JP2006323218A - 光電気混載基板、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
製造を容易に行えるとともに、製造コストを低減することができる光電気混載基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
光電気混載基板１は、プリント基板１０と、プリント基板１０上に設けられた金属層２から形成される電気回路２０と、プリント基板１０上に形成される第１クラッド層３ａ、プリント基板１０と反対側の第１クラッド層３ａの面に形成されるコア層３ｂ、少なくとも第１クラッド層３ａと反対側のコア層３ｂの面を覆う第２クラッド層３ｃからなる光回路用の光導波路３とを備え、光導波路３と光電気混載基板１に実装されるレーザーチップ４との間の光路を形成する光路変換ミラー用の傾斜面Ｒが金属層２の延出部２ａに形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、光回路と電気回路とを同一基板に混在して設けた光電気混載基板、及びその製造方法に関する。

近年、通信インフラの急速な広帯域化、コンピュータ等の情報処理能力の飛躍的な増大などに伴なって、非常に高速な情報伝送路を有する情報処理回路へのニーズが高まっている。このような背景のもと、電気信号の伝送速度限界を突破する一つの手段として、光信号による伝送が考えられており、電気回路に光回路を混載することが種々検討されている。

このような光回路と電気回路とを混載した光電気混載基板の製造方法は、たとえば、特許文献１や、特許文献２に開示されている。

特許文献１に記載の製造方法は、図６（ａ）に示すように、電気回路を形成するための金属層１００、光導波路の第１クラッド層１０１、感光性透明樹脂からなる感光層１０２を順次積層してなる積層物を出発材料として用いており、コアパターン形成工程と、光路変換ミラー形成工程と、第２クラッド層形成工程と、接着工程と、電気回路形成工程との各工程を経て光電気混載基板が形成される。

ここで、コアパターン形成工程は、図６（ｂ）に示すように、紫外線露光によりコア層用のマスクパターンを感光層１０２に転写する工程である。ここで、感光層１０２の露光部１０２ａが光導波路のコア層となり、感光層１０２の非露光部１０２ｂが後の工程において除去される。光路変換ミラー形成工程は、図６（ｃ）に示すように、回転ブレード等を用いて感光層１０２の露光部１０２ａと非露光部１０２ｂの境界部分をＶ字型に切断してＶ字溝１０３を形成た後に、このＶ字溝１０３に臨む露光部１０２ａの傾斜端面Ｍに光路変換ミラー（偏向ミラー）となる反射膜（図示せず）を形成する工程である。このような反射膜は、蒸着法やスパッタ法等の真空成膜法で形成される。第２クラッド層形成工程は、図６（ｄ）に示すように、現像によって感光層１０２の非露光部１０２ｂを除去した後に、感光層１０２の露光部１０２ａを覆う第２クラッド層１０４を形成する工程である。この工程により第１クラッド層１０１と、露光部１０２ａからなるコア層と、第２クラッド層１０４とを有する光導波路が形成された積層物１０５が得られる。接着工程は、図６（ｅ）に示すように、絶縁基板１０６ａと、絶縁基板１０６ａ上に形成された銅箔等の金属層１０６ｂとを有する電気配線板１０６に、第１〜第４工程により得られた積層物１０５を、接着剤１０７を用いて接着する工程であり、この接着は次のようにして行われる。すなわち、第２クラッド層１０４が下方に位置するように積層物１０５の上下（表裏）を反転した後に、接着剤１０７を用いて第２クラッド層１０４を電気配線板１０６の金属層１０６ｂに接着することで行われる。電気回路形成工程は、図６（ｆ）に示すように、金属層１００をパターニングして電気回路を形成するとともに、偏向ミラーＭの上方に位置する金属層１００を除去して、光信号の入出力口Ｈを形成する工程であり、これにより光電気混載基板が完成する。

一方、特許文献２に記載の製造方法は、予め電気回路が形成された基板（図示せず）を出発材料として用いており、光導波路形成工程と、光路変換ミラー形成工程との各工程を経て光電気混載基板が形成される。

ここで、光導波路形成工程は、図７（ａ）に示すように、基板（図示せず）上に第１クラッド層２００と、コア層２０１と、第２クラッド層２０２を順次積層する工程であり、この工程により基板上に光回路用の光導波路が形成される。また、光路変換ミラー形成工程は、図７（ｂ）に示すように、光導波路の所定の箇所を掘削して、コア層２０１の端部を露出させるとともに、このコア層２０１の端部と対向する第２クラッド層２０２の部位に光路変換ミラーとなる傾斜面２０２ａを形成する工程である。
特開２００４−３４１４５４号公報（第１図） 特開平１０−３００９６１号公報（第９図）

前者の特許文献１の光電気混載基板では、図６（ｆ）に示すように、光電気混載基板の下方に向いた露光部１０２ａの傾斜端面Ｍに反射膜を形成しているが、このような反射膜を傾斜端面Ｍに形成するためには、反射膜の形成時に、図６（ｃ）に示すように露光部１０２ａの上下を反転させて傾斜端面Ｍを上方に向けておくことが必要である。

つまり、特許文献１では、光路変換ミラーとなる反射膜を形成するまでは、完成状態に対して上下が反転した状態のままで製造作業を行わなければならず、たとえば、出発材料がフィルムのような剛性のない材料である場合は、取扱いが難しく、作業性が非常に悪かった。一方、出発材料の仮支持用の支持体（ＳＵＳ板等）を用いることで作業性を向上させることが可能であったが、このような支持体を用いると、次に述べるような製造上の問題が生じていた。すなわち、支持体は製造コストに重畳されるだけでなく、支持体から出発材料を剥離する作業等によって製品の歩留りが低下するおそれがあり、このような歩留りの低下を防止するために出発材料の支持体への仮着に様々な工夫を施す必要があり、光電気混載基板の製造が困難なものになっていた。

これに対して後者の特許文献２では、コア層２０１の端面と対向する第２クラッド層２０２の部位に光路変換ミラーとなる傾斜面２０２ａを形成しているため、上記の特許文献１のように上下を反転させる必要がなくなり、これにより出発材料が剛性のない材料であっても作業性が損なわれることがない。

この特許文献２は、第２クラッド層２０２の傾斜面２０２ａを光路変換ミラーとして用いるために、屈折率差に起因する反射（フレネル反射）を利用しているので、特許文献２の光電気混載基板では、第２クラッド層２０２とコア層２０１との間に隙間が設けられており、この隙間により光信号が出射するコア層２０１の端面での屈折も大きくなる。そのため、コア層２０１から出射する光信号の進行方向は、前記端面の面方向に大きく依存し、コア層２０１形成時の誤差によっては、所望の位置に光信号を伝達させることができなくなるおそれがある。

この問題を解決するために、特許文献２では、第２クラッド層２０２の傾斜面２０２ａのみに金を蒸着して反射膜を形成するとともに、第２クラッド層２０２とコア層２０１との間にコア層２０１と屈折率が略等しい樹脂を充填した例が示されている。この例では、樹脂を充填したことによってコア層２０１の端面でのフレネル反射を低減できるので、上記の問題を解決できるとともに、第２クラッド層２０２とコア層２０１との隙間に塵や埃が入って光信号の強度が減衰することも防止できる。

しかしながら、上記の例は、フレネル反射を利用しないようにしているので、第２クラッド層２０２の傾斜面２０２ａに反射膜を形成することが必須となり、この反射膜を形成する際には、傾斜面２０２ａの近傍に位置するコア層２０１の端面に反射膜の材料が一切付着しないように傾斜面２０２ａのみに均一に反射膜を形成しなければならず、このような作業は非常に困難なものであった。

つまるところ、以上述べた特許文献１，２では、光電気混載基板の製造を容易に行うことができなかった。

本発明は上述の点に鑑みて為されたもので、その目的は、製造を容易に行えるとともに、製造コストを低減することができる光電気混載基板、及びその製造方法を提供することである。

上記の課題を解決するために、請求項１の光電気混載基板の発明では、プリント基板と、プリント基板上に設けられた金属層から形成される電気回路と、プリント基板上に形成される第１クラッド層、プリント基板と反対側の第１クラッド層の面に形成されるコア層、及び少なくとも第１クラッド層と反対側のコア層の面に形成される第２クラッド層からなる光導波路とを備え、光導波路と光導波路外との間の光路を形成する光路変換ミラー用の傾斜面が前記金属層の一部に形成されていることを特徴とする。

請求項１の光電気混載基板の発明によれば、光路変換ミラー用の傾斜面を金属層の一部に形成しているので、高い反射率を有する傾斜面を得ることができる。そのため、傾斜面に銀等を用いて反射膜を形成しなくても、傾斜面を光路変換ミラーとして用いることができ、これにより特に光路変換ミラーの反射面を形成するためだけに追加される工程及び材料が不要になるから、上述の従来例に比べて製造を容易に行え、かつ製造コストを低減することができる。さらに、従来から一般的に用いられているプリント基板上に光導波路を設けるとともに、プリント基板の金属層に傾斜面を設けるだけの簡単な構成であるから、汎用的な設備で光電気混載基板の製造を行え、これにより光電気混載基板用の設備投資を抑えて、安価な光電気混載基板を提供することができる。

請求項２の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項１に記載の光電気混載基板の製造方法であって、プリント基板上に設けられた金属層から電気回路を形成するとともに金属層の一部に光路変換ミラー用の傾斜面を形成する第１工程と、第１工程の後に光導波路の第１クラッド層を形成する第２工程と、第２工程の後に光導波路のコア層を形成する第３工程と、第３工程の後に光導波路の第２クラッド層を形成する第４工程とを含んでいることを特徴とする。

請求項２の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、請求項１の光電気混載基板を得ることができ、しかも、製造時に出発材料であるプリント基板の上下（表裏）を反転させる工程を含んでいないので、作業性が悪化することがなく、また、支持体が必要なくなるから、支持体を用いることによる製造上の問題も生じることがない。

請求項３の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２に加えて、第１工程は、光路変換ミラー用の傾斜面を形成する前に、金属層の厚みが所望の厚みとなるように金属層にめっき処理を行う工程を含んでいることを特徴とする。

請求項３の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、金属層にめっき処理を行うことによって金属層を所望の厚みとなるまで厚くしているので、所望の高さ寸法を有する光路変換ミラー用の傾斜面を得ることができる。

請求項４の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２又は３の構成に加えて、第１工程において、光路変換ミラー用の傾斜面を、金属層の一部をダイシングソーで切削除去することで形成することを特徴とする。

請求項４の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、ダイシングソーで切削除去することで傾斜面を形成することにより、傾斜面の形成位置、傾斜角度ともに非常に高精度で、かつ高平坦な傾斜面を得ることができる。

請求項５の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２又は３の構成に加えて、第１工程において、光路変換ミラー用の傾斜面を、金属層の一部をレーザー照射することで形成することを特徴とする。

請求項５の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、レーザー照射により傾斜面を形成することにより、傾斜面の形成位置、傾斜角度ともに非常に高精度で、かつ高平坦な傾斜面を得ることができる。

請求項６の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項４又は５の構成に加えて、第１工程は、金を最表面に有するめっき層を光路変換ミラー用の傾斜面に形成する工程を含んでいることを特徴とする。

請求項６の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、環境的に安定で、良好な反射率を有する金を最表面に有するめっき層を傾斜面の表面に形成しているので、経時劣化することのない光路変換ミラーを得ることができる。また、光路変換ミラー用の傾斜面を有する金属層を電極として用いることができるので、めっき処理も容易に行える。

請求項７の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２〜６のいずれか１項の構成に加えて、第２工程において、第１クラッド層を、液状の感光性樹脂をプリント基板に塗布した後に、フォトリソグラフィ法により前記感光性樹脂を所望の形状として形成することを特徴とする。

請求項７の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、第１クラッド層の材料として液状の感光性樹脂を用いているので、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスティング法等の塗布方法を採用することができ、しかもフォトリソグラフィ法を用いているので、第１クラッド層を容易に所望の形状に形成することができる。

請求項８の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２〜７のいずれか１項の構成に加えて、第３工程において、コア層を、プリント基板と反対側の第１クラッド層の面に液状の感光性樹脂を塗布した後に、フォトリソグラフィ法により前記感光性樹脂を所望の形状として形成することを特徴とする。

請求項８の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、コア層の材料として液状の感光性樹脂を用いているので、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスティング法等の塗布方法を採用することができ、しかもフォトリソグラフィ法を用いているので、コア層を容易に所望の形状に形成することができる。

請求項９の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２〜７のいずれか１項の構成に加えて、第３工程において、コア層を、プリント基板と反対側の第１クラッド層の面に液状の樹脂をスクリーンマスクを用いて所望の形状に塗布して形成することを特徴とする。

請求項９の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、液状の樹脂をスクリーンマスクを用いて所望の形状に塗布することでコア層を形成しているので、フォトリソグラフィ法によりコア層を形成する場合に比べて投影露光装置を用いなくて済むとともに現像工程が必要なくなる。そのため、コア層の形成を容易且つ安価に行え、しかも生産性を向上することができる。

請求項１０の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２〜７のいずれか１項の構成に加えて、第３工程において、コア層を、プリント基板と反対側の第１クラッド層の面に感光性樹脂製のフィルム材をラミネート加工した後に、フォトリソグラフィ法により前記フィルム材を所望の形状として形成することを特徴とする。

請求項１０の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、ラミネータのような簡易な装置を用いてコア層を形成することができるので、液状の樹脂を用いてコア層を形成する場合に比べて作業性を向上できるとももに、製造コストを低減することができる。また、フォトリソグラフィ法を用いているので、コア層を容易に所望の形状に形成することができる。

請求項１１の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２〜１０のいずれか１項の構成に加えて、第４工程において、第２クラッド層を、液状の樹脂を用いて形成することを特徴とする。

請求項１１の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、第２クラッド層の材料として液状の樹脂を用いているので、光路変換ミラーで垂直上方に偏向された光信号が、極めて短い距離で第２クラッド層を通過できるように第２クラッド層を薄く塗布することができ、これにより第２クラッド層での光信号の損失を極めて小さくすることができる。しかもこのような第２クラッド層の形成を容易に行うことができる。

請求項１２の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項１１の構成に加えて、前記液状の樹脂は感光性樹脂であり、第２クラッド層を、少なくとも第１クラッド層と反対側のコア層の面に前記液状の樹脂を塗布した後に、フォトリソグラフィ法により前記液状の樹脂を所望の形状として形成することを特徴とする。

請求項１２の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、第２クラッド層の材料として液状の感光性樹脂を用いているので、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスティング法等の塗布方法を採用することができ、しかもフォトリソグラフィ法を用いているので、第２クラッド層を容易に所望の形状に形成することができる。

請求項１３の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項２〜１０のいずれか１項の構成に加えて、第４工程において、第２クラッド層を、フィルム材を少なくとも第１クラッド層と反対側のコア層の面にラミネート加工することで形成することを特徴とする。

請求項１３の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、ラミネータのような簡易な装置を用いて第２クラッド層を形成することができるので、液状の樹脂を用いる場合に比べて作業性を向上できるとももに、製造コストを低減することができる。

請求項１４の光電気混載基板の製造方法の発明では、請求項１３の構成に加えて、前記フィルム材は感光性樹脂製であり、第２クラッド層を、少なくとも第１クラッド層と反対側のコア層の面に前記フィルム材をラミネート加工した後に、フォトリソグラフィ法により前記フィルム材を所望の形状として形成することを特徴とする。

請求項１４の光電気混載基板の製造方法の発明によれば、ラミネータのような簡易な装置を用いて第２クラッド層を形成することができるので、液状の樹脂を用いる場合に比べて作業性を向上できるとももに、製造コストを低減することができる。また、フォトリソグラフィ法を用いているので、第２クラッド層を容易に所望の形状に形成することができる。

このような構成の光電気混載基板は、光路変換ミラー用の傾斜面を金属層の一部に形成しているので、高い反射率を有する傾斜面を得ることができるため、傾斜面に銀等を用いて反射膜を形成しなくても、傾斜面を光路変換ミラーとして用いることができ、これにより特に光路変換ミラーの反射面を形成するためだけに追加される工程及び材料が不要になるから、製造作業を容易に行え、かつ製造コストを低減することができるという効果がある。

また、このような構成の光電気混載基板の製造方法は、従来から一般的に用いられているプリント基板上に光導波路を構成する各層を積層するとともに、プリント基板の金属層に傾斜面を設けるだけで光電気混載基板を得ることができるから、汎用的な設備で光電気混載基板の製造を行え、これにより光電気混載基板用の設備投資を抑えて、安価な光電気混載基板を提供することができるという効果がある。

以下に、本発明の実施形態について図１〜図５を用いて説明する。

（実施形態１）
本発明の光電気混載基板１は、図１（ｂ）に示すように、プリント基板１０と、プリント基板１０上に設けられた金属層２から形成される電気回路２０と、プリント基板１０上に形成される第１クラッド層３ａ、プリント基板１０と反対側の第１クラッド層３ａの面に形成されるコア層３ｂ、少なくとも第１クラッド層３ａと反対側のコア層３ｂの面を覆う第２クラッド層３ｃからなる光回路用の光導波路３とを備え、光導波路３と光電気混載基板１に実装されるレーザーチップ４との間の光路を形成する光路変換ミラー用の傾斜面Ｒが金属層２の延出部２ａに形成されている。

ここで、光電気混載基板１に実装されるレーザーチップ４としては、レーザーの発光点径が約１０μｍφ、発光波長が８５０ｎｍ、発光強度が２．５ｍＷの面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）チップが用いられる。このレーザーチップ４は、たとえば、底面が一辺４８０μｍの正方形、高さが２００μｍである直方体形状のものであり、底面にレーザーの発光点（ビームスポット）４ａと、電極（図示せず）とが設けられている。

次に、上記の光電気混載基板１の製造方法について説明する。この光電気混載基板１の製造方法は、図２に示す第１工程と、図３に示す第２工程と、図４に示す第３工程と、図５に示す第４工程の計４つの工程で構成されている。

第１工程は、プリント基板１０に設けられた金属層２から、図２（ａ），（ｂ）に示すような上記レーザーチップ４実装用の回路（実装ランドパターン）を含む電気回路２０を形成する回路形成工程と、金属層２の延出部２ａに光路変換ミラー用の傾斜面Ｒを形成する傾斜面形成工程とからなる。

回路形成工程では、両面に厚み３５μｍの銅箔からなる金属層２が設けられた厚み１．６ｍｍのガラスエポキシ基板（ＮＥＭＡ記号、ＦＲ−４）等のプリント基板（電気配線板）１０に次のようにして電気回路２０が形成される。まず、プリント基板１０の金属層２の上面（表面）に感光性ドライフィルム（図示せず）を貼り付け、さらに感光性ドライフィルムの上面に電気回路２０用のパターンマスク（図示せず）を密着させる。次に、この状態で紫外線露光を行い、この後に現像して感光性ドライフィルムの紫外線で露光された部位以外を除去する。最後に、塩化第二鉄溶液を用いて金属層２のドライフィルムで覆われた部位以外を除去し、これにより図２（ａ）に示すような電気回路２０が形成される。この電気回路２０は、レーザーチップ４をフリップチップ実装するための実装ランドパターンを有しており、この実装ランドパターンは、たとえば幅６５μｍのフリップチップ実装用の電極を、最小ピッチ６５μｍで複数配置したものである。また、この電気回路２０の一部（金属層２の一部）には、レーザーチップ４の発光点４ａ（図１（ａ）参照）と対向するプリント基板１０上の部位Ｐまで延出する延出部２ａを設けている。

傾斜面形成工程では、図２（ｂ）に示すような電気回路２０の延出部２ａの一部をダイシングソーにより切削除去して、図２（ｃ）に示すような光路変換ミラー用の傾斜面Ｒの形成を行う。ここで、ダイシングソーのブレード５としては、刃先の断面が頂角約９０°のＶ字形で、粒度（研粒度）が♯４０００、幅が１００μｍである両刃のブレード（たとえばダイヤモンドブレード）を用いている。そして、ダイシングソーを、回転数１５０００ｒｐｍ、切込み速度０．０３ｍｍ／ｓの条件下で動作させることで、図２（ｃ）に示すように、基板１０の上面に対する角度αが約４５°となった傾斜面Ｒを形成する。この傾斜面Ｒが形成される金属層２を構成する材料は、一般に高い反射率を有する銅であるから、傾斜面Ｒは、高い反射率を有することになる。

第２工程は、第１工程の後に、図３に示す光導波路３の第１クラッド層３ａを形成する工程である。ここで、第１クラッド層３ａの材料としては液状の樹脂、たとえば、東都化成（株）製「ＢＰＡＦ−ＤＧＥ」１００質量部と、大日本インキ化学工業（株）製「Ｂ６５０」６６質量部と、サンアプロ（株）製「ＳＡ−１０２」２質量部との配合物からなる熱硬化性エポキシ樹脂を用いている。そして、第１クラッド層３ａは、次のようにして形成される。まず、上記の熱硬化性エポキシ樹脂を、図３に示すように、スピンコート法によって基板１０及び電気回路２０の上面全面を覆うように塗布する。この後に、１５０℃で１時間加熱キュア（硬化）することで、屈折率１．５１の第１クラッド層３ａが得られる。また、この第１クラッド層３ａは、少なくともコア層３ｂが積層される部位の厚みが５μｍとなるように形成される。

第３工程は、第２工程の後に、図４（ａ），（ｂ）に示すように、傾斜面Ｒで反射されたレーザーチップ４の光信号が入射する位置に光導波路３のコア層３ｂを形成する工程である。ここで、コア層３ｂの材料としては液状の感光性樹脂、たとえば、ダイセル化学工業（株）製「ＥＨＰＥ−３１５０」を主成分とした液状のエポキシ樹脂配合物に、ローディアジャパン（株）製「ロードシル・フォトイニシエータ２０７４」を２％添加してなる感光性エポキシ樹脂を用いている。そして、コア層３ｂは、次のようにして形成される。まず、上記の感光性エポキシ樹脂を、プリント基板１０と反対側の第１クラッド層３ａの面（図４（ｂ）における上面）に、スピンコート法によって厚みが３６μｍとなるように塗布する。次に、フォトリソグラフィ法により感光性エポキシ樹脂を所望の形状とするのであるが、この作業は、投影露光装置を用いて所望の部分のみに１０Ｊ／ｃｍ^２のエネルギー量の紫外線を照射して紫外線硬化させ、非硬化部分をアセトンによって洗い流すことで行われる。この後に、１５０℃で１時間加熱キュア（硬化）することで、屈折率１．５３、厚み３６μｍのコア層３ｂが得られる。

第４工程は、第３工程の後に、図５に示す光導波路３の第２クラッド３ｃを形成する工程である。ここで、第２クラッド層３ｃの材料としては上記の第１クラッド層３ａと同様の熱硬化性エポキシ樹脂を用いている。そして、第２クラッド層３ｃは、次のようにして形成される。まず、上記の熱硬化性エポキシ樹脂を、図５に示すように、スピンコート法によって第１クラッド層３ａと反対側のコア層３ｂの面（図５における上面）を含む第１クラッド層３ａとコア層３ｂの全面に塗布する。この後に、１５０℃で１時間加熱キュア（硬化）することで、屈折率１．５１の第２クラッド層３ｃが得られる。また、第２クラッド層３ｃは、少なくともコア層３ｂに積層される部位の厚みが１０μｍとなるように形成されている。この工程により第１クラッド層３ａと、コア層３ｂと、第２クラッド層３ｃとを有する光導波路３が形成されるとともに、光電気混載基板１が完成する。

上記の第１工程〜第４工程を経て形成された光電気混載基板１は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、レーザーチップ４とともに用いられる。ここで、レーザーチップ４は、次のようにして光電気混載基板１に実装される。まずレーザーチップ４の実装の前準備として、波長２４８ｎｍのエキシマレーザを用いてレーザーチップ４の実装位置の第１クラッド層３ａ及び第２クラッド層３ｃを除去し、図１（ｂ）に示すように電気回路２０の実装ランドパターンにレーザーチップ４の電極（図示せず）を電気的に接続するためのホール６を形成する。そして、このホール６及び金バンプ等のバンプ７を用いてレーザーチップ４を光電気混載基板１にフリップチップ実装するのである。そして、上記のレーザチップ４に加えて、その他必要な電子部品を光電気混載基板１に搭載することで、光電気混載モジュールが完成する。

このようにして形成された光電気混載モジュールでは、図１（ｂ）に示すように、レーザーチップ４の発光点４ａから出射されたレーザーからなる光信号が、傾斜面Ｒにより反射されて進行方向が約９０°曲げられ、光導波路３のコア層３ｂに入射するようになっている。つまり、この傾斜面Ｒが、光導波路３と光導波路外（本実施形態ではレーザーチップ４）との間の光路を形成する光路変換ミラーとなっている。

以上述べた本実施形態の光電気混載基板によれば、光路変換ミラー用の傾斜面Ｒを金属層２の一部である延出部２ａに形成しているので、高い反射率を有する傾斜面Ｒを得ることができる。そのため、傾斜面Ｒに銀等を用いて反射膜を形成しなくても、傾斜面Ｒを光路変換ミラーとして用いることができ、これにより特に光路変換ミラーの反射面を形成するためだけに追加される工程及び材料が不要になるから、上述の従来例に比べて製造作業を容易に行え、かつ製造コストを低減することができる。また、傾斜面Ｒとコア層３ｂの端面との隙間が、第１クラッド層３ａ及び第２クラッド層３ｂを構成する樹脂によって充填されているので、コア層３ｂの端面でのフレネル反射を低減することができるとともに、このような隙間に塵や埃が入って光信号の強度が減衰してしまうことを防止できる。

しかも、従来から一般的に用いられているプリント基板１０上に光導波路３を構成する各層３ａ〜３ｃを積層（ビルドアップ）するとともに、傾斜面Ｒを設けるだけで光電気混載基板１を得ることができるから、汎用的な設備で光電気混載基板の製造を行え、これにより光電気混載基板用の設備投資を抑えて、安価な光電気混載基板を提供することができる。加えて、この光電気混載基板１では、プリント基板１０の金属層２を光導波路３により覆っているので、この光導波路３が金属層２の絶縁皮膜、及び保護皮膜となり、これによりソルダーレジスト等の絶縁皮膜を別途設ける必要が無くなり、さらなる製造コストの低減を図ることができる。

また、本実施形態の光電気混載基板の製造方法では、出発材料であるプリント基板１０の上下を反転させる工程を含んでいないので、作業性が悪化することがなく、また、支持体が必要なくなるから、支持体を用いることによる製造上の問題も生じることがない。

さらに、第１工程において、光路変換ミラー用の傾斜面Ｒは、金属層２の延出部２ａの一部をダイシングソーで切削除去することで形成されているので、傾斜面Ｒの形成位置、傾斜角度αともに非常に高精度（たとえば、形成位置の誤差が数μｍ以下で、傾斜角度の誤差が±１°以内である）な傾斜面Ｒを形成することができる。しかも、ブレード５の粒度（研粒度）を最適な値（上記例では♯４０００）としているので、高平坦な傾斜面Ｒを得ることができる。尚、ブレード５は、刃先の断面が頂角約９０°のＶ字形である両刃のものに限られるものではなく、刃先の断面が頂角約４５°のレ字形である片刃のものであってもよく、状況に応じて好適なものを用いることができる。

加えて、第３工程では、コア層３ｂの材料として感光性エポキシ樹脂のような液状の感光性樹脂を用いているので、上記のスピンコート法に加えて、スプレーコート法、バーコート法、キャスティング法等の塗布方法を採用することができ、しかもフォトリソグラフィ法を用いているので、コア層３ｂを容易に所望の形状に形成することができる。

また、第４工程では、第２クラッド層３ｃの材料として熱硬化性エポキシ樹脂のような液状の樹脂を用いているので、光路変換ミラーで垂直上方に偏向された光信号や、レーザチップ４等から光路変換ミラーへ向かう光信号等が、極めて短い距離で第２クラッド層３ｃを通過できるように第２クラッド層３ｃを薄く塗布することができる。そのため、第２クラッド層３ｃでの光信号の損失を極めて小さくすることができ、これにより光導波路３による光結合の効率を向上できる。しかもこのような第２クラッド層３ｃ用の液状の樹脂をスピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスティング法等の塗布方法を用いることで容易に形成することができる。

以上述べた本実施形態の光電気混載基板１では、プリント基板１０の上面側についてのみ言及しているが、下面側についても同様の構成とすることができるのは勿論である。

（実施形態２）
本実施形態の光電気混載基板の製造方法は、第１工程中に傾斜面Ｒにめっき層を形成する保護層形成工程を設けたことに特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。

すなわち、本実施形態の第１工程は、プリント基板１０に設けられた金属層２からレーザーチップ４実装用の回路を含む電気回路２０を形成する回路形成工程と、金属層２の延出部２ａに光路変換ミラー用の傾斜面Ｒを形成する傾斜面形成工程と、傾斜面Ｒにめっき層を形成する保護層形成工程とからなる。

そして、保護層形成工程では、金を最表面に有するめっき層を傾斜面Ｒの表面に形成する。このようなめっき層は、電解めっき法等を用いて形成することができ、傾斜面Ｒの表面に厚み約５μｍのニッケルめっき層を形成するとともに、ニッケルめっき層の表面に厚み１μｍ以下の金めっき層を形成することで得ることができる。しかも、このめっき処理時には、傾斜面Ｒが設けられている金属層２を電極として用いることができるから、めっき処理を非常に容易に行うことができる。

したがって、本実施形態によれば、環境的に安定で、金属層２を形成する銅と同等の反射率を有する金を最表面に有するめっき層を傾斜面Ｒの表面に形成しているので、このめっき層の最表面となる金めっき層の表面が光路変換ミラーの反射面となる。そのため、実施形態１のように、酸化しやすく、ミラー性能（反射率）が経時劣化する可能性がある銅からなる傾斜面Ｒを光路変換ミラーとして用いる場合に比べて、経時劣化することのない光路変換ミラーを得ることができる。しかも、このようなめっき層は、通常のプリント基板で用いられるめっき処理工程によって形成することができ、これにより特に光路変換ミラーの反射面を形成するためだけに追加される工程及び材料が不要になるから、上述の従来例に比べて製造作業を容易に行え、かつ製造コストを低減することができる。

尚、このめっき層は、上記のニッケルめっき層と金めっき層とからなるものに限られず、単に金めっき層のみからなるものとしてもよいが、傾斜面Ｒとの密着力や、機械的強度、製造コスト、さらには通常の電気回路形成工程と同様のめっき処理工程（つまりはニッケルめっき層を形成した後に金めっき層を形成するめっき処理工程）を利用できる点を考えると、バッファ層となるニッケルめっき層と、金めっき層とからなるものを用いるほうが好ましい。

（実施形態３）
ところでプリント基板１０上に設けられる銅箔からなる金属層２は、一般に厚みが１０〜３５μｍのものであるから、このような金属層２の一部を用いて形成される光路変換ミラー用の傾斜面の高さも１０〜３５μｍに限られることになる。そのため、上記実施形態１，２の光電気混載基板では、光路変換ミラーに所望の高さ寸法が得られない場合があった。

本実施形態の光電気混載基板の製造方法は、上記の問題を解決するためのものであり、特に、第１工程中にプリント基板１０の金属層２の厚みが所望の厚みとなるように金属層２にめっき処理を行う工程を有していることに特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。

すなわち、本実施形態の第１工程は、光路変換ミラー用の傾斜面Ｒを形成する前に、金属層２の厚みが所望の厚みとなるように金属層２にめっき処理を行うめっき処理工程を有している。このめっき処理工程は、たとえば、電解めっき法等を用いて厚み３５μｍの銅箔からなる金属層２上に厚みが約４５μｍの銅めっき層を均一に形成する工程であり、これにより金属層２の厚みが８１μｍとなるようにしている。そして、このようにして厚みを増した金属層２に光路変換ミラー用の傾斜面Ｒを形成することで、所望の高さを有する光路変換ミラーを得ることができるのである。尚、金属層２上に形成するめっき層は、金属層２と同じ材料を用いて形成することが好ましい。

また、本実施形態では、金属層２の厚みの増加に伴なって、コア層を形成する第３工程において、コア層の厚みが金属層２の厚みと等しい８１μｍとなるようにしている。

したがって、本実施形態によれば、金属層２にめっき処理を行うことによって金属層２を所望の厚みとなるまで厚くしているので、所望の高さ寸法を有する光路変換ミラー用の傾斜面Ｒを得ることができる。

（実施形態４）
本実施形態の光電気混載基板の製造方法は、特に、第１工程中の傾斜面形成工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。

すなわち、傾斜面形成工程は、電気回路２０の延出部２ａの一部をレーザー照射することにより光路変換ミラー用の傾斜面Ｒの形成を行う工程である。たとえば、波長２５５ｎｍのＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）第４高調波レーザーを用いてアブレーション加工することで延出部２ａに傾斜面Ｒの形成を行うことができる。さらに詳しく説明すると、レーザー照射部に窒素ガスを１０Ｌ／ｍｉｎで吹き付けながら、エネルギーが１０ｍＷの集光レーザーを３００ｍｍ／ｍｉｎで走査するとともに、照射位置によって照射エネルギーを変えることにより、基板１０の上面に対する角度αが約４５°となった傾斜面Ｒを得ることができるのである。

このようなレーザー照射による加工の位置精度は、レーザーの照射ステージの精度で決まるが、このような照射ステージは、一般に、数μｍ程度の誤差の高精度な位置精度を有するものであるから、高精度な位置決め加工を行うことができる。

したがって、本実施形態によれば、レーザー照射を行うことにより、傾斜面Ｒの形成位置、傾斜角度αともに非常に高精度で、かつ高平坦な傾斜面Ｒを得ることができる。尚、上記の例では、ＹＡＧレーザーを用いているが、エキシマレーザーを用いてもよく、状況に応じて好適なものを使用すればよい。

（実施形態５）
本実施形態の光電気混載基板の製造方法は、第２工程及び第４工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。

すなわち、本実施形態の第２工程は、第１工程の後に、光導波路３の第１クラッド層３ａを形成する工程であり、第１クラッド層３ａを、プリント基板１０に液状の感光性樹脂を塗布した後に、フォトリソグラフィ法により前記感光性樹脂を所望の形状として形成する。ここで、第１クラッド層３ａの材料としては液状の感光性樹脂、たとえば、光硬化性エポキシ樹脂（Electronic Materials,Inc.製「オプトキャスト３５０５」等）を用いている。

そして、第１クラッド層３ａは、次のようにして形成される。まず、上記の光硬化性エポキシ樹脂を、スピンコート法によって基板１０及び電気回路２０の表面全面に約５μｍの厚みとなるように塗布する。次に、フォトリソグラフィ法により感光性エポキシ樹脂を所望の形状とするのであるが、この作業は、投影露光装置を用いて、傾斜面Ｒ上の部位と、コア層３ｂが形成される部位と、これらを連結する部位とにエネルギー量が２Ｊ／ｃｍ^２であるような紫外線を照射して紫外線硬化させ、非硬化部分をアセトンによって洗い流すことで行われる。この後に、８０℃で１時間加熱キュア（硬化）することで、屈折率１．５２の第１クラッド層３ｂが得られる。

また、本実施形態の第４工程は、第３工程の後に、光導波路３の第２クラッド層３ｃを形成する工程であり、第２クラッド層３ｃを、プリント基板１０に液状の感光性樹脂を塗布した後に、フォトリソグラフィ法により前記感光性樹脂を所望の形状として形成する。ここで、第２クラッド層３ｃの材料としては上記第１クラッド層３ａと同様の液状の感光性樹脂を用いている。

そして、第２クラッド層３ｃは、次のようにして形成される。まず、上記の光硬化性エポキシ樹脂を、スピンコート法によって第１クラッド層３ａ及びコア層３ｂの上面を含むプリント基板１０の上面全面を覆うとともに約１０μｍの厚みとなるように塗布する。次に、フォトリソグラフィ法により感光性エポキシ樹脂を所望の形状とするのであるが、この作業は、投影露光装置を用いて、光電気混載基板１に実装するレーザーチップ４等の電子部品と電気回路２０とを電気的に接続するためのホールを形成する部分を除いた部分に紫外線を照射して紫外線硬化させ、非硬化部分をアセトンによって洗い流すことで行われる。この後に、８０℃で１時間加熱キュア（硬化）することで、屈折率１．５２の第２クラッド層３ｃが得られる。

本実施形態によれば、各クラッド層３ａ，３ｃの材料として液状の感光性樹脂を用いているので、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスティング法等の塗布方法を採用することができる。しかもフォトリソグラフィ法を用いているので、電気回路２０の一部を露出させたり、プリント基板１０上の必要な部位にのみ各クラッド層３ａ，３ｃを形成する等、各クラッド層３ａ，３ｃを容易に所望の形状に形成することができる。

特に、本実施形態では、第１クラッド層３ａを傾斜面Ｒ上の部位と、コア層３ｂが形成される部位と、これらを連結する部位とにのみ形成するとともに、第２クラッド層３ｃの形成時に光電気混載基板１に実装するレーザーチップ４等の電子部品等と電気回路２０とを電気的に接続するためのホールを第２クラッド層３ｃに予め形成しているので、実施形態１のように光電気混載基板１が完成した後に所望の部位にエキシマレーザ等を用いて電気接続用のホール６を形成しなくて済むようになるので、非常に有用である。

（実施形態６）
本実施形態の光電気混載基板の製造方法は、第３工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。

すなわち、本実施形態の第３工程は、第２工程の後に、傾斜面Ｒで反射されたレーザーチップ４の光信号が入射する位置に光導波路３のコア層３ｂを形成する工程であり、コア層３ｂを、プリント基板１０と反対側の第１クラッド層３ａの面に、液状の樹脂をスクリーンマスクを用いて所望の形状に塗布して形成する。ここで、コア層３ｂの材料としては、液状の樹脂、たとえばダイセル化学工業（株）製「ＥＦＰＥ−３１５０」を主成分とした液状のエポキシ樹脂配合物に、熱硬化開始剤（たとえば旭電化工業（株）製「ＳＰ−１００」等）を１％添加してなる熱硬化性エポキシ樹脂を用いている。

そして、コア層３ｂは、次のようにして形成される。まず、コア層３ｂの形成位置のみが開口したスクリーンマスク（メタルマスク）を用いて、スクリーンマスクの開口部分にのみ上記の熱硬化性エポキシ樹脂を塗布するのであるが、この塗布作業は、スキージの走査速度を調整しながら、スキージを第１クラッド層３ａ上に密着させるように走査することによって行う。そして、塗布作業終了後直ちに熱硬化性エポキシ樹脂を１５０℃で１時間加熱キュア（硬化）し、これにより厚み約３６μｍのコア層３ｂが得られる。

本実施形態によれば、スクリーンマスクを用いて液状の樹脂を所望の形状に塗布することでコア層３ｂを形成しているので、実施形態１のように投影露光装置を用いなくて済むとともに、現像工程が必要なくなる。そのため、コア層３ｂの形成を、容易且つ安価に行え、しかも生産性を向上することができる。

（実施形態７）
本実施形態の光電気混載基板の製造方法は、第３工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。

すなわち、本実施形態の第３工程は、第２工程の後に、傾斜面Ｒで反射されたレーザーチップ４の光信号が入射する位置に光導波路３のコア層３ｂを形成する工程であり、コア層３ｂを、プリント基板１０と反対側の第１クラッド層３ａの面に感光性樹脂製のフィルム材をラミネート加工した後に、フォトリソグラフィ法により前記フィルム材を所望の形状として形成する。ここで、コア層３ｂの材料となる感光性樹脂製のフィルム材は、たとえば、ダイセル化学工業（株）製「ＥＨＰＥ−３１５０」１００質量部と、メチルエチルケトン７０質量部と、トルエン３０質量部と、ローディアジャパン（株）製「ロードシル・フォトイニシエータ２０７４」２質量部とからなるワニスを、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上に厚みが７０μｍとなるように均一に塗装した後に、乾燥させてワニスの厚みを３５μｍとしたものを用いている。

そして、コア層３ｂは、次のようにして形成される。まず、ラミネータを用いて、第１クラッド層３ａの上面全面を覆うように上記のフィルム材を真空中、室温でＰＥＴフィルム側を上にしてラミネート加工した後に、フィルム材からＰＥＴフィルムを剥離する。次に、フォトリソグラフィ法によりフィルム材を所望の形状とするのであるが、この作業は、マスク接触式投影露光装置を用いて所望の部分のみに１０Ｊ／ｃｍ^２のエネルギー量の紫外線を照射して紫外線硬化させ、非硬化部分をアセトンによって洗い流すことで行われる。この後に、１５０℃で１時間加熱キュア（硬化）することで、屈折率１．５３のコア層３ｂが得られる。

本実施形態によれば、ラミネータのような簡易な装置を用いてフィルム材をラミネート加工することでコア層３ｂを形成できるので、実施形態１のように液状の樹脂を用いる場合に比べて作業性を向上できるとももに、製造コストを低減することができる。また、フォトリソグラフィ法を用いているので、コア層３ｂを容易に所望の形状に形成することができ、これにより高精度で再現性のあるコア層３ｂを容易に得ることができる。

（実施形態８）
本実施形態の光電気混載基板の製造方法は、第４工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。

すなわち、本実施形態の第４工程は、第３工程の後に、光導波路３の第２クラッド層３ｃを形成する工程であり、第２クラッド層３ｃを、第１クラッド層３ａ及びコア層３ｂの上面を含むプリント基板１０の上面全面を覆うように感光性樹脂製のフィルム材をラミネート加工して形成する。ここで、第２クラッド層３ｃの材料となる感光性樹脂製のフィルム材は、たとえば、東都化成（株）製「ＢＰＡＦ−ＤＧＥ」１００質量部と、大日本インキ化学工業（株）製「Ｂ６５０」６６質量部と、サンアプロ（株）製「ＳＡ−１０２」２質量部との配合物からなる熱硬化性エポキシ樹脂を、ロール転写法にて、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上に厚みが１０μｍとなるように均一に塗布した後に、半硬化させたものを用いている。

そして、第２クラッド層３ｃは、次のようにして形成される。まず、ラミネータを用いて、第１クラッド層３ａ及びコア層３ｂの上面を含むプリント基板１０の上面全面を覆うように上記のフィルム材を真空中、室温でＰＥＴフィルム側を上にしてラミネート加工した後に、フィルム材からＰＥＴフィルムを剥離する。この後に、１５０℃で１時間加熱キュア（硬化）することで、屈折率１．５１の第２クラッド層３ｃが得られる。

本実施形態によれば、ラミネータのような簡易な装置を用いてフィルム材をラミネート加工することで第２クラッド層３ｃを形成できるので、実施形態１のように液状の樹脂を用いる場合に比べて作業性を向上できるとももに、製造コストを低減することができる。

（実施形態９）
本実施形態の光電気混載基板の製造方法は、第４工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態５と同様であるから説明を省略する。

すなわち、本実施形態の第４工程は、第３工程の後に、光導波路３の第２クラッド層３ｃを形成する工程であり、第２クラッド層３ｃを、第１クラッド層３ａ及びコア層３ｂの上面を含むプリント基板１０の上面全面を覆うように感光性樹脂製のフィルム材をラミネート加工した後に、フォトリソグラフィ法により前記フィルム材を所望の形状として形成する。ここで、第２クラッド層３ｃの材料となる感光性樹脂製のフィルム材は、たとえば、ダイセル化学工業（株）製「ＥＨＰＥ−３１５０」を主成分とする液状のエポキシ樹脂配合物に、ローディアジャパン（株）製「ロードシル・フォトイニシエータ２０７４」を２％添加してなるワニスを、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム上に厚みが２０μｍとなるように均一に塗装した後に、乾燥させてワニスの厚みを３５μｍとしたものを用いている。

そして、第２クラッド層３ｃは、次のようにして形成される。まず、ラミネータを用いて、第１クラッド層３ａ及びコア層３ｂの上面を含むプリント基板１０の上面全面を覆うように上記のフィルム材を真空中、室温でＰＥＴフィルム側を上にしてラミネート加工した後に、フィルム材からＰＥＴフィルムを剥離する。次に、フォトリソグラフィ法によりフィルム材を所望の形状とするのであるが、この作業は、光電気混載基板１に実装するレーザーチップ４等の電子部品と電気回路２０とを電気的に接続するためのホールを形成する部分を除いた部分に、マスク接触式投影露光装置を用いて２Ｊ／ｃｍ^２のエネルギー量の紫外線を照射して紫外線硬化させ、非硬化部分をアセトンによって洗い流すことで行われる。この後に、１５０℃で１時間加熱キュア（硬化）することで、屈折率１．５２の第２クラッド層３ｃが得られる。

本実施形態によれば、ラミネータのような簡易な装置を用いて第２クラッド層３ｃを形成することができるので、実施形態１のように液状の樹脂を用いる場合に比べて作業性を向上できるとももに、製造コストを低減することができる。しかもフォトリソグラフィ法を用いているので、電気回路２０の一部を露出させたり、プリント基板１０上の必要な部位にのみ第２クラッド層３ｃを形成する等、第２クラッド層３ｃを容易に所望の形状に形成することができる。

また、上記実施形態５と同様に、第１クラッド層３ａを傾斜面Ｒ上の部位と、コア層３ｂが形成される部位と、これらを連結する部位とにのみ形成するとともに、第２クラッド層３ｃの形成時に光電気混載基板１に実装するレーザーチップ４等の電子部品等と電気回路２０とを電気的に接続するためのホールを第２クラッド層３ｃに予め形成しているので、実施形態１のように光電気混載基板１が完成した後に所望の部位にエキシマレーザ等を用いて電気接続用のホール６を形成しなくて済むようになるので、非常に有用である。

（ａ）は、本発明の一実施形態の光電気混載基板の要部の透視上面図であり、（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ線における概略断面図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態の第１工程時の概略上面図であり、（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線における概略断面図であり、（ｃ）は、第１工程時の説明図である。 本発明の一実施形態の第２工程時の概略断面図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態の第３工程時の概略上面図であり、（ｂ）は、同図（ａ）のＣ−Ｃ線における概略断面図である。 本発明の一実施形態の第４工程時の概略断面図である。 従来の光電気混戦基板の工程図である。 従来の他の光電気混戦基板の工程図である。

符号の説明

１ 光電気混載基板
１０ プリント基板
２ 金属層
２ａ 延出部
２０ 電気回路
３ 光導波路
３ａ 第１クラッド層
３ｂ コア層
３ｃ 第２クラッド層
４ レーザーチップ
Ｒ 傾斜面

Claims (14)

1. プリント基板と、プリント基板上に設けられた金属層から形成される電気回路と、プリント基板上に形成される第１クラッド層、プリント基板と反対側の第１クラッド層の面に形成されるコア層、及び少なくとも第１クラッド層と反対側のコア層の面に形成される第２クラッド層からなる光導波路とを備え、光導波路と光導波路外との間の光路を形成する光路変換ミラー用の傾斜面が前記金属層の一部に形成されていることを特徴とする光電気混載基板。
2. 請求項１に記載の光電気混載基板の製造方法であって、プリント基板上に設けられた金属層から電気回路を形成するとともに金属層の一部に光路変換ミラー用の傾斜面を形成する第１工程と、第１工程の後に光導波路の第１クラッド層を形成する第２工程と、第２工程の後に光導波路のコア層を形成する第３工程と、第３工程の後に光導波路の第２クラッド層を形成する第４工程とを含んでいることを特徴とする光電気混載基板の製造方法。
3. 第１工程は、光路変換ミラー用の傾斜面を形成する前に、金属層の厚みが所望の厚みとなるように金属層にめっき処理を行う工程を含んでいることを特徴とする請求項２に記載の光電気混載基板の製造方法。
4. 第１工程において、光路変換ミラー用の傾斜面を、金属層の一部をダイシングソーで切削除去することで形成することを特徴とする請求項２又は３に記載の光電気混載基板の製造方法。
5. 第１工程において、光路変換ミラー用の傾斜面を、金属層の一部をレーザー照射することで形成することを特徴とする請求項２又は３に記載の光電気混載基板の製造方法。
6. 第１工程は、金を最表面に有するめっき層を光路変換ミラー用の傾斜面に形成する工程を含んでいることを特徴とする請求項４又は５に記載の光電気混載基板の製造方法。
7. 第２工程において、第１クラッド層を、液状の感光性樹脂をプリント基板に塗布した後に、フォトリソグラフィ法により前記感光性樹脂を所望の形状として形成することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の光電気混載基板の製造方法。
8. 第３工程において、コア層を、プリント基板と反対側の第１クラッド層の面に液状の感光性樹脂を塗布した後に、フォトリソグラフィ法により前記感光性樹脂を所望の形状として形成することを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の光電気混載基板の製造方法。
9. 第３工程において、コア層を、プリント基板と反対側の第１クラッド層の面に液状の樹脂をスクリーンマスクを用いて所望の形状に塗布して形成することを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の光電気混載基板の製造方法。
10. 第３工程において、コア層を、プリント基板と反対側の第１クラッド層の面に感光性樹脂製のフィルム材をラミネート加工した後に、フォトリソグラフィ法により前記フィルム材を所望の形状として形成することを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の光電気混載基板の製造方法。
11. 第４工程において、第２クラッド層を、液状の樹脂を用いて形成することを特徴とする請求項２〜１０のいずれか１項に記載の光電気混載基板の製造方法。
12. 前記液状の樹脂は感光性樹脂であり、第２クラッド層を、少なくとも第１クラッド層と反対側のコア層の面に前記液状の樹脂を塗布した後に、フォトリソグラフィ法により前記液状の樹脂を所望の形状として形成することを特徴とする請求項１１に記載の光電気混載基板の製造方法。
13. 第４工程において、第２クラッド層を、フィルム材を少なくとも第１クラッド層と反対側のコア層の面にラミネート加工することで形成することを特徴とする請求項２〜１０のいずれか１項に記載の光電気混載基板の製造方法。
14. 前記フィルム材は感光性樹脂製であり、第２クラッド層を、少なくとも第１クラッド層と反対側のコア層の面に前記フィルム材をラミネート加工した後に、フォトリソグラフィ法により前記フィルム材を所望の形状として形成することを特徴とする請求項１３に記載の光電気混載基板の製造方法。

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