JP2005303107A - リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 実装基板からの浮き上がりによる位置ズレの防止、実装基板とのハンダ付け性の改善、目視検査のし易さの改善を図った半導体装置を提供する。
【解決手段】 裏面に突起部１２ａ，１３ａおよび凹部１２ｃ、１３ｃが形成されたリードフレーム１０上に半導体素子４０を搭載して配線材料５０で接続し、全体を封止樹脂６０でパッケージして半導体装置を形成する。リードフレーム１０は、ダイアイランド部１１、延長部１２、リード部１３を区画する間隙に第１の連結絶縁材料２０が配設され、突起部１２ａ，１３ａおよび凹部１２ｃ、１３ｃを除く部分の裏面全面に第２の連結絶縁材料３０が配設されている。突起部１２ａ，１３ａの切断面が封止樹脂６０の切断面と略同一面となり側面に露出している。
【選択図】 図１

Description

本発明は、リードフレームおよびそのリードフレームを使用した半導体装置並びにそれらの製造方法に関するものである。

従来の技術

従来のチップキャリアタイプの小型半導体装置は、外部接続用のリード端子が封止樹脂本体の裏面部から露出する形状であるが、そのリード端子の実装基板との接合面が樹脂本体の裏面と一様な平面、つまり樹脂本体裏面部と同一高さになっている（例えば、特許文献１の図１参照）。
特開平９−０８２７４１号公報

このようにリード端子が封止樹脂本体裏面部に平面的に面一で露出し、封止樹脂本体裏面とリード端子の間にスタンドオフ（段差）がないため、ハンダ付け作業時に、溶融したハンダの表面張力によって半導体装置全体が実装基板から浮き上がり、リード端子のハンダ付け位置が実装基板の所定の電極部（パッド）から外れて位置ズレが発生するという問題があった。

また、ダイアイランド部を実装基板にハンダ付けしてダイアイランド部から実装基板への放熱性を向上させたい場合にも、ダイアイランド部全面をハンダ付けすると、半導体装置全体が実装基板から更に浮き上がり、リード端子やダイアイランド部のハンダ付け位置が所定のパッドから外れて位置ズレが発生するという問題もあった。

さらに、ハンダ量が均一に各ハンダ接合部に行き渡らず、ハンダ付けにバラツキが生じ易くなり、実装基板との間のハンダ付着が全体的に不均一或いは不十分になり、十分な接合強度が得られないという問題もあった。

さらに、ハンダ付け後の目視検査において、実装基板表面と半導体装置裏面との間隔が少ないため、ハンダ付け部の良否のチェックがし難いという問題もあった。

本発明の目的は、上記課題を解決し、半導体装置の実装時の実装基板に対する位置ズレの防止、実装基板とのハンダ付け性の改善による接合強度の向上、実装後の目視検査のし易さの改善等を図ったリードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法を提供することである。

請求項１にかかる発明のリードフレームは、延長部を有するダイアイランド部と、該ダイアイランド部の所定の辺に沿う方向に配列された複数のリード部と、前記延長部および前記各リード部と連続する枠部と、前記延長部、前記ダイアイランド部、前記リード部、および前記枠部を区画する間隙部の一部と、を１単位として複数単位が連続形成されたリードフレームであって、前記各リード部の裏面側に突出するように形成され且つ略中央部にくぼむ第１の凹部を有する第１の突起部と、前記間隙部を埋めると共に前記第１の突起部および前記第１の凹部を除く裏面全面に配設された絶縁材料とを具備し、且つ、前記複数のリード部の前記第１の突起部は、前記複数のリード部の並びの方向と直交する方向が長い長方形に形成されていることを特徴とする。

請求項２にかかる発明は、請求項１に記載のリードフレームにおいて、前記ダイアイランド部の裏面側に突出するように形成され且つ略中央部にくぼむ第２の凹部を有する第２の突起部を具備し、前記絶縁材料は前記間隙部を埋めると共に前記第１および第２の突起部並びに前記第１および第２の凹部を除く裏面全面に配設されていることを特徴とする。

請求項３にかかる発明は、請求項２に記載のリードフレームにおいて、
前記第２の突起部と前記第２凹部とで、前記ダイアイランド部の裏面で連続し又は一部切り欠き部を有するリング枠部が形成されていることを特徴とする。

請求項４にかかる発明は、請求項２又は３に記載のリードフレームにおいて、前記第１の突起部の高さと前記第２の突起部の高さを略同一とし、前記第２の凹部が実装基板との間でスタンドオフ部の一部を構成するようにしたことを特徴とする。

請求項５にかかる発明は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載のリードフレームにおいて、前記リード部における前記第１の突起部の反対面に第３の凹部又は第３の突起部が形成されていることを特徴とする。

請求項６にかかる発明の半導体装置は、請求項１乃至５のいずれか１つに記載のリードフレームの１単位と、該１単位のリードフレームの前記ダイアイランド部に搭載された半導体素子と、該半導体素子の電極と前記１単位のリードフレームの前記リード部との間を接続する配線材料と、前記半導体素子および前記配線材料を覆うように前記リードフレームの上面側にモールドされた樹脂とを具備し、前記第１の突起部および前記第１の凹部の切断端面が前記樹脂の切断端面と略同一面となって前記樹脂の側面から露出していることを特徴とする。

請求項７にかかる発明は、請求項６に記載の半導体装置において、前記第１の突起部および前記第１の凹部およびそれらの切断端面の少なくとも一部は、メッキ部によって覆われていることを特徴とする。

請求項８にかかる発明のリードフレームの製造方法は、延長部を有するダイアイランド部と、該ダイアイランド部の所定の辺に沿う方向に配列された複数のリード部と、該各リード部の裏面に突出する第１の突起部と、該第１の突起部の略中央部にくぼむ第１の凹部と、前記延長部および前記各リード部と連続する枠部と、前記延長部、前記ダイアイランド部、前記リード部、および前記枠部を区画する間隙部の一部と、を１単位とし複数単位が連続する形状にリードフレームを加工する第１の工程、前記間隙部を埋めるように第１の連結絶縁材料を配設する第２の工程、前記第１の突起部および前記第１の凹部を除く前記リードフレームの裏面全面に第２の連結絶縁材料を配設する第３の工程、の内の第１と第２と第３の工程又は第１と第３の工程を具備することを特徴とする。

請求項９にかかる発明は、請求項８に記載のリードフレームの製造方法において、前記ダイアイランド部の裏面側に第２の突起部と該第２の突起部の略中央部にくぼむ第２の凹部を形成する第４の工程を具備し、前記第３の工程を前記第１および第２の突起部ならびに前記第１および第２の凹部を除く前記リードフレームの裏面全面に前記第２の連結絶縁材料を配設する工程に置き換えたことを特徴とする。

請求項１０にかかる発明の半導体装置の製造方法は、請求項８又は９の製造方法にてリードフレームを製造する工程と、前記リードフレームの前記ダイアイランド部に半導体素子を搭載し該半導体素子の電極と前記リード部とを配線材料により接続する工程と、前記リードフレームの前記半導体素子側を樹脂で封止する工程と、前記樹脂および前記リードフレームを前記第１の突起部および前記第１の凹部の切断面が前記樹脂の切断面と略同一面となるようにダイシングにより切断して前記単位毎に分離する工程と、を具備することを特徴とする。

請求項１１にかかる発明は、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、前記分離する工程を、前記リードフレームの裏面側から少なくとも前記リードフレームまでハーフカットする工程と、前記リードフレームの裏面側を前記リードフレームの切断面も含めてメッキする工程と、前記樹脂の上面側から前記ハーフカット部分までを切断して前記第１の突起部および前記第１の凹部の切断面が前記樹脂の切断面と略同一面となるように前記単位毎に分離する工程に置き換えたことを特徴とする。

本発明のリードフレームを使用した本発明の半導体装置によれば、リードフレームの第１の突起部（又は第１および第２の突起部）並びに第１の凹部（又は第１および第２の凹部）が半導体装置の裏面から突出し、それら以外の裏面は絶縁材料で覆われるので、ハンダの表面張力による浮き上がりが回避されて実装基板への実装時の位置ズレを防止できる。また、第１の凹部（又は第１および第２の凹部）により実装基板と突起部の接合面積が大きくなってハンダ付け時の接合強度が大きくなることはもとよりスタンドオフ機能が発揮されてハンダ付け性が改善される。さらに第２の突起部により実装基板への放熱性が向上し、特にその第２の突起部を切り欠き部を有するリング枠部のリブの形状にすることによりハンダ付け時のフラックス等を逃がし易くなり、洗浄効果を発揮できる。さらに第１の突起部および第１の凹部の切断面が樹脂の切断面と略同一面として側面に露出するので、ハンダ付け良否の目視検査がし易くなる等の利点がある。なお、スタンドオフ機能とは、半導体装置のリード端子と実装基板の端子部とのハンダ自動位置合わせやハンダ付け性を向上させるために、半導体装置本体部底面（裏面）と実装基板表面間に間隙（スタンドオフ）を設け、ハンダ部加熱溶融による半導体装置のリード端子と実装基板の端子部とのセルフアライン効果の助長や半導体装置本体の浮き上がり防止およびフラックス洗浄液の流路を形成して汚れ防止を助長する機能をいう。

以下、本発明の実施例について説明する。

図１は実施例１の半導体装置を示す図で、(a)は透視正面図、(b)は正面図、(c)は右側面図、(d)は裏面図である。１０は導電性板材にカット、プレス、エッチング等の加工を施して形成したリードフレーム、２０は該リードフレーム１０の間隙部に配設された第１の連結絶縁材料、３０はリードフレーム１０の裏面に配設された第２の連結絶縁材料、４０は所定回路が内部に構成された半導体素子（ＬＳＩチップ）、５０は金線等の配線材料、６０はパッケージのための封止樹脂である。

リードフレーム１０は、図３の裏面図に詳細に示すように、半導体素子４０を搭載するダイアイランド部１１と、そのダイアイランド部１１に連続する延長部１２と、ダイアイランド部１１の両側の複数のリード部１３と、延長部１２およびリード部１３と連続する枠部１４と、ダイアイランド部１１、延長部１２、リードフレーム部１３、および枠部１４を区画する間隙部１５の一部とを１つの単位Ａとして、複数の単位Ａが縦方向および横方向に連続反復して形成されている。

そして、延長部１２、リード部１３には、裏面側に突出する長方形の突起部１２ａと突起部１３ａ（第１の突起部）がそれぞれ略同一高さで形成されている。なお、この突起部１３ａに対応するように、表面側には凹部（くぼみ）１３ｂが形成されている。突起部１２ａに対応する凹部１２ｂも図示しないが形成されている。さらに、突起部１２ａにはその略中央部にくぼむ凹部１２ｃが、突起部１３ａにもその略中央部にくぼむ凹部１３ｃ（第１の凹部）が、それぞれ形成されている。このまた、この裏面の突起部１２ａ，１３ａと凹部１２ｃ，１３ｃの表面には後記するメッキ部１７０が形成されているが、図１では省略した。

第１の連結絶縁材料２０は間隙部１５に充填配設されている。また、第２の連結絶縁材料３０はリードフレーム１０の裏面の突起部１２ａ、１３ａおよび凹部１２ｃ，１３ｃの部分を除く全面（間隙部１５も含む）に、その突起部１２ａ，１３ａの高さより低く（薄い厚み）で配設されている。

以下、半導体装置の製造方法について説明する。まず、リードフレーム１０は導電性の所定厚みの板材を、カット、プレス、エッチング等で加工することにより、前記した図３に示した形状に形成し、その後に第１の連結部材２０、第２の連結部材３０を絶縁材料の塗布、印刷、モールド、貼付等により配設する。

図４は、リードフレーム１０の間隙部１５に第１の連結絶縁材料２０を印刷法により配設する工程を示す図である。ここでは、予め前記した形状に形成されたリードフレーム１０を、リードフレーム固定台７０上にセットし固定する。次に、そのリードフレーム１０の間隙部１５と同じ形状の間隙部８１が形成された印刷用スクリーン８０をリードフレーム１０の上面に、間隙部１５と間隙部８１が合致するように位置決めする。そして、その印刷用スクリーン８０の上面から、第１の連結絶縁材料２０となるレジスト等のペースト状の絶縁材料９０をスキージ１００により間隙部１５，８１内に充填させる。最後に、リードフレーム１０から印刷用スクリーン８０を取り外し、リードフレーム固定台７０からリードフレーム１０を取り外して、絶縁材料９０を乾燥させると、最終的に第１の連結絶縁材料２０が間隙部１５に充填配設される。

第１の連結絶縁材料２０の充填厚さは、ペースト状の絶縁材料９０の粘度、スキージ１００の圧力、間隙部１５の大きさ等を調整することにより行う。また、リードフレーム固定台７０はこれをテフロン製にすると、そこからリードフレーム１０を取り外し易くなる。

図５は、リードフレーム１０の間隙部１５に第１の連結絶縁材料２０を樹脂充填法により配設する工程を示す図である。ここでは、前記した形状のリードフレーム１０を、そのリードフレーム１０の厚み分のモールド空間をもつモールド金型１１０，１２０の間にセットしてから、樹脂注入口１１１より樹脂を注入する。このとき、樹脂は間隙部１５内を伝わって注入されて行きそこに充満する。リードフレーム１０には複数の単位Ａが形成されるので、例えばその単位Ａの並ぶ列毎に樹脂注入口１１１を設けたモード金型を使用することにより、複雑な金型にすることなく、量産性高く第１の連結部材２０を配設することができる。

図６は、リードフレーム１０の裏面に第２の連結絶縁材料３０を配設する工程を示す図である。ここでは、リードフレーム１０の裏面の突起部１２ａ，１３ａの外形に対応する孔１３１が予め形成された絶縁テープ１３０を弾力性をもった加圧ローラ１４０によりリードフレーム１０の裏面に押し当てて貼着することにより、第２の連結部材３０を配設する。このとき必要に応じて接着剤を使用したり加熱圧着する。

図７はリードフレーム１０の裏面に第２の連結絶縁材料３０を配設するときに同時に第１の連結絶縁材料２０も配設する工程を示す図である。ここでは、図６において使用した絶縁テープ１３０を、より肉厚でより柔軟性の高い絶縁テープ１５０に代え、さらに図６において使用した加圧ローラ１４０よりも柔軟な材料がローラ面に使用されている加圧ローラ１６０を使用する。１５１は突起部１２ａ，１３ａの外形に対応する孔である。以上により、絶縁テープ１５０はリードフレーム１０のダイアイランド部１１、延長部１２、リード部１３、枠部１４の裏面に配設されるのみならず、間隙部１５内に凹形状に入り込み、絶縁テープ１５０が第１の連結絶縁材料２０および第２の連結絶縁材料３０を兼ねるようになる。このときも必要に応じて接着剤を使用したり加熱圧着する。

なお、リードフレーム１０の裏面に第２の連結絶縁材料３０を配設する工程においては、突起部１２ａ，１３ａの外形に対応した孔が形成されていない絶縁テープ１３０，１５０をリードフレーム１０の裏面の全面に貼り付け、その突起部１２ａ，１３ａの外形に対応した部分を事後的に除去して、突起部１２ａ，１３ａおよび凹部１２ｃ，１３ｃを裏面に露出させるようにしてもよい。また、リードフレーム１０の１２ａは必ずしも必要ない。このように突起部１２ａが不要なときは、第２の連結絶縁材料３０は突起部１３ａ以外の部分を全て覆うことになる。

以上のようにして第１の連結絶縁材料２０および第２の連結絶縁材料３０が配設されたリードフレーム１０が完成すると、次にこのリードフレーム１０の各単位Ａのダイアイランド部１１に半導体素子４０をＡｇペースト等の導電接着剤によりボンディングし、続けて半導体素子４０の上面の電極とリードフレーム１０のリード部１３との間に金線等の配線材料５０をボンディングする。

次に、半導体素子４０が単位Ａ毎に搭載されたリードフレーム１０をトランスファ金型にセットして、通常の手法により樹脂を注入して封止樹脂６０によるパッケージングを行う。このとき、リードフレーム１０の裏面方向への樹脂の流れは、第１の連結絶縁材料２０の部分で停止されるので、その裏面に樹脂のバリが生じるようなことはない。また、この樹脂はリードフレーム１０の突起部１２ａ，１３ａに対応する凹部１２ｂ，１３ｂに入り込むので、リードフレーム１０との接合面積が大きくなり、十分な剥離強度を得ることができる。この後、封止樹脂６０の裏面から外部に露出するリードフレーム１０の突起部１２ａ，１３ａおよび凹部１２ｃ、１３ｃの部分をＳｎ等によりメッキすることにより腐蝕防止処理を施す。

以上によりリードフレーム１０の上面には、図８に示すように半導体素子４０と配線材料５０を１組とするものが横方向および縦方向に複数個並ぶので、次に、部分Ｂをレーザやダイシングブレード等を使用したダイシングによりカットし、各単位Ａ毎に分離する。そして最後に、個片化された半導体装置をテストし、マーキングする。

リードフレーム１０の突起部１２ａ，１３ａおよび凹部１２ｃ、１３ｃの部分にメッキ部１７０を形成した後に図８に示した方法により半導体装置を単位Ａ毎に分離する場合は、メッキ部１７０は図９(a)，(b)に示すように、裏面に露出する突起部１２ａ，１３ａおよび凹部１２ｃ，１３ｃのみに形成されるが、図１０に示すように、裏面からリードフレーム１０の厚み分だけ部分Ｃをハーフカットしてから、裏面にメッキ部１７０を施し、その後に封止樹脂６０の上側から部分Ｄをフルカットして単位Ａ毎に分離すると、図１１(a)，(b)に示すように、メッキ部１７０が突起部１２ａ，１３ａおよびその凹部１２ｃ、１３ｃのみならず突起部１２ａ，１３ａおよびその凹部１２ｃ、１３ｃの切断面端面にも形成されるので、突起部１２ａ，１３ａおよびその凹部１２ｃ、１３ｃの外部に露出する部分の全部が腐食防止処理される。

以上のようにして形成される実施例１の半導体装置は、これを実装基板（図示せず）に実装するとき、リードフレーム１０の裏面に形成した突起部１２ａ，１３ａおよびその凹部１２ｃ、１３ｃがハンダにより実装基板の配線パターンに接着されるが、実装基板との間にスタンドオフができるので、半導体装置がハンダにより浮き上がることはなくその位置ズレが防止でき、またハンダ量を調整することにより、ハンダ接合部に均一にハンダが行き渡るようになり、ハンダ接合のバラツキも防止することができる。

このとき、リードフレーム１０の延長部１２の切断された突起部１２ａやリード部１３の切断された突起部１３ａは方形や丸形ではなく長方形状となり、しかも凹部１２ｃ，１３ｃを有するので、配線パターンへの接着面積が大きくなりハンダ接合強度が大きくなる。また、前記した単位Ａへの分離の際に突起部１２ａ，１３ａおよび凹部１２ｃ，１３ｃの切断面が樹脂６０の切断面と略同一面となり側面に露出しそこにもハンダが付着するので、ハンダの接合状態を容易に目視チェックすることもできる。さらに、突起部１２ａ，１３ａの切断端面の断面形状を当該突起部１２ａ，１３ａの反対面側に凹部１２ｂ，１３ｂ（但し、１２ｂは図示せず）を有する形状としているので、切断端面でのハンダの過剰な盛り上がりを抑制することができる。さらに、実装基板において、突起部１２ａ，１３ａがハンダ付けされる部分の間にグランド配線や信号配線が配設されている場合には、それを突起部１２ａ，１３ａによって跨ぐことができる。

さらに、リードフレーム１０の突起部１２ａ，１３ａの反対面側に凹部１２ｂ，１３ｂ等（但し、１２ｂは図示せず）が形成されるので、封止樹脂６０とリードフレーム１０との接合面積が増大し、剥離強度が増加し信頼性を向上することができる。この凹部１２ｂ，１３ｂ等に代えて、リード部１３の上面に突起部（第３の突起部、図示せず）を形成することもでき、この場合でも同様な作用効果があるが、さらにこの突起部に配線材料５０の一端を接続するようにすればその突起部分が段高となるので、配線材料５０と半導体素子４０の肩部とが接触し難くなり、ショート不良を防止することができる。リードフレーム１０にこの突起部を形成するには、ハーフエッチング処理によりリードフレーム両面から加工して裏面の突起部１２ａ，１３ａ、凹部１２ｃ、１３ｃ、間隙部１５等と共に簡単に形成できる。このようにリードフレーム１０をエッチングにより形成するときは、エッチング表面に粗さが生じるので、封止樹脂６０との密着性が向上し、剥離強度がより強くなる。

また、実施例１では第１の連結絶縁材料２０や第２の連結絶縁材料３０を使用しているので、封止樹脂６０が間隙部１５からリードフレーム１０の裏面側に流れ出すことはなく、裏面側に樹脂バリが生じることはない。第１の連結絶縁材料２０と第２の連結絶縁材料３０は少なくともその一方を配設すれば、樹脂ストッパとして働く。第１の連結絶縁材料２０は間隙部１５内に絶縁材料をモールド（図５）、塗布、印刷（図４）等をすることにより簡単に充填配設することができる。塗布方法によるときは、間隙部１５以外に付着した絶縁材料は後で除去するようにしても良い。モールドにより充填配設するときは、封止樹脂６０と同じ樹脂を使用すると、樹脂の温度膨張係数の違いによる不都合を防止できる。第２の連結絶縁材料３０は絶縁テープをリードフレーム１０の裏面に貼付することで（図６）簡単に配設できる。また、第２の連結絶縁材料３０を間隙部１５内に埋め込み第１の連結絶縁材料２０を兼ねるようにリードフレーム１０の裏面に配設する（図７）ときは、間隙部１５の上側開口部に段部が生じ、そこに封止樹脂６０が充填されるので、封止樹脂６０の剥離強度がさらに強くなる。

図２は実施例２の半導体装置を示す図で、(a)は透視正面図、(b)は裏面図、(c)は変形例の裏面図である。実施例１ではリードフレーム１０のダイアイランド部１１の裏面には突起部を形成しなかったが、この実施例２ではそのダイアイランド部１１の裏面の略中央に突出するように前記した突起部１２ａ，１３ａと略同一高さの突起部１１ａ（第２の突起部）を形成する。１１ｂはこの突起部１１ａの反対面側に形成される凹部である。１１ｃはこの突起部１１ａの略中央部にくぼむように形成された凹部（第２の凹部）である。これらはプレスやエッチングにより形成することができる。この結果、突起部１１ａは連続するリング枠形状のリブとなる。この突起部１１ａおよび凹部１１ｃにも、最終的にＳｎ等によるメッキで腐食防止処理を施す。

このようなリードフレーム１０をもつ半導体装置では、ダイアイランド部１１の裏面が突起部１１ａおよび凹部１１ｃにより実装基板に対して半田付けされるので、放熱性の向上を図ることができると共に、スタンドオフ機能が発揮され安定なハンダ付着性を得ることができる。

なお、図２(c)に示すように、一部に切り欠き部を有するリング枠形状のリブとなるように突起部１１ａ’と凹部１１ｃ’を形成したときは、上記と同様な作用効果に加えて、突起部１１ａ’の切り欠き部によって、ハンダ付着時に凹部１１ｃ’のフラックス等を外部に逃がす洗浄効果を発揮させることができる。

実施例１の半導体装置を示す図で、(a)は透視正面図、(b)は正面図、(c)は側面図、(d)は裏面図である。 実施例２の半導体装置を示す図で、(a)は透視正面図、(b)は裏面図、(c)は変形例の裏面図である 実施例１のリードフレームの部分裏面図である。 実施例１のリードフレームの間隙部に第１の連結絶縁材料を印刷法により配設する説明図である。 実施例１のリードフレームの間隙部に第１の連結絶縁材料をモールド法により配設する説明図である。 実施例１のリードフレームの裏面に第２の連結絶縁材料を配設する説明図である。 実施例１のリードフレームの裏面に第２の連結絶縁材料を配設する別の説明図である。 実施例１のリードフレームの上面の半導体素子を樹脂封止しメッキしてダイシングする説明図である。 (a)は図８の手法によりダイシングした半導体装置の正面図、(b)は側面図である。 (a)は実施例１のリードフレームの上面の半導体素子を樹脂封止してリードフレーム部分をハーフカットしてメッキする説明図、(b)はハーフカットした後フルカットしてダイシングする説明図である。 (a)は図１０の手法によりダイシングした半導体装置の正面図、(b)は側面図である。

符号の説明

１０：リードフレーム、１１：ダイアイランド部、１２：延長部、１３：リード部、１１ａ，１２ａ，１３ａ：突起部、１１ｂ，１３ｂ：凹部、１１ｃ，１１ｃ’，１２ｃ，１３ｃ：凹部
２０：第１の連結絶縁材料
３０：第２の連結絶縁材料
４０：半導体素子
５０：配線材料
６０：封止樹脂
７０：リードフレーム固定台
８０：印刷用スクリーン
９０：ペースト状の絶縁材料
１００：スキージ
１１０，１２０：モールド金型、１１１：樹脂注入口
１３０：絶縁テープ
１４０：加圧ローラ
１５０：絶縁テープ
１６０：加圧ローラ

Claims (11)

1. 延長部を有するダイアイランド部と、該ダイアイランド部の所定の辺に沿う方向に配列された複数のリード部と、前記延長部および前記各リード部と連続する枠部と、前記延長部、前記ダイアイランド部、前記リード部、および前記枠部を区画する間隙部の一部と、を１単位として複数単位が連続形成されたリードフレームであって、
   前記各リード部の裏面側に突出するように形成され且つ略中央部にくぼむ第１の凹部を有する第１の突起部と、
   前記間隙部を埋めると共に前記第１の突起部および前記第１の凹部を除く裏面全面に配設された絶縁材料とを具備し、
   且つ、前記複数のリード部の前記第１の突起部は、前記複数のリード部の並びの方向と直交する方向が長い長方形に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
2. 請求項１に記載のリードフレームにおいて、
   前記ダイアイランド部の裏面側に突出するように形成され且つ略中央部にくぼむ第２の凹部を有する第２の突起部を具備し、前記絶縁材料は前記間隙部を埋めると共に前記第１および第２の突起部並びに前記第１および第２の凹部を除く裏面全面に配設されていることを特徴とするリードフレーム。
3. 請求項２に記載のリードフレームにおいて、
   前記第２の突起部と前記第２凹部とで、前記ダイアイランド部の裏面で連続し又は一部切り欠き部を有するリング枠部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
4. 請求項２又は３に記載のリードフレームにおいて、
   前記第１の突起部の高さと前記第２の突起部の高さを略同一とし、前記第２の凹部が実装基板との間でスタンドオフ部の一部を構成するようにしたことを特徴とするリードフレーム。
5. 請求項１乃至４のいずれか１つに記載のリードフレームにおいて、
   前記リード部における前記第１の突起部の反対面に第３の凹部又は第３の突起部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
6. 請求項１乃至５のいずれか１つに記載のリードフレームの１単位と、該１単位のリードフレームの前記ダイアイランド部に搭載された半導体素子と、該半導体素子の電極と前記１単位のリードフレームの前記リード部との間を接続する配線材料と、前記半導体素子および前記配線材料を覆うように前記リードフレームの上面側にモールドされた樹脂とを具備し、前記第１の突起部および前記第１の凹部の切断端面が前記樹脂の切断端面と略同一面となって前記樹脂の側面から露出していることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６に記載の半導体装置において、
   前記第１の突起部および前記第１の凹部およびそれらの切断端面の少なくとも一部は、メッキ部によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
8. 延長部を有するダイアイランド部と、該ダイアイランド部の所定の辺に沿う方向に配列された複数のリード部と、該各リード部の裏面に突出する第１の突起部と、該第１の突起部の略中央部にくぼむ第１の凹部と、前記延長部および前記各リード部と連続する枠部と、前記延長部、前記ダイアイランド部、前記リード部、および前記枠部を区画する間隙部の一部と、を１単位とし複数単位が連続する形状にリードフレームを加工する第１の工程、
   前記間隙部を埋めるように第１の連結絶縁材料を配設する第２の工程、
   前記第１の突起部および前記第１の凹部を除く前記リードフレームの裏面全面に第２の連結絶縁材料を配設する第３の工程、
   の内の第１と第２と第３の工程又は第１と第３の工程を具備することを特徴とするリードフレームの製造方法。
9. 請求項８に記載のリードフレームの製造方法において、
   前記ダイアイランド部の裏面側に第２の突起部と該第２の突起部の略中央部にくぼむ第２の凹部を形成する第４の工程を具備し、
   前記第３の工程を前記第１および第２の突起部ならびに前記第１および第２の凹部を除く前記リードフレームの裏面全面に前記第２の連結絶縁材料を配設する工程に置き換えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
10. 請求項８又は９の製造方法にてリードフレームを製造する工程と、
    前記リードフレームの前記ダイアイランド部に半導体素子を搭載し該半導体素子の電極と前記リード部とを配線材料により接続する工程と、
    前記リードフレームの前記半導体素子側を樹脂で封止する工程と、
    前記樹脂および前記リードフレームを前記第１の突起部および前記第１の凹部の切断面が前記樹脂の切断面と略同一面となるようにダイシングにより切断して前記単位毎に分離する工程と、
    を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記分離する工程を、前記リードフレームの裏面側から少なくとも前記リードフレームまでハーフカットする工程と、前記リードフレームの裏面側を前記リードフレームの切断面も含めてメッキする工程と、前記樹脂の上面側から前記ハーフカット部分までを切断して前記第１の突起部および前記第１の凹部の切断面が前記樹脂の切断面と略同一面となるように前記単位毎に分離する工程に置き換えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images