JP2006237482A - Substrate processing device, substrate processing method, and substrate processing program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被処理基板上に処理液を供給して処理を行う技術に係り、特にスピンレス方式で基板上に処理液を塗布する基板処理技術に関する。 The present invention relates to a technique for supplying a processing liquid onto a substrate to be processed, and more particularly to a substrate processing technique for applying a processing liquid on a substrate by a spinless method.
最近、フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板(たとえばガラス基板)の大型化に有利なレジスト塗布法として、基板に対して長尺型のレジストノズルよりレジスト液を帯状に吐出させながらレジストノズルを相対移動つまり走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式が普及している。 Recently, in a photolithography process in a flat panel display (FPD) manufacturing process, as a resist coating method that is advantageous for increasing the size of a substrate to be processed (for example, a glass substrate), a resist solution is applied to a substrate from a long resist nozzle. 2. Description of the Related Art A spinless method is widely used in which a resist solution is applied on a substrate with a desired film thickness without requiring a rotational motion by relatively moving, that is, scanning a resist nozzle while discharging it in a strip shape.
スピンレス方式による従来のレジスト塗布装置は、たとえば特許文献1に記載されるように、ステージ上に水平に固定載置される基板とステージ上方に設けられるレジストノズルの吐出口との間に数百μm以下の微小ギャップを設定し、レジストノズルを走査方向(一般にノズル長手方向と直交する水平方向)に移動させながら基板上にレジスト液を吐出させるようにしている。この種のレジストノズルは、ノズル本体を横長または長尺状に形成して、口径の非常に小さい微細径(たとえば100μm程度)の吐出口からレジスト液を帯状に吐出するように構成されている。このような長尺型レジストノズルの走査による塗布処理が終了すると、当該基板は搬送ロボットまたは搬送アームによりステージから取り出され、装置の外へ搬出される。直後に、後続の新たな基板が搬送ロボットにより装置に搬入され、ステージ上に載置される。そして、この新たな基板に対してレジストノズルの走査により上記と同様の塗布処理が繰り返される。
上記のようなスピンレス方式のレジスト塗布装置では、処理済の基板をステージからアンローディングないし搬出してステージ上面を完全に空状態にしない限り、後続の新たな基板をステージ上に搬入ないし載置することができない。このため、レジストノズルを走査させる動作の所要時間(Tc)に、未処理の基板をステージ上に搬入ないしローディングする動作の所要時間(Tin)と、処理済の基板をステージからアンローディングないし搬出する動作の所要時間(Tout)とを足し合わせた塗布処理1サイクルの所要時間(Tc+Tin+Tout)がそのままタクトタイムになり、タクトタイムの短縮化が難しいという問題がある。 In the spinless type resist coating apparatus as described above, unless a processed substrate is unloaded or unloaded from the stage to completely empty the upper surface of the stage, a subsequent new substrate is loaded or placed on the stage. I can't. For this reason, the time required for scanning the resist nozzle (T c ), the time required for loading or unloading an unprocessed substrate onto the stage (T in ), and the unloading of the processed substrate from the stage There is a problem that the required time (T c + T in + T out ) of one cycle of the coating process that is added to the required time (T out ) of the unloading operation becomes the tact time as it is, and it is difficult to shorten the tact time.
さらに、基板の大型化に伴って長尺型レジストノズルの寸法および重量が増すため、そのような重厚長大のレジストノズルをステージ上方で所定の高さ位置(狭ギャップ)を一定に保ったまま一定の速度で安定に水平移動させるのが難しくなってきているという問題もある。 Furthermore, since the size and weight of the long resist nozzles increase as the substrate size increases, such heavy and long resist nozzles remain constant at a predetermined height (narrow gap) above the stage. There is also a problem that it is difficult to move horizontally stably at a high speed.
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、スピンレス方式で被処理基板上に処理液を供給ないし塗布する処理動作のタクトタイムを大幅に短縮する基板処理装置、基板処理方法および基板処理プログラムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and a substrate processing apparatus that significantly reduces the tact time of a processing operation for supplying or coating a processing liquid on a substrate to be processed by a spinless method, It is an object to provide a substrate processing method and a substrate processing program.
本発明の別の目的は、基板の大型化に無理なく効率的に対応できる基板処理装置、基板処理方法および基板処理プログラムを提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate processing program that can efficiently cope with an increase in the size of a substrate.
上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、上面に多数の噴出口を有し、前記噴出口より噴出する気体の圧力で被処理基板を所望の高さに浮かせるステージと、前記ステージ上の搬入位置に前記基板を搬入するための搬入部と、前記ステージ上の搬出位置から前記基板を搬出するための搬出部と、前記搬入位置と前記搬出位置との間の塗布位置で前記ステージの上方から前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、前記搬入位置から前記塗布位置を通って前記塗布位置と前記搬出位置との間に設定された第1の位置まで前記ステージ上で浮いている前記基板を保持して搬送する第1の基板搬送部と、前記搬入位置と前記塗布位置との間に設定された第2の位置から前記塗布位置を通って前記搬出位置まで前記ステージ上で浮いている前記基板を保持して搬送する第2の基板搬送部とを有する。 In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention has a number of jet holes on the upper surface, and a stage for floating the substrate to be processed to a desired height by the pressure of the gas jetted from the jet holes, A loading section for loading the substrate into a loading position on the stage, a loading section for unloading the substrate from the loading position on the stage, and a coating position between the loading position and the unloading position. A processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the upper surface of the substrate from above the stage, and from the loading position to the first position that is set between the coating position and the unloading position through the coating position. The first substrate transport unit that holds and transports the substrate floating on the stage, and the unloading from the second position set between the loading position and the coating position through the coating position. On the stage to the position And a second board conveying portion for conveying and holding the board that floats.
また、本発明の基板処理方法は、ステージ上に基板搬送方向に沿って搬入位置、塗布開始位置、塗布終了位置および搬出位置を一列に設定し、前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で被処理基板を所望の高さに浮かせ、前記ステージ上で、前記搬入位置から前記塗布開始位置までの第1の区間では前記基板の第1の部位を保持して、前記塗布開始位置から前記塗布終了位置までの第2の区間では前記基板の第1および第2の部位を保持して、前記塗布終了位置から前記搬出位置までの第3の区間では前記基板の第2の部位を保持して、前記基板を前記基板搬送方向に搬送し、前記基板が前記第2の区間を移動する間に前記基板の上面に処理液を塗布する。 Further, the substrate processing method of the present invention sets the carry-in position, the coating start position, the coating end position, and the carry-out position in a line along the substrate transport direction on the stage, from a plurality of jets provided on the upper surface of the stage. The substrate to be processed is floated to a desired height by the pressure of the gas to be ejected, and the first portion of the substrate is held on the stage from the carry-in position to the application start position. In the second section from the coating start position to the coating end position, the first and second parts of the substrate are held, and in the third section from the coating end position to the unloading position, the second portion of the substrate is held. The substrate is conveyed in the substrate conveyance direction, and the processing liquid is applied to the upper surface of the substrate while the substrate moves in the second section.
また、本発明の基板処理プログラムは、上面に多数の噴出口を有するステージの搬入位置に被処理基板を搬入するステップと、前記ステージ上で、前記基板を所望の高さに浮かせた状態で、前記搬入位置から塗布開始位置まで前記基板の第1の部位を保持して搬送するステップと、前記ステージ上で、前記基板を所望の高さに浮かせた状態で、前記塗布開始位置から塗布終了位置まで前記基板の第1および第2の部位を保持して搬送するステップと、前記ステージ上で、前記基板が前記塗布開始位置から塗布終了位置まで移動する間に前記基板の上面に処理液を塗布するステップと、前記ステージ上で、前記基板を所望の高さに浮かせた状態で、前記塗布終了位置から搬出位置まで前記基板の第2の部位を保持して搬送するステップと、前記ステージの搬出位置に着いた前記基板を搬出するステップとを実行する。 In addition, the substrate processing program of the present invention includes a step of loading a substrate to be loaded into a loading position of a stage having a number of jet holes on the upper surface, and a state where the substrate is floated to a desired height on the stage. Holding and transporting the first part of the substrate from the carry-in position to the application start position, and the application start position from the application start position in a state where the substrate is floated at a desired height on the stage. Holding and transporting the first and second parts of the substrate until the substrate is applied to the upper surface of the substrate while the substrate moves from the coating start position to the coating end position on the stage. And holding and transporting the second part of the substrate from the coating end position to the unloading position with the substrate floating at a desired height on the stage; and And a step of unloading the substrate got to carry-out position of the stage.
本発明においては、ステージ上面の噴出口から噴出する気体(たとえば圧縮空気)の圧力で基板を空中に浮かせてステージ上を搬入位置から搬出位置まで搬送し、途中の塗布位置で基板上に処理液供給部より処理液を供給することで、基板上面の全域または所望の一部に処理液を塗布する。ステージ上で基板を搬送するために、第1および第2の基板搬送部が基板を保持しながら基板搬送方向に移動する。ここで、第1の基板搬送部は、搬入位置から塗布位置を通って搬出位置よりも手前の第1の位置まで浮上状態の基板を保持して搬送する。一方、第2の基板搬送部は、搬入位置と塗布位置との間の第2の位置から塗布位置を通って搬出位置まで浮上状態の基板を保持して搬送する。第1および第2の基板搬送部が一緒に基板を保持して搬送する区間は、搬入位置から搬出位置までの全搬送区間ではなく、第2の位置から第1の位置までの中間区間である。第1の基板搬送部は、第1の位置まで基板を搬送すると、そこで当該基板に対する搬送を止めて、直ちに搬入位置へ引き返して後続の新たな基板の搬送にとり掛かる。一方、第2の基板搬送部は、第1の位置から搬出位置まで基板を単独で搬送し、それから第2の位置まで引き返し、搬入位置から第2の位置まで第1の基板搬送部が次の基板を単独で搬送してくるのを待つ。このように、第1および第2の基板搬送部の両者が協働して基板搬送を行う区間を塗布位置付近に限定し、それ以外は各持分の区間(搬入側区間、搬出側区間)における搬送ないし移動動作を単独で個別に行うようにしており、基板搬送効率の大なる向上ひいてはタクトタイムの大幅な改善を実現できる。 In the present invention, the substrate is floated in the air by the pressure of a gas (for example, compressed air) ejected from the ejection port on the upper surface of the stage, and is transported from the loading position to the unloading position on the stage. By supplying the processing liquid from the supply unit, the processing liquid is applied to the entire upper surface or a desired part of the substrate. In order to transport the substrate on the stage, the first and second substrate transport units move in the substrate transport direction while holding the substrate. Here, the first substrate transport unit holds and transports the floating substrate from the loading position through the coating position to the first position before the unloading position. On the other hand, the second substrate transport unit holds and transports the floating substrate from the second position between the carry-in position and the coating position through the coating position to the carry-out position. The section in which the first and second substrate transport sections hold and transport the substrate together is not the entire transport section from the carry-in position to the carry-out position, but an intermediate section from the second position to the first position. . When the first substrate transport unit transports the substrate to the first position, the first substrate transport unit stops transporting the substrate, and immediately returns to the loading position to start transporting a subsequent new substrate. On the other hand, the second substrate transport unit transports the substrate independently from the first position to the carry-out position, and then returns to the second position, and the first substrate transport unit continues from the carry-in position to the second position. Wait for the substrate to be transported alone. Thus, the section in which both the first and second substrate transport sections cooperate to transport the substrate is limited to the vicinity of the coating position, and the rest of the sections are in the sections of interest (carry-in side section, carry-out side section). The conveyance or movement operation is individually performed individually, so that the substrate conveyance efficiency can be greatly improved and the tact time can be greatly improved.
本発明の基板処理装置において、好適な一態様によれば、基板が第2の位置から搬出位置側へ移動するのとほぼ同じタイミングで基板上の処理液の塗布を開始し、基板が第1の位置に着くのとほぼ同じタイミングで基板上の処理液の塗布が完了する。 In the substrate processing apparatus of the present invention, according to a preferred aspect, the application of the processing liquid on the substrate is started at substantially the same timing as the substrate moves from the second position to the unloading position, and the substrate is in the first state. The application of the processing liquid on the substrate is completed at almost the same timing as the arrival at the position.
好適な一態様によれば、第1および第2の基板搬送部が、それぞれ、基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの一方のサイドに配置される第1および第2のガイドレールと、これら第1および第2のガイドレールに沿って移動可能な第1および第2の搬送本体と、これら第1および第2の搬送本体を第1および第2のガイドレールに沿って移動するように駆動する第1および第2の搬送駆動部と、第1および第2の搬送本体からステージの中心部に向かって延在し、基板の第1および第2の側縁部を着脱可能に保持する第1および第2の保持部とを有する。 According to a preferred aspect, the first and second guide rails are arranged on one side of the stage so that the first and second substrate transport sections extend in parallel with the direction in which the substrate moves, respectively. And first and second transport bodies that are movable along the first and second guide rails, and the first and second transport bodies are moved along the first and second guide rails. The first and second transport driving sections that are driven in this manner, and the first and second transport main bodies extending from the first and second transport main bodies toward the center of the stage so that the first and second side edges of the substrate can be attached and detached. It has the 1st and 2nd holding | maintenance part to hold | maintain.
好適な一態様によれば、第1の基板搬送部が、第1の位置で第1の保持部に基板の第1の側縁部に対する保持を解除させ、直後に第1の搬送本体を第1の位置から搬入位置まで引き返らせる。また、第2の基板搬送部が、基板が搬出位置に着いた直後に第2の保持部に基板の第2の側縁部に対する保持を解除させ、次いで第2の搬送本体を搬出位置から前記第2の位置へ引き返らせる。好ましくは、第1および第2の保持部は、それぞれ、基板の第1および第2の側縁部に着脱可能に吸着可能な第1および第2のパッドと、基端部が第1および第2の搬送本体に固定されるとともに、先端部が第1および第2のパッドに結合された第1および第2のパッド支持部と、基板に対する第1および第2のパッドの吸着を制御する第1および第2のパッド吸着制御部とを有する。ここで、第1および第2のパッド吸着制御部は、好ましくは、基板に第1および第2のパッドを結合させるために第1および第2のパッドに負圧を供給する第1および第2の負圧供給部を有し、基板から第1および第2のパッドを分離させるために第1および第2のパッドに正圧を供給する第1および第2の正圧供給部を有する。
According to a preferred aspect, the first substrate transfer unit causes the first holding unit to release the holding of the first side edge of the substrate at the first position, and immediately after that, the first transfer body is moved to the first position. Return from the
また、好適な一態様によれば、第1および第2の保持部が、それぞれ、基板に第1および第2のパッドを結合させるために第1および第2のパッド支持部を往動させ、基板から第1および第2のパッドを分離させるために第1および第2のパッド支持部を復動させる第1および第2のパッドアクチエータを有する。さらに、第1および第2の保持部は、搬入位置で第1および第2のパッドを基板に結合させ、第1および第2の位置で基板から第1のパッドを分離させる。第1および第2のパッド支持部は、基板の高さ位置に応じてその先端部の高さ位置を変位させるのが好ましい。 According to a preferred aspect, the first and second holding portions move the first and second pad support portions forward to connect the first and second pads to the substrate, respectively. First and second pad actuators are provided for moving back the first and second pad supports to separate the first and second pads from the substrate. Further, the first and second holding units couple the first and second pads to the substrate at the loading position, and separate the first pad from the substrate at the first and second positions. It is preferable that the first and second pad support portions displace the height position of the tip portion according to the height position of the substrate.
好適な一態様によれば、搬入部が、ステージ上の搬入位置で基板をピン先端で支持するための複数本の第1のリフトピンと、第1のリフトピンをステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第1のリフトピン昇降部とを有する。また、搬出部が、ステージ上の搬出位置で基板をピン先端で支持するための複数本の第2のリフトピンと、この第2のリフトピンをステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第2のリフトピン昇降部とを有する。 According to a preferred aspect, the carry-in unit has a plurality of first lift pins for supporting the substrate at the pin tip at the carry-in position on the stage, and the first lift pins are located at the original position below the stage and above the stage. And a first lift pin lifting / lowering part that moves up and down between the forward and backward movement positions. In addition, the unloading unit has a plurality of second lift pins for supporting the substrate at the unloading position on the stage with the tip of the pin, and the second lift pins are located between the original position below the stage and the forward movement position above the stage. And a second lift pin lifting / lowering section that moves up and down.
また、好適な一態様によれば、処理液供給部が、ステージ上の基板搬送路を横断する方向に延びる微細径の吐出口を有する長尺型のノズルを有し、塗布位置でノズルの下を通過する基板に向けて吐出口より処理液を吐出する。 Further, according to a preferred aspect, the processing liquid supply unit has a long nozzle having a fine-diameter discharge port extending in a direction transverse to the substrate transport path on the stage, and is disposed under the nozzle at the application position. The processing liquid is discharged from the discharge port toward the substrate passing through the substrate.
本発明の基板処理方法において、好ましくは、基板の第1および第2の部位は基板搬送方向からみて左右一対の側縁部である。また、第1、第2および第3の区間において、基板の搬送速度を独立に設定し、基板の浮上高さを独立に設定してよい。また、塗布開始位置では、基板を一時停止させて、基板の第2の部位に対する保持を開始してもよく、あるいは基板の移動を止めずに基板の第2の部位に対する保持を開始してもよい。また、塗布終了位置では、基板を一時停止させて基板の第1の部位に対する保持を終了してもよく、あるいは基板の移動を止めずに基板の第1の部位に対する保持を終了してもよい。また、基板が第2の区間を移動している間に搬入位置に後続の新たな基板を搬入してもよい。 In the substrate processing method of the present invention, preferably, the first and second portions of the substrate are a pair of left and right side edges as viewed from the substrate transport direction. Further, in the first, second, and third sections, the substrate transport speed may be set independently, and the flying height of the substrate may be set independently. Further, at the application start position, the substrate may be temporarily stopped and the holding of the substrate on the second portion may be started, or the holding of the substrate on the second portion may be started without stopping the movement of the substrate. Good. In addition, at the application end position, the substrate may be temporarily stopped to end the holding of the substrate with respect to the first portion, or the holding of the substrate with respect to the first portion may be ended without stopping the movement of the substrate. . Further, a subsequent new substrate may be loaded into the loading position while the substrate is moving in the second section.
本発明の基板処理装置、基板処理方法および基板処理プログラムによれば、上述したような構成および作用により、スピンレス方式で被処理基板上に処理液を供給ないし塗布する処理動作のタクトタイムを大幅に短縮することができ、さらには浮上搬送で基板の大型化に無理なく効率的に対応することもできる。 According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the substrate processing program of the present invention, the tact time of the processing operation for supplying or applying the processing liquid onto the substrate to be processed by the spinless method is greatly increased by the configuration and operation as described above. In addition, it is possible to cope with an increase in the size of the substrate by levitation conveyance without difficulty.
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1に、本発明の基板処理装置が適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で行われる。 FIG. 1 shows a coating and developing processing system as a configuration example to which the substrate processing apparatus of the present invention can be applied. This coating / development processing system is installed in a clean room and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed, and performs cleaning, resist coating, pre-baking, development, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. is there. The exposure process is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.
この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション(C/S)10と、プロセスステーション(P/S)12と、インタフェース部(I/F)14とで構成される。 This coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / F) 14.
システムの一端部に設置されるカセットステーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容するカセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセットステージ16と、このカセットステージ16上の側方でかつカセットCの配列方向と平行に設けられた搬送路17と、この搬送路17上で移動自在でステージ16上のカセットCについて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えている。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)12側の搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a
プロセスステーション(P/S)12は、上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロセス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けている。
The process station (P / S) 12 includes, in order from the cassette station (C / S) 10 side, a
洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含んでいる。
The
塗布プロセス部24は、スピンレス方式のレジスト塗布ユニット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42と、上下2段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。 The coating process unit 24 includes a spinless resist coating unit (CT) 40, a vacuum drying unit (VD) 42, an upper and lower two-stage adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and an upper and lower two-stage heating / cooling. A unit (HP / COL) 48 and a heating unit (HP) 50 are included.
現像プロセス部26は、3つの現像ユニット(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)53と、加熱ユニット(HP)55とを含んでいる。
The
各プロセス部22,24,26の中央部には長手方向に搬送路36,51,58が設けられ、搬送装置38,54,60がそれぞれ搬送路36,51,58に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入/搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部22,24,26において、搬送路36,51,58の一方の側に液処理系のユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方の側に熱処理系のユニット(HP,COL等)が配置されている。
Conveying
システムの他端部に設置されるインタフェース部(I/F)14は、プロセスステーション12と隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)56およびバッファステージ57を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構59を設けている。この搬送機構59は、Y方向に延在する搬送路19上で移動自在であり、バッファステージ57に対して基板Gの出し入れを行なうほか、イクステンション(基板受け渡し部)56や隣の露光装置と基板Gの受け渡しを行うようになっている。
The interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer unit) 56 and a
図2に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)10において、搬送機構20が、ステージ12上の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部22の搬送装置38に渡す(ステップS1)。
FIG. 2 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 10, the
洗浄プロセス部22において、基板Gは、先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット(UV)では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。
In the
次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(SCR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(HP)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロセス部22における前処理が終了し、基板Gは、搬送装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセス部24へ搬送される。
Next, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber cleaning units (SCR) 28 to remove particulate dirt from the substrate surface (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration treatment by heating in the heating unit (HP) 32 (step S4), and then cooled to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pretreatment in the
塗布プロセス部24において、基板Gは、先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(AD)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。 In the coating process unit 24, the substrate G is first sequentially carried into an adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and undergoes a hydrophobic treatment (HMDS) in the first adhesion unit (AD) (step S6). The cooling unit (COL) cools to a constant substrate temperature (step S7).
その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット(CT)40でスピンレス法によりレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受ける(ステップS8)。 Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution by a spinless method in a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process by reduced pressure in a reduced pressure drying unit (VD) 42 (step S8).
次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(HP/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行われ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を用いることもできる。 Next, the substrate G is sequentially carried into the heating / cooling unit (HP / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking after coating (pre-baking) (step S9), and then the cooling unit ( COL) to cool to a constant substrate temperature (step S10). In addition, the heating unit (HP) 50 can also be used for baking after this application | coating.
上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセス部24の搬送装置54と現像プロセス部26の搬送装置60とによってインタフェース部(I/F)14へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステンション56を介してプロセスステーション(P/S)12の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。
After the coating process, the substrate G is transported to the interface unit (I / F) 14 by the
現像プロセス部26において、基板Gは、現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット(HP/COL)53の1つに順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ステップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベーキングに加熱ユニット(HP)55を用いることもできる。
In the
現像プロセス部26での一連の処理が済んだ基板Gは、プロセスステーション(P/S)24内の搬送装置60,54,38によりカセットステーション(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20によりいずれか1つのカセットCに収容される(ステップS1)。
The substrate G that has undergone a series of processing in the
この塗布現像処理システムにおいては、たとえば塗布プロセス部24のレジスト塗布ユニット(CT)40に本発明を適用することができる。以下、図3〜図18につき本発明をレジスト塗布ユニット(CT)40に適用した一実施形態を説明する。 In this coating and developing system, the present invention can be applied to, for example, the resist coating unit (CT) 40 of the coating process unit 24. An embodiment in which the present invention is applied to a resist coating unit (CT) 40 will be described below with reference to FIGS.
図3に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40および減圧乾燥ユニット(VD)42の全体構成を示す。 FIG. 3 shows the overall configuration of the resist coating unit (CT) 40 and the vacuum drying unit (VD) 42 in this embodiment.
図3に示すように、支持台または支持フレーム70の上にレジスト塗布ユニット(CT)40と減圧乾燥ユニット(VD)42とがX方向に横一列に配置されている。塗布処理を受けるべき新たな基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FAで示すようにレジスト塗布ユニット(CT)40に搬入される。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理の済んだ基板Gは、支持台70上のガイドレール72に案内されてX方向に移動可能な搬送アーム74により、矢印FBで示すように減圧乾燥ユニット(VD)42に転送される。減圧乾燥ユニット(VD)42で乾燥処理を終えた基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FCで示すように引き取られる。
As shown in FIG. 3, a resist coating unit (CT) 40 and a vacuum drying unit (VD) 42 are arranged in a horizontal row on the support base or
レジスト塗布ユニット(CT)40は、X方向に長く延びるステージ76を有し、このステージ76上で基板Gを同方向に平流しで搬送しながら、ステージ76の上方に配置された長尺型のレジストノズル78より基板G上にレジスト液を供給して、スピンレス法で基板上面(被処理面)に一定膜厚のレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ユニット(CT)40内の各部の構成および作用は後に詳述する。
The resist coating unit (CT) 40 includes a
減圧乾燥ユニット(VD)42は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ80と、この下部チャンバ80の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ(図示せず)とを有している。下部チャンバ80はほぼ四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して支持するためのステージ82が配設され、底面の四隅には排気口83が設けられている。各排気口83は排気管(図示せず)を介して真空ポンプ(図示せず)に通じている。下部チャンバ80に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。
The vacuum drying unit (VD) 42 includes a tray or shallow container type
図4および図5に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40内のより詳細な全体構成を示す。 4 and 5 show a more detailed overall configuration in the resist coating unit (CT) 40 in one embodiment of the present invention.
この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40においては、ステージ76が、従来のように基板Gを固定保持する載置台として機能するのではなく、基板Gを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ76の両サイドに配置されている直進運動型の第1および第2の基板搬送部84A,84Bが、ステージ76上で浮いている基板Gの両側縁部をそれぞれ着脱可能に保持してステージ長手方向(X方向)に基板Gを搬送するようになっている。レジストノズル78は、移動型または走査型ではなく定置型であり、ステージ76の長手方向または搬送方向(X方向)における中心位置の上方に設置されている。
In the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment, the
詳細には、ステージ76は、その長手方向(X方向)において5つの領域M1,M2,M3,M4,M5に分割されている(図5)。左端の領域M1は搬入領域であり、塗布処理を受けるべき新規の基板Gはこの領域M1内の所定位置に搬入される。この搬入領域M1には、搬送装置54(図1)の搬送アームから基板Gを受け取ってステージ76上にローディングするためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能なリフトピン86が所定の間隔を置いて複数本(たとえば4本)設けられている。これらのリフトピン86は、たとえばエアシリンダ(図示せず)を駆動源に用いる搬入用のリフトピン昇降部85(図12)によって昇降駆動される。
Specifically, the
この搬入領域M1は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Gを所望の高さ位置Haで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域M1においてステージ76の上面からみた基板Gの高さ位置または浮上位置Haは、特に高い精度を必要とせず、たとえば100〜150μmの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向(X方向)において、搬入領域M1のサイズは基板Gのサイズを上回っているのが好ましい。さらに、搬入領域M1には、基板Gをステージ76上で位置合わせするためのアライメント部87(図12)も設けられている。
The loading area M 1 is also the area substrate transfer of a floating starts, blows compressed air pressure or positive pressure to float the substrate G on the stage upper surface of this region at a desired height position H a
ステージ76の中心部に設定された領域M3はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Gはこの領域M3を通過する際に所定の位置で上方のレジストノズル78からレジスト液Rの供給を受ける。この塗布領域M3のステージ上面には、基板Gを所望の浮上位置Hbで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88と負圧で空気を吸い込む吸引口90とが一定の密度で混在して多数設けられている。
A region M 3 set at the center of the
ここで、正圧の噴出口88と負圧の吸引口90とを混在させているのは、浮上位置Hbを高い精度で設定値(たとえば50μm)に保持するためである。つまり、塗布領域M3における浮上位置Hbは、ノズル下端(吐出口)と基板上面(被処理面)との間のギャップS(たとえば100μm)を規定する。このギャップSはレジスト塗布膜やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。この実施形態では、基板Gの塗布領域M3を通過している部分に対しては、噴出口88から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口90より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、双方向の合成された圧力のバランスを制御することで、浮上位置Hbを設定値(50μm)に維持するようにしている。この浮上位置制御のために、基板Gの高さ位置を検出する高さ検出センサ(図示せず)等を含むフィードバック制御機構が設けられてよい。なお、搬送方向(X方向)における塗布領域M3のサイズは、レジストノズル78の直下に上記のような狭いギャップSを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Gのサイズよりも小さくてよい。
Here, the reason why the positive
搬入領域M1と塗布領域M3との間に設定された中間の領域M2は、搬送中に基板Gの高さ位置を搬入領域M1における浮上位置Ha(100〜150μm)から塗布領域M3における浮上位置Hb(50μm)へ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域M2内でもステージ76の上面には噴出口88と吸引口90とを混在させて配置している。ただし、吸引口90の密度を搬送方向に沿って次第に大きくしており、これによって搬送中に基板Gの浮上位置が漸次的または線形的にHaからHbに移行するようになっている。
Middle area M 2 that is set between the loading area M 1 and the application area M 3 are, coating area the height position of the substrate G during transport from the floating position H a in the carrying region M 1 (100-150 .mu.m) This is a transition region for changing or transitioning to the flying position H b (50 μm) in M 3 . Even in the transition region M 2 , the
塗布領域M3の下流側隣の領域M4は、搬送中に基板Gの高さ位置を塗布用の浮上位置Hb(50μm)から搬出用の浮上位置Hc(たとえば100〜150μm)に変えるための遷移領域である。この遷移領域M4のステージ上面には、搬送方向において上記した上流側の遷移領域M2と対称的な配置パターンで噴出口88と吸引口90とが混在して配置されている。
In the region M 4 adjacent to the downstream side of the coating region M 3 , the height position of the substrate G is changed from the floating position H b (50 μm) for coating to the floating position H c (for example, 100 to 150 μm) for unloading. It is a transition area for. On the upper surface of the stage of the transition region M 4 , the
ステージ76の下流端(右端)の領域M5は搬出領域である。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理を受けた基板Gは、この搬出領域M5内の所定位置または搬出位置から搬送アーム74(図3)によって下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)42(図3)へ搬出される。この搬出領域M5は上記した搬入領域M1と空間的に対照的な構成になっており、基板Gをステージ76上からアンローディングして搬送アーム74(図3)へ受け渡すためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能なリフトピン92が所定の間隔を置いて複数本(たとえば4本)設けられるとともに、基板Gを上記浮上位置Hcに浮かせるための噴出口88がステージ上面に一定の密度で多数設けられている。リフトピン92は、たとえばエアシリンダ(図示せず)を駆動源に用いる搬出用のリフトピン昇降部91(図12)によって昇降駆動される。
A region M 5 at the downstream end (right end) of the
レジストノズル78は、レジスト液供給部93(図12)に含まれ、ステージ76上の基板Gを一端から他端までカバーできる長さでY方向に延びる長尺状のノズル本体79を有し、レジスト液供給源(図示せず)からのレジスト液供給管94に接続されている。ノズル本体79は門形または逆さコ字状のノズル支持体(図示せず)に支持されており、その下端にはノズル長手方向(Y方向)に延びるスリット状または多孔型の微細径吐出口(図示せず)が形成されている。このレジストノズル78は定置型であるが、直下を通過する基板GとのギャップSを調整するために、たとえばボールネジ機構等によって構成されるノズル昇降部95(図12)により上下方向で高さ位置を任意に変えられるのが好ましい。
The resist
図4、図6および図7に示すように、第1および第2の基板搬送部84A,84Bは、ステージ76の左右両サイドに平行に配置された第1および第2のガイドレール96A,96Bと、両ガイドレール96A,96B上に軸方向(X方向)に移動可能に取り付けられた第1および第2のスライダ(搬送本体)98A,98Bと、両ガイドレール96A,96B上で両スライダ98A,98Bを同時または個別に直進移動させる第1および第2の搬送駆動部100A,100Bと、両スライダ98A,98Bからステージ76の中心部に向かって延びて基板Gの左右両側縁部を着脱可能に保持する第1および第2の保持部102A、102Bとをそれぞれ有している。
As shown in FIGS. 4, 6, and 7, the first and second substrate transfer portions 84 </ b> A and 84 </ b> B are arranged in parallel on the left and right sides of the
ここで、搬送駆動部100A,100Bは、それぞれ直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。また、保持部102A、102Bは、基板Gの左右両側縁部の下面に真空吸着力で結合する吸着パッド104A,104Bと、先端部で吸着パッド104A,104Bを支持し、スライダ98A,98B側の基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部106A,106Bとをそれぞれ有している。吸着パッド104A,104Bは一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部106A,106Bは各々の吸着パッド104A,104Bを独立に支持している。これにより、個々の吸着パッド104およびパッド支持部106が独立した高さ位置で(異なる高さ位置でも)基板Gを安定に保持できるようになっている。
Here, each of the
図6および図7に示すように、この実施形態におけるパッド支持部106A,106Bは、スライダ98A,98Bの内側面に昇降可能に取り付けられた板状のパッド昇降部材108A,108Bに取り付けられている。スライダ98A,98Bに搭載されているたとえばエアシリンダ(図示せず)からなる第1および第2のパッドアクチエータ109A,109B(図12)が、パッド昇降部材108A,108Bを基板Gの浮上高さ位置よりも低い原位置(退避位置)と基板Gの浮上高さ位置に対応する往動位置(結合位置)との間で昇降移動させるようになっている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
図8に示すように、各々の吸着パッド104A,104Bは、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体110A,110Bの上面に複数個の吸引口112A,112Bを設けている。これらの吸引口112A,112Bはスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。吸着パッド104A,104Bには、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管114A,114Bが接続されている。これらのバキューム管114A,114Bの管路116A,116Bはそれぞれ第1および第2のパッド吸着制御部115A,115(図12)の真空源にそれぞれ通じている。
As shown in FIG. 8, each
第1および第2のパッド吸着制御部115A,115(図12)は、バキューム管114A,114Bの管路116A,116(図8)を切替弁(図示せず)を介して圧縮空気源(図示せず)にも接続しており、真空吸着パッド104A,104Bを基板Gの側縁部から分離させるときは、該切替弁を該圧縮空気源側に切り替えて、吸着パッド104A,104Bに正圧または高圧の圧縮空気を供給するようになっている。
The first and second pad
保持部102A,102Bにおいては、図4に示すように、片側一列の真空吸着パッド104A,104Bおよびパッド支持部106A,106Bが1組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図9に示すように、切欠き部118A,118Bを設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部120A,120Bを形成してその上に片側一列の真空吸着パッド104A,104Bを配置する一体型の構成も可能である。
As shown in FIG. 4, the holding
上記のように、ステージ76の上面には多数の噴出口88が設けられている。この実施形態では、ステージ76の搬入領域M1および搬出領域M5に属する各噴出口88について、空気の噴出流量を基板Gとの相対的な位置関係で個別的かつ自動的に切り換える噴出制御部122を流量切換弁の形態でステージ76の内部に設けている。
As described above, a number of
図10に、一実施例による噴出制御部122の構成を示す。この噴出制御部122は、ステージ76の内部に形成された球面体形状の壁面を有する弁室124と、この弁室124の中で移動可能に設けられた球状の弁体126とを有している。弁室124の頂部および底部には、鉛直方向で互いに対向する出口124aおよび入口124bがそれぞれ形成されている。出口124aは、当該噴出制御部122と対応する噴出口88に連通している。入口124bは、ステージ76の下部を走っている圧縮空気供給路128に連通している。
In FIG. 10, the structure of the
図11に、ステージ76内における圧縮空気供給路128の配管パターンの一例を示す。たとえばコンプレッサ等の圧縮空気源(図示せず)からの圧縮空気は、外部配管130の中を流れてきてステージ76内の圧縮空気導入部132に導入される。圧縮空気導入部132に導入された圧縮空気は、そこからステージ76内に張り巡らされている多数の圧縮空気供給路128に分配される。
FIG. 11 shows an example of a piping pattern of the compressed
図10において、弁室124の出口124aの周りは弁座を構成する。この弁座には、出口124aから放射状に延びる溝部124cが周回方向に所定の間隔(たとえば90°間隔)を置いて複数個(4個)形成されている。これにより、弁体126が弁座に密着または着座して出口124aを塞いでも弁室124から圧縮空気が溝部124cを通って噴出口88側に漏出するようになっている。弁体126は、弁室124の内径よりも一回りないし二回り小さな直径を有するたとえば樹脂製の球体であり、球面の下半部に入口124b側の空気圧に応じた垂直上向きの力PUを受けるとともに、球面の上半部に出口124a側の空気圧に応じた垂直下向きの力(反作用)PDを受ける。また、弁体126にはその質量に応じた重力PG(一定値)が常時垂直下向きに作用する。弁体126は、上記のような垂直上向きの力PUと垂直下向きの力(PD+PG)との差に応じて弁室124内で鉛直方向の位置(高さ位置)を変える。
In FIG. 10, a valve seat is formed around the
この実施形態では、図10に示すように、各噴出口88の上方に基板Gが在るか否かに応じて、当該噴出口88直下の噴出制御部122では、弁室124内の弁体126の高さ位置が出口124a側の弁座に密着する第1の位置、もしくは該弁座から離間して弁室124内で浮いた状態になる第2の位置のいずれかに切り換わるようになっている。
In this embodiment, as shown in FIG. 10, depending on whether or not the substrate G is present above each
すなわち、各噴出口88の上方に(厳密には設定浮上位置Ha以下の接近距離で)基板Gが在るときは、基板Gからの反作用で当該噴出口88付近やその直下の弁室124の出口124a付近の空気圧が高くなって、弁体126に作用する垂直下向きの力(特にPD)が垂直上向きの力PUと互角かそれを少し上回る程に増大し、弁体126が出口124a側の弁座から離間する。これにより、出口124aが開状態となり、入口124bより弁室124に導入された圧縮空気は大きな流量で出口124aを通り抜けて噴出口88より噴き出る。
In other words, upward (in the strict sense approach distance of less than the set floating position H a is) of the
上記のようにステージ76の上面に形成された多数の噴出口88およびそれらに浮上力発生用の圧縮空気を供給するための圧縮供給源、外部配管130、圧縮空気供給路128、噴出制御部122、さらにはステージ76の領域M2,M3,M4内に噴出口88と混在して形成された吸引口90およびそれらに負圧吸引力を与えるためのバキューム機構等により、ステージ76上で基板Gを効率よく所望の高さで浮かせるためのステージ基板浮上部134(図12)が構成されている。
As described above, the
図12に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における制御系の構成を示す。コントローラ136は、マイクロコンピュータからなり、ユニット内の各部、特にステージ基板浮上部134、レジスト液供給部93、ノズル昇降部95、搬入用リフトピン昇降部85、搬出用リフトピン昇降部91、第1および第2搬送駆動部100A,100B、第1および第2パッド吸着制御部115A,115B、第1および第2パッドアクチエータ109A,109B等の個々の動作と全体の動作(シーケンス)を制御する。
FIG. 12 shows the configuration of the control system in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment. The
次に、図13〜図23につき、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における塗布処理動作を説明する。図13は、塗布処理動作の1サイクルにおけるユニット(CT)40内の各部の位置または状態をタイミングチャートで示す。図14〜図22は、1サイクルの各時点における主な可動部の位置または状態を略平面図で示す。図23は、図22の状態を斜視図で示す。 Next, the coating processing operation in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a timing chart showing the position or state of each part in the unit (CT) 40 in one cycle of the coating treatment operation. 14 to 22 are schematic plan views showing positions or states of main movable parts at each time point in one cycle. FIG. 23 is a perspective view showing the state of FIG.
コントローラ136は、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されているレジスト塗布処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、プログラムされた一連の塗布処理動作を制御する。
The
図14は、図13の時点t0に対応し、搬入機つまり搬送装置54(図1)より未処理の新たな基板Giがステージ76の搬入領域M1に搬入された直後の状態を示す。この時、搬入領域M1のリフトピン86は、受け取ったばかりの基板Giを往動位置で水平に支持している。第1の基板搬送部84Aは、スライダ98Aを搬入領域M1内の搬入位置に対応する搬送始点位置Paに戻したばかりである。パッド吸着制御部115Aは、この時点で吸着パッド104Aにバキュームの供給を開始する。もっとも、パッドアクチエータ109Aは吸着パッド104Aを原位置(退避位置)に下げている。一方、第2の基板搬送部84Bは、ステージ76上で塗布処理を終えた1つ前の基板Gi-1を搬出領域M5に届けたばかりである。スライダ98Bは搬出領域M5内の搬出位置に対応する搬送終点位置Pbに着いており、パッド吸着部115Bは吸着パッド104Bから真空吸着力を解除している。代わりに、基板Gi-1をアンローディングするためにリフトピン92がステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置(基板受け渡し位置)まで上昇する。
Figure 14 corresponds to the time point t 0 of FIG. 13 shows a state immediately after the new substrate G i unprocessed than loading machine, that the transport device 54 (FIG. 1) is carried into the carry-area M 1 stage 76 . At this time, the lift pins 86 of the carry-area M 1 is supported horizontally substrate G i just received in forward position. The first
この直後、搬入領域M1でリフトピン86が下降して基板Giを搬送用の高さ位置つまり浮上位置Ha(図5)まで降ろす。次いで、アライメント部87が作動し、浮上状態の基板Giに四方から押圧部材(図示せず)を矢印Jで示すように押し付けて、基板Giをステージ76上で位置合わせする(図15、図13の時点t1)。第2の基板搬送部84Bは、スライダ98Bを搬送終点位置Pbから塗布開始位置に対応する搬送停止位置Pcへ高速度V1で引き返させる。搬出領域M5に搬出機つまり搬送アーム74がアクセスし、リフトピン92から基板Gi-1を受け取ってステージ76の外へ搬出する(図15、図13の時点t1)。なお、塗布開始位置は、搬入領域M1内の搬入位置とレジストノズル78直下位置つまりレジスト液供給位置Psとの間に設定されている。
Immediately after this, down in carrying area M 1 to the height position for transporting the substrate G i lift pins 86 are lowered ie floating position H a (FIG. 5). Next, the
搬入領域M1で基板Giのアライメントが完了すると、その直後に第1の基板搬送部84Aにおいてパッドアクチエータ109Aが作動し、吸着パッド104Aを原位置(退避位置)から往動位置(結合位置)へ上昇(UP)させる。吸着パッド104Aは、その前からバキュームがオンしており、浮上状態の基板Giの一方(左側)の側縁部に接触するや否や真空吸着力で結合する(図16、図13の時点t2)。吸着パッド104Aが基板Giの左側側縁部に結合した直後に、アライメント部87は押圧部材を所定位置へ退避させる。一方、第2の基板搬送部84Bは、搬送停止位置Pcでスライダ98Bを待機させながら、吸着パッド104Bにバキュームの供給を開始する。また、搬出部M5では、搬出用のリフトピン92がステージ下方に退避する(図16、図13の時点t2)。
The alignment of the substrate G i in carrying region M 1 is completed, the
次に、第1の基板搬送部84Aは、保持部102Aで基板Giの左側縁部を保持したままスライダ98Aを搬送始点位置Paから基板搬送方向(X方向)へ比較的高速の一定速度V2で直進移動させ、ステージ76上の塗布開始位置に対応する上流側の搬送停止位置Pcに着くと、そこで一時停止させる(図17、図13の時点t3)。塗布開始位置では、基板Gi上のレジスト塗布領域の前端(塗布開始ライン)がレジストノズル78の直下に位置する。なお、搬送始点位置Paから上流側搬送停止位置Pcまでの基板搬送において、基板Giの右側縁部は自由端になっているが、ステージ基板浮上部134による浮上力で高さ位置を拘束され、第1の基板搬送部84Aの保持部102Aに結合している右側縁部とほぼ同じ高さで移動する。
Next, the first
上記のようにして第1の基板搬送部84Aのスライダ98Aが上流側搬送停止位置Pcに着くと、そこで待機していた第2の基板搬送部84Bではパッドアクチエータ109Bが作動し、吸着パッド104Bを原位置(退避位置)から往動位置(結合位置)へ上昇(UP)させる。吸着パッド104Bは、バキュームがオンしているので、基板Giの他方(右側)の側縁部に接触するや否や真空吸着力で結合する。ステージ76上の塗布開始位置で基板Giの高さ位置は基板後端部側(Ha)と基板前端部側(Hb)とで異なるが、その差分(Ha−Hb)は高々100μmであり、吸着パッド104Bの原位置から往動位置への上昇距離(たとえば数mm)に比して無視できるほどである。こうして、ステージ76上の塗布開始位置に対応する搬送停止位置Pcで、第1および第2の基板搬送部84A,84Bが浮上状態の基板Giを挟んで互いに向き合い、基板Giの両側縁部を同じ高さ位置でそれぞれ保持した状態となる(図18、図13の時点t4)。一方、図示省略するが、ノズル昇降部95が作動してレジストノズル78を降ろし、レジストノズル78の吐出口と基板Gi間のギャップSを設定値(たとえば50μm)に合わせる。
When the
次に、第1および第2の基板搬送部84A,84Bは、同時にスライダ98A,98Bを搬送停止位置Pcから基板搬送方向(X方向)に比較的低速の一定速度V3で直進移動させる(図13の時点t5)。一方、レジスト液供給部93においてレジストノズル78よりレジスト液Rの吐出を開始する。こうして、レジストノズル78直下のレジスト液供給位置PsをX方向に一定速度V2で通過する基板Giの上面に向けて、Y方向に延びる長尺型レジストノズル78より帯状のレジスト液Rが一定の流量で吐出されることで、基板Giの前端から後端に向かってレジスト液の塗布膜RMが形成されていく(図19、図13の時点t6)。
Next, the first and second
基板Giの後端部(塗布終了ライン)がレジストノズル78直下のレジスト液供給位置Psに着くと、このタイミングで塗布処理が終了し、レジスト液供給部93がレジストノズル78からのレジスト液Rの吐出を終了させると同時に、第1および第2の基板搬送部84A,84Bがそれぞれのスライダ98A,98Bを搬送終点位置Pbの手前の位置(下流側搬送停止位置)Pdで同時に停止させる。一方、搬入領域M1では、塗布動作中に後続の新たな基板Giが搬送装置54により搬入され、リフトピン86に受け渡される(図20、図13の時点t7)。
When the rear end portion of the substrate G i (coating end line) arrives at the resist solution supply position P s immediately below the resist
第1の基板搬送部84Aにおいては、スライダ98Aが搬送停止位置Pdに着くや否や、パッド吸着制御部115Aが吸着パッド104Aに対するバキュームの供給を止め、これと同時にパッドアクチエータ109Aが吸着パッド104Aを往動位置(結合位置)から原位置(退避位置)へ下ろし、基板Giの左側端部から吸着パッド104Aを分離させる(図20、図13の時点t8)。この時、パッド吸着制御部115Aは吸着パッド104Aに正圧(圧縮空気)を供給し、基板Giからの分離を速める。次いで、スライダ98Aを基板搬送方向と反対の方向に高速度V5で移動させ、搬送始点位置Paまで引き返させる(図21、図13の時点t9)。
In the first
一方、第2の基板搬送部84Bにおいては、保持部102Bで基板Giの右側端部を保持したままスライダ98Bを下流側基板停止位置Pdから搬送終点位置Pbまで比較的高速の一定速度V4で基板搬送方向(X方向)に移動させる(図21、図13の時点t9)。この際、基板Giの左側縁部は自由端になっているが、やはりステージ基板浮上部134による浮上力で高さ位置を拘束され、右側縁部とほぼ同じ高さで移動する。そして、スライダ98Bが搬送終点位置Pbに着くや否や、パッド吸着制御部115Bが吸着パッド104Bに対するバキュームの供給を止め、これと同時にパッドアクチエータ109Bが吸着パッド104Bを往動位置(結合位置)から原位置(退避位置)へ下ろし、基板Giの右側端部から吸着パッド104Bを分離させる。この時、パッド吸着制御部115Bは吸着パッド104Bに正圧(圧縮空気)を供給し、基板Giからの分離を速める。代わって、リフトピン92が基板Giをアンローディングするためにステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置へ上昇する(図22、図23、図13の時点t10)。
On the other hand, in the second
上記のように、この実施形態においては、ステージ76上に搬入領域M1、塗布領域M3、搬出領域M5を別々に設け、それらの各領域に基板を順次転送して基板搬入動作、レジスト液供給動作、基板搬出動作を各領域で独立または並列的に行うようにしている。このようなパイプライン方式により、1枚の基板Gについてステージ76上に搬入する動作に要する時間(TIN)と、ステージ76上で搬入領域M1から搬出領域M5まで搬送するのに要する時間(TC)と、搬出領域M5から搬出するのに要する時間(TOUT)とを足し合わせた塗布処理1サイクルの所要時間(TC+TIN+TOUT)よりも、タクトタイムを大幅に短縮することができる。しかも、ステージ76の上面に設けた噴出口88より噴出する気体の圧力を利用して基板Gを空中に浮かせ、浮いている基板Gをステージ76上で搬送しながら定置の長尺型レジストノズル78より基板G上にレジスト液を供給して塗布するようにしたので、基板の大型化に無理なく効率的に対応することができる。
As described above, in this embodiment, the carry-in area M 1 , the coating area M 3 , and the carry-out area M 5 are separately provided on the
そして、ステージ76上で基板Giを搬送するために、ステージ76の両サイドに配置された第1および第2の基板搬送部84A,84Bが基板Giの両側縁部を保持しながら基板搬送方向に移動する。ここで、第1の基板搬送部84Aは、搬入領域M1内の搬入位置から長尺型レジストノズル直下の塗布位置を通って塗布位置と搬出領域M5内の搬出位置との間に設定された塗布終了位置までステージ76上で浮いている基板Giを保持して搬送する。一方、第2の基板搬送部84Bは、搬入位置と塗布位置との間に設定された塗布開始位置から塗布位置を通って搬出位置までステージ上で浮いている基板を保持して搬送する。
Then, in order to transfer the substrate G i on the
第1および第2の基板搬送部84A,84Bが一緒に基板Giを保持して搬送する区間は、搬入位置から搬出位置までの全搬送区間ではなく、塗布開始位置から塗布終了位置までの中間区間である。第1の基板搬送部84Aは、塗布終了位置まで基板Giを搬送すると、そこで当該基板Giに対する搬送の役目を終え、直ちに搬入位置へ引き返して後続の新たな基板Gi+1の搬送にとり掛かる。一方、第2の基板搬送部84Bは、塗布終了位置から搬出位置まで基板Giを単独で搬送し、次いで搬入位置より手前の塗布開始位置まで引き返し、その位置まで第1の基板搬送部84Aが次の基板Gi+1を単独で搬送してくるのを待つ。
First and second
このように、第1および第2の基板搬送部84A,84Bの間では両者同時の基板搬送動作を必要最小限(厳密な基板高さが要求される塗布中の区間)に限定し、それ以外は各持分の区間(搬入側区間、搬出側区間)における搬送ないし移動動作を単独で個別に行うようにしており、基板搬送効率の大なる向上ひいてはタクトタイムの大幅な改善を実現している。また、ステージ76上の両サイドに敷設するガイドレール96A,96Bはステージ76の端から端まで敷設する必要はなく、第1の基板搬送部84Aはガイドレール96Aを搬入位置から塗布終了位置まで敷設するだけでよく、第2の基板搬送部84Bはガイドレール96Bを塗布開始位置から搬出位置まで敷設するだけでよく、ガイドレール96A,96Bや搬送駆動部100A,100B等の搬送系のコスト削減も図れる。もっとも、第2の基板搬送部84B側のガイドレール96Bを塗布開始位置まで延長して、ロット先頭の基板については両基板搬送部84A,84Bが塗布開始位置から一緒に基板搬送を開始してもよい。
As described above, the simultaneous substrate transfer operation between the first and second
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the technical idea.
たとえば、上記した実施形態における基板搬送部84A,84Bの保持部102A,102Bは真空吸着式のパッド104A,104Bを有するものであったが、基板Gの側縁部をメカニカルに(たとえば狭着して)保持するパッド等も可能である。また、パッド104A,104Bを基板Gの側縁部に着脱自在に結合するための機構(パッド支持部104A,104B、パッド昇降部106A,106B、パッドアクチエータ109A,109B等)にも種々の方式、構成を採用することができる。上記した実施形態ではレジストノズル78を定置型としたが、必要に応じて水平移動可能としてもよい。
For example, the holding
上記した実施形態では、第1の基板搬送部84Aによる基板搬送をぴったり塗布開始位置に対応する位置(Pc)で一時停止させ、第1および第2の基板搬送部84A,84Bによる基板搬送をぴったり塗布終了位置に対応する位置(Pd)で一時停止させている。一変形例として、そのような一時停止を行わずに、塗布開始位置に対応する位置(Pc)では移動中の基板Gに第2の基板搬送部84Bが結合し、塗布終了位置に対応する位置(Pd)では移動中の基板Gから第1の基板搬送部84Aが分離する構成とすることも可能である。別の変形例として、塗布開始位置に対応する位置(Pc)からずれた位置で第1の基板搬送部84Aに基板搬送の一時停止や第2の基板搬送部84Bに基板搬送への参入を行わせたり、塗布終了位置に対応する位置(Pd)からずれた位置で第1および第2の基板搬送部84A,84Bに基板搬送の一時停止や第1の基板搬送部84Aに基板搬送からの降板を行わせることも可能である。
In the embodiment described above, the substrate conveyance by the first
上記した実施形態はLCD製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を供給する任意の処理装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。 The above-described embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating / development processing system for LCD manufacturing. However, the present invention is applicable to any processing apparatus or application that supplies a processing liquid onto a substrate to be processed. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used, and a developing liquid or a rinsing liquid can also be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.
40 レジスト塗布ユニット(CT)
54 搬送装置
74 搬送アーム
76 ステージ
78 レジストノズル
84A,84B 第1および第2の基板搬送部
85 搬入用リフトピン昇降部
86 搬入用リフトピン
87 アライメント部
88 噴出口
90 吸引口
91 搬出用リフトピン昇降部
92 搬出用リフトピン
96A,96B 第1および第2のガイドレール
98A,98B 第1および第2のスライダ
100A,100B 第1および第2の搬送駆動部
102A,102B 第1および第2の保持部
104A,104B 第1および第2の吸着パッド
106A,106B 第1および第2のパッド支持部
108A,108B 第1および第2のパッド昇降部材
109A,109B 第1および第2のパッドアクチエータ
115A,115B 第1および第2のパッド吸着制御部
134 ステージ基板浮上部
136 コントローラ
M1 搬入領域
M3 塗布領域
M5 搬出領域
40 resist coating unit (CT)
54 Conveying
Claims (32)
前記ステージ上の搬入位置に前記基板を搬入するための搬入部と、
前記ステージ上の搬出位置から前記基板を搬出するための搬出部と、
前記搬入位置と前記搬出位置との間の塗布位置で前記ステージの上方から前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記搬入位置から前記塗布位置を通って前記塗布位置と前記搬出位置との間に設定された第1の位置まで前記ステージ上で浮いている前記基板を保持して搬送する第1の基板搬送部と、
前記搬入位置と前記塗布位置との間に設定された第2の位置から前記塗布位置を通って前記搬出位置まで前記ステージ上で浮いている前記基板を保持して搬送する第2の基板搬送部と
を有する基板処理装置。 A stage that has a number of jet holes on the upper surface and floats the substrate to be processed to a desired height by the pressure of the gas jetted from the jet holes;
A loading section for loading the substrate into a loading position on the stage;
An unloading unit for unloading the substrate from the unloading position on the stage;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate from above the stage at a coating position between the carry-in position and the carry-out position;
A first substrate transport unit that holds and transports the substrate floating on the stage from the carry-in position to the first position set between the application position and the carry-out position through the application position. When,
A second substrate transport unit that holds and transports the substrate floating on the stage from a second position set between the carry-in position and the application position to the carry-out position through the application position. And a substrate processing apparatus.
前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの一方のサイドに配置される第1のガイドレールと、
前記第1のガイドレールに沿って移動可能な第1の搬送本体と、
前記第1の搬送本体を前記第1のガイドレールに沿って移動するように駆動する第1の搬送駆動部と、
前記第1の搬送本体から前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の第1の側縁部を着脱可能に保持する第1の保持部と
を有する請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 The first substrate transport unit is
A first guide rail disposed on one side of the stage so as to extend in parallel with a direction in which the substrate moves;
A first transfer body movable along the first guide rail;
A first transport driving unit that drives the first transport body to move along the first guide rail;
The first holding part that extends from the first transfer body toward the center of the stage and holds the first side edge of the substrate in a detachable manner. The substrate processing apparatus as described.
前記基板の第1の側縁部に着脱可能に吸着可能な第1のパッドと、
基端部が前記第1の搬送本体に固定されるとともに、先端部が前記第1のパッドに結合された第1のパッド支持部と、
前記基板に対する前記第1のパッドの吸着を制御する第1のパッド吸着制御部と
を有する請求項3または請求項4に記載の基板処理装置。 The first holding part is
A first pad removably attachable to the first side edge of the substrate;
A first pad support portion having a proximal end portion fixed to the first transport body and a distal end portion coupled to the first pad;
The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising: a first pad suction control unit that controls suction of the first pad to the substrate.
前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの他方のサイドに配置される第2のガイドレールと、
前記第2のガイドレールに沿って移動可能な第2の搬送本体と、
前記第2の搬送本体を前記第2のガイドレールに沿って移動するように駆動する第2の搬送駆動部と、
前記第2の搬送本体から前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の第2の側縁部を着脱可能に保持する第2の保持部と
を有する請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The second substrate transport section is
A second guide rail disposed on the other side of the stage so as to extend in parallel with the moving direction of the substrate;
A second transport body movable along the second guide rail;
A second transport driving unit that drives the second transport body to move along the second guide rail;
A second holding part that extends from the second transfer body toward the center of the stage and holds the second side edge of the substrate in a detachable manner. The substrate processing apparatus according to one item.
前記基板の第2の側縁部に着脱可能に結合可能な第2のパッドと、
基端部が前記第2の搬送本体に固定されるとともに、先端部が前記第2のパッドに結合された第2のパッド支持部と、
前記基板に対する前記第2のパッドの吸着を制御する第2のパッド吸着制御部と
を有する請求項12または請求項13に記載の基板処理装置。 The second holding part is
A second pad removably connectable to a second side edge of the substrate;
A base end portion fixed to the second transport body, and a tip end portion coupled to the second pad; a second pad support portion;
The substrate processing apparatus according to claim 12, further comprising: a second pad suction control unit that controls suction of the second pad to the substrate.
前記ステージ上の搬入位置で前記基板をピン先端で支持するための複数本の第1のリフトピンと、
前記第1のリフトピンを前記ステージ下方の原位置と前記ステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第1のリフトピン昇降部と
を有する請求項1〜19のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The carrying-in part is
A plurality of first lift pins for supporting the substrate by a pin tip at a loading position on the stage;
20. The substrate according to claim 1, further comprising: a first lift pin elevating unit that moves the first lift pin up and down between an original position below the stage and a forward movement position above the stage. Processing equipment.
前記ステージ上の搬出位置で前記基板をピン先端で支持するための複数本の第2のリフトピンと、
前記第2のリフトピンを前記ステージ下方の原位置と前記ステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第2のリフトピン昇降部と
を有する請求項1〜20のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The unloading part is
A plurality of second lift pins for supporting the substrate by a pin tip at an unloading position on the stage;
21. The substrate according to any one of claims 1 to 20, further comprising: a second lift pin lifting / lowering unit that moves the second lift pin up and down between an original position below the stage and a forward movement position above the stage. Processing equipment.
前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で被処理基板を所望の高さに浮かせ、
前記ステージ上で、前記搬入位置から前記塗布開始位置までの第1の区間では前記基板の第1の部位を保持して、前記塗布開始位置から前記塗布終了位置までの第2の区間では前記基板の第1および第2の部位を保持して、前記塗布終了位置から前記搬出位置までの第3の区間では前記基板の第2の部位を保持して、前記基板を前記基板搬送方向に搬送し、
前記基板が前記第2の区間を移動する間に前記基板の上面に処理液を塗布する基板処理方法。 Set the loading position, coating start position, coating end position and unloading position in a line along the substrate transport direction on the stage,
The substrate to be processed is floated to a desired height by the pressure of gas ejected from a large number of ejection ports provided on the upper surface of the stage,
On the stage, the first portion of the substrate is held in a first section from the carry-in position to the application start position, and the substrate is used in a second section from the application start position to the application end position. And holding the second part of the substrate in the third section from the coating end position to the unloading position, and transporting the substrate in the substrate transport direction. ,
A substrate processing method for applying a processing liquid to an upper surface of the substrate while the substrate moves in the second section.
前記ステージ上で、前記基板を所望の高さに浮かせた状態で、前記搬入位置から塗布開始位置まで前記基板の第1の部位を保持して搬送するステップと、
前記ステージ上で、前記基板を所望の高さに浮かせた状態で、前記塗布開始位置から塗布終了位置まで前記基板の第1および第2の部位を保持して搬送するステップと、
前記ステージ上で、前記基板が前記塗布開始位置から塗布終了位置まで移動する間に前記基板の上面に処理液を塗布するステップと、
前記ステージ上で、前記基板を所望の高さに浮かせた状態で、前記塗布終了位置から搬出位置まで前記基板の第2の部位を保持して搬送するステップと、
前記ステージの搬出位置に着いた前記基板を搬出するステップと
を実行する基板処理プログラム。
Loading a substrate to be processed into a loading position of a stage having a large number of jet holes on the upper surface;
On the stage, with the substrate floating at a desired height, holding and transporting the first part of the substrate from the loading position to the application start position;
Holding and transporting the first and second parts of the substrate from the application start position to the application end position, with the substrate floating at a desired height on the stage;
Applying a treatment liquid on the upper surface of the substrate while the substrate moves from the application start position to the application end position on the stage; and
Holding and transporting the second part of the substrate from the coating end position to the unloading position with the substrate floating at a desired height on the stage;
A substrate processing program for executing the step of unloading the substrate that has arrived at the unloading position of the stage.
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