JP2007073649A - レジスト剥離洗浄装置、レジスト剥離洗浄方法および基板製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 リンス後の基板に純水の飛沫が付着して乾きムラが発生するのを防止可能なレジスト剥離洗浄装置等を提供する。
【解決手段】 リンス槽４０はリンス液散布装置４２，４４と液切りエアーナイフ４３とを含んでいる。散布装置４２によって基板１００に対してリンス液４９が散布され、当該リンス液４９はエアーナイフ４３によって液切りされる。この液切り後、リンス液散布装置４４からミスト状のリンス液４９が基板１００に対して散布される。基板１００は、散布装置４４によって散布されたリンス液４９を有した状態で、純水置換槽５０へ搬送される。純水置換槽５０は純水散布装置５２と逆流防止エアーナイフ５１と飛沫防止カバー５５とを含んでいる。飛沫防止カバー５５は純水置換槽５０の搬入口３から純水散布装置５２の直前までの間に渡って設けられている。逆流防止エアーナイフ５１は飛沫防止カバー５５の開口に設けられている。
【選択図】 図６

Description

本発明は、レジスト剥離洗浄装置、レジスト剥離洗浄方法および基板製造方法に関し、より具体的には基板等の処理対象物に乾きムラが生じるのを低減可能な技術に関する。

図７に従来の一般的なレジスト剥離洗浄装置の概略構成図を示す。なお、図７の装置はいわゆる枚葉式のものである。液晶パネル用の基板１００Ｚについて、レジストの剥離処理後、リンス槽４０Ｚにおいて剥離液がリンス液で置換され、純水置換槽５０Ｚにおいてリンス液が純水で置換される。その後、基板１００Ｚには洗浄およびエアーナイフによる乾燥が施される。

このとき、図７に示すように、基板１００Ｚは搬送ローラー２Ｚによってリンス槽４０Ｚへ搬送される。リンス槽４０Ｚでは、基板１００Ｚに対して散布装置４２Ｚからリンス液が散布され、その後、リンス液がエアーナイフ４３Ｚによって液切りされる。そして、基板１００Ｚは搬送ローラー２Ｚによって純水置換槽５０Ｚへ搬送される。純水置換槽５０Ｚでは、逆流防止エアーナイフ５１Ｚを通過した後、基板１００Ｚに対して散布装置５２Ｚから純水が散布される。なお、逆流防止エアーナイフ５１Ｚは、純水が基板１００Ｚを伝ってリンス槽４０Ｚへ流入（逆流）するのを防止するためものである。

特開平７−７７６７７号公報（［００１２］〜［００１８］、第１図等） 特開２００２−３５０８０５号公報（［００１８］〜［００３２］、第１図等）

図７の従来の構成によれば、純水置換槽５０Ｚの散布装置５２Ｚによって発生した純水の飛沫が、当該純水置換槽５０Ｚへ搬入され当該散布装置５２Ｚへ到達するまでの間に基板１００Ｚに付着すると、その付着した部分の基板表層が変質してしまう。このような変質は、基板１００Ｚの種類等によって見え方に強弱はあるものの、乾燥後の乾きムラを発生させる原因になる。そして、この乾きムラは液晶パネルまたは液晶表示装置における表示ムラとなって表示品位を低下させる。

本発明は、かかる点にかんがみてなされたものであり、レジストの剥離および洗浄において純水飛沫の付着を防止して当該純水飛沫に起因した乾きムラを防止可能なレジスト剥離洗浄装置、レジスト剥離洗浄方法および基板製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明は、処理対象物に対してレジストの剥離および洗浄を行うレジスト剥離洗浄装置において、前記処理対象物をリンス液によって処理するリンス槽と、前記リンス槽に続いて設けられており、前記処理対象物を純水によって処理する、純水処理槽と、前記処理対象物を前記リンス槽から前記純水処理槽へ搬送する搬送装置とを備え、前記リンス槽は、前記処理対象物に対して前記リンス液を散布するように設けられた第１リンス液散布装置と、前記第１リンス液散布装置によって散布され前記処理対象物に付いた前記リンス液を液切りするように設けられた液切り装置と、前記液切り装置によって液切りされた前記処理対象物に対して前記リンス液を散布するように設けられた第２リンス液散布装置とを含み、前記搬送装置は、前記処理対象物を、前記第２リンス液散布装置によって散布された前記リンス液を有した状態で、前記純水処理槽へ搬送することを特徴とする。このような構成によれば、第２リンス液散布装置によって散布されたリンス液を有した状態の処理対象物が純水処理槽へ搬送されるので、すなわち表層がリンス液でコーティングされた状態の処理対象物が純水処理槽へ搬送されるので、純水による処理の前に純水の飛沫が付着しても処理対象物の表層の変質を防ぐことができる。したがって、当該変質に起因した乾きムラを防止することができる。

そして、前記第２リンス液散布装置は、前記リンス液をミスト状に散布する装置であることが好ましい。このような構成によれば、第２リンス液散布装置によってリンス液をミスト状に散布することができるので、例えばシャワー状（ミスト状よりも液粒が大きい状態）に散布するよりも、純水処理槽へ持ち出すリンス液の量を減らすことができる。このため、リンス液の使用量を抑えることができる。さらに、リンス液の持ち込み量が減るので、純水処理槽での純水の使用量も抑えることができる。

また、前記純水処理槽は、前記処理対象物に対して前記純水を散布するように設けられた純水散布装置と、前記純水散布装置と前記純水処理槽の搬入口との間を仕切るように設けられた飛沫防止カバーとを含むことが好ましい。このような構成によれば、飛沫防止カバーによって、純水による処理の前に処理対象物に純水の飛沫が付着するのを防止することができる。したがって、純水飛沫の付着による処理対象物の表層の変質を防ぐことができ、これにより当該変質に起因した乾きムラを防止することができる。このとき、当該飛沫防止カバーと上述のリンス液によるコーティングとによって上記効果がより確実に得られる。

さらに、上記目的を達成するために本発明は、処理対象物に対してレジストの剥離および洗浄を行うレジスト剥離洗浄装置において、前記処理対象物をリンス液によって処理するリンス槽と、前記リンス槽に続いて設けられており、前記処理対象物を純水によって処理する、純水処理槽と、前記処理対象物を前記リンス槽から前記純水処理槽へ搬送する搬送装置とを備え、前記リンス槽は、前記処理対象物に対して前記リンス液を散布するように設けられたリンス液散布装置と、前記液切り装置とを含み、前記搬送装置は、前記処理対象物を、前記液切り装置によって液切りされた状態で、前記純水処理槽へ搬送し、前記純水処理槽は、前記純水散布装置と、前記飛沫防止カバーとを含むことを特徴とする。このような構成によれば、上述と同様に、飛沫防止カバーによって、純水による処理の前に処理対象物に純水の飛沫が付着するのを防止することができ、これにより当該変質に起因した乾きムラを防止することができる。

そして、前記飛沫防止カバーは、前記搬入口から前記純水散布装置の直前までの間に渡って設けられていることが好ましい。このような構成によれば、純水処理槽への搬入から純水散布の直前まで純水飛沫の付着を防止することができるので、上述の純水飛沫の付着防止効果をより確実化することができる。

また、前記純水処理槽は、前記飛沫防止カバーにおける前記純水散布装置の側の端部に、前記処理対象物に対して気体を吹き付けるように、設けられた気体噴射装置をさらに含むことが好ましい。このような構成によれば、気体噴射装置から噴射される気体によって、飛沫防止カバーの上記端部を越えて純水飛沫が進入するのを防止することができる。したがって、上述の純水飛沫の付着防止効果をより確実化することができる。

さらに、上記目的を達成するために本発明は、処理対象物に対してレジストの剥離および洗浄を行うレジスト剥離洗浄方法において、前記処理対象物をリンス液によって処理するリンス工程と、前記処理対象物を純水によって処理する純水処理工程とを備え、前記リンス工程は、前記処理対象物に対して前記リンス液を散布する第１リンス液散布工程と、前記第１リンス液散布工程によって前記処理対象物に付いた前記リンス液を液切りする液切り工程と、前記液切り工程後に前記処理対象物に対して前記リンス液を散布する第２リンス液散布工程とを含み、前記処理対象物が前記第２リンス液散布工程において散布された前記リンス液を有した状態で、前記リンス工程から前記純水処理工程へ移行することを特徴とする。このような構成によれば、処理対象物が第２リンス液散布工程において散布されたリンス液を有した状態でリンス工程から純水処理工程へ移行するので、すなわち処理対象物の表層がリンス液でコーティングされた状態でリンス工程から純水処理工程へ移行するので、純水処理工程の開始前に純水の飛沫が付着しても処理対象物の表層の変質を防ぐことができる。したがって、当該変質に起因した乾きムラを防止することができる。

そして、前記第２リンス液散布工程は、前記リンス液をミスト状に散布する工程であることが好ましい。このような構成によれば、リンス液をミスト状に散布するので、例えばシャワー状（ミスト状よりも液粒が大きい状態）に散布するよりも、純水処理工程へ持ち出すリンス液の量を減らすことができる。このため、リンス液の使用量を抑えることができる。さらに、リンス液の持ち込み量が減るので、純水処理工程での純水の使用量も抑えることができる。

さらに、上記目的を達成するために本発明は、基板に対してレジストの剥離および洗浄を行うレジスト剥離洗浄工程を備えた基板製造方法において、前記基板をリンス液によって処理するリンス工程と、前記基板を純水によって処理する純水処理工程とを備え、前記リンス工程は、前記基板に対して前記リンス液を散布する第１リンス液散布工程と、前記第１リンス液散布工程によって前記基板に付いた前記リンス液を液切りする液切り工程と、前記液切り工程後に前記基板に対して前記リンス液を散布する第２リンス液散布工程とを含み、前記基板が前記第２リンス液散布工程において散布された前記リンス液を有した状態で、前記リンス工程から前記純水処理工程へ移行することを特徴とする。このような構成によれば、乾きムラが低減・除去された基板を製造することができる。なお、当該基板が例えば液晶パネル用基板の場合、上記乾きムラに起因した表示品位の低下が低減・除去された液晶パネルおよび液晶表示装置を製造することができる。

そして、前記第２リンス液散布工程は、前記リンス液をミスト状に散布する工程であることが好ましい。このような構成によれば、リンス液および純水の使用量を抑えることができるので、製造コストを抑えて基板を製造することができる。

なお、特許文献１，２に開示される技術は、いずれも液晶パネル用基板のラビング処理後の洗浄に限定された技術であり（特許文献１の［０００４］および特許文献２の［０００７］参照）、レジストの剥離および洗浄に関するものではない。さらに、特許文献１には高圧スプレー管の手前側にエアーナイフが設けられた前処理室が開示されているが（［００１３］参照）、上記高圧スプレー管は純水を噴射するものでありリンス液を噴射するものではないし（［００１３］参照）、上記エアーナイフは基板上の異物を吹き飛ばすためのものであり液切りをするものではない（［００１６］参照）。また、特許文献２には超音波洗浄部の前に噴霧ノズルを有するミスト部が開示されているが（［００１８］，［００１９］参照）、上記噴霧ノズルは搬入された透明基板に対して純水を霧状に噴霧するものであり液切り後の処理対象物に対して再度リンス液を散布するものではなく、このため上記噴霧ノズルの前段階にはリンス液散布装置および液切り装置が設けられていない。さらに、特許文献１，２には上記飛沫防止カバーに相当する要素は開示されていない。

このように、本発明によれば、レジストの剥離および洗浄において純水飛沫の付着を防止して当該純水飛沫に起因した乾きムラを防止可能なレジスト剥離洗浄装置、レジスト剥離洗浄方法および基板製造方法を提供することができる。

図１に本発明の実施形態に係るレジスト剥離洗浄装置１の概略構成図を示す。レジスト剥離洗浄装置１は、処理対象物１００上に形成されたレジスト（図示せず）を剥離して洗浄する装置であり、いわゆる枚葉式の装置である。なお、ここでは処理対象物１００として、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ゲーム機、産業機器のディスプレー等の表示部に使用される液晶パネルのＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板を例示するが（このため「基板１００」と呼ぶことにする）、処理対象物１００は、液晶パネルにおいてＴＦＴ基板に対向配置される対向基板であってもよいし、液晶パネル以外のその他の基板であってもよいし、半導体ウェハ等であってもよいし、さらには基板のような板状部材でなくてもよい。

図１に示すように、レジスト剥離洗浄装置１は第１レジスト剥離槽１０、第２レジスト剥離槽２０、第１リンス槽３０、第２リンス槽４０、純水置換槽（純水処理槽）５０、洗浄槽６０および乾燥槽７０を含んでおり、これらの槽１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０はこの順序で所定経路Ａ中に並んでいる。なお、各槽１０，２０，３０，４０，５０，６０の基板搬出口は同時に次の各槽２０，３０，４０，５０，６０，７０の基板搬入口になっている。

レジスト剥離洗浄装置１は基板１００を上記所定経路Ａに沿って搬送する搬送装置２を含んでおり、この搬送装置２によって基板１００は上記槽１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０をこの順序に通過していく。なお、図中では搬送装置２の搬送ローラーをもって当該搬送装置２を簡略的に図示している。ここでは基板１００をＴＦＴ形成面を上向きにして水平搬送する場合を例示するが、基板１００を傾けた状態や立てた状態で搬送するように搬送装置２を構成してもよい。なお、以下の説明では所定経路Ａを「基板搬送経路Ａ」または単に「搬送経路Ａ」と呼ぶ。

このような構成のもと、レジスト剥離槽１０，２０では基板１００にレジスト剥離液を散布することによって基板１００上のレジストを剥離する処理が行われ（レジスト剥離工程）、リンス槽３０，４０では基板１００にリンス液を散布することによって基板１００に付いた剥離液をリンス液に置換する処理が行われ（リンス工程）、純水置換槽５０では基板１００に純水を散布することによって基板１００に付いたリンス液を純水に置換する処理が行われ（純水処理工程または純水置換工程）、洗浄槽６０では基板１００に洗浄液を散布することによって基板を洗浄する処理が行われ（洗浄工程）、乾燥槽７０では基板１００に付いた洗浄液をエアーナイフで吹き飛ばすことによって基板１００を乾燥させる処理が行われる（乾燥工程）。

図２にリンス槽４０および純水置換槽５０の第１例の概略構成を示す。図２に示すように、リンス槽４０は、第１リンス液散布装置４２と、液切りエアーナイフ（液切り装置）４３と、第２リンス液散布装置４４と、タンク４８とを含んでいる。このとき、第１リンス液散布装置４２、液切りエアーナイフ４３および第２リンス液散布装置４４は基板搬送経路Ａの上流側からこの順序で並んでいる。

第１リンス液散布装置４２は、タンク４８から供給されたリンス液４９をシャワー状（液粒の大きさは例えば２０〜８００μｍ）に散布する装置であり、基板搬送経路Ａを通過中の基板１００の全体にリンス液４９を散布するように設けられている。図示の例ではリンス液散布装置４２は基板搬送経路Ａの上下に設けられている。

液切りエアーナイフ４３は、高圧空気（エアー）を噴射する装置であり、搬送経路Ａを通過中の基板１００に対して高圧空気を吹き付けるように設けられており、図示の例では基板搬送経路Ａの上下に設けられている。このとき、例えば、上記高圧空気は搬送経路Ａに交差する平面状にすなわちカーテン状に噴出される。このような液切りエアーナイフ４３によって、リンス液散布装置４２によって散布され基板１００に付いたリンス液４９は吹き飛ばされ、エアーナイフ４３による液切り後の基板１００はほぼ乾燥状態にある。なお、空気（エアー）の代わりに窒素等の気体を吹き付けるようにしてもよい。

第２リンス液散布装置４４は、タンク４８から供給されたリンス液４９をミスト状（液粒の大きさは例えば１０μｍ以下（７μｍ程度））に散布する装置であり、液切りエアーナイフ４３の直後に設けられており、搬送経路Ａを通過中に、液切りエアーナイフ４３によって液切りされた基板１００の全体にリンス液４９をミスト状に散布するように設けられている。なお、図示の例ではリンス液散布装置４４は、基板搬送経路Ａの上側に、すなわち基板１００のＴＦＴ形成面（レジストが形成されている）にミスト状のリンス液４９が散布されるように、設けられている。第２リンス液散布装置４４は、例えば、図３の概略斜視図に示すように、ミスト状のリンス液４９を円すい状に噴出するノズル４４ａを多数、基板搬送経路Ａに交差する方向に一列に並べて構成することができる。なお、平面扇状に噴出するノズルを用いてもよい。

図２に戻り、タンク４８は、リンス液４９を蓄えるタンクであり、リンス液散布装置４２，４４にリンス液４９を供給するとともに、リンス槽４０内で使用されたリンス液４９を再使用のために回収して蓄えている。なお、図中にはリンス液４９の循環系を一点破線で例示している。

なお、リンス槽４０には処理後の基板１００を搬出するための基板搬出口３が設けられているが、この基板搬出口３は、次の純水置換槽５０の基板搬入口３になっている。そして、この搬入搬出口３には純水置換槽５０側にシャッター４が設けられている。

純水置換槽５０は、逆流防止エアーナイフ（気体噴射装置）５１と、純水散布装置５２と、タンク５８とを含んでおり、逆流防止エアーナイフ５１および純水散布装置５２は基板搬送経路Ａの上流側からこの順序で並んでいる。

まず、純水散布装置５２は、タンク５８から供給された純水をシャワー状（液粒の大きさは例えば２０〜８００μｍ）に散布する装置であり、基板搬送経路Ａを通過中の基板１００の全体に純水５９を散布するように設けられている。図示の例では純水散布装置５２は基板搬送経路Ａの上下に設けられている。なお、図中には純水５９の供給系を一点破線で例示している。

逆流防止エアーナイフ５１は、高圧空気（エアー）をカーテン状に噴射する装置であり、搬送経路Ａを通過中の基板１００に対して高圧空気を吹き付けるように設けられており、純水散布装置５２によって散布された純水５９が基板１００を伝ってリンス槽４０へ流入（逆流）するのを上述のカーテン状の高圧空気で防止するように設けられている。このとき、高圧空気が成すカーテンは搬送経路Ａに交差する平面状に形成される。図示の例では逆流防止エアナイフ５１は基板搬送経路Ａの上下に設けられている。なお、空気（エアー）の代わりに窒素等の気体を吹き付けるようにしてもよい。

このようなレジスト剥離洗浄装置１によれば、リンス槽４０では、第１リンス液散布装置４２によって基板１００に対してリンス液４９がシャワー状に散布され（第１リンス液散布工程）、当該第１リンス液散布工程によって基板１００に付いたリンス液４９が液切りエアーナイフ４３によって液切りされ（液切り工程）、その後、第２リンス液散布装置４４によって基板１００に対してリンス液４９が今度はミスト状に散布される（第２リンス液散布工程）。そして、基板１００は第２リンス液散布工程で散布されたリンス液４９を有した状態で、搬送装置２によって純水置換槽５０へ搬送される、すなわち次の純水置換工程へ移行する。純水置換槽５０では、純水散布装置５２によって基板１００に対して純水５９がシャワー状に散布される（純水置換工程）。

したがって、基板１００は表層がリンス液４９でコーティングされた状態で純水置換槽５０へ搬送されるので、純水散布装置５２の位置へ到達する前に、すなわち純水置換処理前に純水５９の飛沫が付着しても、基板１００の表層の変質を防ぐことができる。これにより、当該変質に起因した乾きムラが発生するのを防止することができる。

ここで、基板１００の表層をリンス液４９でコーティングするためには、第２リンス液散布装置４４によるリンス液４９の散布は、上述のミスト状でなくてもよく、例えばミスト状よりも液粒の大きいシャワー状（例えば２０〜８００μｍ）であってもかまわない。しかし、ミスト状であれば、シャワー状よりも、純水置換槽５０へ持ち出す（換言すれば持ち込む）リンス液４９の量を減らすことができる。したがって、リンス液４９の使用量を抑えることができる。さらに、純水置換槽５０へのリンス液４９の持ち込み量が多いと純水置換のために多くの純水５９が必要となるが、上述のように純水置換槽５０へのリンス液４９の持ち込み量が減るので、純水置換槽５０での純水５９の使用量も抑えることができる。

次に、図４にリンス槽４０および純水置換槽５０の第２例の概略構成を示す。図４に示すように、第２例のリンス槽４０は、上述の第１例の構成（図２参照）から第２リンス液散布装置４４を取り除いた構成を有している。他方、第２例の純水置換槽５０は、上述の第１例の構成（図２参照）に対して飛沫防止カバー５５を追加した構成を有している。

詳細には、飛沫防止カバー５５は、純水置換槽５０の基板搬入口３と純水散布装置５２との間を仕切るように設けられており、ここでは純水置換槽５０の基板搬入口３から逆流防止エアーナイフ５１までの間に渡って設けられている。この飛沫防止カバー５５は、純水散布装置５２による純水散布の際に生じた純水５９の飛沫が、純水散布装置５２の位置へ到達する前に基板１００に付着するのを防止するように、換言すれば純水置換処理前の基板１００に付着するのを防止するように設けられている。

ここで、飛沫防止カバー５５の一例を図５の概略斜視図に示す。なお、図面の煩雑化を避けるため、図５ではシャッター４等を省略している。図５の例では、飛沫防止カバー５５は、基板搬入口３が設けられた槽壁面５０ａに立設した上面５５ａおよび２つの側面５５ｂと、上記槽壁面５０ａに対面する壁面５５ｃとで構成されている。より具体的には、四角形の上面５５ａは搬送経路Ａの上側に位置し、上面５５ａにおける上記槽壁面５０ａに立設した各辺部から四角形の側面５５ｂが続いている。両側面５５ｂは搬送経路Ａを介して対面している。上面５５ａおよび２つの側面５５ｂにおける上記槽壁面５０ａから離れている辺部に結合するように四角形の壁面５５ｃが設けられている。壁面５５ｃには基板搬入口３に対向する位置に開口５５ｄが設けられており、当該開口５５ｄは基板搬送経路Ａ中に設けられている。そして、開口５５ｄの上下に（したがって飛沫防止カバー５５における純水散布装置５２側の端部に）逆流防止エアーナイフ５１が配置されている。このとき、開口５５ｄは逆流防止エアーナイフ５１を配置してもなお基板１００が通過可能な大きさをしている。なお、図５に示す飛沫防止カバー５５はあくまで一例であり、例えば、上面５５ａおよび壁面５５ｃを純水置換槽５０の槽壁面まで伸ばして上記２つの側面５５ｂを省いた構造にしてもよいし、曲面を取り入れた構造にしてもよい。

このとき、逆流防止エアーナイフ５１の位置を境にして純水散布装置５１の側では当該装置５１から散布された純水５９が基板１００に掛かるので、上述のように逆流防止エアーナイフ５１を飛沫防止カバー５５における純水散布装置５２側の端部（すなわち開口５５ｄ）に配置する構成によれば、飛沫防止カバー５５が純水散布装置５２の直前まで設けられていると捉えることができる。

このようなレジスト剥離洗浄装置１によれば、リンス槽４０では、上述の第１例と同様にリンス液散布工程および液切り工程が実施されるが、第１例とは異なり基板１００はリンス液４９が液切りされた状態で次の純水置換槽５０へ搬送される。そして、純水置換槽５０では、上述の第１例と同様に純水置換工程が実施される。つまり、第１例とは異なり、純水置換槽５０へ搬送された基板１００はリンス液４９でコーティングされていない。

しかし、第２例の構成では、飛沫防止カバー５５によって、純水置換処理前に純水５９の飛沫が基板１００に付着するのを防ぐことができる。したがって、純水飛沫の付着による基板１００の変質を防ぐことができ、これにより当該変質に起因した乾きムラを防止することができる。

このとき、飛沫防止カバー５５は純水置換槽５０への基板搬入口３から逆流防止エアーナイフ５１までの間に渡って設けられているので、すなわち基板搬入口３から純水散布装置５２の直前までの間に渡って設けられているので、純水飛沫の付着防止効果をより確実化することができる。

しかも、飛沫防止カバー５５の開口５５ｄに逆流防止エアーナイフ５１が配置されているので、逆流防止エアーナイフ５１によるエアーカーテンによって上記開口５５ｄから飛沫防止カバー５５の壁面５５ｃを越えて純水５９の飛沫が進入するのを防止することができる。したがって、かかる構成によっても純水飛沫の付着防止効果をより確実化することができる。

次に、図６にリンス槽４０および純水置換槽５０の第３例の概略構成を示す。図６に示すように、第３例の構成は、第１例のリンス槽４０（図２参照）と、第２例の純水置換槽５０（図４参照）とを組み合わせて成る。したがって、リンス液４９によるコーティングと飛沫防止カバー５５とによって純水飛沫の付着防止効果がより確実に得られる。

ここで、表１に、リンス槽４０および純水置換槽５０を各種条件で構成した場合の乾きムラの評価結果を示す。

表１の欄外右側に“Ｒｅｆ”と記した条件３の構成は従来の構成に相当し、この場合はムラが発生する。これに対して、リンス液４９をミスト散布する条件５〜８および飛沫防止カバー５５を設置する条件９〜１２によれば、上記条件３よりもムラの発生は低減される。そして、リンス液４９のミスト散布と飛沫防止カバー５５とを併用した条件１３〜１５によればムラの発生は認められなかった。なお、液切りエアーナイフ４３を利用しない条件１，５，９では総じてムラの発生はないが、リンス液４９が多量に乗った状態で基板１００が純水置換槽５０へ搬入されるので、リンス液４９の持ち出し量が多く、リンス液４９の使用量の増加につながる。

さて、上述のレジスト剥離洗浄装置１を利用することにより、上述の乾きムラが低減・除去された液晶パネル用基板１００を製造することができる。その結果、上記ムラに起因した表示品位の低下が低減・除去された液晶パネルおよび液晶表示装置を製造することができ、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ゲーム機、産業機器のディスプレー等において高い表示品位が得られる。このとき、第１例のリンス液４９のミスト散布を利用することにより、上述のようにリンス液４９および純水５９の使用量を抑えることができるので、製造コストを抑えて基板１００を製造することができる。

は、本発明の実施形態に係るレジスト剥離洗浄装置の概略構成図である。 は、本発明の実施形態に係るリンス槽および純水置換槽の第１例を説明するための概略構成図である。 は、本発明の実施形態に係るリンス液散布装置の概略斜視図である。 は、本発明の実施形態に係るリンス槽および純水置換槽の第２例を説明するための概略構成図である。 は、本発明の実施形態に係る飛沫防止カバーの概略斜視図である。 は、本発明の実施形態に係るリンス槽および純水置換槽の第３例を説明するための概略構成図である。 は、従来のレジスト剥離洗浄装置の概略構成図である。

符号の説明

１ レジスト剥離洗浄装置
２ 搬送装置
３ 基板搬入口
４０ リンス槽
４４ 第１リンス液散布装置
４３ 液切りエアーナイフ（液切り装置）
４４ 第２リンス液散布装置
４９ リンス液
５０ 純水置換槽（純水処理槽）
５１ 逆流防止エアーナイフ（気体噴射装置）
５２ 純水散布装置
５５ 飛沫防止カバー
５９ 純水
１００ 基板（処理対象物）

Claims (10)

1. 処理対象物に対してレジストの剥離および洗浄を行うレジスト剥離洗浄装置であって、
   前記処理対象物をリンス液によって処理するリンス槽と、
   前記リンス槽に続いて設けられており、前記処理対象物を純水によって処理する、純水処理槽と、
   前記処理対象物を前記リンス槽から前記純水処理槽へ搬送する搬送装置とを備え、
   前記リンス槽は、
   前記処理対象物に対して前記リンス液を散布するように設けられた第１リンス液散布装置と、
   前記第１リンス液散布装置によって散布され前記処理対象物に付いた前記リンス液を液切りするように設けられた液切り装置と、
   前記液切り装置によって液切りされた前記処理対象物に対して前記リンス液を散布するように設けられた第２リンス液散布装置とを含み、
   前記搬送装置は、前記処理対象物を、前記第２リンス液散布装置によって散布された前記リンス液を有した状態で、前記純水処理槽へ搬送することを特徴とするレジスト剥離洗浄装置。
2. 前記第２リンス液散布装置は、前記リンス液をミスト状に散布する装置であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト剥離洗浄装置。
3. 前記純水処理槽は、
   前記処理対象物に対して前記純水を散布するように設けられた純水散布装置と、
   前記純水散布装置と前記純水処理槽の搬入口との間を仕切るように設けられた飛沫防止カバーとを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のレジスト剥離洗浄装置。
4. 処理対象物に対してレジストの剥離および洗浄を行うレジスト剥離洗浄装置であって、
   前記処理対象物をリンス液によって処理するリンス槽と、
   前記リンス槽に続いて設けられており、前記処理対象物を純水によって処理する、純水処理槽と、
   前記処理対象物を前記リンス槽から前記純水処理槽へ搬送する搬送装置とを備え、
   前記リンス槽は、
   前記処理対象物に対して前記リンス液を散布するように設けられたリンス液散布装置と、
   前記リンス液散布装置によって散布され前記処理対象物に付いた前記リンス液を液切りするように設けられた液切り装置とを含み、
   前記搬送装置は、前記処理対象物を、前記液切り装置によって液切りされた状態で、前記純水処理槽へ搬送し、
   前記純水処理槽は、
   前記処理対象物に対して前記純水を散布するように設けられた純水散布装置と、
   前記純水散布装置と前記純水処理槽の搬入口との間を仕切るように設けられた飛沫防止カバーとを含むことを特徴とするレジスト剥離洗浄装置。
5. 前記飛沫防止カバーは、前記搬入口から前記純水散布装置の直前までの間に渡って設けられていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のレジスト剥離洗浄装置。
6. 前記純水処理槽は、前記飛沫防止カバーにおける前記純水散布装置の側の端部に、前記処理対象物に対して気体を吹き付けるように、設けられた気体噴射装置をさらに含むことを特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれかに記載のレジスト剥離洗浄装置。
7. 処理対象物に対してレジストの剥離および洗浄を行うレジスト剥離洗浄方法であって、
   前記処理対象物をリンス液によって処理するリンス工程と、
   前記処理対象物を純水によって処理する純水処理工程とを備え、
   前記リンス工程は、
   前記処理対象物に対して前記リンス液を散布する第１リンス液散布工程と、
   前記第１リンス液散布工程によって前記処理対象物に付いた前記リンス液を液切りする液切り工程と、
   前記液切り工程後に前記処理対象物に対して前記リンス液を散布する第２リンス液散布工程とを含み、
   前記処理対象物が前記第２リンス液散布工程において散布された前記リンス液を有した状態で、前記リンス工程から前記純水処理工程へ移行することを特徴とするレジスト剥離洗浄方法。
8. 前記第２リンス液散布工程は、前記リンス液をミスト状に散布する工程であることを特徴とする請求項７に記載のレジスト剥離洗浄方法。
9. 基板に対してレジストの剥離および洗浄を行うレジスト剥離洗浄工程を備えた基板製造方法であって、
   前記基板をリンス液によって処理するリンス工程と、
   前記基板を純水によって処理する純水処理工程とを備え、
   前記リンス工程は、
   前記基板に対して前記リンス液を散布する第１リンス液散布工程と、
   前記第１リンス液散布工程によって前記基板に付いた前記リンス液を液切りする液切り工程と、
   前記液切り工程後に前記基板に対して前記リンス液を散布する第２リンス液散布工程とを含み、
   前記基板が前記第２リンス液散布工程において散布された前記リンス液を有した状態で、前記リンス工程から前記純水処理工程へ移行することを特徴とする基板製造方法。
10. 前記第２リンス液散布工程は、前記リンス液をミスト状に散布する工程であることを特徴とする請求項９に記載の基板製造方法。

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