[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2006024741A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2006024741A
JP2006024741A JP2004201450A JP2004201450A JP2006024741A JP 2006024741 A JP2006024741 A JP 2006024741A JP 2004201450 A JP2004201450 A JP 2004201450A JP 2004201450 A JP2004201450 A JP 2004201450A JP 2006024741 A JP2006024741 A JP 2006024741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent electrode
solid
photoelectric conversion
film
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004201450A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoki Inoue
知己 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2004201450A priority Critical patent/JP2006024741A/ja
Publication of JP2006024741A publication Critical patent/JP2006024741A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

【課題】 厚みが薄く、高感度の撮像が可能であり、且つ製造が容易な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子100は、半導体基板13上方の同一平面上に配列される複数の光電変換膜1,2,3と、半導体基板13上に配設され、複数の光電変換膜1,2,3の各々に蓄積される信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積領域4,5,6と、半導体基板13上に形成され、電荷蓄積領域4,5,6に蓄積されている信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読出回路(垂直転送チャネル10,ポリシリコン電極14)とを備える。
【選択図】 図3

Description

本発明は、平面上に配列される複数の画素を含む固体撮像素子に関する。
近年、半導体基板表面部に多数のフォトダイオード(PD)と信号読出回路とを集積すると共に各PD上に赤色(R),緑色(G),青色(B)の各色カラーフィルタを積層したCCD型固体撮像素子やCMOS型固体撮像素子が著しく進歩し、現在では、数百万ものPDを1チップ上に集積した固体撮像素子がデジタルカメラに搭載されるようになっている。
上記固体撮像素子では、カラーフィルタを用いる構成のため、光利用効率が悪い、偽色が発生する等の欠点が生じてしまう。又、PDと信号読出回路とを半導体基板上に形成しているため、フォトダイオードの開口率が小さくなり、感度が悪い等の欠点が生じてしまう。そこで、これらの欠点を無くす固体撮像素子として、例えば特許文献1記載のものが提案されている。この固体撮像素子は、半導体基板上方に赤色(R),緑色(G),青色(B)の光を検出する3つの光電変換膜を積層し、各膜に蓄積された信号電荷を半導体基板に形成された蓄積ダイオードに蓄積し、蓄積ダイオードに蓄積した信号電荷を、半導体基板表面に形成されている垂直CCD及び水平CCD等の信号読出回路で読み出して転送するという構成になっている。
特開2002−83946号公報
特許文献1記載の固体撮像素子は、半導体基板上方に3つの光電変換膜を積層する構造のため、厚みが増してしまうと共に、その製造工程が複雑になり、製造が容易ではない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、厚みが薄く、高感度の撮像が可能であり、且つ製造が容易な固体撮像素子を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板上方の同一平面上に配列される複数の光電変換膜と、前記半導体基板上に配設され、前記複数の光電変換膜の各々に蓄積される信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積領域と、前記半導体基板上に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積されている信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読出回路とを備える。
この構成により、開口率を大きくすることができ、感度を向上させることができる。又、半導体基板上方に複数の光電変換膜を積層する固体撮像素子に比べ、厚みを薄くできると共に、その製造を容易に行うことができる。
又、本発明の固体撮像素子は、前記複数の光電変換膜と前記複数の電荷蓄積領域とを接続するコンタクト部を備え、前記コンタクト部は、前記光電変換膜と電気的に接続されており前記半導体基板の存在する方向に延びる第1のコンタクト部と、前記電荷蓄積領域と電気的に接続されており前記光電変換膜の存在する方向に延びる第2のコンタクト部と、前記第1のコンタクト部と前記第2のコンタクト部とを中継接続する第3のコンタクト部とを含み、前記第3のコンタクト部は、前記第1のコンタクト部と前記第2のコンタクト部とが前記半導体基板表面に対して垂直な方向で直線状に接続されないように、前記第1のコンタクト部と前記第2のコンタクト部とを中継接続する。
この構成により、第1のコンタクト部と第2のコンタクト部とが半導体基板表面に対して垂直な方向で直線状に接続されることがないため、光電変換膜で光電変換されなかった光が電荷蓄積領域に入射してしまうのを防ぐことができる。
又、本発明の固体撮像素子は、前記複数の電荷蓄積領域が、前記半導体基板上に正方格子状に配設されている。
この構成により、光電変換素子が半導体基板上に正方格子状に配設されている従来型の固体撮像素子の製造技術を利用することができる。又、この従来型の固体撮像素子を搭載している撮像装置の信号処理をそのまま利用することができる。
又、本発明の固体撮像素子は、前記複数の電荷蓄積領域が、前記半導体基板上にハニカム状に配設されている。
この構成により、光電変換素子が半導体基板上にハニカム状に配設されている従来型の固体撮像素子の製造技術を利用することができる。又、従来型の固体撮像素子を搭載している撮像装置の信号処理をそのまま利用することができる。この信号処理を利用することで、解像度向上等の効果を得ることができる。
又、本発明の固体撮像素子は、前記複数の光電変換膜が、赤色検出用の光電変換膜と、緑色検出用の光電変換膜と、青色検出用の光電変換膜とを含む。
又、本発明の固体撮像素子は、前記複数の光電変換膜が、赤色検出用の光電変換膜と、緑色検出用の光電変換膜と、青色検出用の光電変換膜と、エメラルド色検出用の光電変換膜とを含む。
この構成により、赤色の色再現性を向上させることができる。
本発明によれば、厚みが薄く、高感度の撮像が可能であり、且つ製造が容易な固体撮像素子を提供することができる。
本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子は、信号読出回路が形成される半導体基板上方に光電変換膜が積層された構造となっている。
図1は、本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の最上層の部分平面図である。図2は、本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の半導体基板の部分平面図である。
図1,2に示す固体撮像素子100の半導体基板には、半導体基板上の行方向(図1,2のX方向)とこれに直交する列方向(図1,2のY方向)に正方格子状に配列された複数の電荷蓄積領域4,5,6と、これら電荷蓄積領域4,5,6から列毎に読み出された信号電荷をY方向に転送するY方向に延在する垂直転送路7と、垂直転送路7の出力に接続され、垂直転送路7から移された信号電荷を各々X方向に転送する水平転送路8と、水平転送路8の出力に接続され、転送されてきた信号電荷に応じた電圧信号を出力する出力部9とを備える。
垂直転送路7、水平転送路8、及び出力部9は、信号読出回路を構成する。この信号読出回路は、従来からあるCCD型固体撮像素子の信号読出回路と同様の構成をとることができる。又、この信号読出回路は、従来のCMOS型固体撮像素子と同様に、電荷蓄積領域4,5,6の各々に蓄積されている信号電荷に応じた信号を、MOS回路によって読み出し、これを半導体基板に形成された読み出し電極によって外部に取り出す構成とすることもできる。
複数の電荷蓄積領域4,5,6のうち奇数行には電荷蓄積領域4,5が交互に配列され、偶数行には電荷蓄積領域5,6が交互に配列されている。電荷蓄積領域4の上方には、赤色の光を検出する光電変換膜1(以下、R膜という)が積層され、電荷蓄積領域5の上方には、緑色の光を検出する光電変換膜2(以下、G膜という)が積層され、電荷蓄積領域6の上方には、青色の光を検出する光電変換膜3(以下、B膜という)が積層されている。R膜1、G膜2、及びB膜3は、半導体基板上の同一平面上に正方格子状に隙間なく配列されている。
R膜1の材料としては、無機材料でも有機材料でも良い。無機材料の場合は、例えば、GaAlAs,Siを用いる。有機材料の場合は、例えば、ZnPc(亜鉛フタロシアニン)/Alq3(キノリノールアルミ錯体)を用いる。
G膜2の材料としては、無機材料でも有機材料でも良い。無機材料の場合は、例えば、InGaAlPやGaPAsを用いる。有機材料の場合は、例えば、R6G/PMPS(rhodamine 6G (R6G)-doped polymethylphenylsilane)を用いる。
B膜3の材料としては、無機材料でも有機材料でも良い。無機材料の場合は、例えば、InAlPを用いる。有機材料の場合は、例えば、C6/PHPPS(coumarin 6 (C6)-doped poly(m-hexoxyphenyl)phenylsilane)を用いる。
電荷蓄積領域4は、R膜1に蓄積された信号電荷を蓄積するものであり、例えば高濃度不純物がドープされた領域である。電荷蓄積領域5は、G膜2に蓄積された信号電荷を蓄積するものであり、例えば高濃度不純物がドープされた領域である。電荷蓄積領域6は、B膜3に蓄積された信号電荷を蓄積するものであり、例えば高濃度不純物がドープされた領域である。
固体撮像素子100では、電荷蓄積領域4とR膜1とによって赤画素が構成され、電荷蓄積領域5とG膜2とによって緑画素が構成され、電荷蓄積領域6とB膜3とによって緑画素が構成される。したがって、固体撮像素子100は、赤画素、緑画素、及び青画素からなる複数の画素が同一平面上に配列された構成となっている。
図3(a)は、図1に示す固体撮像素子のA−A線断面図、図3(b)は、図1に示す固体撮像素子のA’−A’断面図である。
図3に示すように、固体撮像素子100のn型シリコン基板に形成されたPウェル層13の表面部には、電荷蓄積領域4,5,6と、垂直転送チャネル10と、電荷蓄積領域4,5,6に蓄積されている信号電荷の読出し及び転送を行うためのポリシリコン電極14と、ポリシリコン電極14を遮光する遮光膜11と、チャネルストップ12とが形成されている。垂直転送チャネル10とポリシリコン電極14とによって垂直転送路7が構成される。
図3(a)に示すように、電荷蓄積領域4の上には透明電極15rが形成され、透明電極15rの上には透明電極16rが形成され、透明電極16rの上には透明電極17rが形成され、透明電極17rの上には透明電極膜18rが形成されている。透明電極15rと透明電極17rとは、平面視上重ならないように透明電極16rに接続されている。透明電極膜18rは、透明電極15r,16r,17rによって電荷蓄積領域4に導通される。透明電極15r,16r,17rは、透明電極膜18r及び電荷蓄積領域4以外とは電気的に絶縁される。透明電極15rと透明電極17rとは、半導体基板に対して垂直な方向(図3の上下方向)で直線状に接続されないように、透明電極16rによって中継接続されている。つまり、透明電極17rに入射した光が透明電極15rに入射しないように、透明電極17rと透明電極15rとは、図中の左右方向に互いにずらして透明電極16rに接続されている。このようにすることで、R膜1で光電変換されなかった光が、透明電極17r、透明電極16r、透明電極15rの順に通って電荷蓄積領域4に入射してしまうのを防ぐことができる。
図3(a),(b)に示すように、電荷蓄積領域5の上には透明電極15gが形成され、透明電極15gの上には透明電極16gが形成され、透明電極16gの上には透明電極17gが形成され、透明電極17gの上には透明電極膜18gが形成されている。透明電極15gと透明電極17gとは、平面視上重ならないように透明電極16gに接続されている。透明電極膜18gは、透明電極15g,16g,17gによって電荷蓄積領域5に導通される。透明電極15g,16g,17gは、透明電極膜18g及び電荷蓄積領域5以外とは電気的に絶縁される。透明電極15gと透明電極17gとは、半導体基板に対して垂直な方向(図3の上下方向)で直線状に接続されないように、透明電極16gによって中継接続されている。つまり、透明電極17gに入射した光が透明電極15gに入射しないように、透明電極17rと透明電極15rとは、図中の左右方向に互いにずらして透明電極16gに接続されている。このようにすることで、G膜2で光電変換されなかった光が、透明電極17g、透明電極16g、透明電極15gの順に通って電荷蓄積領域5に入射してしまうのを防ぐことができる。
図3(b)に示すように、電荷蓄積領域6の上には透明電極15bが形成され、透明電極15bの上には透明電極16bが形成され、透明電極16bの上には透明電極17bが形成され、透明電極17bの上には透明電極膜18bが形成されている。透明電極15bと透明電極17bとは、平面視上重ならないように透明電極16bに接続されている。透明電極膜18bは、透明電極15b,16b,17bによって電荷蓄積領域6に導通される。透明電極15b,16b,17bは、透明電極膜18b及び電荷蓄積領域6以外とは電気的に絶縁される。透明電極15bと透明電極17bとは、半導体基板に対して垂直な方向(図3の上下方向)で直線状に接続されないように、透明電極16bによって中継接続されている。つまり、透明電極17bに入射した光が透明電極15bに入射しないように、透明電極17bと透明電極15bとは、図中の左右方向に互いにずらして透明電極16bに接続されている。このようにすることで、B膜3で光電変換されなかった光が、透明電極17b、透明電極16b、透明電極15bの順に通って電荷蓄積領域6に入射してしまうのを防ぐことができる。
透明電極膜18rの上にはR膜1が形成され、透明電極膜18gの上にはG膜2が形成され、透明電極膜18bの上にはB膜3が形成され、R膜1,G膜2,B膜3の上には透明電極膜19が形成される。そして、最上層には、透明絶縁膜28が形成される。透明電極15r,16r,17r,15g,16g,17g,15b,16b,17bと透明電極膜18r,18g,18bの周りは、入射光を透過しない不透明な絶縁物質で充たされている。
次に、固体撮像素子100の動作を説明する。
固体撮像素子100に被写体からの光が入射すると、入射光のうちの赤色の光がR膜1で吸収され、R膜1に赤色信号電荷が蓄積される。この状態で、透明電極膜19及び透明電極膜18r間に電圧を印加すると、赤色信号電荷が透明電極17r、透明電極16r、透明電極15rをこの順に通って電荷蓄積領域4に流れ、ここで蓄積される。入射光のうちの緑色の光はG膜2で吸収され、G膜2に緑色信号電荷が蓄積される。この状態で、透明電極膜19及び透明電極膜18g間に電圧を印加すると、緑色信号電荷が透明電極17g、透明電極16g、透明電極15gをこの順に通って電荷蓄積領域5に流れ、ここで蓄積される。入射光のうちの青色の光はB膜3で吸収され、B膜3に緑色信号電荷が蓄積される。この状態で、透明電極膜19及び透明電極膜18b間に電圧を印加すると、緑色信号電荷が透明電極17b、透明電極16b、透明電極15bをこの順に通って電荷蓄積領域6に流れ、ここで蓄積される。そして、電荷蓄積領域4,5,6に蓄積された信号電荷は、垂直転送路7に設けられた読出しゲートから垂直転送路7に読み出されて列方向に順次転送され、信号電荷に応じた信号が出力部9から出力される。そして、複数の画素毎から出力される赤色信号電荷に応じた信号、緑色信号電荷に応じた信号、及び青色信号電荷に応じた信号を用いて、従来から行われている信号処理(同時化処理等)を行うことで、カラー画像データを生成することが可能になる。
以上のように固体撮像素子100によれば、信号読出回路を半導体基板上に形成し、光電変換膜を半導体基板上方に形成しているため、光電変換領域を大きくすることができる。又、光電変換膜を隙間なく配列することも可能になるため、光を効率良く利用することができる。したがって、信号読出回路とフォトダイオードとを同一平面上に形成した従来の固体撮像素子に比べ、感度を向上させることができる。
又、固体撮像素子100によれば、半導体基板上方に光電変換膜を1層設ける構成であるため、半導体基板上方に光電変換膜を3層設ける固体撮像素子に比べ、その厚み(図3の上下方向の長さ)を薄くすることができる。又、製造工程の数も大幅に減らすことができる。
又、固体撮像素子100によれば、従来からある固体撮像素子の信号読出回路の製造技術や、デジタルカメラ等で従来から行われている信号処理をそのまま利用することができる。
又、固体撮像素子100によれば、例えば、G膜2に入射した光のうち光電変換されなかった光がG膜2を透過することになるが、この光は、透明電極17gと透明電極17gに接触する透明電極16gの一部とに入射するのみで、透明電極15gには入射されない。このため、G膜2を透過した光が電荷蓄積領域5に入射してしまうことはない。これは、R膜1を透過した光及びB膜3を透過した光についても同様のことが言える。したがって、高画質のカラー画像データを得ることができる。
次に、図4〜図16を参照して、図3(a)に示す固体撮像素子100の製造手順を説明する。図3(b)に示す固体撮像素子100の製造手順は、以下に説明するものとほぼ同様であるため、説明を省略する。
図4〜図16の各図(a)は、半導体基板のPウェル層13及びその上の積層物の配線部分の断面図であり、各図(b)は、その製造工程における最上層の上面図である、各図(a)は、各図(b)のB−B線断面に相当する。尚、図4〜図16において図3と同様の構成には同一符号を付してある。
まず、図4に示すように半導体基板13を用意する。この半導体基板13には、図3で説明した電荷蓄積領域4,5,6と、垂直転送チャネル10と、ポリシリコン電極14と、遮光膜11と、チャネルストップ12とが既に形成されている。
そして、図5に示すように、図4に示す半導体基板13の上に不透明な絶縁膜20を積層する。例えばSiO膜を低温CVD等で積層して平坦化する。
次に、レジスト及びエッチングを行って、図6に示すように、電荷蓄積領域4,5の上に透明電極15g及び透明電極15rを積層する。
次に、図7に示すように、絶縁膜20、透明電極15g、及び透明電極15rの上に、絶縁膜20と同様の方法で不透明な絶縁膜21を積層し、平坦化する。
次に、レジスト及びエッチングを行って、図8に示すように、透明電極15g及び透明電極15rの上に透明電極16g及び透明電極16rを積層する。
次に、図9に示すように、絶縁膜21、透明電極16g、及び透明電極16rの上に、絶縁膜20と同様の方法で不透明な絶縁膜22を積層し、平坦化する。
次に、レジスト及びエッチングを行って、図10に示すように、透明電極16g及び透明電極16rの上の、透明電極15g及び透明電極15rと平面視上重ならない位置に、透明電極17g及び透明電極17rを積層する。
次に、図11に示すように、絶縁膜22、透明電極17g、及び透明電極17rの上に、絶縁膜20と同様の方法で不透明な絶縁膜23を積層し、平坦化する。
次に、レジスト及びエッチングを行って、図12に示すように、透明電極17g及び透明電極17rの上に透明電極膜18g及び透明電極膜18rを積層する。
次に、スピンコート又は蒸着を行って絶縁膜23、透明電極18g、及び透明電極18rの上にG膜2を積層し、レジスト及びエッチングを行って、図13に示すように、透明電極膜18gの上にのみG膜2を積層する。
次に、スピンコート又は蒸着を行ってR膜1をベタ塗りし、ポリッシングを行って、図14に示すように、透明電極膜18rの上にのみR膜1を積層する。尚、この工程は、スピンコート又は蒸着を行ってR膜1をベタ塗りし、レジスト及びエッチングを行って、R膜1を積層するようにしても良い。ポリッシングを行ってR膜1を積層する場合は、R膜1とG膜2との間に隙間を作る必要がなくなる。
次に、スピンコート又は蒸着を行って、図15に示すように、R膜1及びG膜2の上に透明電極膜19を積層する。
最後に、図16に示すように、透明電極膜19の上に、絶縁膜20と同様の方法で透明な絶縁膜28を積層し、平坦化して、固体撮像素子100の製造を終了する。
尚、本実施形態では電荷蓄積領域4とR膜1とを、図3に示したような3つの透明電極15r,16r,17rで電気的に接続する構成としているが、これは、透明電極18rを介してR膜1と電気的に接続され、半導体基板13の存在する方向(図3中の下方向)に延びる第1の透明電極(特許請求の範囲の第1のコンタクト部に該当)と、電荷蓄積領域4と電気的に接続され、R膜1の存在する方向(図3中の上方向)に延びる第2の透明電極(特許請求の範囲の第2のコンタクト部に該当)と、第1の透明電極と第2の透明電極とが図3の上下方向で直線状に接続されないように第1の透明電極と第2の透明電極とを中継接続する第3の透明電極(特許請求の範囲の第3のコンタクト部に該当)とを有する構成であれば、上記効果を得ることができる。例えば、図17に示すような構成としても良い。図3では、透明電極17r,17g,17bが第1の透明電極に相当し、透明電極15r,15g,15bが第2の透明電極に相当し、透明電極16r,16g,16bが第3の透明電極に相当する。
図17は、図3に示した固体撮像素子の変形例を示す図である。図3と同様の構成には同一符号を付してある。
図17に示す固体撮像素子は、電荷蓄積領域4の上に透明電極24rが形成され、透明電極24rの上に透明電極25rが形成され、透明電極25rの上に透明電極26rが形成され、透明電極26rの上に透明電極27rが形成され、透明電極27rの上にR膜1が形成されている。透明電極24r,透明電極25r,透明電極26r,透明電極27rは、それぞれ図17中の左右方向の幅の半分ずつ、図17中の左方向にずらして階段状に形成されている。この結果、R膜1と電気的に接続されている透明電極27rと、電荷蓄積領域4と電気的に接続されている透明電極24rとは、透明電極25r,26rとによって中継接続され、図17中の上下方向で直線状に接続されなくなる。したがって、R膜1を透過した光が電荷蓄積領域4に入射するのを防ぐことができる。
同様に、図17に示す固体撮像素子は、電荷蓄積領域5の上に透明電極24gが形成され、透明電極24gの上に透明電極25gが形成され、透明電極25gの上に透明電極26gが形成され、透明電極26gの上に透明電極27gが形成され、透明電極27gの上にG膜2が形成されている。透明電極24g,透明電極25g,透明電極26g,透明電極27gは、それぞれ図17中の左右方向の幅の半分ずつ、図17中の左方向にずらして階段状に形成されている。この結果、G膜2と電気的に接続されている透明電極27gと、電荷蓄積領域5と電気的に接続されている透明電極24gとは、透明電極25g,26gによって中継接続され、図17中の上下方向で直線状に接続されなくなる。したがって、G膜2を透過した光が電荷蓄積領域5に入射するのを防ぐことができる。
尚、図17では、透明電極27r,27gが第1の透明電極(第1のコンタクト部)に相当し、透明電極24r,24gが第2の透明電極(第2のコンタクト部)に相当し、透明電極25r,25g,26r,26gが第3の透明電極(第3のコンタクト部)に相当する。
又、上記では、R膜1、G膜2、B膜3の3種類の光電変換膜によって3つの色を検出する構成としているが、光電変換膜として青色と緑色の中間色であるエメラルド色の光(波長480〜520nm)を検出するエメラルド膜を更に設ける構成としても良い。この場合は、図2に示す電荷蓄積領域4,5,6のうち、奇数行又は偶数行に配設されている電荷蓄積領域5を、エメラルド膜に蓄積される信号電荷を蓄積するエメラルド色用の電荷蓄積領域とし、このエメラルド色用の電荷蓄積領域の上方にエメラルド膜を積層する構成とすれば良い。この場合、互いに近接する電荷蓄積領域4,5,6及びエメラルド色用の電荷蓄積領域と、その上方に積層されるR膜1、G膜2、B膜3、及びエメラルド膜とにより1画素が構成される。尚、エメラルド膜の材料としては、無機材料でも有機材料でも良い。
波長480〜520nmのエメラルド色の光を検出する利点は、人間の視感度に応じて赤色を補正するためである。人間の視感度は、固体撮像素子100でR,G,Bの正の感度のみ検出して色再現を行っても、人間の見た画像を再現することはできない。そこで、負感度の一番大きい赤の負感度をエメラルド膜によって検出し、R膜1で検出した赤の感度から、この負感度分を差し引く信号処理を、特許第2872759号公報記載の信号処理と同様に行うことで、人間の赤色に対する感度を再現することができ、色再現性を向上させることができる。
又、上記では、半導体基板上に電荷蓄積領域4,5,6を正方格子状に配設する構成としたが、電荷蓄積領域4,5,6をハニカム状に配設する図18に示すような構成としても良い。この場合は、図18に示すように、半導体基板上のX方向に電荷蓄積領域5を複数配設した電荷蓄積領域行を奇数行とし、半導体基板上のX方向に電荷蓄積領域4,6を交互に複数配設した電荷蓄積領域行を偶数行とし、奇数行と偶数行とを、各行のX方向配設ピッチの約1/2だけX方向に互いにずらして配設する。又、図18に示すように、垂直転送路7は、Y方向に延在する直線形状ではなく蛇行形状とする。
そして、図18に示すような構成にした場合には、R膜1,G膜2,B膜3の配列は、図19に示すように、奇数行にG膜2が複数配列され、偶数行にR膜1とB膜3とが交互に複数配列され、奇数行と偶数行とが各行のX方向配列ピッチの約1/2だけX方向に互いにずらして配列された構成になる。図19では光電変換膜の形状を六角形としているが、これに限らず、例えば正方形等でも良い。
固体撮像素子100を図18及び図19のような構成にした場合には、各画素から出力される信号の空間位置がハニカム配置になるため、信号が得られていない虚画素位置の信号を、その位置の周囲の信号から求める信号補間処理を行うことで、解像度を2倍にすることができる。この信号補間処理については、フォトダイオードがハニカム状に配列された従来からある固体撮像素子を搭載する撮像装置で行われている各種手法を用いることができる。
本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の最上層の部分平面図 本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の半導体基板の部分平面図 (a)は図1に示す固体撮像素子のA−A線断面図、(b)は図1に示す固体撮像素子のA’−A’断面図 図3に示す固体撮像素子の製造手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図4の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図5の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図6の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図7の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図8の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図9の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図10の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図11の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図12の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図13の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図14の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の製造手順のうち図15の次の手順を説明するための図 図3に示す固体撮像素子の変形例を示す図 図1,2に示す固体撮像素子の変形例を示す図 図18に示す固体撮像素子の最上層の平面図
符号の説明
100 固体撮像素子
1,2,3 光電変換膜
4,5,6 電荷蓄積領域
10 垂直転送チャネル
14 ポリシリコン電極

Claims (6)

  1. 半導体基板上方の同一平面上に配列される複数の光電変換膜と、
    前記半導体基板上に配設され、前記複数の光電変換膜の各々に蓄積される信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積領域と、
    前記半導体基板上に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積されている信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読出回路とを備える固体撮像素子。
  2. 請求項1記載の固体撮像素子であって、
    前記複数の光電変換膜と前記複数の電荷蓄積領域とを接続するコンタクト部を備え、
    前記コンタクト部は、前記光電変換膜と電気的に接続されており前記半導体基板の存在する方向に延びる第1のコンタクト部と、前記電荷蓄積領域と電気的に接続されており前記光電変換膜の存在する方向に延びる第2のコンタクト部と、前記第1のコンタクト部と前記第2のコンタクト部とを中継接続する第3のコンタクト部とを含み、
    前記第3のコンタクト部は、前記第1のコンタクト部と前記第2のコンタクト部とが前記半導体基板表面に対して垂直な方向で直線状に接続されないように、前記第1のコンタクト部と前記第2のコンタクト部とを中継接続する固体撮像素子。
  3. 請求項1又は2記載の固体撮像素子であって、
    前記複数の電荷蓄積領域は、前記半導体基板上に正方格子状に配設されている固体撮像素子。
  4. 請求項1又は2記載の固体撮像素子であって、
    前記複数の電荷蓄積領域は、前記半導体基板上にハニカム状に配設されている固体撮像素子。
  5. 請求項1〜4のいずれか記載の固体撮像素子であって、
    前記複数の光電変換膜は、赤色検出用の光電変換膜と、緑色検出用の光電変換膜と、青色検出用の光電変換膜とを含む固体撮像素子。
  6. 請求項1〜4のいずれか記載の固体撮像素子であって、
    前記複数の光電変換膜は、赤色検出用の光電変換膜と、緑色検出用の光電変換膜と、青色検出用の光電変換膜と、エメラルド色検出用の光電変換膜とを含む固体撮像素子。
JP2004201450A 2004-07-08 2004-07-08 固体撮像素子 Pending JP2006024741A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004201450A JP2006024741A (ja) 2004-07-08 2004-07-08 固体撮像素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004201450A JP2006024741A (ja) 2004-07-08 2004-07-08 固体撮像素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006024741A true JP2006024741A (ja) 2006-01-26

Family

ID=35797800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004201450A Pending JP2006024741A (ja) 2004-07-08 2004-07-08 固体撮像素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006024741A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287977A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Fujifilm Corp 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6018956A (ja) * 1983-07-12 1985-01-31 Seiko Epson Corp カラ−固体撮像素子
JPS6489363A (en) * 1987-09-29 1989-04-03 Toshiba Corp Solid state image sensing device
JPH06310700A (ja) * 1993-04-21 1994-11-04 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2001016598A (ja) * 1999-04-30 2001-01-19 Olympus Optical Co Ltd カラー撮像素子及び撮像装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6018956A (ja) * 1983-07-12 1985-01-31 Seiko Epson Corp カラ−固体撮像素子
JPS6489363A (en) * 1987-09-29 1989-04-03 Toshiba Corp Solid state image sensing device
JPH06310700A (ja) * 1993-04-21 1994-11-04 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2001016598A (ja) * 1999-04-30 2001-01-19 Olympus Optical Co Ltd カラー撮像素子及び撮像装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287977A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Fujifilm Corp 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4866656B2 (ja) 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置
JP4839008B2 (ja) 単板式カラー固体撮像素子
US7598552B2 (en) Image sensor having improved sensitivity and method of manufacturing the same
JP4491323B2 (ja) 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置
JP4714428B2 (ja) 光電変換膜積層型固体撮像装置及びその製造方法
JP2013055252A (ja) 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
JP2005268479A (ja) 光電変換膜積層型固体撮像装置
JP2009054794A (ja) 光電変換素子、固体撮像素子、及び光電変換素子の製造方法
JP2009130239A (ja) カラー撮像装置
US7400023B2 (en) Photoelectric converting film stack type solid-state image pickup device and method of producing the same
JP2006120922A (ja) 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置
KR102520573B1 (ko) 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
JP4751576B2 (ja) 光電変換膜積層型固体撮像装置
JP4700947B2 (ja) 光電変換膜積層型単板式カラー固体撮像装置
JP4538353B2 (ja) 光電変換膜積層型カラー固体撮像素子
US20060186408A1 (en) Solid-state imaging device
JP4533667B2 (ja) 光電変換膜積層型固体撮像装置
JP5102692B2 (ja) カラー撮像装置
JP5427541B2 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
JP2005353626A (ja) 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法
JP2004273951A (ja) Ccd型カラー固体撮像装置
JP4572130B2 (ja) 固体撮像素子
JP2011243851A (ja) 固体撮像装置
JP2009049117A (ja) 固体撮像素子のカラーフィルタ形成方法及び固体撮像素子、並びに固体撮像素子用パターンマスクセット
JP4852336B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060327

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061124

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070219

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071108

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071115

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100316

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100720