバー41の外に設けられた搬送駆動部(図示せず)に接続されている。各コロ90は、基板の裏面に外径の一様な円筒部または円柱部で接触する棒体として構成されており、その両端部がチャンバー41の左右両側壁またはその近傍に設けられた軸受け(図示せず)に回転可能に支持されている。
The
チャンバー41内には、ガラス基板Gを略水平に支持して上下するためのリフト機構92が設けられている。このリフト機構92は、チャンバー41内に所定の配置パターン(例えばマトリクス状)で離散的に配置された多数本のリフトピン93と、これらのリフトピン93を所定の組またはグループ毎に内側搬送部42a′の基板の搬送路よりも低い位置にて支持する複数の水平棒または水平板からなるピンベース94と、各ピンベース94を昇降移動させるためにチャンバー41の下方に配置された昇降駆動源、例えばシリンダ95とを有している。
In the
具体的には、相隣接する2本のコロ90の隙間にコロ90と平行に一定間隔で複数本のリフトピン93を鉛直に立てて一列に配置し、このようなリフトピン列を搬送方向に適当な間隔をおいて複数設け、各ピンベース94に1組または複数組(図では2組)のリフトピン列を支持させる。そして、チャンバー41の底壁をシール部材96を介して気密状態で貫通し、かつ昇降移動可能な昇降駆動軸97によって、チャンバー41内側の各ピンベース94を対応するシリンダ95に接続している。
Specifically, a plurality of lift pins 93 are vertically arranged in a gap between two
このような構成のリフト機構92においては、全部のシリンダ95を同一タイミングで同一ストロークで前進(上昇)または後退(下降)駆動を一斉に行わせることにより、昇降駆動軸97およびピンベース94を介して全リフトピン93をピン先端の高さを揃えた状態で、搬送路よりも低い下降位置と、図示しているような搬送路より高い上昇位置との間で昇降移動させることができるようになっている。
In the
各リフトピン93は、本体部が剛性のある材料、例えばステンレス鋼からなり、先端部はPEEKやセラゾール(商品名)のような樹脂からなる円柱状の棒体として構成されている。この先端部は直径が0.8mm以下(好ましくは0.4〜0.6mm)と細く、先端が所定のR値(0.2〜0.3mm)で丸められている。
Each
チャンバー41の両端部における搬入口41aおよび搬出口41b近傍の基板搬送路よりも低い位置に、コロ90と平行に延材するように窒素ガス供給部99が設けられている。この窒素ガス供給部99は図4の窒素ガス供給部62と同様、窒素ガスを吐出するようになっており、減圧状態のチャンバー41内に窒素ガスを供給することにより、チャンバー41内を迅速に昇圧するとともに、ガラス基板Gのリフロー処理後のレジスト層が外部の空気に接触するのを抑制する。
A nitrogen
このようなコロ搬送タイプの乾燥ユニットにおいては、リフローユニット11から搬出されたガラス基板Gは、乾燥ユニット12の搬入側搬送部42bに受け渡され、搬入口41aから搬入されて、内側搬送部42a′のコロ90上を搬送されて、チャンバー41内に収容される。この際には、リフト機構92のリフトピン93は下降位置に待機している。そして、ガラス基板Gがチャンバー内に完全に収容された時点で、コロ90の搬送動作を停止し、ゲート部材43、44によって搬入口41aおよび搬出口41bを閉塞してチャンバー41内を密封する。
In such a roller conveyance type drying unit, the glass substrate G carried out from the
次いで、リフト機構92のシリンダ95によりリフトピン93を一斉に所定ストロークだけ上昇させ、ガラス基板Gを水平姿勢のまま、図示したような搬送路よりも上の所定位置に持ち上げる。そして、この状態で排気装置47を作動させてチャンバー41内を所定値まで減圧する。これにより、ガラス基板Gの表面に形成されたレジスト層が緩やかに乾燥され、溶剤の急激な放出が生じず、不均一な乾燥に起因するレジスト層の転写跡が生じ難くなる。しかし、この乾燥処理の間、ガラス基板Gは複数のリフトピン93に支持されることになるため、リフトピンに対応する転写跡が生じるおそれがある。しかし、リフトピン93の先端が極めて細く、しかも丸まった形状を有しているので、接触面積が極めて小さく、その転写跡は実用上無視できる程度である。なお、リフトピン93の先端部を樹脂とし本体を中空とすることで、熱伝導を一層少なくすることにより、このような転写跡を最小限に抑えることが可能となる。
Next, the lift pins 93 are simultaneously lifted by a predetermined stroke by the
このようにして排気装置47を所定時間作動させた時点で排気装置47を停止し、減圧乾燥処理を停止する。そして、窒素ガス供給部99によりチャンバー41内に窒素ガスを供給してチャンバー41内を昇圧するとともに、ゲート部材43および44を退避させて搬入口41aおよび搬出口41bを開放する。この状態でリフト機構92のリフトピン93を下降させて、ガラス基板Gを内側搬送部42a′のコロ90の上に載置した状態とし、コロ90を駆動させるとともに搬出側搬送部42cのコロ部材56を駆動させることにより、ガラス基板Gをチャンバー41から搬出し、さらに加熱処理ユニット13へと搬送する。
In this way, when the
次に、このようなリフロー、乾燥、プリベークを連続的に行うリフローシステムに適した乾燥ユニットの他の例について説明する。図7は乾燥ユニットの他の例を示す断面図である。 Next, another example of a drying unit suitable for such a reflow system that continuously performs reflow, drying, and pre-baking will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view showing another example of the drying unit.
この乾燥ユニット12′は、内部にガラス基板Gの搬送路102を有するチャンバー101が設けられており、このチャンバー101には搬送路102に沿って複数(図では3つ)の気流形成部103が設けられている。搬送路102は、気流形成部103においては浮上搬送区間104となっており、隣接する気流形成部103の間はコロ搬送区間105となっている。
The drying
ここでは、乾燥ユニット12′にガラス基板Gが搬送されると、搬送されている基板Gの下面は、複数のコロ搬送区間105のうち、必ずいずれかに掛かるようになっており、コロの回転駆動によりガラス基板Gが搬送されるように構成されている。すなわち、一つの気流形成部103における浮上搬送区間104の基板搬送方向に沿った長さは、ガラス基板の搬送方向の長さよりも短くなるように構成されている。
Here, when the glass substrate G is transported to the drying
浮上搬送区間104には、浮上ステージ106が配置されており、この浮上ステージ106には複数の通気孔(図示せず)が千鳥格子状に形成されている。これら通気孔には空気を噴出する噴出孔と空気を吸引する吸引孔が存在し、これらの空気の噴出と吸引により浮上ステージ106から所定距離浮上するようになっている。
A
各浮上ステージ106の下方には、噴出孔へ圧縮乾燥空気を供給し、吸気孔から浮上ステージ106の上方の空気を吸引し、浮上空気圧を制御する浮上空気圧制御機構107が設けられている。
Below each
また、搬送路102の搬送方向における複数箇所、好ましくは少なくともチャンバー101の前段部分を含む複数箇所にヒータ108が設けられ、搬送するガラス基板Gを加熱することが可能となっている。ヒータ108としては、例えばカーボンヒータ、プレートヒータ、赤外線ランプヒータ等を用いることができる。
In addition,
気流形成部103は、搬送方向の下流側に設けられた給気路109と、上流側に設けられた吸引路110と、給気路109および吸引路110の間に設けられ、チャンバー101内に形成された流路111とを有している。給気路109には所定温度の圧縮乾燥空気を供給するための給気機構112が接続されており、吸引路110には流路111内の空気を吸引するための吸引機構113が接続されていて、これら給気機構112および吸引機構113には空気の供給量および吸引量ならびに供給する空気の温度を制御する気流制御部114が接続されている。そして、気流制御部114により制御しつつ給気機構112および吸引機構113を作動させることにより、流路111にガラス基板Gの搬送方向とは反対向きの所定の気流が形成されるようになっている。このようにガラス基板Gの搬送方向と反対方向の気流を形成することにより、搬送されるガラス基板Gの上面に効率良く乾燥空気の気流が形成され、高効率で溶剤の乾燥を行うことができる。
The air
そして、このように気流形成部103を搬送方向に沿って複数設け、これら気流形成部103の各々を個別に設けられた気流制御部114により個別に制御可能となっており、気流形成部103毎にガラス基板Gに対する乾燥効果に差異を持たせる等、乾燥効果の調整が可能となっている。
In this way, a plurality of air
上記給気路109には、複数の通気孔が形成された整流板115が設けられており、これにより供給された乾燥圧縮空気が整流されるようになっている。この整流板115は、例えば焼結金属により形成される。
The
上記搬送路102の複数のコロ搬送区間105には、基板搬送方向に沿って配列された複数のコロ116が設けられている。コロ116の下方にはそれぞれ排気室117が設けられ、排気室117の底部には排気路118が設けられていて、さらに排気路118には共通の排気装置119が接続されている。そして、排気装置119を作動させることによりコロ搬送区間105に下向きの気流が形成され、下流側の機構に悪影響を与えないようになっている。
A plurality of
このように構成された乾燥ユニット12′においては、搬送路102に沿ってリフロー処理後のガラス基板Gがチャンバー101内に搬入される。このとき、まず、ガラス基板Gはヒータ108の上方を通過することにより加熱され、所定温度(例えば100〜120℃)まで昇温し、ガラス基板上に形成されたレジスト膜中の溶剤が揮発しやすい状態とされる。次いで、ガラス基板Gはコロ搬送区間105により搬送路102を移動し、最初の気流形成部103の流路111に進入する。流路111には、ガラス基板Gの搬送方向と反対方向に乾燥空気の気流が形成されており、ガラス基板Gの上面に効率良く乾燥空気の気流が当たり、レジスト膜中の溶剤が高効率で蒸発する。このとき、上述したように、ガラス基板Gはヒータ108により昇温して、蒸発しやすい状態であるため、蒸発が一層効果的に進行する。また、このような気流による乾燥は、ベーク処理のような溶剤の急激な蒸発をともなわないため、均一な乾燥を行うことができる。さらに、このとき気流形成部103の流路111において、ガラス基板Gは浮上空気により浮上した状態で搬送方向に移動されるため、コロ搬送の場合のような乱流が生じ難く、より均一な乾燥を行うことができる。そして、このようにしてレジスト膜から蒸発した溶剤は吸引路110を経て速やかに吸引排気される。
In the drying
ガラス基板Gは、先端側から順に乾燥処理がなされていき、複数の気流形成部103に順次搬送されて乾燥空気の気流による乾燥処理が連続的に行われる。このとき、気流形成部103ごとに乾燥条件を変化させることにより、ガラス基板Gのレジスト膜の乾燥を段階的に行ってより適切な乾燥状態を得ることができる。
The glass substrate G is subjected to a drying process in order from the front end side, and is sequentially conveyed to the plurality of
このような乾燥空気の気流による乾燥処理を適用することにより、減圧乾燥のようなチャンバ内を減圧にするためのポンプ等の排気装置や、チャンバ開閉のための機構が不要となり、装置構成をより簡易かつ安価にすることができる。 By applying such a drying process using an air stream of dry air, an exhaust device such as a pump for reducing the pressure in the chamber, such as vacuum drying, and a mechanism for opening and closing the chamber become unnecessary, and the device configuration is further improved. Simple and inexpensive.
また、この乾燥ユニット12′は、平流しタイプであるから、他のユニットとともに完全平流しのシステムとして構築することができ、スループットを高めることができる。 Further, since this drying unit 12 'is a flat flow type, it can be constructed as a completely flat flow system together with other units, and the throughput can be increased.
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、リフローユニットとして、ガラス基板の搬送方向に溶剤を含む気体の流れを形成した例を示したが、これに限らず、逆向きの流れを形成してもよいし、溶剤を含む気体の供給点の両側へ向かう流れを形成してもよい。また、平流しタイプのリフローユニットとしては、上記実施形態のように溶剤雰囲気形成器であるリフロー処理器を複数用いるものに限らず、例えばガラス基板の搬送路全体を溶剤雰囲気とするものであってもよい。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above embodiment, as the reflow unit, an example in which a gas flow containing a solvent is formed in the conveyance direction of the glass substrate has been shown. However, the present invention is not limited thereto, and a reverse flow may be formed. You may form the flow which goes to the both sides of the supply point of the gas containing. In addition, the flat flow type reflow unit is not limited to one using a plurality of reflow treatment devices as a solvent atmosphere forming device as in the above-described embodiment. For example, the entire conveyance path of the glass substrate is a solvent atmosphere. Also good.
乾燥ユニットとしては、上記実施形態のようなベルト搬送タイプやコロ搬送タイプのものに限るものではなく、また、減圧乾燥や気流乾燥に限るものでもない。さらに、乾燥ユニットとしては、上記例のような間欠的にガラス基板を搬送可能なものや平流しタイプのものに限らず、例えば、図8に示すように、上部チャンバー201と下部チャンバー202とを有し、その中にガラス基板Gを載置する支持ピン203aを有する載置台203を配置し、下部チャンバー202の底部に排気路204を設け真空ポンプ206によりチャンバー内を排気するタイプの減圧乾燥ユニットであってもよい。
The drying unit is not limited to the belt conveyance type or roller conveyance type as in the above embodiment, and is not limited to vacuum drying or airflow drying. Furthermore, the drying unit is not limited to a unit that can intermittently transport a glass substrate as in the above example or a flat-flow type, but includes, for example, an
また、加熱処理ユニットとしても上記実施形態のような平流しタイプのものに限らず、例えば図9に示すように、容器211内にヒータ214が内蔵された加熱プレート213を配置し、その上に形成されたピン213a上にガラス基板Gを載置し、容器211の上に蓋212を設けた状態で、容器211と蓋212の間の隙間216から蓋212の中央に形成された排出口215に至る気流を形成した状態で加熱するチャンバータイプの加熱処理ユニットであってもよい。
Further, the heat treatment unit is not limited to the flat-flow type as in the above-described embodiment. For example, as shown in FIG. 9, a
さらにまた、リフロー処理後に加熱処理に先立って行われる乾燥処理は、減圧乾燥処理に限らず、加熱をともなわない乾燥であればよく、例えば送風乾燥等、他の乾燥方式であってもよい。 Furthermore, the drying process performed prior to the heat treatment after the reflow process is not limited to the vacuum drying process, and may be any drying method that does not involve heating. For example, other drying methods such as blow drying may be used.
さらにまた、上記実施形態では基板としてFPD用のガラス基板を用いた例について示したが、半導体ウエハ等の他の基板のガス処理にも適用可能である。 Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which a glass substrate for FPD is used as a substrate has been described.
1;処理ステーション
2;搬入部
3;搬出部
4;制御部
11;リフローユニット
12、12′;乾燥ユニット
13;加熱処理ユニット
14;プロセスコントローラ
15;ユーザーインターフェース
16;記憶部
24;リフロー処理器
100;リフローシステム
G;ガラス基板
DESCRIPTION OF
Claims (22)
レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する乾燥ユニットと、
乾燥ユニットにより乾燥された基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニットと
を具備することを特徴とするリフローシステム。 A reflow unit for supplying a solvent to the substrate while carrying a substrate having a resist layer of a predetermined pattern along the carrying path, and performing a reflow process of the resist layer;
A drying unit for drying the substrate after the reflow treatment is applied to the resist layer;
A reflow system comprising: a heat treatment unit for heating and baking the substrate dried by the drying unit.
基板が搬入される搬入口および基板が搬出される搬出口を側壁部に有し、基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバーの前記搬入口および搬出口を開閉するゲート部材と、
前記チャンバー内を排気して減圧する減圧機構と、
基板を水平方向に搬送して前記搬入口から前記チャンバー内に搬入し、前記チャンバー内で基板を水平状態で支持し、減圧処理後に基板を水平に搬送して前記搬出口から搬出する搬送機構と
を有することを特徴とする請求項3に記載のリフローシステム。 The drying unit includes:
A chamber having a carry-in port into which the substrate is carried in and a carry-out port through which the substrate is carried out on the side wall, and accommodating the substrate;
A gate member that opens and closes the carry-in port and the carry-out port of the chamber;
A decompression mechanism for evacuating and depressurizing the chamber;
A transport mechanism for transporting a substrate in a horizontal direction and transporting the substrate into the chamber from the transport inlet, supporting the substrate in a horizontal state in the chamber, transporting the substrate horizontally after decompression processing, and transporting the substrate from the transport outlet; The reflow system according to claim 3, further comprising:
基板が搬送される搬送路と、
搬送路に沿って設けられ、その中に気流が形成される気流形成部と、
搬送路に沿って基板を搬送する搬送機構と
を有することを特徴とする請求項7に記載のリフローシステム。 The drying unit includes:
A transport path through which the substrate is transported;
An airflow forming portion provided along the transport path, in which an airflow is formed;
The reflow system according to claim 7, further comprising a transport mechanism that transports the substrate along the transport path.
前記乾燥ユニットで乾燥された後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を加熱してベーク処理することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のリフローシステム。 The heat treatment unit includes:
The substrate is heated and baked while the substrate after being dried by the drying unit is transported along the transport path, according to any one of claims 1 to 9. Reflow system.
レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する乾燥ユニットと、
乾燥ユニットにより乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間に基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニットと
を具備することを特徴とするリフローシステム。 A reflow unit for supplying a solvent to the substrate and reflowing the resist layer while the substrate having a resist layer of a predetermined pattern is conveyed in one direction along the conveyance path;
A drying unit that transports the substrate after the reflow treatment to the resist layer in the one direction and carries it into the chamber, dries the substrate therein, transports the substrate in the one direction, and carries it out of the chamber; ,
A reflow system comprising: a heat treatment unit that heats and bake a substrate while the substrate dried by the drying unit is conveyed in the one direction along the conveyance path.
レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する工程と、
乾燥された基板を加熱してベーク処理を行う工程と
を含むことを特徴とするリフロー方法。 A step of supplying a solvent to the substrate while carrying the substrate having the resist layer of a predetermined pattern along the carrying path, and performing a reflow process of the resist layer;
A step of drying the substrate after the reflow treatment is performed on the resist layer;
And a baking process by heating the dried substrate.
レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、乾燥後の基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する工程と、
乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間にその基板を加熱してベーク処理する工程と
を含むことを特徴とするリフロー方法。 A step of supplying a solvent to the substrate and reflowing the resist layer while the substrate having the resist layer of a predetermined pattern is being conveyed in one direction along the conveyance path;
The substrate after the reflow treatment is applied to the resist layer is transported in the one direction and carried into the chamber, the substrate is dried therein, and the dried substrate is transported in the one direction and carried out of the chamber. Process,
A step of heating and baking the substrate while the dried substrate is transported in the one direction along the transport path.
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