JP2006114542A - 電子部品実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接合信頼性を向上させることができる電子部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】側面に外部接続用の端子４を有する電子部品１を基板５の電極６に半田接合により実装する電子部品実装方法において、熱硬化型フラックスに半田粒子を混入した半田ペースト７を基板５の電極６に塗布しておき、電子部品１の端子４を塗布された半田ペースト７に接触させ且つこの電子部品１の下面と基板５の上面の間に隙間Ｓを設けた状態で電子部品１を基板５に搭載する。リフロー過程においては、加熱により半田ペースト７の半田を溶融させて端子４と電極２とを連結する半田接合部を形成するとともに、半田ペースト７の熱硬化型フラックスが流動化して隙間Ｓに進入し、その後熱硬化した樹脂によって電子部品１を補強して、接合信頼性を向上させることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、側面に外部接続用の端子が形成された電子部品を半田接合により基板に実装する電子部品実装方法に関するものである。

セラミックパッケージなどの小型基板に半導体素子を実装した構造の電子部品の種類として、外部接続用のリードを設けることなく、セラミックパッケージの側面に接続用端子を直接設けたリードレスの電子部品が知られている。このような構造の電子部品では、セラミックパッケージに実装された半導体素子の外部接続用電極が、セラミックパッケージ内部に形成された配線回路によって側面の接続用端子に接続されている。

そしてこのようなリードレスの電子部品を基板に実装する際には、側面の接続用端子を基板の回路電極と半田接合することにより、セラミックパッケージを基板に固着するとともに、接続用電極を基板の回路電極と導通させるようにしている。このとき、半田接合部は電子部品の側面の端子と基板の電極に形成されることから、半田接合部の信頼性を完全に確保することが難しく、樹脂接着剤によって半田接合部を補強する構成が多く採用されていた（例えば特許文献１参照）。
特開２００４−１４６４３３号公報

しかしながら、半田接合部を樹脂接着剤によって補強する実装方法においては、以下のような難点があった。まず、この方法を採用すると、樹脂接着剤を基板または電子部品に供給するためにディスペンサによる樹脂塗布などの専用の工程を必要とし、製造工程が複雑化するという難点とともに、対象とする電子部品が微小部品である場合には樹脂接着剤を供給する余地が確保しがたく、対象部品が限定されるという問題点があった。

そこで本発明は、接合信頼性を向上させることができる電子部品実装方法を提供することを目的とする。

本発明の電子部品実装方法は、側面に端子を有する電子部品を基板の電極に半田接合により実装する電子部品実装方法であって、熱硬化型フラックスに半田粒子を混入した半田ペーストを基板の電極に塗布する半田ペースト印刷工程と、前記電子部品の端子を前記電極に塗布された半田ペーストに接触させ且つこの電子部品の下面と基板の上面の間に隙間を設けた状態で前記電子部品を基板に搭載する電子部品搭載工程と、基板を加熱することにより前記半田ペーストの半田を溶融させ、前記半田ペーストの熱硬化型フラックスを流動化させて前記隙間に進入させ、その後熱硬化させる加熱工程とを含む。

本発明によれば、熱硬化型フラックスに半田粒子を混入した半田ペーストを基板の電極に塗布しておき、電子部品の端子を塗布された半田ペーストに接触させ且つこの電子部品の下面と基板の上面の間に隙間を設けた状態で電子部品を基板に搭載してリフローすることにより、半田ペーストの半田を溶融させるとともに、半田ペーストの熱硬化型フラックスが流動化して隙間に進入しその後熱硬化した樹脂によって電子部品を補強して、接合信頼性を向上させることができる。

次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の対象となる電子部品の斜視図、図２は本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の工程説明図、図３は本発明の一実施の形態の電子部品実装構造の部分断面図、図４は従来の半田ペーストを用いた半田接合方法における不具合例の説明図である。

まず図１を参照して、実装対象となる電子部品の構造について説明する。図１において電子部品１は、セラミックより成るパッケージ基板２の中央部に形成された凹部２ａ内に、半導体素子３を実装した構成となっている。パッケージ基板２の側面２ｂには外部接続用の端子４が形成されている。

端子４は、個片に分離される前の状態のパッケージ基板２を上下に貫通するスルーホールの内面に導体金属をメッキすることにより形成され、パッケージ基板２内部の配線回路によって半導体素子３と接続されている。電子部品１を基板に実装する際には、端子４を基板に形成された電極と半田接合することにより、パッケージ基板２の本体を基板に固着させるとともに、端子４を電極と導通させる。

次に図２を参照して、電子部品１を基板に実装する電子部品実装方法について説明する。図２（ａ）に示すように、基板５の上面には電極６が形成されている。電極６の上面には、図２（ｂ）に示すように、半田ペースト７がスクリーン印刷により塗布される（半田ペースト塗布工程）。

ここで電子部品を基板に半田接合により実装するために用いられる半田ペースト７について説明する。半田ペースト７は、半田の粒子を含む金属成分を、熱硬化性樹脂および可塑剤としての固形樹脂を含有し半田酸化膜を除去する活性作用を備えた熱硬化型フラックスに混入した組成になっている。固形樹脂は、常温において固体であり加熱により液状に変化する性質を有する熱可塑性の樹脂である。ここで半田としては、鉛成分を含まないいわゆる鉛フリー半田が採用されており、実装対象の基板や電子部品の特性に応じて、２種類の半田を使い分けるようにしている。

すなわち、比較的高温域までの加熱が許容されるような対象には、Ｓｎ（錫）−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（銅）系の半田（液相線温度２２０℃）が選定され、また極力加熱温度を低く設定することが望まれるような対象には、Ｓｎ（錫）−Ｂｉ（ビスマス）系の半田（液相線温度１３９℃）が選定される。Ｓｎ−Ｂｉ系の半田については、Ａｇ（銀）を１ｗｔ％〜３ｗｔ％の配合比で加えることにより、半田強度を向上させることができる。そしてこれらの半田は、粒子状のものが半田ペースト中に７０ｗｔ％〜９２ｗｔ％の範囲の配合比で含有される。

なお、金属成分として、半田の粒子以外に、Ａｇ（銀）、パラジウム（Ｐｄ）、Ａｕ（金）などの金属を箔状にした金属粉を、０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％の配合比で混入することにより、半田接合性を向上させることができる。すなわち上述の金属は、使用される半田の融点よりも高温の融点を有し、大気中で酸化膜を生成せず、且つ半田の粒子が溶融した流動状態の半田が表面に沿って濡れやすい材質であることから、リフローによる半田接合過程において、これらの金属粉が核となって溶融半田を凝集させて半田の濡れ性を向上させるという効果を有している。

また固形樹脂としては、半田の液相線温度が固形樹脂の軟化温度以上となるような組み合わせが選定される。このような組み合わせを選定することにより、後述するように、リフロー過程において溶融半田の流動が半田ペースト７中の樹脂成分によって妨げられる度合いが少なく、良好な半田接合が行えるという利点がある。

次いで基板５には電子部品１が搭載される。すなわち、図２（ｃ）に示すように、電子部品１の端子４を電極６に位置合わせして半田ペースト７に電子部品１の端部を着地させる。これにより、電子部品１は半田ペースト７の粘着力によって仮止め固定される。このとき、電子部品１の下面と基板６の上面との間に、所定寸法（５〜２００μｍ）の隙間Ｓが設けられるように、電子部品１の下降停止高さもしくは搭載荷重を制御する。

この後、電子部品１が搭載された基板５はリフロー装置に送られ、ここで半田ペースト７中の半田の液相線温度以上に加熱される。この加熱により、半田ペースト７中の半田を溶融させるとともに、半田ペースト７中の熱硬化性樹脂の硬化反応を促進し、同時並行的に可塑剤を液状に変化させる。

この加熱過程においては、半田ペースト７中のフラックス成分によって酸化膜が除去された電極６と端子４とを、加熱によって溶融した半田が濡らすことにより、図３に示すように、電極６と端子４とがフィレット形状の溶融半田で連結される。また半田ペースト７中の熱硬化性樹脂は温度上昇によって一旦軟化して粘度が低下し、液状化した可塑剤とともに流動状態となる。そしてこれらの流動状態の樹脂成分は、図３に示すように、半田接合部８ａおよび電極６を上面側から覆うとともに、一部は電子部品１と基板５との間の隙間Ｓ内に毛細管現象によって進入し、これらの過程で半田ペースト７中の熱硬化性樹脂の熱硬化が同時に進行する。

そしてこの後、基板５をリフロー装置から取り出して常温に戻すことにより、半田ペースト７中の可塑剤および溶融した半田を固化させる。これにより、電子部品１では溶融した半田が固化して電極６と端子４とを連結したフィレット形状の半田接合部８ａが形成される。また半田接合部８ａおよび電極６を上面側から覆う樹脂成分が固化することにより、半田接合部８ａを補強する樹脂補強部８ｂが形成され、さらに電子部品１と基板５との間の隙間Ｓ内に進入した樹脂成分が固化することにより、電子部品１を基板６に固着する樹脂接着部８ｃが形成される。これにより、半田ペースト７を用い、電子部品１の端子４と基板５の電極６を半田接合して成る半田接合構造８が形成される。

この半田溶融時において、半田ペースト７に含まれる熱硬化性フラックス中の固形樹脂が液状に変化することにより、熱硬化性フラックスは半田溶融温度に加熱された状態においても流動性を失わず、溶融半田のセルフアライメント現象を阻害することがない。そして、この半田接合過程が完了した後には、熱硬化型フラックスは熱硬化性樹脂が熱硬化を完了することによる硬化とともに、加熱によって一旦液状化した可塑剤が常温まで冷却されて再び固化することによって完全な固体状態となり、前述のように電極６上面の半田接合部８ａを覆って補強する樹脂補強部８ｂおよび電子部品１を基板５に固着する樹脂接着部８ｃとして機能する。

上述の電子部品実装方法は、側面に端子４を有する電子部品１を基板５の電極６に半田付けする電子部品実装方法であって、熱硬化型フラックスに半田粒子を混入した半田ペースト７を基板５の電極６に塗布する半田ペースト塗布工程と、電子部品１の端子４を電極６に塗布された半田ペースト７に接触させ且つこの電子部品１の下面と基板５の上面の間に隙間Ｓを設けた状態で電子部品１を基板５に搭載する電子部品搭載工程と、基板５を加熱することにより半田ペースト７の半田を溶融させ、半田ペースト７の熱硬化型フラックスを流動化させて隙間Ｓに進入させ、その後熱硬化させる加熱工程とを含む形態となっている。

このような電子部品実装方法を採用することにより、リードレスの電子部品１を基板５に実装する場合のように、側面に端子が設けられた電子部品を基板に半田接合により実装
する例において、以下に示すような優れた効果を得る。まず、側面の端子を基板の電極と半田接合する場合には、従来は十分な半田量の半田接合部を形成することが困難で、半田接合工程の後に樹脂封止などの方法によって補強処置を施す工程を別途必要としていたのに対し、本実施の形態においては半田接合と同時に半田ペースト中の樹脂成分によって半田接合部を覆って補強する樹脂補強部を形成するとともに、硬化した樹脂成分によって電子部品本体を基板に直接固着する樹脂接着部を形成することが可能となっている。

しかも、これらの樹脂成分は半田ペースト中に含有されていることから、微小な電子部品を対象とし、補強樹脂供給のためのスペースが確保しがたいような場合にあっても、半田供給のための半田ペースト塗布時に樹脂成分を併せて供給することができる。したがって、従来は半田接合部の補強が困難であった微小部品を対象とする場合にあっても、接合信頼性を大幅に向上させることが可能となっている。

そして前述の加熱工程においては、流動化した熱硬化性樹脂や可塑剤を含む熱硬化型フラックスが電極２の表面であって溶融した半田で覆われていない箇所、いわゆる赤目の部分を覆う形態で、樹脂補強部８ｂが形成される。これにより、電極２において半田接合部８ａによって覆われない部分を樹脂補強部８ｂによって覆うことができ、半田接合後に電極２が露呈状態となって酸化することがない。したがって従来必要とされた酸化防災のための樹脂コート処理を不要として、工程簡略化・コスト削減を図ることができる。

さらに、電子部品１の実装に半田ペースト７を用いることにより、従来の半田ペーストを用いて同様の電子部品１０を半田接合した場合に発生しやすい接合不良を防止することができる。たとえば図４（ａ）は、Ｓｎ−Ｂｉ系鉛フリー半田の粒子を、可塑剤を含まない従来タイプの熱硬化型フラックスに混入した半田ペーストを用いて、電子部品１０の端子１４を基板１１に設けられた電極１２に半田接合した場合の半田接合構造を示している。

ここで示す半田接合例では、Ｓｎ−Ｂｉ系鉛フリー半田の特性により、健全な形状の半田フィレットを形成することが難しく、十分な接合強度が確保されない場合が多い。すなわち電極１２と端子１４との接合のために供給された半田の大部分は、リフロー過程において半田ボール１８ｄとなってフラックス成分１８ｂとともに離散する傾向にあり、半田接合部１８ａは半田量に乏しく且つ不規則な形状となりやすい。

このような半田接合例を対象とする場合にあっても、本発明に示すように、熱硬化型フラックス中に可塑剤を含む組成の半田ペーストを用いることにより、次のような効果を得る。すなわちリフロー時の加熱による熱硬化性樹脂の硬化はフラックス成分の流動性の低下を招くが、加熱による可塑剤の液状化が同時に進行するため、フラックス成分の流動性の低下を可塑剤の液状化によって補うことができる。これにより、リフロー過程において溶融半田の凝集がフラックス成分によって阻害される度合いが少なく、溶融半田の凝集を可能にしてより健全な形状の半田接合部を形成することができる。

更にリフロー後においては、熱硬化した熱硬化性樹脂と冷却されることによって固化した可塑剤とが相溶状態のまま固体となった樹脂補強部が半田接合部を覆って形成されるため、脆くて接合強度に劣る低融点型の鉛フリー半田を使用した場合においても、半田接合部は樹脂補強部によって補強され、接合信頼性を確保することができる。

また図４（ｂ）は、熱硬化型フラックス中に可塑剤を配合した半田ペーストを用いた半田接合構造において、可塑剤の軟化開始温度と半田の液相線温度との相対関係が不適切な場合に発生する不具合を示している。基板に多数の電子部品を実装して実装基板を製造する過程においては、両面実装基板における第１面側部品など、一旦半田接合が完了した半
田接合部が他部品の半田接合のためのリフロー時において再度加熱されるケースが生じる。

このような場合には、一旦固化した半田接合部１８ａが再度液相線温度を超えて加熱され再溶融して流動化する。このとき、半田接合部１８ａを覆って形成された樹脂補強部１８ｂも同様に加熱されるが、可塑剤の軟化開始温度が半田の液相線温度よりも高い場合には、半田溶融時点において可塑剤は固体状態のままで存在するため樹脂補強部１８ｂは軟化しておらず、半田接合部１８ａが溶融した半田の自由膨張を妨げることとなる。このため、図４（ｂ）に示すように、溶融した半田が樹脂補強部１８ｂと端子１４との隙間から外部へ流出してはみ出したり（矢印ａ参照）、半田の流出により樹脂補強部内にボイド（矢印ｂ）が発生するなど、半田接合部１８ａの形状異常を誘発する場合がある。

これに対し、本実施の形態における成分組成例に示すように、半田種類と熱硬化型フラックスの成分との組み合わせを、半田の液相線温度が可塑剤の軟化温度よりも高くなるように設定することにより、半田溶融時には既に軟化を開始した可塑剤によって樹脂補強部を軟化させることができる。したがって、樹脂補強部が溶融半田の自由膨張を妨げることによって生じる上述のような不具合を防止することができる。

ここで、半田ペースト７の成分組成の詳細例について説明する。半田ペースト７は前述のように半田の粒子を熱硬化型フラックスに混入した構成となっている。本実施の形態において熱硬化型フラックスは、基本組成として、エポキシを成分とする主剤、この主剤を熱硬化させる硬化剤および硬化促進剤、半田の酸化膜を除去する活性剤、熱可塑性の固形樹脂より成る可塑剤および溶剤を含んだ構成となっている。

次に上記基本組成における各成分の種類および配合比を説明する。まず主剤としては、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（３０ｗｔ％〜４０ｗｔ％）、硬化剤として、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（３０ｗｔ％〜４０ｗｔ％）、硬化促進剤として、２−フェニル４−メチル５−ヒドロキシメチルイミダゾール（１ｗｔ％〜２ｗｔ％）、活性剤として、ｍ−ヒドロキシ安息香酸（３ｗｔ％〜１０ｗｔ％）、可塑剤として、アルキルフェノール変性キシレン樹脂（３ｗｔ％〜２０ｗｔ％）、そして溶剤として、ブチルカルビトール（０ｗｔ％〜５ｗｔ％）をそれぞれ含有している。

なお上述の各成分として、以下の物質が代替物質として選択可能である。まず、主剤として、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂に替えて、３，４エポキシシクロヘキセニルメチル−３，’４’エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂またはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が選択可能である。また硬化剤として、メチルテトラヒドロ無水フタル酸に替えて、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸が、硬化促進剤として、２−フェニル４−メチル５−ヒドロキシメチルイミダゾールに替えて、２−フェニル４、５ジヒドロキシメチルイミダゾールが選定できる。

そして活性剤として、ｍ−ヒドロキシ安息香酸に替えて、メサコン酸が、また可塑剤として、アルキルフェノール変性キシレン樹脂に替えて、脂肪酸アマイドもしくは高重合ロジンが、そして溶剤として、ブチルカルビトールに替えてメチルカルビトールを選択することが可能である。上述各成分の配合比は、前述の基本配合例に示す数値と同じである。また硬化剤として用いられる酸無水物は、それ自体で酸化膜を除去する活性作用を有していることから、活性剤の配合を省略してもよい。

なお、熱硬化性樹脂としては、主剤としてエポキシ系以外にも、アクリル系、ウレタン系、フェノール系、尿素系、メラミン系、不飽和ポリエステル系、アミン系、ケイ素系のいずれか１つを含む材質を選定することができる。そして可塑剤として用いられる固形樹
脂としては、テルペン樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ユリア樹脂、メラニン樹脂、非結晶性ロジン、イミド樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、アミド樹脂、ポリエステル樹脂、スチレン、ポリイミド、脂肪酸誘導体から選ばれた少なくとも１つが熱硬化性樹脂中に混入される。

これらの固形樹脂を選定する際に、主剤の成分との関連で主剤に対して相溶性を有する固形樹脂を選定することにより、固形樹脂を主剤中に混入させる際に、気化性のガス分を含む溶剤を使用することなく流動性を備えた液状の樹脂を実現することが可能となる。これにより、溶剤から気化するガスによるリフロー装置内へのガス成分の付着や工場内の作業環境の汚染など、溶剤使用による環境負荷を低減することが可能となっている。

更に低融点型の鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉ系の半田を用いることにより、以下に詳述するような優れた効果を得る。近年環境保護の要請から、電子機器製造業界においては鉛フリー半田の使用が主流になっているが、一般に用いられているＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の半田は液相線温度２２０℃であり、従来主に用いられていたＳｎＰｂ共晶半田の液相線温度と比較して高温であるため、対象とする基板や部品によっては適用が困難であった。

これに対し、Ｓｎ−Ｂｉ系の半田は液相線温度１３９℃であることから、耐熱温度が低い性質を有する部品（例えばＣＣＤ素子やアルミ電解コンデンサなど）への適用が望まれている。ところがＳｎ−Ｂｉ系の半田は機械的に脆い強度特性を有している上に、前述のようにリフロー過程において健全な形状の半田接合部を形成することが難しく接合信頼性に難点があるため、従来は適用可能範囲が限られていた。

本実施の形態においては、このような特性を有するＳｎ−Ｂｉ系の半田を、可塑剤を含む熱硬化型フラックス中に混入した半田ペーストとして用いることにより、適用可能範囲を大幅に拡大することが可能となっている。すなわちこのような半田ペースト７を採用することにより、前述のように、リフロー時の熱硬化性樹脂の硬化によるフラックス成分の流動性の低下を、可塑剤の液状化によって補うことができる。

これにより、溶融半田の凝集がフラックス成分によって阻害される程度が少なく、より健全な形状の半田接合部を形成することが可能となっている。更に形成された半田接合部は硬化した熱硬化性樹脂および固化した可塑剤よりなる樹脂補強部によって覆われて補強されることから、Ｓｎ−Ｂｉ系の半田の強度特性に由来する強度不足を樹脂補強部によって補うことができ、接合信頼性が向上する。

このように低融点型の鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉ系の半田の実用化を可能とする接合工法を確保することにより、前述のように低耐熱温度の基板や部品への適用を拡大するとともに、加熱温度を低く設定できることによる副次的効果、すなわち予熱ステージ数の減少によるリフロー装置の小型化や消費電力量の削減が可能となる。

また加熱上限温度の制約から、従来より低温での半田接合が必須とされる場合に採用された高コストの接合工法、例えば銀粉を樹脂接着剤中に含有させたＡｇペーストを用いる方法や、基板全体を加熱することなくレーザ、ソフトビームなどで局所加熱して半田接合を行う個別接合工法を採用する必要がなくなり、高価な資材・装置の使用を不要として、製造コスト低減を図ることができる。

更に、液相線温度が従来のＳｎＰｂ共晶半田の液相線温度（１８３℃）と比較して大幅に低いことから、従来は採用が不可能とされた低耐熱性の材質、例えば紙フェノールなどの安価な材質を基板に使用することができ、ＢＴレジンなどの高価な基板材料の使用を不要として、材料コスト低減を図ることができる。

上述の鉛フリー半田を含有させた半田ペースト７については、次のような成分組成が推奨される。まず、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の半田（液相線温度２２０℃）を用いる場合には、主剤として、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（３８ｗｔ％）、硬化剤として、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（３８ｗｔ％）、硬化促進剤として、２−フェニル４−メチル５−ヒドロキシメチルイミダゾール（１ｗｔ％）、活性剤として、ｍ−ヒドロキシ安息香酸（１０ｗｔ％）、可塑剤として、高重合ロジン（１３ｗｔ％）の成分組成を用いる。この例では、可塑剤の軟化温度は１４０℃であり、半田の液相線温度が可塑剤の軟化温度よりも高くなるような組み合わせとなっている。

次に、Ｓｎ−Ｂｉ系の半田（液相線温度１３９℃）を用いる場合には、主剤として、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（３８ｗｔ％）、硬化剤として、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（３８ｗｔ％）、硬化促進剤として、２−フェニル４−メチル５−ヒドロキシメチルイミダゾール（１ｗｔ％）、活性剤として、ｍ−ヒドロキシ安息香酸（１０ｗｔ％）、可塑剤として、アルキルフェノール変性キシレン樹脂（１３ｗｔ％）の成分組成を用いる。この例では、可塑剤の軟化温度は１２０℃であり、上述例と同様に、半田の液相線温度が可塑剤の軟化温度よりも高くなるような組み合わせとなっている。

上記説明したように、本実施の形態に示す電子部品実装方法では、リードレス型の電子部品など、側面に端子４を有する電子部品１を基板５の電極６に半田付けする電子部品の実装において、熱硬化型フラックスに半田粒子を混入した半田ペースト７を基板５の電極６に塗布しておき、端子４を塗布された半田ペースト７に接触させ且つこの電子部品１の下面と基板５の上面の間に隙間Ｓを設けた状態で電子部品１を基板５に搭載してリフローするようにしている。これにより、半田ペースト７の半田を溶融させるとともに、半田ペースト７の熱硬化型フラックスが流動化して隙間Ｓに進入しその後熱硬化した樹脂によって電子部品１を補強して接合信頼性を向上させることができる。

本発明の電子部品実装方法は、接合信頼性を向上させることができるという効果を有し、リードレス型の電子部品など、側面に外部接続用の端子が形成された電子部品を半田接合により基板に実装する用途に有用である。

本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の対象となる電子部品の斜視図 本発明の一実施の形態の電子部品実装方法の工程説明図 本発明の一実施の形態の電子部品実装構造の部分断面図 従来の半田ペーストを用いた半田接合方法における不具合例の説明図

符号の説明

１ 電子部品
４ 端子
５ 基板
６ 電極
７ 半田ペースト
８ 半田接合構造
８ａ 半田接合部
８ｂ 樹脂補強部
８ｃ 樹脂接着部

Claims (3)

1. 側面に端子を有する電子部品を基板の電極に半田接合により実装する電子部品実装方法であって、熱硬化型フラックスに半田粒子を混入した半田ペーストを基板の電極に塗布する半田ペースト塗布工程と、前記電子部品の端子を前記電極に塗布された半田ペーストに接触させ且つこの電子部品の下面と基板の上面の間に隙間を設けた状態で前記電子部品を基板に搭載する電子部品搭載工程と、基板を加熱することにより前記半田ペーストの半田を溶融させ、前記半田ペーストの熱硬化型フラックスを流動化させて前記隙間に進入させ、その後熱硬化させる加熱工程とを含むことを特徴とする電子部品実装方法。
2. 前記加熱工程において、流動化した熱硬化型フラックスが前記電極の表面であって溶融した半田で覆われていない箇所を覆うことを特徴とする請求項１記載の電子部品実装方法。
3. 前記半田ペーストは、常温において固体であり加熱により液状に変化する性質を有する固形樹脂を含むことを特徴とする請求項１記載の電子部品実装方法。
   

Images