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JP2001077232A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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Publication number
JP2001077232A
JP2001077232A JP25130799A JP25130799A JP2001077232A JP 2001077232 A JP2001077232 A JP 2001077232A JP 25130799 A JP25130799 A JP 25130799A JP 25130799 A JP25130799 A JP 25130799A JP 2001077232 A JP2001077232 A JP 2001077232A
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JP
Japan
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lead
thin
electrodes
resin layer
semiconductor chip
Prior art date
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JP25130799A
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English (en)
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Inventor
Ryoji Takahashi
良治 高橋
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to US09/629,899 priority patent/US6650012B1/en
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Priority to US10/663,940 priority patent/US6790711B2/en
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 リードフレームを配線基材とした半導体装
置。 【解決手段】 半導体チップ２１を、接合部材２２を介
してリードフレームに搭載し、チップの下面２１ｂ側に
複数のリード電極２３が配置され、リード電極は上面側
で接続リード２４との接続部位を有する肉薄の内部リー
ド部２３ａと、下面方向へ突出して外部への接続部位を
構成する肉厚の外部電極部２３ｂとからなり、半導体チ
ップ、リード電極、接続リードを封止樹脂層２５で一体
に封止し、封止樹止層裏面はリード電極の内部リード部
の下面と同一面を構成し、封止樹脂層裏面から外部電極
部は下側に突出し、これに導電性ボール２６を取り付け
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置およ
びその製造方法に関し、特にリードフレームを配線基材
として用いた半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの高集積化に伴い、面状に
外部リードが配置されるボールグリッドアレイ（Ｂａｌ
ｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ以下、ＢＧＡという）型半導
体装置が多く用いられるようになってきている。通常、
ＢＧＡ型半導体装置には、プリント基板を配線基材とし
たものが多く使用されるが、高価なため、安価なリード
フレームを配線基材として用いられるＢＧＡ型半導体装
置が実用化されている。
【０００３】以下、従来のリードフレームを配線基材と
して用いた半導体装置について図を参照して説明する。
図１１（ａ）は例えば特開平１１−７４４０４号公報に
示された従来のＢＧＡ型半導体装置の構成を示す断面
図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の底面図である。図１
２（ａ）は単列に配置された従来のＢＧＡ型半導体装置
に使用されるリードフレームを示す平面図、図１２
（ｂ）は図１２（ａ）の矢視ＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線から
見た断面図、図１２（ｃ）は図１２（ａ）の矢視ＸＩＩ
ｃ−ＸＩＩｃ線から見た断面図である。である。
【０００４】図１１（ａ），図１１（ｂ），図１２
（ａ），図１２（ｂ），図１２（ｃ）において、従来の
ＢＧＡ型半導体装置はリードフレーム５０を配線基材と
して使用し、パッド電極を備えた半導体チップ１がダイ
パッド２上に接合部材３を介して搭載され、半田ボール
取り付け部（以下、外部電極部という）４を有し、その
内側先端部がダイパッド２の周囲に配置されているリー
ド電極５と半導体チップ１のパッド電極とが接続リード
６により接続されている。半導体チップ１と接続リード
６とは封止樹脂層７で封止されていて、リード電極５の
裏側に連なる外部電極部４を除く部位４ａ，４ｂはエッ
チングで薄く構成されている。このため封止樹脂層７の
下面と同一面にはダイパッド２と外部電極部４、および
ダイパッド２を支える吊りリード８が露出している。こ
の外部電極部４に半田ボール９が取り付けられ、最終的
にリード電極５と吊りリード８の端部は樹脂封止ライン
７ａに沿って切断さている。
【０００５】次に、製造方法を、図１１〜図１３を用い
て説明する。図１３は従来のＢＧＡ型半導体装置の製造
方法を示す説明図で、その（ａ）が図１２に示すリード
フレームの断面図、その（ｂ）が封止樹脂層で封止する
ときに金型を取り付けた状態を示す断面図、その（ｃ）
が半田ボールを取り付ける前までの組み立て工程が完了
した断面図を示す。
【０００６】先ず、図１２（ａ），図１２（ｂ），図１
２（ｃ）に示すようなリードフレーム５０を製造する。
即ち、リードフレーム５０の上面５０ａおよび下面５０
ｂに、図示されないレジスト膜を形成して図１２（ａ）
に示すようなパターニングをした後、上面５０ａおよび
下面５０ｂからエッチングを施すことにより、ダイパッ
ド２、外部電極部４、リード電極５、吊りリード８およ
びダムバー５０ｃが、開口部５０ｄ，５０ｅで隔てられ
て互いに連接するように形成する。その後、リード電極
５の裏側の部位４ａ，４ｂを除くリードフレーム５０の
下面５０ｂ側に、図示されないレジスト膜を形成した
後、ハーフエッチングを施すことにより、部位４ａ，４
ｂを形成する。
【０００７】次に、ダイパッド２上に接合部材３を塗布
してパッド電極を備えた半導体チップ１を搭載する。そ
の後、半導体チップ１のパッド電極とリード電極５の内
側先端部とを接続リード６にて接続する。次に、図１３
（ｂ）に示すように、下金型１０をダイパッド２と外部
電極部４とに接して取り付けた後、上金型１１を樹脂封
止ライン７ａに位置合わせしてリードフレーム５０の上
面に取り付ける。次に、両金型１０，１１を締め付けた
後、トランスファモールド法により半導体チップ１、ダ
イパッド２、リード電極５および接続リード６を封止樹
脂層７にて封止する。その後、上金型１１と下金型１０
とを取り外すと、図１３（ｃ）に示すように、半田ボー
ル９を取り付ける前のノンリード型半導体装置が得られ
る。
【０００８】次に、外部電極部４に半田ペーストを施し
半田ボール９を外部電極部４に取り付ける。その後、樹
脂封止ライン７ａより外側に突出しているリード電極５
と、ハーフエッチングで薄く形成されたリード電極５の
裏側の部位４ａ、４ｂに回り込んだ封止樹脂層７とを、
樹脂封止ライン７ａに沿って切断装置を用いて切断する
と、図１１に示す従来のＢＧＡ型半導体装置が得られ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のリー
ドフレームを配線基材として用いた型半導体装置では、
ダイパッド２、外部電極部４、リード電極５、吊りリー
ド８およびダムバー５０ｃが、開口部５０ｄ，５０ｅで
隔てられて互いに連接するように形成されているので、
両金型１０，１１を取り付け後、封止樹脂層７にて封止
すると、低粘度に溶融した封止樹脂層７が、開口部５０
ｄにも形成される。このため、ダイパッド２、外部電極
部４および吊りリード８と下金型１０とが接触している
わずかな接触面の隙間に、低粘度に溶融した樹脂が侵入
して薄い樹脂の膜（以後、薄バリという）を形成すると
いう問題点があった。
【００１０】外部電極部４と下金型１０との間の接触圧
力が大きければ、外部電極部４と下金型１０との間に形
成される薄バリの発生を抑止出来る。しかし、リード電
極５がエッチングで薄く形成されているとともに、樹脂
封止ライン７ａの位置で下金型１０と上金型１１とで挟
み込まれた部分で、片持梁のように支持されているに過
ぎないので、外部電極部４が下金型１０で押さえつける
られると、その力によってリード電極５が変形し、薄バ
リの発生を抑止し得るだけの接触圧力を外部電極部４と
下金型１０との間に確保することができなかった。
【００１１】また、ダイパッド２および外部電極部４と
が下金型１０と接触する面の、各々の表面仕上げ粗さの
度合い（以後、面粗度という）によって薄バリの発生度
合いが変化する。通常、薄バリは面粗度のよい金型に付
着しなくて、面粗度の悪いダイパッド２、外部電極部４
等に付着するため、例えば外部電極部４に付着した薄バ
リを取り除く作業が必要であった。薄バリを除去するた
め、水圧バリ取り、ケミカルバリ取り、ケミカル水圧バ
リ取り等が行われ、薄バリを除去した後に、洗浄、乾燥
等の工程を必要とし、このため、製造費用が高くなって
いた。
【００１２】また、樹脂封止ライン７ａより外側に突出
しているリード電極５およびハーフエッチングで薄く形
成された部位４ａ，４ｂに回り込んだ封止樹脂層７並び
に吊りリード８を、樹脂封止ライン７ａに沿って切断装
置を用いて切断しているので、部位４ｂまで回り込んだ
封止樹脂層７の切断部に欠けが生じやすくなり、このた
め、樹脂封止ライン７ａは直線にならず複雑な破砕形状
になり不良品となるという問題点があった。
【００１３】また、半導体装置を構成する半導体チップ
１、ダイパッド２、接合部材３、リード電極５、封止樹
脂層７の線膨張係数が異なるので、半導体装置の製造時
に熱変形による反りが生じる。このため、ノンリード型
半導体装置を他のボードに取り付けるときに、外部電極
部が傾き、他のボードとの電気的な接続において良好な
接触面が得られないという問題点があった。
【００１４】この発明は、上述のような課題を解決する
為になされたもので、下金型と接触する面例えばダイパ
ッド、外部電極部と下金型との間に、薄バリの発生を防
止することができる半導体装置を提供することである。
【００１５】また、半導体装置の封止樹脂層の切り離し
部が、複雑な破砕形状になることを防止することができ
る半導体装置を提供することである。
【００１６】さらにまた、半導体装置に熱変形による反
りが発生した場合でも、半導体装置を他のボードに取付
けるときに、外部電極部と他のボードとの電気的な接続
において、良好な接触面を得ることができる半導体装置
を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
係る半導体装置においては、上面および下面を備え、複
数のパッド電極を有する半導体チップと、複数のパッド
電極に対応して配置され、半導体チップの下面側で外周
方向へ延びる複数のリード電極と、複数のパッド電極と
複数のリード電極との間を接続する接続手段と、半導体
チップ、リード電極および接続手段を一体に封止する封
止樹脂層とを備え、複数のリード電極は、各々、上面側
で接続手段との接続部位を有する肉薄の内部リード部
と、下面方向へ突出して外部への接続部位を構成する肉
厚の外部電極部とからなり、封止樹脂層は、その裏面
が、リード電極の内部リード部の下面と略同一の面を構
成し、この封止樹脂層裏面から外部電極部が下側へ突出
するよう構成したものである。
【００１８】好ましくは、上面および下面を備え、複数
のパッド電極を有する半導体チップと、複数のパッド電
極に対応して配置され、半導体チップの下面側で外周方
向へ延びる複数のリード電極と、複数のパッド電極と複
数のリード電極との間を接続する接続手段と、複数のリ
ード電極の周囲に設けられた補助電極と、半導体チッ
プ、リード電極、接続手段および補助電極を一体に封止
する封止樹脂層を備え、複数のリード電極は、各々、上
面側で接続手段との接続部位を有する肉薄の内部リード
部と、下面方向へ突出して外部への接続部位を構成する
肉厚の外部電極部とからなり、封止樹脂層は、その裏面
が、リード電極の内部リード部および補助電極の下面と
略同一の面を構成し、この封止樹脂層裏面から外部電極
部が下側へ突出するよう構成したものである。
【００１９】この発明の第２の局面に係わる半導体装置
の製造方法においては、凹凸状の上面と、平坦な下面を
備えた板状体からなり、この板状体は、複数のパッド電
極を備えた半導体チップを搭載するための第１の肉薄部
と、この第１の肉薄部の周囲に半導体チップのパッド電
極に対応して配置された各々のリード電極を構成するた
めに設けられた複数の第１の肉厚部と、この複数の第１
の肉厚部の間に設けられた第２の肉薄部と、同じくこの
複数の第１の肉厚部を囲繞するように設けられた第３の
肉薄部と、この第３の肉薄部の周囲に設けられた第２の
肉厚部を備えてなるリードフレームを用い、第１の肉薄
部に搭載した半導体チップの複数のパッド電極と、複数
のリード電極との間を接続手段で接続した後、半導体チ
ップ、リード電極および接続手段を、封止樹脂層により
全肉薄部と同一面まで一体に封止し、第１、２および３
の肉薄部をエッチングで除去することにより、複数のリ
ード電極が、各々、上面側で接続手段との接続部位を有
する肉薄の内部リード部と、下面方向へ突出して外部へ
の接続部位を構成する肉厚の外部電極部とからなるよう
形成し、封止樹脂層は、その裏面が、リード電極の内部
リード部の下面と略同一の面を構成し、この封止樹脂層
裏面から外部電極部が下側へ突出するよう形成したもの
である。
【００２０】好ましくは、第１、２および３の肉薄部が
略同一厚みを有したものである。
【００２１】また好ましくは、凹凸状の上面と、平坦な
下面を備えた板状体からなり、この板状体は、複数のパ
ッド電極を備えた半導体チップを搭載するための第１の
肉薄部と、この第１の肉薄部の周囲に半導体チップのパ
ッド電極に対応して配置された各々のリード電極を構成
するために設けられた複数の第１の肉厚部と、この複数
の第１の肉厚部の間に設けられた第２の肉薄部と、同じ
くこの複数の第１の肉厚部を囲繞するように設けられた
第３の肉薄部と、この第３の肉薄部の周囲に設けられ、
補助電極を構成するために設けられた第２の肉厚部と、
この第２の肉厚部の周囲に設けられた第４の肉薄部と、
この第４の肉薄部の周囲に設けられた第３の肉厚部を備
えてなるリードフレームを用い、第１の肉薄部に搭載し
た半導体チップの複数のパッド電極と、複数のリード電
極との間を接続手段で接続し、リード電極と補助電極と
を接続した後、半導体チップ、リード電極、接続手段お
よび補助電極を、封止樹脂層により全肉薄部と同一面ま
で一体に封止し、第１、２、３および４の肉薄部をエッ
チングで除去することにより、複数のリード電極が、各
々、上面側で接続手段との接続部位を有する肉薄の内部
リード部と、下面方向へ突出して外部への接続部位を構
成する肉厚の外部電極部とからなるよう形成し、封止樹
脂層は、その裏面が、リード電極の内部リード部および
補助電極の下面と略同一の面を構成し、この封止樹脂層
裏面から外部電極部が下側へ突出するよう形成したもの
である。
【００２２】さらに好ましくは、第１、２、３および４
の肉薄部が略同一厚みを有したものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ）は半導
体装置の構成を示す断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の
底面図である。図２（ａ）は単列に配置されたこの実施
の形態１の配線基材として用いられるリードフレームの
平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）における矢視ＩＩｂ−
ＩＩｂ線から見た断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）にお
ける矢視ＩＩｃ−ＩＩｃ線から見た断面図である。
【００２４】先ず、リードフレーム６０の形状を説明す
る。図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）に示すよう
に、リードフレーム６０は、凹凸状の上面６０ａと、平
坦な下面６０ｂを備えた銅等の導電性を有する板状体か
らなる。この板状体は、複数の図示されないパッド電極
を備えた半導体チップ２１を搭載するための第１の肉薄
部６０ｃと、この第１の肉薄部６０ｃの周囲に半導体チ
ップ２１のパッド電極に対応して配置された各々のリー
ド電極２３を構成するために設けられた複数の第１の肉
厚部６０ｄと、この複数の第１の肉厚部６０ｄの間に設
けられた第２の肉薄部６０ｅと、同じくこの複数の第１
の肉厚部６０ｄを囲繞するように設けられた第３の肉薄
部６０ｆと、この第３の肉薄部６０ｆの周囲に設けられ
た第２の肉厚部６０ｇを備えている。尚、第１の肉薄部
６０ｃ、第２の肉薄部６０ｅおよび第３の肉薄部６０ｆ
は、略同一厚さを有し、これら肉薄部６０ｃ，６０ｅ，
６０ｆにより外周部６０ｉを有する凹部６０ｈが形成さ
れ、また、肉厚部６０ｄ，６０ｇにより凸部が形成され
ている。
【００２５】このようなリードフレーム６０を用い、図
１（ａ），図１（ｂ）に示すような半導体装置２０を得
る。半導体装置２０は、上面２１ａおよび下面２１ｂを
備え、図示されない複数のパッド電極を有する半導体チ
ップ２１を、図示されないリードフレーム６０の第１の
肉薄部６０ｃに接合部材２２を介して搭載し、半導体チ
ップ２１の下面２１ｂ側で外周方向へ延びる複数のリー
ド電極２３が複数のパッド電極に対応して配置され、複
数のパッド電極と複数のリード電極２３との間を接続手
段である接続リード２４で接続している。複数のリード
電極２３は、各々、上面側で接続リード２４との接続部
位を有する肉薄の内部リード部２３ａと、下面方向へ突
出して外部への接続部位を構成する肉厚の外部電極部２
３ｂとからなっている。
【００２６】そして、半導体チップ２１、リード電極２
３および接続リード２４を封止樹脂層２５で一体に封止
している。この封止樹脂層２５は、その裏面が、リード
電極２３の内部リード部２３ａの下面と略同一の面を構
成し、この封止樹脂層裏面から外部電極部２３ｂが下側
へ突出するよう構成している。外部電極部２３ｂには、
導電性ボール２６を取り付けている。尚、図示されない
リードフレーム６０は後述するように、リードフレーム
の肉薄部がエッチングで除去され、最終的に、リードフ
レーム６０の凹部６０ｈの外周部６０ｉに沿ってリード
フレーム６０を分離して図１（ａ），図１（ｂ）に示す
半導体装置２０を得ている。
【００２７】次に、半導体装置の製造方法を図１〜図３
を用いて説明する。図３は実施の形態１に係る半導体装
置の製造方法を示す説明図で、その（ａ）が肉薄部とリ
ード電極とが形成されたリードフレームに搭載された半
導体チップとリード電極とが電気的に接続された状態を
示す断面図、その（ｂ）が上金型と下金型とを取り付け
て封止樹脂層で封止した状態を示す断面図、その（ｃ）
が外部電極部を形成するためにエッチング用レジスト膜
を取り付けた状態を示す断面図、その（ｄ）がエッチン
グで外部電極部を突出させた状態を示す断面図、その
（ｅ）が外部電極部に導電性ボールを取り付けた状態を
示す断面図である。
【００２８】先ず、板状体からなるリードフレーム６０
の上面６０ａに、図示されないレジスト膜を形成して図
２（ａ）に示すようなパターニングをした後、ハーフエ
ッチングを施すことにより、断面が図２（ｂ），図２
（ｃ）で示すような凹凸状の上面６０ａと、平坦な下面
６０ｂを備えた板状体に形成される。即ち、複数の図示
されないパッド電極を備えた半導体チップ２１を搭載す
るための第１の肉薄部６０ｃと、この第１の肉薄部６０
ｃの周囲に上記半導体チップ２１のパッド電極に対応し
て配置された各々のリード電極２３を構成するために設
けられた複数の第１の肉厚部６０ｄと、この複数の第１
の肉厚部６０ｄの間に設けられた第２の肉薄部６０ｅ
と、同じくこの複数の第１の肉厚部６０ｄを囲繞するよ
うに設けられた第３の肉薄部６０ｆと、この第３の肉薄
部６０ｆの周囲に設けられた第２の肉厚部６０ｇとが形
成される。
【００２９】尚、第１の肉薄部６０ｃ、第２の肉薄部６
０ｅおよび第３の肉薄部６０ｆは、略同一厚さを有し、
これら肉薄部６０ｃ，６０ｅ，６０ｆにより凹部６０ｈ
が形成され、また、肉厚部６０ｄ，６０ｇにより凸部が
形成されて凹凸状の上面６０ａと、平坦な下面６０ｂを
備えた板状体に形成される。エッチングにて形成される
凹部６０ｈの外周部６０ｉの板厚方向の断面形状は、エ
ッチング特有のサイドエッチングにより、第３の肉薄部
６０ｆからリードフレームの上面６０ａに向けて少し広
がるように、滑らかな抜き勾配が自然に形成される。こ
のため、後述する封止樹脂層２５の外周部２５ｂとリー
ドフレーム６０の凹部６０ｈの外周部６０ｉとの切り離
しが容易になる。外周部６０ｉは、後述する上金型３１
の位置合わせをし易いように樹脂封止ライン２５ａより
大きく、例えば凹部６０ｈの深さ程度分だけ大きくなる
ように形成するか、あるいは樹脂封止ライン２５ａと合
致させてもよい。
【００３０】次に、図３（ａ）に示すように、第１の肉
薄部６０ｃの中央部に例えばエポキシ樹脂、銀入りエポ
キシ樹脂、接着テープ、半田等からなる接合部材２２を
塗布して半導体チップ２１を接合する（接合工程）。そ
の後、例えば金線、アルミニウム線等からなる接続リー
ド２４を用いて半導体チップ２１とリード電極２３とを
接続する（接続工程）。
【００３１】次に、図３（ｂ）に示すように、接合工程
および接続工程まで完了したリードフレーム６０の下面
６０ｂを、下金型３０の上に取り付けた後、上金型３１
を樹脂封止ライン２５ａに位置あわせしてリードフレー
ム６０の上面６０ａに取り付ける。次に、両金型３０，
３１を締め付けた後、トランスファモールド法により、
例えば、エポキシ系樹脂、フエノール系樹脂等からなる
熱硬化性の封止樹脂層２５を液状の低粘度にして高い圧
力で注入する（封止工程）。このとき、リードフレーム
６０の下面６０ｂ側が肉薄部６０ｃ，６０ｅ，６０ｆで
一体物となって下金型３０と全面的に接触し、封止樹脂
層２５が肉薄部６０ｃ，６０ｅ，６０ｆで遮られるた
め、リードフレーム６０の下面６０ｂと下金型３０とが
接触している面には、封止樹脂層２５が流入しない。こ
のため、薄バリの発生を防止することができる。
【００３２】封止工程の後、両金型３０，３１を取り除
き、図３（ｃ）に示すように、リードフレーム６０の下
面６０ｂ側に、外部電極部２３ｂが形成される部位およ
び凹部６０ｈの外周部６０ｉの外側を囲繞するような部
位に、レジスト膜３２でマスキングを施し、ハーフエッ
チングで封止樹脂層２５の下面と同一面になるまで除去
する。この結果、図３（ｄ）に示すように、接合部材２
２を露出するとともに、複数のリード電極２３は、各
々、リード電極２３の裏面に、下面方向へ突出して外部
への接続部位を構成する肉厚の外部電極部２３ｂが形成
される（外部電極部の形成工程）。
【００３３】即ち、半導体チップ２１、リード電極２３
および接続リード２４が封止樹脂層２５で一体に封止さ
れ、この封止樹脂層２５は、その裏面が、リード電極２
３の内部リード部２３ａの下面と略同一の面を構成し、
この封止樹脂層裏面から外部電極部２３ｂが下側へ突出
するよう構成している。また、リードフレーム６０と半
導体装置２０とは、封止樹脂層２５の外周部２５ｂとリ
ードフレーム６０の凹部６０ｈの外周部６０ｉとのとこ
ろで連なった状態になる。
【００３４】この状態で、図３（ｄ）に示す矢視（イ）
の方向から半導体装置２０を押し出すことにより、半導
体装置２０がリードフレーム６０から切り離される（切
り離し工程）。このため、半導体装置２０とリードフレ
ーム６０とを、切断装置を用いることなく、容易に切り
離しが可能となり、半導体装置２０の封止樹脂層２５の
切り離し部が複雑な破砕形状になることを防止すること
ができる。また、上金型３１とリードフレーム６０との
間の隙間に薄バリが形成されていたとしても、この切り
離し工程で該薄バリを除去することができる。
【００３５】尚、この切り離し工程後の状態の半導体装
置は、ノンリード型半導体装置として、例えば携帯電話
機等の薄い小型装置に組み込むことができる。また、切
り離し工程の前に、図３（ｅ）に示すように、外部電極
部２３ｂに図示されない半田ペーストを施し、導電性ボ
ール例えば半田ボール２６を接続する。その後、半導体
装置２０とリードフレーム６０の外周部６０ｉとが連な
った部分を、矢視（イ）の方向から半導体装置２０を押
し出すことにより、半導体装置２０がリードフレーム６
０から切り離されるので、図１に示すようなＢＧＡ型半
導体装置を得ることができる。
【００３６】即ち、リードフレーム６０を配線基材とし
て用いることにより、ノンリード型半導体装置を得るた
めの切り離し工程を行う前に、導電性ボールの取り付け
工程を加えて、ＢＧＡ型半導体装置の実現が可能であ
り、ノンリード型半導体装置とＢＧＡ型半導体装置との
製造工程の共用化ができ、効率のよい製造ライン構築が
可能となる。
【００３７】また、半導体装置２０の下面側は、封止樹
脂層裏面から外部電極部２３ｂが下側へ突出するよう構
成しているので、半導体装置の構成部品の有する熱膨張
係数に起因する反りが発生しても、外部電極部２３ｂと
他のボードとの電気的な接続において、良好な接触面を
得ることができる。尚、半導体装置２０自体に生じる反
りに加えて他のボードに反りがあったとしても、必ず外
部電極部２３ｂが他のボードに確実に接触して浮き上が
ることが無い。このため、携帯電話等の小型化が要求さ
れる半導体装置にはノンリード型半導体装置で用いる
と、例えば半田ボールの直径０．４５ｍｍ分の寸法を薄
くできる。
【００３８】実施の形態１では、図２（ａ），図２
（ｂ）に示すような短冊状に形成されたリードフレーム
６０を配線基材として用いた半導体装置を説明したが、
連続してフープ状に形成されたリードフレームを用いて
もよく、上記と同様の作用効果を奏する。
【００３９】また、リードフレーム６０に１個の半導体
チップ２１を搭載し、その周囲にリード電極２５を配置
したものを単列に複数個構成した例を示したが、製造効
率化のために、例えば、図４（ａ），図４（ｂ）に示す
ように半導体チップ２１を複数の行および複数の列に、
複数個搭載できるように構成してもよく、上記と同様の
作用効果を奏する。また、同機能、同発熱量を有する２
個の半導体チップを、同時に１つの樹脂で封止する、い
わゆるマルチチップパッケージと呼ばれる半導体装置を
得るために、例えば図４（ａ）に１点鎖線で示すように
凹部外周６０ｉを設け、図４（ｃ）に示すような断面を
有するリードフレームを用いてもよく、上記と同様の作
用効果を奏する。
【００４０】また、発熱量の多い電力用半導体チップと
発熱量の少ない半導体チップを、一緒に樹脂で封止した
マルチチップパッケージと呼ばれる半導体装置を得るた
めに、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、発熱
量の多い電力用半導体チップが搭載される領域に、放熱
板６１を設けもよく、上記と同様の作用効果を奏する。
尚、図４，図５で示した符号のうち、図１，図２で示し
た符号と同一のものは、同じまたは相当品を示し、その
説明を省略している。
【００４１】また、半導体チップ２１とリード電極２３
との電気的に接続する接続リード２４を金線、アルミニ
ウム線等で説明したが、図６に示すように、半導体チッ
プ２１の表面を下向きにして、金バンプ（Ａｕ Ｂｕｍ
ｐ）、半田バンプ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｂｕｍｐ）等のイン
ナーバンプ（Ｉｎｎｅｒ Ｂｕｍｐ）と呼ばれる接続部
材２７を介して、半導体チップ２１とリード電極２３と
を接続してもよく、上記と同様の作用効果を奏する。こ
の場合、半導体チップ２１を接合する接合部材２２を省
略できるので、線膨張係数の異なる材料によって生じる
半導体装置の反りが少なくなる。また、半導体チップ２
１の発熱量が多い場合、図７に示すように、放熱板６１
を接合部材２２に取り付けてもよく、上記と同様の作用
効果を奏する。
【００４２】実施の形態２．図８（ａ）はこの発明の実
施の形態２の半導体装置の構成を示す断面図、図８
（ｂ）は図８（ａ）の底面図である。図９（ａ）はこの
実施の形態２の配線基材として用いられるリードフレー
ムの平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）における矢視ＩＸ
ｂ-ＩＸｂ線から見た断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）
における矢視ＩＸｃ-ＩＸｃ線から見た断面図である。
【００４３】先ず、リードフレーム７０の形状を説明す
る。図９（ａ），図９（ｂ），図９（ｃ）に示すよう
に、リードフレーム７０は、凹凸状の上面７０ａと、平
坦な下面７０ｂを備えた板状体からなる。この板状体
は、複数のパッド電極を備えた半導体チップ３１を搭載
するための第１の肉薄部７０ｃと、この第１の肉薄部７
０ｃの周囲に半導体チップ３１のパッド電極に対応して
配置された各々のリード電極２３を構成するために設け
られた複数の第１の肉厚部７０ｄと、この複数の第１の
肉厚部７０ｄの間に設けられた第２の肉薄部７０ｅと、
同じくこの複数の第１の肉厚部７０ｄを囲繞するように
設けられた第３の肉薄部７０ｆと、この第３の肉薄部７
０ｆの周囲に設けられ、補助電極３６を構成するために
設けられた第２の肉厚部７０ｇと、この第２の肉厚部７
０ｇの周囲に設けられた第４の肉薄部７０ｈと、この第
４の肉薄部７０ｈの周囲に設けられた第３の肉厚部７０
ｉを備えている。
【００４４】尚、第１の肉薄部７０ｃ、第２の肉薄部７
０ｅ、第３の肉薄部７０ｆおよび第４の肉薄部７０ｈ
は、略同一厚さを有し、これら肉薄部７０ｃ，７０ｅ，
７０ｆ，７０ｈにより外周部７０ｋを有する凹部７０ｊ
が形成され、また、肉厚部７０ｄ，７０ｇ，７０ｉによ
り凸部が形成されている。
【００４５】このようなリードフレーム７０を用い、図
８（ａ），図８（ｂ）に示すような半導体装置３０を得
る。半導体装置３０は、上面３１ａおよび下面３１ｂを
備え、図示されない複数のパッド電極を有する半導体チ
ップ３１を、図示されないリードフレーム７０の第１の
肉薄部７０ｃに接合部材３２を介して搭載し、半導体チ
ップ３１の下面３１ｂ側で外周方向へ延びる複数のリー
ド電極３３が複数のパッド電極に対応して配置され、複
数のパッド電極と複数のリード電極３３との間を接続手
段である接続リード３４で接続している。複数のリード
電極３３は、各々、上面側で接続リード３４との接続部
位を有する肉薄の内部リード部３３ａと、下面方向へ突
出して外部への接続部位を構成する肉厚の外部電極部３
３ｂとからなっている。複数のリード電極３３の周囲に
設けられた補助電極３６は、図示されない接続部材でリ
ード電極３３、または、パッド電極に接続されている。
この補助電極３６は、必要に応じて電源層、接地層、ニ
ュートラル層などに使用されるものである。
【００４６】そして、半導体チップ３１、リード電極３
３、接続リード３４および補助電極３６を封止樹脂層３
５で一体に封止している。この封止樹脂層３５は、その
裏面が、リード電極３３の内部リード部３３ａおよび補
助電極３６の下面と略同一の面を構成し、この封止樹脂
層裏面から外部電極部３３ｂが下側へ突出するよう構成
している。また、ＢＧＡ型半導体装置の場合は、外部電
極部３３ｂに、図示されない導電性ボールが取り付けら
れている。尚、図示されないリードフレーム７０は後述
するように、リードフレームの肉薄部がエッチングで除
去され、最終的に、補助電極３６を構成するために設け
られた第２の肉厚部７０ｇの外周部７０ｌのところで、
リードフレーム７０を切り離して図８（ａ），図８
（ｂ）に示す半導体装置３０を得ている。
【００４７】次に、半導体装置の製造方法を図８〜図１
０を用いて説明する。図１０は実施の形態２に係る半導
体装置の製造方法を示す説明図で、その（ａ）が肉薄部
とリード電極と補助電極とが形成されたリードフレーム
に搭載された半導体チップとリード電極とが電気的に接
続された状態を示す断面図、その（ｂ）が上金型と下金
型とを取り付けて封止樹脂層で封止した状態を示す断面
図、その（ｃ）が外部電極部を形成するためにエッチン
グ用レジスト膜を形成した状態を示す断面図、その
（ｄ）がエッチングで外部電極部を突出させた状態を示
す断面図である。
【００４８】先ず、リードフレーム７０の上面７０ａ
に、図示されないレジスト膜を形成して図９（ａ）に示
すようなパターニングをした後、ハーフエッチングを施
すことにより断面が図９（ｂ），図９（ｃ）に示すよう
な凹凸状の上面７０ａと、平坦な下面７０ｂを備えた板
状体に形成される。即ち、複数の図示されないパッド電
極を備えた半導体チップ３１を搭載するための第１の肉
薄部７０ｃと、この第１の肉薄部７０ｃの周囲に上記半
導体チップ３１のパッド電極に対応して配置された各々
のリード電極３３を構成するために設けられた複数の第
１の肉厚部７０ｄと、この複数の第１の肉厚部７０ｄの
間に設けられた第２の肉薄部７０ｅと、同じくこの複数
の第１の肉厚部７０ｄを囲繞するように設けられた第３
の肉薄部７０ｆと、この第３の肉薄部７０ｆの周囲に設
けられ、補助電極３６を構成するために設けられた第２
の肉厚部７０ｇと、この第２の肉厚部７０ｇの周囲に設
けられた第４の肉薄部７０ｈと、この第４の肉薄部７０
ｈの周囲に設けられた第３の肉厚部７０ｉが形成され
る。
【００４９】尚、第１の肉薄部７０ｃ、第２の肉薄部７
０ｅ、第３の肉薄部７０ｆおよび第４の肉薄部７０ｈ
は、略同一厚さを有し、これら肉薄部７０ｃ，７０ｅ，
７０ｆにより凹部７０ｊが形成され、また、肉厚部７０
ｄ，７０ｇ，７０ｉにより凸部が形成されて凹凸状の上
面７０ａと、平坦な下面７０ｂを備えた板状体に形成さ
れる。補助電極３６の外周３６ａは、後述する上金型４
１の位置合わせをし易いように樹脂封止ライン３５ａよ
り大きく、例えば凹部７０ｊの深さ程度分だけ大きくな
るように形成するか、あるいは樹脂封止ライン３５ａと
合致させてもよい。
【００５０】次に、図１０（ａ）に示すように、第１の
肉薄部７０ｃの中央部に例えばエポキシ樹脂、銀入りエ
ポキシ樹脂、接着テープ、半田等からなる接合部材３２
を塗布して半導体チップ３１を接合する（接合工程）。
その後、例えば金線、アルミニウム線等からなる接続リ
ード３４を用いて半導体チップ３１とリード電極３３と
を接続する（接続工程）。
【００５１】次に、図１０（ｂ）に示すように、接合工
程および接続工程まで完了したリードフレーム７０の下
面７０ｂを、下金型４０の上に取り付けた後、上金型４
１を樹脂封止ライン３５ａに位置あわせしてリードフレ
ーム７０の上面７０ａに取り付ける。次に、両金型４
０，４１を締め付けた後、トランスファモールド法によ
り、例えば、エポキシ系樹脂、フエノール系樹脂等から
なる熱硬化性の封止樹脂層３５を液状の低粘度にして高
い圧力で注入する（封止工程）。このとき、リードフレ
ーム７０の下面７０ｂ側が肉薄部７０ｃ，７０ｅ，７０
ｆ，７０ｈで一体物となって下金型４０と全面的に接触
し、封止樹脂層３５が肉薄部７０ｃ，７０ｅ，７０ｆ，
７０ｈで遮られるため、リードフレーム７０の下面７０
ｂと下金型４０とが接触している面には、封止樹脂層３
５が流入しない。このため、薄バリの発生を防止するこ
とができる。
【００５２】封止工程の後、両金型４０，４１を取り除
き、図１０（ｃ）に示すように、リードフレーム７０の
下面７０ｂ側に、外部電極部３３ｂが形成される部位お
よび第４の肉薄部７０ｈの外側を囲繞するような部位
に、レジスト膜４２でマスキングを施し、ハーフエッチ
ングで封止樹脂層３５の下面と同一面になるまで除去す
る。この結果、図１０（ｄ）に示すように、接合部材３
２を露出するとともに、複数のリード電極３３は、各
々、リード電極３３の裏面に、下面方向へ突出して外部
への接続部位を構成する肉厚の外部電極部３３ｂが形成
される（外部電極部の形成工程）。
【００５３】即ち、半導体チップ３１、リード電極３３
および接続リード３４が封止樹脂層３５で一体に封止さ
れ、この封止樹脂層３５は、その裏面が、リード電極３
３の内部リード部３３ａの下面および補助電極３６と略
同一の面を構成し、この封止樹脂層裏面から外部電極部
３３ｂが下側へ突出するよう構成している。また、リー
ドフレーム７０と半導体装置３０とは、補助電極３６の
外周部３６ａのところで分離されるので、半導体装置３
０がリードフレーム７０から自動的に切り離される（切
り離し工程）。このため、半導体装置３０とリードフレ
ーム７０とを、切断装置を用いることなく、容易に切り
離しが可能となり、半導体装置３０の封止樹脂層３５の
切り離し部が複雑な破砕形状になることを防止すること
ができる。
【００５４】尚、上金型４１の樹脂封止ライン３５ａか
ら補助電極３６の表面に、封止樹脂層３５が漏れて薄バ
リができたとしても、補助電極３６の外周部３６ａのと
ころでそれ以上の流出を制限され、該薄バリは脱落する
ことが無いので品質の良い半導体装置を得ることができ
るとともに、補助電極３６が半導体装置３０の下面の外
周を保護することが可能となる。
【００５５】尚、この切り離し工程後の状態の半導体装
置は、ノンリード型半導体装置として、例えば携帯電話
機等の薄い小型装置に組み込むことができる。また、切
り離し工程の前に、外部電極部３３ｂに図示されない半
田ペーストを施し、図示されない導電性ボール例えば半
田ボールを接続する。その後、半導体装置３０とリード
フレーム７０とが補助電極３６の外周部３６ａのところ
で分離され、半導体装置３０がリードフレーム７０から
切り離されるので、ＢＧＡ型半導体装置を得ることもで
きる。
【００５６】また、半導体装置３０の下面側は、封止樹
脂層裏面から外部電極部３３ｂが下側へ突出するよう構
成しているので、半導体装置の構成部品の有する熱膨張
係数に起因する反りが発生しても、外部電極部３３ｂと
他のボードとの電気的な接続において、良好な接触面を
得ることができる。尚、半導体装置３０自体に生じる反
りに加えて他のボードに反りがあったとしても、必ず外
部電極部３３ｂが他のボードの接続部位に確実に接触し
て浮き上がることが無い。
【００５７】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【００５８】この発明の第１の局面に係る半導体装置に
よれば、複数のリード電極は、各々、上面側で接続手段
との接続部位を有する肉薄の内部リード部と、下面方向
へ突出して外部への接続部位を構成する肉厚の外部電極
部とからなり、封止樹脂層は、その裏面が、リード電極
の内部リード部の下面と略同一の面を構成し、この封止
樹脂層裏面から外部電極部が下側へ突出するよう構成す
ることにより、半導体装置の下面側は、封止樹脂層裏面
から外部電極部が下側へ突出しているので、半導体装置
の構成部品の有する熱膨張係数に起因する反りが発生し
ても、外部電極部と他のボードとの電気的な接続におい
て、良好な接触面を得ることができる。
【００５９】好ましくは、複数のリード電極は、各々、
上面側で接続手段との接続部位を有する肉薄の内部リー
ド部と、下面方向へ突出して外部への接続部位を構成す
る肉厚の外部電極部とからなり、封止樹脂層は、その裏
面が、リード電極の内部リード部および補助電極の下面
と略同一の面を構成し、この封止樹脂層裏面から外部電
極部が下側へ突出するよう構成することにより、半導体
装置の下面側は、封止樹脂層裏面から外部電極部が下側
へ突出しているので、半導体装置の構成部品の有する熱
膨張係数に起因する反りが発生しても、外部電極部と他
のボードとの電気的な接続において、良好な接触面を得
ることができる。
【００６０】この発明の第２の局面に係わる半導体装置
の製造方法によれば、凹凸状の上面と、平坦な下面を備
えた板状体からなるリードフレームに形成された第１、
２および３の肉薄部を、エッチングで除去することによ
って、複数のリード電極が、各々、上面側で接続手段と
の接続部位を有する肉薄の内部リード部と、下面方向へ
突出して外部への接続部位を構成する肉厚の外部電極部
とからなるよう形成し、封止樹脂層は、その裏面が、リ
ード電極の内部リード部の下面と略同一の面を構成し、
この封止樹脂層裏面から外部電極部が下側へ突出するよ
う形成することにより、半導体装置の下面側は、封止樹
脂層裏面から外部電極部が下側へ突出するよう構成して
いるので、半導体装置の構成部品の有する熱膨張係数に
起因する反りが発生しても、外部電極部と他のボードと
の電気的な接続において、良好な接触面を得ることがで
きる。
【００６１】また、第１、２および３の肉薄部でリード
フレームの上面に凹部を形成することができる。そし
て、第１、２および３の肉薄部を、エッチングで除去す
ることにより、該凹部の外周部と、該凹部に設けられた
半導体チップ、リード電極、封止樹脂層等から構成され
る半導体装置の外周部とが連なった状態になる。この状
態で、リードフレームの下面側から半導体装置を押し出
すことにより、切断装置を用いることなく、容易にリー
ドフレームと半導体装置とを切り離すことができ、ま
た、リードフレームと半導体装置との切り離し部が複雑
な破砕形状になることを防止することが可能となる。
【００６２】好ましくは、第１、２および３の肉薄部が
略同一厚みを有することにより、リードフレームの下面
側が第１、２および３の肉薄部で一体物とすることがで
きる。このため、リードフレームの下面側が下金型と全
面的に接触し、封止樹脂層で封止するとき、封止樹脂層
が第１、２および３の肉薄部で遮られるため、リードフ
レームの下面と下金型とが接触している面には、封止樹
脂層が流入しないので、薄バリの発生を防止することが
できる。
【００６３】また、好ましくは、凹凸状の上面と、平坦
な下面を備えた板状体からなるリードフレームに形成さ
れた第１、２、３および４の肉薄部を、エッチングで除
去することによって、複数のリード電極が、各々、上面
側で接続手段との接続部位を有する肉薄の内部リード部
と、下面方向へ突出して外部への接続部位を構成する肉
厚の外部電極部とからなるよう形成し、封止樹脂層は、
その裏面が、リード電極の内部リード部および補助電極
の下面と略同一の面を構成し、この封止樹脂層裏面から
外部電極部が下側へ突出するよう形成することにより、
半導体装置の下面側は、封止樹脂層裏面から外部電極部
が下側へ突出するよう構成しているので、半導体装置の
構成部品の有する熱膨張係数に起因する反りが発生して
も、外部電極部と他のボードとの電気的な接続におい
て、良好な接触面を得ることができる。
【００６４】また、第１、２および３の肉薄部でリード
フレームの上面側に凹部を形成することができ、補助電
極を構成するために設けられた第２の肉厚部を該凹部の
周囲に配置することができる。そして、第１、２、３お
よび４の肉薄部をエッチングで除去することにより、該
凹部の周囲に設けられた補助電極および該凹部に設けら
れた半導体チップ、リード電極、封止樹脂層等から構成
される半導体装置は、この半導体装置の外周部のところ
で、リードフレームと分離される。このため、半導体装
置をリードフレームから自動的に切り離すことができ、
また、半導体装置とリードフレームとを、切断装置を用
いることなく、容易に切り離しが可能となり、半導体装
置とリードフレームとの切り離し部が複雑な破砕形状に
なることを防止することができる。
【００６５】さらに好ましくは、第１、２、３および４
の肉薄部が略同一厚みを有することにより、リードフレ
ームの下面側が第１、２、３および４の肉薄部で一体物
とすることができる。このため、このリードフレームを
配線基材として用いた半導体装置の製造において、リー
ドフレームの下面側が第１、２、３および４の肉薄部で
一体物とすることができる。このため、このリードフレ
ームを配線基材として用いた半導体装置の製造におい
て、リードフレームの下面側が下金型と全面的に接触
し、封止樹脂層で封止するとき、封止樹脂層が第１、
２、３および４の肉薄部で遮られるため、リードフレー
ムの下面と下金型とが接触している面には、封止樹脂層
が流入しないので、薄バリの発生を防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１（ａ）はこの発明の実施の形態１の半導
体装置の構成を示す断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の
底面図である。
【図２】 図２（ａ）は単列に配置されたこの実施の形
態１の配線基材として用いられるリードフレームの平面
図、図２（ｂ）は図２（ａ）における矢視ＩＩｂ−ＩＩ
ｂ線から見た断面図である。
【図３】 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を
示す説明図で、図３（ａ）が肉薄部とリード電極とが形
成されたリードフレームに搭載された半導体チップとリ
ード電極とが電気的に接続された状態を示す断面図、図
３（ｂ）が上金型と下金型とを取り付けて樹脂で封止し
た状態を示す断面図、図３（ｃ）が外部電極部を形成す
るためにエッチング用レジスト膜を取り付けた状態を示
す断面図、図３（ｄ）がエッチングで外部電極部を突出
させた状態を示す断面図、図３（ｅ）が外部電極部に導
０００電性ボールを取り付けた状態を示す断面図であ
る。
【図４】 図４（ａ）はこの発明の実施の形態１におけ
る他の配線基材として用いられるリードフレームの平面
図、図４（ｂ），図４（ｃ）は図４（ａ）における矢視
ＩＶｂ−ＩＶｂ，矢視ＩＶｃ−ＩＶｃ線から見た断面図
である。
【図５】 図５（ａ）はこの発明の実施の形態１におけ
る他の配線基材として用いられるリードフレームの平面
図、図５（ｂ）は図５（ａ）における矢視Ｖｂ−Ｖｂ線
から見た断面図である。この発明の実施の形態１を示す
半導体装置の断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態１における他の半導体
装置の構成を示す断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態１における他の半導体
装置の構成を示す断面図である。
【図８】 図８（ａ）はこの発明の実施の形態２の半導
体装置の構成を示す断面図、図８（ｂ）は図８（ａ）の
底面図である。
【図９】 図９（ａ）は単列に配置されたこの実施の形
態２の配線基材として用いられるリードフレームの平面
図、図９（ｂ）は図９（ａ）における矢視ＩＸｂ−ＩＸ
ｂ線から見た断面図である。
【図１０】 実施の形態２に係る半導体装置の製造方法
を示す説明図で、その（ａ）が肉薄部とリード電極と補
助電極とが形成されたリードフレームに搭載された半導
体チップとリード電極とが電気的に接続された状態を示
す断面図、その（ｂ）が上金型と下金型とを取り付けて
樹脂で封止した状態を示す断面図、その（ｃ）が外部電
極部を形成するためにエッチング用レジスト膜を形成し
た状態を示す断面図、その（ｄ）がエッチングで外部電
極部を突出させた状態を示す断面図である。
【図１１】 図１１（ａ）は従来の半導体装置の構成を
示す断面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の底面図であ
る。
【図１２】 図１２は単列に配置された従来のＢＧＡ型
半導体装置に使用されるリードフレームを示す平面図で
ある。
【図１３】 従来のＢＧＡ型半導体装置の製造方法を示
す説明図で、その（ａ）が図１２（ｃ）の断面を示すリ
ードフレームの断面図、その（ｂ）が樹脂で封止すると
きに封止金型を取り付けた状態を示す断面図、その
（ｃ）が半田ボールを取り付ける前までの組み立て工程
が完了した断面図を示す。
【符号の説明】
２１，３１ 半導体チップ ２１ａ，３１ａ 上面 ２１ｂ，３１ｂ 下面 ２３，３３ リード電極 ２３ａ，３３ａ 内部リード部 ２３ｂ，３３ｂ 外部電極部 ２４，３４ 接続手段 ２５，３５ 封止樹脂層 ３６ 補助電極 ６０，７０ リードフレーム ６０ａ，７０ａ 上面 ６０ｂ，７０ｂ 下面 ６０ｃ，７０ｃ 第１の肉薄部 ６０ｄ，７０ｄ 第１の肉厚部 ６０ｅ，７０ｅ 第２の肉薄部 ６０ｆ，７０ｆ 第３の肉薄部 ６０ｇ，７０ｇ 第２の肉厚部 ７０ｈ 第４の肉薄部 ７０ｉ 第３の肉厚部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上面および下面を備え、複数のパッド電
    極を有する半導体チップと、 上記複数のパッド電極に対応して配置され、上記半導体
    チップの下面側で外周方向へ延びる複数のリード電極
    と、 上記複数のパッド電極と上記複数のリード電極との間を
    接続する接続手段と、 上記半導体チップ、リード電極および接続手段を一体に
    封止する封止樹脂層とを備え、 上記複数のリード電極は、各々、上面側で上記接続手段
    との接続部位を有する肉薄の内部リード部と、下面方向
    へ突出して外部への接続部位を構成する肉厚の外部電極
    部とからなり、 上記封止樹脂層は、その裏面が、上記リード電極の内部
    リード部の下面と略同一の面を構成し、この封止樹脂層
    裏面から上記外部電極部が下側へ突出するよう構成した
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 上面および下面を備え、複数のパッド電
    極を有する半導体チップと、 上記複数のパッド電極に対応して配置され、上記半導体
    チップの下面側で外周方向へ延びる複数のリード電極
    と、 上記複数のパッド電極と上記複数のリード電極との間を
    接続する接続手段と、 上記複数のリード電極の周囲に設けられた補助電極と、 上記半導体チップ、リード電極、接続手段および補助電
    極を一体に封止する封止樹脂層を備え、 上記複数のリード電極は、各々、上面側で上記接続手段
    との接続部位を有する肉薄の内部リード部と、下面方向
    へ突出して外部への接続部位を構成する肉厚の外部電極
    部とからなり、 上記封止樹脂層は、その裏面が、上記リード電極の内部
    リード部および補助電極の下面と略同一の面を構成し、
    この封止樹脂層裏面から上記外部電極部が下側へ突出す
    るよう構成したことを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 凹凸状の上面と、平坦な下面を備えた板
    状体からなり、この板状体は、複数のパッド電極を備え
    た半導体チップを搭載するための第１の肉薄部と、この
    第１の肉薄部の周囲に上記半導体チップのパッド電極に
    対応して配置された各々のリード電極を構成するために
    設けられた複数の第１の肉厚部と、この複数の第１の肉
    厚部の間に設けられた第２の肉薄部と、同じくこの複数
    の第１の肉厚部を囲繞するように設けられた第３の肉薄
    部と、この第３の肉薄部の周囲に設けられた第２の肉厚
    部を備えてなるリードフレームを用い、 上記第１の肉薄部に搭載した上記半導体チップの上記複
    数のパッド電極と、上記複数のリード電極との間を接続
    手段で接続した後、上記半導体チップ、リード電極およ
    び接続手段を、封止樹脂層により上記全肉薄部と同一面
    まで一体に封止し、 上記第１、２および３の肉薄部をエッチングで除去する
    ことにより、上記複数のリード電極が、各々、上面側で
    上記接続手段との接続部位を有する肉薄の内部リード部
    と、下面方向へ突出して外部への接続部位を構成する肉
    厚の外部電極部とからなるよう形成し、 上記封止樹脂層は、その裏面が、上記リード電極の内部
    リード部の下面と略同一の面を構成し、この封止樹脂層
    裏面から上記外部電極部が下側へ突出するよう形成した
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 第１、２および３の肉薄部が略同一厚み
    を有したことを特徴とする請求項３項記載の半導体装置
    の製造方法。
  5. 【請求項５】 凹凸状の上面と、平坦な下面を備えた板
    状体からなり、この板状体は、複数のパッド電極を備え
    た半導体チップを搭載するための第１の肉薄部と、この
    第１の肉薄部の周囲に上記半導体チップのパッド電極に
    対応して配置された各々のリード電極を構成するために
    設けられた複数の第１の肉厚部と、この複数の第１の肉
    厚部の間に設けられた第２の肉薄部と、同じくこの複数
    の第１の肉厚部を囲繞するように設けられた第３の肉薄
    部と、この第３の肉薄部の周囲に設けられ、補助電極を
    構成するために設けられた第２の肉厚部と、この第２の
    肉厚部の周囲に設けられた第４の肉薄部と、この第４の
    肉薄部の周囲に設けられた第３の肉厚部を備えてなるリ
    ードフレームを用い、 上記第１の肉薄部に搭載した上記半導体チップの上記複
    数のパッド電極と、上記複数のリード電極との間を接続
    手段で接続し、上記リード電極と補助電極とを接続した
    後、上記半導体チップ、リード電極、接続手段および補
    助電極を、封止樹脂層により上記全肉薄部と同一面まで
    一体に封止し、 上記第１、２、３および４の肉薄部をエッチングで除去
    することにより、上記複数のリード電極が、各々、上面
    側で上記接続手段との接続部位を有する肉薄の内部リー
    ド部と、下面方向へ突出して外部への接続部位を構成す
    る肉厚の外部電極部とからなるよう形成し、 上記封止樹脂層は、その裏面が、上記リード電極の内部
    リード部および補助電極の下面と略同一の面を構成し、
    この封止樹脂層裏面から上記外部電極部が下側へ突出す
    るよう形成したことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  6. 【請求項６】 第１、２、３および４の肉薄部が略同一
    厚みを有したことを特徴とする請求項５項記載の半導体
    装置の製造方法。
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