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JP2007012410A - 有機el素子及びそれを用いた有機elディスプレイ並びに有機elディスプレイの製造方法 - Google Patents

有機el素子及びそれを用いた有機elディスプレイ並びに有機elディスプレイの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】酸素を含む材料、融点の高い材料を保護層として用いても電極の腐食や有機層へのダメージを防止することが可能な高性能の有機EL素子及びその製造方法、並びに有機ELディスプレイを提供する。
【解決手段】下層電極11と、上層電極13と、発光層12bを含み、下層電極11及び上層電極13間に配置される有機層12と、上層電極13上に被着される第1保護層14と、前記第1保護層14上に被着される第2保護層15と、を備え、上層電極13が活性な金属により形成されており、且つ、第2保護層15は第1保護層14よりも酸素含有量が大きく、第1保護層14は第2保護層15よりも構成材料の融点が小さい材料からなっている有機EL素子を構成する。またこの有機EL素子を有する有機ELディスプレイを構成する。
【選択図】図1

Description

本発明は有機EL素子及びそれを用いた有機ELディスプレイ、並びに有機ELディスプレイの製造方法に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、有機ELディスプレイという)は、薄型、広視野角、低消費電力、優れた動画表示特性などの特色を持ち、次世代の画像表示装置として期待されている。かかる有機ELディスプレイを構成する多数の有機EL素子は、2つの電極の間に少なくとも一つの有機発光層を有し、電極間に電圧を印加することによって発光層が発光し画像を表示する。
従来は、ガラス基板上に陽極である透明電極(ITO)、有機物からなる電荷輸送層や発光層、最後にAl等の金属からなる陰極の順に成膜するボトムエミッション構造が一般的であった。近年、高い仕事関数を持った金属を陽極に用いたトップエミッション構造が用いられるようになってきた。画素回路によって発光部の面積が制限されてしまうボトムエミッション構造と違い、トップエミッション構造では発光部を広くとれるという利点がある。トップエミッション構造では、陰極にはLiF/Al/Ag(文献1)、Ca/Mg(文献2)、LiF/MgAgなどの半透明電極が用いられる。
また有機EL素子では、発光層で発光した光が他の膜に入射する場合に、ある角度以上で入射すると界面で全反射されてしまうため、発光した光の一部しか利用できていない。このため、近年、光の取出し効率を向上させるために、屈折率の低い半透明電極の外側に屈折率の高い層(保護層)を設けた図1のような構造の有機EL素子が提案されている(下記非特許文献1,2参照)。
同図の有機EL素子において、光の取り出し効率を大きくしようとする場合、保護層には光吸収が小さく高屈折率の材料が適している。TiO2やLaTiO3等の高屈折率酸化物は、発光波長領域で光吸収が極めて少ないため、同酸化物を保護層として使用すると反射率が高くなり、光の取り出し効率が向上する。短波長領域で光吸収が起こると、RGBのなかでも発光効率の小さいBlueの効率を低下させることになるので、短波長領域でも吸収の少ない高屈折率酸化物は保護層に適した光学特性を備えているといえる。この高屈折率酸化物であるTiO2やLaTiO3等は例えば真空蒸着法等により形成される。
Applied Physics Letters、アメリカ、2001年、第78巻、544−546頁 Applied Physics Letters、アメリカ、2003年、第82巻、466−468頁 特開2003−142262号公報
ところで、高屈折率酸化物(例えばTiO2)を保護層に用いる場合、保護層の成膜時にO2を導入しながら蒸着を行い、Tiに結合するOが飽和させることが行われる。
しかしながら、保護層の下地となる電極はCaやMgといった活性な金属で構成されることが多いため、保護層の成膜時にO2を導入することで電極が酸化され、電極の抵抗が大きくなる問題があった。また高屈折率酸化物は融点が大きく、成膜温度が高いため、保護層の形成時に高熱に弱い有機発光層にダメージを与えてしまう恐れがあった。
さらに、発光中心波長の異なる複数種の発光素子を有する有機ELディスプレイでは各波長に応じて保護層の膜厚を最適化するため、高精細メタルマスクによりRGBごとに画素の塗り分けが一般的に行われている。精細度の高いメタルマスクは高価なため、マスク自体がクリーニングにより再使用可能でないと製造コストが高くなってしまう。
ところが、TiO2やLaTiO3などの高屈折率酸化物のクリーニングはドライエッチングでは塩素系などの腐食性のガスを使うため、メタルマスクも腐食されてしまい再利用しにくい。これらの理由から、高屈折率酸化物がその光学特性から保護層として理想的であるにもかかわらず、現実に用いることが困難であった。
本発明は上述の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は酸素を含む材料、融点の高い材料を保護層として用いても電極の腐食や有機層へのダメージを防止することが可能な高性能の有機EL素子及びその製造方法、並びに有機ELディスプレイを提供するものである。
本発明の有機EL素子は、第1電極と、第2電極と、発光層を含み、前記第1電極及び前記第2電極間に配置される有機層と、前記第2電極上に被着される第1保護層と、前記第1保護層上に被着される第2保護層と、を備え、前記第2保護層は前記第1保護層よりも酸素含有量が大きく、前記第1保護層は前記第2保護層よりも構成材料の融点が小さい材料からなっていることを特徴とする。
また本発明の有機EL素子は、上記EL素子において、前記第1保護層の構成材料の融点は前記第2電極の構成材料の融点よりも大きいことを特徴とする。
さらに本発明の有機EL素子は、上記EL素子において、前記第2電極の構成材料の融点は前記有機層の構成材料の融点よりも大きいことを特徴とする。
また更に本発明の有機EL素子は、上記EL素子において、前記第1保護層の構成材料の融点は1700℃以下であることを特徴とする。
更にまた本発明の有機EL素子は、上記EL素子において、前記第1保護層は酸素を含まない、もしくは酸素含有量が重量濃度で1ppm以下であることを特徴とする。
また本発明の有機EL素子は、上記EL素子において、前記第2電極はアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことを特徴とする。
更に本発明の有機EL素子は、上記EL素子において、前記第1保護層、前記第2保護層及び前記第2電極は透明材料または半透明材料によりそれぞれ形成されており、前記第1保護層の屈折率を前記第2保護層の屈折率よりも小さく、且つ前記第2電極の屈折率よりも大きく設定したことを特徴とする。
また更に本発明の有機EL素子は、上記EL素子において、前記第1保護層がフッ素化合物または有機物により形成されていることを特徴とする。
そして本発明の有機ELディスプレイは、上述の有機EL素子を複数個配列するとともに、前記第1保護層及び前記第2保護層の膜厚が各有機EL素子間で略等しいことを特徴とする。
また本発明の有機ELディスプレイは、上記ELディスプレイにおいて、前記有機EL素子は異なる色の光を発する複数のタイプに分かれていることを特徴とする。
また本発明の有機ELディスプレイは、上記ELディスプレイにおいて、前記第1保護層は前記上層電極の側面を被覆していることを特徴とする。
そして本発明の有機EL素子の製造方法は、第1電極と、発光層を含み、該第1電極上に配置される有機層と、該有機層上に配置される第2電極とを有する積層体上に、酸素mol濃度が1ppm以下の雰囲気中で第1保護層を形成する工程と、該第1保護層上に酸素物からなる第2保護層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
また本発明の有機EL素子の製造方法は、上記製造方法において、前記第2電極は活性な金属からなることを特徴とする。
本発明の有機EL素子によれば、前記第1保護層上の第2保護層は前記第1保護層よりも酸素含有量が大きく、前記第1保護層は前記第2保護層よりも構成材料の融点(融点が存在しない材料については昇華点を用いる)が小さい材料からなっているため、前記第1及び第2保護層の形成時に前記第2電極が大きく酸化されるのを防止するとともに、前記第2保護層中の酸素が前記第2電極側へ拡散することが前記第1保護層によって良好に防止される。また前記第1保護層の融点が前記第2保護層よりも小さく、且つ前記第1保護層が前記第2保護層と前記第2電極との間に介在されるため、前記第1及び第2保護層の形成時に前記有機層が受ける熱の影響が、前記第2保護層を前記第2電極に直接被着する場合に比べて小さくなり、熱による前記有機層の劣化を抑えることができる。なお、前記第1保護層の融点は、有機層が熱に弱いことに鑑み、1700℃以下の材料により形成することが好ましい。また前記第1保護層中の酸素含有量は0かもしくは1ppm以下であることが好ましい。
また本発明の有機EL素子によれば、前記第1保護層の構成材料の融点は前記第2電極の構成材料の融点よりも大きいことから、融点の分布が前記第2電極より前記第2保護層に向かって大きくなる。従って、各層での成膜温度の差に起因した各層内の残留応力の差が小さくなり、各層の剥がれやヒビ割れの発生を抑制できる。さらにこのとき、前記第2電極の構成材料の融点が前記第2電極に接する前記有機層の構成材料の融点よりも大きいと、上記融点の分布が前記有機層より第2保護層に向かって大きくなるため、上述の効果がより発揮される。
更に本発明の有機EL素子によれば、前記第1保護層の屈折率を前記第2保護層の屈折率よりも小さく、且つ前記第2電極の屈折率よりも大きく設定したことから、前記第2保護層を前記第2電極に対して直接被着させる場合に比べて、前期発光層からの光が前記第2電極と前記第1保護層との界面、並びに第1保護層と第2保護層との界面で反射することが抑制され、光の取り出し効率を向上させることができるという効果がある。
かかる効果は、上述の有機EL素子を複数個配列するとともに、前記第1保護層、前記第2保護層及び前記第2電極は透明材料または半透明材料によりそれぞれ形成されているトップエミッション型の有機ELディスプレイにおいて、前記有機EL素子が異なる色の光を発する複数のタイプに分かれている場合に特に有効である。すなわち、前記第1保護層の屈折率を上述のように設定すれば、各色の有機EL素子毎に前記第1保護層及び前記第2保護層の膜厚を設定するのではなく、前記第1保護層及び前記第2保護層の膜厚を各有機EL素子間で略等しく設定しても、各色の有機EL素子において光取り出し効率を高くすることができ、生産性が高い高輝度の有機ELディスプレイを実現できる。
また更に本発明の有機EL素子によれば、第1保護層によって上層電極の側面を被覆することにより、上層電極の側面についても酸化を良好に防止できる。
有機EL素子
以下、本発明に係る有機EL素子の一実施形態について図1を用いて詳細に説明する。同図に示す有機EL素子は、大略的に、基板10上に、下層電極11、有機発光層を含む有機層12、上層電極13、第1保護層14、第2保護層15を順次積層した構造を有している。
(基板)
基板10は、ガラスや透明プラスチック等により形成されており、その上面に形成される下層電極11等を支持する支持母材として機能する。なお、保護層側より発光素子の光を外部に放出するトップエミッション型の有機EL素子であれば、基板10は透明材料により形成されている必要はない。一方、基板側より光を外部に放出するボトムエミッション型の有機EL素子の場合、基板10は光を透過させるため透明または半透明材料により形成する必要がある。
(下層電極)
下層電極11は、本実施形態においては陽極として機能する。この下層電極11は、AlやAu,Ag,Al,Cu,Ni等、OLEDの発光波長領域において反射率が高く、仕事関数が大きい特性をもった金属材料、またはこれらの合金により形成されている。トップエミッション型の有機EL素子であれば、下層電極11は透明材料により形成されている必要はないが、ボトムエミッション型の有機EL素子の場合、下層電極11を透明または半透明材料により形成する必要がある。なお、下層電極11は、真空蒸着やスパッタリング、CVD法等の薄膜形成技術により、基板10上に例えば10nm〜400nmの厚みに形成される。
(有機層)
下層電極11上に形成される有機層12は、少なくとも有機発光層16を含んだ構成を有している。具体的には、有機層12は、下層電極11側より、正孔輸送層12a、有機発光層12b、電子輸送層12cを順次積層した構成を有している。
正孔輸送層12aは、下層電極11から注入された正孔を効率的に有機発光層に輸送するための層であり、NPDやNPB,TPDなどの有機材料により形成されている。
一方、電子輸送層12cは、上層電極13より注入された電子を効率的に有機発光層に輸送するための層であり、Alq3やCBP,SDPVBiなどのホスト材料中に微量のDCJTB,クマリン、スチリルアミン等のドーパント材料を含んだ構成を有している。
そして、有機発光層12bは、下層電極11から注入された正孔と、上層電極13から注入された電子とが再結合する際に発生する光を放出する層であり、Alq3やCBP,SDPVBiなどのホスト材料中に微量のDCJTB,クマリン、スチリルアミン等のドーパント材料を含んだ構成を有している。
有機層12は、従来周知の真空蒸着法やスパッタリング、CVD、インクジェット法によって、下層電極11上に例えば50nm〜200nmの範囲の厚みに形成される。
なお、正孔輸送層12a、電子輸送層12cは必ずしも形成する必要はなく、これらの層のいずれか、もしくは全てを省略することが可能である。また下層電極11と正孔輸送層12aとの間に正孔注入層を、上層電極13と電子輸送層12cとの間に電子注入層をそれぞれ介在させても良い。
(上層電極)
上層電極13は、本実施形態においては陰極として機能する。この上層電極13は、MgやCa、Li等、低仕事関数の金属材料(主にアルカリ金属またはアルカリ土類金属)、またはこれらの合金により形成されている。一般的にアルカリ金属やアルカリ土類金属は活性であることが多く、雰囲気中の酸素等と反応し、酸化しやすい性質を有している。
この上層電極13は、トップエミッション型の有機EL素子であれば、透明または半透明材料により形成されている必要があるが、ボトムエミッション型の有機EL素子の場合、不透明材料であっても良い。なお、上層電極13は、真空蒸着やスパッタリング、CVD法等の薄膜形成技術により、有機層12上に例えば10nm〜50nmの厚みに形成される。
(第1保護層)
第1保護層14は、上層電極13や有機層12等を封止するとともに、第2保護層15を成膜する際に上層電極13の表面が損傷することを防止する機能を有する層である。また第1保護層14は、第2保護層15中に含まれる酸素が上層電極13内に拡散することを防止する機能も有する。
この第1保護層14は、第2保護層15よりも酸素含有量が小さい材料(または酸素を含有しない材料)で、且つ第2保護層15を構成する材料よりも融点(融点は大気圧における融点とする。融点が存在しない材料については昇華点を用いる、以下同じ)が小さい材料により形成されている。具体的には、第2保護層がTiO(融点:1855℃)により形成される場合、第1保護層の材料としては、MgF(融点:1248℃)やLiF(融点:842℃)、AlF3(融点:1290℃)等のフッ素化合物や有機材料が用いられる。
第2保護層15よりも酸素含有量が小さい材料により第1保護層14を形成する理由は、酸素の含有量が多い材料を第1保護層14に用いると、上層電極13が活性な金属材料により形成されているために上層電極13が酸化しやすくなるからである。したがって、第1保護層14の酸素含有量は重量濃度で1ppm以下であることが好ましい。1ppm以上となると、上層電極13の酸化度合いが大きくなり、上層電極13の抵抗率が高くなり、有機EL素子を駆動する際の消費電力が大きくなる。
また第2保護層15を構成する材料よりも融点が小さい材料により第1保護層14を形成する理由は、第1保護層14の融点が大きいと、第1保護層14の成膜時における成膜温度が高くなる傾向にあり、熱に弱い有機層12へのダメージが大きくなることから、第1保護層14を第2保護層15と上層電極13との間に介在させることにより、第2保護層15を直接上層電極13に被着させる場合に比べて有機層12へのダメージを低減するためである。第1保護層14の成膜温度は第2保護層15の成膜温度よりも低くなるため、有機層12へのダメージは低減される。したがって、第1保護層14を構成する材料の融点は第2保護層15よりも小さい必要がある。好ましい第1保護層14の融点は1700℃以下である。
ここで、第1保護層14を構成する材料の融点は上層電極13を構成する材料の融点よりも大きいことが好ましい。この場合、融点が上層電極13、第1保護層14、第2保護層15の順に大きくなるため、各層での成膜温度の差に起因した各層内の残留応力の差が小さくなり、各層の剥がれやヒビ割れの発生を抑制でき、有機EL素子の信頼性が向上する。さらに、上層電極13の構成材料の融点を電子輸送層12cの構成材料の融点よりも大きく設定しておけば、融点の分布が電子輸送層12c、上層電極13、第1保護層14、第2保護層15の順に大きくなるため、有機EL素子の信頼性がより向上する。さらに、融点の温度を正孔輸送層12a<発光層12b<電子輸送層12c<上層電極13<第1保護層14<第2保護層15とすれば、さらに有機EL素子の信頼性が向上する。
この第1保護層14は、トップエミッション型の有機EL素子であれば、透明または半透明材料により形成されている必要があるが、ボトムエミッション型の有機EL素子の場合、不透明材料であっても良い。
またトップエミッション型の有機EL素子であれば、第1保護層14の屈折率は第2保護層15の屈折率よりも小さく、且つ上層電極13の屈折率よりも大きいことが好ましい。この場合、発光層12bからの光が上層電極13と第1保護層14との間の界面、並びに第1保護層14と第2保護層15との界面で反射することが抑制され、光の取り出し効率が向上するという効果がある。このような屈折率を有する第1保護層14の材料としては、上層電極13がMg(屈折率:0.56)により、第2保護層15がTiO(屈折率:2.3)により形成されている場合、LiFやMgF2等(屈折率:1.4(LiF)、1.38(MgF))が例として挙げられる。
屈折率は、例えば従来周知のエリプソメトリー法によって測定される。また屈折率の大小は複素屈折率の実部の大小で判断される。
なお、第1保護層14は、第1保護層14を蒸着により形成する場合、例えば、チャンバー内の真空度を1×10−4Pa〜1×10−6Pa程度に設定し、且つ酸素mol濃度を1ppm以下に設定したN2雰囲気中で、従来周知の真空蒸着法やスパッタリングやCVD等によって、上層電極13上に0.02μm〜1μmの厚みに形成される。このとき、酸素mol濃度が1ppm以下に設定されているので、第1保護層14の成膜中に上層電極13が酸素に過度に晒されることが防止され、上層電極13の酸化を防止できる。また第1保護層14の構成材料の融点を1700℃以下とすれば、第1保護層14の成膜温度を低く抑えることができ、第1保護層14の成膜時に発生する熱によって有機層12が大きく劣化することを防止できる。
(第2保護層)
第2保護層15は、上層電極13や有機層12等を封止する機能を有する層である。また有機EL素子がトップエミッション型である場合、第2保護層15は有機層12で発生した光を効率良く有機EL素子の外部に取り出す機能も有する。このため、第2保護層15は、封止性に優れた材料、例えば、TiO2やLaTiO3、SiO2、SiON等、第1保護層14よりも酸素含有量が多い材料で形成される。
また第2保護層15は、トップエミッション型の有機EL素子であれば、透明または半透明材料により形成されている必要がなるが、ボトムエミッション型の有機EL素子の場合、不透明材料であっても良い。
トップエミッション型の有機EL素子であって、第2保護層15が最外層(空気と接する層)の場合、第2保護層15は屈折率が2.0以上の高屈折率材料(例えばTiO2やLaTiO3など)より形成することが好ましい。この場合、有機EL素子の光の取り出し効率を向上させることができる。
なお、第2保護層15は、例えば酸素雰囲気中で真空蒸着やスパッタリング、CVD法等の薄膜形成技術により、第1保護層14上に、例えば20nm〜1000nmの厚みに形成される。このとき上層電極13は第1保護層14によって被覆されているため、上層電極13が酸化されることが良好に防止される。また第2保護層15の融点は第1保護層14の融点よりも高いため、成膜温度が高温となる傾向にあるが、上層電極13上に第1保護層14が被着されているため、第1保護層14がない場合に比べて第2保護層15の成膜時に発生する熱による有機層12のダメージを低く抑えることができる。その結果、有機EL素子の信頼性を高めることができる。
有機ELディスプレイ
本発明の有機ELディスプレイを図2に基づいて説明する。
有機ELディスプレイ100は、ディスプレイ基板101上に複数の画素をマトリックス状に配列した構成を有しており、各画素には上述した有機EL素子102が配置されている。有機EL素子102は赤色発光用(R)、緑色発光用(G)、青色発光用(B)の3タイプに分かれている。そして上述した第1保護層14及び第2保護層15は各有機EL素子102間で膜厚が略等しくなっている。このため、各有機EL素子102間で第1保護層14及び第2保護層15における光の反射特性が大きく異なることが防止され、表示画像の輝度ムラを抑制できる。
なお、各画素の第1保護層14及び第2保護層15は、上述した薄膜形成技術によって同一工程で一括的に成膜される。このとき各有機EL素子間において第1保護層14及び第2保護層15が連続的に繋がっている場合、ディスプレイの中央領域では第1保護層14や第2保護層15の端面が露出することがないため、ディスプレイの中央領域における封止性をより向上させることができる。
また第1保護層14によって有機EL素子102の側面(少なくとも上層電極13の側面)を封止するようにすれば、上層電極13の側面における酸化やその他の層の劣化を防止でき、有機ELディスプレイ100の消費電力をより小さなものとすることができる。なお、第1保護層14で有機EL素子102の側面を封止させるには、例えば、第1保護層14を蒸着により形成する場合、平面視した場合における蒸着マスクの開口部の大きさを有機EL素子102より大きくすることにより達成される。
ここで、第1保護層14及び第2保護層15を略同一の膜厚で形成する場合には、第1保護層14の屈折率を第2保護層15の屈折率よりも小さくし、且つ上層電極13の屈折率よりも大きくすることが特に有効である。この点について詳述する。
図3はトップエミッション型の有機EL素子におけるGの光の取り出し効率の変化を示している。第1保護層14及び第2保護層15の双方を上層電極13上に積層しない場合(ケース1)の光取出し効率を1としたとき、第1保護層を被着せず、TiO2からなる第2保護層(屈折率:2.3)のみを上層電極13上に被着する場合(ケース2)は上層電極の酸化および有機発光層の熱ダメージにより発光が得られなかった。第2保護層のみの場合と光学距離が略等しくなるように厚みが調整されたMgF2からなる第1保護層(屈折率:1.38)とTiO2からなる第2保護層(屈折率:2.3)を上層電極13に設けた有機EL素子(ケース3)では光取出し効率が1.25であった。また第1保護層を被着せず、SiN系の第2保護層(屈折率:1.8)のみを上層電極13に設けた有機EL素子(ケース4)では光取出し効率が1.12であった。なお、ケース1〜4のいずれにおいても上層電極13の材料はMg(屈折率:0.56)である。この実施例から判るように、第1保護層14の屈折率を第2保護層15の屈折率よりも小さくし、且つ上層電極13の屈折率よりも大きくしたケース3が最も光の取出し効率が高かった。
図4はケース4の有機EL素子によって構成した有機ELディスプレイ(ケース5)におけるRGBの光の取り出し効率の保護層膜厚依存性を示したものである。Gの取り出し効率が最も良いとき、Rは最大1に対して0.9、Bは最大1に対して0.74しか取り出すことができない。
一方、図5はケース3の有機EL素子によって構成した有機ELディスプレイ(ケース6)におけるRGBの光の取り出し効率を示している。第2保護層の光学膜厚が屈折率×膜厚(μm)=60のときの第1保護層膜厚依存性である。Gの取り出し効率が最も良いときの第1保護層の膜厚において、RBともに最大1に対して0.9以上の光を取り出すことが出来る。
従って、ケース6の有機ELディスプレイは、ケース5の有機ELディスプレイよりも、Gの取り出し効率が最も良いときにBやRでの光のロスが少なくRGBすべての発光をより効果的に強めることができることが判る。
なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、改良が可能である。
例えば、上述の実施形態において、第2保護層15上に別途他の保護層を設けるようにしても良い。
図1は本発明に係る有機EL素子の一実施形態を示す断面図である。 図2は図1の有機EL素子を用いて構成した有機ELディスプレイの断面図である。 図3はトップエミッション型の有機EL素子におけるGの光の取り出し効率を示すグラフである。 図4は、第1保護層がない場合の有機ELディスプレイにおけるRGBそれぞれの光の取り出し効率を示すグラフである。 図5は、第1保護層がある場合の有機ELディスプレイにおけるRGBそれぞれの光の取り出し効率を示すグラフである。
符号の説明
10・・・基板
11・・・下層電極
12・・・有機層
12a・・・正孔輸送層
12b・・・発光層
12c・・・電子輸送層
13・・・上層電極
14・・・第1保護層
15・・・第2保護層
100・・・有機ELディスプレイ
101・・・ディスプレイ基板
102・・・有機EL素子

Claims (13)

  1. 第1電極と、第2電極と、発光層を含み、前記第1電極及び前記第2電極間に配置される有機層と、前記第2電極上に被着される第1保護層と、前記第1保護層上に被着される第2保護層と、を備え、
    前記第2保護層は前記第1保護層よりも酸素含有量が大きく、前記第1保護層は前記第2保護層よりも構成材料の融点が小さい材料からなっていることを特徴とする有機EL素子。
  2. 前記第1保護層の構成材料の融点は前記第2電極の構成材料の融点よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
  3. 前記第2電極の構成材料の融点は前記第2電極に接する有機層の構成材料の融点よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子。
  4. 前記第1保護層の構成材料の融点は1700℃以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の有機EL素子。
  5. 前記第1保護層は酸素を含まない、もしくは酸素含有量が重量濃度で1ppm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の有機EL素子。
  6. 前記第2電極はアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の有機EL素子。
  7. 前記第1保護層、前記第2保護層及び前記第2電極は透明材料または半透明材料によりそれぞれ形成されており、前記第1保護層の屈折率を前記第2保護層の屈折率よりも小さく、且つ前記第2電極の屈折率よりも大きく設定したことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の有機EL素子。
  8. 前記第1保護層がフッ素化合物または有機物により形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の有機EL素子。
  9. 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の有機EL素子を複数個配列するとともに、前記第1保護層及び前記第2保護層の膜厚が各有機EL素子間で略等しいことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の有機ELディスプレイ。
  10. 前記有機EL素子は異なる色の光を発する複数のタイプに分かれていることを特徴とする請求項7に係る請求項9に記載の有機ELディスプレイ。
  11. 前記第1保護層は前記上層電極の側面を被覆していることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の有機ELディスプレイ。
  12. 第1電極と、発光層を含み、該第1電極上に配置される有機層と、該有機層上に配置される第2電極とを有する積層体上に、酸素mol濃度が1ppm以下の雰囲気中で第1保護層を形成する工程と、
    該第1保護層上に酸化物からなる第2保護層を形成する工程と、
    を備えたことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
  13. 前記第2電極は活性な金属からなることを特徴とする請求項12に記載の有機EL素子の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009016978A1 (ja) * 2007-07-31 2009-02-05 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2010055919A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器、発光装置の製造方法
WO2011055440A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 キヤノン株式会社 表示装置
JP2012184136A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Seiko Epson Corp チタン酸ランタン粒子の製造方法、チタン酸ランタン粒子及びチタン酸ランタン粒子分散液
WO2013094407A1 (ja) * 2011-12-21 2013-06-27 日東電工株式会社 トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US9590204B2 (en) 2008-08-28 2017-03-07 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
JP2020505727A (ja) * 2017-08-28 2020-02-20 クンシャン ゴー−ビシオノクス オプト−エレクトロニクス カンパニー リミテッドKunshan Go−Visionox Opto−Electronics Co., Ltd. 薄膜封止構造、製造方法及び当該構造の表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022176A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子
JP2004127608A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2004241160A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2004281247A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022176A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子
JP2004127608A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2004241160A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2004281247A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2464423A (en) * 2007-07-31 2010-04-21 Sumitomo Chemical Co Method for manufacturing organic electroluminescence device
WO2009016978A1 (ja) * 2007-07-31 2009-02-05 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
GB2464423B (en) * 2007-07-31 2012-12-19 Sumitomo Chemical Co Method for manufacturing organic electroluminescence device
US8354287B2 (en) 2007-07-31 2013-01-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing organic electroluminescence device
US9590204B2 (en) 2008-08-28 2017-03-07 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
JP2010055919A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器、発光装置の製造方法
US9853252B2 (en) 2008-08-28 2017-12-26 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
WO2011055440A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 キヤノン株式会社 表示装置
US8482195B2 (en) 2009-11-05 2013-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
JP2012184136A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Seiko Epson Corp チタン酸ランタン粒子の製造方法、チタン酸ランタン粒子及びチタン酸ランタン粒子分散液
JP2013149594A (ja) * 2011-12-21 2013-08-01 Nitto Denko Corp トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20150236304A1 (en) * 2011-12-21 2015-08-20 Nitto Denko Corporation Method for manufacturing top emission organic electroluminescence element
WO2013094407A1 (ja) * 2011-12-21 2013-06-27 日東電工株式会社 トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2020505727A (ja) * 2017-08-28 2020-02-20 クンシャン ゴー−ビシオノクス オプト−エレクトロニクス カンパニー リミテッドKunshan Go−Visionox Opto−Electronics Co., Ltd. 薄膜封止構造、製造方法及び当該構造の表示装置
US11251402B2 (en) 2017-08-28 2022-02-15 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Thin-film encapsulation structures, manufacturing methods, and display apparatus therewith

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