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JP2008115440A - 基板加熱装置 - Google Patents

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寛 米倉
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Abstract

【課題】本発明は、セラミック板に基板を加熱する抵抗発熱体を内蔵した基板加熱装置に関し、基板を所定の温度に加熱することのできる基板加熱装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板４０が載置されるセラミック板１２と、セラミック板１２に内蔵された第１の抵抗発熱体１４〜１６と、を有し、第１の抵抗発熱体１４〜１６が隣り合う第１の抵抗発熱体１４〜１６から離間するように、セラミック板１２の基板載置面１２Ａに対して略平行となる同一平面上に配置されており、第１の抵抗発熱体１４〜１６がそれぞれ独立して温度制御可能な構成とされた基板加熱装置１０であって、第１の抵抗発熱体１４〜１６間に位置する部分のセラミック板１２を加熱する第２の抵抗発熱体２８，２９をセラミック板１２に内蔵した。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板加熱装置に係り、特にセラミック板に基板を加熱する抵抗発熱体を内蔵した基板加熱装置に関する。
ガラス基板や半導体基板等の基板上に膜を形成する成膜装置や、上記基板上に形成された膜をパターニングするエッチング装置等の装置には、上記基板を載置すると共に、載置された基板を所定の温度に加熱する基板加熱装置が設けられている（図１参照）。
図１は、従来の基板加熱装置の断面図である。
図１を参照するに、従来の基板加熱装置２００は、ベースプレート２０１と、セラミック板２０２と、静電電極２０３と、複数の抵抗発熱体２０５〜２０７と、電力供給用電極２１１〜２１６とを有する。基板加熱装置２００は、静電チャックによりセラミック板２０２上に基板２２０を固定すると共に、複数の抵抗発熱体２０５〜２０７によりセラミック板２０２を介して基板２２０を加熱して、基板２２０を所定の温度にするための装置である。
ベースプレート２０１は、セラミック板２０２を固定するための台である。ベースプレート２０１には、冷却水を循環させるための管路２１８が形成されている。管路２１８を流れる冷却水は、セラミック板２０２を冷却することで、基板２２０が載置される基板載置面２０２Ａの温度を調整するためのものである。
セラミック板２０２は、ベースプレート２０１上に配設されている。セラミック板２０２は、基板２２０が載置される基板載置面２０２Ａを有する。
静電電極２０３は、薄膜形状とされた電極である。静電電極２０３は、基板載置面２０２Ａの近傍に位置する部分のセラミック板２０２に内蔵されている。この静電電極２０３に電圧を印加することにより基板２２０をセラミック板２０２上に静電チャック（固定）することができる。
図２は、図１に示す基板加熱装置に設けられた抵抗発熱体の平面図である。図２において、図１に示す基板加熱装置２００と同一構成部分には同一符号を付す。
図１及び図２を参照するに、複数の抵抗発熱体２０５〜２０７は、セラミック板２０２の下面２０２Ｂと静電電極２０３との間に位置するセラミック板２０２に、セラミック板２０２の基板載置面２０２Ａに対して略平行となるように内蔵されている。
抵抗発熱体２０５は、平面視円形状とされており、セラミック板２０２の中央付近に配置されている。抵抗発熱体２０５は、抵抗発熱体２０５の下方に位置する部分のセラミック板２０２に配設された電力供給用電極２１３，２１４と接続されている。電力供給用電極２１３，２１４は、電源２２１と電気的に接続されている。電力供給用電極２１３，２１４は、抵抗発熱体２０５に電力を供給して、抵抗発熱体２０５を発熱させるための電極である。
抵抗発熱体２０６は、リング形状とされている。抵抗発熱体２０６は、抵抗発熱体２０５から離間するように、抵抗発熱体２０５の外側に配置されている。抵抗発熱体２０６は、抵抗発熱体２０６の下方に位置する部分のセラミック板２０２に配設された電力供給用電極２１２，２１５と接続されている。電力供給用電極２１２，２１５は、電源２２２と電気的に接続されている。電力供給用電極２１２，２１５は、抵抗発熱体２０６に電力を供給して、抵抗発熱体２０６を発熱させるための電極である。
抵抗発熱体２０７は、リング形状とされている。抵抗発熱体２０７は、抵抗発熱体２０６から離間するように、抵抗発熱体２０６の外側に配置されている。抵抗発熱体２０７は、抵抗発熱体２０７の下方に位置する部分のセラミック板２０２に配設された電力供給用電極２１１，２１６と接続されている。電力供給用電極２１１，２１６は、電源２２３と電気的に接続されている。電力供給用電極２１１，２１６は、抵抗発熱体２０７に電力を供給して、抵抗発熱体２０７を発熱させるための電極である。
このように、複数の抵抗発熱体２０５〜２０７は、それぞれ異なる電源２１１〜２２３と電気的に接続されているため、複数の抵抗発熱体２０５〜２０７の温度をそれぞれ独立して制御することができる。これにより、例えば、プラズマ雰囲気内において基板２２０上に成膜する場合、プラズマ密度が高い領域に対応する部分の基板２２０の温度と、プラズマ密度が低い領域に対応する部分の基板２２０の温度とを異ならせて成膜することにより、基板２２０に形成される膜の膜質ばらつきを低減することができる（例えば、特許文献１参照。）。
なお、図１及び図２では、抵抗発熱体２０５〜２０７を簡略化して図示したが、実際の抵抗発熱体２０５〜２０７は、後述する図５のような配線パターンである。
特開２００５−２６１２０号公報
しかしながら、従来の基板加熱装置２００では、複数の抵抗発熱体２０５〜２０７を他の抵抗発熱体２０５〜２０７から離間させた状態で、複数の抵抗発熱体２０５〜２０７をセラミック板２０２の基板載置面２０２Ａに対して略平行となるように配置していた。これにより、抵抗発熱体２０５と抵抗発熱体２０６との間に位置するセラミック板部分Ｓ、及び抵抗発熱体２０６と抵抗発熱体２０７との間に位置するセラミック板部分Ｔを十分に加熱することが困難となるため、基板２２０を所定の温度に加熱することができないという問題があった。
そこで本発明は、基板を所定の温度に加熱することのできる基板加熱装置を提供することを目的とする。
本発明の一観点によれば、基板が載置される第１の主面を有したセラミック板と、前記セラミック板に内蔵された複数の第１の抵抗発熱体と、を有し、前記複数の第１の抵抗発熱体は、隣り合う前記第１の抵抗発熱体から離間するように、前記セラミック板の第１の主面に対して略平行となる同一平面上に配置されており、前記複数の第１の抵抗発熱体がそれぞれ独立して温度制御可能な構成とされた基板加熱装置であって、前記複数の第１の抵抗発熱体間に位置する部分の前記セラミック板を加熱する第２の抵抗発熱体を前記セラミック板に内蔵したことを特徴とする基板加熱装置が提供される。
本発明によれば、セラミック板に第２の抵抗発熱体を内蔵したことにより、複数の第１の抵抗発熱体間に位置する部分のセラミック板を加熱することが可能となるため、基板を所定の温度に加熱することができる。
本発明の他の観点によれば、基板が載置されるセラミック板と、前記セラミック板に内蔵され、前記セラミック板を加熱する抵抗発熱体とを、有した基板加熱装置であって、前記抵抗発熱体は、前記基板が載置される前記セラミック板の第１の主面と略同じ面積を有し、前記セラミック板の第１の主面に対して略平行となるように配置された第１の抵抗発熱体と、前記セラミック板の第１の主面と前記第１の抵抗発熱体との間、及び／又は前記セラミック板の第１の主面とは反対側の面と前記第１の抵抗発熱体との間の所定の位置に配置された第２の抵抗発熱体とを有することを特徴とする基板加熱装置が提供される。
本発明によれば、基板が載置されるセラミック板の第１の主面と略同じ面積を有し、セラミック板の第１の主面に対して略平行となるように配置された第１の抵抗発熱体と、セラミック板の第１の主面と第１の抵抗発熱体との間、及び／又はセラミック板の第１の主面とは反対側の面と第１の抵抗発熱体との間の所定の位置に配置された第２の抵抗発熱体とをセラミック板に内蔵することにより、第１の抵抗発熱体により基板全体を略均一な温度に加熱すると共に、第２の抵抗発熱体により温度を高くしたい部分のセラミック板を加熱して、基板を所定の温度にすることができる。
本発明によれば、基板が所定の温度となるように加熱することができる。
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。
図３を参照するに、第１の実施の形態の基板加熱装置１０は、ベースプレート１１と、セラミック板１２と、静電電極１３と、第１の抵抗発熱体１４〜１６と、電極２１〜２６，３３〜３６と、第２の抵抗発熱体２８，２９と、電源４１〜４５とを有する。
ベースプレート１１は、セラミック板１２を固定するための台である。ベースプレート１１には、冷却水を循環させるための管路４７が形成されている。管路４７を流れる冷却水は、セラミック板１２を冷却して基板載置面１２Ａ（セラミック板１２の第１の主面）の温度を調整するためのものである。
セラミック板１２は、ベースプレート１１上に配設されている。セラミック板１２は、基板４０を載置する基板載置面１２Ａを有する。セラミック板１２の材料としては、例えば、窒化物セラミック、炭化物セラミック、酸化物セラミック等を用いることができる。セラミック板１２の厚さＭ１は、例えば、２ｍｍとすることができる。
基板４０としては、例えば、ガラス基板や半導体基板（例えば、半導体ウエハ等）を用いることができる。なお、本実施の形態では、基板４０として円形状の半導体ウエハを用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。
静電電極１３は、薄膜形状とされた電極であり、セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第２の抵抗発熱体２８，２９との間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。静電電極１３の上面１３Ａは、基板４０の裏面４０Ａと略等しい面積を有する。静電電極１３は、プラスの電位とされている。これにより、マイナスに帯電する基板４０をセラミック板１２の基板載置面１２Ａに固定することができる。静電電極１３は、静電チャックにより基板４０をセラミック板１２上に固定するための電極である。静電電極１３は、セラミック板１２を貫通する電極（図示せず）を介して、電源（図示せず）と電気的に接続されている。
静電電極１３の材料としては、例えば、タングステンを用いることができる。セラミック板１２の基板載置面１２Ａと静電電極１３の上面１３Ａとの間隔Ｊ１は、例えば、０．３ｍｍとすることができる。また、静電電極１３の厚さは、例えば、１０μｍとすることができる。
なお、本実施の形態では、単極型の静電電極１３を例に挙げて説明したが、単極型の静電電極１３の代わりに、プラスが印加される第１の電極部と、マイナスの電極が印加される第２の電極部とを有した静電電極（双極型の静電電極）を用いてもよい。
第１の抵抗発熱体１４〜１６は、セラミック板１２の下面１２Ｂ（基板載置面１２Ａの反対側の面）と第２の抵抗発熱体２８，２９との間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第１の抵抗発熱体１４〜１６は、隣り合う第１の抵抗発熱体１４〜１６から離間するように、セラミック板１２の基板載置面１２Ａに対して略平行となる同一平面上に配置されている。
図４は、図３に示す基板加熱装置に設けられた第１の抵抗発熱体の平面図であり、図５は、図４に示す第１の抵抗発熱体の具体例を示す図である。
図３及び図４を参照するに、第１の抵抗発熱体１４は、平面視円形状とされており、セラミック板１２の中央付近に配置されている。第１の抵抗発熱体１４は、電源４１と電気的に接続された電力供給用の電極２１，２２と接続されている。第１の抵抗発熱体１４は、電極２１，２２を介して、電源４１から供給される電力により発熱する。なお、図４では、簡略化した第１の抵抗発熱体１４を図示して、第１の抵抗発熱体１４の説明を行ったが、実際の第１の抵抗発熱体１４は、図５に示すような配線パターンである。
第１の抵抗発熱体１５は、リング状とされている。第１の抵抗発熱体１５は、第１の抵抗発熱体１４の外側に配置されている。第１の抵抗発熱体１５は、電源４２と電気的に接続された電力供給用の電極２３，２４と接続されている。第１の抵抗発熱体１５は、電極２３，２４を介して、電源４２から供給される電力により発熱する。なお、図４では、簡略化した第１の抵抗発熱体１５を図示して、第１の抵抗発熱体１５の説明を行ったが、実際の第１の抵抗発熱体１５は、図５に示すような配線パターンである。
第１の抵抗発熱体１６は、リング状とされている。第１の抵抗発熱体１６は、第１の抵抗発熱体１５の外側に配置されている。第１の抵抗発熱体１６は、電源４３と電気的に接続された電力供給用の電極２５，２６と接続されている。第１の抵抗発熱体１６は、電極２５，２６を介して、電源４３から供給される電力により発熱する。なお、図４では、簡略化した第１の抵抗発熱体１６を図示して、第１の抵抗発熱体１６の説明を行ったが、実際の第１の抵抗発熱体１６は、図５に示すような配線パターンである。
このように、第１の抵抗発熱体１４〜１６をそれぞれ異なる電源４１〜４３と電気的に接続することにより、各第１の抵抗発熱体１４〜１６の温度をそれぞれ独立して制御することができる。
基板４０として直径が３００ｍｍの半導体ウエハを用いた場合、第１の抵抗発熱体１４の直径Ｒ１は、例えば、８６ｍｍとすることができる。この場合、第１の抵抗発熱体１５，１６の幅Ｗ１，Ｗ２は、例えば、それぞれ３０ｍｍとすることができる。また、この場合、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間隔Ｂ１、及び第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間隔Ｂ２は、例えば、それぞれ２ｍｍとすることができる。セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第１の抵抗発熱体１４〜１６の上面との間隔Ｊ２は、例えば、１．３ｍｍとすることができる。
第１の抵抗発熱体１４〜１６の材料としては、例えば、導電性を確保するための金属粒子又は導電性セラミックと、樹脂、溶剤、増粘剤等とを含む導体ペーストを用いることができる。金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム等）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケル等が好ましい。導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物等を用いることができる。
図３を参照するに、電極２１は、第１の抵抗発熱体１４の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極２１は、第１の抵抗発熱体１４と接続されると共に、電源４１のプラス端子４１Ａと電気的に接続されている。
電極２２は、第１の抵抗発熱体１４の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極２２は、第１の抵抗発熱体１４と接続されると共に、電源４１のマイナス端子４１Ｂと電気的に接続されている。電極２１，２２は、第１の抵抗発熱体１４に電力を供給するための電力供給用電極である。
電極２３は、第１の抵抗発熱体１５の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極２３は、第１の抵抗発熱体１５と接続されると共に、電源４２のプラス端子４２Ａと電気的に接続されている。
電極２４は、第１の抵抗発熱体１５の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極２４は、第１の抵抗発熱体１５と接続されると共に、電源４２のマイナス端子４２Ｂと電気的に接続されている。電極２３，２４は、第１の抵抗発熱体１５に電力を供給するための電力供給用電極である。
電極２５は、第１の抵抗発熱体１６の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極２５は、第１の抵抗発熱体１６と接続されると共に、電源４３のプラス端子４３Ａと電気的に接続されている。
電極２６は、第１の抵抗発熱体１６の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極２６は、第１の抵抗発熱体１６と接続されると共に、電源４３のマイナス端子４３Ｂと電気的に接続されている。電極２５，２６は、第１の抵抗発熱体１６に電力を供給するための電力供給用電極である。
図６は、図３に示す基板加熱装置に設けられた第２の抵抗発熱体の平面図である。
図３及び図６を参照するに、第２の抵抗発熱体２８は、リング状とされており、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｄ１と静電電極１３との間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第２の抵抗発熱体２８は、電源４４と電気的に接続された電力供給用の電極３３，３４と接続されている。第２の抵抗発熱体２８は、電極３３，３４を介して、電源４４から供給される電力により発熱する。第２の抵抗発熱体２８は、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｅ１（第１の抵抗発熱体１４〜１６では加熱することが困難なセラミック板１２部分）を加熱するためのものである。
第２の抵抗発熱体２９は、リング状とされており、第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｄ２と静電電極１３との間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第２の抵抗発熱体２９は、電源４５と電気的に接続された電力供給用の電極３５，３６と接続されている。第２の抵抗発熱体２９は、電極３５，３６を介して、電源４５から供給される電力により発熱する。第２の抵抗発熱体２９は、第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｅ２を加熱するためのものである。
第２の抵抗発熱体２８，２９は、それぞれ異なる電源４４，４５と電気的に接続されているこれにより、第２の抵抗発熱体２８，２９の温度は、それぞれ独立して制御可能な構成とされている。具体的な第２の抵抗発熱体２８，２９としては、例えば、先に説明した第１の抵抗発熱体１４〜１６（図５参照）と同様な配線パターンを用いることができる。
このように、セラミック板部分Ｄ１と静電電極１３との間に位置する部分のセラミック板１２に第２の抵抗発熱体２８を内蔵すると共に、セラミック板部分Ｄ２と静電電極１３との間に位置する部分のセラミック板１２に第２の抵抗発熱体２９を内蔵することにより、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｅ１、及び第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｅ２を加熱することが可能となるため、基板４０を所定の温度にすることができる。なお、基板４０を所定の温度にするとは、基板４０全体を略等しい温度にする場合や、基板４０の外周付近の温度を他の基板４０部分の温度よりも高くする場合（基板４０面内において温度分布をもたせる場合）等が含まれる。所定の温度は、基板加熱装置１０が内設される装置（例えば、エッチング装置や成膜装置等）の特性や、加工条件等により決定される温度である。
第１の抵抗発熱体１４の直径Ｒ１が８６ｍｍ、第１の抵抗発熱体１５，１６の幅Ｗ１，Ｗ２がそれぞれ３０ｍｍ、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間隔Ｂ１及び第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間隔Ｂ２がそれぞれ２ｍｍの場合、第２の抵抗発熱体２８，２９の幅Ｗ３，Ｗ４は、例えば、それぞれ５ｍｍとすることができる。また、セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第２の抵抗発熱体２８，２９の上面との間隔Ｊ３は、例えば、０．８ｍｍとすることができる。
第２の抵抗発熱体２８，２９の材料としては、例えば、導電性を確保するための金属粒子又は導電性セラミックと、樹脂、溶剤、増粘剤等とを含む導体ペーストを用いることができる。金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム等）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケル等が好ましい。導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物等を用いることができる。
図３を参照するに、電極３３は、第２の抵抗発熱体２８の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極３３は、第２の抵抗発熱体２８と接続されると共に、電源４４のプラス端子４４Ａと電気的に接続されている。
電極３４は、第２の抵抗発熱体２８の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極３４は、第２の抵抗発熱体２８と接続されると共に、電源４４のマイナス端子４４Ｂと電気的に接続されている。電極３３，３４は、第２の抵抗発熱体２８に電力を供給するための電力供給用電極である。
電極３５は、第２の抵抗発熱体２９の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極３５は、第２の抵抗発熱体２９と接続されると共に、電源４５のプラス端子４５Ａと電気的に接続されている。
電極３６は、第２の抵抗発熱体２９の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極３６は、第２の抵抗発熱体２９と接続されると共に、電源４５のマイナス端子４５Ｂと電気的に接続されている。電極３５，３６は、第２の抵抗発熱体２９に電力を供給するための電力供給用電極である。
電源４１〜４５は、ベースプレート１１及びセラミック板１２の外部に設けられている。電源４１は、プラス端子４１Ａと、マイナス端子４１Ｂとを有する。プラス端子４１Ａは、電極２１と接続されている。マイナス端子４１Ｂは、電極２２と接続されている。電源４１は、電極２１，２２を介して、第１の抵抗発熱体１４に電力を供給することにより、第１の抵抗発熱体１４を発熱させるためのものである。
電源４２は、プラス端子４２Ａと、マイナス端子４２Ｂとを有する。プラス端子４２Ａは、電極２３と接続されている。マイナス端子４２Ｂは、電極２４と接続されている。電源４２は、電極２３，２４を介して、第１の抵抗発熱体１５に電力を供給することにより、第１の抵抗発熱体１５を発熱させるためのものである。
電源４３は、プラス端子４３Ａと、マイナス端子４３Ｂとを有する。プラス端子４３Ａは、電極２５と接続されている。マイナス端子４３Ｂは、電極２６と接続されている。電源４３は、電極２５，２６を介して、第１の抵抗発熱体１６に電力を供給することにより、第１の抵抗発熱体１６を発熱させるためのものである。
電源４４は、プラス端子４４Ａと、マイナス端子４４Ｂとを有する。プラス端子４４Ａは、電極３３と接続されている。マイナス端子４４Ｂは、電極３４と接続されている。電源４４は、電極３３，３４を介して、第２の抵抗発熱体２８に電力を供給することにより、第２の抵抗発熱体２８を発熱させるためのものである。
電源４５は、プラス端子４５Ａと、マイナス端子４５Ｂとを有する。プラス端子４５Ａは、電極３５と接続されている。マイナス端子４５Ｂは、電極３６と接続されている。電源４５は、電極３５，３６を介して、第２の抵抗発熱体２９に電力を供給することにより、第２の抵抗発熱体２９を発熱させるためのものである。
本実施の形態の基板加熱装置によれば、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｄ１と静電電極１３との間に位置する部分のセラミック板１２に第２の抵抗発熱体２８を内蔵すると共に、第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｄ２と静電電極１３との間に位置する部分のセラミック板１２に第２の抵抗発熱体２９内蔵することにより、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｅ１、及び第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｅ２を加熱して、基板４０を所定の温度にすることができる。
（第２の実施の形態）
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。図７において、第１の実施の形態の基板加熱装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
図７を参照するに、第２の実施の形態の基板加熱装置５０は、第１の実施の形態の基板加熱装置１０に設けられた電極２１〜２６，３３〜３６の代わりに電極５１〜５６，６１〜６４を設けると共に、基板加熱装置１０に設けられた第１及び第２の抵抗発熱体１４〜１６，２８，２９の配設位置を変えた以外は基板加熱装置１０と同様に構成されている。
第１の抵抗発熱体１４〜１６は、静電電極１３よりも下方、かつ第２の抵抗発熱体２８，２９よりも上方に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第１の抵抗発熱体１４〜１６は、隣り合う第１の抵抗発熱体１４〜１６から離間するように、セラミック板１２の基板載置面１２Ａに対して略平行となる同一平面上に配置されている。
第１の抵抗発熱体１４は、電源４１と電気的に接続された電力供給用の電極５１，５２と接続されている。第１の抵抗発熱体１４は、電極５１，５２を介して、電源４１から供給される電力により発熱する。
第１の抵抗発熱体１５は、第１の抵抗発熱体１４の外側に配置されている。第１の抵抗発熱体１５は、電源４２と電気的に接続された電力供給用の電極５３，５４と接続されている。第１の抵抗発熱体１５は、電極５３，５４を介して、電源４２から供給される電力により発熱する。
第１の抵抗発熱体１６は、第１の抵抗発熱体１５の外側に配置されている。第１の抵抗発熱体１６は、電源４３と電気的に接続された電力供給用の電極５５，５６と接続されている。第１の抵抗発熱体１６は、電極５５，５６を介して、電源４３から供給される電力により発熱する。
このように、第１の抵抗発熱体１４〜１６をそれぞれ異なる電源４１〜４３と電気的に接続することにより、各第１の抵抗発熱体１４〜１６の温度をそれぞれ独立して制御することができる。
セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第１の抵抗発熱体１４〜１６の上面との間隔Ｊ４は、例えば、０．８ｍｍとすることができる。
第２の抵抗発熱体２８は、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｆ１とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第２の抵抗発熱体２８は、電源４４と電気的に接続された電力供給用の電極６１，６２と接続されている。第２の抵抗発熱体２８は、電極６１，６２を介して、電源４４から供給される電力により発熱する。第２の抵抗発熱体２８は、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｇ１を加熱するためのものである。
第２の抵抗発熱体２９は、第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｆ２とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第２の抵抗発熱体２９は、電源４５と電気的に接続された電力供給用の電極６３，６４と接続されている。第２の抵抗発熱体２９は、電極６３，６４を介して、電源４５から供給される電力により発熱する。第２の抵抗発熱体２９は、第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｇ２を加熱するためのものである。このように、第２の抵抗発熱体２８，２９をそれぞれ異なる電源４４，４５と電気的に接続することにより、各第２の抵抗発熱体２８，２９の温度をそれぞれ独立して制御することができる。
上記説明したように、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｆ１とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に第２の抵抗発熱体２８を内蔵すると共に、第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｆ２とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に第２の抵抗発熱体２９を内蔵することにより、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｇ１、及び第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｇ２を加熱して、基板４０を所定の温度にすることができる。
セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第２の抵抗発熱体２８，２９の上面との間隔Ｊ５は、例えば、１．３ｍｍとすることができる。
電極５１は、第１の抵抗発熱体１４の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極５１は、第１の抵抗発熱体１４と接続されると共に、電源４１のプラス端子４１Ａと電気的に接続されている。
電極５２は、第１の抵抗発熱体１４の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極５２は、第１の抵抗発熱体１４と接続されると共に、電源４１のマイナス端子４１Ｂと電気的に接続されている。電極５１，５２は、第１の抵抗発熱体１４に電力を供給するための電力供給用電極である。
電極５３は、第１の抵抗発熱体１５の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極５３は、第１の抵抗発熱体１５と接続されると共に、電源４２のプラス端子４２Ａと電気的に接続されている。
電極５４は、第１の抵抗発熱体１５の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極５４は、第１の抵抗発熱体１５と接続されると共に、電源４２のマイナス端子４２Ｂと電気的に接続されている。電極５３，５４は、第１の抵抗発熱体１５に電力を供給するための電極である。
電極５５は、第１の抵抗発熱体１６の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極５５は、第１の抵抗発熱体１６と接続されると共に、電源４３のプラス端子４３Ａと電気的に接続されている。
電極５６は、第１の抵抗発熱体１６の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極５６は、第１の抵抗発熱体１６と接続されると共に、電源４３のマイナス端子４３Ｂと電気的に接続されている。電極５５，５６は、第１の抵抗発熱体１６に電力を供給するための電力供給用電極である。
電極６１は、第２の抵抗発熱体２８の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極６１は、第２の抵抗発熱体２８と接続されると共に、電源４４のプラス端子４４Ａと電気的に接続されている。
電極６２は、第２の抵抗発熱体２８の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極６２は、第２の抵抗発熱体２８と接続されると共に、電源４４のマイナス端子４４Ｂと電気的に接続されている。電極６１，６２は、第２の抵抗発熱体２８に電力を供給するための電力供給用電極である。
電極６３は、第２の抵抗発熱体２９の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極６３は、第２の抵抗発熱体２９と接続されると共に、電源４５のプラス端子４５Ａと電気的に接続されている。
電極６４は、第２の抵抗発熱体２９の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極６４は、第２の抵抗発熱体２９と接続されると共に、電源４５のマイナス端子４５Ｂと電気的に接続されている。電極６３，６４は、第２の抵抗発熱体２９に電力を供給するための電力供給用電極である。
本実施の形態の基板加熱装置によれば、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｆ１とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に第２の抵抗発熱体２８を内蔵すると共に、第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｆ２とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に第２の抵抗発熱体２９を内蔵することにより、第１の抵抗発熱体１４と第１の抵抗発熱体１５との間に位置するセラミック板部分Ｇ１、及び第１の抵抗発熱体１５と第１の抵抗発熱体１６との間に位置するセラミック板部分Ｇ２を加熱することが可能となるため、基板４０を所定の温度に加熱することができる。
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。図８において、第１の実施の形態の基板加熱装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。図８において、Ｋは基板４０の外周部分（以下、「基板外周部分Ｋ」とする）を示している。
図８を参照するに、第３の実施の形態に係る基板加熱装置７０は、第１の実施の形態の基板加熱装置１０の構成に、さらに第３の抵抗発熱体７１、電極７２，７３、及び電源７５を設けた以外は基板加熱装置１０と同様な構成とされている。
図９は、図８に示す基板加熱装置に設けられた第３の抵抗発熱体の平面図である。
図８及び図９を参照するに、第３の抵抗発熱体７１は、リング状とされており、第２の抵抗発熱体２９よりも上方、かつ静電電極１３よりも下方に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第３の抵抗発熱体７１は、基板４０の基板外周部分Ｋを加熱可能なように、セラミック板１２の外周部に配置されている。本実施の形態の場合、第３の抵抗発熱体７１が配設される所定の位置は、セラミック板１２の外周部、かつ第２の抵抗発熱体２９よりも上方、かつ静電電極１３よりも下方に位置するセラミック板１２部分である。
第３の抵抗発熱体７１は、電源７５と電気的に接続された電力供給用の電極７２，７３と接続されている。第３の抵抗発熱体７１は、電極７２，７３を介して、電源７５から供給される電力により発熱する。具体的な第３の抵抗発熱体７１としては、例えば、先に説明した第１の抵抗発熱体１４〜１６（図５参照）と同様な配線パターンを用いることができる。
このように、第１及び第２の抵抗発熱体１４〜１６，２８，２９の他に基板外周部分Ｋを加熱する第３の抵抗発熱体７１をセラミック板１２に内蔵することにより、例えば、プラズマＣＶＤ装置で基板加熱装置７０を使用する場合、基板外周部分Ｋの上方におけるプラズマ密度が低いときに、第３の抵抗発熱体７１により基板外周部分Ｋを基板４０の他の部分よりも高い温度となるように加熱することが可能となるため、プラズマ密度に依存することなく、基板４０上に形成される膜の膜質を略均一にすることができる。
第３の抵抗発熱体７１の材料としては、例えば、導電性を確保するための金属粒子又は導電性セラミックと、樹脂、溶剤、増粘剤等とを含む導体ペーストを用いることができる。金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム等）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケル等が好ましい。導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物等を用いることができる。
セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第３の抵抗発熱体７１の上面７１Ａとの間隔Ｊ８は、例えば、０．８ｍｍとすることができる。この場合、セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第１の抵抗発熱体１４〜１６の上面との間隔Ｊ６は、例えば、１．８ｍｍ、セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第２の抵抗発熱体２８，２９の上面との間隔Ｊ７は、例えば、１．３ｍｍ、セラミック板１２の厚さＭ２は、例えば、３．５ｍｍとすることができる。また、第３の抵抗発熱体７１の幅Ｗ５は、例えば、２５ｍｍとすることができる。
図８を参照するに、電極７２は、第３の抵抗発熱体７１の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極７２は、第３の抵抗発熱体７１と接続されると共に、電源７５のプラス端子７５Ａと電気的に接続されている。
電極７３は、第３の抵抗発熱体７１の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極７３は、第３の抵抗発熱体７１と接続されると共に、電源７５のマイナス端子７５Ｂと電気的に接続されている。電極７２，７３は、第１の抵抗発熱体１６と電気的に絶縁されている。電極７２，７３は、第３の抵抗発熱体７１に電力を供給するための電力供給用電極である。
電源７５は、ベースプレート１１及びセラミック板１２の外部に設けられている。電源７５は、プラス端子７５Ａと、マイナス端子７５Ｂとを有する。プラス端子７５Ａは、電極７２と接続されている。マイナス端子７５Ｂは、電極７３と接続されている。電源７５は、電極７２，７３を介して、第３の抵抗発熱体７１に電力を供給して、第３の抵抗発熱体７１を発熱させるためのものである。
本実施の形態の基板加熱装置によれば、第１及び第２の抵抗発熱体１４〜１６，２８，２９の他に基板外周部分Ｋを加熱する第３の抵抗発熱体７１をセラミック板１２に内蔵することにより、例えば、プラズマＣＶＤ装置で基板加熱装置７０を使用する場合、基板外周部分Ｋの上方におけるプラズマ密度が低いときに、第３の抵抗発熱体７１により基板外周部分Ｋを基板４０の他の部分よりも高い温度となるように加熱することが可能となるため、プラズマ密度に依存することなく、基板４０上に形成される膜の膜質を略均一にすることができる。
また、本実施の形態の基板加熱装置７０は、第１の実施の形態の基板加熱装置１０と同様な効果を得ることができる。
なお、第３の抵抗発熱体７１は、第１の抵抗発熱体１４〜１６よりも上方、かつ第２の抵抗発熱体２８，２９よりも下方に位置する部分のセラミック板１２に配置してもよいし、第１の抵抗発熱体１４〜１６とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に配置してもよい。
また、第３の抵抗発熱体７１を配置する所定の位置は、基板加熱装置７０を使用する製造装置に応じて変わる。そのため、第３の抵抗発熱体７１の配設位置は、図７に示す第３の抵抗発熱体７１の配設位置に限定されない。
（第４の実施の形態）
図１０は、本発明の第４の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。図１０において、第３の実施の形態の基板加熱装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
図１０を参照するに、第４の実施の形態に係る基板加熱装置８０は、第３の実施の形態の基板加熱装置７０に設けられた電極２６を取り除くと共に、電極７３を第１の抵抗発熱体１６と接続させ、さらに電極７３を電源４３のマイナス端子４３Ｂと電気的に接続させた以外は基板加熱装置７０と同様に構成される。
一般的に、電極２１〜２５，３３〜３６とセラミック板１２とでは材質が異なるため、電極２１〜２５，３３〜３６とセラミック板１２との熱伝導率は異なる。そのため、セラミック板１２に形成する電極２１〜２５，３３〜３６の数が少ないほど、基板４０の局所的な温度ばらつきを低減することができる。
本実施の形態では、電極７３を第１の抵抗発熱体１６と接続させると共に、電極７３を電源４３のマイナス端子４３Ｂと電気的に接続させることにより、図８に示した電極２６が不要となるため、セラミック板１２に配設される電極２１〜２５，３３〜３６の数を少なくすることができる。
本実施の形態の基板加熱装置によれば、電極７３を第１の抵抗発熱体１６と接続させると共に、電極７３を電源４３のマイナス端子４３Ｂと電気的に接続させることにより、セラミック板１２に配設される電極２１〜２５，３３〜３６の数を少なくして、基板４０の局所的な温度ばらつきを低減することができる。
なお、本実施の形態では、電極７３を第１の抵抗発熱体１６及び第３の抵抗発熱体７１の共通の電極として用いた場合を例に挙げて説明したが、電極７３を第１の抵抗発熱体１６と接続する代わりに、電極７３を第２の抵抗発熱体２９と接続すると共に、電極７３を電源４５のマイナス端子４５Ｂと接続させて、電源７３を第２の抵抗発熱体２９及び第３の抵抗発熱体７１の共通の電極として用いてもよい。この場合、電極３６を構成要素から取り除くことができる。また、電極７２は、第１の抵抗発熱体１６と電気的に絶縁されている。
（第５の実施の形態）
図１１は、本発明の第５の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。図１１において、第４の実施の形態の基板加熱装置８０と同一構成部分には同一符号を付す。
図１１を参照するに、第５の実施の形態の基板加熱装置９０は、第４の実施の形態の基板加熱装置８０の構成から、第１〜第３の抵抗発熱体１４〜１６，２８，２９，７１、電極２１〜２６，３３〜３６，７２，７３、及び電源４２〜４５を取り除くと共に、第１及び第２の抵抗発熱体９１，９４、及び電極９２，９３，９５，９６を設けた以外は基板加熱装置８０と同様に構成される。
図１２は、図１１に示す基板加熱装置に設けられた第１の抵抗発熱体の平面図である。
図１１及び図１２を参照するに、第１の抵抗発熱体９１は、第２の抵抗発熱体９４とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第１の抵抗発熱体９１は、セラミック板１２の基板載置面１２Ａに対して略平行となるように配置されている。第１の抵抗発熱体９１は、平面視円形とされており、セラミック板１２の基板載置面１２Ａと接触する基板４０の裏面４０Ａと略等しい面積を有する。セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第１の抵抗発熱体９１の上面９１Ａとの間隔Ｊ９は、例えば、１．５ｍｍとすることができる。また、基板４０の直径が３００ｍｍの場合、第１の抵抗発熱体９１の直径Ｒ２は、例えば、２９５ｍｍとすることができる。
このように、セラミック板１２の基板載置面１２Ａと接触する基板４０の裏面４０Ａと略等しい面積を有する第１の抵抗発熱体９１をセラミック板１２に内蔵することにより、基板４０全体を略均一な温度となるように加熱することができる。
図１１を参照するに、電極９２は、第１の抵抗発熱体９１の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極９２は、第１の抵抗発熱体９１と接続されると共に、電源４１のプラス端子４１Ａと電気的に接続されている。
電極９３は、第１の抵抗発熱体９１の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極９３は、第１の抵抗発熱体９１と接続されると共に、電源４１のマイナス端子４１Ｂと電気的に接続されている。電極９２，９３は、第１の抵抗発熱体９１に電力を供給するための電力供給用電極である。
第２の抵抗発熱体９４は、静電電極１３と第１の抵抗発熱体９１との間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第２の抵抗発熱体９４は、第３の実施の形態で説明した第３の抵抗発熱体７１と同様な構成とされている（図８参照）。第２の抵抗発熱体９４は、リング形状とされており、基板外周部分Ｋを加熱する発熱体である。セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第２の抵抗発熱体９４の上面との間隔Ｊ１０は、例えば、０．８ｍｍとすることができる。
このように、基板４０の全体を加熱する第１の抵抗発熱体９１の他に基板外周部分Ｋを加熱する第２の抵抗発熱体９４をセラミック板１２に内蔵することにより、例えば、プラズマＣＶＤ装置で基板加熱装置９０を使用する場合、基板外周部分Ｋの上方におけるプラズマ密度が低いときに、第２の抵抗発熱体９４により基板外周部分Ｋを基板４０の他の部分よりも高い温度となるように加熱することが可能となるため、プラズマ密度に依存することなく、基板４０上に形成される膜の膜質を略均一にすることができる。
電極９５は、第２の抵抗発熱体９４の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極９５は、第２の抵抗発熱体９５と接続されると共に、電源７５のプラス端子７５Ａと電気的に接続されている。
電極９６は、第２の抵抗発熱体９４の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極９６は、第２の抵抗発熱体９４と接続されると共に、電源７５のマイナス端子７５Ｂと電気的に接続されている。電極９５，９６は、第１の抵抗発熱体９１と電気的に絶縁されている。電極９５，９６は、第２の抵抗発熱体９４に電力を供給するための電力供給用電極である。
本実施の形態の基板加熱装置によれば、基板４０の全体を加熱する第１の抵抗発熱体９１の他に基板外周部分Ｋを加熱する第２の抵抗発熱体９４をセラミック板１２に内蔵することにより、例えば、プラズマＣＶＤ装置で基板加熱装置９０を使用する場合、基板外周部分Ｋの上方におけるプラズマ密度が低いときに、第２の抵抗発熱体９４により基板外周部分Ｋを基板４０の他の部分よりも高い温度となるように加熱することが可能となるため、プラズマ密度に依存することなく、基板４０上に形成される膜の膜質を略均一にすることができる。
なお、本実施の形態では、１つの第２の抵抗発熱体９４をセラミック板１２に内蔵した場合を例に挙げて説明したが、第２の抵抗発熱体９４の他にさらに１つ又は複数の抵抗発熱体を設けてもよい。
また、本実施の形態では、第２の抵抗発熱体９４を静電電極１３と第１の抵抗発熱体９１との間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵した場合を例に挙げて説明したが、第２の抵抗発熱体９４は、第１の抵抗発熱体９１とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵してもよい。
（第６の実施の形態）
図１３は、本発明の第６の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。図１３において、第５の実施の形態の基板加熱装置９０と同一構成部分には同一符号を付す。
図１３を参照するに、第６の実施の形態に係る基板加熱装置１００は、第５の実施の形態の基板加熱装置９０に設けられた電極９３を取り除くと共に、電極９６を第１の抵抗発熱体９１と接続させ、さらに電極９１を電源４１のマイナス端子４１Ｂと電気的に接続させた以外は基板加熱装置９０と同様に構成される。電極９５は、第１の抵抗発熱体９１と電気的に絶縁されている。
本実施の形態の基板加熱装置によれば、電極９６を第１の抵抗発熱体９１と接続させると共に、電極９６を電源４１のマイナス端子４１Ｂと電気的に接続させることにより、セラミック板１２に配設される電極９２，９５，９６の数が少なくなるため、第１及び第２の抵抗発熱体９１，９４により加熱される基板４０の局所的な温度ばらつきを低減することができる。
なお、第５の実施の形態の基板加熱装置９０に設けられた電極９２を取り除くと共に、電極９５を第１の抵抗発熱体９１と接続させ、さらに電極９５を電源４１のプラス端子４１Ａと電気的に接続させた場合も本実施の形態と同様な効果を得ることができる。
（第７の実施の形態）
図１４は、本発明の第７の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。図１４において、第６の実施の形態の基板加熱装置１００と同一構成部分には同一符号を付す。
図１４を参照するに、第７の実施の形態の基板加熱装置１１０は、第６の実施の形態の基板加熱装置１００の構成から電極９５，９６を取り除くと共に、第３の抵抗発熱体１１１、電極１１３〜１１５、及び電源１１７を設けた以外は基板加熱装置１００と同様に構成される。
第１の抵抗発熱体９１は、第３の抵抗発熱体１１１とセラミック板１２の下面１２Ｂとの間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第１の抵抗発熱体９１は、電源４１と電気的に接続された電極９２，１１４と接続されている。第１の抵抗発熱体９１は、電極９２，１１４を介して、電源４１か供給される電力により発熱する。セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第１の抵抗発熱体９１の上面との間隔Ｊ１１は、例えば、１．８ｍｍとすることができる。
第２の抵抗発熱体９４は、静電電極１３と第３の抵抗発熱体１１１との間に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第２の抵抗発熱体９４は、電源７５と電気的に接続された電極１１３，１１４と接続されている。第２の抵抗発熱体９４は、電極１１３，１１４を介して、電源７５から供給される電力により発熱する。セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第２の抵抗発熱体９４の上面との間隔Ｊ１２は、例えば、０．８ｍｍとすることができる。
図１５は、図１４に示す基板加熱装置に設けられた第３の抵抗発熱体の平面図である。
図１４及び図１５を参照するに、第３の抵抗発熱体１１１は、第１の抵抗発熱体９１よりも上方、かつ第２の抵抗発熱体９４よりも下方に位置する部分のセラミック板１２に内蔵されている。第３の抵抗発熱体１１１は、第２の抵抗発熱体９４よりも幅広なリング形状とされている。第２の抵抗発熱体９４の幅Ｗ５が２５ｍｍの場合、第３の抵抗発熱体１１１の幅Ｗ６は、例えば、５０ｍｍとすることができる。セラミック板１２の基板載置面１２Ａと第３の抵抗発熱体１１１の上面との間隔Ｊ１３は、例えば、１．３ｍｍとすることができる。
第３の抵抗発熱体１１１は、基板外周部分Ｋと基板外周部分Ｋよりも内側に位置する基板４０部分（以下、「基板部分Ｎ」とする）を加熱するためのものである。
このように、第１及び第２の抵抗発熱体９１，９４の他に、基板外周部分Ｋよりも内側に位置する基板部分Ｎを加熱する第３の抵抗発熱体１１１をセラミック板１２に内蔵することにより、基板４０の３つの領域（板外周部分Ｋ、基板部分Ｎ、及び基板部分Ｎよりも内側に位置する基板４０部分）の温度を変えることが可能となる。
これにより、例えば、プラズマ密度が基板４０の外周から中心に向かうにつれて高くなるようなプラズマＣＶＤ装置で基板加熱装置１１０を使用する場合、基板４０に温度勾配を形成することが可能となるため、プラズマ密度に依存することなく、基板４０上に形成される膜の膜質を略均一にすることができる。
図１４を参照するに、電極１１３は、第２の抵抗発熱体９４の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極１１３は、第２の抵抗発熱体９４と接続されている。また、電極１１３は、電源７５のプラス用端子７５Ａと電気的に接続されている。電極１１３は、第１の抵抗発熱体９１及び第３の抵抗発熱体１１１と電気的に絶縁されている。
電極１１４は、第２の抵抗発熱体９４の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極１１４は、第１〜第３の抵抗発熱体９１，９４，１１１と接続されている。また、電極１１４は、電源４１，７５，１１７のマイナス用端子４１Ｂ，７５Ｂ，１１７Ｂと電気的に接続されている。
このように、電極１１４を第１〜第３の抵抗発熱体９１，９４，１１１と接続させると共に、電極１１４を電源４１，７５，１１７のマイナス用端子４１Ｂ，７５Ｂ，１１７Ｂと電気的に接続して、電極１１４を第１〜第３の抵抗発熱体９１，９４，１１１の共通の電極として用いることにより、セラミック板１２に配設する電極９２，９５，１１３〜１１５の数が少なくなるため、基板４０の局所的な温度ばらつきを低減することができる。
電極１１５は、第３の抵抗発熱体１１１の下方に位置する部分のセラミック板１２を貫通するように設けられている。電極１１５は、第３の抵抗発熱体１１１と接続されている。また、電極１１５は、電源１１７のプラス用端子１１７Ａと電気的に接続されている。電極１１５は、第１の抵抗発熱体９１と電気的に絶縁されている。
本実施の形態の基板加熱装置によれば、第１及び第２の抵抗発熱体９１，９４の他に、基板外周部分Ｋよりも内側に位置する基板部分Ｎを加熱する第３の抵抗発熱体１１１をセラミック板１２に内蔵することにより、例えば、プラズマ密度が基板４０の外周から中心に向かうにつれて高くなるようなプラズマＣＶＤ装置で基板加熱装置１１０を使用する場合、基板４０に温度勾配を形成することが可能となるため、プラズマ密度に依存することなく、基板４０上に形成される膜の膜質を略均一にすることができる。
また、電極１１４を第１〜第３の抵抗発熱体９１，９４，１１１と接続させると共に、電極１１４を電源４１，７５，１１７のマイナス用端子４１Ｂ，７５Ｂ，１１７Ｂと電気的に接続して、電極１１４を第１〜第３の抵抗発熱体９１，９４，１１１の共通の電極として用いることにより、セラミック板１２に配設する電極９２，９５，１１３〜１１５の数が少なくなるため、基板４０の局所的な温度ばらつきを低減することができる。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
本発明によれば、基板を所定の温度に加熱することができる。
従来の基板加熱装置の断面図である。 図１に示す基板加熱装置に設けられた抵抗発熱体の平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。 図３に示す基板加熱装置に設けられた第１の抵抗発熱体の平面図である。 図４に示す第１の抵抗発熱体の具体例を示す図である。 図３に示す基板加熱装置に設けられた第２の抵抗発熱体の平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。 図８に示す基板加熱装置に設けられた第３の抵抗発熱体の平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。 図１１に示す基板加熱装置に設けられた第１の抵抗発熱体の平面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る基板加熱装置の断面図である。 図１４に示す基板加熱装置に設けられた第３の抵抗発熱体の平面図である。
符号の説明
１０，５０，７０，８０，９０，１００，１１０ 基板加熱装置
１１ ベースプレート
１２ セラミック板
１２Ａ 基板載置面
１２Ｂ 下面
１３ 静電電極
１３Ａ，７１Ａ，９１Ａ 上面
１４〜１６，９１ 第１の抵抗発熱体
２１〜２６，３３〜３６，５１〜５６，６１〜６４，７２，７３，９２，９３，９５，９６，１１３〜１１５ 電極
２８，２９，９４ 第２の抵抗発熱体
４０ 基板
４０Ａ 裏面
４１〜４５，７５，１１７ 電源
４１Ａ〜４５Ａ，７５Ａ，１１７Ａ プラス端子
４１Ｂ〜４５Ｂ，７５Ｂ，１１７Ｂ マイナス端子
４７ 管路
７１，１１１ 第３の抵抗発熱体
Ｂ１，Ｂ２，Ｊ１〜Ｊ１３ 間隔
Ｄ１，Ｄ２，Ｅ１，Ｅ２，Ｆ１，Ｆ２，Ｇ１，Ｇ２ セラミック板部分
Ｋ 基板外周部分
Ｍ１，Ｍ２ 厚さ
Ｒ１，Ｒ２ 直径
Ｗ１〜Ｗ６ 幅

Claims (9)

  1. 基板が載置される第１の主面を有したセラミック板と、
    前記セラミック板に内蔵された複数の第１の抵抗発熱体と、を有し、
    前記複数の第１の抵抗発熱体は、隣り合う前記第１の抵抗発熱体から離間するように、前記セラミック板の第１の主面に対して略平行となる同一平面上に配置されており、
    前記複数の第１の抵抗発熱体がそれぞれ独立して温度制御可能な構成とされた基板加熱装置であって、
    前記複数の第１の抵抗発熱体間に位置する部分の前記セラミック板を加熱する第２の抵抗発熱体を前記セラミック板に内蔵したことを特徴とする基板加熱装置。
  2. 前記第２の抵抗発熱体は、前記セラミック板の前記第１の主面と前記第１の抵抗発熱体との間、及び／又は前記セラミック板の前記第１の主面の反対側の面と前記第１の抵抗発熱体との間に配置したことを特徴とする請求項１記載の基板加熱装置。
  3. 前記セラミック板に内蔵された第３の抵抗発熱体をさらに設け、
    前記第３の抵抗発熱体を所定の位置に配置したことを特徴とする請求項１または２記載の基板加熱装置。
  4. 前記セラミック板に内設され、前記第３の抵抗発熱体と接続された電力供給用の２つの電極を有し、
    前記２つの電極のうち、いずれか一方の前記電極を前記第１の抵抗発熱体又は前記第２の抵抗発熱体と前記第３の抵抗発熱体との間に位置する部分の前記セラミック板を貫通するように設けると共に、前記第１の抵抗発熱体又は前記第２の抵抗発熱体と接続したことを特徴とする請求項３記載の基板加熱装置。
  5. 前記セラミック板に静電電極を内蔵したことを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の基板加熱装置。
  6. 基板が載置されるセラミック板と、
    前記セラミック板に内蔵され、前記セラミック板を加熱する抵抗発熱体とを、有した基板加熱装置であって、
    前記抵抗発熱体は、前記セラミック板の第１の主面と接触する前記基板の面と略同じ面積を有し、前記セラミック板の第１の主面に対して略平行となるように配置された第１の抵抗発熱体と、前記セラミック板の第１の主面と前記第１の抵抗発熱体との間、及び／又は前記セラミック板の第１の主面とは反対側の面と前記第１の抵抗発熱体との間の所定の位置に配置された第２の抵抗発熱体とを有することを特徴とする基板加熱装置。
  7. 前記セラミック板に内設され、前記第１の抵抗発熱体と接続された電力供給用の第１の電極と、前記セラミック板に内設され、前記第２の抵抗発熱体と接続された電力供給用の第２の電極とを有し、
    前記第１の電極を、前記第１の抵抗発熱体と前記第２の抵抗発熱体との間に位置する部分の前記セラミック板を貫通するように設けたことを特徴とする請求項６記載の基板加熱装置。
  8. 前記セラミック板に内設され、前記第２の抵抗発熱体と接続された電力供給用の２つの電極を有し、
    前記２つの電極のうち、いずれか一方の前記電極を前記第１の抵抗発熱体と前記第２の抵抗発熱体との間に位置する部分の前記セラミック板を貫通するように設けると共に、前記第１の抵抗発熱体と接続したことを特徴とする請求項６記載の基板加熱装置。
  9. 前記セラミック板に静電電極を内蔵したことを特徴とする請求項６ないし８のうち、いずれか一項記載の基板加熱装置。
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