JP2005314131A5 - - Google Patents
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本発明は、太陽電池、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）素子や有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、無機ＥＬ素子などの表示素子や、タッチパネルなどに用いられる内部応力が低く、比抵抗の小さい非晶質の透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を直流スパッタリング法で製造する際に原料として利用される酸化物焼結体と、該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットに関する。
本発明の透明導電性薄膜は、前述の特性を有することから、表示デバイスの透明電極用に有用であり、特に、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子、太陽電池、液晶素子、タッチパネルなどの透明電極への適用に好適である。
さらに、直流マグネトロンスパッタリング装置の非磁性体ターゲット用カソードに、前記スパッタリングターゲットを取り付け、ターゲット基板間距離を８０ｍｍとし、純度９９．９９９９質量％のＡｒガスにＯ2ガスを５％だけ導入し、ガス圧を０．８Ｐａとし、直流プラズマを発生させて、投入パワーを増加させ、クラックが発生し始める投入パワーを求めた。 ＤＣ１ｋＷの電飾を５時間以上投入しても、クラックは発生しなかった。
さらに、直流マグネトロンスパッタリング装置の非磁性体ターゲット用カソードに、前記スパッタリングターゲットを取り付け、ターゲット基板間距離を８０ｍｍとし、純度９９．９９９９質量％のＡｒガスにＯ2ガスを５％だけ導入し、ガス圧を０．８Ｐａとし、直流プラズマを発生させて、投入パワーを増加させ、クラックが発生し始める投入パワーを求めた。ＤＣ６００Ｗでクラックが発生し、そのまま連続してスパッタリング成膜するとクラック部にノジュールが発生して、アーキングも生じた。
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