JP3493999B2 - 半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法 - Google Patents
半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や基板の
回路電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方
法および半田バンプを電子部品や基板に実装する半田バ
ンプの実装方法に関するものである。
回路電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方
法および半田バンプを電子部品や基板に実装する半田バ
ンプの実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の実装方法として半田バンプを
用いる方法が知られている。この方法は電子部品の回路
電極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成
し、この半田バンプを基板などの回路電極に半田接合す
るものである。半田バンプを形成する方法として、従来
より半田ボールを電子部品などの回路電極上に搭載する
方法が知られている。
用いる方法が知られている。この方法は電子部品の回路
電極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成
し、この半田バンプを基板などの回路電極に半田接合す
るものである。半田バンプを形成する方法として、従来
より半田ボールを電子部品などの回路電極上に搭載する
方法が知られている。
【０００３】ところでＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）などでは、回路電極が形成される面と半
田バンプが形成される面が基板の同一面でない場合があ
る。すなわちパッケージを構成するテープ状の基板の片
側の面に回路電極が形成され、この回路電極が形成され
た面の反対側に半田ボールが搭載される。そしてこの半
田ボールを溶融させ、回路電極位置に設けられた基板の
貫通孔を介して溶融半田を回路電極に導通させて半田バ
ンプが形成される。ここで、電子部品の小型化に伴う回
路電極のファインピッチ化により前孔の貫通孔も小径化
し、搭載される半田ボールの径よりも小さい貫通孔を用
いる場合が増加している。
ａｃｋａｇｅ）などでは、回路電極が形成される面と半
田バンプが形成される面が基板の同一面でない場合があ
る。すなわちパッケージを構成するテープ状の基板の片
側の面に回路電極が形成され、この回路電極が形成され
た面の反対側に半田ボールが搭載される。そしてこの半
田ボールを溶融させ、回路電極位置に設けられた基板の
貫通孔を介して溶融半田を回路電極に導通させて半田バ
ンプが形成される。ここで、電子部品の小型化に伴う回
路電極のファインピッチ化により前孔の貫通孔も小径化
し、搭載される半田ボールの径よりも小さい貫通孔を用
いる場合が増加している。
【０００４】以下、このような場合の従来の半田バンプ
形成方法について図面を参照して説明する。図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のテープ状基板の部分断
面図である。図３（ａ）において、テープ状基板１の下
面には回路電極２が形成されている。基板１の回路電極
２の位置には貫通孔３が設けられており、貫通孔３内に
は３０μｍ以下の粉径の半田粒子とフラックスの混合物
であるクリーム半田４が供給されている。この後、図３
（ｂ）に示すように貫通孔３上には半田ボール５が搭載
される。ここで貫通孔３の径は半田ボール５の径よりも
小さく、したがって半田ボール５は貫通孔３の内部に完
全には入り込まず、半田ボール５と回路電極２の表面は
接触せず隙間が生じた形となっている。
形成方法について図面を参照して説明する。図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のテープ状基板の部分断
面図である。図３（ａ）において、テープ状基板１の下
面には回路電極２が形成されている。基板１の回路電極
２の位置には貫通孔３が設けられており、貫通孔３内に
は３０μｍ以下の粉径の半田粒子とフラックスの混合物
であるクリーム半田４が供給されている。この後、図３
（ｂ）に示すように貫通孔３上には半田ボール５が搭載
される。ここで貫通孔３の径は半田ボール５の径よりも
小さく、したがって半田ボール５は貫通孔３の内部に完
全には入り込まず、半田ボール５と回路電極２の表面は
接触せず隙間が生じた形となっている。
【０００５】この後基板１をリフロー工程に送り加熱す
ることにより、クリーム半田４および半田ボール５が加
熱されて溶融し、半田ボール５およびクリーム半田４中
の半田粒子がそれぞれ溶融することによって生じる溶融
半田が一体化して回路電極２の表面に半田接合され半田
バンプが形成される。
ることにより、クリーム半田４および半田ボール５が加
熱されて溶融し、半田ボール５およびクリーム半田４中
の半田粒子がそれぞれ溶融することによって生じる溶融
半田が一体化して回路電極２の表面に半田接合され半田
バンプが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このとき、クリーム半
田４中の半田粒子は粒径が小さいため、溶融の過程では
半田ボール５または回路電極２のいずれかの側に引き寄
せられ、図３（ｃ）に示すように半田ボール５に吸収さ
れる部分と、回路電極２の表面に溶着する部分４’とに
分離する場合がある。このように溶融半田が一旦完全に
分離した場合には、その後に一体化させることは困難
で、半田ボール５は電極２に半田接合されないまま半田
バンプの欠落となる。半田バンプの欠落が生じた電子部
品は不良品として廃却処分されるため、製品歩留まりを
低下させる要因となる。
田４中の半田粒子は粒径が小さいため、溶融の過程では
半田ボール５または回路電極２のいずれかの側に引き寄
せられ、図３（ｃ）に示すように半田ボール５に吸収さ
れる部分と、回路電極２の表面に溶着する部分４’とに
分離する場合がある。このように溶融半田が一旦完全に
分離した場合には、その後に一体化させることは困難
で、半田ボール５は電極２に半田接合されないまま半田
バンプの欠落となる。半田バンプの欠落が生じた電子部
品は不良品として廃却処分されるため、製品歩留まりを
低下させる要因となる。
【０００７】このように従来の半田バンプ形成方法で
は、クリーム半田の溶融時の挙動に起因して確実に半田
バンプを形成することができないという問題点があっ
た。また、この問題は球状の半田バンプを有する電子部
品を回路電極に実装する場合、すなわち回路電極を覆っ
たレジストに半田バンプの径よりも小さい貫通孔を設
け、この貫通孔内にクリーム半田を供給してこの貫通孔
を介して球状の半田バンプを実装する場合にも共通する
ものであった。
は、クリーム半田の溶融時の挙動に起因して確実に半田
バンプを形成することができないという問題点があっ
た。また、この問題は球状の半田バンプを有する電子部
品を回路電極に実装する場合、すなわち回路電極を覆っ
たレジストに半田バンプの径よりも小さい貫通孔を設
け、この貫通孔内にクリーム半田を供給してこの貫通孔
を介して球状の半田バンプを実装する場合にも共通する
ものであった。
【０００８】そこで本発明は、確実に半田バンプを形成
し、また半田バンプを実装することができる半田バンプ
の形成方法および半田バンプの実装方法を提供すること
を目的とする。
し、また半田バンプを実装することができる半田バンプ
の形成方法および半田バンプの実装方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半田バン
プの形成方法は、絶縁基板に設けられた貫通孔を介して
半田ボールを回路電極と半田接合させて前記絶縁基板の
回路電極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの
形成方法であって、前記半田ボールより小さい径で設け
られた前記貫通孔内に、前記半田ボールがこの貫通孔上
に搭載された状態でこの半田ボールと前記回路電極表面
の双方に同時に接触する大きさの半田粒子を含んだ半田
接合材料を供給する工程と、この半田接合材料が供給さ
れた貫通孔上に半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁
基板を加熱して前記半田ボールおよび前記半田接合材料
中の半田粒子を溶融させることにより、この半田ボール
と半田粒子を構造的に一体化して前記回路電極表面に半
田接合する工程とを含む。
プの形成方法は、絶縁基板に設けられた貫通孔を介して
半田ボールを回路電極と半田接合させて前記絶縁基板の
回路電極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの
形成方法であって、前記半田ボールより小さい径で設け
られた前記貫通孔内に、前記半田ボールがこの貫通孔上
に搭載された状態でこの半田ボールと前記回路電極表面
の双方に同時に接触する大きさの半田粒子を含んだ半田
接合材料を供給する工程と、この半田接合材料が供給さ
れた貫通孔上に半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁
基板を加熱して前記半田ボールおよび前記半田接合材料
中の半田粒子を溶融させることにより、この半田ボール
と半田粒子を構造的に一体化して前記回路電極表面に半
田接合する工程とを含む。
【００１０】請求項２記載の半田バンプの実装方法は、
電子部品に形成された半田バンプを基板の回路電極を覆
う絶縁膜に設けられた貫通孔を介して前記回路電極に半
田接合して前記半田バンプを基板に実装する半田バンプ
の実装方法であって、前記半田バンプより小さい径で設
けられた前記貫通孔内に、前記半田バンプがこの貫通孔
上に搭載された状態でこの半田バンプと前記回路電極表
面の双方に同時に接触する大きさの半田粒子を含んだ半
田接合材料を供給する工程と、この半田接合材料が供給
された前記貫通孔上に半田バンプを搭載する工程と、前
記基板を加熱して前記半田バンプおよび前記半田接合材
料中の半田粒子を溶融させることにより、この半田バン
プと半田粒子を構造的に一体化して前記回路電極表面に
半田接合する工程とを含む。
電子部品に形成された半田バンプを基板の回路電極を覆
う絶縁膜に設けられた貫通孔を介して前記回路電極に半
田接合して前記半田バンプを基板に実装する半田バンプ
の実装方法であって、前記半田バンプより小さい径で設
けられた前記貫通孔内に、前記半田バンプがこの貫通孔
上に搭載された状態でこの半田バンプと前記回路電極表
面の双方に同時に接触する大きさの半田粒子を含んだ半
田接合材料を供給する工程と、この半田接合材料が供給
された前記貫通孔上に半田バンプを搭載する工程と、前
記基板を加熱して前記半田バンプおよび前記半田接合材
料中の半田粒子を溶融させることにより、この半田バン
プと半田粒子を構造的に一体化して前記回路電極表面に
半田接合する工程とを含む。
【００１１】各請求項記載の発明によれば、回路電極上
に形成された貫通孔内に、半田ボールもしくは半田バン
プと回路電極表面の双方に同時に接触する大きさの半田
粒子を含んだ半田接合材料を供給することにより、加熱
過程ではこの半田粒子が半田ボールもしくは半田バンプ
と回路電極表面をつなぐブリッジの役割を果たし、溶融
半田が分離するのを防止することができる。
に形成された貫通孔内に、半田ボールもしくは半田バン
プと回路電極表面の双方に同時に接触する大きさの半田
粒子を含んだ半田接合材料を供給することにより、加熱
過程ではこの半田粒子が半田ボールもしくは半田バンプ
と回路電極表面をつなぐブリッジの役割を果たし、溶融
半田が分離するのを防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１（ａ），
（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は本発明の実施の形態
１の半田バンプの形成方法の工程説明図であり、半田バ
ンプの形成方法を工程順に示すものである。図１（ａ）
において、絶縁基板１１はポリイミドテープやガラエポ
樹脂などの絶縁材料から成り、絶縁基板１１には回路電
極１２が形成されている。絶縁基板１１の回路電極１２
に対応する位置には貫通孔１３が設けられている。貫通
孔１３は、絶縁基板１１の回路電極１２の反対面に、半
田バンプを形成するためのものである。
（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は本発明の実施の形態
１の半田バンプの形成方法の工程説明図であり、半田バ
ンプの形成方法を工程順に示すものである。図１（ａ）
において、絶縁基板１１はポリイミドテープやガラエポ
樹脂などの絶縁材料から成り、絶縁基板１１には回路電
極１２が形成されている。絶縁基板１１の回路電極１２
に対応する位置には貫通孔１３が設けられている。貫通
孔１３は、絶縁基板１１の回路電極１２の反対面に、半
田バンプを形成するためのものである。
【００１３】図１（ｂ）に示すように、貫通孔１３内に
はクリーム半田１４が供給される。クリーム半田１４は
半田粒子１４ａとフラックスを混合したものである。半
田粒子１４ａの粒径は、このクリーム半田１４が供給さ
れた貫通孔１３上に半田ボールが搭載された状態で、こ
の半田ボールと回路電極１２表面の双方に半田粒子１４
ａのうち少なくとも１個が同時に接触する大きさとなる
ように設定される。すなわち本実施の形態の例（７５μ
ｍの厚さの絶縁基板１１に２００μｍの径の貫通孔１３
を設け、この上に３００μｍの直径の半田ボールを搭載
する例）では、粒径４０μｍ〜７０μｍの半田粒子が体
積比で５〜３０％の範囲（好ましくは２０％）で含有さ
れたクリーム半田１４を用いる。
はクリーム半田１４が供給される。クリーム半田１４は
半田粒子１４ａとフラックスを混合したものである。半
田粒子１４ａの粒径は、このクリーム半田１４が供給さ
れた貫通孔１３上に半田ボールが搭載された状態で、こ
の半田ボールと回路電極１２表面の双方に半田粒子１４
ａのうち少なくとも１個が同時に接触する大きさとなる
ように設定される。すなわち本実施の形態の例（７５μ
ｍの厚さの絶縁基板１１に２００μｍの径の貫通孔１３
を設け、この上に３００μｍの直径の半田ボールを搭載
する例）では、粒径４０μｍ〜７０μｍの半田粒子が体
積比で５〜３０％の範囲（好ましくは２０％）で含有さ
れたクリーム半田１４を用いる。
【００１４】次に図１（ｃ）に示すように、クリーム半
田１４が供給された貫通孔１３上に半田ボール１５が搭
載される。このとき、前述のような大きさの粒径の半田
粒子１４ａが含まれているので、クリーム半田１４中の
半田粒子１４ａうち、少なくとも１個は半田ボール１５
および回路電極１２表面の双方に同時に接触した状態と
なっている。
田１４が供給された貫通孔１３上に半田ボール１５が搭
載される。このとき、前述のような大きさの粒径の半田
粒子１４ａが含まれているので、クリーム半田１４中の
半田粒子１４ａうち、少なくとも１個は半田ボール１５
および回路電極１２表面の双方に同時に接触した状態と
なっている。
【００１５】この後絶縁基板１１はリフロー工程に送ら
れ加熱される。これにより半田粒子１４ａおよび半田ボ
ール１５が溶融を開始する。このとき、半田粒子１４ａ
のうち半田ボール１５および回路電極１２表面の双方と
接触している半田粒子１４ａが半田ボール１５とともに
溶融することにより、図１（ｄ）に示すように半田ボー
ル１５が溶融した溶融半田１５’は、半田粒子１４ａが
溶融した溶融半田１４’ａによって速やかに回路電極１
２表面につなぎ止められる。半田相互、および半田と回
路電極１２表面とは濡れ性が良好であるため溶融半田１
４’は即座に溶融半田１５’と一体化し、また回路電極
１２表面に溶着するからである。
れ加熱される。これにより半田粒子１４ａおよび半田ボ
ール１５が溶融を開始する。このとき、半田粒子１４ａ
のうち半田ボール１５および回路電極１２表面の双方と
接触している半田粒子１４ａが半田ボール１５とともに
溶融することにより、図１（ｄ）に示すように半田ボー
ル１５が溶融した溶融半田１５’は、半田粒子１４ａが
溶融した溶融半田１４’ａによって速やかに回路電極１
２表面につなぎ止められる。半田相互、および半田と回
路電極１２表面とは濡れ性が良好であるため溶融半田１
４’は即座に溶融半田１５’と一体化し、また回路電極
１２表面に溶着するからである。
【００１６】したがって、加熱過程においてクリーム半
田１４中の半田粒子１４ａが溶融して半田ボール１５側
と回路電極１２側に上下に分離することがなく、半田ボ
ール１５の溶融半田１５’はクリーム半田１４中の半田
粒子の溶融半田１４ａ’と確実に一体化する。そして溶
融半田の固化後には、回路電極１２上に半田接合されて
図１（ｅ）に示すように半田バンプ１６が形成される。
田１４中の半田粒子１４ａが溶融して半田ボール１５側
と回路電極１２側に上下に分離することがなく、半田ボ
ール１５の溶融半田１５’はクリーム半田１４中の半田
粒子の溶融半田１４ａ’と確実に一体化する。そして溶
融半田の固化後には、回路電極１２上に半田接合されて
図１（ｅ）に示すように半田バンプ１６が形成される。
【００１７】（実施の形態２）図２（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は本発明の実施の形態２の半田
バンプの実装方法の工程説明図であり、半田バンプの実
装方法を工程順に示している。
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は本発明の実施の形態２の半田
バンプの実装方法の工程説明図であり、半田バンプの実
装方法を工程順に示している。
【００１８】図２（ａ）において、基板２１の表面には
回路電極２２が形成されている。基板２１および回路電
極２２を覆ってエポキシやアクリル樹脂などから成る絶
縁膜としてのソルダレジスト２３が形成されている。ソ
ルダレジスト２３の回路電極２２に対応する位置には、
貫通孔２４が設けられている。ここで貫通孔２４の径は
この貫通孔２４上に実装される半田バンプの径よりも小
さいものとなっている。次に図２（ｂ）に示すように、
貫通孔２４内にクリーム半田２５が供給される。クリー
ム半田２５は実施の形態１におけるクリーム半田１４と
同様のものである。
回路電極２２が形成されている。基板２１および回路電
極２２を覆ってエポキシやアクリル樹脂などから成る絶
縁膜としてのソルダレジスト２３が形成されている。ソ
ルダレジスト２３の回路電極２２に対応する位置には、
貫通孔２４が設けられている。ここで貫通孔２４の径は
この貫通孔２４上に実装される半田バンプの径よりも小
さいものとなっている。次に図２（ｂ）に示すように、
貫通孔２４内にクリーム半田２５が供給される。クリー
ム半田２５は実施の形態１におけるクリーム半田１４と
同様のものである。
【００１９】次に図２（ｃ）に示すように、基板２１上
に球状の半田バンプ２６が形成された電子部品２７を搭
載する。この後基板２１はリフロー工程に送られ加熱さ
れる。これによりクリーム半田２５中の半田粒子と半田
バンプ２６が溶融を開始するが、このとき実施の形態１
と同様に、クリーム半田２５中の半田粒子のうち、半田
バンプ２６と回路電極２２表面の双方に接触している半
田粒子が溶融することにより、図２（ｄ）に示すように
半田バンプ２６が溶融した溶融半田２６’は回路電極２
２表面につなぎ止められる。したがって加熱過程におい
てクリーム半田２５中の半田粒子が上下に分離すること
なく、溶融半田の固化後には、図２（ｅ）に示すように
半田バンプ２６は、確実に回路電極２２に半田接合によ
り実装される。
に球状の半田バンプ２６が形成された電子部品２７を搭
載する。この後基板２１はリフロー工程に送られ加熱さ
れる。これによりクリーム半田２５中の半田粒子と半田
バンプ２６が溶融を開始するが、このとき実施の形態１
と同様に、クリーム半田２５中の半田粒子のうち、半田
バンプ２６と回路電極２２表面の双方に接触している半
田粒子が溶融することにより、図２（ｄ）に示すように
半田バンプ２６が溶融した溶融半田２６’は回路電極２
２表面につなぎ止められる。したがって加熱過程におい
てクリーム半田２５中の半田粒子が上下に分離すること
なく、溶融半田の固化後には、図２（ｅ）に示すように
半田バンプ２６は、確実に回路電極２２に半田接合によ
り実装される。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、回路電極上に形成され
た貫通孔内に、半田ボールもしくは半田バンプと回路電
極表面の双方に同時に接触する大きさの半田粒子を含ん
だ半田接合材料を供給するようにしたので、加熱過程で
はこの半田粒子が半田ボールもしくは半田バンプと回路
電極表面をつなぐブリッジの役割を果たし、溶融半田が
上下に分離するのを防止して、確実に半田バンプの形成
もしくは半田バンプの実装を行うことができる。
た貫通孔内に、半田ボールもしくは半田バンプと回路電
極表面の双方に同時に接触する大きさの半田粒子を含ん
だ半田接合材料を供給するようにしたので、加熱過程で
はこの半田粒子が半田ボールもしくは半田バンプと回路
電極表面をつなぐブリッジの役割を果たし、溶融半田が
上下に分離するのを防止して、確実に半田バンプの形成
もしくは半田バンプの実装を行うことができる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形
成方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図
成方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実
装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図
装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図
【図３】（ａ）従来のテープ状基板の部分断面図
（ｂ）従来のテープ状基板の部分断面図
（ｃ）従来のテープ状基板の部分断面図
１、１１ 絶縁基板
２、１２、２２ 回路電極
３、１３、２４ 貫通孔
４、１４、２５ クリーム半田
１４ａ 半田粒子
５、１５ 半田ボール
１５’、２６’ 溶融半田
１６、２６ 半田バンプ
２１ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/34
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板に設けられた貫通孔を介して半田
ボールを回路電極と半田接合させて前記絶縁基板の回路
電極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの形成
方法であって、前記半田ボールより小さい径で設けられ
た前記貫通孔内に、前記半田ボールがこの貫通孔上に搭
載された状態でこの半田ボールと前記回路電極表面の双
方に同時に接触する大きさの半田粒子を含んだ半田接合
材料を供給する工程と、この半田接合材料が供給された
貫通孔上に半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁基板
を加熱して前記半田ボールおよび前記半田接合材料中の
半田粒子を溶融させることにより、この半田ボールと半
田粒子を構造的に一体化して前記回路電極表面に半田接
合する工程とを含むことを特徴とする半田バンプの形成
方法。 - 【請求項２】電子部品に形成された半田バンプを基板の
回路電極を覆う絶縁膜に設けられた貫通孔を介して前記
回路電極に半田接合して前記半田バンプを基板に実装す
る半田バンプの実装方法であって、前記半田バンプより
小さい径で設けられた前記貫通孔内に、前記半田バンプ
がこの貫通孔上に搭載された状態でこの半田バンプと前
記回路電極表面の双方に同時に接触する大きさの半田粒
子を含んだ半田接合材料を供給する工程と、この半田接
合材料が供給された前記貫通孔上に半田バンプを搭載す
る工程と、前記基板を加熱して前記半田バンプおよび前
記半田接合材料中の半田粒子を溶融させることにより、
この半田バンプと半田粒子を構造的に一体化して前記回
路電極表面に半田接合する工程とを含むことを特徴とす
る半田バンプの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06659198A JP3493999B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | 半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法 |
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