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JP2008046157A - 表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法 - Google Patents

表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法 Download PDF

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JP2008046157A JP2006218805A JP2006218805A JP2008046157A JP 2008046157 A JP2008046157 A JP 2008046157A JP 2006218805 A JP2006218805 A JP 2006218805A JP 2006218805 A JP2006218805 A JP 2006218805A JP 2008046157 A JP2008046157 A JP 2008046157A
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Abstract

【課題】表示データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作させることができる表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその表示制御方法を提供する。
【解決手段】データドライバ140は、オフセット電圧生成部143及び電流比較部145を備えることにより、表示パネル110に配列された各表示画素PIX(画素駆動回路DC)に設けられた発光駆動用のトランジスタTr13等の素子特性の変動量に対応した特定値を検出して、各表示画素PIXごとに補正データとしてフレームメモリ146に記憶するとともに、階調電圧生成部142及び電圧調整部144を備えることにより、各表示画素PIXごとの表示データに応じた信号電圧(原階調電圧Vorg)を上記補正データに基づいて補正し、補正階調電圧Vpixとして各列のデータラインLdに印加する。
【選択図】図10

Description

本発明は、表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法に関し、特に、表示データに応じた電流を供給することにより所定の輝度階調で発光する電流駆動型(又は、電流制御型)の発光素子を、複数配列してなる表示パネル(表示画素アレイ)を備えた表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法に関する。
近年、液晶表示装置に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)や無機エレクトロルミネッセンス素子(無機EL素子)、あるいは、発光ダイオード(LED)等のような電流駆動型の発光素子を、マトリクス状に配列した表示パネルを備えた発光素子型の表示装置(発光素子型ディスプレイ)の研究開発が盛んに行われている。
特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した発光素子型ディスプレイにおいては、周知の液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、また、視野角依存性も小さく、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。
例えば、特許文献1に記載された有機ELディスプレイ装置は、電圧信号によって電流制御されたアクティブマトリクス駆動表示装置であって、画像データに応じた電圧信号がゲートに印加されて有機EL素子に電流を流す電流制御用薄膜トランジスタと、この電流制御用薄膜トランジスタのゲートに画像データに応じた電圧信号を供給するためのスイッチングを行うスイッチ用薄膜トランジスタとが、画素ごとに設けられている。
特開平8−330600号公報
このような電圧信号によって階調を制御する有機ELディスプレイ装置においては、電流制御用薄膜トランジスタ等の経時的なしきい値変動によって、有機EL素子に流れる電流の電流値が変動してしまうといった問題を生じていた。
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、表示データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作させることができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供し、以て、表示画質が良好かつ均質な表示装置及びその駆動制御方法を提供することを目的とする。
請求項1記載の発明は、電流駆動型の発光素子と該発光素子に発光駆動電流を供給する発光駆動素子とを備えた表示画素を駆動する表示駆動装置において、少なくとも、前記表示画素に所定の検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の電流路に流れる電流値に基づいて、前記発光駆動素子に固有の素子特性の変動量に対応する特定値を検出する特定値検出手段と、前記特定値検出手段により検出された前記特定値を補正データとして記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記補正データに基づいて、前記発光駆動素子の前記素子特性を補償する補償電圧を生成する補償電圧生成手段と、前記発光素子を表示データに応じた輝度階調で発光動作させるための電圧値を有する階調電圧を生成する階調電圧生成手段と、前記補償電圧に基づいて前記階調電圧を補正した階調信号を生成して前記表示画素に供給する階調電圧補正手段と、を備えていることを特徴とする。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の表示駆動装置において、前記特定値検出手段は、前記検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値を測定する電流測定手段と、前記電流測定手段により測定された前記電流値と所定の期待電流値の値とを比較する電流比較手段と、前記電流比較手段における比較結果に基づいて前記検出電圧の電圧値を変更設定する検出電圧設定手段と、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて前記特定値を抽出する特定値抽出手段と、を具備することを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項2記載の表示駆動装置において、前記特定値検出手段は、前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に前記検出電圧に応じた電圧を印加し、前記電流測定手段により前記発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値を測定することを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項2又は3記載の表示駆動装置において、前記検出電圧設定手段は、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて、順次インクリメント処理される変数と所定の単位電圧とを乗算して、前記検出電圧の電圧値を変更設定し、前記特定値抽出手段は、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて、前記変数の数値を前記特定値として抽出することを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項4記載の表示駆動装置において、前記単位電圧は、前記階調電圧の隣接する階調間の電位差に対応した電圧であり、前記期待電流値は、前記隣接する階調における低階調側の階調電圧を、前記発光駆動素子が初期特性を維持しているときの前記表示画素に印加したときの当該発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値であることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、請求項4記載の表示駆動装置において、前記検出電圧設定手段は、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための前記階調電圧の電圧値に、前記変数と前記単位電圧とを乗算して得られる電圧成分を加算して、前記検出電圧の電圧値を設定することを特徴とする。
請求項7記載の発明は、請求項4記載の表示駆動装置において、前記補償電圧生成手段は、前記記憶手段に記憶された前記補正データと前記単位電圧とを乗算して前記補償電圧を生成することを特徴とする。
請求項8記載の発明は、請求項7記載の表示駆動装置において、前記階調電圧補正手段は、前記階調電圧生成手段により生成された前記階調電圧に、前記補償電圧を加算して、前記階調電圧を補正することを特徴とする。
請求項9記載の発明は、請求項1乃至8のいずれかに記載の表示駆動装置において、前記表示駆動装置は、複数の前記表示画素の前記発光素子を、各々所定の輝度階調で発光動作させる前記階調信号を生成するための輝度階調データを順次取り込み、前記表示画素ごとに設けられた前記階調電圧生成手段に並列的に送出する階調データ転送手段と、前記表示画素ごとに設けられた前記特定値検出手段により、前記複数の前記表示画素について検出された前記特定値を補正データとして並列的に取り込み、前記記憶手段に順次送出する特定値転送手段と、前記記憶手段に前記表示画素ごとに記憶された前記補正データを順次取り込み、前記表示画素ごとに設けられた前記補償電圧生成手段に並列的に送出する補正データ転送手段と、をさらに備えることを特徴とする。
請求項10記載の発明は、電流駆動型の発光素子と該発光素子に発光駆動電流を供給する発光駆動素子とを備えた表示画素を駆動する表示駆動装置の駆動制御方法において、少なくとも、前記表示画素に所定の検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の電流路に流れる電流値に基づいて、前記発光駆動素子に固有の素子特性の変動量に対応する特定値を検出し、補正データとして記憶手段に記憶するステップと、前記発光素子を表示データに応じた輝度階調で発光動作させるための電圧値を有する階調電圧を生成するステップと、前記記憶手段に記憶された前記補正データに基づいて、前記発光駆動素子の前記素子特性を補償する補償電圧を生成するステップと、前記補償電圧に基づいて前記階調電圧を補正した階調信号を生成し、該階調信号を前記表示画素に供給するステップと、を含むことを特徴とする。
請求項11記載の発明は、請求項10記載の駆動制御方法において、前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、他のステップに先立つ任意のタイミングで実行されることを特徴とする。
請求項12記載の発明は、請求項10又は11記載の駆動制御方法において、前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に前記検出電圧に応じた電圧を印加することにより、前記電流路に流れる電流値を測定するステップと、前記測定された前記電流値と所定の期待電流値の値とを比較するステップと、前記電流値の比較結果に基づいて前記検出電圧の電圧値を変更設定するステップと、前記電流値の前記比較結果に基づいて前記特定値を抽出し、前記補正データとして前記記憶手段に記憶するステップと、を含むことを特徴とする。
請求項13記載の発明は、請求項12記載の駆動制御方法において、前記検出電圧は、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための前記階調電圧の電圧値に、前記電流値の比較結果に基づいて順次インクリメント処理される変数と所定の単位電圧とを乗算して得られる電圧成分を加算した電圧値に設定されていることを特徴とする。
請求項14記載の発明は、請求項13記載の駆動制御方法において、前記単位電圧は、前記階調電圧の隣接する階調間の電位差に対応した電圧であり、前記期待電流値は、前記隣接する階調における低階調側の階調電圧を、前記発光駆動素子が初期特性を維持しているときの前記表示画素に印加したときの当該発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値であることを特徴とする。
請求項15記載の発明は、請求項13記載の駆動制御方法において、前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、前記電流値の比較結果に基づいて、前記変数の数値を前記特定値として抽出することを特徴とする。
請求項16記載の発明は、請求項13記載の駆動制御方法において、前記補償電圧を生成するステップは、前記記憶手段に記憶された前記補正データと前記単位電圧とを乗算して前記補償電圧を生成し、前記補正した階調電圧を前記表示画素に供給するステップは、前記階調電圧を生成するステップにより生成された前記階調電圧に、前記補償電圧を加算して前記階調電圧を補正し、前記階調信号として前記表示画素に供給することを特徴とする。
請求項17記載の発明は、表示データに応じた画像情報を表示する表示装置において、行方向及び列方向に配設された複数の選択ライン及びデータラインの各交点近傍に電流駆動型の発光素子を有する複数の表示画素が配列された表示パネルと、所定のタイミングで各行の前記選択ラインに選択信号を順次印加して、各行の前記表示画素を選択状態に設定する選択駆動部と、所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を生成し、前記データラインを介して前記選択状態に設定された前記各表示画素に供給するデータ駆動部と、前記各表示画素に所定の電圧レベルの電源電圧を印加する電源駆動部と、を備え、前記各表示画素において、前記発光駆動素子の電流路の一端に前記電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記発光素子の一端が接続され、前記データ駆動部は、少なくとも、前記各表示画素に所定の検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の電流路に流れる電流値に基づいて、前記発光駆動素子に固有の素子特性の変動量に対応する特定値を検出する特定値検出手段と、前記特定値検出手段により検出された前記特定値を補正データとして前記表示画素ごとに記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記補正データに基づいて、前記表示画素ごとの前記発光駆動素子の前記素子特性を補償する補償電圧を生成する補償電圧生成手段と、前記各表示画素の前記発光素子を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させるための電圧値を有する階調電圧を生成する階調電圧生成手段と、前記補償電圧に基づいて前記階調電圧を補正した階調信号を生成して、前記各データラインを介して前記各表示画素に供給する階調電圧補正手段と、を有することを特徴とする。
請求項18記載の発明は、請求項17記載の表示装置において、前記特定値検出手段と、前記補償電圧生成手段と、前記階調電圧生成手段と、前記階調電圧補正手段は、各列の前記データラインごとに設けられていることを特徴とする。
請求項19記載の発明は、請求項17又は18記載の表示装置において、前記特定値検出手段は、前記検出電圧を前記各表示画素に印加することにより前記発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値を測定する電流測定手段と、前記電流測定手段により測定された前記電流値と所定の期待電流値の値とを比較する電流比較手段と、前記電流比較手段における比較結果に基づいて前記検出電圧の電圧値を変更設定する検出電圧設定手段と、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて前記特定値を抽出する特定値抽出手段と、を具備することを特徴とする。
請求項20記載の発明は、請求項19記載の表示装置において、前記特定値検出手段は、前記電源駆動部から前記発光素子を非発光状態とする電位を有する第1の電源電圧を前記発光駆動素子の前記電流路の一端に印加し、前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に、前記検出電圧と前記第1の電源電圧との差分に相当する電圧を印加し、前記電流測定手段により前記発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値を測定することを特徴とする。
請求項21記載の発明は、請求項19又は20記載の表示装置において、前記検出電圧設定手段は、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて、順次インクリメント処理される変数と所定の単位電圧とを乗算して、前記検出電圧の電圧値を変更設定し、前記特定値抽出手段は、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて、前記変数の数値を前記特定値として抽出することを特徴とする。
請求項22記載の発明は、請求項21記載の表示装置において、前記単位電圧は、前記階調電圧の隣接する階調間の電位差に対応した電圧であり、前記期待電流値は、前記隣接する階調における低階調側の階調電圧を、前記発光駆動素子が初期特性を維持しているときの前記表示画素に印加したときの当該発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値であることを特徴とする。
請求項23記載の発明は、請求項21記載の表示装置において、前記検出電圧設定手段は、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための前記階調電圧の電圧値に、前記変数と前記単位電圧とを乗算して得られる電圧成分を加算して、前記検出電圧の電圧値を設定することを特徴とする。
請求項24記載の発明は、請求項21記載の表示装置において、前記補償電圧生成手段は、前記記憶手段に記憶された前記補正データと前記単位電圧とを乗算して前記補償電圧を生成することを特徴とする。
請求項25記載の発明は、請求項24記載の表示装置において、前記階調電圧補正手段は、前記階調電圧生成手段により生成された前記階調電圧に、前記補償電圧を加算して、前記階調電圧を補正することを特徴とする。
請求項26記載の発明は、請求項17乃至25のいずれかに記載の表示装置において、前記データ駆動部は、前記各表示画素の前記発光素子を、各々所定の輝度階調で発光動作させる前記階調信号を生成するための輝度階調データを順次取り込み、各列の前記データラインごとに設けられた前記階調電圧生成手段に並列的に送出する階調データ転送手段と、前記データラインごとに設けられた前記特定値検出手段により、前記各表示画素について検出された前記特定値を補正データとして並列的に取り込み、前記記憶手段に順次送出する特定値転送手段と、前記記憶手段に前記表示画素ごとに記憶された前記補正データを順次取り込み、前記データラインごとに設けられた前記補償電圧生成手段に並列的に送出する補正データ転送手段と、をさらに備えることを特徴とする。
請求項27記載の発明は、請求項17乃至26のいずれかに記載の表示装置において、前記電源駆動部は、前記階調電圧補正手段により補正した階調電圧を前記各表示画素に供給した後のタイミングで、各行の前記表示画素に、前記発光素子を発光状態とする電位を有する第2の電源電圧を前記発光駆動素子の前記電流路の一端に印加して、前記表示画素を発光動作状態に設定することを特徴とする。
請求項28記載の発明は、請求項17乃至26のいずれかに記載の表示装置において、前記電源駆動部は、前記表示パネルに配列された前記複数の表示画素を、複数行ごとにグループ分けした各グループごとの前記表示画素に、前記階調電圧補正手段により補正した階調電圧を前記各表示画素に供給した後のタイミングで、前記発光素子を発光状態とする電位を有する第2の電源電圧を前記発光駆動素子の前記電流路の一端に印加して、各グループごとに前記表示画素を発光動作状態に設定することを特徴とする。
請求項29記載の発明は、請求項17乃至28のいずれかに記載の表示装置において、前記各表示画素は、前記発光素子の発光動作を制御する画素駆動回路を備え、前記画素駆動回路は、少なくとも、電流路の一端に前記電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記発光素子が接続された第1のスイッチ手段と、制御端子が前記選択ラインに接続され、電流路の一端に前記電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記第1のスイッチ手段の制御端子が接続された第2のスイッチ手段と、前記第1のスイッチ手段の前記制御端子と前記電流路の他端との間に接続された電圧保持素子と、を有し、前記発光駆動素子は、前記第1のスイッチ手段であることを特徴とする。
請求項30記載の発明は、請求項29記載の表示装置において、前記第1及び第2のスイッチ手段は、アモルファスシリコンからなる半導体層を備えた電界効果型トランジスタであることを特徴とする。
請求項31記載の発明は、請求項17乃至30のいずれかに記載の表示装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
請求項32記載の発明は、表示データに応じた画像情報を表示する表示装置の駆動制御方法において、前記表示装置は、行方向及び列方向に配設された複数の選択ライン及びデータラインの各交点近傍に電流駆動型の発光素子と該発光素子に発光駆動電流を供給する発光駆動素子とを有する複数の表示画素が配列された表示パネルを有し、前記各表示画素において、前記発光駆動素子の電流路の一端に所定の電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記発光素子の一端が接続され、少なくとも、各行の前記選択ラインに選択信号を順次印加して、各行の前記表示画素を選択状態に設定するステップと、前記選択された行の前記各表示画素に所定の検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の電流路に流れる電流値に基づいて、前記発光駆動素子に固有の素子特性の変動量に対応する特定値を検出し、補正データとして前記表示画素ごとに記憶手段に記憶するステップと、前記表示画素ごとの前記表示データに応じた所定の電圧値を有する階調電圧を個別に生成するステップと、前記記憶手段に記憶された前記補正データに基づいて、前記表示画素ごとの前記発光駆動素子の前記素子特性を補償する補償電圧を個別に生成するステップと、前記表示画素ごとに前記補償電圧に基づいて前記階調電圧を補正した階調信号を生成し、前記各データラインを介して前記各表示画素に個別に供給するステップと、を含むことを特徴とする。
請求項33記載の発明は、請求項32記載の表示装置の駆動制御方法において、前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、前記各表示画素の前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に前記検出電圧に応じた電圧を印加することにより、前記電流路に流れる電流値を測定するステップと、前記測定された前記電流値と所定の期待電流値の値とを比較するステップと、前記電流値の比較結果に基づいて前記検出電圧の電圧値を変更設定するステップと、前記電流値の前記比較結果に基づいて前記特定値を抽出し、前記補正データとして前記表示画素ごとに前記記憶手段に記憶するステップと、を含むことを特徴とする。
請求項34記載の発明は、請求項33記載の表示装置の駆動制御方法において、前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、前記発光駆動素子の前記電流路の一端に、前記電源電圧として、前記発光素子を非発光状態とする電位を有する第1の電源電圧を印加し、前記各表示画素の前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に、前記検出電圧と前記第1の電源電圧との差分に相当する電圧を印加した際の、前記電流路に流れる電流値を前記表示画素ごとに測定することを特徴とする。
請求項35記載の発明は、請求項33又は34記載の表示装置の駆動制御方法において、前記検出電圧は、前記各表示画素の前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための前記階調電圧の電圧値に、前記電流値の比較結果に基づいて順次インクリメント処理される変数と所定の単位電圧とを乗算して得られる電圧成分を加算した電圧値に設定され、前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、前記電流値の比較結果に基づいて前記表示画素ごとに設定された前記変数の数値を前記特定値として抽出することを特徴とする。
請求項36記載の発明は、請求項35記載の表示装置の駆動制御方法において、前記単位電圧は、前記階調電圧の隣接する階調間の電位差に対応した電圧であり、前記期待電流値は、前記隣接する階調における低階調側の階調電圧を、前記発光駆動素子が初期特性を維持しているときの前記表示画素に印加したときの当該発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値であることを特徴とする。
請求項37記載の発明は、請求項35記載の表示装置の駆動制御方法において、前記補償電圧を生成するステップは、前記記憶手段に前記表示画素ごとに記憶された前記補正データと前記単位電圧とを乗算して、前記表示画素ごとの前記発光駆動素子の前記素子特性の変動量に対応する電圧成分からなる前記補償電圧を生成し、前記補正した階調電圧を前記表示画素に供給するステップは、前記階調電圧を生成するステップにより生成された前記階調電圧に、前記表示画素ごとの前記補償電圧を加算して前記階調電圧を補正し、前記階調信号として前記データラインを介して前記各表示画素に供給することを特徴とする。
請求項38記載の発明は、請求項35記載の表示装置の駆動制御方法において、前記階調信号を前記各表示画素に供給するステップの後のタイミングで、各行の前記表示画素の前記発光駆動素子の電流路の一端に、前記発光素子を発光状態とする電位を有する第2の電源電圧を印加して、前記各表示画素を発光動作状態に設定するステップを、さらに含むことを特徴とする。
請求項39記載の発明は、請求項35記載の表示装置の駆動制御方法において、前記階調信号を前記各表示画素に供給するステップの後のタイミングで、前記表示パネルに配列された前記複数の表示画素を、複数行ごとにグループ分けした各グループごとの前記表示画素の前記発光駆動素子の電流路の一端に、前記発光素子を発光状態とする電位を有する第2の電源電圧を印加して、各グループごとに前記表示画素を発光動作状態に設定するステップを、さらに含むことを特徴とする。
本発明に係る表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法によれば、表示データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作することができ、良好かつ均質な表示画質を実現することができる。
本発明に係る表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法について、以下に実施の形態を示して詳しく説明する。
<表示画素の要部構成>
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示画素の要部構成及びその制御動作について図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係る表示装置に適用される表示画素の要部構成を示す等価回路図である。ここでは、表示画素に設けられる電流駆動型の発光素子として、便宜的に有機EL素子を適用した場合について説明する。
本発明に係る表示装置に適用される表示画素は、図1に示すように、画素回路部(後述する画素駆動回路DCに相当する)DCxと、電流駆動型の発光素子である有機EL素子OLEDと、を備えた回路構成を有している。画素回路部DCxは、例えば、ドレイン端子及びソース端子が電源電圧Vccが印加される電源端子TMv及び接点N2に、ゲート端子が接点N1に、各々接続された駆動トランジスタ(第1のスイッチング素子)T1と、ドレイン端子及びソース端子が電源端子TMv(駆動トランジスタT1のドレイン端子)及び接点N1に、ゲート端子が制御端子TMhに、各々接続された保持トランジスタ(第2のスイッチング素子)T2と、駆動トランジスタT1のゲート−ソース端子間(接点N1と接点N2との間)に接続されたキャパシタ(電圧保持素子)Cxと、を有している。また、有機EL素子OLEDは、アノード端子に上記接点N2が接続され、カソード端子TMcに一定電圧Vssが印加されている。
ここで、後述する制御動作において説明するように、表示画素(画素回路部DCx)の動作状態に応じて、電源端子TMvには、動作状態に応じて異なる電圧値を有する電源電圧Vccが印加され、有機EL素子OLEDのカソード端子TMcには電源電圧Vssが印加され、制御端子TMhには、保持制御信号Shldが印加され、接点N2に接続されたデータ端子TMdには、表示データの階調値に対応するデータ電圧Vdataが印加される。
また、キャパシタCxは、駆動トランジスタT1のゲート−ソース端子間に形成される寄生容量であってもよいし、該寄生容量に加えて接点N1及び接点N2間にさらに容量素子を並列に接続したものであってもよい。また、駆動トランジスタT1及び保持トランジスタT2の素子構造や特性等については、特に限定するものではないが、ここでは、nチャネル型の薄膜トランジスタを適用した場合を示す。
<表示画素の制御動作>
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素(画素回路部DCx及び有機EL素子OLED)における制御動作(制御方法)について説明する。
図2は、本発明に係る表示装置に適用される表示画素の制御動作を示す信号波形図である。
図2に示すように、図1に示したような回路構成を有する表示画素(画素回路部DCx)における動作状態は、表示データの階調値に応じた電圧成分をキャパシタCxに書き込む書込動作と、該書込動作において書き込まれた電圧成分をキャパシタCxに保持する保持動作と、該保持動作により保持された電圧成分に基づいて有機EL素子OLEDに表示データの階調値に応じた階調電流を流して、表示データに応じた輝度階調で有機EL素子OLEDを発光させる発光動作と、に大別することができる。以下、各動作状態について図2に示したタイミングチャートを参照しながら具体的に説明する。
(書込動作)
書込動作では、有機EL素子OLEDを発光させない消灯状態において、キャパシタCxに表示データの階調値に応じた電圧成分を書き込む動作を行なう。
図3は、書込動作時における表示画素の動作状態を示す概略説明図であり、図4(a)は書込動作時における表示画素の駆動トランジスタの動作特性を示す特性図であり、図4(b)は有機EL素子の駆動電流と駆動電圧の関係を示す特性図である。図4(a)に示す実線SPwは、駆動トランジスタT1としてnチャネル型の薄膜トランジスタを適用し、ダイオード接続した場合の、ドレイン−ソース間電圧Vdsとドレイン−ソース間電流Idsの、初期状態における関係を示す特性線である。また、破線SPw2は、駆動トランジスタT1の、駆動履歴に伴って特性変化が生じたときの特性線の一例を示す。詳しくは後述する。特性線SPw上の点PMwは駆動トランジスタT1の動作点を示す。
特性線SPwはドレイン−ソース間電流Idsに対するしきい値電圧Vthを有し、ドレイン−ソース間電圧Vdsがしきい値電圧Vthを超えると、ドレイン−ソース間電流Idsはドレイン−ソース間電圧Vdsの増加に伴い非線形的に増加する。すなわち図中でVeff_gsで示される値が実効的にドレイン−ソース間電流Idsを形成する電圧成分であり、ドレイン−ソース間電圧Vdsは、(1)式に示すように、しきい値電圧Vthと電圧成分Veff_gsの和となる。
Vds=Vth+Veff_gs・・・(1)
図4(b)に示す実線SPeは、有機EL素子OLEDの、初期状態における駆動電圧Voledと駆動電流Ioledの関係を示す特性線である。また、一点鎖線SPe2は、有機EL素子OLEDの、駆動履歴に伴って特性変化が生じたときの特性線の一例を示す。詳しくは後述する。特性線SPeは駆動電圧Voledに対するしきい値電圧Vth_oledを有し、駆動電圧Voledがしきい値電圧Vth_oledを超えると、駆動電流Ioledは駆動電圧Voledの増加に伴い非線形的に増加する。
書込動作においては、まず、図2、図3(a)に示すように、保持トランジスタT2の制御端子TMhにオンレベル(ハイレベル)の保持制御信号Shldを印加して保持トランジスタT2をオン動作させる。これにより、駆動トランジスタT1のゲート−ドレイン間を接続(短絡)して駆動トランジスタT1をダイオード接続状態に設定する。
続いて、電源端子TMv端子に書き込み動作の為の第一電源電圧Vccwを印加し、データ端子TMdに表示データの階調値に対応したデータ電圧Vdataを印加する。このとき、駆動トランジスタT1のドレイン−ソース間にはドレイン−ソース間の電位差(Vccw−Vdata)に応じた電流Idsが流れる。このデータ電圧Vdataは、ドレイン−ソース間に流れる電流Idsが、有機EL素子OLEDが表示データの階調値に応じた輝度階調で発光するために必要な電流値となるための電圧値に設定される。
このとき、駆動トランジスタT1がダイオード接続されているため、図3(b)に示す様に、駆動トランジスタT1のドレイン−ソース間電圧Vdsはゲート−ソース間電圧Vgsに等しく、(2)式に示すようになる。
Vds=Vgs=Vccw−Vdata・・・(2)
そして、このゲート−ソース間電圧VgsがキャパシタCxに書き込まれる(充電される)。
ここで、第一電源電圧Vccwの値に必要な条件について説明する。駆動トランジスタT1はnチャネル型であるため、ドレイン−ソース間電流Idsが流れるためには、駆動トランジスタT1のゲート電位はソース電位に対し正でなければならず、ゲート電位はドレイン電位に等しく、第一電源電圧Vccwであり、ソース電位はデータ電圧Vdataであるから、(3)式の関係が成立しなければならない。
Vdata<Vccw・・・(3)
また、接点N2はデータ端子TMdに接続されていると共に有機EL素子OLEDのアノード端子に接続されており、書込時には有機EL素子OLEDを消灯状態とするために、接点N2の電位Vdataは、有機EL素子OLEDのカソード側端子TMcの電圧Vssに有機EL素子OLEDのしきい値電圧Vth_oledを加えた値以下でなければならないから、接点N2の電位Vdataは(4)式を満たさなければならない。
Vdata≦Vss+Vth_oled・・・(4)
ここでVssを接地電位0Vとすると、(5)式となる。
Vdata≦Vth_oled・・・(5)
次に、(2)式と(5)式より(6)式が得られ、
Vccw−Vgs≦Vth_oled・・・(6)
更に(1)式より、Vgs=Vds=Vth+Veff_gsであるから、(7)式が得られる。
Vccw≦Vth_oled+Vth+Veff_gs・・・(7)
ここで、(7)式はVeff_gs=0でも成り立つことが必要であるから、Veff_gs=0とすると、(8)式が得られる。
Vdata<Vccw≦Vth_oled+Vth・・・(8)
すなわち、書込動作時において、第一電源電圧Vccwの値は、ダイオード接続の状態において、(8)式の関係を満たす値に設定されなければならない。次に、駆動履歴に伴う駆動トランジスタT1及び有機EL素子OLEDの特性変化の影響について説明する。駆動トランジスタT1のしきい値電圧Vthは駆動履歴に従って増大することが知られている。図4(a)に示す破線SPw2は、駆動履歴により特性変化が生じたときの特性線の一例を示し、ΔVthはしきい値電圧Vthの変化量を示す。図に示すように、駆動トランジスタT1の駆動履歴に従う特性変動は、初期の特性線をほぼ平行移動した形に変化する。このため、表示データの階調値に応じた階調電流(ドレイン−ソース間電流Ids)を得るために必要なデータ電圧Vdataの値は、しきい値電圧Vthの変化量ΔVth分だけ増加させなければならない。
また、有機EL素子OLEDは駆動履歴に従い高抵抗化することが知られている。図4(b)に示す1点鎖線SPe2は、駆動履歴に伴って特性変化が生じたときの特性線の一例を示し、有機EL素子OLEDの駆動履歴に従う高抵抗化による特性変動は、初期の特性線に対して、概ね、駆動電圧Voledに対する駆動電流Ioledの増加率が減少する方向に変化する。すなわち、有機EL素子OLEDが表示データの階調値に応じた輝度階調で発光するために必要な駆動電流Ioledを流すため駆動電圧Voledは、特性線SPe2-特性線SPe分だけ増加する。この増加分は、図4(b)中のΔVoled maxに示す様に、駆動電流Ioledが最大値Ioled(max)となる最高階調時において最大となる。
(保持動作)
図5は、表示画素の保持動作時における動作状態を示す概略説明図であり、図6は、表示画素の保持動作時における駆動トランジスタの動作特性を示す特性図である。保持動作では、図2、図5(a)に示すように、制御端子TMhにオフレベル(ローレベル)の保持制御信号Shldを印加して保持トランジスタT2をオフ動作させることにより、駆動トランジスタT1のゲート−ドレイン間を遮断(非接続状態に)してダイオード接続を解除する。これにより、図5(b)に示すように、上記書込動作においてキャパシタCxに充電された駆動トランジスタT1のドレイン−ソース間の電圧Vds(=ゲート−ソース間電圧Vgs)が保持される。
図6中に示す実線SPhは、駆動トランジスタT1のダイオード接続を解除し、ゲート−ソース間電圧Vgsを一定電圧としたときの特性線である。また、図6中に示す破線SPwは駆動トランジスタT1をダイオード接続したときの特性線である。保持時の動作点PMhはダイオード接続したときの特性線SPwとダイオード接続を解除したときの特性線SPhの交点となる。
図6中に示す一点鎖線SPoは特性線SPw−Vthとして導かれたものであり、一点鎖線SPoと特性線SPhとの交点Poはピンチオフ電圧Vpoを示す。ここで、図6に示すように、特性線SPhにおいて、ドレイン−ソース間電圧Vdsが0Vからピンチオフ電圧Vpoまでの領域は不飽和領域となり、ドレイン−ソース間電圧Vdsがピンチオフ電圧Vpo以上の領域は飽和領域となる。
(発光動作)
図7は、表示画素の発光動作時における動作状態を示す概略説明図であり、図8は発光動作時における表示画素の駆動トランジスタの動作特性及び有機EL素子の負荷特性を示す特性図である。
図2、図7(a)に示すように、制御端子TMhにオフレベル(ローレベル)の保持制御信号Shldを印加した状態(ダイオード接続状態を解除した状態)を維持し、電源端子TMvの端子電圧Vccを書込のための第一電源電圧Vccwから発光の為の第二電源電圧Vcceに切り替える。この結果、駆動トランジスタT1のドレイン−ソース間にはキャパシタCxに保持された電圧成分Vgsに応じた電流Idsが流れ、この電流が有機EL素子OLEDに供給され、有機EL素子OLEDは、供給された電流の値に応じた輝度で発光動作をする。
図8(a)に示す実線SPhは、ゲート−ソース間電圧Vgsを一定電圧としたときの駆動トランジスタのT1の特性線である。また、実線SPeは有機EL素子OLEDの負荷線を示し、電源端子TMvと有機EL素子OLEDのカソード端子TMc間の電位差、すなわちVcce−Vssの値を基準として有機EL素子OLEDの駆動電圧Voled−駆動電流Ioled特性が逆向きにプロットされたものである。
発光動作時の駆動トランジスタT1の動作点は、保持動作時のPMhから駆動トランジスタのT1の特性線SPhと有機EL素子OLEDの負荷線SPeの交点であるPMeに移動する。ここで、動作点PMeは、図8(a)に示すように、電源端子TMvと有機EL素子OLEDのカソード端子TMc間にVcce−Vssの電圧が印加された状態で、この電圧が駆動トランジスタのT1のソース−ドレイン間と有機EL素子OLEDのアノード・カソード間で分配されるポイントを表している。すなわち、動作点PMeにおいて、駆動トランジスタのT1のソース−ドレイン間に電圧Vdsが印加され、有機EL素子OLEDのアノード・カソード間には駆動電圧Voledが印加される。
ここで、書込動作時の駆動トランジスタT1のドレイン−ソース間に流す電流Ids(期待値電流)と発光動作時に有機EL素子OLEDに供給される駆動電流Ioledが変わらないようにするために、動作点PMeは特性線上の飽和領域内に維持されていなければならない。Voledは最高階調時に最大Voled(max)となる。よって前述したPMeを飽和領域内に維持する為には、第二電源電圧Vcceの値は(9)式の条件を満たさなければならない。
Vcce−Vss≧Vpo+Voled(max)・・・(9)
ここでVssを接地電位0Vとすると(10)式となる。
Vcce≧Vpo+Voled(max)・・・(10)
<有機素子特性の変動と電圧−電流特性との関係>
図4(b)に示したように、有機EL素子OLEDは駆動履歴に従って高抵抗化し、駆動電圧Voledに対する駆動電流Ioledの増加率が減少する方向に変化する。すなわち、図8(a)に示す有機EL素子OLEDの負荷線SPeの傾きが減少する方向に変化する。図8(b)はこの有機EL素子OLEDの負荷線SPeの駆動履歴に従った変化を記入したものであり、負荷線はSPe→SPe2→SPe3の変化を生じる。結果としてそのため、駆動トランジスタT1の動作点は、駆動履歴に伴い駆動トランジスタのT1の特性線SPh上をPMe→PMe2→PMe3方向に移動する。
このとき、動作点が特性線上の飽和領域内にある間(PMe→PMe2)は、駆動電流Ioledは書込動作時の期待値電流の値を維持するが、不飽和領域に入ってしまうと(PMe3)駆動電流Ioledは書込動作時の期待値電流より減少してしまい、表示不良が発生してしまう。図8(b)においてピンチオフ点Poは不飽和領域と飽和領域の境界にあり、すなわち発光時の動作点PMeとPo間の電位差は、有機ELの高抵抗化に対し発光時のOLED駆動電流を維持するための補償マージンとなる。言い換えると、各Ioledレベルにおいてピンチオフ点の軌跡SPoと有機EL素子の負荷線SPeに挟まれた、駆動トランジスタの特性線SPh上電位差が補償マージンとなる。図8(b)示す様に、この補償マージンは駆動電流Ioledの値の増大に伴って減少し、電源端子TMvと有機EL素子OLEDのカソード端子TMc間に印加された電圧Vcce−Vssの増加に伴い増大する。
<TFT素子特性の変動と電圧−電流特性との関係>
ところで、上述した表示画素(画素回路部)に適用されるトランジスタを用いた電圧階調制御においては、予め初期に設定されたトランジスタのドレイン−ソース間電圧Vds−ドレイン−ソース間電流Ids特性によりデータ電圧Vdataを設定しているが、図4(a)に示すように、駆動履歴に応じてしきい値電圧:Vthが増大し、発光素子(有機EL素子OLED)に供給される発光駆動電流の電流値が表示データ(データ電圧)に対応しなくなり、適切な輝度階調で発光動作することができなくなる。特に、トランジスタとしてアモルファスシリコントランジスタを適用した場合、素子特性の変動が顕著に生じることが知られている。
ここでは、表1に示すような設計値を有するアモルファスシリコントランジスタにおいて、256階調の表示動作を行う場合における、ドレイン−ソース間電圧Vdsとドレイン−ソース間電流Idsの初期特性(電圧−電流特性)の一例を示す。
Figure 2008046157
nチャネル型アモルファスシリコントランジスタにおける電圧−電流特性、すなわち図4(a)に示すドレイン−ソース間電圧Vdsとドレイン−ソース間電流Idsとの関係には、駆動履歴や経時変化に伴うゲート絶縁膜へのキャリヤトラップによるゲート電界の相殺に起因したVthの増大(初期状態:SPwから高電圧側:SPw2へのシフト)が生じる。これによりアモルファスシリコントランジスタに印加したドレイン−ソース間電圧Vdsを一定とした場合に、ドレイン−ソース間電流Idsは減少し、発光素子の輝度階調が低下する。
この素子特性の変動においては主にしきい値電圧Vthが増大し、アモルファスシリコントランジスタの電圧−電流特性線(V−I特性線)は初期状態における特性線をほぼ平行移動した形となる為、シフト後のV−I特性線SPw2は、初期状態におけるV−I特性線SPwのドレイン−ソース間電圧Vdsに対して、しきい値電圧Vthの変化量ΔVth(図中では、約2V)に対応する一定の電圧(後述するオフセット電圧Vofstに相当する)を一義的加算した場合(すなわち、V−I特性線SPwをΔVthだけ平行移動させた場合)の電圧−電流特性に略一致することができる。
これは、換言すると、表示画素(画素回路部DCx)への表示データの書込動作に際し、当該表示画素に設けられた駆動トランジスタT1の素子特性(しきい値電圧)の変化量ΔVに対応する一定の電圧(オフセット電圧Vofst)を加算して補正したデータ電圧(後述する補正階調電圧Vpixに相当する)を、駆動トランジスタT1のソース端子(接点N2)に印加することにより、当該駆動トランジスタT1のしきい値電圧Vthの変動に起因する電圧−電流特性のシフトを補償して、表示データに応じた電流値を有する駆動電流Iemを有機EL素子OLEDに流すことができ、所望の輝度階調で発光動作させることができることを意味する。
なお、保持制御信号Shldをオンレベルからオフレベルに切り換える保持動作と、電源電圧Vccを電圧Vccwから電圧Vcceに切り換える発光動作とを、同期して行ってもよい。
以下、上述したような画素回路部の要部構成を含む複数の表示画素が2次元配列された表示パネルを備えた表示装置の全体構成を示して具体的に説明する。
<表示装置>
図9は、本発明に係る表示装置の一実施形態を示す概略構成図である。図10は、本実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバ及び表示画素(画素駆動回路及び発光素子)の一例を示す要部構成図である。なお、図10においては、上述した画素回路部DCx(図1参照)に対応する回路構成の符号を併記して示す。また、図10においては、説明の都合上、データドライバの各構成間で送出される各種の信号やデータ、および、印加される電流や電圧のすべてについて便宜的に矢印で示すが、後述するように、これらの信号やデータ、電流や電圧が同時に送出又は印加されるとは限らない。
図9、図10に示すように、本実施形態に係る表示装置100は、例えば、行方向(図面左右方向)に配設された複数の選択ラインLsと列方向(図面上下方向)に配設された複数のデータラインLdとの各交点近傍に、上述した画素回路部DCxの要部構成(図1参照)を含む複数の表示画素PIXがn行×m列(n、mは、任意の正の整数)からなるマトリクス状に配列された表示パネル110と、各選択ラインLsに所定のタイミングで選択信号Sselを印加する選択ドライバ(選択駆動部)120と、選択ラインLsに並行して行方向に配設された複数の電源電圧ラインLvに所定のタイミングで所定の電圧レベルの電源電圧Vccを印加する電源ドライバ(電源駆動部)130と、各データラインLdに所定のタイミングで階調信号(補正階調電圧Vpix)を供給するデータドライバ(表示駆動装置、データ駆動部)140と、後述する表示信号生成回路160から供給されるタイミング信号に基づいて、少なくとも選択ドライバ120、電源ドライバ130及びデータドライバ140の動作状態を制御する選択制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力するシステムコントローラ150と、例えば表示装置100の外部から供給される映像信号に基づいて、デジタル信号からなる表示データ(輝度階調データ)を生成してデータドライバ140に供給するとともに、該表示データに基づいて表示パネル110に所定の画像情報を表示するためのタイミング信号(システムクロック等)を抽出、又は、生成して上記システムコントローラ150に供給する表示信号生成回路160と、を備えて構成されている。
以下、上記各構成について説明する。
(表示パネル)
本実施形態に係る表示装置100においては、表示パネル110の基板上にマトリクス状に配列される複数の表示画素PIXが、例えば図9に示すように、表示パネル110の上方領域と下方領域とにグループ分けされ、各グループに含まれる表示画素PIXが、各々、分岐した個別の電源電圧ラインLvに接続されている。すなわち、表示パネル110の上方領域の1〜n/2行目の表示画素PIXに対して共通に印加される電源電圧Vccと、下方領域の1+n/2〜n行目の表示画素PIXに対して共通に印加される電源電圧Vccは、電源ドライバ130により異なるタイミングで異なる電源電圧ラインLvを介して独立して出力される。なお、選択ドライバ120及びデータドライバ140は表示パネル110内に配置されていてもよく、あるいは、選択ドライバ120、電源ドライバ130及びデータドライバ140が表示パネル110内に配置されていてもよい。
(表示画素)
本実施形態に適用される表示画素PIXは、選択ドライバ120に接続された選択ラインLsとデータドライバ140に接続されたデータラインLdとの交点近傍に配置され、例えば図10に示すように、電流駆動型の発光素子である有機EL素子OLEDと、上述した画素回路部DCxの要部構成(図1参照)を含み、有機EL素子OLEDを発光駆動するため発光駆動電流を生成する画素駆動回路DCと、を備えている。
画素駆動回路DCは、例えば、ゲート端子が選択ラインLsに、ドレイン端子が電源電圧ラインLvに、ソース端子が接点N11に各々接続されたトランジスタTr11(ダイオード接続用トランジスタ;第2のスイッチ手段)と、ゲート端子が選択ラインLsに、ソース端子がデータラインLdに、ドレイン端子が接点N12に各々接続されたトランジスタTr12(選択トランジスタ)と、ゲート端子が接点N11に、ドレイン端子が電源電圧ラインLvに、ソース端子が接点N12に各々接続されたトランジスタTr13(駆動トランジスタ;発光駆動素子、第1のスイッチ手段)と、接点N11及び接点N12間(トランジスタTr13のゲート−ソース端子間)に接続されたキャパシタ(電圧保持素子)Csと、を備えている。
ここで、トランジスタTr13は上述した画素回路部DCxの要部構成(図1)に示した駆動トランジスタT1に対応し、また、トランジスタTr11は保持トランジスタT2に対応し、キャパシタCsはキャパシタCxに対応し、接点N11及びN12は各々接点N1及び接点N2に対応する。また、選択ドライバ120から選択ラインLsに印加される選択信号Sselは、上述した保持制御信号Shldに対応し、データドライバ140からデータラインLdに印加される階調信号(補正階調電圧Vpix又は検出電圧Vdet)は、上述したデータ電圧Vdataに対応する。
また、有機EL素子OLEDは、アノード端子が上記画素駆動回路DCの接点N12に接続され、カソード端子TMcには一定の低電圧である基準電圧Vssが印加されている。ここで、後述する表示装置の駆動制御動作において、表示データに応じた階調信号(補正階調電圧Vpix)が画素駆動回路DCに供給される書込動作期間においては、データドライバ140から印加される補正階調電圧Vpix、基準電圧Vss、発光動作期間に電源電圧ラインLvに印加される高電位の電源電圧Vcc(=Vcce)は、上述した(3)〜(10)の関係を満たしており、故に書込時に有機EL素子OLEDが点灯することはない。
また、キャパシタCsは、トランジスタTr13のゲート−ソース間に形成される寄生容量であってもよいし、該寄生容量に加えて接点N11及び接点N12間にトランジスタTr13以外の容量素子を接続したものであってもよく、これら両方であってもよい。
なお、トランジスタTr11〜Tr13については、特に限定するものではないが、例えば全てnチャネル型の電界効果型トランジスタにより構成することにより、nチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用することができる。この場合、すでに確立されたアモルファスシリコン製造技術を用いて、動作特性(電子移動度等)の安定したアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる画素駆動回路DCを比較的簡易な製造プロセスで製造することができる。以下の説明においては、トランジスタTr11〜Tr13を全てnチャネル型の薄膜トランジスタにより構成した場合について説明する。
また、表示画素PIX(画素駆動回路DC)の回路構成については、図10に示したものに限定されるものではなく、少なくとも図1に示したような駆動トランジスタT1、保持トランジスタT2及びキャパシタCxに対応する素子を備え、駆動トランジスタT1の電流路が電流駆動型の発光素子(有機EL素子OLED)に直列に接続された構成を有するものであれば、他の回路構成を有するものであってもよい。また、画素駆動回路DCにより発光駆動される発光素子についても、有機EL素子OLEDに限定されるものではなく、発光ダイオード等の他の電流駆動型の発光素子であってもよい。
(選択ドライバ)
選択ドライバ120は、システムコントローラ150から供給される選択制御信号に基づいて、各選択ラインLsに選択レベル(図10に示した表示画素PIXにおいては、ハイレベル)の選択信号Sselを印加することにより、各行ごとの表示画素PIXを選択状態に設定する。具体的には、各行の表示画素PIXについて、後述する補正データ取得動作期間及び書込動作期間中、ハイレベルの選択信号Sselを当該行の選択ラインLsに印加する動作を、各行ごとに所定のタイミングで順次実行することにより、各行ごとの表示画素PIXを順次選択状態に設定する。
なお、選択ドライバ120は、例えば、後述するシステムコントローラ150から供給される選択制御信号に基づいて、各行の選択ラインLsに対応するシフト信号を順次出力するシフトレジスタと、該シフト信号を所定の信号レベル(選択レベル)に変換して、各行の選択ラインLsに選択信号Sselとして順次出力する出力回路部(出力バッファ)と、を備えたものを適用することができる。選択ドライバ120の駆動周波数がアモルファスシリコントランジスタでの動作が可能な範囲であれば、画素駆動回路DC内のトランジスタTr11〜Tr13とともに選択ドライバ120に含まれるトランジスタの一部又は全部を製造してもよい。
(電源ドライバ)
電源ドライバ130は、システムコントローラ150から供給される電源制御信号に基づいて、各電源電圧ラインLvに、少なくとも、後述する補正データ取得動作期間及び書込動作期間においては、低電位の電源電圧Vcc(=Vccw:第1の電源電圧)を印加し、発光動作期間中においては、低電位の電源電圧Vccwより高電位の電源電圧Vcc(=Vcce:第2の電源電圧)を印加する。
ここで、本実施形態においては、図9に示すように、表示画素PIXが例えば表示パネル110の上方領域と下方領域とにグループ分けされ、グループごとに分岐した個別の電源電圧ラインLvが配設されているので、上記各動作期間においては、同一領域に配列された(同一のグループに含まれる)表示画素PIXに対して、当該領域に分岐して配設された電源電圧ラインLvを介して同一の電圧レベルを有する電源電圧Vccが印加される。
なお、電源ドライバ130は、例えば、システムコントローラ150から供給される電源制御信号に基づいて、各領域(グループ)の電源電圧ラインLvに対応するタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ(例えばシフト信号を順次出力するシフトレジスタ等)と、タイミング信号を所定の電圧レベル(電圧値Vccw、Vcce)に変換して、各領域の電源電圧ラインLvに電源電圧Vccとして出力する出力回路部と、を備えたものを適用することができる。
(データドライバ)
データドライバ140は、表示パネル110に配列された各表示画素PIX(画素駆動回路DC)に設けられた発光駆動用のトランジスタTr13(駆動トランジスタT1に相当する)の素子特性(しきい値電圧)の変動量に対応する特定値(オフセット設定値Vofst)を検出して、表示画素PIXごとに補正データとして記憶するとともに、後述する表示信号生成回路160から供給される表示画素PIXごとの表示データ(輝度階調データ)に応じた信号電圧(原階調電圧Vorg)を上記補正データに基づいて補正して補正階調電圧Vpixを生成し、データラインLdを介して各表示画素PIXに供給する。
ここで、データドライバ140は、例えば図10に示すように、シフトレジスタ・データレジスタ部(階調データ転送手段、特定値転送手段、補正データ転送手段)141と、階調電圧生成部(階調電圧生成手段)142と、オフセット電圧生成部(特定値検出手段、検出電圧設定手段、特定値抽出手段、補償電圧生成手段)143と、電圧調整部(階調電圧補正手段)144と、電流比較部(特定値検出手段、電流比較手段)145と、フレームメモリ(記憶手段)146と、を備えている。ここで階調電圧生成部142、オフセット電圧生成部143、電圧調整部144及び電流比較部145は、各列のデータラインLdごとに設けられ、本実施形態に係る表示装置100においては、m組設けられている。なお、本実施形態においては、図10に示すように、フレームメモリ146をデータドライバ140に内蔵する場合について説明するが、これに限定されず、データドライバ140の外部に独立して設けるものであってもよい。
シフトレジスタ・データレジスタ部141は、例えば、システムコントローラ150から供給されるデータ制御信号に基づいて、シフト信号を順次出力するシフトレジスタと、該シフト信号に基づいて、表示信号生成回路160から供給される表示データを列ごとに設けられた階調電圧生成部142に転送し、そして、補正データ取得動作時に、列ごとに設けられたオフセット電圧生成部143から出力される補正データを取り込みフレームメモリ146に出力し、さらに、書込動作時や補正データ取得動作時に、フレームメモリ146から出力される補正データを取り込んでオフセット電圧生成部143に転送するデータレジスタと、を備えている。
シフトレジスタ・データレジスタ部141は、少なくとも、後述する表示信号生成回路160からシリアルデータとして順次供給される、表示パネル110の1行分の表示画素PIXに対応した表示データ(輝度階調データ)を順次取り込み、列ごとに設けられた階調電圧生成部142に転送する動作、及び、電流比較部145における比較判定結果に基づいて、各列ごとに設けられたオフセット電圧生成部143から出力される、各表示画素PIX(画素駆動回路DC)のトランジスタTr13及びトランジスタTr12の素子特性(しきい値電圧)の変動量に対応する補正データを取り込み、フレームメモリ146に順次転送する動作、さらに、フレームメモリ146から特定の1行分の表示画素PIXの上記補正データを順次取り込み、各列ごとに設けられたオフセット電圧生成部143に転送する動作のいずれかを選択的に実行する。これらの各動作については、詳しく後述する。
階調電圧生成部142は、上記シフトレジスタ・データレジスタ部141を介して取り込まれた各表示画素PIXの表示データに基づいて、有機EL素子OLEDを所定の輝度階調で発光動作、又は、無発光動作(黒表示動作)させるための電圧値を有する原階調電圧Vorgを生成して出力する。
ここで、表示データに応じた電圧値を有する原階調電圧Vorgを生成する構成としては、例えば、図示を省略した電源供給部から供給される階調基準電圧(表示データに含まれる階調数に応じた基準電圧)に基づいて、上記表示データのデジタル信号電圧を、アナログ信号電圧に変換するデジタル−アナログ変換器(D/Aコンバータ)と、所定のタイミングで当該アナログ信号電圧を上記原階調電圧Vorgとして出力する出力回路と、を備えたものを適用することができる。
オフセット電圧生成部143は、フレームメモリ146から取り出された補正データに基づいて、各表示画素PIX(画素駆動回路DC)のトランジスタTr13のしきい値電圧の変化量(図4(a)に示したΔVthに相当する)に応じたオフセット電圧(補償電圧)Vofstを生成して出力する。ここで、画素駆動回路DCが図10に示す回路構成を有する場合においては、書込動作時にデータラインLdに流す電流が、データラインLdからデータドライバ140側に電流を引き込む方向に設定されるため、生成されるオフセット電圧(補償電圧)Vofstも、電源電圧ラインLvから、トランジスタTr13のドレイン−ソース間、トランジスタTr12のドレイン−ソース間、データラインLdを介して電流が流れるように設定される。具体的には、書込動作においては、下記式(1)を満たす値となる。
Vofst=Vunit×Minc・・・(11)
ここで、Vunitは単位電圧であり、予め設定された電圧最小単位で且つ負の電位である。Mincはオフセット設定値であり、フレームメモリ146から読み出されたデジタル補正データである。詳しくは後述する。
このようにオフセット電圧Vofstは、補正階調電圧Vpixによって正常な階調における電流値に近似された補正階調電流がトランジスタTr13のドレイン−ソース間に流れるように各表示画素PIX(画素駆動回路DC)のトランジスタTr13のしきい値電圧の変化量及びトランジスタTr12のしきい値電圧の変化量を補正した電圧となっている。
一方、上記書込動作に先立って実行される補正データ取得動作においては、オフセット設定値(変数)Mincが適合する値になるまで、上記単位電圧Vunitに、乗算するオフセット設定値(変数)Mincの値を適宜変えることにより最適化を図る。具体的には、初期のオフセット設定値Mincの値にしたがったオフセット電圧Vofstを生成し、電流比較部145から出力される比較判定結果に基づいて、当該オフセット設定値Mincを上記補正データとしてシフトレジスタ・データレジスタ部141に出力する。
このようなオフセット設定値Mincは、例えば、オフセット電圧生成部143の内部に、所定のクロック周波数で動作し、クロック周波数CKのタイミングに取り込まれた所定の電圧値の信号が入力されるとカウンタ値を1つ上げるカウンタを備え、上記比較判定結果に基づいて、当該カウンタのカウント値を順次変調して(例えば増やしていって)設定するものであってもよいし、上記比較判定結果に基づいて、システムコントローラ150等から適宜変調処理された設定値を供給するものであってもよい。
また、単位電圧Vunitは、任意の一定電圧に設定することができるが、この単位電圧Vunitの電圧の絶対値を小さく設定するほど、オフセット電圧Vofst相互の電圧差を小さくすることができるので、書込動作において各表示画素PIX(画素駆動回路DC)のトランジスタTr13のしきい値電圧の変化量により近似したオフセット電圧Vofstを生成することができ、階調信号をより細かくかつ適切に補正することができる。
なお、この単位電圧Vunitに設定される電圧値としては、例えば、トランジスタの電圧−電流特性(例えば図4(a)に示した動作特性図)において、隣接する階調におけるドレイン−ソース間電圧Vds相互の電圧差を適用することができる。このような単位電圧Vunitは、例えばオフセット電圧生成部143内やデータドライバ140内に設けられたメモリに記憶されているものであってもよいし、例えばシステムコントローラ150等から供給されて、データドライバ140内に設けられたレジスタに一時保存されるものであってもよい。
この場合、単位電圧Vunitは、トランジスタTr13における第k階調(kは整数であって、大きいほど高輝度階調。)でのドレイン−ソース間電圧Vds_k(正の電圧値)から第(k+1)階調でのドレイン−ソース間電圧Vds_k+1(>Vds_k)を差し引いた電位差のうち、最も小さい電位差に設定することが好ましい。トランジスタTr13のような薄膜トランジスタでは、特にアモルファスシリコンTFTでは、流れる電流の電流密度に対しほぼ線形に発光輝度が増大する有機EL素子OLEDと組み合わせると、一般的に、階調が高くなるほど、つまりドレイン−ソース間電圧Vdsが高いほど、言い換えればドレイン−ソース間電流Idsが大きいほど隣接する階調間での電位差が小さくなる傾向がある。つまり、256階調の電圧階調制御を行う場合(第0階調を無発光とする)、最高輝度階調(例えば第255階調)での電圧Vdsと第254階調での電圧Vdsとの間の電位差が隣接する階調間の電位差の中で最も小さい部類に属する。このため、単位電圧Vunitは、最高輝度階調(もしくはその近傍の階調)より一つ下の輝度階調のドレイン−ソース間電圧Vdsから、当該最高輝度階調(もしくはその近傍の階調)のドレイン−ソース間電圧Vdsを減算した値であることが好ましい。
電圧調整部144は、階調電圧生成部142から出力される原階調電圧Vorgと、オフセット電圧生成部143から出力されるオフセット電圧Vofstとを加算して、電流比較部145を介して表示パネル110の列方向に配設されたデータラインLdに出力する。具体的には、補正データ取得動作においては、階調電圧生成部142から出力される所定の階調(x階調)に対応した原階調電圧Vorg_xに、上記適宜変調することにより最適化されるオフセット設定値に基づいて生成されるオフセット電圧Vofstをアナログ的に加算して、その総和となる電圧成分を検出電圧VdetとしてデータラインLdに出力する。
また、書込動作においては、補正階調電圧Vpixは、下記式(2)を満たす値となる。
Vpix=Vorg+Vofst・・・(12)
つまり、階調電圧生成部142から出力される表示データに応じた原階調電圧Vorgに、フレームメモリ146から取り出された補正データに基づいてオフセット電圧生成部143により生成されるオフセット電圧Vofstをアナログ的(階調電圧生成部142がD/Aコンバータを備えている場合)或いはデジタル的に加算して、その総和となる電圧成分を補正階調電圧Vpixとして書込動作時にデータラインLdに出力する。
電流比較部145は、内部に電流計(電流測定手段)を備え、補正データ取得動作において、上記電圧調整部144により生成された検出電圧VdetをデータラインLdに印加することによって、電源電圧ラインLvに印加される電源電圧Vcc(=Vccw)との間に生じる電位差により、当該データラインLdに流れる検出電流Idetの電流値を測定し、当該電流値と、予め設定された所定階調x(例えば最高輝度階調)における所定の電流値となる期待電流Iref_x(例えば有機EL素子OLEDを最高輝度階調で発光するために要する電流値)とを比較してその大小関係(比較判定結果)を上記オフセット電圧生成部143に出力する。
この期待電流値Iref_xは、画素駆動回路DCの駆動トランジスタ(発光駆動素子、第1のスイッチ手段)Tr13が初期状態にあって駆動履歴による素子特性の変動が殆ど生じていない初期特性を維持している状態であるときに、検出電圧Vdetから単位電圧Vunitを引いた電圧をデータラインLdに印加したときの、画素駆動回路DCの駆動トランジスタTr13のドレイン−ソース間に流れる電流Idsの電流値に対応するものである。上述のように、単位電圧Vunitとして、隣接する階調におけるドレイン−ソース間電圧Vds相互の電圧差を適用した場合には、検出電圧Vdetから1階調下の階調電圧をデータラインLdに印加したときの、初期特性を維持している状態の駆動トランジスタTr13のドレイン−ソース間に流れる電流Idsの電流値が期待電流値Irefとなる。
ここで、期待電流値Irefは、例えば電流比較部145内やデータドライバ140内に設けられたメモリに記憶されているものであってもよいし、例えばシステムコントローラ150等から供給されて、データドライバ140内に設けられたレジスタに一時保存されるものであってもよい。なお、書込動作時においては、上記電圧調整部144により生成された補正階調電圧VpixがデータラインLdを介して表示画素PIXに印加されるが、検出電流の測定や期待電流との比較処理は行われない。このため、例えば、書込動作時において電流比較部145を迂回する構成を更に備えるものであってもよい。
フレームメモリ146は、表示パネル110に配列された各表示画素PIXへの表示データ(補正階調電圧Vpix)の書込動作に先立って実行される補正データ取得動作において、各列に設けられたオフセット電圧生成部143に設定された、1行分の表示画素PIXごとのオフセット設定値Mincを、補正データとしてシフトレジスタ・データレジスタ部141を介して順次取り込み、表示パネル1画面(1フレーム)分の各表示画素PIXごとに個別の領域に記憶するとともに、書込動作時において、1行分の表示画素PIXごとの補正データを、シフトレジスタ・データレジスタ部141を介して順次オフセット電圧生成部143に出力する。
(システムコントローラ)
システムコントローラ150は、選択ドライバ120、電源ドライバ130及びデータドライバ140の各々に対して、動作状態を制御する選択制御信号、電源制御信号及びデータ制御信号を生成して出力することにより、各ドライバを所定のタイミングで動作させて、所定の電圧レベルを有する選択信号Ssel、電源電圧Vcc、検出電圧Vdet及び補正階調電圧Vpixを生成して出力させ、各表示画素PIX(画素駆動回路DC)に対する一連の駆動制御動作(補正データ取得動作、書込動作、保持動作及び発光動作)を実行させて、映像信号に基づく所定の画像情報を表示パネル110に表示させる制御を行う。
(表示信号生成回路)
表示信号生成回路160は、例えば表示装置100の外部から供給される映像信号から輝度階調信号成分を抽出し、表示パネル110の1行分ごとに、該輝度階調信号成分をデジタル信号からなる表示データ(輝度階調データ)としてデータドライバ140に供給する。ここで、上記映像信号が、テレビ放送信号(コンポジット映像信号)のように、画像情報の表示タイミングを規定するタイミング信号成分を含む場合には、表示信号生成回路160は、上記輝度階調信号成分を抽出する機能のほかに、タイミング信号成分を抽出してシステムコントローラ150に供給する機能を有するものであってもよい。この場合においては、上記システムコントローラ150は、表示信号生成回路160から供給されるタイミング信号に基づいて、選択ドライバ120や電源ドライバ130、データドライバ140に対して個別に供給する各制御信号を生成する。
<表示装置の駆動制御方法>
次に、本実施形態に係る表示装置における駆動制御方法について説明する。
本実施形態に係る表示装置100の駆動制御動作は、大別して、表示パネル110に配列された各表示画素PIX(画素駆動回路DC)の発光駆動用のトランジスタTr13(駆動トランジスタ)の素子特性(しきい値電圧)の変動に対応するオフセット電圧Vofst(厳密には、検出電圧Vdet及び検出電流Idet)を検出して、当該オフセット電圧Vofstを生成するためのオフセット設定値(特定値)を、表示画素PIXごとに補正データとしてフレームメモリ146に記憶する補正データ取得動作と、表示データに応じた原階調電圧Vorgを、表示画素PIXごとに取得した補正データに基づいて補正して、補正階調電圧Vpixとして各表示画素PIXに書き込んで電圧成分として保持させ、当該電圧成分に基づいてトランジスタTr13の素子特性の変動の影響を補償した表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流Iemを有機EL素子OLEDに供給して所定の輝度階調で発光させる表示駆動動作と、を有している。これらの補正データ取得動作及び表示駆動動作は、システムコントローラ150から供給される各種制御信号に基づいて実行される。
以下、各動作について具体的に説明する。
(補正データ取得動作)
図11は、本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作の一例を示すフローチャートであり、図12は、本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作を示す概念図である。
本実施形態に係る補正データ取得動作(オフセット電圧検出動作;第1のステップ)は、図11に示すように、まず、フレームメモリ146からシフトレジスタ・データレジスタ部141を介してオフセット電圧生成部143にi行目(1≦i≦nとなる正の整数)の表示画素PIX分のオフセット設定値Minc(初期時ではMinc=0)を読み込ませた後(ステップS111)、上述した画素回路部DCxの書込動作と同様に、i行目(1≦i≦nとなる正の整数)の表示画素PIXに接続された電源電圧ラインLv(本実施形態においては、i行目が含まれるグループの全表示画素PIXに共通に接続された電源電圧ラインLv)に対して、電源ドライバ130から書込動作レベルである低電位の電源電圧Vcc(=Vccw≦基準電圧Vss;第1の電源電圧)を印加した状態で、選択ドライバ120からi行目の選択ラインLsに選択レベル(ハイレベル)の選択信号Sselを印加して、i行目の表示画素PIXを選択状態に設定する(ステップS112)。
これにより、i行目の表示画素PIXの画素駆動回路DCに設けられたトランジスタTr11がオン動作して、トランジスタTr13(駆動トランジスタ)がダイオード接続状態に設定され、上記電源電圧Vcc(=Vccw)がトランジスタTr13のドレイン端子及びゲート端子(接点N11;キャパシタCsの一端側)に印加されるとともに、トランジスタTr12もオン状態となってトランジスタTr13のソース端子(接点N12;キャパシタCsの他端側)が各列のデータラインLdに電気的に接続される。
次いで、オフセット電圧生成部143に入力されたオフセット設定値Mincに基づいて、上記式(1)の通り、オフセット電圧Vofstを設定する(ステップS113)。ここで、オフセット電圧生成部143において生成されるオフセット電圧Vofstは、単位電圧Vunitにオフセット設定値Mincを乗算することにより算出されるので(Vofst=Vunit×Minc)、初期時において、しきい値シフトがない場合、フレームメモリ146から出力されるオフセット設定値Minc=0であり、オフセット電圧Vofstの初期値は0Vとなる。
電圧調整部144は、オフセット電圧生成部143から出力されるオフセット電圧Vofstと、表示データにもとづいて調電圧生成部142から出力される上記所定の階調(x階調)に対応した原階調電圧Vorg_xとを下式(13)のように加算して検出電圧Vdet(p)を生成し(ステップS114)、図12に示すように、電流比較部145を介して表示パネル110の列方向に配設された各データラインLdに印加する(ステップS115)。
Vdet(p)=Vofst(p)+Vorg_x・・・(13)
ここで、Vdet(p)及びVofst(p)のpは補正データ取得動作におけるオフセット設定の回数であり、且つ自然数であり、後述するオフセット設定値の変更にしたがって順次、数が増えていく。したがって、Vofst(p)はpが大きくなるにしたがい絶対値が大きくなる負の値となる変数であり、Vdet(p)は、Vofst(p)の値にしたがって、つまりpが大きくなるにしたがい絶対値が大きくなる負の値となる変数である。
これにより、トランジスタTr12を介して、トランジスタTr13のソース端子(接点N12)に上記検出電圧Vdet(=Vofst+Vorg_x)が印加されるとともに、トランジスタTr13のゲート端子(接点N11)及びドレイン端子に低電位の電源電圧Vccwが印加されるので、トランジスタTr13のゲート−ソース間(キャパシタCsの両端)に、検出電圧Vdetと電源電圧Vccwとの差分に相当する電圧成分(|Vdet−Vccw|)が印加されてトランジスタTr13がオン動作する。
ここで、階調電圧生成部142から出力される原階調電圧Vorg_xは、トランジスタTr13のしきい値電圧Vthの変動に対応するオフセット電圧Vofstの検出対象となっている表示画素PIX(有機EL素子OLED)を、任意の輝度階調(例えばx階調)で発光動作させることができる設計上の電圧値(理論値)であって、オフセット電圧Vofstを加算した検出電圧Vdetが、電源ドライバ130から表示画素PIXに印加されている書込動作レベル(ローレベル)の電源電圧Vccwに対して、負の極性の電圧値を有するように設定されている(Vdet=Vofst+Vorg_x<Vccw≦0)。この原階調電圧Vorg_xにおける階調(x階調)を指定するための表示データは、階調電圧生成部142の内部に予め設定されているものであってもよいし、データドライバ140の外部から入力されるものであってもよい。
次いで、上記電圧調整部144からデータラインLdに検出電圧Vdetを印加した状態において、電流比較部145に設けられた電流計により当該データラインLdに流れる検出電流Idetの電流値を測定する(ステップS116)。ここで、表示画素PIXにおける電圧関係は、電源電圧ラインLvに印加される低電位の電源電圧Vccwよりも低電位の検出電圧VdetがデータラインLdに印加されるので、上記検出電流Idetは表示画素PIX側からデータラインLdを介してデータドライバ140(電圧調整部144)方向に流れる。
次いで、電流比較部145において電流計により測定された検出電流Idetの電流値と、表示画素PIX(有機EL素子OLED)を上記任意の輝度階調(x階調)で発光動作させる場合にデータラインLdに流れる電流の設計上の数値(期待電流Irefの電流値)とを比較する電流比較処理を行い、その比較判定結果(大小関係)をオフセット電圧生成部143に出力する(ステップS117)。ここで、電流比較部145における検出電流Idetとx階調における期待電流Irefとの比較処理は、検出電流Idetが期待電流Irefよりも小さい(Idet<Iref)か否かを比較判定する。
検出電流Idetが期待電流Iref_xよりも小さい場合には、検出電圧Vdet(p)をこのまま補正階調電圧Vpixとして書込動作時にデータラインLdに印加すると、トランジスタTr12及びトランジスタTr13のV−I特性線SPw2によるしきい値シフトの影響によって、本来の表示したい階調よりも低い階調での電流がトランジスタTr13のドレイン−ソース間に流れる可能性がある。
このため、検出電流Idetが期待電流Iref_xよりも小さい場合、電流比較部145は、オフセット電圧生成部143のカウンタのカウンタ値を1つ上げる比較判定結果(例えば正電圧信号)をオフセット電圧生成部143のカウンタに出力する。
オフセット電圧生成部143のカウンタがカウントを1つ上げるとオフセット電圧生成部143は、オフセット設定値Mincの値に1を加算し(ステップS118)、加算されたオフセット設定値Mincに基づいて再びステップS113を繰り返してVofst(p+1)を生成する。したがって、Vofst(p+1)は下記式(14)を満たす負の値となる。
Vofst(p+1)=Vofst(p)+Vunit・・・(14)
その後、ステップS114以降のステップに続き、ステップS117で検出電流Idetが期待電流Iref_xより大きくなるまで繰り返される。
ステップS117において、検出電流Idetが期待電流Iref_xより大きい場合、オフセット電圧生成部143のカウンタのカウンタ値を上げない比較判定結果(例えば負電圧信号)をオフセット電圧生成部143のカウンタに出力する。
カウンタに上記比較判定結果(負電圧信号)が取り込まれると、オフセット電圧生成部143は、検出電圧Vdet(p)がトランジスタTr12及びトランジスタTr13のV−I特性線SPw2によるしきい値シフト電位分を補正したとみなし、そのときの検出電圧Vdet(p)をデータラインLdに印加する補正階調電圧Vpixとするように、そのときの階調オフセット設定値Mincを補正データとしてシフトレジスタ・データレジスタ部141に出力する。シフトレジスタ・データレジスタ部141では、各列の補正データとなる階調オフセット設定値Mincをフレームメモリ146に転送し、補正データの取得が完了する(ステップS119)。
なお、フレームメモリ146は、補正データ取得動作及び書込動作のいずれの際にも、蓄積されている階調オフセット設定値Mincをオフセット電圧生成部143に出力する。
次いで、上述したi行目の表示画素PIXに対して補正データを取得後、上述した一連の処理動作を、次の行(i+1行目)の表示画素PIXに対しても実行するために、行を指定するための変数“i”をインクリメントする処理(i=i+1)を実行する(ステップS120)。ここで、インクリメント処理された変数“i”が表示パネル110に設定された総行数nよりも小さい(i<n)か否かを比較判定する(ステップS121)。
ステップS121における行を指定するための変数の比較において、変数“i”が行数nよりも小さいと判定された場合(i<n)には、上述したステップS112からS121までの処理が再度実行され、ステップS121において、変数“i”が行数nと一致(i=n)すると判定されるまで同様の処理が繰り返し実行される。
ステップS121において、変数“i”が行数nと一致(i=n)すると判定された場合には、各行の表示画素PIXに対する補正データ取得動作が表示パネル110の全行について実行され、各表示画素PIXの補正データがフレームメモリ146の所定の記憶領域に個別に格納されたものとして、上述した一連の補正データ取得動作を終了する。
なお、この補正データ取得動作の期間においては、各端子の電位は上述した(3)〜(10)の関係を満たしており、故に有機EL素子OLEDには電流が流れず発光動作しない。
このように、補正データ取得動作の場合、図12に示すように、データラインLdに検出電圧Vdetを印加した場合に流れる検出Idetを測定し、初期状態におけるV−I特性線SPwにしたがったx階調でのトランジスタTr13のドレイン−ソース間電流Ids_xを期待値としたときに、書込動作時にこの期待値に近似したトランジスタTr13のドレイン−ソース間電流Idsを流すためのオフセット電圧Vofstを設定し、このオフセット電圧Vofstでの階調オフセット設定値Mincを補正データとしてフレームメモリ146に保存する。
つまり、オフセット電圧生成部143からの階調オフセット設定値Mincにしたがった負電位のオフセット電圧Vofst(p)と、階調電圧生成部142からのx階調の負電位の原階調電圧Vorg_とを、電圧調整部144が式(13)のように加算してなされる検出電圧Vdet(p)を生成し、検出電圧Vdet(p)が書込動作時にトランジスタTr13の期待値のドレイン−ソース間電流Ids_xに近似するよう補正されると、この検出電圧Vdet(p)の電位を、データラインLdに印加する補正階調電圧Vpixとして扱えるように、この検出電圧Vdet(p)の階調オフセット設定値Mincをフレームメモリ146に保存する。
なお、上述では、原階調電圧Vorg_xを、表示信号生成回路160から供給される各表示画素PIXごとの表示データに基づいて階調電圧生成部142が生成したが、調整用の原階調電圧Vorg_xを固定値として、表示信号生成回路160から表示データを供給されること無しに階調電圧生成部142が出力するように設定してもよい。このときの調整用の原階調電圧Vorg_xは前述したように、期待電流Iref_xが、発光動作期間に有機EL素子OLEDが最高輝度階調(もしくはその近傍の階調)で発光するような電流となるような電位であることが好ましい。
また、上記実施形態では、表示装置100ではトランジスタTr13のドレイン−ソース間電流Idsが、表示トランジスタTr13からデータドライバ140に流れる電流引き込み型の表示装置であるため、単位電圧Vunitが負の値となったが、データドライバから、有機EL素子OLEDに直列に接続されるトランジスタに向けて当該トランジスタのドレイン−ソース間電流Idsが流れる電流押し込み型の表示装置であれば、単位電圧Vunitを正の値に設定する。
(表示駆動動作)
次いで、本実施形態に係る表示装置における表示駆動動作について説明する。
図13は、本実施形態に係る表示装置における表示駆動動作の一例を示すタイミングチャートである。ここでは、説明の都合上、表示パネル110にマトリクス状に配列された表示画素PIXのうち、i行j列、及び、(i+1)行j列(iは1≦i≦nとなる正の整数、jは1≦j≦mとなる正の整数)の表示画素PIXを、表示データに応じた輝度階調で発光動作させる場合のタイミングチャートを示す。また、図14は、本実施形態に係る表示装置における書込動作の一例を示すフローチャートであり、図15は、本実施形態に係る表示装置における書込動作を示す概念図であり、図16は、本実施形態に係る表示装置における保持動作を示す概念図であり、図17は、本実施形態に係る表示装置における発光動作を示す概念図である。
本実施形態に係る表示装置100の表示駆動動作は、上述した画素回路部DCxの制御方法と同様に、例えば図13に示すように、所定の表示駆動期間(1処理サイクル期間)Tcyc内に、少なくとも、表示信号生成回路160から供給される各表示画素PIXごとの表示データに応じた原階調電圧Vorgに、フレームメモリ146に保存された上記補正データをオフセット設定値Mincとして設定して生成されるオフセット電圧Vofstを加算して補正階調電圧Vpixを生成し、各データラインLdを介して各表示画素PIXに供給する書込動作(書込動作期間Twrt)と、該書込動作により表示画素PIXの画素駆動回路DCに設けられたトランジスタTr13のゲート−ソース間に書き込み設定された補正階調電圧Vpixに応じた電圧成分をキャパシタCsに充電して保持する保持動作(保持動作期間Thld)と、該保持動作によりキャパシタCsに保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流Iemを有機EL素子OLEDに流して、所定の輝度階調で発光させる発光動作(発光動作期間Tem)と、を実行するように設定されている(Tcyc≧Twrt+Thld+Tem)。
ここで、本実施形態に係る表示駆動期間Tcycに適用される1処理サイクル期間は、例えば、表示画素PIXが1フレームの画像のうちの1画素分の画像情報を表示するのに要する期間に設定される。すなわち、複数の表示画素PIXを行方向及び列方向にマトリクスに配列した表示パネル110において、1フレームの画像を表示する場合、上記1処理サイクル期間Tcycは、1行分の表示画素PIXが1フレームの画像のうちの1行分の画像を表示するのに要する期間に設定される。
(書込動作)
書込動作(書込動作期間Twrt)においては、図13に示すように、まず、i行目の表示画素PIXに接続された電源電圧ラインLvに対して、上述した画素回路部DCxの書込動作と同様に、書込動作レベル(0V又は負の電圧)の電源電圧Vcc(=Vccw≦Vss:第1の電源電圧)を印加した状態で、i行目の選択ラインLsに選択レベル(ハイレベル)の選択信号Sselを印加して、i行目の表示画素PIXを選択状態に設定する。これにより、画素駆動回路DCに設けられたトランジスタTr11(保持トランジスタ)及びトランジスタTr12がオン動作して、トランジスタTr13(駆動トランジスタ)がダイオード接続状態に設定されて、電源電圧VccがトランジスタTr13のドレイン端子及びゲート端子に印加されるとともに、同ソース端子がデータラインLdに接続される。
このタイミングに同期して、データラインLdに表示データに応じた補正階調電圧Vpixが印加される。ここで、補正階調信号Vpixは、例えば図14に示すような一連の処理動作(階調電圧補正動作)に基づいて生成される。
すなわち、図14に示すように、まず、表示信号生成回路160から供給された表示データから、書込動作の対象となっている表示画素PIXの輝度階調値を取得し(ステップS211)、当該輝度階調値が“0”か否かを判定する(ステップS212)。ステップS212における階調値判定動作において、輝度階調値が”0”の場合には、階調電圧生成部142から無発光動作(又は黒表示動作)を行うための所定の階調電圧(黒階調電圧)Vzeroを出力し、電圧調整部144においてオフセット電圧Vofstを加算することなく(つまり、トランジスタTr13のしきい値電圧の変動に対する補償処理を行うことなく)、そのままデータラインLdに印加する(ステップS213)。ここで、無発光動作のための階調電圧Vzeroは、ダイオード接続されたトランジスタTr13のゲート−ソース間に印加された電圧Vgs(≒Vccw−Vzero)が当該トランジスタTr13のしきい値電圧Vthよりも低くなる関係(Vgs<Vth)を有するような電圧値(−Vzero<Vth−Vccw)に設定されている。ここで、トランジスタTr12、トランジスタTr13のしきい値シフトを抑制するため、Vzero=Vccwであることが好ましい。
ステップS212において、輝度階調値が”0”ではない場合には、階調電圧生成部142から当該輝度階調値(表示データ)に応じた電圧値を有する原階調電圧Vorgを生成して出力する(第2のステップ)とともに、フレームメモリ146から当該行の各表示画素PIXに対応して格納された補正データをシフトレジスタ・データレジスタ部141を介して順次読み出し(ステップS214)、各列のデータラインLdごとに設けられたオフセット電圧生成部143に出力し、当該補正データをオフセット設定値Mincとして単位電圧Vunitに乗算して、各表示画素PIX(画素駆動回路DC)のトランジスタTr13のしきい値電圧の変化量に応じたオフセット電圧Vofst(=Vunit×Minc)を生成する(ステップS215;第3のステップ)。
そして、図15に示すように、電圧調整部144において上記階調電圧生成部142から出力される負電位の原階調電圧Vorgと、オフセット電圧生成部143から出力される負電位のオフセット電圧Vofstとを式(12)を満たすように加算して負電位の補正階調電圧Vpixを生成した後(ステップS216)、データラインLdに印加する(ステップS217)。ここで、電圧調整部144において生成される補正階調電圧Vpixは、電源ドライバ130から電源電圧ラインLvに印加される書込動作レベル(低電位)の電源電圧Vcc(=Vccw)を基準として相対的に負電位の電圧振幅を有するように設定されている。補正階調電圧Vpixは階調が高くなるにしたがって負電位側により低く(電圧振幅の絶対値は大きく)なる。
これにより、トランジスタTr13のソース端子(接点N12)に、当該トランジスタTr13のしきい値電圧Vthの変動に応じたオフセット電圧Vofstを加算して補正した補正階調電圧Vpixが印加されるので、トランジスタTr13のゲート−ソース間(キャパシタCsの両端)に、補正された電圧Vgsが書き込み設定される(第4のステップ)。このような書込動作においては、トランジスタTr13のゲート端子及びソース端子に対して、表示データに応じた電流を流して電圧成分を設定するのではなく、直接所望の電圧を印加しているので、各端子や接点の電位を速やかに所望の状態に設定することができる。
なお、この書込動作期間Twrtにおいては、有機EL素子OLEDのアノード端子側の接点N12に印加される補正階調電圧Vpixの電圧値が、カソード端子TMcに印加される基準電圧Vssよりも低くなるように設定されている(つまり、有機EL素子OLEDが逆バイアス状態に設定されている)ので、有機EL素子OLEDには電流が流れず発光動作しない。
(保持動作)
次いで、上述したような書込動作期間Twrtの終了後の保持動作(保持動作期間Thld)においては、図13に示すように、i行目の選択ラインLsに非選択レベル(ローレベル)の選択信号Sselが印加されることにより、図16に示すように、トランジスタTr11及びTr12がオフ動作して、トランジスタTr13のダイオード接続状態が解除されるとともに、トランジスタTr13のソース端子(接点N12)への補正階調電圧Vpixの印加が遮断されて、トランジスタTr13のゲート−ソース間に印加されていた電圧成分(|Vpix−Vccw|)がキャパシタCsに充電されて保持される。
なお、このタイミングにおいては、選択ドライバ120から(i+1)行目の選択ラインLsに選択レベル(ハイレベル)の選択信号Sselが印加されることにより、(i+1)行目の表示画素PIXにおいて、上記と同様に、補正階調電圧Vpixを書き込む書込動作が実行される。このように、i行目の表示画素PIXの保持動作期間Thldにおいては、他の行の表示画素PIXに対して表示データに応じた電圧成分(補正階調電圧Vpix)が順次書き込まれるまで保持動作が継続される。
(発光動作)
次いで、書込動作期間Twrt及び保持動作期間Thld終了後の発光動作(発光動作期間Tem;第5のステップ)においては、図13に示すように、各行の選択ラインLsに非選択レベル(ローレベル)の選択信号Sselを印加した状態で、各行の表示画素PIXに接続された電源電圧ラインLvに発光動作レベルである高電位(正の電圧)の電源電圧(第2の電源電圧)Vcc(=Vcce>0V:第2の電源電圧)を印加する。
ここで、電源電圧ラインLvに印加される高電位の電源電圧Vcc(=Vcce)は、図7、図8に示した場合と同様に、トランジスタTr13の飽和電圧(ピンチオフ電圧Vpo)と有機EL素子OLEDの駆動電圧(Voled)との和よりも大きくなるように設定されているので、トランジスタTr13が飽和領域で動作する。また、有機EL素子OLEDのアノード側(接点N12)には上記書込動作によりトランジスタTr13のゲート−ソース間に書込設定された電圧成分(|Vpix−Vccw|)に応じた正の電圧が印加され、一方、カソード端子TMcには基準電圧Vss(例えば接地電位)が印加されることにより、有機EL素子OLEDは順バイアス状態に設定されるので、図17に示すように、電源電圧ラインLvからトランジスタTr13を介して有機EL素子OLEDに、表示データ(厳密には、補正された階調電圧;補正階調電圧Vpix)に応じた電流値を有する発光駆動電流Iem(トランジスタTr13のドレイン−ソース間電流Ids)が流れ、所定の輝度階調で発光動作する。
この発光動作は、電源ドライバ130から書込動作レベル(負の電圧)の電源電圧Vcc(=Vccw)が印加されて、次の表示駆動期間(1処理サイクル期間)Tcycが開始されるタイミングまで継続して実行される。
このような一連の表示駆動動作によれば、図13に示すように、表示パネル110に配列されている各行の表示画素PIXに対して、書込動作レベルの電源電圧Vcc(=Vccw)を印加した状態で、各行ごとに補正階調電圧Vpixを書き込み、所定の電圧成分(|Vpix−Vccw|)を保持する動作を順次行い、当該書込動作及び保持動作が終了した行の表示画素PIXに対して、発光動作レベルの電源電圧Vcc(=Vcce)を印加することにより、当該行の表示画素PIXを発光動作させることができる。
なお、上述の保持動作は、例えば、以下に述べるような、各グループ内の全ての行の表示画素PIXへの書込動作が終了した後に、当該グループの全ての表示画素PIXを一斉に発光動作させる駆動制御を行う場合に、書込動作と発光動作の間に設けられる。この場合、保持動作期間Thldの長さは行ごとに異なる。また、このような駆動制御を行わない場合には、保持動作を行わないものであってもよい。
ここで、本実施形態に係る表示装置100においては、図9に示したように、表示パネル110に配列された表示画素PIXを、表示パネル110の上方領域と下方領域からなる2組にグループ分けして、各グループごとに分岐した個別の電源電圧ラインLvを介して独立した電源電圧Vccを印加しているので、各グループに含まれる複数行の表示画素PIXを一斉に発光動作させることができる。以下に、この場合の具体的な駆動制御動作について説明する。
次いで、本実施形態に係る表示装置において、図9に示した表示パネルを適用した場合の駆動制御動作の一例について具体的に説明する。
図18は、本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法の具体例を模式的に示した動作タイミング図である。なお、図18においては、説明の都合上、便宜的に表示パネルに12行(n=12;第1行〜第12行)の表示画素が配列され、1〜6行目(上述した上方領域に対応する)及び7〜12行目(上述した下方領域に対応する)の表示画素を各々一組として2組にグループ分けされている場合の動作タイミング図を示す。
図9に示した表示パネル110を備えた表示装置100における駆動制御動作は、図18に示すように、表示パネル110に配列された全ての表示画素PIXついて、上述した補正データ取得動作を各行ごとに所定のタイミングで順次実行し、表示パネル110の全行についての補正データ取得動作の終了後(すなわち、補正データ取得動作期間Tdetの終了後)、1フレーム期間Tfr内に、表示パネル110の各行ごとの表示画素PIX(画素駆動回路DC)に対して、表示データに応じた原階調電圧Vorgに、各表示画素PIXの駆動トランジスタ(トランジスタTr13)の素子特性の変動に対応したオフセット電圧Vofstを加算した補正階調電圧Vpixを書き込み、所定の電圧成分(|Vpix−Vccw|)を保持する動作を全行について順次繰り返しつつ、予めグループ分けした1〜6行目又は7〜12行目の表示画素PIX(有機EL素子OLED)に対して上記書込動作が終了したタイミングで、当該グループに含まれる全表示画素PIXを表示データ(補正階調電圧Vpix)に応じた輝度階調で一斉に発光動作させる表示駆動動作(図13に示した表示駆動期間Tcyc)を繰り返し実行することにより、表示パネル110一画面分の画像情報が表示される。
具体的には、表示パネル110に配列された前記表示画素PIXに対して、1〜6行目及び7〜12行目の表示画素PIXからなるグループにおいて、各グループごとに表示画素PIXに共通に接続された電源電圧ラインLvを介して低電位の電源電圧Vcc(=Vccw)を印加した状態で、1行目の表示画素PIXから順に、上記補正データ取得動作(補正データ取得動作期間Tdet)が実行され、表示パネル110に配列された全表示画素PIXについて、画素駆動回路DCに設けられたトランジスタTr13(駆動トランジスタ)のしきい値電圧の変動に対応した補正データが、各表示画素PIXごとにフレームメモリ146の所定の領域に個別に格納(記憶)される。
次いで、上記補正データ取得動作期間Tdetの終了後、1〜6行目の表示画素PIXからなるグループにおいて、当該グループの表示画素PIXに共通に接続された電源電圧ラインLvを介して低電位の電源電圧Vcc(=Vccw)を印加した状態で、1行目の表示画素PIXから順に、上記書込動作(書込動作期間Twrt)及び保持動作(保持動作期間Thld)を実行し、6行目の表示画素PIXについて書込動作が終了したタイミングで、当該グループの電源電圧ラインLvを介して高電位の電源電圧Vcc(=Vcce)を印加するように切り替えることにより、各表示画素PIXに書き込まれた表示データ(補正階調電圧Vpix)に基づく輝度階調で、当該グループの6行分の表示画素PIXを一斉に発光動作させる。この発光動作は、1行目の表示画素PIXに対して、次の書込動作が開始されるタイミングまで継続される(1〜6行目の発光動作期間Tem)。
また、上記1〜6行目の表示画素PIXについて書込動作が終了したタイミングで、7〜12行目の表示画素PIXからなるグループにおいて、当該グループの表示画素PIXに共通に接続された電源電圧ラインLvを介して低電位の電源電圧Vcc(=Vccw)を印加し、7行目の表示画素PIXから順に、上記書込動作(書込動作期間Twrt)及び保持動作(保持動作期間Thld)を実行し、12行目の表示画素PIXについて書込動作が終了したタイミングで、当該グループの電源電圧ラインLvを介して高電位の電源電圧Vcc(=Vcce)を印加するように切り替えることにより、各表示画素PIXに書き込まれた表示データ(補正階調電圧Vpix)に基づく輝度階調で、当該グループの6行分の表示画素PIXを一斉に発光動作させる(7〜12行目の発光動作期間Tem)。この7〜12行目の表示画素PIXに対して書込動作及び保持動作が実行されている期間においては、上述したように、1〜6行目の表示画素PIXに対して電源電圧ラインLvを介して高電位の電源電圧Vcc(=Vcce)が印加されて、一斉に発光する動作が継続されている。
このように、表示パネル110に配列された全表示画素PIXについて補正データ取得動作を実行した後、各行の表示画素PIXごとに所定のタイミングで書込動作及び保持動作を順次実行し、予め設定された各グループについて、当該グループに含まれる全ての行の表示画素PIXへの書込動作が終了した時点で、当該グループの全ての表示画素PIXを一斉に発光動作させるように駆動制御される。
したがって、このような表示装置の駆動制御方法(表示駆動動作)によれば、1フレーム期間Tfrのうち、同一グループ内の各行の表示画素に書込動作を実行する期間中、当該グループ内の全ての表示画素(発光素子)の発光動作が行われず、無発光状態(黒表示状態)に設定することができる。ここで、図18に示した動作タイミング図においては、表示パネル110を構成する12行の表示画素PIXを、2組にグループ分けして、各グループごとに異なるタイミングで一斉に発光動作を実行するように制御されるので、1フレーム期間Tfrにおける上記無発光動作による黒表示期間の比率(黒挿入率)を50%に設定することができる。ここで、人間の視覚において、動画像をボケやにじみがなく鮮明に視認するためには、一般に、概ね30%以上の黒挿入率を有していることが目安になるので、本駆動制御方法によれば、比較的良好な表示画質を有する表示装置を実現することができる。
なお、本実施形態(図9)においては、表示パネル110に配列された複数の表示画素PIXを、連続する行ごとに2組にグループ分けした場合について示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、3組や4組等、任意の組数にグループ分けするものであってもよく、また、偶数行と奇数行のように連続しない行同士でグループ分けするものであってもよい。これによれば、グループ分けされた組数に応じて発光時間及び黒表示期間(黒表示状態)を任意に設定することができ、表示画質の改善を図ることができる。
また、表示パネル110に配列された複数の表示画素PIXを、上記のようにグループ分けすることなく、各行ごとに個別に電源電圧ラインを配設(接続)して、異なるタイミングで電源電圧Vccを独立して印加することにより、表示画素PIXを各行ごとに発光動作させるものであってもよいし、表示パネル110に配列された一画面分の全ての表示画素PIXに対して、一斉に共通の電源電圧Vccを印加することにより、表示パネル110一画面分の全ての表示画素を一斉に発光動作させるものであってもよい。
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置及びその駆動制御方法によれば、表示データの書込動作期間に駆動トランジスタ(トランジスタTr13)のゲート−ソース間に、表示データ及び駆動トランジスタの素子特性(しきい値電圧)の変動に応じた電圧値を指定した補正階調電圧Vpixを直接印加することにより、所定の電圧成分をキャパシタ(キャパシタCs)に保持させ、当該電圧成分に基づいて、発光素子(有機EL素子OLED)に流す発光駆動電流Iemを制御し、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型(又は、電圧印加型)の階調制御方法を適用することができる。
したがって、表示データに応じた電流を供給して書込動作を行う(表示データに応じた電圧成分を保持させる)電流指定型の階調制御方法に比較して、表示パネルを大型化や高精細化した場合や、低階調表示を行う場合であっても、表示データに応じた階調信号(補正階調電圧)を各表示画素に迅速かつ確実に書き込むことができるので、表示データの書込不足の発生を抑制して表示データに応じた適切な輝度階調で発光動作することができ、良好な表示画質を実現することができる。
さらに、表示画素(画素駆動回路)への表示データの書込動作、保持動作及び発光動作からなる表示駆動動作に先立って、各表示画素に設けられた駆動トランジスタのしきい値電圧の変動に対応する補正データを取得し、書込動作の際に、当該補正データに基づいて各表示画素ごとに補正された階調信号(補正階調電圧)を生成して印加することができるので、上記しきい値電圧の変動の影響(駆動トランジスタの電圧−電流特性のシフト)を補償して、表示データに応じた適切な輝度階調で各表示画素(発光素子)を発光動作させることができ、表示画素ごとの発光特性のバラツキを抑制して表示画質を改善することができる。
本発明に係る表示装置に適用される表示画素の要部構成を示す等価回路図である。 本発明に係る表示装置に適用される表示画素の制御動作を示す信号波形図である。 表示画素の書込動作時における動作状態を示す概略説明図である。 表示画素の書込動作時における駆動トランジスタの動作特性を示す図である。 表示画素の保持動作時における動作状態を示す概略説明図である。 表示画素の保持動作時における駆動トランジスタの動作特性を示す図である。 表示画素の発光動作時における動作状態を示す概略説明図である。 表示画素の発光動作時における駆動トランジスタの動作特性及び有機EL素子の負荷特性を示す図である。 本発明に係る表示装置の一実施形態を示す概略構成図である。 本実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバ及び表示画素(画素駆動回路及び発光素子)の一例を示す要部構成図である。 本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作の一例を示すフローチャートである。 本実施形態に係る表示装置における補正データ取得動作を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置における表示駆動動作の一例を示すタイミングチャートである。 本実施形態に係る表示装置における書込動作の一例を示すフローチャートである。 本実施形態に係る表示装置における書込動作を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置における保持動作を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置における発光動作を示す概念図である。 本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法の具体例を模式的に示した動作タイミング図である。
符号の説明
DCx 画素回路部
OLED 有機EL素子
T1 駆動トランジスタ
T2 保持トランジスタ
Cx、Cs キャパシタ
Ls 選択ライン
Lv 電源電圧ライン
Ld データライン
PIX 表示画素
DC 画素駆動回路
100 表示装置
110 表示パネル
120 選択ドライバ
130 電源ドライバ
140 データドライバ
141 シフトレジスタ・データレジスタ部
142 階調電圧生成部
143 オフセット電圧生成部
144 電圧調整部
145 電流比較部
146 フレームメモリ
150 システムコントローラ

Claims (39)

  1. 電流駆動型の発光素子と該発光素子に発光駆動電流を供給する発光駆動素子とを備えた表示画素を駆動する表示駆動装置において、
    少なくとも、
    前記表示画素に所定の検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の電流路に流れる電流値に基づいて、前記発光駆動素子に固有の素子特性の変動量に対応する特定値を検出する特定値検出手段と、
    前記特定値検出手段により検出された前記特定値を補正データとして記憶する記憶手段と、
    前記記憶手段に記憶された前記補正データに基づいて、前記発光駆動素子の前記素子特性を補償する補償電圧を生成する補償電圧生成手段と、
    前記発光素子を表示データに応じた輝度階調で発光動作させるための電圧値を有する階調電圧を生成する階調電圧生成手段と、
    前記補償電圧に基づいて前記階調電圧を補正した階調信号を生成して前記表示画素に供給する階調電圧補正手段と、
    を備えていることを特徴とする表示駆動装置。
  2. 前記特定値検出手段は、
    前記検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値を測定する電流測定手段と、
    前記電流測定手段により測定された前記電流値と所定の期待電流値の値とを比較する電流比較手段と、
    前記電流比較手段における比較結果に基づいて前記検出電圧の電圧値を変更設定する検出電圧設定手段と、
    前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて前記特定値を抽出する特定値抽出手段と、
    を具備することを特徴とする請求項1記載の表示駆動装置。
  3. 前記特定値検出手段は、前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に前記検出電圧に応じた電圧を印加し、前記電流測定手段により前記発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値を測定することを特徴とする請求項2記載の表示駆動装置。
  4. 前記検出電圧設定手段は、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて、順次インクリメント処理される変数と所定の単位電圧とを乗算して、前記検出電圧の電圧値を変更設定し、
    前記特定値抽出手段は、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて、前記変数の数値を前記特定値として抽出することを特徴とする請求項2又は3記載の表示駆動装置。
  5. 前記単位電圧は、前記階調電圧の隣接する階調間の電位差に対応した電圧であり、前記期待電流値は、前記隣接する階調における低階調側の階調電圧を、前記発光駆動素子が初期特性を維持しているときの前記表示画素に印加したときの当該発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値であることを特徴とする請求項4記載の表示駆動装置。
  6. 前記検出電圧設定手段は、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための前記階調電圧の電圧値に、前記変数と前記単位電圧とを乗算して得られる電圧成分を加算して、前記検出電圧の電圧値を設定することを特徴とする請求項4記載の表示駆動装置。
  7. 前記補償電圧生成手段は、前記記憶手段に記憶された前記補正データと前記単位電圧とを乗算して前記補償電圧を生成することを特徴とする請求項4記載の表示駆動装置。
  8. 前記階調電圧補正手段は、前記階調電圧生成手段により生成された前記階調電圧に、前記補償電圧を加算して、前記階調電圧を補正することを特徴とする請求項7記載の表示駆動装置。
  9. 前記表示駆動装置は、
    複数の前記表示画素の前記発光素子を、各々所定の輝度階調で発光動作させる前記階調信号を生成するための輝度階調データを順次取り込み、前記表示画素ごとに設けられた前記階調電圧生成手段に並列的に送出する階調データ転送手段と、
    前記表示画素ごとに設けられた前記特定値検出手段により、前記複数の前記表示画素について検出された前記特定値を補正データとして並列的に取り込み、前記記憶手段に順次送出する特定値転送手段と、
    前記記憶手段に前記表示画素ごとに記憶された前記補正データを順次取り込み、前記表示画素ごとに設けられた前記補償電圧生成手段に並列的に送出する補正データ転送手段と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の表示駆動装置。
  10. 電流駆動型の発光素子と該発光素子に発光駆動電流を供給する発光駆動素子とを備えた表示画素を駆動する表示駆動装置の駆動制御方法において、
    少なくとも、
    前記表示画素に所定の検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の電流路に流れる電流値に基づいて、前記発光駆動素子に固有の素子特性の変動量に対応する特定値を検出し、補正データとして記憶手段に記憶するステップと、
    前記発光素子を表示データに応じた輝度階調で発光動作させるための電圧値を有する階調電圧を生成するステップと、
    前記記憶手段に記憶された前記補正データに基づいて、前記発光駆動素子の前記素子特性を補償する補償電圧を生成するステップと、
    前記補償電圧に基づいて前記階調電圧を補正した階調信号を生成し、該階調信号を前記表示画素に供給するステップと、
    を含むことを特徴とする駆動制御方法。
  11. 前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、他のステップに先立つ任意のタイミングで実行されることを特徴とする請求項10記載の駆動制御方法。
  12. 前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、
    前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に前記検出電圧に応じた電圧を印加することにより、前記電流路に流れる電流値を測定するステップと、
    前記測定された前記電流値と所定の期待電流値の値とを比較するステップと、
    前記電流値の比較結果に基づいて前記検出電圧の電圧値を変更設定するステップと、
    前記電流値の前記比較結果に基づいて前記特定値を抽出し、前記補正データとして前記記憶手段に記憶するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項10又は11記載の駆動制御方法。
  13. 前記検出電圧は、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための前記階調電圧の電圧値に、前記電流値の比較結果に基づいて順次インクリメント処理される変数と所定の単位電圧とを乗算して得られる電圧成分を加算した電圧値に設定されていることを特徴とする請求項12記載の駆動制御方法。
  14. 前記単位電圧は、前記階調電圧の隣接する階調間の電位差に対応した電圧であり、前記期待電流値は、前記隣接する階調における低階調側の階調電圧を、前記発光駆動素子が初期特性を維持しているときの前記表示画素に印加したときの当該発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値であることを特徴とする請求項13記載の駆動制御方法。
  15. 前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、前記電流値の比較結果に基づいて、前記変数の数値を前記特定値として抽出することを特徴とする請求項13記載の駆動制御方法。
  16. 前記補償電圧を生成するステップは、前記記憶手段に記憶された前記補正データと前記単位電圧とを乗算して前記補償電圧を生成し、
    前記補正した階調電圧を前記表示画素に供給するステップは、前記階調電圧を生成するステップにより生成された前記階調電圧に、前記補償電圧を加算して前記階調電圧を補正し、前記階調信号として前記表示画素に供給することを特徴とする請求項13記載の駆動制御方法。
  17. 表示データに応じた画像情報を表示する表示装置において、
    行方向及び列方向に配設された複数の選択ライン及びデータラインの各交点近傍に電流駆動型の発光素子を有する複数の表示画素が配列された表示パネルと、
    所定のタイミングで各行の前記選択ラインに選択信号を順次印加して、各行の前記表示画素を選択状態に設定する選択駆動部と、
    所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を生成し、前記データラインを介して前記選択状態に設定された前記各表示画素に供給するデータ駆動部と、
    前記各表示画素に所定の電圧レベルの電源電圧を印加する電源駆動部と、
    を備え、
    前記各表示画素において、前記発光駆動素子の電流路の一端に前記電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記発光素子の一端が接続され、
    前記データ駆動部は、少なくとも、
    前記各表示画素に所定の検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の電流路に流れる電流値に基づいて、前記発光駆動素子に固有の素子特性の変動量に対応する特定値を検出する特定値検出手段と、
    前記特定値検出手段により検出された前記特定値を補正データとして前記表示画素ごとに記憶する記憶手段と、
    前記記憶手段に記憶された前記補正データに基づいて、前記表示画素ごとの前記発光駆動素子の前記素子特性を補償する補償電圧を生成する補償電圧生成手段と、
    前記各表示画素の前記発光素子を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させるための電圧値を有する階調電圧を生成する階調電圧生成手段と、
    前記補償電圧に基づいて前記階調電圧を補正した階調信号を生成して、前記各データラインを介して前記各表示画素に供給する階調電圧補正手段と、
    を有することを特徴とする表示装置。
  18. 前記特定値検出手段と、前記補償電圧生成手段と、前記階調電圧生成手段と、前記階調電圧補正手段は、各列の前記データラインごとに設けられていることを特徴とする請求項17記載の表示装置。
  19. 前記特定値検出手段は、
    前記検出電圧を前記各表示画素に印加することにより前記発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値を測定する電流測定手段と、
    前記電流測定手段により測定された前記電流値と所定の期待電流値の値とを比較する電流比較手段と、
    前記電流比較手段における比較結果に基づいて前記検出電圧の電圧値を変更設定する検出電圧設定手段と、
    前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて前記特定値を抽出する特定値抽出手段と、
    を具備することを特徴とする請求項17又は18記載の表示装置。
  20. 前記特定値検出手段は、前記電源駆動部から前記発光素子を非発光状態とする電位を有する第1の電源電圧を前記発光駆動素子の前記電流路の一端に印加し、前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に、前記検出電圧と前記第1の電源電圧との差分に相当する電圧を印加し、前記電流測定手段により前記発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値を測定することを特徴とする請求項19記載の表示装置。
  21. 前記検出電圧設定手段は、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて、順次インクリメント処理される変数と所定の単位電圧とを乗算して、前記検出電圧の電圧値を変更設定し、
    前記特定値抽出手段は、前記電流比較手段における前記比較結果に基づいて、前記変数の数値を前記特定値として抽出することを特徴とする請求項19又は20記載の表示装置。
  22. 前記単位電圧は、前記階調電圧の隣接する階調間の電位差に対応した電圧であり、前記期待電流値は、前記隣接する階調における低階調側の階調電圧を、前記発光駆動素子が初期特性を維持しているときの前記表示画素に印加したときの当該発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値であることを特徴とする請求項21記載の表示装置。
  23. 前記検出電圧設定手段は、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための前記階調電圧の電圧値に、前記変数と前記単位電圧とを乗算して得られる電圧成分を加算して、前記検出電圧の電圧値を設定することを特徴とする請求項21記載の表示装置。
  24. 前記補償電圧生成手段は、前記記憶手段に記憶された前記補正データと前記単位電圧とを乗算して前記補償電圧を生成することを特徴とする請求項21記載の表示装置。
  25. 前記階調電圧補正手段は、前記階調電圧生成手段により生成された前記階調電圧に、前記補償電圧を加算して、前記階調電圧を補正することを特徴とする請求項24記載の表示装置。
  26. 前記データ駆動部は、
    前記各表示画素の前記発光素子を、各々所定の輝度階調で発光動作させる前記階調信号を生成するための輝度階調データを順次取り込み、各列の前記データラインごとに設けられた前記階調電圧生成手段に並列的に送出する階調データ転送手段と、
    前記データラインごとに設けられた前記特定値検出手段により、前記各表示画素について検出された前記特定値を補正データとして並列的に取り込み、前記記憶手段に順次送出する特定値転送手段と、
    前記記憶手段に前記表示画素ごとに記憶された前記補正データを順次取り込み、前記データラインごとに設けられた前記補償電圧生成手段に並列的に送出する補正データ転送手段と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項17乃至25のいずれかに記載の表示装置。
  27. 前記電源駆動部は、前記階調電圧補正手段により補正した階調電圧を前記各表示画素に供給した後のタイミングで、各行の前記表示画素に、前記発光素子を発光状態とする電位を有する第2の電源電圧を前記発光駆動素子の前記電流路の一端に印加して、前記表示画素を発光動作状態に設定することを特徴とする請求項17乃至26のいずれかに記載の表示装置。
  28. 前記電源駆動部は、前記表示パネルに配列された前記複数の表示画素を、複数行ごとにグループ分けした各グループごとの前記表示画素に、前記階調電圧補正手段により補正した階調電圧を前記各表示画素に供給した後のタイミングで、前記発光素子を発光状態とする電位を有する第2の電源電圧を前記発光駆動素子の前記電流路の一端に印加して、各グループごとに前記表示画素を発光動作状態に設定することを特徴とする請求項17乃至26のいずれかに記載の表示装置。
  29. 前記各表示画素は、前記発光素子の発光動作を制御する画素駆動回路を備え、
    前記画素駆動回路は、少なくとも、
    電流路の一端に前記電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記発光素子が接続された第1のスイッチ手段と、
    制御端子が前記選択ラインに接続され、電流路の一端に前記電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記第1のスイッチ手段の制御端子が接続された第2のスイッチ手段と、
    前記第1のスイッチ手段の前記制御端子と前記電流路の他端との間に接続された電圧保持素子と、を有し、
    前記発光駆動素子は、前記第1のスイッチ手段であることを特徴とする請求項17乃至28のいずれかに記載の表示装置。
  30. 前記第1及び第2のスイッチ手段は、アモルファスシリコンからなる半導体層を備えた電界効果型トランジスタであることを特徴とする請求項29記載の表示装置。
  31. 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項17乃至30のいずれかに記載の表示装置。
  32. 表示データに応じた画像情報を表示する表示装置の駆動制御方法において、
    前記表示装置は、行方向及び列方向に配設された複数の選択ライン及びデータラインの各交点近傍に電流駆動型の発光素子と該発光素子に発光駆動電流を供給する発光駆動素子とを有する複数の表示画素が配列された表示パネルを有し、
    前記各表示画素において、前記発光駆動素子の電流路の一端に所定の電源電圧が印加され、該電流路の他端に前記発光素子の一端が接続され、
    少なくとも、
    各行の前記選択ラインに選択信号を順次印加して、各行の前記表示画素を選択状態に設定するステップと、
    前記選択された行の前記各表示画素に所定の検出電圧を印加することにより前記発光駆動素子の電流路に流れる電流値に基づいて、前記発光駆動素子に固有の素子特性の変動量に対応する特定値を検出し、補正データとして前記表示画素ごとに記憶手段に記憶するステップと、
    前記表示画素ごとの前記表示データに応じた所定の電圧値を有する階調電圧を個別に生成するステップと、
    前記記憶手段に記憶された前記補正データに基づいて、前記表示画素ごとの前記発光駆動素子の前記素子特性を補償する補償電圧を個別に生成するステップと、
    前記表示画素ごとに前記補償電圧に基づいて前記階調電圧を補正した階調信号を生成し、前記各データラインを介して前記各表示画素に個別に供給するステップと、
    を含むことを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
  33. 前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、
    前記各表示画素の前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に前記検出電圧に応じた電圧を印加することにより、前記電流路に流れる電流値を測定するステップと、
    前記測定された前記電流値と所定の期待電流値の値とを比較するステップと、
    前記電流値の比較結果に基づいて前記検出電圧の電圧値を変更設定するステップと、
    前記電流値の前記比較結果に基づいて前記特定値を抽出し、前記補正データとして前記表示画素ごとに前記記憶手段に記憶するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項32記載の表示装置の駆動制御方法。
  34. 前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、前記発光駆動素子の前記電流路の一端に、前記電源電圧として、前記発光素子を非発光状態とする電位を有する第1の電源電圧を印加し、前記各表示画素の前記発光駆動素子の制御端子と前記電流路の一端側とを短絡した状態で、前記電流路の両端に、前記検出電圧と前記第1の電源電圧との差分に相当する電圧を印加した際の、前記電流路に流れる電流値を前記表示画素ごとに測定することを特徴とする請求項33記載の表示装置の駆動制御方法。
  35. 前記検出電圧は、前記各表示画素の前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための前記階調電圧の電圧値に、前記電流値の比較結果に基づいて順次インクリメント処理される変数と所定の単位電圧とを乗算して得られる電圧成分を加算した電圧値に設定され、
    前記特定値を検出して前記記憶手段に記憶するステップは、前記電流値の比較結果に基づいて前記表示画素ごとに設定された前記変数の数値を前記特定値として抽出することを特徴とする請求項33又は34記載の表示装置の駆動制御方法。
  36. 前記単位電圧は、前記階調電圧の隣接する階調間の電位差に対応した電圧であり、前記期待電流値は、前記隣接する階調における低階調側の階調電圧を、前記発光駆動素子が初期特性を維持しているときの前記表示画素に印加したときの当該発光駆動素子の前記電流路に流れる電流値であることを特徴とする請求項35記載の表示装置の駆動制御方法。
  37. 前記補償電圧を生成するステップは、前記記憶手段に前記表示画素ごとに記憶された前記補正データと前記単位電圧とを乗算して、前記表示画素ごとの前記発光駆動素子の前記素子特性の変動量に対応する電圧成分からなる前記補償電圧を生成し、
    前記補正した階調電圧を前記表示画素に供給するステップは、前記階調電圧を生成するステップにより生成された前記階調電圧に、前記表示画素ごとの前記補償電圧を加算して前記階調電圧を補正し、前記階調信号として前記データラインを介して前記各表示画素に供給することを特徴とする請求項35記載の表示装置の駆動制御方法。
  38. 前記階調信号を前記各表示画素に供給するステップの後のタイミングで、各行の前記表示画素の前記発光駆動素子の電流路の一端に、前記発光素子を発光状態とする電位を有する第2の電源電圧を印加して、前記各表示画素を発光動作状態に設定するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項35記載の表示装置の駆動制御方法。
  39. 前記階調信号を前記各表示画素に供給するステップの後のタイミングで、前記表示パネルに配列された前記複数の表示画素を、複数行ごとにグループ分けした各グループごとの前記表示画素の前記発光駆動素子の電流路の一端に、前記発光素子を発光状態とする電位を有する第2の電源電圧を印加して、各グループごとに前記表示画素を発光動作状態に設定するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項35記載の表示装置の駆動制御方法。
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