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JP2008214339A - 新規なジピレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、発光材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

新規なジピレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、発光材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Abstract

【課題】新規なジピレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、発光材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子の提供。
【解決手段】下記一般式(1)

(式中、Qはフェナントロリン、ピリジンなどよりなる群から選ばれた基である)で示されるジピレン誘導体。
【選択図】なし

Description

本発明は、新規なジピレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、発光材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機エレクトロルミネッセンスは1960年代、M.Popeらが厚さ10〜20μmのアントラセン単結晶に銀ペーストで電極を付け、約400Vの直流を印加することによってアントラセンからの発光を観察したことが発端である(非特許文献1)。しかしながらこの時点では十分なキャリア注入はできていなかったために、発光も弱いものでしかなかった。その後、注入型のエレクトロルミネッセンスを有機薄膜化することで面状の発光を取り出し、駆動電圧を下げ、成膜加工性を良くする試みがなされた。
1987年KodakのC.W.Tangらは、それまで分析化学の分野で金属の定量分析用の試薬として使用されていた8−キノリノールを配位子として用いたアルミニウム錯体を電子輸送性発光材料、トリフェニルジアミン誘導体であるTAPCをホール輸送性材料として用い、真空蒸着法により透明電極上に1000Å以下の超薄膜を積層させることで10V以下の直流電圧駆動で緑色の1000cd/m以上の発光輝度、発光効率1.5lm/Wという実用的な特性の面状発光を示す機能分離積層型有機エレクトロルミネッセンス素子を報告した(非特許文献2)。
これに続き安達らは、有機薄膜の注入電流の挙動に系統的な差異が存在することから、有機材料の電位的特性(より電子輸送性か、またはホール輸送性かという電位的特性)を分類し、その性質により、用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を変化させる必要があることを提案した(非特許文献3、4)。
有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる有機材料には低分子材料と高分子材料の二つがあり、ことに低分子材料の発展がめざましい。低分子に用いられる材料としてホール輸送材料や電子輸送材料、発光層に用いられる有機金属錯体、またドーパントとして用いられる蛍光色素などがある。
ホール輸送材料は、アリールアミン構造をとるものがほとんどであり、有機エレクトロルミネッセンス素子で用いられるものとしては、テトラフェニルジアミン誘導体であるTPD(N,N′−ジトリル−N,N′−ジフェニル−1,1′−ビフェニル)が挙げられるが、ガラス転移温度(Tg)が63℃と低く、耐熱性に問題があり、素子劣化の原因となっていた。この問題を解決すべく、ナフチル基を導入し立体障害を大きくすることでTgを95℃と高くしたα−NPD〔N,N′−ジ(1−ナフチル)−N,N′−ジフェニル−1,1′−ビフェニル〕が提案され、広く用いられるようになった。
現在ではさらに立体障害が大きく、剛直な官能基や骨格をもたせた100℃を超えるような高いTgを有するホール輸送材料としてスターバースト型のアリールアミン類(非特許文献5、6)やスピロ化合物(非特許文献7)などが多数合成されている。
また電子輸送材料については、Alqのような有機金属錯体のほかにオキサジアゾール誘導体(非特許文献3、4)やトリアゾール誘導体(非特許文献8)などが多数報告されている。
これらの化合物は、イオン化ポテンシャルが大きくホールブロック効果が高いため電子輸送材料として適しているが、発光層の有機化合物と分子間錯形成をするものもあり、発光層本来の発光色が得られなかったりすることが見受けられる。そのため電子輸送材料でこのような錯形成を防ぐための改善が必要となった。
W.Helfrich, W.G.Schneider Phys. Rev. Lett., 14 229 (1965) C.W.Tang, Van Slyke Appl. Phys. Lett., 55 931 (1987) C.Adachi, T.Tsutsui and S.Saito Appl. Phys. Lett., 55 1489 (1989) C.Adachi, T.Tsutsui and S.Saito Appl. Phys. Lett., 57 531 (1990) Y.Shirota, T.Kobata and N.Noma, Chem.Lett., 1145 (1989) Y.Kuwabara, H.Ogawa, H.Inada, N.Noma and Y.Shirota Adv. Mater., 6 677 (1994) J.Salbeck, N.Yu, J.Bauer, F.Weissortel and H.Bestgen Synth. Met., 91 209 (1997) J.Kido M.Kimura and K.Nagai Science 267 1332 (1995)
本発明の目的は、新規なジピレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、発光材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する点にある。
本発明の第1は、下記一般式(1)
(式中、Qは
よりなる群から選ばれた基であり、R〜Rは、水素、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルコキシ基および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、R10〜R31は、水素および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である)
で示されるジピレン誘導体に関する。
本発明の第2は、請求項1記載のジピレン誘導体よりなる電子輸送材料に関する。
本発明の第3は、請求項1記載のジピレン誘導体よりなる発光材料に関する。
本発明の第4は、請求項1記載のジピレン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
本発明の第5は、請求項1記載のジピレン誘導体を電子輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
本発明の第6は、請求項1記載のジピレン誘導体を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
本発明におけるR〜RおよびR10〜R31における炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、iso−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、iso−ペンチル、2,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシル、2−メチルペンチル、3−メチルペンチル、4−メチルペンチル、2,2−ジメチルブチル、2,3−ジメチルブチル、3,3−ジメチルブチルなどを挙げることができる。
本発明におけるR〜Rにおける炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルコキシ基は、−OHの水素を前記アルキル基で置換されたタイプのものであり、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基を持つアルキルアミノ基は、−NHの水素の1部または全部が前記アルキル基で置換されたタイプのものである。
本発明の化合物は、下記の反応により製造する事ができる。
なお、前記式中Qは
よりなる群から選ばれた基であり、R〜Rは、水素、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルコキシ基および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、R10〜R31は、水素および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Xはハロゲンであり、Pd(dba)は下記式に示すトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムであり、PCyはトリシクロホスフィンである。
本発明化合物の具体例を以下に例示する。
本発明の新規なジピレン誘導体は高い電子輸送性能を有する。従って電子輸送材料として使用することができる。またピレン骨格を有することから発光材料としても使用することができる。
本発明の新規なジピレン誘導体を有機エレクトロルミネッセンスに使用する場合、適当な発光材料と組み合わせて使用することができる。
本発明の新規なジピレン誘導体を電子輸送層に用いる場合、本発明の化合物は電子輸送材料として使用できる。また他の電子輸送材料と組み合わせて使用することができる。
本発明の新規なジピレン誘導体を発光層に用いる場合、本発明の化合物は発光材料として使用できる。また他の発光材料と組み合わせて使用することができる。
次に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。本発明の有機EL素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機化合物を積層した素子であり、該有機化合物層の少なくとも一層が本発明のジピレン誘導体を含有する。有機EL素子が一層の場合、陽極と陰極間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有しそれに加えて陽極から注入した正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送するのが目的で、本発明の化合物もしくは既存の正孔輸送材料もしくは電子輸送材料を含有していても良い。多層型の有機EL素子の構成例としては、陽極(例えばITO)/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、陽極(ITO)/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、陽極(ITO)/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/陰極、陽極(ITO)/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極、陽極(ITO)/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極等の多層構成で積層したものが挙げられる。また、必要に応じて陰極上に封止層を有していても良い。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板に支持されていることが好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても、多層構造であっても良い。また正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を受け持つ層(正孔注入層および電子注入層)と輸送機能を受け持つ層(正孔輸送層および電子輸送層)を別々に設けることもできる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記構成例に限らず、種々の構成とすることができる。必要に応じて、正孔輸送成分と発光層成分、あるいは電子輸送層成分と発光層成分を混合した層を設けても良い。
以下本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成要素に関して、ITO(陽極)/ホール(正孔)輸送層/発光層/電子輸送層/陰極からなる素子構成を例として取り上げて説明する。
基板の素材については特に制限はなく、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子に慣用されているものであれば良く、例えば、ガラス、石英ガラス、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極としては、仕事関数の大きな金属単体(4eV以上)、仕事関数の大きな金属同士の合金(4eV以上)または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、金、銀、銅等の金属、ITO(インジウム−スズオキサイド)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)などの導電性透明材料、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子材料が挙げられる。陽極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリング、塗布などの方法により形成することができる。陽極のシート電気抵抗は数百Ω/cm以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、一般に5〜1,000nm程度、好ましくは10〜500nmである。
陰極としては、仕事関数の小さな金属単体(4eV以下)、仕事関数の小さな同士の合金(4eV以下)または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金などが挙げられる。陰極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作成することができる。陰極のシート電気抵抗は数百Ω/cm以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に5〜1,000nm程度、好ましくは10〜500nmである。本発明の有機EL素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は透明もしくは半透明であることが好ましい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層は、正孔伝達化合物からなるもので、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた2つの電極の間に正孔伝達化合物が配置されて陽極から正孔が注入された場合、少なくとも10−6cm/V・秒以上の正孔移動度を有する正孔伝達物質が好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層に使用する正孔伝達物質は、前記の好ましい性能を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料において正孔の電荷注入材料として慣用されているものや有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
前記の正孔伝達物質としては、たとえば銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、N,N,N′,N′−テトラフェニル−1,4−フェニレンジアミン、N,N′−ジ(m−トリル)−N,N′−ジフェニル−4,4−ジアミノフェニル(TPD)、N,N′−ジ(1−ナフチル)−N,N′−ジフェニル−4,4−ジアミノフェニル(α−NPD)等のトリアリールアミン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、および水溶性のPEDOT−PSS(ポリエチレンジオキサチオフェン−ポリスチレンスルホン酸)などが挙げられる。正孔輸送層は、これらの他の正孔伝達化合物一種または二種以上からなる一層で構成されたものでよく、前記の正孔伝達物質とは別の化合物からなる正孔輸送層を積層したものでも良い。
正孔注入材料としては、下記化学式に示されるPEDOT−PSS(ポリマー混合物)やDNTPDを挙げることができる。nは、重合体の基本鎖が多数存在することを示す。
正孔輸送材料としては、下記化学式に示すTPD、DTASi、α−NPDなどを挙げることができる。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層については、本発明のジピレン誘導体を用いることができる。また従来の公知の材料についても特に制限はなく任意のものを選択して用いることができる。
発光材料としては、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体(例えばクマリン1、クマリン540、クマリン545など)ピラン誘導体(例えばDCM−1、DCM−2、DCJTBなど)、有機金属錯体、例えばトリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)、トリス(4−メチル−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体(Almq)等の蛍光材料や[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジル−N,C2′]イリジウム(III)ピコリレート(FIrpic)、トリス{1−[4−(トリフルオロメチル)フェニル]−1H−ピラゾラート−N,C2′}イリジウム(III)(Irtfmppz)、ビス[2−(4′,6′−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2′]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレート(FIr6)、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(Irppy)などのリン光材料などを挙げることができる。
発光層は、ホスト材料とゲスト材料(ドーパント)から形成することもできる[Appl.Phys.Lett.,65 3610 (1989)]。特にリン光材料を発光層に使用する場合、ホスト材料の使用が必要であり、この時使用されるホスト材料としては4,4′−ジ(N−カルバゾリル)−1,1′−ビフェニル(CBP)、1,4−ジ(N−カルバゾリル)ベンゼン−2,2′−ジ[4″−(N−カルバゾリル)フェニル]−1,1′−ビフェニル(4CzPBP)等が挙げられる。
ゲスト材料は、ホスト材料に対して好ましくは0.01〜40重量%であり、より好ましくは0.1〜20重量%である。ゲスト材料としては、下記に示す従来公知のFIrpic、Irppy、FIr6等を挙げることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層の材料としては、本発明の新規なジピレン誘導体が好ましい。このものは単独で使用できるが他の電子輸送材料と併用しても構わない。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、電子注入性をさらに向上させる目的で陰極と有機層の間に導電体から構成される電子注入層をさらに設けても良い。ここで使用される導電体としては、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、アルカリ金属有機錯体から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用することが好ましい。アルカリ金属ハロゲン化物としては、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、塩化リチウムなどが挙げられる。アルカリ土類金属ハロゲン化物としては、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウムなどが挙げられる。アルカリ金属有機錯体としては、8−ヒドロキシキノリノラトリチウム、8−ヒドロキシキノリノラトセシウムなどが挙げられる。
正孔輸送層、発光層の形成方法については特に限定されるものではない。例えば乾式製膜法(例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など)、湿式製膜法[溶媒塗布法(例えばスピンコート法、キャスト法、インクジェット法など)]を使用することができる。本発明の新規なジピレン誘導体は、乾式製膜法(例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など)が好ましい。電子輸送層の製膜については、湿式製膜法で行うと下層が溶出する恐れがあるため乾式製膜法(例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など)に限定される。素子の作成については上記の製膜法を併用しても構わない。
真空蒸着法により正孔輸送層、発光層、電子輸送層などの各層を形成する場合、真空蒸着条件は特に限定されるものではない。通常10−5Torr程度以下の真空下で50〜500℃程度のボート温度(蒸着原温度)、−50〜300℃程度の基板温度で、0.01〜50nm/sec.程度蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各層を複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れたボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。
正孔輸送層、発光層を溶媒塗布法で形成する場合、各層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒としては、炭化水素系溶媒(例えばヘプタン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等)、ケトン系溶媒(例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等)、ハロゲン系溶媒(例えばジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等)、エステル系溶媒(例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等)、アルコール系溶媒(例えばメタノール、エタノール、ブタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等)、エーテル系溶媒(例えばジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン等)、非プロトン性溶媒(例えばN,N′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等)、水等が挙げられる。溶媒は単独で使用しても良く、複数の溶媒を併用しても良い。
正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常5〜5,000nmになるようにする。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、酸素や水分等の接触を遮断する目的で保護層(封止層)を設けたり、不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としては、パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等がある。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、通常直流駆動の素子として使用できる。直流電圧を印加する場合、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として通常1.5〜20V程度印加すると発光が観察される。また本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は交流駆動の素子としても使用できる。交流電圧を印加する場合には、陽極がプラス、陰極がマイナスの状態になった時に発光する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば電子写真感光体、フラットパネルディスプレイなどの平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、計器等の光源、各種発光素子、各種表示装置、各種標識、各種センサー、各種アクセサリーなどに使用することができる。
図48〜61に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい例を示す。
図48は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。図48は、基板1上に陽極2、発光層3および陰極4を順次設けた構成のものである。ここで使用する発光材料は、それ自体が正孔輸送性、電子輸送性および発光性の機能を単一で有している場合や、それぞれの機能を有する化合物を混合して使用する場合に有用であり、この発光層3に本発明化合物を用いることができる。
図49は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図49は、基板1上に陽極2、正孔輸送層5、発光層3および陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、発光層は電子輸送性の機能を有している場合に有用であり、この発光層3に本発明化合物を用いることができる。
図50は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図50は、基板1上に陽極2、発光層3、電子輸送層6および陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、発光層は正孔輸送性の機能を有している場合に有用であり、この発光層3に本発明化合物を用いることができる。
図51は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図51は、基板1上に陽極2、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6および陰極4を順次設けた構成のものである。これはキャリア輸送と発光の機能を分離したものであり、材料選択の自由度が増すために、発光の高効率化や発光色の自由度が増すことになる。本発明の化合物は、発光層や電子輸送層に用いることができる。
図52は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図52は、基板1上に陽極2、正孔注入層7、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6および陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、正孔注入層7を設けることにより、陽極2と正孔輸送層5の密着性を高めたり、陽極からの正孔の注入を良くし、発光素子の低電圧化に効果がある。本発明の化合物は、発光層や電子輸送層に用いることができる。
図53は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図53は、基板1上に陽極2、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6、電子注入層8および陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、陰極4から電子の注入を良くし、発光素子の低電圧化に効果がある。本発明の化合物は、発光層や電子輸送層に用いることができる。
図54は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図54は、基板1上に陽極2、正孔注入層7、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6、電子注入層8および陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、陽極2から正孔の注入を良くし、陰極4から電子注入を良くし、最も低電圧駆動に効果がある構成である。本発明の化合物は、発光層や電子輸送層に用いることができる。
図55〜61は素子の中に正孔ブロック層を挿入したものの断面図である。正孔ブロック層は、陽極から注入された正孔、あるいは発光層3で再結合により生成した励起子が、陰極4に抜けることを防止する効果があり、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上に効果がある。正孔ブロック層9については、発光層3と陰極4の間もしくは発光層3と電子輸送層6の間あるいは発光層3と電子注入層8の間に挿入することができる。より好ましいものは発光層3と電子輸送層6の間である。
図55〜61で、正孔輸送層5,正孔注入層7、電子輸送層6、電子注入層8、発光層3、正孔ブロック層9のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であっても良い。
図48〜61は、あくまでも基本的な素子構成であり、本発明の化合物は、発光層や電子輸送層に用いることができる。本発明の化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の構成はこれに限定されるものではない。
前記電子注入層に用いる電子注入材料としては、公知のもののほか、本出願人の特願2006−292032号にかかる化合物、例えば下記化合物群を例示することができる。
本発明の新規なジピレン誘導体は、Alq等の従来の電子輸送層に比べ電子輸送能が非常に大きい。また移動度も大きく素子中でのホールとのキャリアーバランスにも優れている。また発光材料として使用した場合、青色から緑色にかけての発光を示し素子のフルカラー用あるいは白色用材料として適しているので、本発明の新規なジピレン誘導体は工業的に極めて重要なものである。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
実施例1
3,8−ジ(1−ピレニル)−1,10−フェナントロリン(略称DPyre−Phen)の合成
ピレン−1−ホウ酸(PyrebAc)(6.75mmol,1.66g)と3,8−ジブロモ−1,10−フェナントロリン(DBPhen)(3.07mmol,1.06g)を1,4−ジオキサン(100ml)に溶解させ、リン酸カリウム(9.21mmol)とイオン交換水(7.5ml)を加え、窒素バブリングを1時間行った。その後、トリシクロホスフィン〔PCy〕(0.13mmol:式中の%は、ピレン−1−ホウ酸に対する%である)とトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム〔Pd(dba)〕(0.06mmol:式中の%は、ピレン−1−ホウ酸に対する%である)を加え、窒素気流下100℃で16時間反応させた。反応終了後、1,4−ジオキサンをエバポレーターで除去し、クロロホルムで抽出した後、イオン交換水、飽和食塩水で洗浄し、エバポレーターにより溶媒を除去した。精製はカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:メタノール=100:1)で行ったあと、再結晶(クロロホルム:n−へキサン=2:1)、昇華精製を行い、黄色の粉体を得た。同定は、H−NMRスペクトル及びMassスペクトルにより行った。(収量0.82g、収率46%)
実施例1の化合物の融点(Tm)、ガラス転移温度(Tg)および分解温度(Td)を表1に示す。
Tm(融点)は、DSC(Differential Scanning Calorimeter:示差熱量計)にサンプルを加え、昇温してゆくと吸熱カーブが現れるので、その極大のところの温度を読んでその温度をTmとする。
Tg(ガラス転移温度)については、同じくDSCの中にサンプルを加え、溶融させたものを急冷し、2〜3回繰り返すとガラス転移を表すカーブがチャート上に現れるので、そのカーブを接線で結び、その交点をTgとして採用する。
Td(分解温度)はDTA(Differential Thermal Analyzer:示差熱分析装置)にサンプルを加え加熱してゆくと、サンプルの熱によって分解し重量が減少しだす。その現象が開始しだしたところの温度を読んで、その温度をTdとする。
このものの高真空昇華精製前の融点のDSC曲線を図1に、その3回目測定の拡大図を図2に、高真空昇華精製後の融点のDSC曲線を図3に、その拡大図を図4に示す。このもののH−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を図5に、その拡大図(7〜10ppm)を図6に、Massスペクトルを図7示す。
実施例2
3,5−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(略称35PYREPY)の合成
3,5−ジブロモピリジン(35DBPY)(4.0mmol,0.9g)とピレン−1−ホウ酸(PyrebAc)(8.8mmol,2.2g)をトルエン(80ml)/エタノール(40ml)に溶解させ、炭酸カリウム(24mmol)とイオン交換水(12ml)を加え、窒素バブリングを1時間行った。その後、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム〔Pd(phP)〕(0.4mmol)を加え、窒素気流下80℃で12時間反応させた。反応終了後、反応溶液にクロロホルムを加え撹拌した。その後、トルエンで抽出し、イオン交換水、飽和食塩水で洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、エバポレーターにより溶媒を除去した。精製はカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で行ったあと、昇華精製を行い、黄色の結晶を得た。同定は、H−NMRスペクトル及び元素分析により行った(収量1.54g、収率80%)。
表2はこのものの元素分析の結果である。またこのもののクロロホルム中(濃度1×10−5mol/l)の紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)と薄膜(Film)状での紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)を表3に示す。
このものの紫外−可視吸収スペクトルは図8に、励起スペクトルと発光スペクトルを図9に示す。またH−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を図10に、その拡大図(7〜10ppm)を図11に示す。
誤差は測定値が理論値よりも小さい場合を−で表す。
λmaxは極大を表す。
実施例3
2,6−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(略称26PYREPY)の合成
2,6−ジブロモピリジン(26DBPY)(4.0mmol,0.9g)とピレン−1−ホウ酸(PyrebAc)(8.8mmol,2.2g)をトルエン(80ml)/エタノール(40ml)に溶解させ、炭酸カリウム(24mmol)とイオン交換水(12ml)を加え、窒素バブリングを1時間行った。その後、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.4mmol)を加え、窒素気流下80℃で12時間反応させた。反応終了後、反応溶液にクロロホルムを加え撹拌した。その後、トルエンで抽出し、イオン交換水、飽和食塩水で洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、エバポレーターにより溶媒を除去した。精製はカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:ヘキサン=1:1)で行ったあと、昇華精製を行い、黄色の結晶を得た。同定は、H−NMRスペクトル及び元素分析により行った。(収量1.05g、収率57%)
表4はこのものの元素分析の結果である。またこのもののクロロホルム中(濃度1×10−5mol/l)の紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)と薄膜(Film)状での紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)を表5に示す。
このものの紫外−可視吸収スペクトルは図12に、励起スペクトルと発光スペクトルを図13に示す。またH−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を図14に、その拡大図(7〜10ppm)を図15に示す。
誤差は測定値が理論値よりも小さい場合を−で表す。
λmaxは極大を表す。
実施例4
4,6−ジ(1−ピレニル)ピリミジン(略称46PYREPYM)の合成
4,6−ジクロロピリミジン(46DClPYM)(4.0mmol,0.4g)とピレン−1−ホウ酸(PyrebAc)(8.8mmol,2.2g)をアセトニトリル(80ml)に溶解させ、炭酸ナトリウム(24mmol)とイオン交換水(30ml)を加え、窒素バブリングを1時間行った。その後、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムジクロライド(0.16mmol)を加え、窒素気流下60℃で12時間反応させた。反応終了後、反応溶液を濾過し析出物を回収し、析出物をイオン交換水、n−ヘキサンで洗浄した。その後、真空乾燥機で溶媒を除去した。精製はカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で行ったあと、昇華精製を行い結晶を得た。同定は、H−MRNスペクトル及び元素分析により行った。(収量0.27g、、黄色の収率14%)
表6はこのものの元素分析の結果である。またこのもののクロロホルム中(濃度1×10−5mol/l)の紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)と薄膜(film)状での紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)を表7に示す。
このものの紫外−可視吸収スペクトルは図16に、励起スペクトルと発光スペクトルを図17に示す。またH−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を図18に、その拡大図(7〜10ppm)を図19に示す。
誤差は測定値が理論値よりも小さい場合を−で表す。
λmaxは極大を表す。
実施例2の3,5−ジ(1−ピレニル)−ピリジン、実施例3の2,6−ジ(1−ピレニル)−ピリジン、実施例4の4,6−ジ(1−ピレニル)ピリミジンのTm、Tg、Tdを測定し、熱特性を評価した。その結果を表8に示す。
また紫外−可視吸収スペクトル、発光スペクトルおよびイオン化ポテンシャル(AC−3)を測定し、電気化学特性を評価した。その結果を表9に示す。
Ip:イオン化ポテンシャル
Eg:エネルギーギャップ
Ea:エネルギーアフィニティ(電子親和力)
エネルギーギャップ(Eg)については、蒸着機で作成した薄膜を紫外−可視吸光度計で薄膜の吸収曲線を測定する。その薄膜の短波長側の立ち上がりのところに接線を引き、求まった交点の波長W(nm)を次の式に代入し目的の値を求める。それによって得た値がEgになる。
Eg=1240÷W
例えば接線を引いて求めた値W(nm)が470nmだったとしたらこの時のEgの値は
Eg=1240÷470=2.63(eV)
と言うことになる。
IP(イオン化ポテンシャル)はイオン化ポテンシャル測定装置(例えば理研計器AC−3)を使用して測定し、測定するサンプルがイオン化を開始したところの電圧(eV)の値を読む。
Ea(電子親和力)は、IpからEgを引いた値である。
本明細書における波長に関する強度(intensity a.u.)の測定は、浜松ホトニクス社製ストリークカメラを用いて、クライオスタット中で4.2Kにおいて測定した。
実施例5、6、7および比較例1
電子輸送材料として、実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMを用い、また比較のためAlqを用いた下記構成の素子を作りその性能を評価した。
素子の構成
比較例1
Device1(△):[ITO/NPD(40nm)/Alq(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例5
Device2(●):[ITO/NPD(40nm)/Alq(30nm)/35PYREPY(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例6
Device3(◆):[ITO/NPD(40nm)/Alq(30nm)/26PYREPY(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例7
Device4(黒三角):[ITO/NPD(40nm)/Alq(30nm)/46PYREPYM(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
これらの素子の
エレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルは図20に、
エネルギ−ダイアグラムは図21に、
電流密度−電圧特性は図22、23に、
輝度−電圧特性は図24に
視感効率−電圧特性は図25に、
電流効率−電圧特性は図26に、
輝度−電流密度特性は図27に、
それぞれ示す。
なお、図22の縦軸は実数表示であるが、電圧の低い部分の電流密度が見にくいので、図23では縦軸を対数表示に変更した。
素子の電気化学特性は表10に示す。
実施例8、9、10および比較例2
電子輸送材料として、実施例2で得られた35PYREPYを用い、電子輸送層の膜厚を40nm、30nmおよび20nmに変化させた素子と、比較のためAlqを用いた下記構成の素子を作りその性能を評価した。
素子の構成
比較例2
Device5(△):[ITO/NPD(40nm)/Alq(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例8
Device6(●):[ITO/NPD(40nm)/Alq(20nm)/35PYREPY(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例9
Device7(◆):[ITO/NPD(40nm)/Alq(30nm)/35PYREPY(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例10
Device8(黒三角):[ITO/NPD(40nm)/Alq(40nm)/35PYREPY(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
これらの素子の
エレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルは図28に、
エネルギ−ダイアグラムは図29に、
電流密度−電圧特性は図30、31に、
輝度−電圧特性は図32に
視感効率−電圧特性は図33に、
電流効率−電圧特性は図34に、
輝度−電流密度特性は図35に、
それぞれ示す。
なお、図30の縦軸は実数表示であるが、電圧の低い部分の電流密度が見にくいので、図31では縦軸を対数表示に変更した。
素子の電気化学特性は表11に示す。
実施例11、12、13および比較例3
電子輸送兼発光材料として、実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMを用い、また比較のためAlqを用いた下記構成の素子を作りその性能を評価した。
素子の構成
比較例3
Device9(△):[ITO/NPD(40nm)/Alq(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施11
Device10(●):[ITO/NPD(40nm)/35PYREPY(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例12
Device11(◆):[ITO/NPD(40nm)/26PYREPY(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例13
Device12(黒三角):[ITO/NPD(40nm)/46PYREPYM(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
これらの素子の
エレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルは図36に、
電流密度−電圧特性は図37、38に、
輝度−電圧特性は図39に
視感効率−電圧特性は図40に、
電流効率−電圧特性は図41に、
輝度−電流密度特性は図42に、
それぞれ示す。
なお、図37の縦軸は実数表示であるが、電圧の低い部分の電流密度が見にくいので、図38では縦軸を対数表示に変更した。
素子の電気化学特性は表12に示す。
実施例14、15、16
実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMを用いジピレン誘導体の単層膜の蒸着膜での蛍光量子収率を測定した。
真空蒸着法で石英基板に50nmの厚みで製膜した単層膜を、有機EL量子効率測定装置(浜松ホトニクス製C9920−01)を用い、励起波長325nmにて単層膜の絶対発光量子収率の測定を行った。
測定結果は、
1) ブランクの石英基板の325nmの吸収ピーク(山)の面積を求める。
2) 石英基板上の単層膜の325nmの吸収ピーク(山)面積を求める。
3) 石英基板上の単層膜測定結果で新たにできた山(発光ピーク)の面積を求める。
4) 1)から2)を引いた面積が3)でできた山(発光ピーク)の面積を作製するために費やされたものである。
1)から3)の値より、次の式で求めることができる。
蛍光量子収率(%)=3)の面積÷[1)の面積−2)の面積]×100
この結果を表13に示す。また
35PYREPYの測定結果は図43に、
26PYREPYの測定結果は図44に、
46PYREPYMの測定結果は図45に、
それぞれ示す。
なお、石英は光が失活する要素がないので、入った光がそのまま光量子に変化する。したがって、石英の光量子効率は0%である。一方、有機薄膜は入った光のすべてが光量子に変化せず、1部はどうしても失活するが、本発明化合物はその失活する程度が低い。
実施例17、18、19
実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMを用い、電子オンリーデバイス(Electron only device)を作製し、電子の入りやすさを測定した。電子オンリーデバイスとは、有機エレクトロルミネッセンス素子から正孔輸送(ホール輸送)層を除去した素子である。ITOからの正孔(ホール)の出入りを完全に止めるために、ITOの上に正孔(ホール)ブロック層を1層設けているのが特徴である。
実施例17
Device13(●):[ITO/BCP(10nm)/35PYREPY(100nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例18
Device14(◆):[ITO/BCP(10nm)/26PYREPY (100nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例19
Device15(黒三角):[ITO/BCP(10nm)/46PYREPYM(100nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
これらの素子の電流密度−電圧特性は図46に示す。
実施例20、21、22および比較例4
実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMの素子中での電子の移動度を測定するために下記の素子を作製した。また比較のためAlqの素子も同様に作製した。
実施例20
Device16(●):[ITO/35PYREPY(4μm)/Al(100nm)]
実施例21
Device17(◆):[ITO/26PYREPY(4μm)/Al(100nm)]
実施例22
Device18(黒三角):[ITO/46PYREPYM(4μm)/Al(100nm)]
比較例4
Device19:(△):[ITO/Alq(4μm)/Al(100nm)]
これらの素子の移動度−電界強度特性は図47に示す。
実施例23
2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェン(略称DPyreTh)の合成
下記表14に示すように、窒素気流下で4つ口フラスコに2,5−ジブロモチオフェン 0.34g、1−ピレンボロン酸 1.77g、トルエン 20ml、エタノール 10ml、炭酸カリウム水溶液(2M濃度)を加え、4時間窒素バブリングを行った。その後テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)〔Pd(PPh〕0..208gを加え、攪拌しながら12時間還流を行った。
クロロホルムとイオン交換水、飽和食塩水で分散洗浄を行い、トルエンを用いて再結晶を行った。その後ガラスチューブオーブン(GTO)で粗精製を行い、ついで昇華精製を行って精製した。図62、63のH−NMR・Massスペクトルにより目的物が合成されていることを確認した。図63は、図62の拡大図である。
2,5−DBrTh=2,5−ジブロモチオフェン(2,5−Dibromothiophene)
PyreBAc=1−ピレンホウ酸(1−Pyreneboronic Acid)
Pd(PPh=テトラキス(トリフェニルホスフィンパラジウム)(0)〔Tetrakis(triphenylphosphine)Palladium(0)〕
図64には、2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのMassスペクトルを示し、図65には、その熱物性評価を示す1種の融解曲線であり、図中、
(1)の曲線は、DPyreThの示差走査熱量計(DSC)(Thermo plus EVO/DSC8230)を用いた第1回目の加熱による融解曲線であり、
(2)の曲線は、第2回目の加熱による融解曲線であり、
(3)の曲線は、第3回目の加熱による融解曲線である。
図中、縦軸は熱量であり、横軸は温度である。
図66は、TGA(熱天秤)であり、ライン(イ)は熱重量減少曲線であり、ライン(ロ)は、その加熱状況を示す曲線である。横軸は温度を表わし、左縦軸は加熱度合いを示し、右縦軸は熱重量減少率を示している〔前記(イ)に対応〕。
図66からみて、2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンの融点、ガラス転移点、分解温度は下記表に示すとおりである。
図67に、2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンの光学物性評価を示す。図67および表16の結果は該化合物のトルエン溶液(PL強度を測定する時の濃度は1×10−7mol/lであり、UV強度を測定する時の濃度は1×10−5mol/lである)を用いたデータである。
図67の縦軸は規格化されたPL強度、UV強度を示し、横軸は波長である。
図68および表17は2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのクロロホルム溶液(PL強度を測定する時の濃度は1×10−7mol/lであり、UV強度を測定する時の濃度は1×10−5mol/lである)を用いた光学物性評価を示す。
図68の縦軸は規格化されたPL強度、UV強度を示し、横軸は波長である。
図69および表18は2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンの膜厚(膜厚622nm)を用いて、その光学物性評価を行った結果である。
図70は、2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのフォトルミネッセンス強度を石英との対比において示すものである。
実施例24
実施例23で得られた2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェン(DPyreTh)を用いて、下記構成の有機EL素子を作成した。
素子構成
ITO/DPyreTh40nm/Alq60nm/LiF0.5nm/Al100nm
この有機EL素子の蛍光スペクトル(ELスペクトル)を図71に、
電流密度−電圧特性を図72に、
輝度−電圧特性を図73に、
視感効率−輝度特性を図74に、
電流効率−輝度特性を図75に、
輝度−電流密度特性を図76に、
それぞれ示す。
また。該デバイスの初期特性は下記表19に示す。
実施例25
実施例23で得られたDPyreThを用いて、下記構成の有機EL素子を作成した。
素子構成
ITO/α−NPD40nm/Alq30nm/DPyreTh30nm/LiF0.5nm/Al100nm
この有機EL素子の蛍光スペクトル(ELスペクトル)を図77に、
電流密度−電圧特性を図78に、
輝度−電圧特性を図79に、
視感効率−輝度特性を図80に、
電流効率−輝度特性を図81に、
輝度−電流密度特性を図82に、
それぞれ示す。
また。該デバイスの初期特性は下記表20に示す。
実施例1の3,8−ジ(1−ピレニル)−1,10−フェナントロリンDPyre−Phenの高真空昇華精製前の融点のDSC曲線を示す。 図1のDSC曲線の3回目測定の拡大図を示す。 実施例1の3,8−ジ(1−ピレニル)−1,10−フェナントロリンDPyre−Phenの高真空昇華精製後の融点のDSC曲線を示す。丸で囲っているところについては発熱状態を表し、このものの純度が向上したため見られる現象である。 図3のDSC曲線の3回目測定の拡大図を示す。 実施例1の3,8−ジ(1−ピレニル)−1,10−フェナントロリンDPyre−PhenのH−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を示す。 図5のH−NMRスペクトル拡大図(7〜10ppm)を示す。 実施例1の3,8−ジ(1−ピレニル)−1,10−フェナントロリンDPyre−Phen のMassスペクトルを図7示す。 実施例2の3,5−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(35PYREPY)のクロロホルム中と薄膜状でそれぞれ測定した紫外−可視吸収スペクトルを示す。 実施例2の3,5−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(35PYREPY)のクロロホルム中と薄膜状でそれぞれ測定した励起スペクトルと発光スペクトルを示す。 実施例2の3,5−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(35PYREPY)のH−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を示す。 図10のH−NMRスペクトル拡大図(7〜10ppm)を示す。 実施例3の2,6−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(26PYREPY)のクロロホルム中と薄膜状でそれぞれ測定した紫外−可視吸収スペクトルを示す。 実施例3の2,6−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(26PYREPY)のクロロホルム中と薄膜状でそれぞれ測定した励起スペクトルと発光スペクトルを示す。 実施例3の2,6−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(26PYREPY)のH−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を示す。 図14のH−NMRスペクトル拡大図(7〜10ppm)を示す。 実施例4の4,6−ジ(1−ピレニル)ピリミジン(46PYREPYM)のクロロホルム中と薄膜状でそれぞれ測定した紫外−可視吸収スペクトルを示す。 実施例4の4,6−ジ(1−ピレニル)ピリミジン(46PYREPYM)のクロロホルム中と薄膜状でそれぞれ測定した励起スペクトルと発光スペクトルを示す。 実施例4の4,6−ジ(1−ピレニル)ピリミジン(46PYREPYM)のH−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を示す。 図18の拡大図(7〜10ppm)を示す。 実施例5〜7および比較例1の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)のエレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルを示す。 実施例5〜7および比較例1の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)のエネルギ−ダイアグラムを示す。 実施例5〜7および比較例1の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の実数表示の電流密度−電圧特性を示す。 実施例5〜7および比較例1の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の片対数表示の電流密度−電圧特性を示す。 実施例5〜7および比較例1の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の輝度−電圧特性を示す。 実施例5〜7および比較例1の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の視感効率−電圧特性を示す。 実施例5〜7および比較例1の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の電流効率−電圧特性を示す。 実施例5〜7および比較例1の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の輝度−電流密度特性を示す。 実施例8〜10および比較例2の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)のエレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルを示す。 実施例8〜10および比較例2の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)のエネルギ−ダイアグラムを示す 実施例8〜10および比較例2の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の実数表示の電流密度−電圧特性を示す。 実施例8〜10および比較例2の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の片対数表示の電流密度−電圧特性を示す。 実施例8〜10および比較例2の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の輝度−電圧特性を示す。 実施例8〜10および比較例2の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の視感効率−電圧特性を示す。 実施例8〜10および比較例2の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の電流効率−電圧特性を示す。 実施例8〜10および比較例2の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)の輝度−電流密度特性を示す。 実施例11〜13および比較例3の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)のエレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルを示す。 実施例11〜13および比較例3の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の実数表示の電流密度−電圧特性を示す。 実施例11〜13および比較例3の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の片対数表示の電流密度−電圧特性を示す。 実施例11〜13および比較例3の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の輝度−電圧特性を示す。 実施例11〜13および比較例3の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の視感効率−電圧特性を示す。 実施例11〜13および比較例3の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の電流効率−電圧特性を示す。 実施例11〜13および比較例3の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の輝度−電流密度特性を示す。 実施例14(35PYREPY)の蛍光量子収率〔光量子数(フォトン数)−波長〕を示す。 実施例15(26PYREPY)の蛍光量子収率〔光量子数(フォトン数)−波長〕を示す。 実施例16(46PYREPYM)の蛍光量子収率〔光量子数(フォトン数)−波長〕を示す。 実施例17〜19の電子オンリーデバイスの電流密度−電圧特性を示す。 実施例20〜22および比較例4の電子移動度測定素子の移動度−電界強度を示す。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのH−NMRスペクトルを示す。 図62の拡大図である。 2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのMassスペクトル(質量スペクトル)を示す。 2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンの熱物性を評価したグラフである。 2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのTGA(熱天秤)であり、ライン(イ)は熱重量減少曲線であり、ライン(ロ)はその加熱状況を示す曲線である。 2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのトルエン溶液を用いて測定した2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンの光学物性評価を示すグラフである。 2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのクロロホルム溶液を用いて測定した2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンの光学物性評価を示すグラフである。 2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェン薄膜を用いて測定した2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンの光学物性評価を示すグラフである。 石英と2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのフォトルミネッセンス強度(規格化)を示すグラフである。 実施例24の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)のエレクトロルミネッセンススペクトル(蛍光スペクトル)を示す。 実施例24の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の電流密度−電圧特性を示す。 実施例24の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の輝度−電圧特性を示す。 実施例24の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の視感効率−輝度特性を示す。 実施例24の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の電流効率−輝度特性を示す。 実施例24の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の輝度−電圧密度特性を示す。 実施例25の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)のエレクトロルミネッセンススペクトル(蛍光スペクトル)を示す。 実施例25の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の電流密度−電圧特性を示す。 実施例25の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の輝度−電圧特性を示す。 実施例25の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の視感効率−輝度特性を示す。 実施例25の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の電流効率−輝度特性を示す。 実施例25の有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の輝度−電圧密度特性を示す。
符号の説明
1 基板
2 陽極(ITO)
3 発光層
4 陰極
5 正孔輸送層(ホール輸送層)
6 電子輸送層
7 正孔注入層(ホール注入層)
8 電子注入層
9 正孔ブロック層(ホールブロック層)

Claims (6)

  1. 下記一般式(1)
    (式中、Qは
    よりなる群から選ばれた基であり、R〜Rは、水素、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルコキシ基および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、R10〜R31は、水素および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である)
    で示されるジピレン誘導体。
  2. 請求項1記載のジピレン誘導体よりなる電子輸送材料。
  3. 請求項1記載のジピレン誘導体よりなる発光材料。
  4. 請求項1記載のジピレン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 請求項1記載のジピレン誘導体を電子輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 請求項1記載のジピレン誘導体を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
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