JP2005302982A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウエハの破損を抑制しつつ、個片化した半導体チップを操作性よく容易に回収できる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの製造方法では、両面粘着シート２の一方の面を半導体ウエハ１の表面側１ａに貼り合わせ、他方の面１ｂを支持体３に貼り合わせる工程（Ｉ）、半導体ウエハ１の裏面１ｂに加工及び／又は処理を施す工程（II）、半導体ウエハ１を前記両面粘着シート２に貼着した状態でダイシングしてチップ形状に個片化する工程（III）、及びチップ形状に個片化した半導体チップ８を回収する工程（IV）を、この順序で含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体チップの製造方法に関し、さらに詳しくは、両面粘着シートによって支持体に固定した半導体ウエハに薄型加工やエッチング加工、加熱加工等を施した後、チップ形状に個片化した半導体チップを回収する半導体チップの製造方法に関する。

従来、ＩＣカードなどに代表される半導体集積回路は、Ｓｉなどの高純度単結晶体をウエハとして作製した後、フォトレジストなどを利用してウエハ表面に所定の回路をパターン形成し、次いでウエハ裏面を研削機により研削して、ウエハの厚みを１００〜６００μｍ程度まで薄くし、最後にチップ形状に個片化することで製造されている（特許文献１等）。上記半導体ウエハ裏面研削時にはバックグラインドテープと呼ばれる粘着シートを貼り合せて、ウエハ表面に形成された回路パターン面の保護、及びウエハの破損防止を図っている。また、半導体ウエハを個片化する際には、チップ形状での取り扱い性を容易にするために、ダイシングテープと呼ばれる粘着シートを貼り合せる。その際、前記バックグラインドテープを剥離する必要がある。しかしながら、近年の電子機器の小型化、薄型化に伴い、その内部に搭載される半導体チップにも薄型化、小型化が要求されている。そのため、半導体ウエハ自体の強度が著しく低下しており、テープを剥がす際の僅かなストレスでも半導体ウエハが破損してしまうという問題があった。

特開２００３−１１５４６９号公報

従って、本発明の目的は、半導体ウエハの破損を抑制しつつ、個片化した半導体チップを操作性よく容易に回収できる半導体チップの製造方法を提供することにある。

本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、両面粘着シートの一方の面を半導体ウエハの表面側に貼り合わせ、他方の面を支持体に貼り合わせた状態で、半導体ウエハの裏面に加工等を施し、次いで、（ｉ）そのままの状態でダイシングするか、又は（ii）半導体ウエハをダイシング用粘着シートにマウントして前記両面粘着シートを剥離した後にダイシングし、その後、チップ形状に個片化した半導体チップを回収すると、薄型加工などが施されて非常に脆弱化した状態であっても、半導体ウエハの破損を抑制しつつ、半導体チップの回収を操作性よく行えることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、両面粘着シートの一方の面を半導体ウエハの表面側に貼り合わせ、他方の面を支持体に貼り合わせる工程（Ｉ）、半導体ウエハの裏面に加工及び／又は処理を施す工程（II）、半導体ウエハを前記両面粘着シートに貼着した状態でダイシングしてチップ形状に個片化する工程（III）、及びチップ形状に個片化した半導体チップを回収する工程（IV）を、この順序で含む半導体チップの製造方法（以下、「半導体チップの製造方法１」と称する場合がある）を提供する。

この製造方法において、両面粘着シートの半導体ウエハに貼り合わせる側の粘着面が、半導体ウエハをチップ形状に個片化する工程の後に、半導体チップとの接着力を低減させることが可能に形成されているのが好ましい。この場合、両面粘着シートの半導体ウエハに貼り合わせる側の粘着面となる粘着剤層を熱剥離型粘着剤層としてもよい。

本発明は、また、両面粘着シートの一方の面を半導体ウエハの表面側に貼り合わせ、他方の面を支持体に貼り合わせる工程（Ｉ）、半導体ウエハの裏面に加工及び／又は処理を施す工程（II）、両面粘着シートに貼着した状態で、半導体ウエハをその裏面側が粘着面に接するようにダイシング用粘着シートにマウントし、前記両面粘着シートを半導体ウエハから剥離する工程（Ｖ）、半導体ウエハを前記ダイシング用粘着シートに貼着した状態でダイシングしてチップ形状に個片化する工程（III′）、及びチップ形状に個片化した半導体チップを回収する工程（IV）を、この順序で含む半導体チップの製造方法（以下、「半導体チップの製造方法２」と称する場合がある）を提供する。

前記工程（III′）において、両面粘着シートを半導体ウエハからピールにより剥離してもよい。また、前記ダイシング用粘着シートとして加熱剥離型粘着シートを用い、工程（IV）において、半導体チップを加熱吸着コレットにより回収してもよい。

なお、本明細書において、粘着シートには粘着テープも含まれる。

本発明の半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの破損を抑制しつつ、個片化した半導体チップを操作性よく容易に回収することができる。

以下に、本発明を必要に応じて図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明の半導体チップの製造方法１の一例を示す概略工程図である。この例では、まず、図１（Ａ）に示されるように、所望の配線パターンが形成されている表面１ａと、薄型研削等の加工やエッチング等の処理が施される裏面１ｂを有する半導体ウエハ１の表面１ａ側に、図１（Ｂ）に示されるように、一方の面に離型シート２ｃが積層されている両面粘着シート２が貼り付けられる。両面粘着シート２は、基材２ａとその両側に設けられた粘着剤層２ｂ１及び２ｂ２とで構成されており、粘着剤層２ｂ１は半導体ウエハ１に貼り合わされ、粘着剤層２ｂ２は離型シート２ｃに貼り合わされている。そして、図１（Ｃ）に示されるように、離型シート２ｃを剥がし、粘着剤層２ｂ２の表面に支持板３を貼り合わせて補強ウエハを作製する。なお、補強ウエハは、両面粘着シート２の粘着剤層２ｂ２の表面を支持板３に貼り合わせた後に、粘着剤層２ｂ１の表面を半導体ウエハ１の表面１ａに貼り合わせて作製することもできる。

このように、両面粘着シート２を介して半導体ウエハ１を支持板３（支持体）に固定すると、半導体ウエハ１の裏面を薄型加工等の加工や各種処理を施す際に、半導体ウエハ１が破損したり反りが生じるのを抑制又は防止することができる。

基材２ａは粘着剤層等の支持母体となるもので、一般にはプラスチックフィルム又はシートが用いられるが、例えば、紙、布、不織布、金属箔、又はこれらとプラスチックフィルム又はシートとの積層体、プラスチックフィルム又はシート同士の積層体などの適宜な薄葉体を用いうる。プラスチックフィルム又はシートの素材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニルサルフェート、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂などが例示できる。

基材２ａは単層、複層の何れであってもよい。基材２ａの厚みは、一般には５００μｍ以下、好ましくは１〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜２５０μｍであるが、これに限定されない。基材２ａの表面には、粘着剤層との密着性を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的方法による酸化処理等が施されていてもよく、また下塗り剤や剥離剤等によるコーティング処理等が施されていてもよい。

粘着剤層２ｂ１は半導体ウエハ１に貼り合わされる粘着剤層であり、粘着剤層２ｂ１の表面が半導体ウエハ１に貼り合わされる粘着面となっている。該粘着剤層２ｂ１を形成するための粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等の何れであってもよい。粘着剤には、粘着性成分（ベースポリマー）のほかに、粘着剤の種類に応じて、架橋剤（ポリイソシアネート系架橋剤、アルキルエーテル化メラミン系架橋剤等）、粘着付与剤（ロジン誘導体樹脂、ポリテルペン系樹脂、石油樹脂、油溶性フェノール樹脂等）、可塑剤、充填剤、老化防止剤などの適宜な添加剤を含んでいてもよい。粘着剤は、エマルジョン型粘着剤、溶剤型粘着剤等の何れであってもよい。

粘着剤層２ｂ１としては、適宜なときに接着力を低減させることにより、容易に剥離することが可能な粘着剤層（接着力低減型粘着剤層）であることが好ましい。すなわち、半導体ウエハ１をチップ形状に個片化する工程の後に、半導体チップとの接着力を低減させることが可能な構成を有していることが好適である。このように、粘着剤層２ｂ１が接着力低減型粘着剤層であると、半導体チップの回収時において、半導体チップが両面粘着シート２から極めて剥離しやすい状態となるため、半導体チップを傷つけたり破損することなく容易に回収することができる。

前記接着力低減型粘着剤層を形成する粘着剤（接着力低減型粘着剤）としては、熱剥離型粘着剤（加熱剥離型粘着剤）、エネルギー線硬化型粘着剤などが挙げられる。しかしながら、上記両面粘着シート２の半導体ウエハ１に貼り合わせる側の粘着面がエネルギー線硬化型粘着剤の場合、エネルギー線照射後でも十分に粘着力が低下しないため、半導体チップが割れるという問題がある。これに対し、半導体ウエハ１に貼り合せる側の粘着面が熱剥離型粘着剤であれば、半導体チップ回収の際に粘着シート２からの剥離が容易になり、半導体チップの破損を防止できる。従って、両面粘着シート２の半導体ウエハ１に貼り合わせる側の粘着剤層２ｂ１は熱剥離型粘着剤層であるのが特に好ましい。

なお、後述する半導体チップの製造方法２においては、粘着剤層２ｂ１は必ずしも接着力低減型粘着剤層である必要はない。粘着剤層２ｂ１が、通常の粘着剤層（接着力を低減させることができない粘着剤層；非接着力低減型粘着剤層）であっても、後述するように、ダイシング用粘着シートを用いることにより、半導体ウエハ１に破損（割れなど）を生じさせずに、ピールにより容易に両面粘着シートを剥離することができる。

熱剥離型粘着剤は加熱により発泡及び／又は膨張して接着力が低減する粘着力である。該熱剥離型粘着剤としては、例えば、少なくとも、粘着性を付与するための粘着剤（感圧接着剤）と、熱膨張性を付与するための熱膨張性微小球（マイクロカプセル）とを含む粘着剤組成物を用いることができる。熱剥離型粘着剤において用いられる粘着剤としては、特に制限されず、前記に例示の粘着剤が挙げられる。また、熱膨張性微小球としては、公知の熱膨張性微小球から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。熱膨張性微小球として、商品名「マツモトマイクロスフェア」［松本油脂製薬（株）製］等の市販品を使用できる。

熱膨張性微小球の配合量は、膨張倍率や、熱剥離性粘着剤層の接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には熱剥離性粘着剤層を形成するポリマー成分（例えば、粘着剤のベースポリマー）１００重量部に対して、例えば５〜２００重量部（好ましくは１５〜７５重量部）である。なお、熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、熱剥離性粘着剤層の厚みなどに応じて適宜選択することができ、例えば、５〜１２０μｍ（好ましくは１０〜７５μｍ）の範囲から選択することができる。また、体積膨張率が１．５〜１０倍（好ましくは２〜５倍）となるまで破裂しない適度な強度を有する熱膨張性微小球が好ましい。

粘着剤層２ｂ２は支持板３に貼り合わされる粘着剤層であり、粘着剤層２ｂ２の表面が支持板３に貼り合わされる粘着面となっている。該粘着剤層２ｂ２を形成するための粘着剤としては、前記粘着剤層２ｂ１を形成するための粘着剤と同様である。

粘着剤層２ｂ２は、接着力低減型粘着剤層であってもよく、通常の粘着剤層（非接着力低減型粘着剤層）であってもよい。粘着剤層２ｂ２が、通常の粘着剤層であっても、半導体ウエハ１の裏面１ｂに加工又は処理を施す工程から半導体ウエハ１をダイシングし、チップ形状に個片化した半導体チップを回収する工程に至るまで、粘着剤層２ｂ２側に貼付している支持板３を剥離する必要がないので、半導体ウエハや半導体チップが傷ついたり破損しない。 但し、粘着剤層２ｂ２を接着力低減型粘着剤層、特に熱剥離型粘着剤層で構成すると、半導体ウエハ１の裏面１ｂの加工、処理から半導体チップの回収までの一連のプロセスの後に、前記支持板３との接着力を低下することにより、支持板３を傷つけることなく容易に取り外せるという利点がある。

なお、後述する半導体チップの製造方法２においては、粘着剤層２ｂ２として、適宜なときに接着力を低減させることにより、容易に剥離することが可能な粘着剤層（接着力低減型粘着剤層）であることが好ましい。このように、粘着剤層２ｂ２を接着力低減型粘着剤層、特に熱剥離性粘着剤層で構成すると、支持板３の剥離時において、支持板３が両面粘着シート２から極めて剥離しやすい状態となるため、支持板３を傷つけたり破損することなく容易に取り外すことができる。

粘着剤層２ｂ１、２ｂ２は、公知の粘着剤層の形成方法（塗布方法、転写方法など）を利用して形成することができる。粘着剤層２ｂ１、２ｂ２の厚みとしては、接着性と剥離性との両立の観点からすると、例えば１〜５００μｍ、好ましくは２０〜３００μｍ程度である。特に、粘着剤層が熱膨張性粘着剤層である場合には、その厚みは３００μｍ以下が好ましく、就中２００μｍ以下が好ましい。なお、基材２ａと粘着剤層２ｂ１、２ｂ２との間に、それぞれ、必要に応じて、弾性層等の中間層を設けてもよい。

両面粘着シート２としては、両面に粘着剤層を有するものであればよいが、取扱性等の点から基材付タイプの両面粘着シートが好ましい。両側の粘着剤層は同一の粘着剤により形成されていてもよく、異なる粘着剤により形成されていてもよい。好ましい両面粘着シートには、少なくとも一方の面に熱剥離型粘着剤層を有する熱剥離型粘着シート（特に、基材の少なくとも一方の面に熱剥離型粘着剤層を有する熱剥離型粘着シート）が含まれる。なお、両面に熱剥離型粘着剤層を有する熱剥離型粘着シートにおいては、両面の熱剥離型粘着剤層における熱膨張開始温度は同一であってもよく異なっていてもよい。熱剥離型粘着シートとして、例えば、商品名「リバアルファ」［日東電工（株）製］などの市販品を用いることができる。

支持板３としては、薄型加工等の加工又は処理を施された半導体ウエハを補強することができるものであれば特に制限されないが、例えば、半導体ウエハ１と同質材料によるものや、半導体ウエハ１よりも硬質材料によるものが好ましい。具体的には、支持板３としては、例えば、シリコンウエハやガラスウエハ等の半導体ウエハ、ＳＵＳステンレス板、銅板等の金属板、アクリル系樹脂板等のプラスチック板などが挙げられる。

支持板３の形状や大きさなどは、半導体ウエハ１の裏面１ｂに薄型加工処理等の加工や処理を施すことができるものであれば特に制限されないが、図１（Ｃ）で示されるように、半導体ウエハ１と同サイズのものを好適に用いることができる。支持板３の厚みとしては、通常、４００〜８００μｍ程度のものが好ましいが、これに限定されず、４００μｍ未満や８００μｍを超えていてもよい。なお、本発明においては、半導体ウエハの補強は必ずしも支持板で行う必要はなく、半導体ウエハを補強可能な形状及び大きさを有する支持体を用いることができる。

半導体ウエハ１と支持板３の貼り合わせ方法としては、特に限定されないが、貼り合わせ界面に気泡をかみ込まない方法が好ましい。例えば、真空チャンバーなど真空雰囲気下で貼合せを行うことができる真空貼り合わせ装置を用いると、前記界面に気泡をかむのを抑制又は防止できる。

なお、図１（Ｂ）における両面粘着シート２と半導体ウエハ１との位置合わせや、図１（Ｃ）における両面粘着シート２と支持板３との位置合わせは、画像認識装置を利用して行い、正確な位置を認識して、現在の位置関係との差異分を補正することで行うことができる。

次いで、半導体ウエハ１の裏面１ｂに加工及び／又は処理を施す。加工としては、薄型加工などが挙げられ、処理としては、加熱処理（レーザー加熱等）、真空処理（スパッタリング等）、酸やアルカリ溶液を用いた化学処理などが挙げられる。具体的には、例えば、図１（Ｄ）に示されるように、半導体ウエハ１の位置を上下反転し、補強ウエハの支持板３をチャッキングして、半導体ウエハ１の裏面１ｂの薄型加工処理を行う。薄型加工の方法としては、特に制限されず、一般的な工法、例えばバックグラインド工法、エッチング工法などを採用することができる。バックグラインド工法で用いる薄型加工機４としては、研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッドなどが挙げられる。また、エッチング工法は大きくドライ工法とウエット工法に分類されるが、どちらの工法も制限されず行うことができる。特に酸やアルカリ溶液を用いたウエット工法での浸漬方式、スプレーによる塗布方式、回転によるスピン塗布方式においては、従来、半導体ウエハ１の表面１ａを保護するための保護用粘着シートに耐酸性、耐アルカリ性が要求されていたが、本発明では、両面粘着シート２を半導体ウエハ１の表面１ａ側に貼り付け、且つ該両面粘着シート２を支持体３で支持しているため、酸やアルカリ溶液が両面粘着シート２に浸透しにくくなる。このため、両面粘着シート２の基材２ａとして特に耐薬品性を有するものを使用する必要はない。薄型加工は、半導体ウエハが所望の厚さになるまで行うことができる。

薄型加工が完了した補強ウエハは、図１（Ｇ）に示されるダイシング工程に移送されるが、通常、前記グラインド工程からダイシング工程の間に様々な工程（図１（Ｅ））を経る。例えば、薄型加工を施された研削裏面に新たなパターンを形成する場合、レジストを用いたリソグラフ（ネガ型、ポジ型）、エッチング、ＣＶＤなどのスパッタリング、ＰＶＤなど通常のパターン作製工法を制限なく採用できる。但し、支持板３を固定する両面粘着テープ２に熱剥離型粘着シートを使用した場合、熱剥離型粘着剤層中に含まれる熱膨張性微小球の膨張開始温度に合わせて工程の温度を調整する必要がある。

次に、図１（Ｇ）に示されるように、半導体ウエハ１を両面粘着シート２に貼着した状態でダイシングしてチップ形状に個片化する。このダイシング工程は、一般的なダイサーによる機械的な個片化、エッチングなどの化学的個片化など、何れの方法も制限なく採用できる。

最後に、図１（Ｉ）に示されるように、チップ形状に個片化した半導体チップ８の回収を行う。半導体チップ８の回収方法としては、半導体チップ８を破壊することなく回収できる方法であれば特に限定されず、例えば、ピックアップ用コレット７を用いる方法などを採用できる。両面粘着シート２の粘着剤層２ｂ１を熱剥離型粘着剤で構成した場合には、好ましい工法として、（ｉ）加熱吸着コレットにより、ピックアップする半導体チップ８が貼り付いている部分のみを適当な温度まで瞬間的に加熱し、該半導体チップ８をピックアップする方法、（ii）ダイシングが終わった半導体ウエハ１全面をホットプレートなどで任意の温度まで加熱し、半導体チップ８を吸着コレットでピックアップする方法などが挙げられる。

本発明の半導体チップの製造方法１によれば、両面粘着シートを介して半導体ウエハを支持体に固定するので、半導体ウエハの裏面を薄型加工等の加工や各種処理を施す際に、半導体ウエハに反りが生じたりそれに起因して破損するのを抑制できる。また、半導体ウエハを両面粘着テープを介して支持体に貼り合わせることで薄型加工しても十分な強度と剛性が得られるため、薄型加工後の半導体ウエハの取扱いが容易になり、ウエハキャリアによる搬送も可能になり、作業性も向上する。さらに、半導体ウエハと支持板を両面粘着シートで固定した状態で一連の半導体製造プロセスを行うことで、従来行われていたバックグラインドテープの剥離工程やダイシングテープへの貼り合せ工程を経ることなく、半導体チップを製造することができる。このため、バックグラインドやエッチング等により薄型加工が施された半導体ウエハへのストレスを極力低減することができ、半導体チップ回収に至るまで、半導体ウエハ及び半導体チップの破損を著しく抑制できる。

また、両面粘着シートの半導体ウエハに貼り合わせる側の粘着面に熱剥離型粘着剤層を使用すれば、任意の加熱で個片化された半導体チップの回収を確実かつ簡単に行うことができる。その結果、半導体ウエハへの支持体の貼付けおよび取外しに要する工数を考慮しても、作業性は著しく向上する。しかも、半導体ウエハの破損頻度が低下することにより、歩留まりが向上する。

図２は本発明の半導体チップの製造方法２の一例を示す概略工程図である。この図において、（Ｄ）又は（Ｅ）までの工程は前記図１と同様である。次いで、図２（Ｆ）に示されるように、支持板３を半導体ウエハ１から剥離すると共に、図２（Ｈ）及び（Ｊ）に示されるように、上下反転させて、半導体ウエハ１をその裏面１ｂ側が粘着面に接するようにダイシング用粘着シート５にマウントし、支持板３に固定する際に用いられた両面粘着シート２を半導体ウエハ１から剥離する。なお、支持板３は半導体ウエハ１をダイシング用粘着シート５にマウントする前に半導体ウエハ１から剥離してもよく、半導体ウエハ１をダイシング用粘着シート５にマウントした後に半導体ウエハ１から剥離してもよい。図２（Ｈ）において、符号６はダイシングリングである。

支持板３の剥離は、支持板３に貼り合わせられている両面粘着シート２の粘着面となっている粘着剤層２ｂ２の種類に応じた適宜な剥離手段（加熱による剥離手段、エネルギー線照射による剥離手段、ピールによる剥離手段など）を利用できる。

ダイシング用粘着シート５としては、特に制限されないが、例えば、基材５ａの一方の面に粘着剤層５ｂが形成された構成の粘着シートを用いることができる。前記基材５ａとしては特に限定されず公知の基材を使用できる。また、粘着剤層５ｂを形成する粘着剤としては、前記粘着剤層２ｂ１の粘着剤として例示したものを使用できる。粘着剤層５ｂとしては、適宜なときに接着力を低減させることにより、容易に剥離することが可能な粘着剤層（接着力低減型粘着剤層）であることが好ましい。すなわち、半導体ウエハ１をチップ形状に個片化する工程の後に、半導体チップとの接着力を低減させることが可能な構成を有していることが好適である。このように、粘着剤層５ｂが接着力低減型粘着剤層であると、半導体チップの回収時において、半導体チップがダイシング用シート５から極めて剥離しやすい状態となるため、半導体チップを傷つけたり破損することなく容易に回収することができる。

前記接着力低減型粘着剤層を形成する粘着剤（接着力低減型粘着剤）としては、熱剥離型粘着剤（加熱剥離型粘着剤）、エネルギー線硬化型粘着剤などが挙げられるが、粘着剤層５ｂがエネルギー線硬化型粘着剤の場合、半導体チップが薄くて脆弱であると、半導体チップが破損して、回収できなくなったり、製品の歩留まりが低下するという問題がある。これに対し、粘着剤層５ｂが熱剥離型粘着剤であれば、半導体チップ回収の際にダイシング用粘着シート５からの剥離が容易になり、半導体チップが脆弱であっても、その破損を抑制できる。従って、ダイシング用粘着シート５の粘着剤層５ｂは熱剥離型粘着剤層であるのが特に好ましい。

半導体ウエハ１から、両面粘着シート２を剥離する際には、半導体ウエハ１の表面１ａに貼り合わせられている両面粘着シート２の粘着面となっている粘着剤層２ｂ１の種類に応じた適宜な剥離手段（加熱による剥離手段、エネルギー線照射による剥離手段、ピールによる剥離手段など）を利用することにより、両面粘着シート２を半導体ウエハ１から剥離させることができる。本発明の半導体チップの製造方法２では、薄型加工が施された半導体ウエハ１の単離に際して、半導体ウエハ１の薄型加工等の後に、薄型加工等が施された面（裏面１ｂ）をダイシング用粘着シート５にマウントしてから、両面粘着シート２の剥離を行う（マウント剥離方式にて剥離する）ので、半導体ウエハ１からの両面粘着シート２の剥離手段がピールによる剥離手段であっても、半導体ウエハ１を破損することなく、容易に剥離することが可能である。したがって、粘着剤層２ｂ１として通常の粘着剤層（非接着力低減型粘着剤層）を好適に使用できる。

次に、図２（Ｋ）に示されるように、半導体ウエハ１をダイシング用粘着シート５に貼着した状態でダイシングしてチップ形状に個片化する。このダイシング工程は、一般的なダイサーによる機械的な個片化、エッチングなどの化学的個片化など、何れの方法も制限なく採用できる。

最後に、図２（Ｌ）に示されるように、チップ形状に個片化した半導体チップ８の回収を行う。半導体チップ８の回収方法としては、半導体チップ８を破壊することなく回収できる方法であれば特に限定されず、例えば、ピックアップ用コレット７を用いる方法などを採用できる。ダイシング用粘着シート５の粘着剤層５ｂを熱剥離型粘着剤層で構成した場合には、好ましい工法として、（ｉ）加熱吸着コレットにより、ピックアップする半導体チップ８が貼り付いている部分のみを適当な温度まで瞬間的に加熱し、該半導体チップ８をピックアップする方法、（ii）ダイシングが終わった半導体ウエハ１全面をホットプレートなどで任意の温度まで加熱し、半導体チップ８を吸着コレットでピックアップする方法などが挙げられる。

本発明の半導体チップの製造方法２によれば、両面粘着シートを介して半導体ウエハを支持体に固定するので、半導体ウエハの裏面を薄型加工等の加工や各種処理を施す際に、半導体ウエハに反りが生じたりそれに起因して破損するのを抑制できる。また、半導体ウエハを両面粘着テープを介して支持体に貼り合わせることで薄型加工しても十分な強度と剛性が得られるため、薄型加工後の半導体ウエハの取扱いが容易になり、ウエハキャリアによる搬送も可能になり、作業性も向上する。さらに、半導体ウエハと支持板を両面粘着シートで固定した状態で薄型加工等を行うので、従来行われていたバックグラインドテープが不要になり、その剥離工程も省略できる。このため、バックグラインド等により薄型加工等が施された半導体ウエハへのストレスを極力低減することができる。また、半導体ウエハに貼り付けられている両面粘着シートは、マウント剥離方式などの剥離方式により、半導体ウエハから取り除く（剥離する）ことができるので、半導体チップ回収に至るまで、薄型加工等が施された半導体ウエハ及び半導体チップの破損を著しく抑制できる。

また、ダイシング用粘着シートの粘着剤層に熱剥離型粘着剤層を使用すれば、任意の加熱で個片化された半導体チップの回収を確実かつ簡単に行うことができる。しかも、熱剥離手段を利用した熱剥離方式など剥離方式により取り外された支持体（支持ウエハなど）は、再利用することが可能である。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例のみに限定されるものではない。

実施例１
図１に示される工程にしたがって半導体チップを製造した。加熱剥離型両面粘着シート［日東電工（株）製、商品名「リバアルファＮｏ．３１９５Ｍ」］の熱剥離型粘着剤層側の面に半導体ウエハ（厚み７２５μｍ、８インチミラーウエハ）の表面側を貼り合わせ、感圧接着剤層（粘着剤層）側の面にガラスウエハ（厚み７２５μｍ、８インチミラーウエハ；支持体）を貼り合わせ、補強ウエハを作製した。次いで、補強ウエハの半導体ウエハの裏面に対してグラインダーで５０μｍまで研削加工を施した。その後、半導体ウエハを両面粘着シートに貼着した状態で、ダイサーにより２ｍｍ角に個片化し、加熱吸着コレットにて真空吸着により（加熱温度：１５０℃、加熱時間：約１秒、吸着圧力：０．１ＭＰａ）、半導体チップをピックアップした。

比較例１
半導体ウエハ（厚み７２５μｍ、８インチミラーウエハ）の表面側にバックグラインドテープ［日東電工（株）製、商品名「ＲＦ−７２３２ＤＢ」；紫外線硬化型粘着シート］を貼り合わせ、半導体ウエハの裏面に対してグラインダーで５０μｍまで研削加工を施した。次いで、バックグラインドテープにＵＶ照射装置にてＵＶ（紫外線）を７８０ｍＪ／ｃｍ²照射した。その後、マウント剥離方式にて、研削加工を施した半導体ウエハの裏面側をダイシングテープ［日東電工（株）製、商品名「ＤＵ−２００」；紫外線硬化型粘着シート］にマウントし、バックグラインドテープを剥離し、マウントウエハを得た。次に、得られたマウントウエハをダイサーにより２ｍｍ角に個片化し、ＵＶ照射装置にてＵＶ（紫外線）を３８０ｍＪ／ｃｍ²照射した。ＵＶ照射後、ダイボンダーにて半導体チップをピックアップした。

実施例２
図２に示される工程にしたがって半導体チップを製造した。なお、研削加工までは図１の工程にしたがった。加熱剥離型両面粘着シート［日東電工（株）製、商品名「リバアルファＮｏ．３１９５Ｍ」］の感圧接着剤層（粘着剤層）側の面に半導体ウエハ（厚み７２５μｍ、８インチミラーウエハ）の表面側を貼り合わせ、熱剥離型粘着剤層側の面にガラスウエハ（厚み７２５μｍ、８インチミラーウエハ；支持体）を貼り合わせ、補強ウエハを作製した。次いで、補強ウエハの半導体ウエハの裏面に対してグラインダーで５０μｍまで研削加工を施した。その後、両面粘着シートを加熱してガラスウエハを剥離し、両面粘着シートに貼付した半導体ウエハの裏面側をダイシングテープ［日東電工（株）製、商品名「Ｎｏ．３１９５ＭＳ」；加熱剥離型粘着シート］にマウントし、両面粘着シートをピールによって剥離し、マウントウエハを得た。次に、得られたマウントウエハをダイサーにより２ｍｍ角に個片化し、加熱吸着コレットにて真空吸着により（加熱温度：１５０℃、加熱時間：約１秒、吸着圧力：０．１ＭＰａ）、半導体チップをピックアップした。

評価試験
実施例及び比較例において、半導体チップを５０個ピックアップした時、ピックアップ前の半導体ウエハの破損の有無、ピックアップ後の半導体チップの破損の有無を目視観察により調べ、下記の基準で評価した。
（ピックアップ前の半導体ウエハの破損の有無）
○：破損なし。
×：破損あり。
（ピックアップ後の半導体チップの破損の有無）
○：５０個のうち１つも破損していない。
×：５０個のうち１以上が破損している。

また、５０個の半導体チップをピックアップした時、チップを破壊せずピックアップできたチップ数をカウントし、ピックアップ成功率を求めた。以上の結果を表１の各欄に示す。

本発明の半導体チップの製造方法の一例を示す概略工程図である。 本発明の半導体チップの製造方法の他の例を示す概略工程図である。

符号の説明

１ 半導体ウエハ
１ａ 半導体ウエハ１の表面（配線パターン形成面）
１ｂ 半導体ウエハ１の裏面（配線パターン非形成面）
２ 両面粘着シート
２ａ 基材
２ｂ１ 粘着剤層
２ｂ２ 粘着剤層
２ｃ 離型シート
３ 支持板
４ 薄型加工機
５ ダイシング用粘着シート
５ａ 基材
５ｂ 粘着剤層
６ ダイシングリング
７ ピックアップ用コレット
８ 半導体チップ

Claims (6)

1. 両面粘着シートの一方の面を半導体ウエハの表面側に貼り合わせ、他方の面を支持体に貼り合わせる工程（Ｉ）、半導体ウエハの裏面に加工及び／又は処理を施す工程（II）、半導体ウエハを前記両面粘着シートに貼着した状態でダイシングしてチップ形状に個片化する工程（III）、及びチップ形状に個片化した半導体チップを回収する工程（IV）を、この順序で含む半導体チップの製造方法。
2. 両面粘着シートの半導体ウエハに貼り合わせる側の粘着面が、半導体ウエハをチップ形状に個片化する工程の後に、半導体チップとの接着力を低減させることが可能に形成されている請求項１記載の半導体チップの製造方法。
3. 両面粘着シートの半導体ウエハに貼り合わせる側の粘着面となる粘着剤層が、熱剥離型粘着剤層である請求項２記載の半導体チップの製造方法。
4. 両面粘着シートの一方の面を半導体ウエハの表面側に貼り合わせ、他方の面を支持体に貼り合わせる工程（Ｉ）、半導体ウエハの裏面に加工及び／又は処理を施す工程（II）、両面粘着シートに貼着した状態で、半導体ウエハをその裏面側が粘着面に接するようにダイシング用粘着シートにマウントし、前記両面粘着シートを半導体ウエハから剥離する工程（Ｖ）、半導体ウエハを前記ダイシング用粘着シートに貼着した状態でダイシングしてチップ形状に個片化する工程（III′）、及びチップ形状に個片化した半導体チップを回収する工程（IV）を、この順序で含む半導体チップの製造方法。
5. 工程（III′）において、両面粘着シートを半導体ウエハからピールにより剥離する請求項４記載の半導体チップの製造方法。
6. ダイシング用粘着シートとして加熱剥離型粘着シートを用い、工程（IV）において、半導体チップを加熱吸着コレットにより回収する請求項４記載の半導体チップの製造方法。
   

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