JP2006196710A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハ31のポリイミド保護膜32による凹凸を有する表面に、基材層26と軟化材層20と粘着剤層25を備えた厚い表面保護テープ24を貼り付け、刃先の温度が50〜80℃程度になるように加熱した切断カッターを用いて、表面保護テープ24をウェハ外周に沿って切断する。その後、表面保護テープ24を加熱し、軟化材層20を変形させて、基材層26の表面をほぼ平坦にする。表面保護テープ24を貼り付けた状態のまま、ウェハ裏面を研削加工して薄ウェハにする。そして、ダイシングを行う直前まで、半導体ウェハ31に表面保護テープ24を貼り付けた状態のまま、各種処理を行う。
【選択図】 図1
Description
24 表面保護テープ
25 粘着剤層
26 基材層
28 裏面電極
30 チップ
31 半導体ウェハ
32 ポリイミド保護膜
33 素子形成領域
Claims (5)
- 半導体ウェハの凹凸を有する表面に、基材層と前記凹凸による段差よりも厚い粘着層を備えたテープを、該粘着層がウェハ表面に接するように貼り付けた後、常温よりも高く、かつ前記粘着層の構成材が付着する温度よりも低い温度に加熱された切断カッターを用いて、前記半導体ウェハの外周に沿って前記テープを切断することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- テープ切断時に前記切断カッターを50℃以上80℃以下の温度にすることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記粘着層は、粘着剤よりなる粘着剤層と、前記基材層の構成材よりも軟質で、かつ加熱により粘度が低下する樹脂材料よりなる軟化材層を有し、該軟化材層は、前記粘着剤層と前記基材層の間に設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子の製造方法。
- テープ切断後、該テープを加熱して前記軟化材層を変形させることにより前記基材層の表面をほぼ平坦にすることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の製造方法。
- さらに、前記テープの基材層の表面をほぼ平坦にした後、該テープを貼り付けた状態のまま、前記半導体ウェハの裏面を研削加工して薄ウェハにすることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の製造方法。
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