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JP2007058147A - 光アイソレータ - Google Patents

光アイソレータ Download PDF

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JP2007058147A JP2005283011A JP2005283011A JP2007058147A JP 2007058147 A JP2007058147 A JP 2007058147A JP 2005283011 A JP2005283011 A JP 2005283011A JP 2005283011 A JP2005283011 A JP 2005283011A JP 2007058147 A JP2007058147 A JP 2007058147A
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Abstract

【課題】光アイソレータにおいて、光アイソレータ素子によるビームシフトを補正し、挿入損失、反射減衰量も充分確保できる方法を提案する。
【解決手段】光アイソレータM1において、第1光ファイバ5と、該第1光ファイバ5から導出される光が光学的に結合される第2光ファイバ6と、第1光ファイバ5と第2光ファイバ6との間に、前記光の入射面21が光軸18に対して角度φで傾斜する光アイソレータ素子1を備え、光アイソレータ素子1の入射面21と対向する第1光ファイバ5の端面15は、前記光軸に対して角度θで傾斜する平面部を含んで構成され、角度φと角度θとの間に、φ<θの関係が成り立つ構成とした。
【選択図】図1

Description

本発明は、光通信機器、センサー等に使用される光モジュールに搭載され、光モジュール外部からの反射戻り光を遮断する、光アイソレータに関する。
光アイソレータは方向性を有し、順方向には光を通すが、逆方向には光を遮断するという機能を有する。光通信、光計測に利用される半導体レーザー(以下LDと略す)は外部から反射光が戻り、LDの活性層に入射すると内部の干渉状態が崩れ、波長のズレ、出力の変動等の不具合を起こす。LDを安定して発振させるために、逆方向の光を遮断する光アイソレータが活用されている。高精度な計測、高速な変調による通信、高密度化のために波長の厳重な制御が必要な通信では光アイソレータは不可欠となっている。
以下に光アイソレータの一般的な動作について簡単に説明する。図14に示すように、光アイソレータは、二つの偏光子2、4でファラデー回転子3を挟むようにして構成されている。このような構成において、順方向光はそのまま透過し逆方向光は遮断される。なお、ファラデー回転子3は外部から磁界を印加することでファラデー効果を得るものと、自発磁化により外部磁界なしてファラデー効果を持つものがあるが、ここでは特に磁界を印加するための磁石は図示しないものとする。
従来、図15に示すように、LDモジュール117においては、パッケージ内にLD112、レンズ113、115、光アイソレータ114、シングルモードファイバ116、PD(フォトダイオード)111が収納されている。LD112から出射された光は、レンズ113でコリメートされ光アイソレータ114を通過し、レンズ115で集光されシングルモードファイバ116に入射する。全体は外部の環境から遮断するためパッケージに内蔵される。一般的には、このような構成で光アイソレータ114は使用されるが、本構造では、それぞれの部材が別々にホルダーに固定された後にアライメントされるので、部品点数が多く、部品同士の位置調整も複雑で大型化するといった問題があった。
そこで、モジュール全体を小型化しアライメントを容易にするために、図10、図12に示すような光アイソレータM2が提案されている。(特許文献1を参照)
光アイソレータM2は基体12にモードフィールド径が異なる複数の光ファイバを収容してなり、基体12にモードフィールド径が最大の光ファイバを2つに分断する凹部10を形成するとともに、凹部10内に光アイソレータ素子1を配置したものである。
基体12に収容される光ファイバは、モードフィールド径が10μmのシングルモードファイバ7A、モードフィールド径を拡大するレンズ効果を持ったマルチモードファイバ8A、コアレスファイバ9、マルチモードファイバ8B、およびシングルモードファイバ7Bの順で融着され固定される。コアレスファイバ9は、凹部10にて分断された状態になっており、凹部10に光アイソレータ素子1が接着剤にて固定されている。また、凹部10は、透過性充填材11が充填されている。
ここでマルチモードファイバ8A、8Bは、ファイバの中心軸から徐々に屈折率が小さくなるような軸対称の屈折率分布を有する光ファイバであり、一般にはマルチモード伝送用に用いられており、ファイバ中心軸からの距離に対してほぼ2乗の屈折率分布を持つ。この屈折率分布はGRINレンズと同様にレンズ効果を持つため、適当な屈折率分布のマルチモードファイバを適切な長さで用いれば結合光学系を構成することができる。
特開2004−61871号公報
しかしながら、特許文献1記載の従来技術では、図11に示すとおり、光アイソレータ素子1の光の入射面21側の第1光ファイバの端面15と、光アイソレータ素子1の光の入射面21とが光軸19に対して90度の角度で設置されているため、光アイソレータ素子1からの光の反射が発生した場合、反射戻り光20が増加するという問題があった。
これは、光アイソレータ素子1を構成するファラデー回転子3の屈折率が2.30程度あり、偏光子2の屈折率が1.46程度であるため、光アイソレータ素子1を透過光19が透過する際に、この屈折率差から境界面31より光の反射が生じる。また、光アイソレータ素子1が配置されている凹部10には、コアレスファイバ9、偏光子2とほぼ同じ屈折率の透過性充填剤11が充填されているため、入射面21、端面15からの反射は抑制できるが、上記した境界面31からの反射戻り光20を防止することは困難であった。そこで、境界面31からの反射を防止するためファラデー回転子3の表面に反射防止膜を形成するという手段も考えられるが、反射防止膜で達成できる反射率は0.2%程度(約27dB)であり、反射防止対策としては不十分であるという問題があった。
一方、反射戻り光20を防止する手段としては、光アイソレータ素子1の入射面21を光軸18に対して90度で設置するのではなく、図12に示すように、90度より大きい角度φで設置するという手段がある。これは、図13に示すように、この方法では光アイソレータ素子1からの反射戻り光20は、光軸18に対して反射角度をもって反射し、反射戻り光20が光ファイバ5に対して位置ずれが生じるので、反射戻り光20の光ファイバ5のコアへの伝搬を抑制することが可能となったため、これにより、反射戻り光20を低減することができた。しかし、図13に示すように、透過光19は光アイソレータ素子1を透過する際に角度F2の屈折が発生するため、ファラデー回転子3の入射側の境界面31と出射側の境界面32でビームシフトが生じ、光の挿入損失を増加させるという問題があった。
以上のような課題を鑑み、光アイソレータ素子1によるビームシフトを補正し、反射減衰量を確保しながら、挿入損失の低い光アイソレータM1を提案する。
具体的には、本発明は、第1光ファイバと、該第1光ファイバから導出される光が光学的に結合される第2光ファイバと、前記第1光ファイバと前記第2光ファイバとの間に、前記光の入射面が光軸に対して角度φで傾斜する光アイソレータ素子を備え、該光アイソレータ素子の前記入射面と対向する前記第1光ファイバの端面は、前記光軸に対して角度θで傾斜する平面部を含んで構成され、前記角度φと前記角度θとの間に、φ<θの関係が成り立つことを特徴とする。
また、前記光アイソレータ素子の前記光の出射面と対向する前記第2光ファイバの端面は、前記光軸に対して角度θで傾斜する平面部を含んで構成されることを特徴とする。
さらに、前記角度φが90.5度〜92.0度であり、前記角度θが98.0度〜102.0度であることを特徴とする。
加えて、前記第1光ファイバと前記第2光ファイバを内部で保持する基体を備え、
該基体の表面に開口する凹部が設けられるとともに、前記基体の内部に、前記凹部に連通する一対の内孔が設けられ、該一対の内孔に前記第1光ファイバおよび前記第2光ファイバを嵌挿した上、前記凹部の底面に前記光アイソレータ素子を配置したことを特徴とする。
又、前記第1光ファイバおよび/または前記第2光ファイバは、シングルモードファイバ部、グレーデットインデックスファイバ部、を備え、前記光アイソレータ素子側から、グレーデットインデックスファイバ部、シングルモードファイバ部の順で構成されていることを特徴とする。
更に前記第1光ファイバおよび前記第2光ファイバはそれぞれグレーデットインデックスファイバ部を備え、前記第1光ファイバは、光の入射側に第1偏波保持ファイバ部をさらに備えて構成されていることを特徴とする。
加えて、前記第2光ファイバは、光の出射側に第2偏波保持ファイバ部をさらに備えて構成されていることを特徴とする。
また前記第1光ファイバおよび/または前記第2光ファイバは、前記光アイソレータ素子側にコアレスファイバ部をさらに備えることを特徴とする。
さらに、前記第1偏波保持ファイバ部および/または前記第2偏波保持ファイバ部は、その一端を前記基体の端面から突出させた上、前記基体の内部に保持されることを特徴とする。
本発明の光アイソレータによれば、第1光ファイバと第2光ファイバとの間に、光の入射面が光軸に対して角度φで傾斜する光アイソレータ素子を設け、該光アイソレータ素子の前記入射面と対向する前記第1光ファイバの端面が含んでいる平面部を前記光軸に対して角度θで傾斜させ、前記角度φと前記角度θとの間に、φ<θの関係が成り立つように構成することにより、光アイソレータ素子からの光の反射戻り光が第1光ファイバに導入されるのを抑制するとともに、光アイソレータ素子を透過する光の第2光ファイバのコアに対するビームシフトを補正することができるため、第1光ファイバと第2光ファイバとの光の接続損失を低減することができる。
さらに、光アイソレータ素子の光の出射面と対向する第2光ファイバの端面が含んでいる平面部を光軸に対して前記角度θで傾斜させるように配置することにより、例えば、第1光ファイバと第2光ファイバを同軸上に配置さえすれば、容易に光の反射戻り光の防止と光の接続損失の抑制をすることができる。
さらに、前記角度φが90.5度〜92.0度、前記角度θが98.0度〜102.0度の範囲であれば、反射戻り光の反射減衰量を低下させ、かつ光の接続損失の低減効果を向上させることができる。
以下に本発明に係る実施形態について図面に基づき詳細に説明する。なお、各図において同一部材については、同一符号を付し説明を省略するものとする。
図1、図2に示すように、光アイソレータM1は、基体12の内孔に、シングルモードファイバ部7A、グレイデッドインデックスファイバ部8A、コアを持たないコアレスファイバ部9Aの順列に接続した第1光ファイバ5と、コアを持たないコアレスファイバ部9B、グレイテッドインデックスファイバ部8B、シングルモードファイバ部7Bの順列に接続した第2光ファイバ6を固定してなる。そして、第1光ファイバ5および第2光ファイバ6は、基体12に設けられた一対の内孔にそれぞれ嵌挿されるとともに、基体12の表面に開口する凹部10にて対向するように分断されており、この凹部10の底面に、第1偏光子2と第2偏光子4に挟まれるファラデー回転子3を有する光アイソレータ素子1が配置されており、該光アイソレータ素子1の周囲には、凹部10を充填するように透過性充填材11で満たされている。なお、基体12から突出したシングルモードファイバ部7A、7Bは一定の長さを備えた所謂ピグテイル形状としている(不図示)。
シングルモードファイバ部7A、7Bは、モードフィールド径が約10μm、クラッド径が約125μmの光ファイバであり、基体12から出た部分の入射光ファイバ13、出射光ファイバ14は、クラッド部が露出された状態もしくは、被覆材に覆われた状態となっている。被覆材は、クラッド部を保護する機能を有しており、通常φ0.25mmもしくはφ0.9mmの紫外線硬化樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステルエラストマー等の高分子樹脂で構成されている。入射光ファイバ13の先端部分は、LDとの結合に適するように、例えば、先球形状にしてもよい。
グレイテッドインデックスファイバ部8A、8Bは、光ファイバの中心軸から外周に向かって徐々に小さくなるような軸対称の屈折率分布を有する光ファイバであり、一般にはマルチモード伝送用に用いられている。この屈折率分布は、光ファイバの中心軸からの距離、即ち、光ファイバ半径のほぼ2乗の値に依存して光ファイバの外周に向かって小さくなっている。また、この屈折率分布はGRINレンズと同様にレンズ効果を持つため、適当な屈折率分布のグレイテッドインデックスファイバを適切な長さで用いれば結合光学系を構成することができる。
また、グレイテッドインデックスファイバ部8A、8Bの直径は、約φ0.125mmであり、長さは、シングルモードファイバ部7Aの出射光をモードフィールド径が約40μmに拡大するように調整されており、第1光ファイバ5および第2光ファイバ6のグレイテッドインデックスファイバ部8A、8Bを略同一の長さにすれば、第1光ファイバ5および第2光ファイバ間の光結合の結合効率を上昇させる、即ち、光の挿入損失を低減することができる。
なお、グレイデッドインデックスファイバ部8Aの端面15に点光源があったときのコリメート条件は、GRINレンズのピッチ長を示すPは、P=0.25と規定されているが、実際に、結合効率が最も高いのは2つのグレイデッドインデックスファイバ部8A、8Bの中央でビームウエストが一致する(焦点を持つ)場合である。つまり、P=0.25の際、ビームウエストはほぼグレイデッドインデックスファイバ部8A、8Bとコアレスファイバ部9A、9Bの境界部に位置することになり、グレイデッドインデックスファイバ部8A、8B間に光アイソレータ素子1を挟む場合はビームウエストが一致しない。従って、グレイデッドインデックスファイバ部8A、8Bとコアレスファイバ部の境界部から離れた位置にビームウエストを形成するためにはP>0.25の条件が必要になる。
コアレスファイバ部9A、9Bは屈折率nが一様のガラス体であり、例えば、n=1.46程度を有する石英系のガラス体を用いることができる。また、コアレスファイバ部9の長さは、第1光ファイバ5、第2光ファイバ6において同一である必要はないが、第1光ファイバ5および第2光ファイバ6を構成するコアレスファイバ部9A、9Bの長さの合計と第1光ファイバ5の端面15と第2光ファイバ6の端面16間の距離の和が、2つのグレイデッドインデックスファイバ部8A、8Bによるビームスポットが中央で一致する(焦点を持つ)ように調整されている。
基体12は、表面に開口し、かつ光軸18に対して斜めに角度θで傾斜した平面部を有する凹部10を具備するとともに、凹部10に連通する一対の内孔が設けられている。そして、その一対の内孔に、それぞれ第1光ファイバ5および第2光ファイバ6を嵌挿させ、凹部10の底面に配置された光アイソレータ素子1を介して第1光ファイバ5および第2光ファイバ6とを光結合させるようにしている。また、基体12の形状は、長尺状の円筒体、貫通孔を有する角柱であればよいが、モジュールを構成する際にパッケージ等と組み合わせて使用するため、組み合わせやすい円筒状が望ましい。また、基体12の材質はセラミックス、樹脂など特に限定されるものではないが、凹部10の底面と貫通孔の位置関係を合わせる必要があるため、精度良く作製可能な光通信用のコネクタ等に使用されるジルコニアセラミックスが望ましい。基体12が円筒状のフェルールである場合、その直径は1.0〜3.0mmであるが、光通信で高精度に使用するためには、直径が1.249mmもしくは2.499mmであることが望ましい。また、基体12の長さは、第1光ファイバ5および第2光ファイバ6および凹部10を構成するために、4mm以上あればよい。
凹部10には、第1偏光子2と第2偏光子4の間にファラデー回転子3を挟み込み、一体化して作製した光アイソレータ素子1が配置されている。また、第1偏光子2、ファラデー回転子3、および第2偏光子4の形状は、厚みが0.2〜6mmの平板であり、大きさは、0.2〜0.6mm角程度のものが使用される。また、第1偏光子2、第2偏光子4は、誘電体粒子を内包させたガラス基板や誘電体の積層体から構成される透過偏光方向と直行する偏光成分を吸収する偏光板、または複屈折結晶から構成され、回折格子等を利用した反射型や光路をシフトさせる偏光板等を用いることができる。ファラデー回転子3の材質は、Tb、Gd、Hoを添加したBi置換ガーネットやYIGガーネット、さらには磁石が不要な自己バイアス型のものでも構成が可能である。また、ファラデー回転子3の表面は透光性充填材11に対し、例えば、TiO/SiO、Ta/SiO等の多層膜で構成される反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は、ファラデー回転子3の表面からの光の反射を反射量0.2%以下程度防止することができる。
光アイソレータ素子1は、第1偏光子2の第1光ファイバ5側に、第1光ファイバ5から出射される光が入射される光の入射面21を有しており、一方で、第2偏光子の第2光ファイバ6側に、第1偏光子およびファラデー回転子3を透過してくる光を出射する光の出射面22を有している。
また、光アイソレータ素子1は、光の入射面21が光軸18に対して角度φとなるように傾けて配置されるととともに、光アイソレータ素子1の入射面21と第1ファイバ5の端面15および出射面22と第2ファイバ6の端面16の間に、コアレスファイバ9A、9Bの屈折率と同等の屈折率を有する透光性充填材11が充填されている。なお、ファラデー回転子3に自発磁化の効果がないのであれば、光アイソレータ素子1の外周部に磁界印加手段を設ける。
LDから出射される光は、入射光ファイバ13を通り、第1光ファイバ5のシングルモードファイバ部7Aに導入され、グレイデッドインデックスファイバ部8Aによってビーム径を拡大され、コアレスファイバ部9の中央でビームウエストをもつビームとなって光アイソレータ素子1を通過し、再び第2光ファイバ6のコアレスファイバ部9B内を通過し、グレイデッドインデックスファイバ部8Bによりビーム径が収束され、第2のシングルモードファイバ7Bを通り出射光ファイバ14に伝搬される。
ここで、図9に示すような従来の光アイソレータにおいては、光アイソレータ素子1は、光アイソレータ素子1の光の入射面が光軸18に対して角度φで傾けて設置されてはいるが、第1光ファイバ5の端面15、および第2光ファイバ6の端面16が光軸に対して垂直(90度)で配置されているため、第1偏光子2とファラデー回転子3との境界面31で発生する反射戻り光20の第1光ファイバへの入射は抑制できるが、光アイソレータ素子1を伝搬した透過光19は、偏光子2とファラデー回転子3の境界面31において角度F2で伝搬角度が変化するため、ビームシフトを生じ、透過光19は第2光ファイバ6の端面16からずれた位置に入射されるので、光の挿入損失が増加する。
これに対し、本発明の光アイソレータM1では、以下のような理由により反射戻り光を防止するとともに、光の挿入損失を抑制することができる。
第1ファイバ5の端面15が有する平面部を光軸18に対して角度θで傾けると、図3に示すように、透光性充填材11とコアレスファイバ部9の屈折率差から端面15からの出射光は角度F1で出射される。これにより、反射戻り光を抑制するために光軸に対して角度φで傾けて配置された光アイソレータ素子1を通過することにより発生する角度F2によるビームシフトをうち消すことができる。ここで、角度F1は、透過性充填材11の屈折率および、角度θにより、決定される。透過性充填材11とコアレスファイバ部9の屈折率差が大きい場合は、第1光ファイバ5の端面15での散乱による反射が発生するので、透過性充填材11の屈折率は、コアレスファイバ部9が有する屈折率に対して0.9〜1.1倍の範囲にする事が望ましく、さらに、角度F1を発生させるために透過性充填材の屈折率はコアレスファイバ部9と異ならせる必要があるので、透過性充填材11の屈折率は、コアレスファイバ部9が有する屈折率に対して0.9〜0.98倍の範囲もしくは、1.02〜1.1倍の範囲であることが好ましい。
また、一般的に使用されるファラデー回転子3の屈折率が約2.30程度であるのに対し、第1偏光子2、第2偏光子4の屈折率が約1.46と屈折率差が大きいため、光アイソレータ素子1を角度φで傾けると角度F2の変化量が大きいが、一方で、透過性充填材11と端面15の屈折率差は前述したように1.1倍と小さいので、角度θで傾けたときの角度F1の変化量は角度F2の変化量に比べて小さくなる。そのため、本発明のように、角度φに対して角度θを大きくする構成をとれば、前述したビームシフトをうち消すことが可能となり、光の挿入損失を抑制することができる。なお、光軸18に対する傾斜角度を示す角度φおよび角度θ、即ち、光軸18と光アイソレータ素子の光の入射面21との成す角度(角度φ)、および光軸18と第1光ファイバ5の端面15の平面部との成す角度(角度θ)は、図1、2に示すように、90度より大きく180度より小さい範囲内における鈍角で示されるものである。
さらに、光アイソレータ素子1の光の出射面と対向する第2光ファイバ6の端面16が有する平面部の角度は、第1光ファイバ5の端面15の角度θと同一であることが望ましい。これは、角度φおよび角度θを最適化し第2光ファイバ6の端面16でのビームシフトを抑制できたとしても、第2光ファイバ6の端面16の角度が角度θと異なっているときには、シングルモードファイバ部の伝搬条件から若干はずれる虞があるため、第2光ファイバ6のグレイデッドインデックスファイバ8Bとシングルモードファイバ7Bの境界部で結合ロスが生じる場合があるからである。これに対し、第2光ファイバ6の端面16の角度が角度θと同一の場合には、前述した結合ロスを抑制することができるため、第2光ファイバ6の端面16の角度は第1光ファイバ5の端面15の角度θと同一であることが望ましい。また、第1光ファイバ5の端面15と第2光ファイバ6の端面16を同一の角度θにする方法としては、例えば、第1光ファイバ5の端面15および第2光ファイバ6の端面16が露出する基体12に設ける凹部10の側面の平面部が同等の角度になるように凹部10を加工すればよい。
さらに、角度θとしては、90.5〜92.5度の範囲にあることが望ましい。これは、角度θが90.5度未満であると、光モジュールにおいて必要と考えられる反射減衰量30dB以上を実現することが困難となるからである。また、角度θが大きいほど実現できる反射減衰量は大きくなるが、挿入損失の増加を防止するためにφを大きくする必要が生じ、φの最大値が、コアレスファイバ部9の長さによって制約されるため、現実的には92.5度以下とする事が望ましい。
一方、角度φとしては、98.0〜102.0度の範囲にあることが望ましい。これは、角度φが98.0度未満であると、角度F2が大きくなり、挿入損失が増加する場合があるのに対し、98.0〜102.0度の範囲であれば、挿入損失の増加を0.3dB以内に押さえることが可能となるからである。
また、角度θと角度φの傾斜方向については、透過性充填材11の屈折率がコアレスファイバ部9の1.02〜1.10倍であるときは、図1に示されるような傾斜角度の関係である必要があり、0.9〜0.98倍であるときは、図2に示されるような傾斜角度の関係である必要がある。また、図4(a)は透過性充填材11が1.02〜1.10倍の場合、図4(b)は0.9〜0.98倍の場合の透過光19の出射方向を示す。これらの図に示すように、第1光ファイバ5の端面15での出射光の方向が屈折率により異なるため、角度θと角度φの位置関係が透過性充填材11の屈折率により異なる。
以上のような構成により、本発明の光アイソレータM1は、挿入損失を低下させることなく、反射戻り光を抑制することが可能となる。
なお、上記した実施の形態では、第1光ファイバ5、第2光ファイバ6はコアレスファイバ部9A、9Bを備えているが、図6に示すように、本発明ではコアレスファイバ部9A、9Bを備えない構成であってもよい。このような場合は、第1光ファイバ5の端面15と第2光ファイバ6の端面16間の距離が、2つのグレイデッドインデックスファイバ部8A、8Bによるビームスポットが中央で一致する(焦点を持つ)ように調整すればよい。このように、第1光ファイバ5、第2光ファイバ6がコアレスファイバ部9A、9Bを備えない場合には、光アイソレータM1の製造工程において、シングルモードファイバ部7Aとグレイテッドインデックスファイバ部8A、グレイテッドインデックスファイバ部8Bとシングルモードファイバ部7B、とをそれぞれ融着接続すればよい。したがって、後述するコアレスファイバ部9A、9Bがある場合と比し、光ファイバ同士を接続するための融着点が少なくなるため、光アイソレータM1の製造工程を簡略化することができる。
また、第1光ファイバ5は、図7に示すように、光の入射側に第1偏波保持ファイバ部7A’を備えることが好ましい。これは、光の入射側に備えられている光ファイバがシングルモードファイバであると、例えば、該シングルモードファイバに曲げが発生したり、応力が付加されると、前記シングルモードファイバを伝播する光の偏波面が回転する場合がある。これにより、第1偏光子2に入射する光の偏波面は、光アイソレータ素子1の第1偏光子2の偏波面に対して角度ズレが発生するため、光の挿入損失が変動する可能性がある。
これに対し、偏波保持ファイバ7A’は光の偏波面を保持した状態で光を伝搬させる機能を有する光ファイバであり、種々の形態が考案されている。図8(a)に示すような通常のシングルモードファイバは、コア82とクラッド81にて構成されているが、偏波保持ファイバは、図8(b)に示すように、コア82の両側に配置された略円形の応力付与部83によりコア82に歪みを加えて2つの偏波モードの伝搬定数に差を付けたもので、図のスロー軸84方向、もしくはファースト軸85方向に偏波を保持する機能を有するものである。
第1光ファイバ5に偏波保持ファイバ部7A’を設けると、即ち、図9に示すように、例えば、光アイソレータM1とLD112を光学的に結合する光モジュールを作製する場合、光の入射側に位置する第1光ファイバ5に偏波保持ファイバ部7A’を設け、偏波保持ファイバ部7A’の端部を基体12から突出させて入射光ファイバ13とすると、該入射ファイバ13に曲げや応力が発生したとしても偏波面が保持されるので、光の出力変動を抑制することができる。なお、入射光ファイバ13が基体12内に完全に保持されている場合には、外力による応力の発生や曲げは生じないが、入射光ファイバ13が基体より突出している場合には、外力による応力の発生や曲げが生じやすいため、偏波保持ファイバ7A’を用いることが好ましい。さらに、グレイデッドインデックスファイバ部8A、8B、およびコアレスファイバ部9A、9Bを基体12内に保持すれば、外力の発生を抑制することができるため、偏波面の回転を低減することができる。このように、第1光ファイバ5の光の入射側に偏波保持ファイバ部71を設けることにより、光の偏波面の回転を抑制できるため、LD112と光アイソレータM1の間の距離を大きくすることが可能となる。そのため、図9に示すような光モジュールを用いてトランシーバを作製すれば、LD112と光アイソレータM1の位置をトランシーバの基板内で比較的自由に配置することができるようになるため、トランシーバの小型化が容易になる。
また、第2ファイバ6の光の出射側に偏波保持ファイバ部7B’を設け、該偏波保持ファイバ部7B’の端部を基体12から突出させて出射光ファイバ14とすると、該出射光ファイバ14の偏波面を保持できるので、光アイソレータM1を偏波保持可能なインライン型光アイソレータとして使用することが可能となる。
次に、本発明の光アイソレータM1の製造方法について、以下に述べる。
まず、図5に示すように、シングルモードファイバ部7A、グレイデッドインデックスファイバ部8A、コアレスファイバ部9、グレイテッドインデックスファイバ部8B、シングルモードファイバ部7Bの順で融着接続し、光ファイバ体17を作製する。次に円筒状のジルコニア製の基体12に予め貫通孔を形成しておき、その貫通孔に光ファイバ体17をエポキシ系熱硬化型接着材にて固定する。
その後、基体12の周面の一部から光ファイバ体17のコアレスファイバ部9をダイシングしてコアレスファイバ部9A、9Bに分断するとともに、光軸18に対して角度θで傾斜する平面部を有する凹部10を形成する。これに伴い、光ファイバ体17は、第1光ファイバ5と第2光ファイバ6に分けられる。
次に、あらかじめ作製したおいた偏光子2、ファラデー回転子3、偏光子4からなる光アイソレータ素子1を凹部10内に光軸18に対して角度φで紫外線熱併用型のアクリル系接着剤にて接着し、凹部10と光アイソレータ素子1の隙間に、ガラス転移温度TGが、TG<−40度程度と低い、エポキシ系の紫外線硬化型接着剤からなる透光性充填材11を充填し、硬化させることにより、本発明の光アイソレータM1を作製することができる。
第1ファイバ5および第2ファイバ6にシングルモードファイバ部7A、7Bの代わりに偏波保持ファイバ部7A’、7B’を使用する場合には、偏波保持ファイバ部7A’、グレイデッドインデックスファイバ部8A、コアレスファイバ部9、グレイデッドインデックスファイバ部8B、偏波保持ファイバ部7B’の順で融着接続し、光ファイバ体を作製する。次に円筒状のジルコニア製の基体12に予め貫通孔を形成しておき、その貫通孔に光ファイバ体をエポキシ系熱硬化型接着剤にて固定する。
その後、ダイシングにより凹部10を形成するが、第1ファイバ5の偏波保持ファイバ71Aのスロー軸84、もしくはファースト軸85と凹部10の底面が平行となるように凹部10を形成する。その後は、シングルモードファイバ部7A’、7B’を使用する場合と同じ手順にて作製すればよい。
また、第1光ファイバ5および第2光ファイバ6にコアレスファイバ部9A、9Bを設けない場合には、シングルモードファイバ部7A、グレイデッドインデックスファイバ部8A、8B、シングルモードファイバ部7Bの順で融着接続し、光ファイバ体を作製し、ダイシングの際にグレイデッドインデックスファイバ部8A、8Bが略同一の長さになるように凹部10を形成すればよい。
本発明の第1の実施例について説明する。
まず、モードフィールド径が10μm、長さが1mの石英系シングルモードファイバ部7Aと、コア径105μm、長さが0.8mm、コア中心とクラッド境界付近における屈折率差が0.55%のグレイデッドインデックスファイバ部8Aと、長さが2mm、純石英でコアを持たないコアレスファイバ部9と、長さが0.8mmであり、グレイデッドインデックスファイバ部8Aと同様のパラメータを持つグレイデッドインデックスファイバ部8Bと、長さが1m、モードフィールド径が10μmの石英系シングルモードファイバ部7Bとを、上記した順に融着接続し光ファイバ体17を作製した。
その後、光通信用に用いられるジルコニア製の外径1.249mm、内径0.126mm、長さ6.4mmの円筒状のフェルールを基体12として用い、その貫通孔に光ファイバ体17を挿入し、エポキシ系熱硬化型接着材にて固定した。
次に、基体12の周面の一部から光ファイバ体17のコアレスファイバ部9の部分をダイシングにより、光ファイバ体17を第1光ファイバ5、第2光ファイバ6のように分断するとともに、基体12の表面に凹部10を形成した。なお、凹部10は、第1光ファイバ5の端面15と第2光ファイバ6の端面16が露出する凹部10の側面は平面であり、また、その角度は光軸18に対して角度θになるように形成したため、第1光ファイバ5の端面15と第2光ファイバ6の端面16は、光軸18に対して角度θになるように形成されていることになる。
さらに、第1の偏光子2、ファラデー回転子3、第2の偏光子4からなる光アイソレータ素子1を凹部10内にUV熱併用型のアクリル系接着剤にて接着し、隙間に透光性充填材11としてエポキシ系の低TG(TG<−50度)の紫外線硬化型接着剤を充填した。第1偏光子2、および第2の偏光子4は、大きさが0.3×0.4mm、厚みが0.2mmの銀粒子等の誘電体粒子を内包させたガラス基板で構成され、ファラデー回転子3は、大きさが0.3mm×0.4mm、厚みが0.4mmのガーネット製のものを使用した。ここで、透光性充填材11の屈折率は1.48、コアレスファイバ部の屈折率は1.45であり、透光性充填材11のコアレスファイバ部9に対する相対屈折率は1.03である。なお、光アイソレータ素子1は、光軸18に対して光アイソレータ素子1の光の入射面21の角度が角度θになるように形成した。
そして、角度θおよび角度φを変化させ、複数のサンプル(試料番号1〜11)を作製し、各サンプルの光の挿入損失および光の反射減衰量を評価した。その結果を表1に示す。
ここで、光の挿入損失は、入射光ファイバ13から波長1310nmの光を偏波コントローラにて偏波を変化させながら入射させ、出射光ファイバから出力される光をディテクタで読みとり、偏波を変化させたときの光の挿入損失の最小値を読みとった。なお、挿入損失は、角度φが90度、角度θが90度の時の挿入損失を基準値0dBとし、それに対する変化量とした。
また、光の反射減衰量は、プレシジョンリフレクトメータを用いて入射光ファイバ13から波長1310nmの光を入射させ、反射戻り光が最大となる反射光の値を読みとった。結果は表1に示す。
Figure 2007058147
表1に示すように、本発明の比較例である試料番号1は、光の挿入損失の発生は防止できたが、反射戻り光20を防止することができなかったため、反射減衰量が27dBとなり、反射減衰量は30dB以下と小さかった。また、試料番号2では、角度φが角度θより大きかったため、光のアイソレーション特性を示す反射減衰量は向上したが、光アイソレータ素子を通過した光のビームシフトを補正することができなかったため、光の挿入損失が0.55dBのように大きくなった。
これに対して本発明の第1の実施例(試料番号4〜13)は、角度θが角度φより大きくしたため、光アイソレータ素子1から生じる反射戻り光20が第1光ファイバに導入されるのを抑制するとともに、光アイソレータ素子を通過した光のビームシフトを補正することができたため、反射減衰量を向上させ、かつ光の挿入損失を抑制することができた。さらに、試料番号4〜11では、角度φが90.5度〜92.0度であり、角度θが98度〜102度であったため、反射減衰量をさらに向上させ、かつ光の挿入損失をさらに抑制することができた。
以上の結果から、第1光ファイバ5と、該第1光ファイバ5から導出される光が光学的に結合される第2光ファイバ6と、前記第1光ファイバ5と前記第2光ファイバ6との間に、前記光の入射面21が光軸18に対して角度φで傾斜する光アイソレータ素子1を備え、前記光アイソレータ素子1の前記光の入射面21に対向する前記第1光ファイバの端面15は、前記光軸18に対して角度θで傾斜し、前記角度φと前記角度θとの間には、φ<θの関係とすることで、挿入損失の増加を抑制するとともに、反射戻り光を防止することができる。
次に、第1光ファイバ5に偏波保持ファイバ7A’を使用した光アイソレータM1と第1光ファイバ5にシングルモードファイバ7Aを使用した光アイソレータM1に対し、それぞれ振動試験を実施し、出射光ファイバ14からの出力光の変動量を検証した。
まず、本発明の第2の実施例(試料番号14〜17)として、長さが10cm、モードフィールド径が10μmの石英系偏波保持ファイバ7A’と、コア径105μm、長さが0.8mm、コア中心とクラッド境界付近における屈折率差が0.55%のグレイデッドインデックスファイバ8Aと、長さが2mm、純石英でコアを持たないコアレスファイバ9と、長さが0.8mmであり、グレイデッドインデックスファイバ8Aと同様のパラメータを持つグレイデッドインデックスファイバ8Bと、長さが1m、モードフィールド径が10μmの石英系シングルモードファイバ7Bと、を上記した順に融着接続し光ファイバ体17を作製した。
また、本発明の第3の実施例(試料番号19〜21)として、偏波保持ファイバ7A’の代わりに、長さが10cm、モードフィールド径が10μmの石英系シングルモードファイバ7Aを融着接続した光ファイバ体17を作製した。
その後、それぞれの光ファイバ体17を光通信用に用いられるジルコニア製の外径1.249mm、内径0.126mm、長さ6.4mmの円筒状のフェルールを基体12として用い、その貫通孔に光ファイバ体17を挿入し、エポキシ系熱硬化型接着材にて固定した。なお、本発明の第2、3の実施例においては、グレイデッドインデックスファイバ部8A、グレイデッドインデックスファイバ部8B、コアレスファイバ部9A、およびコアレスファイバ部9Bは、基体12の内部に保持されている。一方、光の入射側に設けられる第1光ファイバ5の一部を構成する偏波保持ファイバ7A’(第2の実施例)とシングルモードファイバ7B(第3の実施例)は、基体12の端面から突出させて、入射光ファイバ13とした。また、本発明の第2、3の実施例においては、光の出射側に設けられる第2光ファイバ6の一部を構成するシングルモードファイバ7Bは、基体12の端面から突出させて、出射光ファイバ14とした。
次に、基体12の周面の一部から光ファイバ体17のコアレスファイバ9の部分をダイシングにより、光ファイバ体17を第1光ファイバ5(偏波保持ファイバ部7A’もしくはシングルモードファイバ部7A、グレイデッドインデックスファイバ部8A、コアレスファイバ部9A)、第2光ファイバ6(コアレスファイバ部9B、グレイデッドインデックスファイバ部8B、シングルモードファイバ部7B)のように分断するとともに、基体12の表面に凹部10を形成した。なお、凹部10は、第1光ファイバ5の端面15と第2光ファイバ6の端面16が露出する凹部10の側面は平面であり、また、その角度は光軸18に対して角度が100度になるように形成したため、第1光ファイバ5の端面15と第2光ファイバ6の端面16は、光軸18に対する角度θが100度になるように傾斜して形成されていることになる。
さらに、第1の偏光子2、ファラデー回転子3、第2の偏光子4からなる光アイソレータ素子1を凹部10内にUV熱併用型のアクリル系接着剤にて接着し、隙間に透光性充填材11としてエポキシ系の低TG(TG<−50度)の紫外線硬化型接着剤を充填した。第1の偏光子、および第2の偏光子は、大きさが0.3×0.4mm、厚みが0.2mmの銀粒子等の誘電体粒子を内包させたガラス基板で構成され、ファラデー回転子は、大きさが0.3mm×0.4mm、厚みが0.4mmのガーネット製のものを使用した。ここで、透光性充填材11の屈折率は1.48、コアレスファイバの屈折率は1.45であり、透光性充填材11のコアレスファイバ9に対する相対屈折率は1.03である。なお、光アイソレータ素子1は、光軸18に対して光アイソレータ素子1の光の入射面21の角度φが91.5度になるように配置した。
最後に、上記で作製した光アイソレータM1の入射光ファイバ13の端部に曲率半径10μmの先球91を形成した後に、入射光ファイバ13をLD112が収納されている筺体118に固定し、図9に示す光モジュールを作製した。
そして、得られた光モジュール(試料番号14〜21)について、以下のような振動試験を行い、出射光ファイバ14からの出力光の変動量を検証した。
まず、各光モジュールの光の出力パワーを光パワーメータにて読みとり、その後、各モジュールを振動試験にかけた。振動試験は、米国防総省規格MIL-STD-883 method2007の試験条件Aにて実施した。具体的には、光モジュールを単振動で振動させることができる振動板に取り付け、ピーク加速度が20g(gは重力加速度)となる単振動で振動させる。このとき、振動数は20〜2000Hzでほぼ対数的に変化させる。そして、20〜2000Hzまでの全振動数範囲の通過及び20Hzへの復帰は4分以上であることとし、このサイクルは、X、Y、Zの3方向に対して、各4回(計12回)振動させた。この振動試験の後、振動板から光モジュールを離脱し、光モジュールの出力パワーを再度読みとり、光の減衰量を測定した。結果を表2に示す。
Figure 2007058147
表2に示すように、本発明の第2の実施例(試料番号14〜17)は、第1光ファイバ5に偏波保持ファイバ部7A’を設けたため、光モジュールを振動させて第1光ファイバ5に外力が発生して位置ずれや曲げが生じても、光の偏波面の回転を抑制することが可能となった。これにより、第1偏光子2における光の吸収が低減され、出力光の変動が本発明の第3の実施例に比べて小さくすることができた。
本発明の光アイソレータを示すものであり、(a)は断面図、(b)は(a)のX−X’における横断面図である。 本発明の他の実施形態を示すものであり、(a)は断面図、(b)は(a)のX−X’における横断面図である。 本発明の光アイソレータを透過する光の態様を示す模式図である。 第1光ファイバから出射する光の態様を示す模式図である。 本発明の光アイソレータの製造工程を示す説明図である。 本発明の他の実施形態を示すものであり、(a)は断面図、(b)は(a)のX−X’における横断面図である。 本発明の他の実施形態を示すものであり、(a)は断面図、(b)は(a)のX−X’における横断面図である。 光ファイバの端面を示すものであり、(a)はシングルモードファイバ部の断面図、(b)は偏波保持ファイバ部の断面図である。 本発明の光アイソレータの構成と動作を説明する模式図である。 従来の光アイソレータを示す横断面図である。 従来の光アイソレータを透過する光の態様を示す模式図である。 従来の光アイソレータを示す横断面図である。 従来の光アイソレータを透過する光の態様を示す模式図である。 従来の光アイソレータの構成を説明する斜視図である。 従来の光アイソレータの構成と動作を説明する模式図である。
符号の説明
1・・・光アイソレータ素子
2・・・第1偏光子
3・・・ファラデー回転子
4・・・第2偏光子
5・・・第1光ファイバ
6・・・第2光ファイバ
7A、7B・・・シングルモードファイバ部
7A’、7B’・・・偏波保持ファイバ部
8A、8B・・・グレイテッドインデックスファイバ部
9A、9B・・・コアレスファイバ部
10・・・凹部
11・・・透過性充填材
12・・・基体
13・・・入射光ファイバ
14・・・出射光ファイバ
15、16・・端面
17・・・光ファイバ体
18・・・光軸
19・・・透過光
20・・・反射戻り光
21・・・入射面
22・・・出射面
31、32・・・境界面
81・・・クラッド
82・・・コア
83・・・応力付与部
84・・・スロー軸
85・・・ファースト軸
91・・・先球
111・・・PD(フォトダイオード)
112・・・LD(レーザーダイオード)
113・・・レンズ
114・・・光アイソレータ
115・・・レンズ
116・・・光ファイバ
117・・・LDモジュール
118・・・筺体
M1、M2・・・光アイソレータ

Claims (9)

  1. 第1光ファイバと、該第1光ファイバから導出される光が光学的に結合される第2光ファイバと、前記第1光ファイバと前記第2光ファイバとの間に、前記光の入射面が光軸に対して角度φで傾斜する光アイソレータ素子を備え、該光アイソレータ素子の前記入射面と対向する前記第1光ファイバの端面は、前記光軸に対して角度θで傾斜する平面部を含んで構成され、前記角度φと前記角度θとの間に、φ<θの関係が成り立つことを特徴とする光アイソレータ。
  2. 前記光アイソレータ素子の前記出射面と対向する前記第2光ファイバの端面は、前記光軸に対して角度θで傾斜する平面部を含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載の光アイソレータ。
  3. 前記角度φが90.5度〜92.0度であり、前記角度θが98.0度〜102.0度であることを特徴とする請求項1または2に記載の光アイソレータ。
  4. 前記第1光ファイバと前記第2光ファイバを内部で保持する基体を備え、
    該基体の表面に開口する凹部が設けられるとともに、前記基体の内部に、前記凹部に連通する一対の内孔が設けられ、該一対の内孔に前記第1光ファイバおよび前記第2光ファイバを嵌挿した上、前記凹部の底面に前記光アイソレータ素子を配置したことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光アイソレータ。
  5. 前記第1光ファイバおよび/または前記第2光ファイバは、シングルモードファイバ部、グレーデットインデックスファイバ部、を備え、
    前記光アイソレータ素子側から、グレーデットインデックスファイバ部、シングルモードファイバ部の順で構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光アイソレータ。
  6. 前記第1光ファイバおよび前記第2光ファイバはそれぞれグレーデットインデックスファイバ部を備え、
    前記第1光ファイバは、光の入射側に第1偏波保持ファイバ部をさらに備えて構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光アイソレータ。
  7. 前記第2光ファイバは、光の出射側に第2偏波保持ファイバ部をさらに備えて構成されていることを特徴とする請求項6に記載の光アイソレータ。
  8. 前記第1光ファイバおよび/または前記第2光ファイバは、前記光アイソレータ素子側にコアレスファイバ部をさらに備えることを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の光アイソレータ。
  9. 前記第1偏波保持ファイバ部および/または前記第2偏波保持ファイバ部は、その一端を前記基体の端面から突出させた上、前記基体の内部に保持されることを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の光アイソレータ。
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