JP2008103464A

JP2008103464A - 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

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Publication number: JP2008103464A
Application number: JP2006283536A
Authority: JP
Inventors: Hidekane Ozeki; 秀謙尾関; Yasushi Okubo; 康大久保; Katsura Hirai; 桂平井; Hiroshi Kita; 弘志北
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2006-10-18
Filing date: 2006-10-18
Publication date: 2008-05-01

Abstract

【課題】高移動度で耐久性に優れた有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】

〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。Ｘ₁、Ｘ₂は、各々Ｏ，Ｓ又はＳｅを表す。ｎ１、ｎ２は、各々１〜３の整数を表す。〕
【選択図】なし

Description

本発明は、有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタに関する。

情報端末の普及に伴い、コンピュータ用のディスプレイとしてフラットパネルディスプレイに対するニーズが高まっている。また、さらに情報化の進展に伴い、従来、紙媒体で提供されていた情報が電子化される機会が増え、薄くて軽い、手軽に持ち運びが可能なモバイル用表示媒体として、電子ペーパーあるいはデジタルペーパーへのニーズも高まりつつある。

一般に平板型のディスプレイ装置においては、液晶、有機ＥＬ（有機エレクトロルミネッセンス）、電気泳動等を利用した素子を用いて表示媒体を形成している。また、こうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度等を確保するために、画像駆動素子としてアクティブ駆動素子（ＴＦＴ素子）を用いる技術が主流になっている。例えば、通常のコンピュータディスプレイではガラス基板上にこれらＴＦＴ素子を形成し、液晶、有機ＥＬ素子等が封止されている。

ここでＴＦＴ素子には主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）等の半導体を用いることができ、これらのＳｉ半導体（必要に応じて金属膜も）を多層化し、ソース、ドレイン、ゲート電極を基板上に順次形成していくことでＴＦＴ素子が製造される。こうしたＴＦＴ素子の製造には通常、スパッタリング、その他の真空系の製造プロセスが必要とされる。

しかしながら、このようなＴＦＴ素子の製造では、真空チャンバーを含む真空系の製造プロセスを何度も繰り返して各層を形成せざるを得ず、装置コスト、ランニングコストが非常に膨大なものとなっていた。例えば、ＴＦＴ素子では、通常それぞれの層の形成のために真空蒸着、ドープ、フォトリソグラフ、現像等の工程を何度も繰り返す必要があり、何十もの工程を経て素子を基板上に形成している。スイッチング動作の要となる半導体部分に関しても、ｐ型、ｎ型等、複数種類の半導体層を積層している。こうした従来のＳｉ半導体による製造方法ではディスプレイ画面の大型化のニーズに対し、真空チャンバー等の製造装置の大幅な設計変更が必要とされる等、設備の変更が容易ではない。

また、このような従来からのＳｉ材料を用いたＴＦＴ素子の形成には高い温度の工程が含まれるため、基板材料には工程温度に耐える材料であるという制限が加わることになる。このため実際上はガラスを用いざるをえず、先に述べた電子ペーパーあるいはデジタルペーパーといった薄型ディスプレイを、こうした従来知られたＴＦＴ素子を利用して構成した場合、そのディスプレイは重く、柔軟性に欠け、落下の衝撃で割れる可能性のある製品となってしまう。ガラス基板上にＴＦＴ素子を形成することに起因するこれらの特徴は、情報化の進展に伴う手軽な携行用薄型ディスプレイへのニーズを満たすにあたり望ましくないものである。

一方、近年において高い電荷輸送性を有する有機化合物として、有機半導体材料の研究が精力的に進められている。これらの化合物は有機ＥＬ素子用の電荷輸送性材料のほか、例えば非特許文献１等において論じられているような有機レーザー発振素子や、例えば非特許文献２等、多数の論文にて報告されている有機薄膜トランジスタ素子（有機ＴＦＴ素子）への応用が期待されている。これら有機半導体デバイスを実現できれば、比較的低い温度での真空ないし低圧蒸着による製造プロセスの簡易化や、さらにはその分子構造を適切に改良することによって、溶液化できる半導体を得る可能性があると考えられ、有機半導体溶液をインク化することによりインクジェット方式を含む印刷法による製造も考えられる。これらの低温プロセスによる製造は、従来のＳｉ系半導体材料については不可能と考えられてきたが、有機半導体を用いたデバイスにはその可能性があり、従って前述の基板耐熱性に関する制限が緩和され、透明樹脂基板上にも例えばＴＦＴ素子を形成できる可能性がある。透明樹脂基板上にＴＦＴ素子を形成し、そのＴＦＴ素子により表示材料を駆動させることができれば、ディスプレイを従来のものよりも軽く、柔軟性に富み、落としても割れない（もしくは非常に割れにくい）ディスプレイとすることができるであろう。

しかしながら、こうしたＴＦＴ素子を実現するための有機半導体としてこれまでに検討されてきたのは、ペンタセンやテトラセンといったアセン類（例えば、特許文献１参照。）、鉛フタロシアニンを含むフタロシアニン類、ペリレンやそのテトラカルボン酸誘導体といった低分子化合物（例えば、特許文献２参照。）や、α−チエニールもしくはセクシチオフェンと呼ばれるチオフェン６量体を代表例とする芳香族オリゴマー（例えば、特許文献３参照。）、ナフタレン、アントラセンに５員の芳香族複素環が対称に縮合した化合物（例えば、特許文献４参照。）、モノ、オリゴ及びポリジチエノピリジン（例えば、特許文献５参照。）、さらにはポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリ−ｐ−フェニレンビニレンといった共役高分子等限られた種類の化合物（例えば、非特許文献１〜３参照。）でしかなく、溶剤への十分な溶解性を保持しながら、十分なキャリア移動度・ＯＮ／ＯＦＦ比を示す材料は見出されていない。

最近、溶解性の高いアセン類であるルブレンの単結晶が非常に高い移動度を有することが報告されているが（非特許文献４参照。）、このような単結晶は気相成長法で作製したものであり、溶液キャストで製膜した膜はアモルファスであり、十分な移動度は得られていない。

また、真空蒸着によって高いキャリア移動度を有する化合物であるペンタセンに官能基を付与した化合物等も開示され、溶液塗布によって比較的良好なキャリア移動度が得られるとの報告もなされている（例えば、特許文献６参照。）。

しかし、ルブレンやペンタセン等のアセン系の化合物は空気によって容易に酸化されてエンドパーオキシドと呼ばれる酸化体に転化し、電界効果トランジスタとしての性能が大きく劣化してしまうことが知られており、溶液での保存安定性や塗布膜の安定性についてはいまだ解決すべき課題が残されている。

このような有機半導体素子の経時安定性については、例えば、特開２００３−２９２５８８号公報、米国特許出願公開第２００３／１３６９５８号明細書、同２００３／１６０２３０号明細書、同２００３／１６４４９５号明細書において、「マイクロエレクトロニクス用の集積回路論理素子にポリマーＴＦＴを用いると、その機械的耐久性が大きく向上し、その使用可能寿命が長くなる。

しかし、半導体ポリチオフェン類の多くは、周囲の酸素によって酸化的にドープされ、導電率が増大してしまうため空気に触れると安定ではないと考えられる。この結果、これらの材料から製造したデバイスのオフ電流は大きくなり、そのため電流オン／オフ比は小さくなる。従ってこれらの材料の多くは、材料加工とデバイス製造の間に環境酸素を排除して酸化的ドーピングを起こさない、あるいは最小とするよう厳重に注意しなければならない。この予防措置は製造コストを押し上げるため、特に大面積デバイスのための、アモルファスシリコン技術に代わる経済的な技術としてのある種のポリマーＴＦＴの魅力が削がれてしまう。これら及びその他の欠点は、本発明の実施の形態において回避され、あるいは最小となる。従って、酸素に対して強い対抗性を有し、比較的高い電流ＯＮ／ＯＦＦ比を示すエレクトロニックデバイスが望まれている」との記載があるように、有機半導体材料が経時で劣化することをいかに防ぐかといった課題が、実用化を行う上での大きな課題となってきている。

酸化に対して比較的安定なアセン系化合物の例としては、ペンタセンの６、１３位をシリルエチニル基で置換した一部の化合物が、塗布膜の安定性が良いとの報告がある程度である（例えば、非特許文献５、６及び特許文献７参照。）。

しかしながら、これらの報告においては、酸化に対する安定性が向上したと定性的な記載があるのみであり、いまだ実用に耐えうる程度の安定性は得られていない。

また、ペンタセンの６、１３位をシリルエチニル基で置換した化合物のペンタセン母核の一部をハロゲン原子やシアノ基などといった電子吸引性基で置換することで、化合物の酸化還元電位を深くすることができるといった試みもなされている（例えば、非特許文献７参照。）が、高移動度と素子の耐久性を兼ね備えた有機半導体材料はいまだ得られていないのが現状である。
特開平５−５５５６８号公報特開平５−１９０８７７号公報特開平８−２６４８０５号公報特開平１１−１９５７９０号公報特開２００３−１５５２８９号公報国際公開第０３／０１６５９９号パンフレット米国特許第６６９００２９Ｂ１号明細書『サイエンス』（Ｓｃｉｅｎｃｅ）誌２８９巻、５９９ページ（２０００）『ネイチャー』（Ｎａｔｕｒｅ）誌４０３巻、５２１ページ（２０００）『アドバンスド・マテリアル』（ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌ）誌、２００２年、第２号、９９ページＳｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．３０３（２００４），１６４４ページＯｒｇ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．４（２００２），１５ページＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１２７（２００５），４９８６ページＯｒｇ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．７（２００５），３１６３ページ

本発明の目的は、有機半導体材料として溶解性が高く、製造時の塗布性が良好で、生産安定性が高く、形成された有機半導体の移動度が高く、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。

上記課題に鑑み、本発明者らはさまざまなアセン母核にエチニル基などの置換基を導入したところ、アントラジチオフェンやヘキサジチオフェンなどの両末端にフェニル基を導入した化合物において、高い酸化安定性と、良好な薄膜結晶が得られ、高移動度且つ高安定性の有機半導体材料を発見するに至ったものである。

上記課題は、以下の構成により解決することができた。

１．下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。Ｘ₁、Ｘ₂は、各々Ｏ，Ｓ又はＳｅを表す。ｎ１、ｎ２は、各々１〜３の整数を表す。〕
２．前記一般式（１）が下記一般式（２）で表されることを特徴とする前記１に記載の有機半導体材料。

〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。〕
３．前記置換基が下記一般式（３）で表されることを特徴とする前記１又は２に記載の有機半導体材料。

〔式中、Ｒ₁は各水素原子又は置換基を表す。〕
４．前記一般式（３）で表される置換基を複数有することを特徴とする前記３に記載の有機半導体材料。

５．前記一般式（１）が下記一般式（４）又は一般式（５）で表されることを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の有機半導体材料。

〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。各Ｒ₂〜Ｒ₇は水素原子又は置換基を表す。〕
６．前記Ｒ₂〜Ｒ₇が下記一般式（６）又は一般式（７）で表されることを特徴とする前記５に記載の有機半導体材料。

〔式中、Ｙ₁は、Ｓｉ又はＧｅを表す。Ｒ₈〜Ｒ₁₀は水素原子又は置換基を表し、Ｒ₈〜Ｒ₁₀のうち少なくとも１つはアルキル基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₅は水素原子又は置換基を表し、Ｒ₈〜Ｒ₁₀のうち少なくとも１つはアルキル基を表す。〕
７．前記１〜６の何れか１項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体膜。

８．前記１〜６の何れか１項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体デバイス。

９．前記１〜６の何れか１項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

本発明により、高い酸化安定性と、良好な薄膜結晶が得られ、高移動度且つ高安定性の有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することができた。

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について説明する。

《有機半導体材料》
本発明の有機半導体材料について説明する。

《一般式（１）で表される化合物》
本発明の有機半導体材料は、上記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする。本発明の有機半導体材料中、一般式（１）で表される化合物は、主成分であることが好ましい。ここで、主成分とは、有機半導体材料の全構成成分において、５０質量％以上であることを意味する。

前記一般式（１）において、構造式中の水素原子が置換されていてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられる。

前記一般式（１）において、Ｘ₁、Ｘ₂は、Ｏ、Ｓ又はＳｅを表すが、好ましくはＳである。

前記一般式（１）において、ｎ１、ｎ２は１〜３の整数を表すが、好ましくは１又は２である。

前記一般式（１）が前記一般式（２）で表されることが好ましい。

前記一般式（２）において、構造式中の水素原子が置換されていても良い置換基としては、前記一般式（１）で挙げた置換基を挙げることができる。

これらの置換基の中でも、好ましくは前記一般式（３）で表される基が好ましい。

前記一般式（１）で表される化合物が前記一般式（４）又は一般式（５）で表される化合物で有ることが特に好ましい。

前記一般式（４）又は一般式（５）おいて、構造式中の水素原子が置換されていても良い置換基としては、前記一般式（１）で挙げた置換基を挙げることができる。

前記一般式（４）乃至（５）におけるＲ₂〜Ｒ₇でで表される置換基としては、好ましくは一般式（６）又は一般式（７）で表される置換基であることが好ましく、特にＹ₁がＳｉ原子であることが特に好ましい。

以下、本発明の有機半導体材料に係る化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

また、下記に本発明の有機半導体材料に係る一般式（１）で表される化合物または一般式（２）で表される化合物の具体例である、化合物９の合成例を示すが、その他の化合物についても同様にして合成することができる。

《合成例：化合物９の合成》
下記スキームにより化合物９を合成した。

原料１（合成法は、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ．Ｖｏｌ．２８，１９７２，ｐｐ４５９１に記載）５．４ｍｍｏｌを脱水ＴＨＦ４０ｍｌに溶解し、−７０℃でｎ−ＢｕＬｉを４．３ｍｍｏｌを加え、−７０℃で２時間攪拌し、中間体１を生成した。更に−７０℃で原料２（合成法は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．５７，Ｎｏ．２３，１９９２，６１９３に記載）を０．８７ｍｏｌ加え、室温に戻したところ、ＳｎＣｌ₂／２Ｈ₂Ｏ３．５ｇ及び２Ｍ−ＨＣｌａｑ１５ｍｌを加え、５分間室温で攪拌し反応を終了した。その後、ヘキサン６００ｍｌを加え、蒸留水、飽和食塩水で洗浄し、有機層ををそのままシリカゲルカラムに吸着させ溶媒を除去し、展開溶媒ヘキサンでカラムクロマトグラフィーを行うことにより、原料を除去した。またカラムクロマトグラフィーにより得られたヘキサン溶液を濃縮後、ヘキサンで３回再結晶を行うことにより、中間体２を収率３２％で得た。さらに中間体２をＮＢＳを用いてＢｒ化することにより中間体３が得られ、中間体３とフェニルボロン酸のスズキ（Ｓｕｚｕｋｉ）条件下（Ｍ．Ｊａｙａｋａｎｎａｎ、Ｊ．Ｌ．Ｊ．ｖａｎＤｏｎｇｅｎ，Ｒ．Ａ．Ｊ．Ｊａｎｓｓｅｎ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２００１，３４，５３８６−５３９３を参照）での反応により、化合物９が収率５５％で得られた。他の類似化合物も同様にして合成した。得られた化合物９の分子構造は¹Ｈ−ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）及び質量スペクトル測定を行い、目的物と矛盾しないことを確認した。更にＨＰＬＣ測定した結果より９９％以上の純度であることを確認した。

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが本発明はこれらに限定されない。また、実施例に用いる比較化合物１〜４の構造を下記に示す。

実施例１
《有機ＴＦＴ（有機薄膜トランジスタ）素子３の作製》：比較例
ゲート電極としての比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＳｉウェハーに、厚さ２００ｎｍの熱酸化膜を形成してゲート絶縁層とした後、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を行った。比較化合物３のクロロホルム溶液をアプリケーターを用いて塗布し、自然乾燥することによりキャスト膜（厚さ５０ｎｍ）を形成して、窒素雰囲気下で５０℃、３０分間の熱処理を施した。

更に、この膜の表面にマスクを用いて金を蒸着してソース電極及びドレイン電極を形成した。ソース電極及びドレイン電極は幅１００μｍ、厚さ２００ｎｍで、チャネル幅Ｗ＝３ｍｍ、チャネル長Ｌ＝２０μｍの有機薄膜トランジスタ素子３を作製した。

《有機ＴＦＴ素子１、２及び４の作製》：比較例
有機ＴＦＴ素子３の作製において、比較化合物３をそれぞれ比較化合物１、２及び４に各々変更した以外は同様にして、有機ＴＦＴ素子１、２及び４を作製した。

《有機ＴＦＴ素子５〜１４の作製》：本発明
有機ＴＦＴ素子３の作製において、比較化合物３の代替として、表１に記載の、本発明の有機ＴＦＴ材料に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ素子５〜１４を各々作製した。

《キャリア移動度評価及びＯＮ／ＯＦＦ比の評価》
得られた有機ＴＦＴ素子１〜１４の各々について、作製直後と大気中で１ヶ月放置後の各素子のキャリア移動度とＯＮ／ＯＦＦ比を各々求めた。

尚、本発明では、Ｉ−Ｖ特性の飽和領域からキャリア移動度を求め、更に、ドレインバイアス−５０Ｖとし、ゲートバイアス−５０Ｖおよび０Ｖにしたときのドレイン電流値の比率からＯＮ／ＯＦＦ比を求めた。

得られた結果を表１に示す。

表１から、比較の有機半導体材料を用いて作製した、比較の有機薄膜トランジスタ素子と比べて、本発明の有機薄膜トランジスタ素子５〜１４は、作製直後においても優れたトランジスタ特性を示し、且つ、経時劣化が少ないという高い耐久性を併せ持つということが判る。

実施例２
次に、本発明の有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタの応用例として、有機薄膜トランジスタを用いた有機ＥＬ素子を説明する。

《有機ＥＬ素子の作製》
有機ＥＬ素子の作製は、Ｎａｔｕｒｅ，３９５巻，１５１〜１５４頁に記載の方法を参考にして、図３に示したような封止構造を有するトップエミッション型の有機ＥＬ素子を作製した。尚、図３において、１０１は基板、１０２ａは陽極、１０２ｂは有機ＥＬ層（具体的には、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等が含まれる）、１０２ｃは陰極を示し、陽極１０２ａ、有機ＥＬ層１０２ｂ、陰極１０２ｃにより、発光素子１０２が形成されている。１０３は封止膜を示す。尚、本発明の有機ＥＬ素子は、ボトムエミッション型でもトップエミッション型のどちらでもよい。

本発明の有機ＥＬ素子と本発明の有機薄膜トランジスタ（ここで、本発明の有機薄膜トランジスタは、スイッチングトランジスタや駆動トランジスタ等として用いられる）を組み合わせて、アクティブマトリクス型の発光素子を作製したが、その場合は、例えば、図４に示すように、ガラス基板６０１上にＴＦＴ６０２（有機薄膜トランジスタ６０２でもよい）が形成されている基板を用いる態様が一例として挙げられる。ここで、ＴＦＴ６０２の作製方法は公知のＴＦＴの作製方法が参照できる。勿論、ＴＦＴとしては、従来公知のトップゲート型ＴＦＴであってもボトムゲート型ＴＦＴであっても構わない。

上記で作製した有機ＥＬ素子は、単色、フルカラー、白色等の種々の発光形態において、良好な発光特性を示した。

本発明の有機薄膜トランジスタの構成例を示す図である。本発明の有機薄膜トランジスタシートの概略等価回路図の一例である。封止構造を有する有機ＥＬ素子の一例を示す模式図である。有機ＥＬ素子に用いる、ＴＦＴを有する基板の一例を示す模式図である。

符号の説明

１有機半導体層
２ソース電極
３ドレイン電極
４ゲート電極
５絶縁層
６支持体
７ゲートバスライン
８ソースバスライン
１０有機薄膜トランジスタシート
１１有機薄膜トランジスタ
１２出力素子
１３蓄積コンデンサ
１４垂直駆動回路
１５水平駆動回路
１０１、２０１基板
１０２有機ＥＬ素子
１０２ａ、２０２陽極
１０２ｂ有機ＥＬ層
１０２ｃ、２０４陰極
１０３封止膜
２０５駆動用素子
２０６正孔輸送層
２０７発光層
２０８電子輸送層
６０１基板
６０２ＴＦＴ

Claims

下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。Ｘ₁、Ｘ₂は、各々Ｏ，Ｓ又はＳｅを表す。ｎ１、ｎ２は、各々１〜３の整数を表す。〕
前記一般式（１）が下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体材料。

〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。〕
前記置換基が下記一般式（３）で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機半導体材料。

〔式中、Ｒ₁は各水素原子又は置換基を表す。〕
前記一般式（３）で表される置換基を複数有することを特徴とする請求項３に記載の有機半導体材料。
前記一般式（１）が下記一般式（４）又は一般式（５）で表されることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の有機半導体材料。

〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。各Ｒ₂〜Ｒ₇は水素原子又は置換基を表す。〕
前記Ｒ₂〜Ｒ₇が下記一般式（６）又は一般式（７）で表されることを特徴とする請求項５に記載の有機半導体材料。

〔式中、Ｙ₁は、Ｓｉ又はＧｅを表す。Ｒ₈〜Ｒ₁₀は水素原子又は置換基を表し、Ｒ₈〜Ｒ₁₀のうち少なくとも１つはアルキル基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₅は水素原子又は置換基を表し、Ｒ₈〜Ｒ₁₀のうち少なくとも１つはアルキル基を表す。〕
請求項１〜６の何れか１項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体膜。
請求項１〜６の何れか１項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体デバイス。
請求項１〜６の何れか１項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。