JP2007081332A - 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、少なくともn型半導体層1、発光層2、p型半導体層3が積層されて発光素子部5が構成され、前記n型半導体層1、発光層2、p型半導体層3の発光素子部5の周囲に光透過性の絶縁性無機微粒子部6が設けられてなることを特徴とする。【選択図】 図1
Description
サファイア単結晶基板はGaNとは格子定数が10%以上も異なるが、AlNやAlGaNなどのバッファ層を形成することにより、その上に良好な窒化物半導体が形成でき、一般的に広く用いられている。サファイア単結晶基板を用いた場合、n型半導体層、発光層、p型半導体層がこの順で積層される。サファイア基板は絶縁体であるので、その素子構造は一般的に、p型半導体層上に形成された正極と、n型半導体層上に形成された負極が存在することになる。この種の発光素子には、ITOなどの透明電極を正極に使用しp型半導体側から光を取り出すフェイスアップ方式、Agなどの高反射膜を正極に使用してサファイア基板側から光を取り出すフリップチップ方式の2種類が知られている。
更に、導電性基板を接着させるのではなく、メッキにより基板を作成する方法が開示されている。(特許文献2参照)
この方法であると接着面は極めて平滑であることが要求されパーティクルなどの異物があると、その部分が浮いてしまい、接着が良好にできないなど、均一な接着面を形成することが難しい問題がある。
サファイアなどの基板上に積層されるGaN膜は、1〜10μmと厚膜であること、積層時の温度が1000℃付近と高温であることなどから、極めて高い膜応力を有している。例えば、板厚0.4mmのサファイア基板にGaN膜を5μmの厚さに積層した場合、基板に50〜100μm程度のソリが発生してしまう。
前記GaN膜による基板のソリの影響を軽減するためには、基板上に積層されたGaN膜をあらかじめ分割してしまうことが有効である。例えば、基板上にGaN膜を成膜した後、GaN膜上に複数の発光素子を作り込む場合、発光素子毎にGaN膜を複数に分割しておけば、GaN膜が分割された部分で応力緩和が起き基板全体のソリを低減することができる。
一方、GaN膜を分割してからメッキ支持基板を作成する場合、支持基板全体のソリ低減には有効であるが、以下の2つの問題点が発生する。
(1)n型半導体層が露出してしまうので、そのままメッキするとn型半導体層とp型半導体層がメッキ層により短絡してしまう。
(2)メッキ支持基板を形成するための単にメッキ処理を行ったのでは、露出したp型半導体層、発光層、n型半導体層の側面にもメッキ支持基板形成用のメッキが入り込んでしまうために、これらの側面をめっき層が遮蔽することとなり、側面からの光取出しが出来なくなるので、発光素子から得られる光強度が低下する問題がある。
更に本発明者らは、基板上に成膜処理して素子部を作り込み、その後に素子部分割と基板分離を行って得られる発光素子構造の場合、発光素子部間に光透過性の絶縁性無機微粒子部を充填し、しかる後に、必要に応じてメッキ支持基板を作成することにより、サファイア基板などとの基板剥離後もソリが少なく、側面からの光取り出し効率も両立させることが可能になることを見出した。即ち本発明は以下に関する。
(2)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記発光素子部上に金属膜層とメッキ金属板が積層されたものであることを特徴とする。
(3)本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上に少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層が積層されてなる複数の発光素子部が構成され、かつ、前記各発光素子部が前記基板から素子分割して得られるものであって、前記基板上に形成された発光素子部間に絶縁性無機微粒子が充填され、前記発光素子部の前記基板からの分離後に前記発光素子部の周囲に残留された光透過性の絶縁性無機微粒子部を具備してなることを特徴とする。
(4)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記絶縁性無機微粒子がシリカゾル、チタニアゾルの少なくとも一方であることを特徴とする。
(6)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記金属膜層がオーミックコンタクト層を含むことを特徴とする。
(7)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記オーミックコンタクト層がPt、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、またはAgの単体金属およびそれらの合金で構成されることを特徴とする。
(8)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記金属膜層が反射層を含むことを特徴とする。
(9)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記反射層がAg合金またAl合金で構成されることを特徴とする。
(10)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記金属膜層が密着層を含むことを特徴とする。
(12)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記メッキ金属板の膜厚が10μm〜200μmであることを特徴とする。
(13)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記メッキ金属板がNiP合金、Cu、またはCu合金により形成されたことを特徴とする。
(14)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記金属膜とメッキ金属板の間にメッキ金属板に接してメッキ密着層が形成されたこと特徴とする。
(15)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記メッキ密着層が前記メッキ金属板の50wt%以上を占める主成分と同一の組成を50wt%以上有することを特徴とする。
(16)本発明の窒化物半導体発光素子は、前記n型半導体層に接続する負電極が形成され、前記メッキ基板に接続する正電極が形成されたことを特徴とする。
(18)本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、前記基板をレーザにより除去することを特徴とする。
(19)本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、前記メッキ金属板を形成後、100℃〜300℃で熱処理をすることを特徴とする。
(20)本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、前記n型半導体層表面を露出させた後、前記n型半導体層に接続する負電極を形成するとともに、前記メッキ基板に接続する正電極を形成することを特徴とする。
本発明によれば、基板上に形成した発光素子部間に光透過性の絶縁性無機微粒子を充填し、しかる後に、メッキ支持基板を作成することにより、サファイア基板などの基板から剥離した後もソリが少なく、側面からの光取り出し効率も両立させることが可能になる。これにより、信頼性が高く、出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供することが可能になる。
本発明において絶縁性無機微粒子あるいは絶縁性無機微粒子部としての光透過性とは、350nm〜550nmの波長範囲で光の透過性を有することを意味する。窒化物半導体発光素子として光取り出し性を良好にするためには、絶縁性無機微粒子あるいは絶縁性無機微粒子部として光透過性を80%以上とすることが好ましい。
図1は、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子の一例の断面模式図を示すもので、この例の窒化物半導体発光素子Aは、n型半導体層1、発光層2、p型半導体層3からなる発光素子部5を備え、該発光素子部5の側面全部を光透過性の絶縁性無機微粒子部6にて覆い、前記p型半導体層3上にオーミックコンタクト層7と反射層8からなる金属膜層4とを形成し、更にこれらの上面とその周囲に位置するp型半導体層3の上面、並びに、絶縁性無機微粒子部6の上面を順次覆うように密着層9とメッキ密着層10とメッキ基板11とを積層することで構成されている。
なお、前記発光素子部5の平面形状は4角型、丸形あるいはその他の形状で差し支えないが、無機微粒子部6はその側面全部を覆っていることが好ましい。しかし、本願発明において無機微粒子部6が発光素子部5の側面全部を完全に覆っていることを要するものではない。
また、図1に示す窒化物半導体発光素子Aにおいては、n型半導体層1の下面側に負極12が形成され、メッキ基板11の上面側に正極13が形成された上下電極構造とされている。
ここで用いる基板21にはサファイア単結晶(Al2O3;A面、C面、M面、R面)、スピネル単結晶(AgAl2O4)、ZnO単結晶、LiAlO2単結晶、LiGaO2単結晶、MgO単結晶などの酸化物単結晶、Si単結晶、SiC単結晶、GaAs単結晶などの公知の基板材料を何ら制限無く用いることができる。
また、SiCなどの導電性基板を用いれば、正極と負極を上下に配置させた窒化物半導体発光素子Aの作成は基板剥離をしなくとも可能であるが、その場合、絶縁体であるバッファ層を使用することができなくなるので、その上に成長する窒化物系半導体層(n型半導体層1、発光層2、p型半導体層3)の結晶が劣化してしまい良好な発光素子を形成することができない。本発明においては、導電性のSiC、Siを用いた場合でも基板剥離を実施することが好ましい。
前記バッファ層22は、例えばサファイア単結晶の基板21とGaNの格子定数が10%以上も異なるために、その中間の格子定数を有するAlNやAlGaNなどがGaNの結晶性を向上させるために一般的に使用されており、本発明においてもAlNやAlGaNを何ら制限なく適用できる。
本実施の形態において窒化物系半導体(発光素子部5)は、先に説明したn型半導体層1、発光層2、p型半導体層3からなるヘテロ接合構造で構成される。窒化物系半導体層としては一般式AlxInyGa1−x−yN(0≦x<1、0≦y<1、x+y<1)で表される半導体が多数知られており、本発明においても一般式AlxInyGa1−x−yN(0≦x<1、0≦y<1、x+y<1)で表される窒化物系半導体が何ら制限なく用いられる。
MOCVD法では、キャリアガスとして水素(H2)または窒素(N2)、III族原料であるGa源としてトリメチルガリウム(TMG)またはトリエチルガリウム(TEG)、Al源としてトリメチルアルミニウム(TMA)またはトリエチルアルミニウム(TEA)、In源としてトリメチルインジウム(TMI)またはトリエチルインジウム(TEI)、V族原料であるN源としてはアンモニア(NH3)、ヒドラジン(N2H4)などが用いられる。また、ドーパントとしては、n型にはSi原料としてモノシラン(SiH4)またはジシラン(Si2H6)を、Ge原料としてゲルマン(GeH4)を用い、p型にはMg原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム((EtCp)2Mg)を用いる。
窒化物系半導体(発光素子部5)をサファイアの基板21上で分割する方法としては、エッチング法、レーザカッティング法など公知の技術を何ら制限なく用いることが出来る。レーザリフトオフ法を用いる場合、窒化物系半導体が分割されるが、サファイア基板にはダメージが与えられないようにすることが良好な基板剥離をするためには好ましい。従って、エッチング法で分割する場合、窒化物系半導体に対してはエッチングレートが早く、サファイア基板に対してはエッチングレートが遅い手法を用いることが好ましい。レーザで分割する場合はGaNとサファイアに対する吸収波長の違いから、300−400nmの波長を持ったレーザを用いることが好ましい。
絶縁性無機微粒子28としては、シリカゾルやチタニアゾルなどの透光性を有している絶縁体無機微粒子であれば公知の材料を何ら制限なく用いることが出来る。
絶縁性無機微粒子28の粒径としては、5nm〜30μmが好ましい。絶縁性無機微粒子部28の粒径が5nm未満であると、絶縁性無機微粒子28の凝集が進んでしまい安定した微粒子を得ることが出来ない。絶縁性無機微粒子28の粒径が30μmを超えると素子側面の溝幅を超えてしまうので充填することができない。溝への適切な充填を考えると10nm〜2μmの範囲がさらに好ましい。
絶縁性無機微粒子28を分離溝26に充填させる方法としては、水溶液中に絶縁性無機微粒子を分散させて、その水溶液を、スピンコート法、スプレー法、ディップコート法など、公知の方法で塗布することが好ましい。さらに、生産性の観点からスピンコート法を用いることが好ましい。
前記オーミックコンタクト層7に要求される性能としては、p型半導体層3との接触抵抗が小さいことが必須である。オーミックコンタクト層7の材料はp型半導体層3との接触抵抗の観点から、Pt、Ru、Os、Rh、Ir、Pd等の白金族またはAgが好ましい。さらに好ましくはPt,Ir,RhおよびRuである。Ptが特に好ましい。Agを用いることは良好な反射を得るためには好ましいが、接触抵抗はPtよりも低い。したがって、接触抵抗がそれほど要求されない用途にはAgを用いることも可能である。
オーミックコンタクト層7の厚さは、低接触抵抗を安定して得るために0.1nm以上とすることが好ましい。さらに好ましくは1nm以上であり、この厚さ範囲を満たすことで均一な接触抵抗が得られる。
オーミックコンタクト層7および反射層8の成膜方法については、特に制限されることはなく公知のスパッタ法や蒸着法を用いることができる。
ここで形成する密着層9にはGaNと密着性の良い金属を用いることができる。密着層9の材料としては、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wの単体金属及び/またはそれらを組み合わせた合金を用いることができる。
更に、メッキ基板31との密着性を向上させるためにメッキ密着層10を形成しても良い。メッキ密着層10の材料は、使用するメッキによって異なってくるが、メッキ成分に主に含まれる物質を含んでいたほうが密着性を向上させる。例えば、NiPメッキを用いる場合、メッキ密着層10にはNi系合金を用いることが好ましい。さらに好ましくはNiPを用いることである。
Cuメッキを用いる場合は、メッキ密着層10にはCu系合金を用いることが好ましい。さらに好ましくは、Cuを用いることである。
密着層9、メッキ密着層10の厚さは良好な密着性を得るために0.1nm以上とすることが好ましい。さらに好ましくは1nm以上であり、均一な密着性が得られる。厚さの上限は特に限定されないが、生産性の観点から2μm以下にすることが好ましい。
メッキ処理を実施する前には、汎用の中性洗剤等を用いて脱脂洗浄することが好ましい。また、硝酸などの酸を用いてメッキ密着層などの表面を化学エッチングを施すことによりメッキ密着層上の自然酸化膜を除去するのが好ましい。
メッキ処理には無電解メッキ、電解メッキどちらを用いることができる。無電解メッキの場合、材料としてはNiP合金メッキを用いることが好ましい。電解メッキの場合は、材料としてCuまたはCu合金を用いることが好ましい。
メッキ基板31の厚さは、基板としての強度を保つために10μm以上とすることが好ましい。厚くなるとメッキの剥離が起こりやすくなり、かつ生産性も低くなるので200μm以下であることが好ましい。
CuまたはCu合金のメッキ処理方法としては、メッキ浴として、例えば硫酸銅などのCu源を用いる電解メッキ処理法を採用することができる。
電気メッキ処理を行う際のメッキ浴のpHは2以下の強酸条件下で実施することが好ましい。温度は10〜50℃とすることが好ましく、さらには常温(25℃)で実施することがさらに好ましい。電流密度は0.5〜10A/dm2で実施することが好ましい。さらに好ましく電流密度は2〜4A/dm2で実施することである。生成するメッキ基板の表面を平滑化させるためにレベリング剤を添加することがより好ましい。レベリング剤に用いられる市販品としては、例えば上村工業製のETN−1−AやETN−1−Bなどを適宜用いることができる。
メッキ基板31の形成後に基板21の剥離を実施する場合、基板剥離の方法としては、研磨法、エッチング法、レーザリフトオフ法など公知の技術を何ら制限なく用いることが出来る。
正極はAu,Al,NiおよびCu等の材料を用いた各種構造が公知であり、これら公知の材料を何ら制限なく用いることが出来る。
メッキ基板31の分離についても先の素子分離あるいは基板21の剥離の場合と同様の手法を適用することができる。ここでメッキ基板31を分割して窒化物系半導体発光素子Aをメッキ基板31から素子単位で分離する際、絶縁性無機微粒子28を充填した部分は他の積層膜の部分に比べて切削やエッチング、レーザ切断による分離が容易であるので、メッキ基板31の分割も容易となる。
(実施例1)
図1は本実施例で作成した窒化物系半導体の断面を示した模式図である。この図に示す断面構造の窒化物半導体発光素子を以下の実施例にて製造した。
サファイアからなる基板上に、AlNからなるバッファ層(厚さ10nm)を介して、厚さ5μmのSiドープn型GaNコンタクト層と、厚さ30nmのn型In0.1Ga0.9Nクラッド層と、厚さ30nmのSiドープGaN障壁層および厚さ2.5nmのIn0.2Ga0.8Nの井戸層を5回積層し、最後に障壁層を設けた多重井戸構造の発光層と、厚さ50nmのMgドープp型Al0.07Ga0.93Nのクラッド層、厚さ150nmのMgドープp型GaNコンタクト層を順に積層して窒化物半導体の積層膜を形成した。
次に、分割した素子間の溝をシリカゾルを用いて溝埋めを実施した。シリカゾルには日産化学社製のシリカゾルMP−2040(SiO2 40%、平均粒子径200nm、水溶液)を用いて。塗布後300℃で30分間ベークした。
窒化物系半導体のp型コンタクト層上に厚さ1.5nmのPt層をオーミックコンタクト層として図2に示すようにスパッタ法により成膜した。その上に反射層としてAgを厚さ20nmになるようにスパッタ法により成膜した。シリカゾル、Pt、Agのパターンは、公知のフォトリソグラフィー技術およびリフトオフ技術を用いた。
次いでこのNiP合金膜表面を硝酸水溶液(5N)に浸漬し、温度25℃、時間30秒処理し酸化皮膜を除去した。
次いで、メッキ浴(上村工業製、ニムデンHDX−7G)を用いて、NiP合金膜上に厚さ50μmのNiP合金からなる無電解メッキを形成し、メッキ金属基板を得た。この際の、処理条件はpH4.6、温度90℃、時間3時間とした。
次いで、このメッキ金属基板を水洗、乾燥した後、クリーンオーブンを用いて250℃の条件下で1時間処理した。
次いで、サファイア基板およびバッファー層をレーザリフトオフ法により剥離しn型半導体層を露出させた。
p型半導体表面上にはAu(1000nm)からなる正極を蒸着法により成膜した。
得られた窒化物半導体発光素子については、TO−18缶パッケージに実装してテスターによって印加電流20mAにおける、発光出力を測定した。
その結果、発光出力は18mWであった。
メッキ密着層としてNiP合金膜の代わりにCuをスパッタ法より30nm成膜し、かつ、メッキとしてはNiP合金膜の代わりにCuを電解メッキで50μm成膜した以外は実施例1と同様の処理を施した。
Cuのメッキ条件としては、CuSO4:80g/L、硫酸:200g/L、レベリング剤(上村工業製ETN−1−A:1.0mL/L,ETN−1−B:1−mL/L)を使用し、電流密度2.5A/dm2で常温にてメッキを実施した。メッキ時間は3時間とし50μmのCu膜を成膜した。また陽極には含リン酸銅を使用した。
得られた素子については、TO−18缶パッケージに実装してテスターによって印加電流20mAにおける、発光出力を測定した。発光出力は18mWであった。
前述の実施例1の製造工程において、溝埋めのためにシリカゾルを用いず、n型半導体層、発光層、p型半導体層側面をSiO2膜を用いて厚さ100nmになるように成膜し保護した。SiO2の成膜方法にはCVDを用いた。それ以外は実施例1と同様に処理を実施した。
得られた窒化物半導体発光素子については、TO−18缶パッケージに実装してテスターによって印加電流20mAにおける、発光出力を測定した。
その結果、発光出力は12mWであった。
比較例1の窒化物半導体発光素子は、n型半導体層、発光層、p型半導体層側面にメッキが入り込んでしまっているために側面側からの光取り出しが出来ない。このため出力が12mWと低くなっている。
一方、実施例1の窒化物半導体発光素子は、n型半導体層、発光層、p型半導体層側面に透光性のシリカゾル絶縁体を用いているために側面からの光取り出しが可能なり、発光出力が18mWとなり、高い出力が得られた。
また、メッキ金属基板にCuを用いた実施例2についても同様に18mWと高い出力が得られた。
1 n型半導体層
2 発光層
3 p型半導体層
4 金属膜層
5 発光素子部
6 絶縁性無機微粒子部
7 オーミックコンタクト層
8 反射層
9 密着層
10 メッキ密着層
11 メッキ基板
12 負極
13 正極
Claims (20)
- 少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層が積層されて発光素子部が構成され、前記n型半導体層、発光層、p型半導体層を備えた発光素子部の周囲に光透過性の絶縁性無機微粒子部が設けられてなることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
- 前記発光素子部上に金属膜層とメッキ金属板が積層されてなるものであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 基板上に少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層が積層されてなる複数の発光素子部が構成され、かつ、前記各発光素子部が前記基板から素子分割して得られるものであって、前記基板上に形成された発光素子部間に絶縁性無機微粒子が充填され、前記発光素子部の前記基板からの分離後に前記発光素子部の周囲に残留された光透過性の絶縁性無機微粒子部を具備してなることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
- 前記絶縁性無機微粒子がシリカゾル、チタニアゾルの少なくとも一方であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記絶縁性無機微粒子の粒子径が5nm〜30μmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記金属膜層がオーミックコンタクト層を含むことを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記オーミックコンタクト層がPt、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、またはAgの単体金属およびそれらの合金で構成されることを特徴とする請求項6に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記金属膜層が反射層を含むことを特徴とする請求項2〜7のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記反射層がAg合金またAl合金で構成されることを特徴とする請求項8に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記金属膜層が密着層を含むことを特徴とする請求項2〜9のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記密着層がTi,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wの単体金属および/またはそれらの合金で構成されることを特徴とする請求項10に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記メッキ金属板の膜厚が10μm〜200μmであることを特徴とする請求項2〜11のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記メッキ金属板がNiP合金、Cu、またはCu合金により形成されたことを特徴とする請求項2〜12のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記金属膜層とメッキ金属板の間にメッキ金属板に接してメッキ密着層が形成されたこと特徴とする請求項2〜13のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記メッキ密着層が前記メッキ金属板の50wt%以上を占める主成分と同一の組成を50wt%以上有することを特徴とする請求項14に記載の窒化物系半導体発光素子。
- 前記n型半導体層に接続する負電極が形成され、前記メッキ基板に接続する正電極が形成されたことを特徴とする請求項1〜15のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
- 少なくともn型半導体層、発光層、p型半導体層が積層されて発光素子部が構成され、前記n型半導体層、発光層、p型半導体層の発光素子部の周囲に光透過性の絶縁性無機微粒子部が設けられてなる窒化物系半導体発光素子を製造するに際し、
基板上に少なくともバッファ層、n型半導体層、発光層、p型半導体層を積層し、これらの積層体を基板上で素子分割して発光素子部を形成し、これらの素子分割後にこれらの発光素子部間に光透過性の絶縁性無機微粒子を充填し、その後に前記の如く分割した発光素子部上と前記の如く充填した絶縁性無機微粒子上に金属薄膜、メッキ金属板を積層するとともに、
この後に前記基板とバッファ層を除去して前記n型半導体層表面を露出させ、前記発光素子部単位で前記金属薄膜と前記メッキ板を分割することを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 前記基板をレーザにより除去することを特徴とする請求項17に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記メッキ金属板を形成後、100℃〜300℃で熱処理することを特徴とする請求項17〜18のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記n型半導体層表面を露出させた後、前記n型半導体層に接続する負電極を形成するとともに、前記メッキ基板に接続する正電極を形成することを特徴とする請求項17〜19のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
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