JP2008214339A - 新規なジピレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、発光材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記一般式(1)
(式中、Qはフェナントロリン、ピリジンなどよりなる群から選ばれた基である)で示されるジピレン誘導体。
【選択図】なし
Description
ホール輸送材料は、アリールアミン構造をとるものがほとんどであり、有機エレクトロルミネッセンス素子で用いられるものとしては、テトラフェニルジアミン誘導体であるTPD(N,N′−ジトリル−N,N′−ジフェニル−1,1′−ビフェニル)が挙げられるが、ガラス転移温度(Tg)が63℃と低く、耐熱性に問題があり、素子劣化の原因となっていた。この問題を解決すべく、ナフチル基を導入し立体障害を大きくすることでTgを95℃と高くしたα−NPD〔N,N′−ジ(1−ナフチル)−N,N′−ジフェニル−1,1′−ビフェニル〕が提案され、広く用いられるようになった。
これらの化合物は、イオン化ポテンシャルが大きくホールブロック効果が高いため電子輸送材料として適しているが、発光層の有機化合物と分子間錯形成をするものもあり、発光層本来の発光色が得られなかったりすることが見受けられる。そのため電子輸送材料でこのような錯形成を防ぐための改善が必要となった。
で示されるジピレン誘導体に関する。
本発明の第2は、請求項1記載のジピレン誘導体よりなる電子輸送材料に関する。
本発明の第3は、請求項1記載のジピレン誘導体よりなる発光材料に関する。
本発明の第4は、請求項1記載のジピレン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
本発明の第5は、請求項1記載のジピレン誘導体を電子輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
本発明の第6は、請求項1記載のジピレン誘導体を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
正孔注入材料としては、下記化学式に示されるPEDOT−PSS(ポリマー混合物)やDNTPDを挙げることができる。nは、重合体の基本鎖が多数存在することを示す。
3,8−ジ(1−ピレニル)−1,10−フェナントロリン(略称DPyre−Phen)の合成
実施例1の化合物の融点(Tm)、ガラス転移温度(Tg)および分解温度(Td)を表1に示す。
Tg(ガラス転移温度)については、同じくDSCの中にサンプルを加え、溶融させたものを急冷し、2〜3回繰り返すとガラス転移を表すカーブがチャート上に現れるので、そのカーブを接線で結び、その交点をTgとして採用する。
Td(分解温度)はDTA(Differential Thermal Analyzer:示差熱分析装置)にサンプルを加え加熱してゆくと、サンプルの熱によって分解し重量が減少しだす。その現象が開始しだしたところの温度を読んで、その温度をTdとする。
このものの高真空昇華精製前の融点のDSC曲線を図1に、その3回目測定の拡大図を図2に、高真空昇華精製後の融点のDSC曲線を図3に、その拡大図を図4に示す。このものの1H−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を図5に、その拡大図(7〜10ppm)を図6に、Massスペクトルを図7示す。
3,5−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(略称35PYREPY)の合成
表2はこのものの元素分析の結果である。またこのもののクロロホルム中(濃度1×10−5mol/l)の紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)と薄膜(Film)状での紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)を表3に示す。
このものの紫外−可視吸収スペクトルは図8に、励起スペクトルと発光スペクトルを図9に示す。また1H−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を図10に、その拡大図(7〜10ppm)を図11に示す。
2,6−ジ(1−ピレニル)−ピリジン(略称26PYREPY)の合成
表4はこのものの元素分析の結果である。またこのもののクロロホルム中(濃度1×10−5mol/l)の紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)と薄膜(Film)状での紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)を表5に示す。
このものの紫外−可視吸収スペクトルは図12に、励起スペクトルと発光スペクトルを図13に示す。また1H−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を図14に、その拡大図(7〜10ppm)を図15に示す。
4,6−ジ(1−ピレニル)ピリミジン(略称46PYREPYM)の合成
表6はこのものの元素分析の結果である。またこのもののクロロホルム中(濃度1×10−5mol/l)の紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)と薄膜(film)状での紫外−可視吸収スペクトル(UV)、励起光スペクトル(λex)およびフォトルミネッセンス発光スペクトル(λem)を表7に示す。
このものの紫外−可視吸収スペクトルは図16に、励起スペクトルと発光スペクトルを図17に示す。また1H−NMRスペクトル(重クロロホルム溶媒中、内部標準テトラメチルシラン使用、400MHz)(全領域)を図18に、その拡大図(7〜10ppm)を図19に示す。
Eg:エネルギーギャップ
Ea:エネルギーアフィニティ(電子親和力)
エネルギーギャップ(Eg)については、蒸着機で作成した薄膜を紫外−可視吸光度計で薄膜の吸収曲線を測定する。その薄膜の短波長側の立ち上がりのところに接線を引き、求まった交点の波長W(nm)を次の式に代入し目的の値を求める。それによって得た値がEgになる。
Eg=1240÷W
例えば接線を引いて求めた値W(nm)が470nmだったとしたらこの時のEgの値は
Eg=1240÷470=2.63(eV)
と言うことになる。
IP(イオン化ポテンシャル)はイオン化ポテンシャル測定装置(例えば理研計器AC−3)を使用して測定し、測定するサンプルがイオン化を開始したところの電圧(eV)の値を読む。
Ea(電子親和力)は、IpからEgを引いた値である。
本明細書における波長に関する強度(intensity a.u.)の測定は、浜松ホトニクス社製ストリークカメラを用いて、クライオスタット中で4.2Kにおいて測定した。
電子輸送材料として、実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMを用い、また比較のためAlq3を用いた下記構成の素子を作りその性能を評価した。
比較例1
Device1(△):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例5
Device2(●):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(30nm)/35PYREPY(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例6
Device3(◆):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(30nm)/26PYREPY(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例7
Device4(黒三角):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(30nm)/46PYREPYM(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
これらの素子の
エレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルは図20に、
エネルギ−ダイアグラムは図21に、
電流密度−電圧特性は図22、23に、
輝度−電圧特性は図24に
視感効率−電圧特性は図25に、
電流効率−電圧特性は図26に、
輝度−電流密度特性は図27に、
それぞれ示す。
なお、図22の縦軸は実数表示であるが、電圧の低い部分の電流密度が見にくいので、図23では縦軸を対数表示に変更した。
素子の電気化学特性は表10に示す。
電子輸送材料として、実施例2で得られた35PYREPYを用い、電子輸送層の膜厚を40nm、30nmおよび20nmに変化させた素子と、比較のためAlq3を用いた下記構成の素子を作りその性能を評価した。
素子の構成
比較例2
Device5(△):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例8
Device6(●):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(20nm)/35PYREPY(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例9
Device7(◆):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(30nm)/35PYREPY(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例10
Device8(黒三角):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(40nm)/35PYREPY(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
これらの素子の
エレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルは図28に、
エネルギ−ダイアグラムは図29に、
電流密度−電圧特性は図30、31に、
輝度−電圧特性は図32に
視感効率−電圧特性は図33に、
電流効率−電圧特性は図34に、
輝度−電流密度特性は図35に、
それぞれ示す。
なお、図30の縦軸は実数表示であるが、電圧の低い部分の電流密度が見にくいので、図31では縦軸を対数表示に変更した。
素子の電気化学特性は表11に示す。
電子輸送兼発光材料として、実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMを用い、また比較のためAlq3を用いた下記構成の素子を作りその性能を評価した。
素子の構成
比較例3
Device9(△):[ITO/NPD(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施11
Device10(●):[ITO/NPD(40nm)/35PYREPY(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例12
Device11(◆):[ITO/NPD(40nm)/26PYREPY(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例13
Device12(黒三角):[ITO/NPD(40nm)/46PYREPYM(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
これらの素子の
エレクトロルミネッセンス(EL)スペクトルは図36に、
電流密度−電圧特性は図37、38に、
輝度−電圧特性は図39に
視感効率−電圧特性は図40に、
電流効率−電圧特性は図41に、
輝度−電流密度特性は図42に、
それぞれ示す。
なお、図37の縦軸は実数表示であるが、電圧の低い部分の電流密度が見にくいので、図38では縦軸を対数表示に変更した。
素子の電気化学特性は表12に示す。
実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMを用いジピレン誘導体の単層膜の蒸着膜での蛍光量子収率を測定した。
真空蒸着法で石英基板に50nmの厚みで製膜した単層膜を、有機EL量子効率測定装置(浜松ホトニクス製C9920−01)を用い、励起波長325nmにて単層膜の絶対発光量子収率の測定を行った。
測定結果は、
1) ブランクの石英基板の325nmの吸収ピーク(山)の面積を求める。
2) 石英基板上の単層膜の325nmの吸収ピーク(山)面積を求める。
3) 石英基板上の単層膜測定結果で新たにできた山(発光ピーク)の面積を求める。
4) 1)から2)を引いた面積が3)でできた山(発光ピーク)の面積を作製するために費やされたものである。
1)から3)の値より、次の式で求めることができる。
蛍光量子収率(%)=3)の面積÷[1)の面積−2)の面積]×100
この結果を表13に示す。また
35PYREPYの測定結果は図43に、
26PYREPYの測定結果は図44に、
46PYREPYMの測定結果は図45に、
それぞれ示す。
実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMを用い、電子オンリーデバイス(Electron only device)を作製し、電子の入りやすさを測定した。電子オンリーデバイスとは、有機エレクトロルミネッセンス素子から正孔輸送(ホール輸送)層を除去した素子である。ITOからの正孔(ホール)の出入りを完全に止めるために、ITOの上に正孔(ホール)ブロック層を1層設けているのが特徴である。
実施例17
Device13(●):[ITO/BCP(10nm)/35PYREPY(100nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例18
Device14(◆):[ITO/BCP(10nm)/26PYREPY (100nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
実施例19
Device15(黒三角):[ITO/BCP(10nm)/46PYREPYM(100nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)]
これらの素子の電流密度−電圧特性は図46に示す。
実施例2で得られた35PYREPY、実施例3で得られた26PYREPY、実施例4で得られた46PYREPYMの素子中での電子の移動度を測定するために下記の素子を作製した。また比較のためAlq3の素子も同様に作製した。
実施例20
Device16(●):[ITO/35PYREPY(4μm)/Al(100nm)]
実施例21
Device17(◆):[ITO/26PYREPY(4μm)/Al(100nm)]
実施例22
Device18(黒三角):[ITO/46PYREPYM(4μm)/Al(100nm)]
比較例4
Device19:(△):[ITO/Alq3(4μm)/Al(100nm)]
これらの素子の移動度−電界強度特性は図47に示す。
2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェン(略称DPyreTh)の合成
クロロホルムとイオン交換水、飽和食塩水で分散洗浄を行い、トルエンを用いて再結晶を行った。その後ガラスチューブオーブン(GTO)で粗精製を行い、ついで昇華精製を行って精製した。図62、63の1H−NMR・Massスペクトルにより目的物が合成されていることを確認した。図63は、図62の拡大図である。
PyreBAc=1−ピレンホウ酸(1−Pyreneboronic Acid)
Pd(PPh3)4=テトラキス(トリフェニルホスフィンパラジウム)(0)〔Tetrakis(triphenylphosphine)Palladium(0)〕
図64には、2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンのMassスペクトルを示し、図65には、その熱物性評価を示す1種の融解曲線であり、図中、
(1)の曲線は、DPyreThの示差走査熱量計(DSC)(Thermo plus EVO/DSC8230)を用いた第1回目の加熱による融解曲線であり、
(2)の曲線は、第2回目の加熱による融解曲線であり、
(3)の曲線は、第3回目の加熱による融解曲線である。
図中、縦軸は熱量であり、横軸は温度である。
図66は、TGA(熱天秤)であり、ライン(イ)は熱重量減少曲線であり、ライン(ロ)は、その加熱状況を示す曲線である。横軸は温度を表わし、左縦軸は加熱度合いを示し、右縦軸は熱重量減少率を示している〔前記(イ)に対応〕。
図66からみて、2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェンの融点、ガラス転移点、分解温度は下記表に示すとおりである。
図67の縦軸は規格化されたPL強度、UV強度を示し、横軸は波長である。
図68の縦軸は規格化されたPL強度、UV強度を示し、横軸は波長である。
実施例23で得られた2,5−ジ(ピレン−1−イル)チオフェン(DPyreTh)を用いて、下記構成の有機EL素子を作成した。
素子構成
ITO/DPyreTh40nm/Alq360nm/LiF0.5nm/Al100nm
この有機EL素子の蛍光スペクトル(ELスペクトル)を図71に、
電流密度−電圧特性を図72に、
輝度−電圧特性を図73に、
視感効率−輝度特性を図74に、
電流効率−輝度特性を図75に、
輝度−電流密度特性を図76に、
それぞれ示す。
また。該デバイスの初期特性は下記表19に示す。
実施例23で得られたDPyreThを用いて、下記構成の有機EL素子を作成した。
素子構成
ITO/α−NPD40nm/Alq330nm/DPyreTh30nm/LiF0.5nm/Al100nm
この有機EL素子の蛍光スペクトル(ELスペクトル)を図77に、
電流密度−電圧特性を図78に、
輝度−電圧特性を図79に、
視感効率−輝度特性を図80に、
電流効率−輝度特性を図81に、
輝度−電流密度特性を図82に、
それぞれ示す。
また。該デバイスの初期特性は下記表20に示す。
2 陽極(ITO)
3 発光層
4 陰極
5 正孔輸送層(ホール輸送層)
6 電子輸送層
7 正孔注入層(ホール注入層)
8 電子注入層
9 正孔ブロック層(ホールブロック層)
Claims (6)
- 下記一般式(1)
で示されるジピレン誘導体。 - 請求項1記載のジピレン誘導体よりなる電子輸送材料。
- 請求項1記載のジピレン誘導体よりなる発光材料。
- 請求項1記載のジピレン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1記載のジピレン誘導体を電子輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1記載のジピレン誘導体を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
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