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JP2006253218A - Optical semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents

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JP2006253218A
JP2006253218A JP2005064326A JP2005064326A JP2006253218A JP 2006253218 A JP2006253218 A JP 2006253218A JP 2005064326 A JP2005064326 A JP 2005064326A JP 2005064326 A JP2005064326 A JP 2005064326A JP 2006253218 A JP2006253218 A JP 2006253218A
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Japan
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semiconductor device
optical semiconductor
active energy
film
energy ray
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JP2005064326A
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Japanese (ja)
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Tomotaka Miyamoto
倫尚 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical semiconductor device formed simply and having a film excellent in an antifouling property, and to provide a method of manufacturing it. <P>SOLUTION: The optical semiconductor device 10 includes a substrate 15, a bare chip 13 on which an optical element 11 is formed and which is installed on the substrate 15 through a die pad 14, an electrode pad 12 formed on the bare chip 13, and an electrode terminal 16 which is formed on the substrate 15 and electrically connected with the electrode pad 12 by a wire 17. The sealing of the whole semiconductor device is performed by the sealing film 18 of translucency. Further, the optical semiconductor device 10 is on the sealing film 18. It has a stainproof film 19 formed of a silicone series compound of activity energy line hardenability and/or a fluorine series compound resin of activity energy line hardenability. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、透光性の封止膜により封止された光学半導体装置であって、特に、封止膜表面に防汚膜を形成することによって、指紋などが付着することによる汚れを軽減できる光学半導体装置に関する。   The present invention is an optical semiconductor device sealed with a light-transmitting sealing film, and in particular, by forming an antifouling film on the surface of the sealing film, dirt due to adhesion of fingerprints can be reduced. The present invention relates to an optical semiconductor device.

従来、樹脂封止型の半導体装置は、以下のような工程で製造される。まず、所定の電極端子を基板上に形成する。次に半導体素子及び電極パッドが形成されたベアチップを基板上に搭載する。次に電極端子とベアチップ上に形成された電極パッドとにワイヤを配線して電気的に接続する。ワイヤ及びベアチップ全体を樹脂で封止した後、所定の形状に切断する。   Conventionally, a resin-encapsulated semiconductor device is manufactured by the following process. First, predetermined electrode terminals are formed on a substrate. Next, the bare chip on which the semiconductor element and the electrode pad are formed is mounted on the substrate. Next, wires are wired and electrically connected to the electrode terminals and the electrode pads formed on the bare chip. After sealing the entire wire and bare chip with resin, it is cut into a predetermined shape.

ベアチップに形成された半導体素子がフォトダイオードなどの光学素子である場合、封止には透光性の樹脂が使用され、具体的には透明性、電気絶縁性、耐湿性、耐熱性などの観点からエポキシ樹脂が多く用いられる。   When the semiconductor element formed on the bare chip is an optical element such as a photodiode, a translucent resin is used for sealing. Specifically, from the viewpoint of transparency, electrical insulation, moisture resistance, heat resistance, etc. Therefore, epoxy resin is often used.

上記のようにして製造された光学素子を備える半導体装置(以下、光学半導体装置)は、例えば光ピックアップ装置などに組み込まれる。   A semiconductor device (hereinafter referred to as an optical semiconductor device) including the optical element manufactured as described above is incorporated into, for example, an optical pickup device.

しかし、光ピックアップ装置等の組立工程で、光学半導体装置等の部品の組み込みは手作業で行われるため、指紋等の汚れが、光学半導体装置の封止膜の光の透過面に付着する場合がある。結果として、透過面に付着した汚れによって封止膜の光透過性が悪化し、光学半導体装置が所望の性能を発揮しない場合がある。   However, since assembly of parts such as an optical semiconductor device is manually performed in the assembly process of the optical pickup device or the like, dirt such as fingerprints may adhere to the light transmission surface of the sealing film of the optical semiconductor device. is there. As a result, the light transmittance of the sealing film is deteriorated due to the dirt adhering to the transmission surface, and the optical semiconductor device may not exhibit the desired performance.

そこで、特許文献１に撥水性、撥油性を備える保護膜を形成した半導体装置が開示されている。また、特許文献２に表面フィルムで覆われた半導体装置が開示されている。
特開平５−１８２９５２号公報 特開平９−０９２７５９号公報 Therefore, Patent Document 1 discloses a semiconductor device in which a protective film having water repellency and oil repellency is formed. Patent Document 2 discloses a semiconductor device covered with a surface film.
JP-A-5-182952 Japanese Patent Laid-Open No. 9-092759

特許文献１に開示された技術では、撥水・撥油性を備える保護膜を形成する前の段階で、プラズマ処理工程が加わり、製造工程が複雑となり、コストが増大する問題があった。   The technique disclosed in Patent Document 1 has a problem that a plasma treatment process is added before the formation of a protective film having water and oil repellency, which complicates the manufacturing process and increases costs.

特許文献２に開示された技術でも同様に、表面フィルムを形成する前に表面フィルムを形成する領域にコロナ処理、プラズマ処理が必要となり、特許文献１に開示された技術と同様に製造工程が複雑となり、コストが増大する問題があった。   Similarly, in the technique disclosed in Patent Document 2, corona treatment and plasma treatment are required in the region where the surface film is formed before forming the surface film, and the manufacturing process is complicated as in the technique disclosed in Patent Document 1. Thus, there is a problem that the cost increases.

また、組込作業後の検査によって光学半導体装置が特性不良と判断された場合、光学半導体装置を一旦取り外して洗浄して指紋等の汚れを落とした後、再度組み込まれる。指紋等の汚れは、有機溶剤を染み込ませたウェスで封止膜表面を拭き上げ、洗浄されるため封止膜表面に傷を付けてしまうことがあり、一旦汚れの付着した光学半導体装置が再利用できなくなる場合があるという問題があった。   Further, when it is determined that the optical semiconductor device has a characteristic defect by the inspection after the assembling work, the optical semiconductor device is temporarily removed and cleaned to remove fingerprints and the like and then reassembled. For dirt such as fingerprints, the surface of the sealing film is wiped with a cloth soaked in an organic solvent and washed, and the surface of the sealing film may be damaged. There was a problem that it could not be used.

そこで、簡易に形成され、且つ防汚性に優れた保護膜を備える半導体装置及び製造方法が望まれている。また、防汚性のみならず耐摩耗性に優れた皮膜を備える半導体装置及び製造方法が望まれている。   Therefore, a semiconductor device and a manufacturing method including a protective film that is easily formed and has excellent antifouling properties are desired. In addition, there is a demand for a semiconductor device and a manufacturing method provided with a film having not only antifouling properties but also excellent wear resistance.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、簡易に形成され、且つ防汚性に優れた皮膜を備える光学半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は防汚性と共に、耐磨耗性に優れた皮膜を備える光学半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an optical semiconductor device including a film that is easily formed and has excellent antifouling properties and a method for manufacturing the same. Another object of the present invention is to provide an optical semiconductor device provided with a film excellent in antifouling properties and wear resistance, and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる光学半導体装置は、
基板と、該基板上に載置され、且つ受光面又は発光面を有する光学素子と、を備え、少なくとも前記光学素子の受光面又は発光面が透光性の封止膜によって封止された光学半導体装置であって、
活性エネルギー線硬化性の樹脂から構成され、且つ前記封止膜上に形成された防汚膜を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an optical semiconductor device according to the first aspect of the present invention includes:
An optical element comprising a substrate and an optical element placed on the substrate and having a light receiving surface or a light emitting surface, and at least the light receiving surface or the light emitting surface of the optical element is sealed with a light-transmitting sealing film A semiconductor device,
It is made of an active energy ray-curable resin and includes an antifouling film formed on the sealing film.

前記活性エネルギー線硬化性の樹脂は、活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／または活性エネルギー線硬化性のフッ素系化合物であってもよい。   The active energy ray curable resin may be an active energy ray curable silicone compound and / or an active energy ray curable fluorine compound.

前記シリコーン系化合物は、シリコーン系置換基と活性エネルギー線重合性の反応性基を含む化合物であり、前記フッ素系化合物は、フッ素系置換基と活性エネルギー線重合性の反応性基を含む化合物であってもよい。   The silicone compound is a compound containing a silicone substituent and an active energy ray polymerizable reactive group, and the fluorine compound is a compound containing a fluorine substituent and an active energy ray polymerizable reactive group. There may be.

前記封止膜と前記防汚膜との間に、少なくとも一層以上の透光性の樹脂層が形成されてもよい。   At least one translucent resin layer may be formed between the sealing film and the antifouling film.

前記透光性の樹脂層は、活性エネルギー線照射によって架橋あるいは重合する反応基を含む化合物であってもよい。   The translucent resin layer may be a compound containing a reactive group that crosslinks or polymerizes upon irradiation with active energy rays.

前記封止膜と、前記防汚膜との間に、ハードコート層が形成されてもよい。   A hard coat layer may be formed between the sealing film and the antifouling film.

前記ハードコート層は、（メタ）アクリロイル基、ビニル基およびメルカプト基の少なくとも１つの活性基を有する化合物と、無機微粒子とから形成されてもよい。   The hard coat layer may be formed from a compound having at least one active group of (meth) acryloyl group, vinyl group and mercapto group, and inorganic fine particles.

上記目的を達成するため、本発明の第２の観点にかかる光学半導体装置は、
基板と、該基板上に載置され、且つ受光面又は発光面を有する光学素子とを備え、少なくとも前記光学素子の受光面又は発光面が透光性の封止膜によって封止された光学半導体装置であって、
活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物と、無機微粒子とから構成され、且つ前記封止膜上に形成されたハードコート膜を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an optical semiconductor device according to the second aspect of the present invention includes:
An optical semiconductor comprising a substrate and an optical element mounted on the substrate and having a light receiving surface or a light emitting surface, and at least the light receiving surface or the light emitting surface of the optical element is sealed with a light-transmitting sealing film A device,
An active energy ray-curable silicone-based compound and / or fluorine-based compound and inorganic fine particles are provided, and a hard coat film formed on the sealing film is provided.

上記目的を達成するため、本発明の第３の観点にかかる光学半導体装置の製造方法は、
光学半導体装置を製造する方法であって、
受光面又は発光面を備える光学素子を基板上に載置する載置工程と、
前記基板上に設置された前記光学素子の少なくとも受光面又は発光面を覆うように透光性の封止膜を形成する封止膜形成工程と、
前記封止膜上に活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物を塗布し、防汚膜を形成する塗布工程と、
前記防汚膜に活性エネルギー線を照射して、前記防汚膜を硬化させる硬化工程と、を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a method of manufacturing an optical semiconductor device according to the third aspect of the present invention includes:
A method for manufacturing an optical semiconductor device, comprising:
A mounting step of mounting an optical element having a light receiving surface or a light emitting surface on a substrate;
A sealing film forming step of forming a translucent sealing film so as to cover at least a light receiving surface or a light emitting surface of the optical element placed on the substrate;
An application step of applying an active energy ray-curable silicone compound and / or fluorine compound on the sealing film to form an antifouling film;
A curing step of irradiating the antifouling film with active energy rays to cure the antifouling film.

前記活性エネルギー線硬化性の樹脂は、活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／または活性エネルギー線硬化性のフッ素系化合物であってもよい。   The active energy ray curable resin may be an active energy ray curable silicone compound and / or an active energy ray curable fluorine compound.

本発明によれば、活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物を用いた防汚膜を封止膜上に形成することによって封止膜表面に対して複雑な前処理をせずに、簡易に形成され、且つ防汚性に優れた皮膜を備える光学半導体装置及びその製造方法を提供することができる。また、本発明は防汚性と共に、耐磨耗性に優れた皮膜を備える光学半導体装置とその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, the surface of the sealing film is subjected to complicated pretreatment by forming an antifouling film on the sealing film using the active energy ray-curable silicone compound and / or fluorine compound. In addition, it is possible to provide an optical semiconductor device including a film that is easily formed and has excellent antifouling properties and a method for manufacturing the same. In addition, the present invention can provide an optical semiconductor device having a film excellent in antifouling property and wear resistance, and a method for manufacturing the same.

本発明の実施の形態に係る光学半導体装置について図を用いて説明する。   An optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る光学半導体装置１０を図に示す。図１（ａ）は、光学半導体装置１０の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す光学半導体装置１０のＡ−Ａ’線断面図である。 (First embodiment)
An optical semiconductor device 10 according to a first embodiment of the present invention is shown in the drawing. FIG. 1A is a plan view of the optical semiconductor device 10. FIG. 1B is a cross-sectional view of the optical semiconductor device 10 shown in FIG.

光学半導体装置１０は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように光学素子１１、電極パッド１２、ベアチップ１３、ダイパッド１４、基板１５、電極端子１６、ワイヤ１７、封止膜１８、防汚膜１９と、を備える。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the optical semiconductor device 10 includes an optical element 11, an electrode pad 12, a bare chip 13, a die pad 14, a substrate 15, an electrode terminal 16, a wire 17, a sealing film 18, an antifouling agent. A film 19.

ベアチップ１３は、図１（ａ）に示すように中央に例えばフォトダイオード等から構成される光学素子１１が形成される。ベアチップ１３は基板１５上に形成されたダイパッド１４上に設置される。また、ベアチップ１３の各辺に沿って、電極パッド１２が形成される。   As shown in FIG. 1A, the bare chip 13 has an optical element 11 formed of, for example, a photodiode at the center. The bare chip 13 is placed on a die pad 14 formed on a substrate 15. In addition, electrode pads 12 are formed along each side of the bare chip 13.

基板１５は、例えば矩形である。基板１５上の中央にはダイパッド１４が形成されており、基板１５の外縁近傍には電極端子１６が各辺に沿って形成される。基板１５上の電極端子１６は、ワイヤ１７によってベアチップ１３上に形成された電極パッド１２と電気的に接続されている。   The substrate 15 is rectangular, for example. A die pad 14 is formed at the center on the substrate 15, and electrode terminals 16 are formed along the sides near the outer edge of the substrate 15. The electrode terminal 16 on the substrate 15 is electrically connected to the electrode pad 12 formed on the bare chip 13 by a wire 17.

封止膜１８は、基板１５上に形成されたベアチップ１３、電極端子１６等を覆うように形成される。封止膜１８は、ベアチップ１３に形成された光学素子１１を覆うため透明性が要求され、例えばエポキシ樹脂から形成される。   The sealing film 18 is formed so as to cover the bare chip 13, the electrode terminal 16, and the like formed on the substrate 15. The sealing film 18 is required to be transparent in order to cover the optical element 11 formed on the bare chip 13, and is formed of, for example, an epoxy resin.

防汚膜１９は、封止膜１８上に形成される。防汚膜１９も光学素子１１の光の透過面を覆うため透明性が要求される。また、防汚膜１９は、活性エネルギー線硬化性樹脂から形成され、具体的には活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／または活性エネルギー線硬化性のフッ素系化合物を主成分とする樹脂から形成される。シリコーン系化合物としては、例えばシリコーン系置換基と活性エネルギー線重合性の反応性基を含む化合物が挙げられる。フッ素系化合物としては、フッ素系置換基と活性エネルギー線重合性の反応性基を含む化合物が挙げられる。   The antifouling film 19 is formed on the sealing film 18. The antifouling film 19 also needs transparency because it covers the light transmission surface of the optical element 11. Further, the antifouling film 19 is formed from an active energy ray-curable resin, specifically, from a resin mainly composed of an active energy ray-curable silicone compound and / or an active energy ray-curable fluorine compound. It is formed. As a silicone type compound, the compound containing a silicone type substituent and an active energy ray polymerizable reactive group is mentioned, for example. As a fluorine-type compound, the compound containing a fluorine-type substituent and an active energy ray polymeric reactive group is mentioned.

活性エネルギー線重合性の反応性基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基およびメルカプト基などの活性エネルギー線ラジカル重合性反応性基や、環状エーテル基およびビニルエーテル基などの活性エネルギー線カチオン重合性反応性基が挙げられる。   Active energy ray polymerizable reactive groups include active energy ray radically polymerizable reactive groups such as (meth) acryloyl group, vinyl group and mercapto group, and active energy ray cationic polymerizable properties such as cyclic ether group and vinyl ether group. A reactive group is mentioned.

防汚膜１９に含まれるシリコーン系化合物としては、シリコーン系の置換基を有する部位と、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、メルカプト基、環状エーテル基及びビニルエーテル基の中から選択される少なくとも１つの反応性基とを有する化合物が挙げられ、たとえば、以下の一般式で示されるシリコーン系化合物が挙げられる。
（化合物１） Ｒ−〔Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ Ｏ〕ｎ−Ｒ
（化合物２） Ｒ−〔Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ Ｏ〕ｎ−Ｓｉ（ＣＨ３ ）３
（化合物３） （ＣＨ３ ）３ ＳｉＯ−〔Ｓｉ（ＣＨ３ ）２ Ｏ〕ｎ−〔Ｓｉ（ＣＨ３ ）（Ｒ）Ｏ〕ｍ−Ｓｉ（ＣＨ３ ）３
ここに、（化合物１）〜（化合物３）のＲは、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、メルカプト基、環状エーテル基およびビニルエーテル基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの反応性基を含む置換基であり、ｎ、ｍは重合度である。 The silicone compound contained in the antifouling film 19 includes at least one selected from a site having a silicone substituent, a (meth) acryloyl group, a vinyl group, a mercapto group, a cyclic ether group, and a vinyl ether group. Examples thereof include compounds having a reactive group, and examples thereof include silicone compounds represented by the following general formula.
(Compound 1) R— [Si (CH 3 ) 2 O] n—R
(Compound 2) R— [Si (CH 3 ) 2 O] n—Si (CH 3 ) 3
(Compound 3) (CH 3) 3 SiO- [Si (CH 3) 2 O] n- [Si (CH 3) (R) O ] m-Si (CH 3) 3
Here, R in (Compound 1) to (Compound 3) is a substituent containing at least one reactive group selected from the group consisting of (meth) acryloyl group, vinyl group, mercapto group, cyclic ether group and vinyl ether group. N and m are degrees of polymerization.

防汚膜１９に含まれるフッ素系化合物としては、フッ素系（メタ）アクリレート化合物が挙げられ、具体的には、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル（メタ）アクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２− ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロ−９−メチルオクチル）エチル（メタ）アクリレート、３−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロ−９−メチルデシル）エチル（メタ）アクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニル（メタ）アクリレートなどのフッ化アクリレートが挙げられる。   Examples of the fluorine compound contained in the antifouling film 19 include fluorine (meth) acrylate compounds. Specifically, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl (meth) acrylate, 2,2 , 3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 1H, 1H, 5H-octafluoropentyl (meth) acrylate, 3- (perfluoro-5-methyl) Hexyl) -2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- (perfluorooctyl) ethyl acrylate, 3-perfluorooctyl-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- (perfluorodecyl) ethyl (meth) acrylate, 2- (perfluoro-9-methyloctyl) ethyl (meth) acrylate, Fluorine such as 3- (perfluoro-7-methyloctyl) ethyl (meth) acrylate, 2- (perfluoro-9-methyldecyl) ethyl (meth) acrylate, 1H, 1H, 9H-hexadecafluorononyl (meth) acrylate, etc. Acrylates.

また、防汚膜１９に含まれるフッ素系化合物としては、フッ素系置換基を有する部位と、環状エーテル基およびビニルエーテル基の中から選択される少なくとも１つの反応性基とを有する化合物が挙げられる。具体的には、３−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチロキシ）−１，２−エポキシプロパン、３−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロノニロキシ）−１，２−エポキシプロパン、３−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロデシロキシ）−１，２−エポキシプロパン、３−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロウンデシロキシ）−１，２−エポキシプロパン、３−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロテトラデシロキシ）−１，２−エポキシプロパン、３−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロヘキサデシロキシ）−１，２−エポキシプロパン、１Ｈ，１Ｈ，６Ｈ，６Ｈ−パーフルオロ−１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、１Ｈ，１Ｈ，８Ｈ，８Ｈ−パーフルオロ−１，８−オクタンジオールジグリシジルエーテル、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ，９Ｈ−パーフルオロ−１，９−ノナンジオールジグリシジルエーテル、１Ｈ，１Ｈ，１０Ｈ，１０Ｈ−パーフルオロ−１，１０−デカンジオールジグリシジルエーテル、１Ｈ，１Ｈ，１２Ｈ，１２Ｈ−パーフルオロ−１，１２−ドデカンジオールジグリシジルエーテル、アウジモント株式会社製「Ｆｏｍｂｒｉｎ Ｚ ＤＯＬ（商品名）」（アルコール変性パーフルオロポリエーテル）のジグリシジルエーテルなどが挙げられる。   Examples of the fluorine compound contained in the antifouling film 19 include a compound having a portion having a fluorine substituent and at least one reactive group selected from a cyclic ether group and a vinyl ether group. Specifically, 3- (1H, 1H-perfluorooctyloxy) -1,2-epoxypropane, 3- (1H, 1H-perfluorononoxy) -1,2-epoxypropane, 3- (1H, 1H-perfluorodecyloxy) -1,2-epoxypropane, 3- (1H, 1H-perfluoroundecyloxy) -1,2-epoxypropane, 3- (1H, 1H-perfluorotetradecyloxy) -1 , 2-epoxypropane, 3- (1H, 1H-perfluorohexadecyloxy) -1,2-epoxypropane, 1H, 1H, 6H, 6H-perfluoro-1,6-hexanediol diglycidyl ether, 1H, 1H, 8H, 8H-perfluoro-1,8-octanediol diglycidyl ether, 1H, 1H, 9H, 9H-perfluoro-1,9-no Diglycidyl ether, 1H, 1H, 10H, 10H-perfluoro-1,10-decanediol diglycidyl ether, 1H, 1H, 12H, 12H-perfluoro-1,12-dodecanediol diglycidyl ether, Augmont Corporation Examples thereof include diglycidyl ether of “Fombrin Z DOL (trade name)” (alcohol-modified perfluoropolyether) manufactured by the company.

上述したように光学半導体装置１０は、封止膜１８上に撥水性・撥油性を有する防汚膜１９が形成されることによって、光学半導体装置１０を例えば光ピックアップ装置等に組み込む際の組込工程で、光学半導体装置１０の表面に指紋等の汚れが付着しにくくなり、製品組み立て時の指紋付着などによる光学半導体部品の不良を低減することができる。   As described above, the optical semiconductor device 10 is incorporated when the optical semiconductor device 10 is incorporated into an optical pickup device or the like by forming the antifouling film 19 having water and oil repellency on the sealing film 18. In the process, dirt such as fingerprints is less likely to adhere to the surface of the optical semiconductor device 10, and defects in the optical semiconductor parts due to fingerprint attachment during product assembly can be reduced.

次に、光学半導体装置１０の製造方法を図２及び図３を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 10 will be described with reference to FIGS.

図２（ａ）に示すように基板１５上に形成されたダイパッド１４上に、光学素子１１を形成したベアチップ１３を搭載する。基板１５上のダイパッド１４部分には、予め接着用ペースト材が塗付されており、基板１５ごと加熱炉内に入れ、接着用ペースト材を熱硬化させてベアチップ１３を基板１５に固定する。   As shown in FIG. 2A, a bare chip 13 on which an optical element 11 is formed is mounted on a die pad 14 formed on a substrate 15. The die pad 14 portion on the substrate 15 is preliminarily coated with an adhesive paste material. The substrate 15 is placed in a heating furnace, and the adhesive paste material is thermally cured to fix the bare chip 13 to the substrate 15.

次に、図２（ｂ）に示すように、ワイヤ１７を配線して電極端子１６とベアチップ１３上の電極パッド１２とを電気的に接続する。   Next, as shown in FIG. 2B, the wire 17 is wired to electrically connect the electrode terminal 16 and the electrode pad 12 on the bare chip 13.

次に、図２（ｃ）に示すように、ワイヤ１７およびベアチップ１３全体をポッティング法やトランスファーモールド法を用い、例えばエポキシ樹脂等を充填し、樹脂を加熱硬化して封止膜１８を形成する。   Next, as shown in FIG. 2C, the wire 17 and the entire bare chip 13 are filled with, for example, an epoxy resin using a potting method or a transfer mold method, and the resin is heated and cured to form the sealing film 18. .

次に、図３（ｄ）に示すように熱硬化後の封止膜１８表面に、活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物を主成分として含む化合物をスプレーコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法などによって塗布し、防汚膜１９ａを形成する。   Next, as shown in FIG. 3 (d), the surface of the sealing film 18 after heat curing is sprayed with a compound containing an active energy ray-curable silicone compound and / or a fluorine compound as a main component. The antifouling film 19a is formed by coating by a coating method, a spin coating method, or the like.

次に、図３（ｅ）に示すように塗布された未硬化の防汚膜１９ａに活性エネルギー線(紫外線や電子線など)を照射して防汚膜１９ａを硬化させ、防汚膜１９を形成する。   Next, as shown in FIG. 3E, the uncured antifouling film 19a applied is irradiated with active energy rays (such as ultraviolet rays and electron beams) to cure the antifouling film 19a. Form.

防汚膜１９の形成後、図３（ｅ）に示すダイシングラインｄに沿って基板１５を切断して図３（ｆ）に示す光学半導体装置１０が形成される。   After the antifouling film 19 is formed, the substrate 15 is cut along the dicing line d shown in FIG. 3E to form the optical semiconductor device 10 shown in FIG.

上述したように本発明の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法は、封止膜１８上に、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法などによって防汚膜１９ａを形成した上で、活性エネルギー線を照射して未硬化の防汚膜１９ａを硬化させ、防汚膜１９を形成する。従って、防汚膜１９を形成する前に、封止膜１８に処理を施す必要がなく、簡易に撥水性及び撥油性を備える防汚膜１９が形成された光学半導体装置１０を製造することができる。   As described above, in the method for manufacturing an optical semiconductor device according to the embodiment of the present invention, the antifouling film 19a is formed on the sealing film 18 by the spray coating method, the dip coating method, the spin coating method, The active energy ray is irradiated to cure the uncured antifouling film 19a, thereby forming the antifouling film 19. Therefore, it is not necessary to process the sealing film 18 before forming the antifouling film 19, and it is possible to easily manufacture the optical semiconductor device 10 in which the antifouling film 19 having water repellency and oil repellency is formed. it can.

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置２０について図を用いて説明する。第２の実施の形態に係る光学半導体装置２０が、光学半導体装置１０と異なるのは、光学半導体装置１０は、封止膜１８上に防汚膜１９が形成されていたのに対し、光学半導体装置２０は、封止膜１８上に透光性樹脂層２１を形成し、透光性樹脂層２１上に防汚膜１９が形成される点にある。第１の実施の形態と共通する部分については、同一の引用番号を付し、詳細な説明を省略する。 (Second Embodiment)
An optical semiconductor device 20 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The optical semiconductor device 20 according to the second embodiment is different from the optical semiconductor device 10 in that the optical semiconductor device 10 has the antifouling film 19 formed on the sealing film 18, whereas the optical semiconductor The device 20 is that a translucent resin layer 21 is formed on the sealing film 18 and an antifouling film 19 is formed on the translucent resin layer 21. Portions common to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本発明の実施の形態に係る光学半導体装置２０を図４に示す。図４（ａ）は、光学半導体装置２０の平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す光学半導体装置２０のＢ−Ｂ’線断面図である。   An optical semiconductor device 20 according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 4A is a plan view of the optical semiconductor device 20. FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of the optical semiconductor device 20 shown in FIG.

光学半導体装置２０は、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、光学素子１１と、電極パッド１２と、ベアチップ１３と、ダイパッド１４と、基板１５と、電極端子１６と、ワイヤ１７と、封止膜１８と、防汚膜１９と、透光性樹脂層２１とを備える。   As shown in FIGS. 4A and 4B, the optical semiconductor device 20 includes an optical element 11, an electrode pad 12, a bare chip 13, a die pad 14, a substrate 15, an electrode terminal 16, and a wire 17. And a sealing film 18, an antifouling film 19, and a translucent resin layer 21.

透光性樹脂層２１は、封止膜１８上に形成され、透光性樹脂層２１上に、防汚膜１９が形成される。透光性樹脂層２１も光学素子１１の透光面を覆うように形成されるため、封止膜１８と、防汚膜１９と同様に透光性が要求される。   The translucent resin layer 21 is formed on the sealing film 18, and the antifouling film 19 is formed on the translucent resin layer 21. Since the translucent resin layer 21 is also formed so as to cover the translucent surface of the optical element 11, translucency is required in the same manner as the sealing film 18 and the antifouling film 19.

なお、透光性樹脂層２１の材料として、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂などが用いることができ、特に紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などの活性エネルギー線硬化型樹脂を用いることが好ましい。   In addition, as a material of the translucent resin layer 21, an ultraviolet curable resin, an electron beam curable resin, a thermosetting resin, or the like can be used. In particular, active energy rays such as an ultraviolet curable resin and an electron beam curable resin are used. It is preferable to use a curable resin.

透光性樹脂層２１の材料として用いることができる紫外線硬化性化合物および電子線硬化性化合物ならびにそれらの重合用組成物の具体例としては、アクリル酸やメタクリル酸のエステル化合物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレートなどのアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結合、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合などの紫外線照射または電子線照射によって架橋あるいは重合する基を分子中に含有または導入したモノマー、オリゴマーおよびポリマーなどを挙げることができる。これらは、多官能化合物、とくに３官能以上の化合物であることが好ましく、１種のみ用いても、２種以上を併用してもよい。また、単官能化合物を含んでいてもよい。   Specific examples of the ultraviolet curable compound and the electron beam curable compound that can be used as the material of the translucent resin layer 21 and the composition for polymerization thereof include ester compounds of acrylic acid and methacrylic acid, epoxy acrylate, and urethane acrylate. Contains or introduces in the molecule a group that crosslinks or polymerizes upon irradiation with ultraviolet rays or electrons, such as acrylic double bonds such as diallyl phthalate, allyl double bonds such as diallyl phthalate, and unsaturated double bonds such as maleic acid derivatives. Monomer, oligomer and polymer. These are preferably polyfunctional compounds, particularly trifunctional or higher functional compounds, and may be used alone or in combination of two or more. Moreover, the monofunctional compound may be included.

紫外線硬化性モノマーとしては、分子量２０００未満の化合物が、オリゴマーとしては、分子量２０００ないし１００００のものが好適である。これらの例としては、スチレン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、１，６−ヘキサングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサングリコールジメタクリレートなども挙げられるが、とくに好ましいものとしては、ペンタエリスリトールテトラ（メタ） アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ） アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ） アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ） アクリレート、フェノールエチレンオキシド付加物の（メタ） アクリレートなどが挙げられる。この他、紫外線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体などが挙げられる。   As the ultraviolet curable monomer, a compound having a molecular weight of less than 2000 is preferable, and as the oligomer, a molecular weight of 2000 to 10,000 is preferable. Examples of these include styrene, ethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol methacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol dimethacrylate, and the like. Particularly preferred are pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, (meth) acrylate of phenol ethylene oxide adduct, etc. Is mentioned. In addition, examples of the ultraviolet curable oligomer include oligoester acrylates and acrylic-modified urethane elastomers.

紫外線硬化性材料としては、さらに、エポキシ樹脂および光カチオン重合触媒を含有する組成物も、好ましく用いることができる。   As the ultraviolet curable material, a composition containing an epoxy resin and a photocationic polymerization catalyst can also be preferably used.

エポキシ樹脂としては、脂環式エポキシ樹脂が好ましく、とくに、分子内に、２個以上のエポキシ基を有するものが好ましい。脂環式エポキシ樹脂としては、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、ビニルシクロヘキセンジオキシドなどの１種以上が好ましい。脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量はとくに限定されるものではないが、良好な硬化性が得られることから、６０ないし３００ｇ／ｍｏｌ、とくに１００ないし２００ｇ／ｍｏｌであることが好ましい。   As the epoxy resin, alicyclic epoxy resins are preferable, and those having two or more epoxy groups in the molecule are particularly preferable. Examples of alicyclic epoxy resins include 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, bis- (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, bis- (3,4-epoxycyclohexyl) adipate, One or more of 2- (3,4-epoxycyclohexyl-5,5-spiro-3,4-epoxy) cyclohexane-meta-dioxane, bis (2,3-epoxycyclopentyl) ether, vinylcyclohexene dioxide and the like are preferable. . The epoxy equivalent of the alicyclic epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 60 to 300 g / mol, particularly preferably 100 to 200 g / mol because good curability can be obtained.

光カチオン重合触媒として、たとえば、１種以上の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族ないし５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム塩、ＭＦ６ アニオン（ただし、Ｍは、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩などを用いることができる。光カチオン重合触媒として、特にポリアリールスルホニウム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いることが好ましい。なお、光カチオン重合触媒は、上述したものに限られず公知のいずれのものを用いることができる。   Examples of photocationic polymerization catalysts include one or more metal fluoroborate and boron trifluoride complexes, bis (perfluoroalkylsulfonyl) methane metal salts, aryldiazonium compounds, 6A group aromatic onium salts, 5A group elements An aromatic onium salt, a dicarbonyl chelate of a group 3A to 5A element, a thiopyrylium salt, an MF6 anion (where M is P, As or Sb), a triarylsulfonium complex salt, an aromatic iodonium complex salt, An aromatic sulfonium complex salt or the like can be used. As the photocationic polymerization catalyst, it is particularly preferable to use one or more of polyarylsulfonium complex salts, aromatic sulfonium salts or iodonium salts of halogen-containing complex ions, aromatic onium salts of group 3A elements, group 5A elements and group 6A elements. . In addition, the photocationic polymerization catalyst is not limited to those described above, and any known one can be used.

上述したように光学半導体装置２０は、封止膜１８上に透光性樹脂層２１を形成し、透光性樹脂層２１上に撥水性・撥油性を有する防汚膜１９を形成することによって、光学半導体装置１０を例えば光ピックアップ装置等に組み込む際の組込工程で、光学半導体装置１０の表面に指紋等の汚れが付着しにくくすることができ、製品組み立て時の指紋付着などによる光学半導体部品の不良を低減することができる。   As described above, the optical semiconductor device 20 is formed by forming the translucent resin layer 21 on the sealing film 18 and forming the antifouling film 19 having water and oil repellency on the translucent resin layer 21. In an assembling process when the optical semiconductor device 10 is incorporated into, for example, an optical pickup device or the like, it is possible to make dirt such as fingerprints difficult to adhere to the surface of the optical semiconductor device 10, and the optical semiconductor due to fingerprint adhesion at the time of product assembly. Defects in parts can be reduced.

次に、光学半導体装置２０の製造方法を図５（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 20 will be described with reference to FIGS.

第１の実施の形態と同様に形成された図５（ａ）に示す熱硬化後の封止膜１８表面に、活性エネルギー線硬化性、または、熱硬化性樹脂をスプレーコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法などによって塗布した上で硬化させ、図５（ｂ）に示すように透光性樹脂層２１を形成する。   An active energy ray-curable or thermosetting resin is spray-coated or dip-coated on the surface of the sealing film 18 after thermosetting shown in FIG. 5A formed in the same manner as in the first embodiment. Then, it is applied and then cured by spin coating or the like to form a translucent resin layer 21 as shown in FIG.

次に、第１の実施の形態と同様に図５（ｃ）に示すように、透光性樹脂層２１表面に防汚膜１９を形成する。なお、防汚膜１９は、未硬化の透光性樹脂層２１の表面に塗布して活性エネルギー線を照射し、透過性樹脂層２１と防汚膜１９を同時に硬化させて形成することもできる。   Next, as in the first embodiment, an antifouling film 19 is formed on the surface of the translucent resin layer 21 as shown in FIG. The antifouling film 19 can also be formed by coating the surface of the uncured translucent resin layer 21 and irradiating active energy rays, and simultaneously curing the permeable resin layer 21 and the antifouling film 19. .

防汚膜１９の硬化後、図５（ｃ）に示すダイシングラインｄに沿って基板を切断し、図５（ｄ）に示す光学半導体装置２０が形成される。   After the antifouling film 19 is cured, the substrate is cut along the dicing line d shown in FIG. 5C, and the optical semiconductor device 20 shown in FIG. 5D is formed.

このように本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法は、活性エネルギー硬化性、又は熱硬化性樹脂を用いて、透光性樹脂層２１を形成し、また、活性エネルギー硬化性樹脂を用いて防汚膜１９を形成することにより、簡易な工程で、防汚膜１９を備える光学半導体装置を製造することができる。本実施の形態では、特に硬化させていない透光性樹脂層２１ａ上に防汚膜１９を塗布し、透過性樹脂層２１と防汚膜１９とを同時に硬化させるとさらに工程を簡略化することができる。   As described above, in the method for manufacturing an optical semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, the translucent resin layer 21 is formed using an active energy curable or thermosetting resin, and the active energy is also obtained. By forming the antifouling film 19 using a curable resin, an optical semiconductor device including the antifouling film 19 can be manufactured by a simple process. In the present embodiment, the process is further simplified if the antifouling film 19 is applied on the non-cured translucent resin layer 21a and the transparent resin layer 21 and the antifouling film 19 are simultaneously cured. Can do.

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る光学半導体装置３０について図を用いて説明する。第３の実施の形態に係る光学半導体装置３０が、光学半導体装置１０と異なるのは、光学半導体装置１０は、封止膜１８上に防汚膜１９が形成されていたのに対し、光学半導体装置３０は、封止膜１８上にハードコート層３１を形成し、ハードコート層３１上に防汚膜１９が形成される点にある。第１の実施の形態と共通する部分については、同一の引用番号を付し、詳細な説明を省略する。 (Third embodiment)
An optical semiconductor device 30 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The optical semiconductor device 30 according to the third embodiment is different from the optical semiconductor device 10 in that the optical semiconductor device 10 has the antifouling film 19 formed on the sealing film 18, whereas The apparatus 30 is that a hard coat layer 31 is formed on the sealing film 18 and the antifouling film 19 is formed on the hard coat layer 31. Portions common to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本発明の実施の形態に係る光学半導体装置３０を図６に示す。図６（ａ）は、光学半導体装置３０の平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す光学半導体装置３０のＣ−Ｃ’線断面図である。   An optical semiconductor device 30 according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 6A is a plan view of the optical semiconductor device 30. FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line C-C ′ of the optical semiconductor device 30 shown in FIG.

光学半導体装置３０は、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、光学素子１１と、電極パッド１２と、ベアチップ１３と、ダイパッド１４と、基板１５と、電極端子１６と、ワイヤ１７と、封止膜１８と、防汚膜１９と、ハードコート層３１を備える。   As shown in FIGS. 6A and 6B, the optical semiconductor device 30 includes an optical element 11, an electrode pad 12, a bare chip 13, a die pad 14, a substrate 15, an electrode terminal 16, and a wire 17. The sealing film 18, the antifouling film 19, and the hard coat layer 31 are provided.

ハードコート層３１は、封止膜１８上に形成され、ハードコート層３１上に、防汚膜１９が形成される。ハードコート層３１も、封止膜１８等と同様に光学素子１１の光の透過面を覆うように形成されるため、透光性が要求される。   The hard coat layer 31 is formed on the sealing film 18, and the antifouling film 19 is formed on the hard coat layer 31. Since the hard coat layer 31 is also formed so as to cover the light transmission surface of the optical element 11 in the same manner as the sealing film 18 and the like, translucency is required.

ハードコート層３１は、活性エネルギー線硬化性樹脂と、１００ｎｍ以下の平均粒子径を有する無機微粒子とを含むハードコート剤組成物から形成される。   The hard coat layer 31 is formed from a hard coat agent composition containing an active energy ray-curable resin and inorganic fine particles having an average particle diameter of 100 nm or less.

ハードコート層３１を形成するために用いられる活性エネルギー線硬化性樹脂は、（メタ）アクリロイル基、ビニル基およびメルカプト基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの活性基を有する化合物であれば、とくに限定されるものではない。なお、活性エネルギー線硬化性樹脂は、十分な硬度を有するハードコート層３１を形成するために、１つの分子内に、２つ以上、好ましくは、３つ以上の重合性基を含む多官能モノマーもしくはオリゴマーを含んでいることが好ましい。   The active energy ray-curable resin used to form the hard coat layer 31 is particularly limited as long as it is a compound having at least one active group selected from the group consisting of a (meth) acryloyl group, a vinyl group, and a mercapto group. Is not to be done. The active energy ray-curable resin is a polyfunctional monomer containing two or more, preferably three or more polymerizable groups in one molecule in order to form the hard coat layer 31 having sufficient hardness. Or it is preferable that the oligomer is included.

ハードコート層３１を形成するために用いられる（メタ）アクリロイル基を有する化合物としては、たとえば、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、３−（メタ）アクリロイルオキシグリセリンモノ（メタ）アクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、エステルアクリレートなどが挙げられる。なお、ハードコート層３１に用いることができる（メタ）アクリロイル基を有する化合物は、これらに限定されない。   Examples of the compound having a (meth) acryloyl group used for forming the hard coat layer 31 include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, and ethylene oxide-modified bisphenol A. Di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, 3 -(Meth) acryloyloxyglycerin mono (meth) acrylate, urethane acrylate, epoxy acrylate, ester acrylate and the like. In addition, the compound which has a (meth) acryloyl group which can be used for the hard-coat layer 31 is not limited to these.

また、ハードコート層３１を形成するために用いられるビニル基を有する化合物としては、たとえば、エチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ヒドロキノンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンポリビニルエーテルなどが挙げられる。なお、必ずしも、これらに限定されるものではない。   Examples of the compound having a vinyl group used for forming the hard coat layer 31 include ethylene glycol divinyl ether, pentaerythritol divinyl ether, 1,6-hexanediol divinyl ether, trimethylolpropane divinyl ether, ethylene oxide. Modified hydroquinone divinyl ether, ethylene oxide modified bisphenol A divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, dipentaerythritol hexavinyl ether, ditrimethylolpropane polyvinyl ether, and the like. Note that the present invention is not necessarily limited to these.

ハードコート層３１を形成するために用いられるメルカプト基を有する化合物としては、たとえば、エチレングリコールビス（チオグリコレート）、エチレングリコールビス（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールプロパントリス（チオグリコレート）、トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（メルカプトアセテート）、ペンタエリスリトールテトラキス（チオグリコレート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）などが挙げられる。なお、必ずしも、これらに限定されるものではない。   Examples of the compound having a mercapto group used for forming the hard coat layer 31 include ethylene glycol bis (thioglycolate), ethylene glycol bis (3-mercaptopropionate), trimethylolpropane tris (thioglycolate). ), Trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (mercaptoacetate), pentaerythritol tetrakis (thioglycolate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), and the like. Note that the present invention is not necessarily limited to these.

本発明において、ハードコート層３１は、一種の活性エネルギー線硬化性樹脂のみを含んでいても、二種以上の活性エネルギー線硬化性樹脂を含んでいてもよい。   In the present invention, the hard coat layer 31 may contain only one kind of active energy ray curable resin, or may contain two or more kinds of active energy ray curable resins.

本発明において、ハードコート層３１は、透明性を確保するために、１００ｎｍ以下の平均粒子径を有する無機微粒子、好ましくは、２０ｎｍ以下の平均粒子径を有する無機微粒子を含んでいる。無機微粒子の平均粒子径は、コロイド溶液製造上の制約から、好ましくは、５ｎｍ以上である。   In the present invention, the hard coat layer 31 contains inorganic fine particles having an average particle diameter of 100 nm or less, preferably inorganic fine particles having an average particle diameter of 20 nm or less, in order to ensure transparency. The average particle size of the inorganic fine particles is preferably 5 nm or more because of restrictions on the production of the colloidal solution.

本発明において、ハードコート層３１を形成するために用いられる無機微粒子としては、たとえば、金属もしくは半金属の酸化物の微粒子、または、金属もしくは半金属の硫化物の微粒子が挙げられる。金属または半金属としては、たとえば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂなどが挙げられる。また、酸化物、硫化物に代えて、Ｓｅ化物、Ｔｅ化物、窒化物、炭化物を用いることもできる。具体的には、たとえば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニアなどの微粒子が挙げられ、これらの中では、シリカ微粒子が好ましい。このような無機微粒子をハードコート剤組成物に添加しておくことにより、ハードコート層の耐摩耗性をより高めることができる。   In the present invention, examples of the inorganic fine particles used for forming the hard coat layer 31 include fine particles of metal or metalloid oxide or fine particles of metal or metalloid sulfide. Examples of the metal or semimetal include Si, Ti, Al, Zn, Zr, In, Sn, and Sb. Further, Se oxide, Te oxide, nitride, or carbide can be used instead of oxide or sulfide. Specific examples include fine particles of silica, alumina, zirconia, titania and the like, and among these fine particles, silica fine particles are preferable. By adding such inorganic fine particles to the hard coat agent composition, the wear resistance of the hard coat layer can be further improved.

シリカ微粒子の中では、活性エネルギー線反応性基を有する加水分解性シラン化合物によって、表面修飾されたものが、好ましく用いられる。このような反応性シリカ微粒子は、ハードコートを硬化させる際の活性エネルギー線照射によって、架橋反応を起こし、ポリマーマトリクス中に固定される。このような反応性シリカ微粒子の例は、特開平９−１００１１１号公報などに記載されており、特開平９−１００１１１号公報に記載された反応性シリカ粒子は、本発明において好ましく用いることができる。   Among the silica fine particles, those finely modified with a hydrolyzable silane compound having an active energy ray reactive group are preferably used. Such reactive silica fine particles undergo a crosslinking reaction by irradiation with active energy rays when the hard coat is cured, and are fixed in the polymer matrix. Examples of such reactive silica fine particles are described in JP-A-9-100111 and the like, and the reactive silica particles described in JP-A-9-100111 can be preferably used in the present invention. .

ハードコート層３１を形成するためのハードコート剤組成物は、光重合開始剤を含んでもよい。光重合開始剤は、活性エネルギー線として、電子線を用いる場合には、とくに必要はないが、紫外線を用いる場合には、必要となる。光重合開始剤は、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、チオキサントン系などから選択することができる。光重合開始剤の含有量は、たとえば、無機微粒子、シリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物ならびに活性エネルギー線硬化性樹脂の総重量に対して、０．５ないし５重量％程度である。   The hard coat agent composition for forming the hard coat layer 31 may contain a photopolymerization initiator. The photopolymerization initiator is not particularly required when an electron beam is used as the active energy ray, but is required when ultraviolet rays are used. The photopolymerization initiator can be selected from acetophenone series, benzoin series, benzophenone series, thioxanthone series, and the like. The content of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.5 to 5% by weight with respect to the total weight of the inorganic fine particles, the silicone compound and / or the fluorine compound, and the active energy ray curable resin.

また、ハードコート層３１を形成するためのハードコート剤組成物は、さらに、必要に応じて、非重合性の希釈溶剤、有機フィラー、重合禁止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、消泡剤、レベリング剤、顔料、ケイ素化合物などを含んでいてもよい。   In addition, the hard coat agent composition for forming the hard coat layer 31 may further include a non-polymerizable diluent solvent, an organic filler, a polymerization inhibitor, an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer as necessary. , An antifoaming agent, a leveling agent, a pigment, a silicon compound and the like may be contained.

上述したように、本実施の形態に係る光学半導体装置３０は、撥水性及び撥油性を備える防汚膜１９を形成することで、光学半導体装置３０の表面に指紋等の汚れが付着しにくくなり、製品組み立て時の指紋付着などによる光学半導体部品の不良を低減することができる。更に、ハードコート層３１を備えることによって、良好な耐摩耗性を得ることができる。従って、有機溶剤を染み込ませたウェスで封止膜表面を拭き上げ、洗浄した場合であっても封止膜表面に傷を付けることがなく、一旦汚れの付着した光学半導体装置を再利用することができる。   As described above, in the optical semiconductor device 30 according to the present embodiment, by forming the antifouling film 19 having water repellency and oil repellency, dirt such as fingerprints hardly adheres to the surface of the optical semiconductor device 30. In addition, it is possible to reduce defects in the optical semiconductor components due to fingerprint attachment during product assembly. Furthermore, by providing the hard coat layer 31, good wear resistance can be obtained. Therefore, even if the sealing film surface is wiped with a cloth soaked with an organic solvent and washed, the sealing film surface is not damaged, and the optical semiconductor device once contaminated is reused. Can do.

次に、光学半導体装置３０の製造方法を図７を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 30 will be described with reference to FIG.

第１の実施の形態と同様に形成された図７（ａ）に示す熱硬化後の封止膜１８表面に、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法などによってハードコート層３１を塗布する。次に塗布されたハードコート層３１ａに活性エネルギー線(紫外線や電子線など)を照射して硬化させ、図７（ｂ）に示すようにハードコート層３１を形成する。なお、ハードコート層は、０．５〜５μmの厚さが好ましい。   A hard coat layer 31 is applied to the surface of the sealing film 18 after thermosetting shown in FIG. 7A formed in the same manner as in the first embodiment by a spray coating method, a dip coating method, a spin coating method, or the like. . Next, the applied hard coat layer 31a is cured by irradiation with active energy rays (such as ultraviolet rays or electron beams) to form the hard coat layer 31 as shown in FIG. 7B. The hard coat layer preferably has a thickness of 0.5 to 5 μm.

次に、硬化したハードコート層３１表面に防汚膜１９ａを塗布して同様に活性エネルギー線を照射して硬化させ、図７（ｃ）に示すように防汚膜１９を形成する。なお、防汚膜１９は、未硬化のハードコート層３１の表面に塗布して、活性エネルギー線を照射し、ハードコート層３１と防汚膜１９とを同時に硬化させ、形成してもよい。   Next, the antifouling film 19a is applied to the surface of the hard coat layer 31 that has been hardened, and similarly irradiated with active energy rays to be cured, thereby forming the antifouling film 19 as shown in FIG. The antifouling film 19 may be formed by applying it to the surface of the uncured hard coat layer 31 and irradiating active energy rays to simultaneously cure the hard coat layer 31 and the antifouling film 19.

防汚膜１９を形成した後、図７（ｃ）に示すダイシングラインｄに沿って基板を切断し、図７（ｄ）に示す光学半導体装置３０を形成する。   After the antifouling film 19 is formed, the substrate is cut along the dicing line d shown in FIG. 7C to form the optical semiconductor device 30 shown in FIG.

このように本発明の第３の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法は、活性エネルギー硬化性の樹脂を用いてハードコート層３１を形成し、また、活性エネルギー硬化性樹脂を用いて防汚膜１９を形成することにより、簡易な工程で、良好な耐摩耗性を備え、且つ防汚膜１９を備える光学半導体装置を製造することができる。本実施の形態では、特に硬化させていないハードコート層３１ａ上に防汚膜１９を塗布し、ハードコート層３１と防汚膜１９とを同時に硬化させると更に工程を簡略化することができる。   As described above, in the method for manufacturing an optical semiconductor device according to the third embodiment of the present invention, the hard coat layer 31 is formed using an active energy curable resin, and the active energy curable resin is used to prevent the optical coat. By forming the dirty film 19, an optical semiconductor device having good wear resistance and including the antifouling film 19 can be manufactured by a simple process. In the present embodiment, the process can be further simplified if the antifouling film 19 is applied onto the hard coat layer 31a that is not particularly cured, and the hard coat layer 31 and the antifouling film 19 are simultaneously cured.

（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係る光学半導体装置４０について図を用いて説明する。第４の実施の形態に係る光学半導体装置４０が、光学半導体装置１０〜光学半導体装置３０と異なるのは、光学半導体装置１０は、封止膜１８上に防汚膜１９が形成され、光学半導体装置２０では、封止膜１８と防汚膜１９との間に、透過性樹脂層２１が形成され、光学半導体装置３０では、封止膜１８と防汚膜１９との間に、ハードコート層３１が形成されていたのに対し、光学半導体装置４０は、封止膜１８上に防汚性を備える物質を含むハードコート膜４１を形成し、防汚膜１９が形成されていない点にある。第１の実施の形態と共通する部分については、同一の引用番号を付し、詳細な説明を省略する。 (Fourth embodiment)
An optical semiconductor device 40 according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The optical semiconductor device 40 according to the fourth embodiment is different from the optical semiconductor device 10 to the optical semiconductor device 30 in that the optical semiconductor device 10 has an antifouling film 19 formed on the sealing film 18 and an optical semiconductor. In the device 20, a permeable resin layer 21 is formed between the sealing film 18 and the antifouling film 19. In the optical semiconductor device 30, a hard coat layer is provided between the sealing film 18 and the antifouling film 19. 31 is formed, the optical semiconductor device 40 is in that the hard coat film 41 containing the antifouling substance is formed on the sealing film 18 and the antifouling film 19 is not formed. . Portions common to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本発明の実施の形態に係る光学半導体装置４０を図８に示す。図８（ａ）は、光学半導体装置４０の平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す光学半導体装置４０のＤ−Ｄ’線断面図である。   An optical semiconductor device 40 according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. FIG. 8A is a plan view of the optical semiconductor device 40. FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line D-D ′ of the optical semiconductor device 40 shown in FIG.

光学半導体装置４０は、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、光学素子１１と、電極パッド１２と、ベアチップ１３と、ダイパッド１４と、基板１５と、電極端子１６と、ワイヤ１７と、封止膜１８と、ハードコート膜４１を備える。   As shown in FIGS. 8A and 8B, the optical semiconductor device 40 includes an optical element 11, an electrode pad 12, a bare chip 13, a die pad 14, a substrate 15, an electrode terminal 16, and a wire 17. The sealing film 18 and the hard coat film 41 are provided.

ハードコート膜４１は、後述する防汚剤成分を含むハードコート剤組成物から構成され、封止膜１８上に形成される。ハードコート膜４１も、封止膜１８と同様に光学素子１１の光の透過面を覆うように形成されることから透光性が要求される。   The hard coat film 41 is composed of a hard coat agent composition containing an antifouling agent component to be described later, and is formed on the sealing film 18. Since the hard coat film 41 is formed so as to cover the light transmission surface of the optical element 11 in the same manner as the sealing film 18, the light transmittance is required.

防汚剤成分を含むハードコート膜４１を形成するためのハードコート剤組成物は、無機微粒子と、シリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物と、活性エネルギー線硬化性樹脂から構成される。   The hard coat agent composition for forming the hard coat film 41 containing an antifouling agent component is composed of inorganic fine particles, a silicone compound and / or a fluorine compound, and an active energy ray curable resin.

無機微粒子が８０重量％よりも多く含有されると、ハードコート膜４１の膜強度が弱くなりやすく、その一方で、無機微粒子が５重量％未満では、ハードコート膜４１の耐摩耗性向上効果が十分でなくなるため、無機微粒子は５重量％以上、８０重量％以下で含有されるのが好ましい。   If the inorganic fine particles are contained in an amount of more than 80% by weight, the film strength of the hard coat film 41 tends to be weak. On the other hand, if the inorganic fine particles are less than 5% by weight, the effect of improving the wear resistance of the hard coat film 41 is obtained. Since it is not sufficient, it is preferable that the inorganic fine particles are contained in an amount of 5 wt% or more and 80 wt% or less.

シリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物を１重量％よりも多く含有させると、ハードコート膜の表面の防汚性は向上するが、ハードコート膜の硬さが低下しやすく、その一方で、シリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物が０．０１重量未満では、防汚性向上効果が十分でなくなる。従ってシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物は、０．０１重量％以上、１重量％以下で含有されるのが好ましい。   When the silicone compound and / or fluorine compound is contained in an amount of more than 1% by weight, the antifouling property of the surface of the hard coat film is improved, but the hardness of the hard coat film tends to be lowered. When the compound and / or fluorine compound is less than 0.01 weight, the antifouling effect is not sufficient. Accordingly, the silicone compound and / or the fluorine compound is preferably contained in an amount of 0.01% by weight or more and 1% by weight or less.

そして、活性エネルギー線硬化性樹脂は１９重量％以上、９４．９９重量％以下で含有されるのが好ましい。   The active energy ray-curable resin is preferably contained at 19% by weight or more and 94.99% by weight or less.

以上から、ハードコート剤組成物は５重量％以上、８０重量％以下の無機微粒子と、０．０１重量％以上、１重量％以下のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物と、１９重量％以上、９４．９９重量％以下の活性エネルギー線硬化性樹脂を含んでいることが好ましい。
より好ましくは、ハードコート剤組成物は、１０重量％以上、６０重量％以下の無機微粒子と、０．０１重量％以上、１重量％以下のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物と、３９重量％以上、８９．９９重量％以下の活性エネルギー線硬化性樹脂を含んでいる。 From the above, the hard coat agent composition is 5% by weight or more and 80% by weight or less of inorganic fine particles, 0.01% by weight or more and 1% by weight or less of a silicone compound and / or fluorine compound, and 19% by weight or more. 94.99 wt% or less of the active energy ray-curable resin is preferably included.
More preferably, the hard coat agent composition comprises 10 wt% or more and 60 wt% or less of inorganic fine particles, 0.01 wt% or more and 1 wt% or less of a silicone compound and / or fluorine compound, and 39 wt%. % Or more and 89.99% by weight or less of the active energy ray-curable resin.

とくに、ハードコート膜に、０．０２５重量％以上、０．３重量％以下のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物が含まれていることが好ましく、０．１５重量％以上、０．２５重量％以下のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物が含まれていることが最も好ましい。   In particular, the hard coat film preferably contains 0.025 wt% or more and 0.3 wt% or less of a silicone compound and / or a fluorine compound, and is preferably 0.15 wt% or more and 0.25 wt%. It is most preferable that a silicone compound and / or a fluorine compound is contained in an amount of not more than%.

このような構成を採る光学半導体装置４０は、防汚性を備える物質を含むハードコート膜４１を封止膜１８上に形成することによって、光学半導体装置４０の表面に指紋等の汚れが付着しにくくなり、製品組み立て時の指紋付着などによる光学半導体部品の不良を低減することができるだけでなくハードコート膜４１を備えることによって、良好な耐摩耗性を得ることができる。従って、仮に光学半導体装置４０の表面に汚れが付着した場合であっても、有機溶剤を染み込ませたウェスで封止膜表面を拭き上げ、洗浄して、封止膜表面に傷を付けることなく光学半導体装置４０を再利用することができる。   In the optical semiconductor device 40 adopting such a configuration, a hard coat film 41 containing a material having antifouling properties is formed on the sealing film 18 so that dirt such as fingerprints adheres to the surface of the optical semiconductor device 40. Not only can the defect of the optical semiconductor component due to the adhesion of fingerprints at the time of assembling the product be reduced, but also by providing the hard coat film 41, good wear resistance can be obtained. Therefore, even if dirt is attached to the surface of the optical semiconductor device 40, the sealing film surface is wiped and washed with a cloth soaked with an organic solvent without damaging the sealing film surface. The optical semiconductor device 40 can be reused.

次に、光学半導体装置４０の製造方法を、図９を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 40 will be described with reference to FIG.

第１の実施の形態と同様に形成された図９（ａ）に示す熱硬化後の封止膜１８表面に、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法などによって、活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物を含んだハードコート膜４１を塗布し、活性エネルギー線(紫外線や電子線など)を照射して硬化させ、図９（ｂ）に示すようにハードコート膜４１を形成する。   The surface of the sealing film 18 after thermal curing shown in FIG. 9A formed in the same manner as in the first embodiment is cured with an active energy ray by a spray coating method, a dip coating method, a spin coating method, or the like. A hard coat film 41 containing a silicone-based compound and / or a fluorine-based compound is applied and cured by irradiation with active energy rays (such as ultraviolet rays or electron beams), and as shown in FIG. Form.

含有される活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物としては、防汚膜に使用した活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物と同様な化合物を用いることができる。   As the active energy ray-curable silicone compound and / or fluorine-based compound contained, it is possible to use the same compounds as the active energy ray-curable silicone compound and / or fluorine-based compound used in the antifouling film. it can.

ハードコート膜４１の硬化後、図９（ｂ）に示すダイシングラインｄに沿って基板を切断し、図９（ｃ）に示すように光学半導体装置４０が形成される。   After the hard coat film 41 is cured, the substrate is cut along the dicing line d shown in FIG. 9B, and the optical semiconductor device 40 is formed as shown in FIG. 9C.

上述したように、本発明の第４の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法は、防汚剤成分を含む活性エネルギー硬化性の樹脂を用いてハードコート膜４１を形成することによって、簡易な工程で、良好な耐摩耗性を備え、且つ防汚性を備える光学半導体装置を製造することができる。   As described above, the method of manufacturing the optical semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention is simplified by forming the hard coat film 41 using the active energy curable resin containing the antifouling agent component. In this process, an optical semiconductor device having good wear resistance and antifouling properties can be manufactured.

本発明は上述した実施の形態に限られず、様々な修正及び応用が可能である。
例えば、第４の実施の形態では封止膜１８上に、ハードコート膜４１を形成する構成を例に挙げて説明したが、これに限られず第２の実施の形態と同様に、封止膜１８上に透光性樹脂層２１を形成し、この透光性樹脂層２１上にハードコート膜４１を形成することも可能である。また、第２の実施の形態と第３の実施の形態とを組み合わせ、封止膜１８上に透光性樹脂層２１を形成し、透光性樹脂層２１上にハードコート層３１を形成し、ハードコート層３１上に防汚膜１９を形成する構成を採ることもできる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and applications are possible.
For example, in the fourth embodiment, the configuration in which the hard coat film 41 is formed on the sealing film 18 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the sealing film is similar to the second embodiment. It is also possible to form the translucent resin layer 21 on the substrate 18 and form the hard coat film 41 on the translucent resin layer 21. In addition, the second embodiment and the third embodiment are combined to form a translucent resin layer 21 on the sealing film 18 and a hard coat layer 31 on the translucent resin layer 21. A configuration in which the antifouling film 19 is formed on the hard coat layer 31 can also be adopted.

（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光学半導体装置の構成例を示す平面図である。（ｂ）は、図１（ａ）に示す光学半導体装置のＡ−Ａ’線断面図である。(A) is a top view which shows the structural example of the optical semiconductor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of the optical semiconductor device illustrated in FIG. 本発明の第１の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical semiconductor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical semiconductor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. （ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置の構成例を示す平面図である。（ｂ）は、図４（ａ）に示す光学半導体装置のＢ−Ｂ’線断面図である。(A) is a top view which shows the structural example of the optical semiconductor device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. FIG. 4B is a sectional view taken along line B-B ′ of the optical semiconductor device shown in FIG. 本発明の第２の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical semiconductor device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. （ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光学半導体装置の構成例を示す平面図である。（ｂ）は、図６（ａ）に示す光学半導体装置のＣ−Ｃ’線断面図である。(A) is a top view which shows the structural example of the optical semiconductor device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line C-C ′ of the optical semiconductor device illustrated in FIG. 本発明の第３の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical semiconductor device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. （ａ）は、本発明の第４の実施の形態に係る光学半導体装置の構成例を示す平面図である。（ｂ）は、図８（ａ）に示す光学半導体装置のＤ−Ｄ’線断面図である。(A) is a top view which shows the structural example of the optical semiconductor device which concerns on the 4th Embodiment of this invention. FIG. 8B is a sectional view taken along line D-D ′ of the optical semiconductor device shown in FIG. 本発明の第４の実施の形態に係る光学半導体装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical semiconductor device which concerns on the 4th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０，２０，３０，４０ 光学半導体装置
１１ 光学素子
１２ 電極パッド
１３ ベアチップ
１４ ダイパッド
１５ 基板
１６ 電極端子
１７ ワイヤ
１８ 封止膜
１９ 防汚膜
２１ 透過性樹脂層
３１ ハードコート層
４１ ハードコート膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 20, 30, 40 Optical semiconductor device 11 Optical element 12 Electrode pad 13 Bare chip 14 Die pad 15 Substrate 16 Electrode terminal 17 Wire 18 Sealing film 19 Antifouling film 21 Transparent resin layer 31 Hard coat layer 41 Hard coat film

Claims (10)

基板と、該基板上に載置され、且つ受光面又は発光面を有する光学素子と、を備え、少なくとも前記光学素子の受光面又は発光面が透光性の封止膜によって封止された光学半導体装置であって、
活性エネルギー線硬化性の樹脂から構成され、且つ前記封止膜上に形成された防汚膜を備えることを特徴とする光学半導体装置。 An optical element comprising a substrate and an optical element placed on the substrate and having a light receiving surface or a light emitting surface, and at least the light receiving surface or the light emitting surface of the optical element is sealed with a light-transmitting sealing film A semiconductor device,
An optical semiconductor device comprising an antifouling film made of an active energy ray-curable resin and formed on the sealing film. 前記活性エネルギー線硬化性の樹脂は、活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／または活性エネルギー線硬化性のフッ素系化合物であることを特徴とする請求項１に記載の光学半導体装置。   2. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the active energy ray curable resin is an active energy ray curable silicone compound and / or an active energy ray curable fluorine compound. 前記シリコーン系化合物は、シリコーン系置換基と活性エネルギー線重合性の反応性基を含む化合物であり、前記フッ素系化合物は、フッ素系置換基と活性エネルギー線重合性の反応性基を含む化合物であることを特徴とする請求項２に記載の光学半導体装置。   The silicone compound is a compound containing a silicone substituent and an active energy ray polymerizable reactive group, and the fluorine compound is a compound containing a fluorine substituent and an active energy ray polymerizable reactive group. The optical semiconductor device according to claim 2, wherein the optical semiconductor device is provided. 前記封止膜と前記防汚膜との間に、少なくとも一層以上の透光性の樹脂層が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学半導体装置。   4. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein at least one translucent resin layer is formed between the sealing film and the antifouling film. 5. 前記透光性の樹脂層は、活性エネルギー線照射によって架橋あるいは重合する反応基を含む化合物であることを特徴とする請求項４に記載の光学半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 4, wherein the translucent resin layer is a compound including a reactive group that is crosslinked or polymerized by irradiation with active energy rays. 前記封止膜と、前記防汚膜との間に、ハードコート層が形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein a hard coat layer is formed between the sealing film and the antifouling film. 前記ハードコート層は、（メタ）アクリロイル基、ビニル基およびメルカプト基の少なくとも１つの活性基を有する化合物と、無機微粒子とから形成されることを特徴とする請求項６に記載の光学半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 6, wherein the hard coat layer is formed of a compound having at least one active group of a (meth) acryloyl group, a vinyl group, and a mercapto group, and inorganic fine particles. 基板と、該基板上に載置され、且つ受光面又は発光面を有する光学素子とを備え、少なくとも前記光学素子の受光面又は発光面が透光性の封止膜によって封止された光学半導体装置であって、
活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／またはフッ素系化合物と、無機微粒子とから構成され、且つ前記封止膜上に形成されたハードコート膜を備えることを特徴とする光学半導体装置。 An optical semiconductor comprising a substrate and an optical element mounted on the substrate and having a light receiving surface or a light emitting surface, and at least the light receiving surface or the light emitting surface of the optical element is sealed with a light-transmitting sealing film A device,
An optical semiconductor device comprising an active energy ray-curable silicone-based compound and / or fluorine-based compound, and inorganic fine particles, and a hard coat film formed on the sealing film. 光学半導体装置を製造する方法であって、
受光面又は発光面を備える光学素子を基板上に載置する載置工程と、
前記基板上に設置された前記光学素子の少なくとも受光面又は発光面を覆うように透光性の封止膜を形成する封止膜形成工程と、
前記封止膜上に活性エネルギー線硬化性の樹脂を塗布し、防汚膜を形成する塗布工程と、
前記防汚膜に活性エネルギー線を照射して、前記防汚膜を硬化させる硬化工程と、を備えることを特徴とする光学半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing an optical semiconductor device, comprising:
A mounting step of mounting an optical element having a light receiving surface or a light emitting surface on a substrate;
A sealing film forming step of forming a translucent sealing film so as to cover at least a light receiving surface or a light emitting surface of the optical element placed on the substrate;
Applying an active energy ray-curable resin on the sealing film, forming an antifouling film,
And a curing step of curing the antifouling film by irradiating the antifouling film with an active energy ray. 前記活性エネルギー線硬化性の樹脂は、活性エネルギー線硬化性のシリコーン系化合物および／または活性エネルギー線硬化性のフッ素系化合物であることを特徴とする請求項９に記載の光学半導体装置の製造方法。

10. The method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 9, wherein the active energy ray curable resin is an active energy ray curable silicone compound and / or an active energy ray curable fluorine compound. .

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