JP2006194920A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置において、シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設けるとともに、当該シール部における柱状スペーサの表面を導電性材料で被覆して導電性柱状スペーサとし、かつ当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、柱状スペーサの端部断面積よりも小さくする。
【選択図】 図２
【解決手段】 一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置において、シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設けるとともに、当該シール部における柱状スペーサの表面を導電性材料で被覆して導電性柱状スペーサとし、かつ当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、柱状スペーサの端部断面積よりも小さくする。
【選択図】 図２
Description
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。特に、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる電気光学装置、そのような電気光学装置の製造方法、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器に関する。
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、対向配置される一対の基板の双方に形成した複数の電極を平面的に重ねることによって、ドットマトリクス状に配列された複数の画素を形成している。そして、それぞれの画素に印加する電圧を選択的にオン、オフさせることによって、当該画素領域の液晶材料を通過する光を変調させ、画像や文字等の像を表示するものである。かかる液晶装置においては、対向する一対の基板をシール材で貼り合せることによりセル構造を形成した後、当該セル構造の内部に液晶材料を封入することにより製造されている。
ここで、セルを構成する際に、上下基板間の導通を得るためシール材中に所定量の導電性スペーサ粒子を添加することがなされている。しかしながら、導電性スペーサ粒子が不均一に混合されたり、凝集したりするため、ショートが発生しやすいという問題が見られた。
そこで、シール部における柱状スペーサを設けるとともに、その表面に導電性材料をさらに被覆して基板間導通部とし、かつ、当該基板間導通部の高さを、柱状スペーサの高さと、導電性材料の被覆厚さとの和とが等しくなるように構成した液晶装置が開示されている。（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−９３８４４号公報 （特許請求の範囲、図１）
ここで、セルを構成する際に、上下基板間の導通を得るためシール材中に所定量の導電性スペーサ粒子を添加することがなされている。しかしながら、導電性スペーサ粒子が不均一に混合されたり、凝集したりするため、ショートが発生しやすいという問題が見られた。
そこで、シール部における柱状スペーサを設けるとともに、その表面に導電性材料をさらに被覆して基板間導通部とし、かつ、当該基板間導通部の高さを、柱状スペーサの高さと、導電性材料の被覆厚さとの和とが等しくなるように構成した液晶装置が開示されている。（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、図１９に示すように、特許文献１に記載された液晶装置においては、基板間導通部３２１の高さＲ１を、柱状スペーサ３１２の高さＲ２と、導電性材料の被覆厚さΔ３２１との和とが等しくなるように設計されているとともに、基板間導通部の端部断面積と、柱状スペーサの端部断面積とが等しく設計されていた。そのため、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合、その影響を強く受けてしまい、セル構造の厚さが不均一になったり、上下基板における配線間の導通が不安定的になったりしやすいという問題が見られた。
又、基板間導通部３２１の高さＲ１を、柱状スペーサ３１２の高さＲ２と、導電性材料の被覆厚さΔ３２１との和とが等しくなるように設計した場合に、周囲の温度変化等が生じると、上下基板における距離が変化して、配線間の導通がさらに不安定になりやすいという問題が見られた。
又、基板間導通部３２１の高さＲ１を、柱状スペーサ３１２の高さＲ２と、導電性材料の被覆厚さΔ３２１との和とが等しくなるように設計した場合に、周囲の温度変化等が生じると、上下基板における距離が変化して、配線間の導通がさらに不安定になりやすいという問題が見られた。
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、液晶装置等の電気光学装置において、導電性柱状スペーサの先端部の断面積と、柱状スペーサの先端部の断面積とを考慮しつつ、導電性柱状スペーサと、柱状スペーサとを形成することにより、このような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、電気光学装置のセル構造の厚さが均一になるとともに、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、シール部において、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる電気光学装置を提供することを目的とする。
又、本発明の別の目的は、そのような安定的な導通が得られる電気光学装置の製造方法、さらに、そのような電気光学装置を備えた画像表示特性に優れた電子機器を提供することである。
すなわち、本発明は、電気光学装置のセル構造の厚さが均一になるとともに、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、シール部において、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる電気光学装置を提供することを目的とする。
又、本発明の別の目的は、そのような安定的な導通が得られる電気光学装置の製造方法、さらに、そのような電気光学装置を備えた画像表示特性に優れた電子機器を提供することである。
本発明によれば、一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置であって、シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設けるとともに、シール部における柱状スペーサの表面には導電性材料をさらに被覆して、導電性柱状スペーサとし、かつ当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、柱状スペーサの端部断面積よりも小さくした電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、このように構成の導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサをそれぞれ配置することにより、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、導電性柱状スペーサが形状的にその影響を排除して、安定的に導通を採ることができる。
なお、本発明において、柱状スペーサや導電性柱状スペーサの断面積という場合には、それぞれ配置されている平面に対して、平行に切断した場合に得られる断面の面積を意味している。
すなわち、このように構成の導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサをそれぞれ配置することにより、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、導電性柱状スペーサが形状的にその影響を排除して、安定的に導通を採ることができる。
なお、本発明において、柱状スペーサや導電性柱状スペーサの断面積という場合には、それぞれ配置されている平面に対して、平行に切断した場合に得られる断面の面積を意味している。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性柱状スペーサの端部断面積及び柱状スペーサの端部断面積にそれぞれ大小がある場合には、導電性柱状スペーサの小さい方の端部断面積を、柱状スペーサの小さい方の端部断面積よりも小さくすることが好ましい。
このように構成することにより、導電性柱状スペーサや柱状スペーサが、円錐状等であっても、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、その影響を排除して、安定的に導通を採ることができる。
このように構成することにより、導電性柱状スペーサや柱状スペーサが、円錐状等であっても、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、その影響を排除して、安定的に導通を採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学装置を構成する前は、導電性柱状スペーサの高さを、柱状スペーサの高さよりも高くし、電気光学装置を構成した後は、導電性柱状スペーサを部分的に変形させることによって、導電性柱状スペーサの高さを、柱状スペーサの高さと等しくすることが好ましい。
このように構成することにより、シール部における導電性柱状スペーサが適度に変形して、表示部における柱状スペーサと実質的に等しい高さとすることができる。したがって、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。又、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、所定形状の導電性柱状スペーサが絶縁被膜を破壊して、安定的に導通を採ることができる。
このように構成することにより、シール部における導電性柱状スペーサが適度に変形して、表示部における柱状スペーサと実質的に等しい高さとすることができる。したがって、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。又、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、所定形状の導電性柱状スペーサが絶縁被膜を破壊して、安定的に導通を採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性柱状スペーサの端部表面に、微細な凹凸を設けることが好ましい。
このように構成することにより、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、所定形状の導電性柱状スペーサの微細な凹凸部が絶縁被膜を破壊して、安定的に導通を採ることができる。
このように構成することにより、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、所定形状の導電性柱状スペーサの微細な凹凸部が絶縁被膜を破壊して、安定的に導通を採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性柱状スペーサの側面に、導電性材料が、部分的に被覆してあることが好ましい。
このように構成することにより、導電性材料の硬さの影響が少なくなって、シール部における導電性柱状スペーサが適度に変形しやすくなる。したがって、表示部における柱状スペーサと実質的に等しい高さとすることができ、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。
又、隣接する導電性柱状スペーサ間でのショートの発生を効果的に抑制することができる。
このように構成することにより、導電性材料の硬さの影響が少なくなって、シール部における導電性柱状スペーサが適度に変形しやすくなる。したがって、表示部における柱状スペーサと実質的に等しい高さとすることができ、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。
又、隣接する導電性柱状スペーサ間でのショートの発生を効果的に抑制することができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シール部における一対の基板上に、それぞれ複数の配線パターンが形成してあるとともに、複数の配線パターンの一つ毎に、複数の導電性柱状スペーサを配置することが好ましい。
このように構成することにより、配線パターンひとつ毎の導通領域を調整することが可能となることから、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。
このように構成することにより、配線パターンひとつ毎の導通領域を調整することが可能となることから、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、複数の配線パターンの間に、電気絶縁性の柱状スペーサを配置することが好ましい。
このように構成することにより、配線パターン間における短絡経路を、実質的に長くすることが可能となり、複数の配線パターン間の電気絶縁性を確実に採ることができる。
このように構成することにより、配線パターン間における短絡経路を、実質的に長くすることが可能となり、複数の配線パターン間の電気絶縁性を確実に採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、複数の配線パターンにおいて、複数の導電性柱状スペーサの間に、電気絶縁性の柱状スペーサを配置することが好ましい。
このように構成することにより、導電性柱状スペーサ間における短絡経路を、実質的に長くすることが可能となり、導電性柱状スペーサ間の電気絶縁性を確実に採ることができる。
このように構成することにより、導電性柱状スペーサ間における短絡経路を、実質的に長くすることが可能となり、導電性柱状スペーサ間の電気絶縁性を確実に採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シール部において、複数の導電性柱状スペーサの間に、電気絶縁性の柱状スペーサを配置することが好ましい。
このように構成することにより、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採りながら、複数の導電性柱状スペーサ間の電気絶縁性についても確実に採ることができる。
このように構成することにより、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採りながら、複数の導電性柱状スペーサ間の電気絶縁性についても確実に採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シール部において、ストッパーとして、導電性柱状スペーサの硬度よりも硬い粒子及び繊維、あるいはいずれか一方を配置することが好ましい。
このように構成することにより、上下基板を貼りあわせる際に、導電性柱状スペーサが過度に変形することを防止することができる。したがって、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。
このように構成することにより、上下基板を貼りあわせる際に、導電性柱状スペーサが過度に変形することを防止することができる。したがって、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性柱状スペーサにおける柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との熱膨張率の差を１×１０-3／℃以下とすることが好ましい。
このように構成することにより、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との間の剥離現象を抑制することができ、導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通をさらに安定的に採ることができる。
このように構成することにより、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との間の剥離現象を抑制することができ、導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通をさらに安定的に採ることができる。
又、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性柱状スペーサを被覆する導電性材料が、ＩＴＯ又はＩＺＯであることが好ましい。
このように構成することにより、電気光学装置の配線や画素電極を形成する際に、シール部における導電性柱状スペーサを同時に形成することができる。したがって、製造コストを低減して、上下基板における配線間の導通を経済的に採ることができる。
なお、ＩＴＯ及びＩＺＯは、導電性材料として、透明性が高い一方、経時的に安定であるという特徴がある。
このように構成することにより、電気光学装置の配線や画素電極を形成する際に、シール部における導電性柱状スペーサを同時に形成することができる。したがって、製造コストを低減して、上下基板における配線間の導通を経済的に採ることができる。
なお、ＩＴＯ及びＩＺＯは、導電性材料として、透明性が高い一方、経時的に安定であるという特徴がある。
又、本発明の別の態様は、一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置の製造方法であって、シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設ける工程と、当該シール部における柱状スペーサの表面を導電性材料で被覆して、導電性柱状スペーサとするとともに、電気光学装置を構成する前は、導電性柱状スペーサの高さを、柱状スペーサの高さよりも高くし、電気光学装置を構成した後は、導電性柱状スペーサを部分的に変形させて、当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、柱状スペーサの端部断面積よりも小さくする工程と、を含む電気光学装置の製造方法である。
このように実施することにより、セル構造の厚さが均一になるとともに、シール部に構造的に安定な導電性柱状スペーサを設けた電気光学装置を効率的かつ安価に得ることができる。
このように実施することにより、セル構造の厚さが均一になるとともに、シール部に構造的に安定な導電性柱状スペーサを設けた電気光学装置を効率的かつ安価に得ることができる。
又、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかに記載された電気光学装置を備えた電子機器である。
すなわち、セル構造の厚さが均一になって、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる電気光学装置を備えることにより、長期間にわたって画像表示特性に優れた電子機器を効率的に提供することができる。
すなわち、セル構造の厚さが均一になって、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる電気光学装置を備えることにより、長期間にわたって画像表示特性に優れた電子機器を効率的に提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
［第１実施形態］
第１実施形態は、一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置において、シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設けるとともに、当該シール部における柱状スペーサの表面には導電性材料をさらに被覆して、導電性柱状スペーサとし、かつ当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、前記柱状スペーサの端部断面積よりも小さくすることを特徴とする電気光学装置である。
第１実施形態は、一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置において、シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設けるとともに、当該シール部における柱状スペーサの表面には導電性材料をさらに被覆して、導電性柱状スペーサとし、かつ当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、前記柱状スペーサの端部断面積よりも小さくすることを特徴とする電気光学装置である。
以下、図１〜図１２を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、第１の基板（カラーフィルタ基板と称する場合がある。）３０、及び第２の基板（素子基板と称する場合がある。）６０を用いた液晶装置を例に採って説明する。
なお、本実施形態の液晶装置は、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置であるが、これ以外にも、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置や、パッシブマトリクス型構造の液晶装置であっても構わない。
なお、本実施形態の液晶装置は、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置であるが、これ以外にも、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置や、パッシブマトリクス型構造の液晶装置であっても構わない。
１．電気光学装置の基本構造
まず、図１及び図２を参照して、第１実施形態の電気光学装置の基本構造について具体的に説明する。ここで、図１は液晶装置に使用される液晶パネル２０の概略斜視図であり、図２は当該液晶パネル２０の概略断面図である。
かかる液晶パネル２０は、二端子型非線形素子としてのスイッチング素子６９を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２０であって、図示しないものの、バックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを必要に応じて適宜取付けることにより電気光学装置（液晶装置）となる。
又、液晶パネル２０は、透明な第１のガラス基板３１を基体とする第１の基板３０と、透明な第２のガラス基板６１を基体とする第２の基板６０とが、対向配置されるとともに接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせられている。又、第１の基板３０と、第２の基板６０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部２３ａを介して液晶材料２１を注入した後、封止材２５にて封止されてなるセル構造を備えている。すなわち、第１の基板３０と第２の基板６０との間に液晶材料２１が充填されている。
又、第２のガラス基板６１の内面、すなわち、第１のガラス基板３１に対向する表面上に、第２の電極（画素電極と称する場合がある。）６３をマトリクス状に形成し、第１のガラス基板３１の内面、すなわち、第２のガラス基板６１に対向する表面上には、第１の電極（走査電極と称する場合がある。）３３がストライプ状に形成されている。又、第２の電極６３は、スイッチング素子６９を介して電気配線（データ線と称する場合がある。）６５に対して電気的に接続されている。
まず、図１及び図２を参照して、第１実施形態の電気光学装置の基本構造について具体的に説明する。ここで、図１は液晶装置に使用される液晶パネル２０の概略斜視図であり、図２は当該液晶パネル２０の概略断面図である。
かかる液晶パネル２０は、二端子型非線形素子としてのスイッチング素子６９を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２０であって、図示しないものの、バックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを必要に応じて適宜取付けることにより電気光学装置（液晶装置）となる。
又、液晶パネル２０は、透明な第１のガラス基板３１を基体とする第１の基板３０と、透明な第２のガラス基板６１を基体とする第２の基板６０とが、対向配置されるとともに接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせられている。又、第１の基板３０と、第２の基板６０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部２３ａを介して液晶材料２１を注入した後、封止材２５にて封止されてなるセル構造を備えている。すなわち、第１の基板３０と第２の基板６０との間に液晶材料２１が充填されている。
又、第２のガラス基板６１の内面、すなわち、第１のガラス基板３１に対向する表面上に、第２の電極（画素電極と称する場合がある。）６３をマトリクス状に形成し、第１のガラス基板３１の内面、すなわち、第２のガラス基板６１に対向する表面上には、第１の電極（走査電極と称する場合がある。）３３がストライプ状に形成されている。又、第２の電極６３は、スイッチング素子６９を介して電気配線（データ線と称する場合がある。）６５に対して電気的に接続されている。
そして、もう一方の第１の電極３３は、図２に概略断面を示すように、導電性粒子を含むシール材２３を介して第２の基板６０上の引回し配線６６に対して電気的に接続されている。したがって、このように構成された第２の電極６３と第１の電極３３との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
なお、図１中、それぞれの画素領域に対応する第２の電極６３やスイッチング素子６９については、一部の画素領域にのみ図示してあるが、その他の画素領域についても同様に存在する。
なお、図１中、それぞれの画素領域に対応する第２の電極６３やスイッチング素子６９については、一部の画素領域にのみ図示してあるが、その他の画素領域についても同様に存在する。
又、第２のガラス基板６１は、第１のガラス基板３１の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部６０Ｔを有し、この基板張出部６０Ｔ上には、電気配線６５、引回し配線６６及び、独立して形成された複数の配線からなる外部接続用端子６７が形成されている。
そして、これら電気配線６５、引回し配線６６及び外部接続用端子６７に対して電気的に接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）９１が実装されている。さらに、基板張出部６０Ｔの端部には、外部接続用端子６７に導電接続されるように、回路基板９３が実装されている。
そして、これら電気配線６５、引回し配線６６及び外部接続用端子６７に対して電気的に接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）９１が実装されている。さらに、基板張出部６０Ｔの端部には、外部接続用端子６７に導電接続されるように、回路基板９３が実装されている。
２．第１の基板及び第２の基板
液晶パネル２０を構成する第１の基板３０は、一例として、第１のガラス基板３１と、反射層３５と、着色層３７と、遮光層３９と、平坦化層４１と、第１の電極３３と、から構成されている。又、第１の電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる第１の配向膜４５が形成されている。
そして、第１のガラス基板３１の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）４７及び偏光板４９が配置されている。
液晶パネル２０を構成する第１の基板３０は、一例として、第１のガラス基板３１と、反射層３５と、着色層３７と、遮光層３９と、平坦化層４１と、第１の電極３３と、から構成されている。又、第１の電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる第１の配向膜４５が形成されている。
そして、第１のガラス基板３１の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）４７及び偏光板４９が配置されている。
又、第１の基板３０と対向する第２の基板６０は、一例として、第２のガラス基板６１と、電気配線６５と、スイッチング素子（図示せず）と、第２の電極（図示せず）と、から構成されている。又、電気配線６５や第２の電極等の上には、第１の基板３０における第１の配向膜４５と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜７５が形成されている。さらに、第２のガラス基板６１の外面においても、位相差板（１／４波長板）７７及び偏光板７９が配置されている。
なお、第１実施形態の電気光学装置の例では、着色層３７を第１のガラス基板３１上に設けてあるが、第２のガラス基板６１上に設けることもできる。
なお、第１実施形態の電気光学装置の例では、着色層３７を第１のガラス基板３１上に設けてあるが、第２のガラス基板６１上に設けることもできる。
３．柱状スペーサ
（１）構成
又、図２に示すように、第２の基板６０は、第１の基板３０と第２の基板６０との間のセルギャップを規定するための柱状スペーサ１０３を備えている。
かかる柱状スペーサ１０３の形成材料は、特に制限されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等の熱硬化性あるいは光硬化性のレジスト材料を使用することができる。ただし、後述するように、所望の位置に容易に柱状スペーサ１０３を形成することができることから、感光性樹脂を使用することが好ましい。又、かかる感光性樹脂からなるレジスト材料を使用する場合には、ネガ型又はポジ型のいずれであっても構わない。
なお、本実施形態においては、第２の基板６０上に柱状スペーサ１０３を形成してあるが、対向する第１の基板３０上に形成することもでき、さらに、第１の基板３０及び第２の基板６０の双方に形成することもできる。
（１）構成
又、図２に示すように、第２の基板６０は、第１の基板３０と第２の基板６０との間のセルギャップを規定するための柱状スペーサ１０３を備えている。
かかる柱状スペーサ１０３の形成材料は、特に制限されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等の熱硬化性あるいは光硬化性のレジスト材料を使用することができる。ただし、後述するように、所望の位置に容易に柱状スペーサ１０３を形成することができることから、感光性樹脂を使用することが好ましい。又、かかる感光性樹脂からなるレジスト材料を使用する場合には、ネガ型又はポジ型のいずれであっても構わない。
なお、本実施形態においては、第２の基板６０上に柱状スペーサ１０３を形成してあるが、対向する第１の基板３０上に形成することもでき、さらに、第１の基板３０及び第２の基板６０の双方に形成することもできる。
（２）配置
又、図３（ａ）に示すように、柱状スペーサ１０３は、例えば、第１の基板３０上の走査電極３３の間隙である、電極間領域に形成することが好ましい。
この理由は、柱状スペーサ１０３が走査電極領域に存在すると、当該走査電極領域における光の透過率が低下するため、透過光の有効利用ができない場合があるためである。
又、図３（ｂ）に示すように、柱状スペーサ１０３は、例えば、第２の基板６０上の画素電極６３の間隙である、画素電極間領域に形成することが好ましい。
この理由は、柱状スペーサ１０３が画素電極領域に存在すると、当該画素領域における光の透過率が低下し、透過光の有効利用ができない場合があるためである。
又、図３（ａ）に示すように、柱状スペーサ１０３は、例えば、第１の基板３０上の走査電極３３の間隙である、電極間領域に形成することが好ましい。
この理由は、柱状スペーサ１０３が走査電極領域に存在すると、当該走査電極領域における光の透過率が低下するため、透過光の有効利用ができない場合があるためである。
又、図３（ｂ）に示すように、柱状スペーサ１０３は、例えば、第２の基板６０上の画素電極６３の間隙である、画素電極間領域に形成することが好ましい。
この理由は、柱状スペーサ１０３が画素電極領域に存在すると、当該画素領域における光の透過率が低下し、透過光の有効利用ができない場合があるためである。
又、かかる柱状スペーサ１０３は、画像表示領域Ａにおいて均一に配置されていることが好ましい。この理由は、セルギャップを規定する柱状スペーサ１０３が不均一に配置されていると、セルギャップにばらつきが生じる場合があるためである。
したがって、例えば、全体的に均一に配置されるように、それぞれの画素領域に対して１個ずつ配置されていることが好ましい。
したがって、例えば、全体的に均一に配置されるように、それぞれの画素領域に対して１個ずつ配置されていることが好ましい。
（３）形状
又、かかる柱状スペーサ１０３の形状は特に制限されるものではなく、例えば、図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、円柱状のスペーサ１０３ａや四角柱状のスペーサ１０３ｂ等とすることができるが、中でも、上面に平坦部を有する円錘台状のスペーサ１０３ｃや四角錘台状のスペーサ１０３ｄとすることが好ましい。
又、柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）と、柱状スペーサ１０３の底面の形状を円相当とした場合の径（ｗ）とが、ｈ＜ｗの関係を満足することが好ましい。この理由は、形成された柱状スペーサ１０３の強度を高めることができることができるためである。
又、かかる柱状スペーサ１０３の形状は特に制限されるものではなく、例えば、図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、円柱状のスペーサ１０３ａや四角柱状のスペーサ１０３ｂ等とすることができるが、中でも、上面に平坦部を有する円錘台状のスペーサ１０３ｃや四角錘台状のスペーサ１０３ｄとすることが好ましい。
又、柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）と、柱状スペーサ１０３の底面の形状を円相当とした場合の径（ｗ）とが、ｈ＜ｗの関係を満足することが好ましい。この理由は、形成された柱状スペーサ１０３の強度を高めることができることができるためである。
なお、柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）は、当該柱状スペーサ１０３の形成箇所において、第１の基板３０及び第２の基板６０上にそれぞれ形成されている複数の層の厚さを考慮したうえで、所望のセルギャップが確保されるように定められている。
具体的には、柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）を１〜１０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、このような高さであれば、使用する液晶材料や液晶モードに合わせた適正なセルギャップを形成することができ、液晶材料を均一な厚さとすることができるためである。
したがって、かかる柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）を１．５〜９μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、２〜５μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
一方、柱状スペーサ１０３の横幅（Ｗ）は、柱状スペーサ１０３の断面積の形状にもよるが、通常、２〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、このような高さであれば、構造的に安定的なスペーサとなることができるためである。
したがって、かかる柱状スペーサ１０３の横幅（Ｗ）を３〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、４〜１２μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
具体的には、柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）を１〜１０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、このような高さであれば、使用する液晶材料や液晶モードに合わせた適正なセルギャップを形成することができ、液晶材料を均一な厚さとすることができるためである。
したがって、かかる柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）を１．５〜９μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、２〜５μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
一方、柱状スペーサ１０３の横幅（Ｗ）は、柱状スペーサ１０３の断面積の形状にもよるが、通常、２〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、このような高さであれば、構造的に安定的なスペーサとなることができるためである。
したがって、かかる柱状スペーサ１０３の横幅（Ｗ）を３〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、４〜１２μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
４．導電性柱状スペーサ
（１）構成１
又、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、第２の基板６０は、第１の基板３０と第２の基板６０との間のセルギャップを規定するとともに、第１の基板３０と、第２の基板６０との導通を採るための導電性柱状スペーサ１０４を備えている。
より具体的には、図５(ａ)に示すように、画像表示領域にスペーサ１０３を備えるとともに、画像表示領域外であって、第１の基板３０と、第２の基板６０とを貼り合わせるためのシール材２３の内部に、導電性柱状スペーサ１０４を備えることができる。
（１）構成１
又、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、第２の基板６０は、第１の基板３０と第２の基板６０との間のセルギャップを規定するとともに、第１の基板３０と、第２の基板６０との導通を採るための導電性柱状スペーサ１０４を備えている。
より具体的には、図５(ａ)に示すように、画像表示領域にスペーサ１０３を備えるとともに、画像表示領域外であって、第１の基板３０と、第２の基板６０とを貼り合わせるためのシール材２３の内部に、導電性柱状スペーサ１０４を備えることができる。
そして、図５（ｂ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４は、柱状スペーサ１０３の表面に導電性材料を被覆することにより形成されているとともに、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７の断面積を、柱状スペーサ１０３の端部１０８の断面積の最小値よりも小さくすることが好ましい。
この理由は、このように断面積を考慮して、導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサをそれぞれ構成して、配置することにより、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、導電性柱状スペーサが形状的にその影響を排除して、安定的に導通を採ることができるためである。
したがって、導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサの断面積を考慮することにより、上下基板同士を貼り合わせる際の圧着力を面内均一に設定した場合であっても、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７に掛かる圧力（Ｐ１）と、柱状スペーサの端部１０８に掛かる圧力（Ｐ２）との関係をＰ１＞Ｐ２とすることができる。したがって、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７の方が、柱状スペーサ１０３の端部１０８に比べて、より第２の基板６０との高い密着性を得ることが可能となり、接触抵抗の上昇による画像特性の劣化を防ぐこと可能となる。
この理由は、このように断面積を考慮して、導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサをそれぞれ構成して、配置することにより、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、導電性柱状スペーサが形状的にその影響を排除して、安定的に導通を採ることができるためである。
したがって、導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサの断面積を考慮することにより、上下基板同士を貼り合わせる際の圧着力を面内均一に設定した場合であっても、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７に掛かる圧力（Ｐ１）と、柱状スペーサの端部１０８に掛かる圧力（Ｐ２）との関係をＰ１＞Ｐ２とすることができる。したがって、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７の方が、柱状スペーサ１０３の端部１０８に比べて、より第２の基板６０との高い密着性を得ることが可能となり、接触抵抗の上昇による画像特性の劣化を防ぐこと可能となる。
（２）構成２
又、導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサの断面積を考慮することにより、導電性柱状スペーサ１０４も適度に変形して、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、導電性柱状スペーサ１０４が適度に変形する際に、先端部がそれをつらぬいて、安定的に導通を採ることができる。
より具体的には、柱状スペーサ１０３の端部１０８の断面積の最小値を１００％としたときに、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７の断面積を５０〜９９％とすることが好ましく、６０〜９０％とすることがより好ましく、７０〜８５％とすることがさらに好ましい。
なお、導電性柱状スペーサの端部断面積及び柱状スペーサの端部断面積にそれぞれ大小がある場合には、導電性柱状スペーサの小さい方の端部断面積を、柱状スペーサの小さい方の端部断面積よりも小さくするものである。
又、導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサの断面積を考慮することにより、導電性柱状スペーサ１０４も適度に変形して、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、導電性柱状スペーサ１０４が適度に変形する際に、先端部がそれをつらぬいて、安定的に導通を採ることができる。
より具体的には、柱状スペーサ１０３の端部１０８の断面積の最小値を１００％としたときに、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７の断面積を５０〜９９％とすることが好ましく、６０〜９０％とすることがより好ましく、７０〜８５％とすることがさらに好ましい。
なお、導電性柱状スペーサの端部断面積及び柱状スペーサの端部断面積にそれぞれ大小がある場合には、導電性柱状スペーサの小さい方の端部断面積を、柱状スペーサの小さい方の端部断面積よりも小さくするものである。
（３）形態１
又、導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサの断面積を考慮するにあたり、導電性柱状スペーサ１０４は、上述したように、柱状スペーサ１０３の表面に導電性材料で被膜したものであることから、その外観形状は柱状スペーサ１０３と同様に、図４（ａ）〜（ｄ）に示すような形態ととることが可能となる。
ただし、導電性柱状スペーサ１０４ａ〜１０４ｄの構成の変形例として、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、導電性柱状スペーサの端部表面に、微細な凹凸１０４ａ´〜１０４ｄ´、例えば、柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）の１／１０〜１／１０００の高さを有する凹凸を設けることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、シール部における導電性柱状スペーサが適度に変形しやすくなって、表示部における柱状スペーサと実質的に等しい高さとすることができるためである。したがって、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。又、微細な凹凸１０４ａ´〜１０４ｄ´が機能して、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、かかる導電性柱状スペーサが絶縁被膜を破壊して、安定的に導通を採ることができる。
なお、かかる微細な凹凸１０４ａ´〜１０４ｄ´は、多重露光法、加熱法、溶剤塗布法、機械的処理等を用いて、精度良く形成することができる。
又、導電性柱状スペーサ及び柱状スペーサの断面積を考慮するにあたり、導電性柱状スペーサ１０４は、上述したように、柱状スペーサ１０３の表面に導電性材料で被膜したものであることから、その外観形状は柱状スペーサ１０３と同様に、図４（ａ）〜（ｄ）に示すような形態ととることが可能となる。
ただし、導電性柱状スペーサ１０４ａ〜１０４ｄの構成の変形例として、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、導電性柱状スペーサの端部表面に、微細な凹凸１０４ａ´〜１０４ｄ´、例えば、柱状スペーサ１０３の高さ（ｈ）の１／１０〜１／１０００の高さを有する凹凸を設けることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、シール部における導電性柱状スペーサが適度に変形しやすくなって、表示部における柱状スペーサと実質的に等しい高さとすることができるためである。したがって、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。又、微細な凹凸１０４ａ´〜１０４ｄ´が機能して、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、かかる導電性柱状スペーサが絶縁被膜を破壊して、安定的に導通を採ることができる。
なお、かかる微細な凹凸１０４ａ´〜１０４ｄ´は、多重露光法、加熱法、溶剤塗布法、機械的処理等を用いて、精度良く形成することができる。
（３）形態２
又、導電性柱状スペーサ１０４と、柱状スペーサ１０３は、第１の基板３０上及び第２の基板６０上のいずれに形成することも可能であることから、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図７（ａ）〜（ｄ）に示すような態様をとることができる。
より具体的には、図７（ａ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４及び柱状スペーサ１０３を第２の基板６０上に形成するとともに、導電性柱状スペーサ１０４ｅの端部１０７ｅの断面積を、柱状スペーサ１０３ｅの端部１０８ｅの断面積の最小値よりも小さくすることができる。
この理由は、上下基板を貼り合わせる際に、導電性柱状スペーサ１０４ｅの端部１０７ｅに掛かる圧力を、柱状スペーサ１０３ｅの端部１０８ｅに掛かる圧力よりも高くすることが可能となり、上下基板間の導通を確実にとることができるためである。
したがって、図７（ａ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｅの端部１０７ｅにおける円相当形（Ｌ１）が、柱状スペーサ１０３ｅの端部１０８ｅにおける円相当形（Ｌ２）よりも小さくなることにより、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、所定形状の導電性柱状スペーサが絶縁被膜を破壊して、安定的に導通を採ることができる。
又、図７（ｂ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｆを第１の基板３０上に形成し、柱状スペーサ１０３ｆを第２の基板６０上に形成するともに、導電性柱状スペーサ１０４ｆの端部１０７ｆの断面積を、柱状スペーサ１０３ｆの端部１０８ｆの断面積の最小値よりも小さくすることが好ましい。
この理由は、上述した上下基板間の導通を確実に得る効果に加え、導電性柱状スペーサ１０３ｆと柱状スペーサ１０４ｆとを異なる基板上に形成することにより、基板配線設計の態様に合わせてスペーサ設置基板を任意に選択することが可能となるためである。したがって、配線設計を容易に行うことが可能となる。
又、導電性柱状スペーサ１０４と、柱状スペーサ１０３は、第１の基板３０上及び第２の基板６０上のいずれに形成することも可能であることから、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図７（ａ）〜（ｄ）に示すような態様をとることができる。
より具体的には、図７（ａ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４及び柱状スペーサ１０３を第２の基板６０上に形成するとともに、導電性柱状スペーサ１０４ｅの端部１０７ｅの断面積を、柱状スペーサ１０３ｅの端部１０８ｅの断面積の最小値よりも小さくすることができる。
この理由は、上下基板を貼り合わせる際に、導電性柱状スペーサ１０４ｅの端部１０７ｅに掛かる圧力を、柱状スペーサ１０３ｅの端部１０８ｅに掛かる圧力よりも高くすることが可能となり、上下基板間の導通を確実にとることができるためである。
したがって、図７（ａ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｅの端部１０７ｅにおける円相当形（Ｌ１）が、柱状スペーサ１０３ｅの端部１０８ｅにおける円相当形（Ｌ２）よりも小さくなることにより、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、所定形状の導電性柱状スペーサが絶縁被膜を破壊して、安定的に導通を採ることができる。
又、図７（ｂ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｆを第１の基板３０上に形成し、柱状スペーサ１０３ｆを第２の基板６０上に形成するともに、導電性柱状スペーサ１０４ｆの端部１０７ｆの断面積を、柱状スペーサ１０３ｆの端部１０８ｆの断面積の最小値よりも小さくすることが好ましい。
この理由は、上述した上下基板間の導通を確実に得る効果に加え、導電性柱状スペーサ１０３ｆと柱状スペーサ１０４ｆとを異なる基板上に形成することにより、基板配線設計の態様に合わせてスペーサ設置基板を任意に選択することが可能となるためである。したがって、配線設計を容易に行うことが可能となる。
（４）柱状スペーサとの関係１
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図７（ｃ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｇを第１の基板３０上に形成し、柱状スペーサ１０３ｇを第２の基板６０上に形成するともに、両端部の断面積の等しい導電性柱状スペーサ１０４ｇの端部１０７ｇ及び１０７ｇ´の断面積を、柱状スペーサ１０３ｇの端部１０８ｇの断面積の最小値よりも小さくすることが好ましい。
この理由は、上下基板を貼り合わせる際に、導電性柱状スペーサ１０４ｇの端部１０７ｇ及び１０７ｇ´に掛かる圧力を、柱状スペーサ１０３ｇの端部１０８ｇに掛かる圧力よりも高くすることが可能となり、上下基板間の導通を確実にとることが可能となるためである。
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図７（ｃ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｇを第１の基板３０上に形成し、柱状スペーサ１０３ｇを第２の基板６０上に形成するともに、両端部の断面積の等しい導電性柱状スペーサ１０４ｇの端部１０７ｇ及び１０７ｇ´の断面積を、柱状スペーサ１０３ｇの端部１０８ｇの断面積の最小値よりも小さくすることが好ましい。
この理由は、上下基板を貼り合わせる際に、導電性柱状スペーサ１０４ｇの端部１０７ｇ及び１０７ｇ´に掛かる圧力を、柱状スペーサ１０３ｇの端部１０８ｇに掛かる圧力よりも高くすることが可能となり、上下基板間の導通を確実にとることが可能となるためである。
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図７（ｄ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｈを第２の基板上に形成し、柱状スペーサ１０３ｈをいずれかの基板上に形成するともに、導電性柱状スペーサ１０４ｈの端部１０７ｈの断面積を、柱状スペーサの端部１０８ｈ及び１０８ｈ´の断面積の最小値よりも小さくすることが好ましい。
この理由は、上下基板を貼り合わせる際に、導電性柱状スペーサ１０４ｈの端部１０７ｈに掛かる圧力を、柱状スペーサ１０３ｈの端部１０８ｈ及び１０８ｈ´に掛かる圧力よりも高くすることが可能となり、上下基板間の導通を確実にとることが可能となるためである。更には、柱状スペーサ１０３ｈの両端部の断面積を広くすることが可能となることから、基板との接触面積が拡大することによる密着性の向上が可能となるためである。
この理由は、上下基板を貼り合わせる際に、導電性柱状スペーサ１０４ｈの端部１０７ｈに掛かる圧力を、柱状スペーサ１０３ｈの端部１０８ｈ及び１０８ｈ´に掛かる圧力よりも高くすることが可能となり、上下基板間の導通を確実にとることが可能となるためである。更には、柱状スペーサ１０３ｈの両端部の断面積を広くすることが可能となることから、基板との接触面積が拡大することによる密着性の向上が可能となるためである。
（５）柱状スペーサとの関係２
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図８（ａ）〜（ｂ）に示すように、電気光学装置を構成する前は、導電性柱状スペーサ１０４ｉの高さ（ｈ１）を、柱状スペーサ１０３ｉの高さ（ｈ２）よりも高くし、電気光学装置を構成した後は、導電性柱状スペーサ１０４ｊを部分的に変形させることにより、導電性柱状スペーサ１０４ｊの高さを、柱状スペーサ１０３ｊの高さと等しくすることが好ましい。
より具体的には、図８（ａ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｉと、柱状スペーサ１０３ｉとが第２の基板６０上に形成してあり、第２の基板６０と、第１の基板３０とが、シール材２３を介して貼り付けられる直前の状態において、かかる導電性柱状スペーサ１０４ｉの高さｈ１は、柱状スペーサ１０３ｉの高さｈ２よりも高くすることが好ましい。
すなわち、第１の基板３０と、第２の基板６０とを、セルギャップがＬとなるように貼り合わせた場合に、導電性柱状スペーサ１０４ｉと、柱状スペーサ１０３ｉの端部は、第１の基板３０の下面と接触することで変形し、図８（ｂ）に示すように、端部１０７及び端部１０８を形成することとなる。
この理由は、このような構成とすることにより、貼り合わせ作業の際、導電性柱状スペーサ１０４ｉの端部の方が、柱状スペーサ１０３ｉの端部に比べて、第１の基板３０に強く押し付けられるためである。したがって、接触抵抗を低減させることが可能となり、表示特性の向上に資することができる。
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図８（ａ）〜（ｂ）に示すように、電気光学装置を構成する前は、導電性柱状スペーサ１０４ｉの高さ（ｈ１）を、柱状スペーサ１０３ｉの高さ（ｈ２）よりも高くし、電気光学装置を構成した後は、導電性柱状スペーサ１０４ｊを部分的に変形させることにより、導電性柱状スペーサ１０４ｊの高さを、柱状スペーサ１０３ｊの高さと等しくすることが好ましい。
より具体的には、図８（ａ）に示すように、導電性柱状スペーサ１０４ｉと、柱状スペーサ１０３ｉとが第２の基板６０上に形成してあり、第２の基板６０と、第１の基板３０とが、シール材２３を介して貼り付けられる直前の状態において、かかる導電性柱状スペーサ１０４ｉの高さｈ１は、柱状スペーサ１０３ｉの高さｈ２よりも高くすることが好ましい。
すなわち、第１の基板３０と、第２の基板６０とを、セルギャップがＬとなるように貼り合わせた場合に、導電性柱状スペーサ１０４ｉと、柱状スペーサ１０３ｉの端部は、第１の基板３０の下面と接触することで変形し、図８（ｂ）に示すように、端部１０７及び端部１０８を形成することとなる。
この理由は、このような構成とすることにより、貼り合わせ作業の際、導電性柱状スペーサ１０４ｉの端部の方が、柱状スペーサ１０３ｉの端部に比べて、第１の基板３０に強く押し付けられるためである。したがって、接触抵抗を低減させることが可能となり、表示特性の向上に資することができる。
（６）導電性材料
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、導電性柱状スペーサを被覆する導電性材料が、ＩＴＯ又はＩＺＯであることが好ましい。
この理由は、画像表示領域へ配置される透明導電膜と同時形成することが可能となり、製造工程の簡略化に資することが可能となるためである。
より具体的には、図２における第２の基板６０上に導電性柱状スペーサを配置した場合、画素電極と同時形成することが可能となり、第１の基板３０上に配置した場合、走査電極と同時形成することが可能となる。
更に、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図９（ａ）〜（ｄ）に示すように、導電性柱状スペーサの側面に、導電性材料が、部分的に被覆してあり、導電部１０４ａ´〜１０４ｄ´と、絶縁部１０４ａ´´〜１０４ｄ´´とが形成してあることが好ましい。
この理由は、導電性柱状スペーサの側面における導電性材料の硬さの影響が少なくなって、シール部における導電性柱状スペーサが適度に変形しやすくなるためである。したがって、表示部における柱状スペーサと実質的に等しい高さとすることができ、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。
又、導電性柱状スペーサの一部に絶縁部１０４ａ´´〜１０４ｄ´´が形成してあることより、隣接する導電性柱状スペーサ間でのショートの発生を効果的に抑制することができる。
なお、導電部１０４ａ´〜１０４ｄ´と、絶縁部１０４ａ´´〜１０４ｄ´´との面積比率は、使用目的や電気絶縁性等を考慮して定めることができるが、例えば、１００：１０〜１０００の範囲内の値とすることが好ましく、１００：３０〜３００の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、導電性柱状スペーサを被覆する導電性材料が、ＩＴＯ又はＩＺＯであることが好ましい。
この理由は、画像表示領域へ配置される透明導電膜と同時形成することが可能となり、製造工程の簡略化に資することが可能となるためである。
より具体的には、図２における第２の基板６０上に導電性柱状スペーサを配置した場合、画素電極と同時形成することが可能となり、第１の基板３０上に配置した場合、走査電極と同時形成することが可能となる。
更に、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図９（ａ）〜（ｄ）に示すように、導電性柱状スペーサの側面に、導電性材料が、部分的に被覆してあり、導電部１０４ａ´〜１０４ｄ´と、絶縁部１０４ａ´´〜１０４ｄ´´とが形成してあることが好ましい。
この理由は、導電性柱状スペーサの側面における導電性材料の硬さの影響が少なくなって、シール部における導電性柱状スペーサが適度に変形しやすくなるためである。したがって、表示部における柱状スペーサと実質的に等しい高さとすることができ、周囲の温度変化等が生じた場合であっても、シール部における導電性柱状スペーサを介して、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができる。
又、導電性柱状スペーサの一部に絶縁部１０４ａ´´〜１０４ｄ´´が形成してあることより、隣接する導電性柱状スペーサ間でのショートの発生を効果的に抑制することができる。
なお、導電部１０４ａ´〜１０４ｄ´と、絶縁部１０４ａ´´〜１０４ｄ´´との面積比率は、使用目的や電気絶縁性等を考慮して定めることができるが、例えば、１００：１０〜１０００の範囲内の値とすることが好ましく、１００：３０〜３００の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（７）電気絶縁性の柱状スペーサ
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、シール部において、複数の導電性柱状スペーサの間に、電気絶縁性の柱状スペーサを配置することが好ましい。
より具体的には、図１０（ａ）に示すように、シール部２３において、複数の導電性柱状スペーサ１０４ｋの間に、柱状スペーサ１０３ｋを配置することができる。
この理由は、画像表示領域とともに、シール部においてもセルギャップを精度良く規定することが可能となることから、絶縁性柱状スペーサ１０４ｋと、第１の基板（図示せず）とが安定的に電気接続できるためである。
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、シール部において、複数の導電性柱状スペーサの間に、電気絶縁性の柱状スペーサを配置することが好ましい。
より具体的には、図１０（ａ）に示すように、シール部２３において、複数の導電性柱状スペーサ１０４ｋの間に、柱状スペーサ１０３ｋを配置することができる。
この理由は、画像表示領域とともに、シール部においてもセルギャップを精度良く規定することが可能となることから、絶縁性柱状スペーサ１０４ｋと、第１の基板（図示せず）とが安定的に電気接続できるためである。
又、図１０（ｂ）に示すように、シール部２３において、複数の導電性柱状スペーサ１０４ｍの間に柱状スペーサ１０３ｍを配置するとともに、導電性柱状スペーサ１０４ｍを、ドライバーＩＣ６７側に配置することができる。
この理由は、画像表示領域とともに、シール部においてもセルギャップを精度良く規定することが可能となることから、絶縁性柱状スペーサ１０４ｍと、第１の基板（図示せず）とが安定的に電気接続することが可能となるためである。
更に、導電性柱状スペーサ１０４ｍをドライバーＩＣ６７近傍に配置することが可能となることから、引回し配線６６の配線長を適宜変更することが可能となる。
この理由は、画像表示領域とともに、シール部においてもセルギャップを精度良く規定することが可能となることから、絶縁性柱状スペーサ１０４ｍと、第１の基板（図示せず）とが安定的に電気接続することが可能となるためである。
更に、導電性柱状スペーサ１０４ｍをドライバーＩＣ６７近傍に配置することが可能となることから、引回し配線６６の配線長を適宜変更することが可能となる。
又、図１０（ｃ）に示すように、シール部２３において、複数の導電性柱状スペーサ１０４ｎの間に柱状スペーサ１０３ｎを配置するとともに、導電性柱状スペーサ１０４ｎを、ドライバーＩＣ６７側に配置することが可能となる。
このような構成とすることにより、引回し配線の配線長を短縮することが可能となることから、上下基板の導通をドライバーＩＣ近傍でとることができる。その結果、画像表示領域を拡大することができ、大画面化の要請に資することが可能となる。
このような構成とすることにより、引回し配線の配線長を短縮することが可能となることから、上下基板の導通をドライバーＩＣ近傍でとることができる。その結果、画像表示領域を拡大することができ、大画面化の要請に資することが可能となる。
又、図１１（ａ）〜（ｂ）に示すように、第２の基板６０上のシール部２３に、複数の導電性柱状スペーサ１０４および複数の柱状スペーサ１０３を、引き回し配線６６の配線に応じて設けることができる。
より具体的には、引き回し配線６６の一つ毎に、導電性柱状スペーサ１０４ｓ〜１０４ｕからなる複数の導電性柱状スペーサ１０４ｒを配置することができる。
このような構成とすることにより、引き回し配線６６と第１の基板（図示せず）との間の接触領域を、その態様に合わせて適宜調整することができるため、安定的な導通が可能となる。
又、かかる複数の導電性柱状スペーサ１０４ｒの間隙に、柱状スペーサ１０３ｓ〜１０３ｕからなる複数の柱状スペーサ１０３ｒを配置することができ、更には、引き回し配線６６の間に、柱状スペーサ１０３ｖ〜１０３ｘからなる複数の柱状スペーサ１０３ｙを配置することができる。
このような構成とすることにより、導電性柱状スペーサ間および配線パターン間の電気絶縁性を高めることが可能となり、安定的な導通が可能となる。
なお、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す領域Ａの拡大図を表している。
より具体的には、引き回し配線６６の一つ毎に、導電性柱状スペーサ１０４ｓ〜１０４ｕからなる複数の導電性柱状スペーサ１０４ｒを配置することができる。
このような構成とすることにより、引き回し配線６６と第１の基板（図示せず）との間の接触領域を、その態様に合わせて適宜調整することができるため、安定的な導通が可能となる。
又、かかる複数の導電性柱状スペーサ１０４ｒの間隙に、柱状スペーサ１０３ｓ〜１０３ｕからなる複数の柱状スペーサ１０３ｒを配置することができ、更には、引き回し配線６６の間に、柱状スペーサ１０３ｖ〜１０３ｘからなる複数の柱状スペーサ１０３ｙを配置することができる。
このような構成とすることにより、導電性柱状スペーサ間および配線パターン間の電気絶縁性を高めることが可能となり、安定的な導通が可能となる。
なお、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す領域Ａの拡大図を表している。
（８）ストッパー
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図１２（ａ）〜（ｂ）に示すように、シール部において、ストッパーとして、導電性柱状スペーサの硬度よりも硬い粒子及び繊維、あるいはいずれか一方を添加することが好ましい。
より具体的には、図１２（ａ）において、第１の基板３０と第２の基板６０とを貼り付ける前の段階において、シール材２３内に、セルギャップＬと同程度の直径を有するストッパー１０９を添加することができる。
このような構成とすることにより、図１２（ｂ）に示すように、上下基板を貼り付けた後のセルギャップは、画像表示領域においては柱状スペーサ１０３ｑにより規定され、かつシール部領域においてはストッパー１０９により規定することが可能となる。その結果、画像表示領域内外を含めた基板全域においてセルギャップを精度良く規定することができ、画像特性を向上させることが可能となる。
ここで、ストッパー１０９の材質は、導電性柱状スペーサの硬度よりも硬い材料であれば特に制限されるものではないが、例えば、導電性柱状スペーサをエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の熱硬化性あるいは光硬化性のレジスト材料とした場合、グラスボールやグラスファイバーなどのガラス質のものが好ましい。
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、図１２（ａ）〜（ｂ）に示すように、シール部において、ストッパーとして、導電性柱状スペーサの硬度よりも硬い粒子及び繊維、あるいはいずれか一方を添加することが好ましい。
より具体的には、図１２（ａ）において、第１の基板３０と第２の基板６０とを貼り付ける前の段階において、シール材２３内に、セルギャップＬと同程度の直径を有するストッパー１０９を添加することができる。
このような構成とすることにより、図１２（ｂ）に示すように、上下基板を貼り付けた後のセルギャップは、画像表示領域においては柱状スペーサ１０３ｑにより規定され、かつシール部領域においてはストッパー１０９により規定することが可能となる。その結果、画像表示領域内外を含めた基板全域においてセルギャップを精度良く規定することができ、画像特性を向上させることが可能となる。
ここで、ストッパー１０９の材質は、導電性柱状スペーサの硬度よりも硬い材料であれば特に制限されるものではないが、例えば、導電性柱状スペーサをエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の熱硬化性あるいは光硬化性のレジスト材料とした場合、グラスボールやグラスファイバーなどのガラス質のものが好ましい。
（９）熱膨張率
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、導電性柱状スペーサにおける柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との熱膨張率の差を１×１０-3／℃以下とすることが好ましい。
この理由は、このような範囲内の値とすることにより、導電性材料被膜後の製造工程における熱処理の際や、周囲温度が大きく変化した場合であっても、樹脂の熱膨張率が、導電性材料の熱膨張率よりも大きすぎることによる被膜層の亀裂や剥離といった問題を解消することができるためである。
ただし、導電性柱状スペーサにおける柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との熱膨張率の差が過度に小さくなると、材料選択の幅が過度に小さくなったり、製造コストが高くなったりするという問題がおこる場合がある。
したがって、導電性柱状スペーサにおける柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との熱膨張率の差を１×１０-10〜５×１０-4／℃の範囲内の値とすることが好ましく、１×１０-9〜１×１０-4／℃とすることがさらに好ましい。
又、導電性柱状スペーサを構成するにあたり、導電性柱状スペーサにおける柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との熱膨張率の差を１×１０-3／℃以下とすることが好ましい。
この理由は、このような範囲内の値とすることにより、導電性材料被膜後の製造工程における熱処理の際や、周囲温度が大きく変化した場合であっても、樹脂の熱膨張率が、導電性材料の熱膨張率よりも大きすぎることによる被膜層の亀裂や剥離といった問題を解消することができるためである。
ただし、導電性柱状スペーサにおける柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との熱膨張率の差が過度に小さくなると、材料選択の幅が過度に小さくなったり、製造コストが高くなったりするという問題がおこる場合がある。
したがって、導電性柱状スペーサにおける柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との熱膨張率の差を１×１０-10〜５×１０-4／℃の範囲内の値とすることが好ましく、１×１０-9〜１×１０-4／℃とすることがさらに好ましい。
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置の製造方法であって、シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設ける工程と、当該シール部における柱状スペーサの表面に導電性材料をさらに被覆して、導電性柱状スペーサとするとともに、電気光学装置を構成する前は、導電性柱状スペーサの高さを、柱状スペーサの高さよりも高くし、電気光学装置を構成した後は、導電性柱状スペーサを部分的に変形させて、当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、柱状スペーサの端部断面積よりも小さくする工程と、を含む電気光学装置の製造方法である。
以下、第２実施形態にかかる電気光学装置の製造方法として、第１実施形態の電気光学装置の製造方法の一例を、図１３〜図１７を適宜参照しながら説明する。
なお、本実施形態で製造する液晶装置は、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置であるが、これ以外でもＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置や、あるいは、パッシブマトリクス構造の液晶装置であっても構わない。
本発明の第２実施形態は、一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置の製造方法であって、シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設ける工程と、当該シール部における柱状スペーサの表面に導電性材料をさらに被覆して、導電性柱状スペーサとするとともに、電気光学装置を構成する前は、導電性柱状スペーサの高さを、柱状スペーサの高さよりも高くし、電気光学装置を構成した後は、導電性柱状スペーサを部分的に変形させて、当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、柱状スペーサの端部断面積よりも小さくする工程と、を含む電気光学装置の製造方法である。
以下、第２実施形態にかかる電気光学装置の製造方法として、第１実施形態の電気光学装置の製造方法の一例を、図１３〜図１７を適宜参照しながら説明する。
なお、本実施形態で製造する液晶装置は、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置であるが、これ以外でもＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置や、あるいは、パッシブマトリクス構造の液晶装置であっても構わない。
１．第１の基板の製造
（１）第１の電極およびアライメントマーク等の形成
図１３のフローに示すように、第１の電極、アライメントマーク等の形成は、第１の基板の製造における第１の電極等の形成工程（Ｓ１）で行われる。
ここで、第１の基板３０は、図１４（ａ）〜（ｄ）に示すように、ガラス基板３１における、画像表示領域Ａに相当する箇所に、反射層３５、着色層３７、遮光膜３９、平坦化膜４１等を順次形成することにより製造することができる。なお、第２実施形態の電気光学装置は、ＴＦＤ素子を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置であり、第１の電極は走査電極を意味する。
このとき、第１の基板３０の周縁部Ｄのいずれかの箇所に、後工程である基板の貼り合わせ工程において、第１の基板３０及び第２の基板６０の位置合わせをするために用いるアライメントマーク９９ａを、遮光性材料や透光性材料から形成しておくことが好ましい。なお、これらの反射層３５や、アライメントマーク９９ａ等については、公知の方法により形成することができる。
（１）第１の電極およびアライメントマーク等の形成
図１３のフローに示すように、第１の電極、アライメントマーク等の形成は、第１の基板の製造における第１の電極等の形成工程（Ｓ１）で行われる。
ここで、第１の基板３０は、図１４（ａ）〜（ｄ）に示すように、ガラス基板３１における、画像表示領域Ａに相当する箇所に、反射層３５、着色層３７、遮光膜３９、平坦化膜４１等を順次形成することにより製造することができる。なお、第２実施形態の電気光学装置は、ＴＦＤ素子を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置であり、第１の電極は走査電極を意味する。
このとき、第１の基板３０の周縁部Ｄのいずれかの箇所に、後工程である基板の貼り合わせ工程において、第１の基板３０及び第２の基板６０の位置合わせをするために用いるアライメントマーク９９ａを、遮光性材料や透光性材料から形成しておくことが好ましい。なお、これらの反射層３５や、アライメントマーク９９ａ等については、公知の方法により形成することができる。
すなわち、図１４（ｂ）に示すように、第１の基板３０上の全面に渡って、透光樹脂層４１Ｘを形成する。この透光樹脂層４１Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂等の、電気絶縁性樹脂から構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で第１の基板３０上に塗布されるが、塗布方法としては、公知のスピンコート法や印刷法等を用いることができる。
２．第２の基板の製造
（１）第２の電極等の形成
図１３のフローに示すように、第２の電極等の形成は、第２の基板の製造における第２の電極等の形成工程（Ｓ１´）で行われる。
ここで、第２の基板は、図１５（ａ）〜（ｂ）に示すように、ガラス基板６１における画像表示領域Ａに、第２の電極（図示せず）、スイッチング素子（図示せず）、電気配線６５等を形成することにより製造することができる。なお、第２実施形態に係る電気光学装置は、ＴＦＤ素子を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置であり、第２電極は画素電極を、スイッチング素子はＴＦＤ素子を、電気配線はデータ線を、それぞれ意味する。
又、第１の基板３０と同様に、後の基板の貼り合わせ工程において、第１の基板３０及び第２の基板６０の位置合わせをするためのアライメントマーク９９ｂを形成することが好ましい。これらの第２の電極６３や、アライメントマーク９９ｂ等についても、公知の方法により形成することができる。
（１）第２の電極等の形成
図１３のフローに示すように、第２の電極等の形成は、第２の基板の製造における第２の電極等の形成工程（Ｓ１´）で行われる。
ここで、第２の基板は、図１５（ａ）〜（ｂ）に示すように、ガラス基板６１における画像表示領域Ａに、第２の電極（図示せず）、スイッチング素子（図示せず）、電気配線６５等を形成することにより製造することができる。なお、第２実施形態に係る電気光学装置は、ＴＦＤ素子を備えたアクティブマトリクス型構造の液晶装置であり、第２電極は画素電極を、スイッチング素子はＴＦＤ素子を、電気配線はデータ線を、それぞれ意味する。
又、第１の基板３０と同様に、後の基板の貼り合わせ工程において、第１の基板３０及び第２の基板６０の位置合わせをするためのアライメントマーク９９ｂを形成することが好ましい。これらの第２の電極６３や、アライメントマーク９９ｂ等についても、公知の方法により形成することができる。
（２）柱状スペーサの形成
次に、図１５（ｃ）〜（ｄ）に示すように、第２の基板６０上における画像表示領域Ａに、第１の基板３０及び第２の基板６０間のセルギャップを規定するための柱状スペーサ１０３を形成する。すなわち、透光樹脂層４１Ｘに対して、所定のパターンマスク１２１を用いて、公知のフォトリソグラフィ法によりパターニングを施すことにより、画像表示領域Ａに柱状スペーサ１０３を形成することができる。更には、画像表示領域外Ｄにも同様に柱状スペーサ１０５を形成することができる。より具体的には、透光樹脂層４１Ｘに対して、ハーフトーンマスク１２１を用いて露光、現像を行うことにより、高さの異なる柱状スペーサを容易に形成することができる。なお、柱状スペーサ１０３の形状等に関しては、第１実施形態ですでに説明してあるため、ここでの説明を省略する。
次に、図１５（ｃ）〜（ｄ）に示すように、第２の基板６０上における画像表示領域Ａに、第１の基板３０及び第２の基板６０間のセルギャップを規定するための柱状スペーサ１０３を形成する。すなわち、透光樹脂層４１Ｘに対して、所定のパターンマスク１２１を用いて、公知のフォトリソグラフィ法によりパターニングを施すことにより、画像表示領域Ａに柱状スペーサ１０３を形成することができる。更には、画像表示領域外Ｄにも同様に柱状スペーサ１０５を形成することができる。より具体的には、透光樹脂層４１Ｘに対して、ハーフトーンマスク１２１を用いて露光、現像を行うことにより、高さの異なる柱状スペーサを容易に形成することができる。なお、柱状スペーサ１０３の形状等に関しては、第１実施形態ですでに説明してあるため、ここでの説明を省略する。
（２）導電性柱状スペーサの形成
次に、図１６（ａ）に示すように、画像表示領域外Ｄに存在する柱状スペーサ１０５に対してのみ、導電性材料による被膜層１０６を形成する。すなわち、スパッタリング法等を用いて全面的に透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法やエッチング法を用いてパターニングすることにより、画像表示領域外Ｄに存在する柱状スペーサ１０５にのみ、導電性材料１０６を形成する。なお、導電性材料としてＩＴＯやＩＺＯといった透明導電性材料をもちいることにより、上述した第２の電極との同時形成が可能となる。したがって、作業工程数の減少、製造時間短縮といった製造工程の簡略化が可能となる。
次に、図１６（ａ）に示すように、画像表示領域外Ｄに存在する柱状スペーサ１０５に対してのみ、導電性材料による被膜層１０６を形成する。すなわち、スパッタリング法等を用いて全面的に透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法やエッチング法を用いてパターニングすることにより、画像表示領域外Ｄに存在する柱状スペーサ１０５にのみ、導電性材料１０６を形成する。なお、導電性材料としてＩＴＯやＩＺＯといった透明導電性材料をもちいることにより、上述した第２の電極との同時形成が可能となる。したがって、作業工程数の減少、製造時間短縮といった製造工程の簡略化が可能となる。
（３）シール材の塗布
次いで、図１６（ｂ）〜（ｃ）に示すように、例えば、第２の基板６０上において、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材２３を、スクリーン印刷やディスペンサにより、画像表示領域Ａを囲むようにパターニングして塗布する。かかるシール材２３は、例えば、加熱硬化性の接着剤であることが好ましい。
かかるシール材２３は、次工程の仮圧着工程に移る前に、低温処理（プリベーク）して、シール材２３中の溶剤を蒸発させたり、脱気させたりしておくことが好ましい。この理由は、シール材２３の流動やパンクを防止して、第１の基板３０及び第２の基板６０の接着不良を防止することができるためである。
次いで、図１６（ｂ）〜（ｃ）に示すように、例えば、第２の基板６０上において、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材２３を、スクリーン印刷やディスペンサにより、画像表示領域Ａを囲むようにパターニングして塗布する。かかるシール材２３は、例えば、加熱硬化性の接着剤であることが好ましい。
かかるシール材２３は、次工程の仮圧着工程に移る前に、低温処理（プリベーク）して、シール材２３中の溶剤を蒸発させたり、脱気させたりしておくことが好ましい。この理由は、シール材２３の流動やパンクを防止して、第１の基板３０及び第２の基板６０の接着不良を防止することができるためである。
３．組み立て工程
次いで、図１６（ｃ）に示すように、第１の基板３０及び第２の基板６０を平面的に位置合わせする。かかる位置合わせは、例えば、第２の基板６０の下方に光源９７を配置するとともに、第１の基板３０及び第２の基板６０を透過するように光を照射する。そして、第１の基板３０の上方に配置されたカメラ９８によって透過像を撮影し、それぞれの基板３０、６０に形成したアライメントマーク９９ａ、９９ｂが平面的に合致するようにいずれかの基板を相対的に移動させることにより行うことができる。
そして、第１の基板３０及び第２の基板６０を位置合わせした状態で、それぞれの基板を重ね合わせる。このとき、第２の基板上に形成された柱状スペーサ１０３の端部１０８と、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７とが、第１の基板３０の下面と接触することで変形し、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７と、第１の基板３０とが電気的に接続される。
次いで、図１６（ｃ）に示すように、第１の基板３０及び第２の基板６０を平面的に位置合わせする。かかる位置合わせは、例えば、第２の基板６０の下方に光源９７を配置するとともに、第１の基板３０及び第２の基板６０を透過するように光を照射する。そして、第１の基板３０の上方に配置されたカメラ９８によって透過像を撮影し、それぞれの基板３０、６０に形成したアライメントマーク９９ａ、９９ｂが平面的に合致するようにいずれかの基板を相対的に移動させることにより行うことができる。
そして、第１の基板３０及び第２の基板６０を位置合わせした状態で、それぞれの基板を重ね合わせる。このとき、第２の基板上に形成された柱状スペーサ１０３の端部１０８と、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７とが、第１の基板３０の下面と接触することで変形し、導電性柱状スペーサ１０４の端部１０７と、第１の基板３０とが電気的に接続される。
次いで、図１７に示すように、シール材２３によって仮固定された第１の基板３０及び第２の基板６０を本圧着して、貼り合わせる。なお、本圧着は、シール材２３を熱硬化させるために行う。
次いで、図示しないが、第１の基板３０及び第２の基板６０が形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、液晶材料を注入した後、封止材等にて封止する。その後、第１の基板３０及び第２の基板６０のそれぞれの外面に、所定の偏光板を配置するとともに、バックライト等とともに筐体に組み込むことにより、電気光学装置を製造することができる。
次いで、図示しないが、第１の基板３０及び第２の基板６０が形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、液晶材料を注入した後、封止材等にて封止する。その後、第１の基板３０及び第２の基板６０のそれぞれの外面に、所定の偏光板を配置するとともに、バックライト等とともに筐体に組み込むことにより、電気光学装置を製造することができる。
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の電気光学装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の電気光学装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図１８は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有している。又、図１７中では、液晶パネル２０を、パネル構造体２０ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２０ｂと、に概念的に分けて描いてある。又、制御手段２００は、表示情報出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミングジェネレータ２０４とを有することが好ましい。
又、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されていることが好ましい。
又、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されていることが好ましい。
又、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２０ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。又、電源回路２０３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、第１の基板及び第２の基板において、柱状スペーサ及びそれと係合する孔部を有する突起部を備えた電気光学装置を使用している。そのために、第１の基板及び第２の基板の位置ずれを防止して、表示不良の発生がなく、優れた画像表示を実現できる電子機器とすることができる。
そして、本実施形態の電子機器であれば、第１の基板及び第２の基板において、柱状スペーサ及びそれと係合する孔部を有する突起部を備えた電気光学装置を使用している。そのために、第１の基板及び第２の基板の位置ずれを防止して、表示不良の発生がなく、優れた画像表示を実現できる電子機器とすることができる。
本発明によれば、シール部における導電性柱状スペーサの先端部の断面積と、表示部における柱状スペーサの先端部の断面積とをそれぞれ考慮しながら、構造的に安定な導電性柱状スペーサをシール部に形成することにより、セル構造の厚さが均一になるばかりか、上下基板における配線上に、多少の絶縁被膜が存在するような場合であっても、シール部において、上下基板における配線間の導通を安定的に採ることができるようになった。
したがって、液晶装置等の電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器などに適用することができる。
したがって、液晶装置等の電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器などに適用することができる。
２０：液晶パネル、２３：シール材、３０：第１の基板、６０：第２の基板、４１：平坦化膜、４１Ｘ：透光保護層、６５：電気配線、８１：表面保護膜、９７：光源、９８：アライメントカメラ、９９ａ・９９ｂ：アライメントマーク、１０３：柱状スペーサ、１０４：導電性柱状スペーサ、１２５：レジスト材料
Claims (14)
- 一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置であって、
前記シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設けるとともに、前記シール部における柱状スペーサの表面を導電性材料で被覆して、導電性柱状スペーサとし、かつ当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、前記柱状スペーサの端部断面積よりも小さくすることを特徴とする電気光学装置。 - 前記導電性柱状スペーサの端部断面積及び柱状スペーサの端部断面積にそれぞれ大小がある場合には、前記導電性柱状スペーサの小さい方の端部断面積を、前記柱状スペーサの小さい方の端部断面積よりも小さくすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
- 前記電気光学装置を構成する前は、前記導電性柱状スペーサの高さを、前記柱状スペーサの高さよりも高くし、前記電気光学装置を構成した後は、前記導電性柱状スペーサを部分的に変形させることによって、前記導電性柱状スペーサの高さを、前記柱状スペーサの高さと等しくすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
- 前記導電性柱状スペーサの端部表面に、微細な凹凸を設けることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記導電性柱状スペーサの側面に、前記導電性材料が、部分的に被覆してあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記シール部における一対の基板上に、それぞれ複数の配線パターンが形成してあるとともに、当該複数の配線パターンの一つ毎に、複数の導電性柱状スペーサを配置することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記複数の配線パターンの間に、電気絶縁性の柱状スペーサを配置することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
- 前記複数の配線パターンにおいて、複数の導電性柱状スペーサの間に、電気絶縁性の柱状スペーサを配置することを特徴とする請求項６又は７に記載の電気光学装置。
- 前記シール部において、複数の導電性柱状スペーサの間に、電気絶縁性の柱状スペーサを配置することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記シール部において、ストッパーとして、前記導電性柱状スペーサの硬度よりも硬い粒子及び繊維、あるいはいずれか一方を添加することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記導電性柱状スペーサにおける柱状スペーサを構成する樹脂と、被覆する導電性材料との熱膨張率の差を１×１０-3／℃以下とすることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記導電性柱状スペーサを被覆する導電性材料が、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）又はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 一対の基板間に、シール部を介して、電気光学材料を狭持するとともに、表示部において所定の画像表示をするための電気光学装置の製造方法であって、
前記シール部及び表示部におけるスペーサとして、それぞれ柱状スペーサを設ける工程と、
当該シール部における柱状スペーサの表面を導電性材料で被覆して、導電性柱状スペーサとするとともに、
前記電気光学装置を構成する前は、前記導電性柱状スペーサの高さを、前記柱状スペーサの高さよりも高くし、前記電気光学装置を構成した後は、前記導電性柱状スペーサを部分的に変形させて、当該導電性柱状スペーサの端部断面積を、前記柱状スペーサの端部断面積よりも小さくする工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項１〜１２のいずれかに記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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