JP2005277433A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、LSIのパッケージに係り、特に、LSIチップと略同じ大きさの半導体装置に関するものである。 The present invention relates to an LSI package, and more particularly, to a semiconductor device having substantially the same size as an LSI chip.
従来、この種のパッケージは、μ−BGA、チップサイズパッケージ、CSP等種々の名前で呼ばれ、また色々なタイプのチップサイズパッケージが開発されている。 Conventionally, this type of package is called by various names such as μ-BGA, chip size package, and CSP, and various types of chip size packages have been developed.
このような、第2のチップサイズパッケージについては、例えば、非特許文献1に記載されるものがあった。 Such a second chip size package has been described in Non-Patent Document 1, for example.
図11はかかる従来のチップサイズパッケージがセラミック基板に実装された全体断面図、図12は図11のA部拡大断面図である。 FIG. 11 is an overall cross-sectional view in which such a conventional chip size package is mounted on a ceramic substrate, and FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of part A in FIG.
これらの図に示すように、LSIチップ1のアルミニューム電極2にAuのスタッドバンプ3が形成され、これが2層配線のセラミック基板5にフリップチップボンディングされている。
As shown in these drawings, an
セラミック基板5の上配線層7と下配線層8はビアホール6でつながっている。このセラミック基板5とこのスタッドバンプ3とは、AgPdペースト4で電気的につながり、このAgPdペースト4はこのセラミック基板5のビアホール6と電気的に接続されている。そのLSIチップ1とこのセラミック基板5とは両者間に注入された封止樹脂9で固定されている。このセラミック基板5の裏面にはランド8Aが形成され、ビアホール6と電気的に接続され、さらにこのランド8Aは外部配線に接続される。
The upper wiring layer 7 and the
また、2層のプリント基板にLSIをワイヤボンド後、LSI搭載側をモールドし、パッケージ裏面にエリヤ状に半田バンプを形成する(実装は、この半田バンプにより、基板に直接ハンダ付けする)。
しかしながら、上記した従来の構造ではLSIを配線基板に実装するのに、2多層のセラミック基板を用いるので高価格となる。また、セラミックの膨張係数等の影響を除去するには、セラミックの厚さを0.4mm以下にする必要があり、安定に操作するにはセラミックとしては薄すぎる。 However, the conventional structure described above is expensive because a two-layer ceramic substrate is used to mount the LSI on the wiring board. Further, in order to remove the influence of the expansion coefficient and the like of the ceramic, the thickness of the ceramic needs to be 0.4 mm or less, and it is too thin as a ceramic for stable operation.
また、以下のような問題点を有している。 Moreover, it has the following problems.
(1)プリント基板(上記文献ではエポキシ樹脂)とモールド樹脂間の密着性が悪く、両者の接合面からしばしば剥離が生ずる。 (1) The adhesion between the printed board (epoxy resin in the above document) and the mold resin is poor, and peeling often occurs from the joint surface between the two.
(2)プリント基板とモールド材の熱膨張係数の違いから、リフロー時、パッケージに反りが生じ、信頼性のある搭載が不可能となる。 (2) Due to the difference in thermal expansion coefficient between the printed circuit board and the mold material, the package is warped during reflow, and reliable mounting becomes impossible.
(3)2層のプリント基板を配線基板に実装することになるので、価格が割高となる。 (3) Since the two-layer printed board is mounted on the wiring board, the price is high.
(4)モールド用の金型が必要であり、しかも、モールド材に離型剤の添加が必要である(モールド樹脂と基板、配線金属等の密着が悪くなる)。 (4) A mold for molding is required, and a mold release agent needs to be added to the molding material (adhesion between the mold resin and the substrate, wiring metal, etc. becomes worse).
(5)放熱が良くない。 (5) The heat dissipation is not good.
(6)プリント基板(文献ではエポキシ樹脂)を用いるので、プリント基板の耐熱性を超える用途には用いられない。 (6) Since a printed board (epoxy resin in the literature) is used, it is not used for applications exceeding the heat resistance of the printed board.
など、多数の問題点があり、ファインピッチQFPの未達分野をフォローする技術と称せられながら、その一般的な実用化が今なお危ぶまれている。 There are a number of problems such as these, and while it is called a technology that follows the unachieved field of fine pitch QFP, its general practical use is still in danger.
本発明は、上記問題点を除去し、単層配線板を用い、構造が簡素化され、価格を低く抑えることができる半導体装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a semiconductor device that eliminates the above-described problems, uses a single-layer wiring board, has a simplified structure, and can keep the price low.
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕半導体装置において、第1の表面と前記第1の表面と反対側の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前記第2の表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前記第1の表面上に形成された金属配線と、前記金属配線に接続された複数のバンプ電極を備えるとともに前記樹脂基板の前記第1の表面上の前記貫通孔に対応する領域上に搭載された半導体チップと、前記バンプ電極と接続される領域を除く前記金属配線を覆う絶縁シートと、前記樹脂基板の前記第2の表面側に形成され、前記貫通孔内に露出する前記金属配線に接続された半田ボールと、を含むことを特徴とする半導体装置。
In order to achieve the above object, the present invention provides
[1] A semiconductor device includes a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a through-hole penetrating the first surface and the second surface is provided. The resin substrate, a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate so as to partially cover the through hole, and a plurality of bump electrodes connected to the metal wiring. A semiconductor chip mounted on a region corresponding to the through hole on the first surface, an insulating sheet covering the metal wiring excluding a region connected to the bump electrode, and the second of the resin substrate And a solder ball connected to the metal wiring exposed in the through hole.
〔2〕上記〔1〕記載の半導体装置において、前記金属配線の前記貫通孔に対応する部分は前記樹脂基板における前記半導体チップの搭載された領域内に位置することを特徴とする。 [2] In the semiconductor device according to [1], a portion of the metal wiring corresponding to the through hole is located in a region of the resin substrate where the semiconductor chip is mounted.
〔3〕上記〔1〕記載の半導体装置において、前記金属配線の前記バンプ電極と接続される部分は、前記樹脂基板の周辺近傍に配置されることを特徴とする。 [3] In the semiconductor device according to [1], a portion of the metal wiring connected to the bump electrode is disposed in the vicinity of the periphery of the resin substrate.
〔4〕上記〔1〕記載の半導体装置において、前記樹脂基板は前記半導体チップと略同形状であることを特徴とする。 [4] The semiconductor device according to [1], wherein the resin substrate has substantially the same shape as the semiconductor chip.
〔5〕半導体装置において、第1の表面と前記第1の表面と反対側の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前記第2の表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、前記樹脂基板の前記第1の表面上に形成され、一部が前記貫通孔を介して前記樹脂基板の前記第2の表面側に突出するように折り曲げられている金属配線と、前記第1の表面上の前記金属配線に接続された複数のバンプ電極を備えるとともに前記樹脂基板の前記第1の表面側に搭載された半導体チップと、を含むことを特徴とする半導体装置。 [5] In the semiconductor device, the first surface and a second surface opposite to the first surface are provided, and a through-hole penetrating the first surface and the second surface is provided. And a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate and bent so that a part protrudes to the second surface side of the resin substrate through the through hole. A semiconductor device comprising: a plurality of bump electrodes connected to the metal wiring on the first surface; and a semiconductor chip mounted on the first surface side of the resin substrate.
〔6〕上記〔5〕記載の半導体装置において、前記金属配線の前記貫通孔に対応する部分は前記樹脂基板における前記半導体チップの搭載された領域内に位置することを特徴とする。 [6] The semiconductor device according to [5], wherein a portion of the metal wiring corresponding to the through hole is located in a region of the resin substrate where the semiconductor chip is mounted.
〔7〕上記〔6〕記載の半導体装置において、前記金属配線の前記バンプ電極と接続される部分は、前記樹脂基板の周辺近傍に配置されることを特徴とする。 [7] The semiconductor device according to [6], wherein a portion of the metal wiring connected to the bump electrode is disposed in the vicinity of the periphery of the resin substrate.
〔8〕半導体装置において、第1の表面と前記第1の表面と反対側の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前記第2の表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前記第1の表面上に形成された金属配線と、前記金属配線の前記貫通孔に対応する領域上に設けられた絶縁シートと、前記絶縁シートの前記貫通孔に対応する領域上に搭載され、前記金属配線の前記絶縁シートから露出する部分に電気的に接続された複数の電極を有する半導体チップと、前記樹脂基板の前記第1の表面の一部を露出するように前記半導体チップを封止する封止樹脂と、前記樹脂基板の前記第2の表面側に形成され、前記貫通孔内に露出する前記金属配線に接続された半田ボールと、を含むことを特徴とする。 [8] In the semiconductor device, the first surface and a second surface opposite to the first surface are provided, and a through-hole penetrating the first surface and the second surface is provided. A resin substrate, a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate so as to partially cover the through-hole, and an insulation provided on a region corresponding to the through-hole of the metal wiring A sheet, a semiconductor chip mounted on a region corresponding to the through hole of the insulating sheet, and having a plurality of electrodes electrically connected to a portion of the metal wiring exposed from the insulating sheet; and the resin substrate A sealing resin for sealing the semiconductor chip so as to expose a part of the first surface, and the metal wiring formed on the second surface side of the resin substrate and exposed in the through hole And connected solder balls.
〔9〕上記〔8〕記載の半導体装置において、前記樹脂基板は単層基板であることを特徴とする。 [9] The semiconductor device according to [8], wherein the resin substrate is a single layer substrate.
〔10〕上記〔8〕又は〔9〕記載の半導体装置において、前記樹脂基板はガラスエポキシ基板であることを特徴とする。 [10] The semiconductor device according to [8] or [9], wherein the resin substrate is a glass epoxy substrate.
〔11〕上記〔8〕又は〔9〕記載の半導体装置において、前記樹脂基板はポリイミドフィルムであることを特徴とする。 [11] The semiconductor device according to [8] or [9], wherein the resin substrate is a polyimide film.
〔12〕上記〔9〕から〔11〕のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記半導体チップの前記電極は、ワイヤを介して前記金属配線に接続されることを特徴とする半導体装置。 [12] The semiconductor device according to any one of [9] to [11], wherein the electrode of the semiconductor chip is connected to the metal wiring through a wire.
本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。 According to the present invention, the following effects can be achieved.
(1)LSIにバンプを形成することなくパッケージを作製することが可能であり、しかも単層配線板を用いるので価格を低く抑えることができる。 (1) A package can be manufactured without forming bumps on an LSI, and a single-layer wiring board is used, so that the price can be kept low.
また、単層配線板にLSIを実装し、パッケージを作製するようにしたので、小型化を図るとともに、価格を低く抑えることができる。 In addition, since the LSI is mounted on the single-layer wiring board and the package is manufactured, the size can be reduced and the price can be kept low.
(2)LSIの周辺に端子を形成するようにしたので、上記(1)の構成に加え、端子間の間隔を十分にとり、確実な接続を行うことができる。 (2) Since the terminals are formed in the periphery of the LSI, in addition to the configuration of (1), a sufficient space can be secured between the terminals to ensure reliable connection.
(3)単層配線板に形成されるバンプをLSIの面積内に配置するようにしたので、上記(1)の構成に加え、集積度を高め、小型化を図ることができる。 (3) Since the bumps formed on the single-layer wiring board are arranged within the area of the LSI, in addition to the configuration of (1), the degree of integration can be increased and the size can be reduced.
(4)略LSIの面積を有する単層配線板にLSIを実装し、パッケージを作製するようにしたので、小型化を図るとともに、価格を低く抑えることができる。 (4) Since the LSI is mounted on the single-layer wiring board having a substantially LSI area and the package is manufactured, the size can be reduced and the price can be kept low.
(5)前記単層配線基板の開口から金属配線板の先端または途中部分が突出した電極部を形成するようにしたので、集積度を高めるとともに、低価格のチップサイズパッケージを得ることができる。 (5) Since the electrode part in which the tip or middle part of the metal wiring board protrudes from the opening of the single-layer wiring board is formed, the degree of integration can be increased and a low-cost chip size package can be obtained.
また、半田ボールを使用しないので接続部に傷がつき難い。実装前の素子評価にも便利である。 Further, since no solder ball is used, the connection portion is hardly damaged. It is convenient for device evaluation before mounting.
(6)簡単な工程で、多くの小型パッケージを低価格で製造することができる。 (6) Many small packages can be manufactured at a low cost by a simple process.
(7)従来のプリント基板を用いることなく、小型パッケージ(BGA)を得ることができる。 (7) A small package (BGA) can be obtained without using a conventional printed circuit board.
(8)プリント基板を用いないので、エポキシ樹脂と基板との剥離の心配が無い。いわゆる、モールド用の金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を入れる必要がなく、しかも、金属とエポキシ樹脂との接着を良くするカップリング剤を十分に用いることができる。 (8) Since a printed circuit board is not used, there is no worry about peeling between the epoxy resin and the circuit board. Since a so-called mold is not used, it is not necessary to add a release agent to the epoxy resin, and a coupling agent that improves the adhesion between the metal and the epoxy resin can be sufficiently used.
従って、樹脂と金属、樹脂とLSIとの接続を確かなものにでき、信頼性の高い小型パッケージを得ることができる。 Therefore, the connection between the resin and the metal and the resin and the LSI can be ensured, and a highly reliable small package can be obtained.
LSIのパッドからのワイヤを通った信号は、直接接続用の半田ボールに至るので、接続距離を短くでき、電気特性の良好な小型パッケージを得ることができる。 Since the signal passing through the wire from the LSI pad reaches the solder ball for direct connection, the connection distance can be shortened and a small package with good electrical characteristics can be obtained.
工数が少なく、材料も少ないので低価格のパッケージを得ることができる。 Since the number of man-hours is small and the materials are small, a low-priced package can be obtained.
モールド用の金型が不要なので初期投資が少ない。 Less initial investment because no mold is required.
更に、樹脂の硬化時、既に金属片が形成されているので、樹脂と金属との熱膨張係数の違いによる応力の発生は極めて小さい。 Furthermore, since the metal piece has already been formed when the resin is cured, the occurrence of stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the resin and the metal is extremely small.
本発明の半導体装置は、第1の表面と前記第1の表面と反対側の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前記第2の表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前記第1の表面上に形成された金属配線と、前記金属配線に接続された複数のバンプ電極を備えるとともに前記樹脂基板の前記第1の表面上の前記貫通孔に対応する領域上に搭載された半導体チップと、前記バンプ電極と接続される領域を除く前記金属配線を覆う絶縁シートと、前記樹脂基板の前記第2の表面側に形成され、前記貫通孔内に露出する前記金属配線に接続された半田ボールと、を含む。 The semiconductor device of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a through-hole penetrating the first surface and the second surface is provided. The resin substrate, a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate so as to partially cover the through hole, and a plurality of bump electrodes connected to the metal wiring. A semiconductor chip mounted on a region corresponding to the through hole on the first surface, an insulating sheet covering the metal wiring excluding a region connected to the bump electrode, and the second of the resin substrate And a solder ball connected to the metal wiring exposed in the through hole.
以下、本発明の実施例について図を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は本発明の第1実施例を示すLSIを実装するための単層の樹脂基板の平面図、図2は図1のA−A′断面図、図3はその樹脂基板を有する小型パッケージの断面図である。 1 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a small package having the resin substrate. FIG.
ここで、LSIを実装するために、例えば、単層の樹脂基板を用いる。必ずしも樹脂に限定するものではないが、樹脂基板が現在のところ低価格であり望ましい。 Here, in order to mount the LSI, for example, a single-layer resin substrate is used. Although not necessarily limited to resin, resin substrates are currently inexpensive and desirable.
図1において、100は配線層を支える樹脂基板であり、ポリイミドフィルム、ガラスエポキシ基板が用いられる。ポリイミドフィルムの場合、50μm前後の厚さが一般的である。ガラスエポキシ基板の場合は、通常のプリント基板を用いることができる。
In FIG. 1,
101,102,103,…,108は、LSIの各電極とワイヤボンディングにより電気的に接続される銅配線板であり(必ずしも銅である必要はない)、略35μm位の厚さがよく用いられる。101はランド111につながり、102はランド112につながり、103はランド113につながる。他も同様である。
101, 102, 103,..., 108 are copper wiring boards electrically connected to the respective LSI electrodes by wire bonding (not necessarily copper), and a thickness of about 35 μm is often used. . 101 is connected to the
ランド111内に点線で示された121は、樹脂基板100の樹脂部に形成された穴である(従って、銅のランド111は樹脂基板100の裏面に露出している)。
121 indicated by a dotted line in the
穴122,穴123,…,128も同様であり、樹脂基板100の裏面に露出している。130はリードフレームにおけるダイパッドに相当する。このように、樹脂基板100に銅配線板101,102,103,…,108、ランド111,112,113,…,118、ダイパッド130、そして、ダイパッド130には開口131等が形成されている。
The
本実施例に用いる樹脂基板をよりよく理解するため、図2に示すように、ダイパッド(金属板、例えば銅板)130の直下も樹脂が削除され開口131が形成されている。この穴131の形成は、本発明においては必ずしも必要ではない。
In order to better understand the resin substrate used in this embodiment, as shown in FIG. 2, the resin is also removed just below the die pad (metal plate, for example, copper plate) 130 to form an
この様にして準備された樹脂基板100のダイパッド130に、図3に示すように、LSI140をダイスボンディングし、さらにLSI140の各電極から銅配線板101,102,103,…,108にワイヤボンディングを行う。次に、LSI140,ワイヤ141,142等を保護するためモールド樹脂143でモールドを行う。
As shown in FIG. 3,
最後に、極通常の手法により半田ボール152,153を穴121,122,123,124,…,128の露出面に設置して一個のパッケージとする。このLSIが放熱を特に必要とする場合は、ダイパッド130の裏面にも半田等のダイバッド(金属)151を設置し、配線基板に熱的に接続させ放熱効果をあげることができる。
Finally, the
図3において、モールド樹脂143を用いてモールドするが、その場合、全面にモールドする場合もある。いわゆる、ポッティング剤をポッティングするのみでもよい。141はLSI140の電極から銅配線板104にボンディングされたワイヤであり、142はLSI140の電極から銅配線板108にボンディングされたワイヤである。
In FIG. 3, the
そして、半田ボール152はランド114に、半田ボール153はランド118に接続されている。
The
図4は本発明の第2実施例を示すLSIを実装するための単層の樹脂基板の平面図、図5はその樹脂基板にLSIを実装した小型パッケージの断面(図4のB−B′線に対応する断面)図である。以下、第1実施例と同じ部分の説明は省略する。 4 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of a small package in which the LSI is mounted on the resin substrate (BB ′ in FIG. 4). FIG. 6 is a cross-sectional view corresponding to a line. Hereinafter, the description of the same part as the first embodiment is omitted.
上記第1実施例では配線基板に接続するための半田ボール152,153は、LSI140の周囲に存在した。しかし、よりパッケージの寸法を小さくするため第2実施例では、その半田ボールのほとんどをLSIの直下に設置する。
In the first embodiment, the
これらの図に示すように、銅配線板201の先端にあるランド211,214,218はLSI240の直下に存在する。221,224,228はランド211における樹脂にあけられた穴である(第1実施例と同様である)。銅配線板202は本実施例では、LSI240の直下にはない。銅配線板204に連なるランド214は直下に存在する。以下同様である。図4の一点破線231は銅配線板201,203,204,205,207,208の上に塗布された絶縁シートである。
As shown in these drawings, the
この基板の絶縁シート231にLSI240のダイスボンドを行い、次にワイヤボンド、モールド樹脂243を被着した後、樹脂基板200の樹脂側(本発明では裏面と記載)から穴228,224に半田ボール238,234を配置する。なお、図5において、241、242はワイヤである。
After the
図6は本発明の第3実施例を示すLSIを実装するための単層の樹脂基板の平面図、図7はその樹脂基板にLSIを実装した小型パッケージの断面(図6のC−C′線断面)図である。 FIG. 6 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view of a small package in which the LSI is mounted on the resin substrate (CC ′ in FIG. FIG.
この実施例では搭載するLSIにバンプを形成し、フリップチップ方式により基板にひとまず実装し、チップサイズパッケージとし、次に、そのチップサイズパッケージを回路基板に実装する形態をとる。 In this embodiment, bumps are formed on an LSI to be mounted, and are first mounted on a substrate by a flip chip method to form a chip size package, and then the chip size package is mounted on a circuit board.
図6において、既に述べた様に300は樹脂基板であり、例えば、絶縁層に金属板を張り付け、この金属板を所望の形状にエッチング等により加工形成したものである。点線で囲った部分にLSI350が搭載される。301,302,303,304,…308は加工形成された銅等による金属配線板で、この部分にLSI350の各電極からワイヤがボンドされる。
In FIG. 6,
311,312,313,314,…318は、それぞれ金属配線板301,302,303,304,…308と電気的に連なったランドであり、点線350の内側に設置されている。321,322,323,324,…328は各ランド311,312,313,314,…318の部分に絶縁層のみに形成された穴でありLSIの搭載されない側には銅板が露出している。
.., 318 are lands electrically connected to the
一点破線341はこの基板に接着された絶縁シートであり、ランド311,312,313,314,…318の内側に存在する様に設置される。
A one-dot
このような基板にLSI350をフリップチップ実装した状態が図7に示されており、図6のC−C′線に沿う断面図である。図において、344、348はLSI350に形成された半田ボールであり、穴324,328の部分に半田ボール334,338が設置されている。必要に応じて樹脂モールドする。
FIG. 7 shows a state in which the
次に、本発明の第4実施例について説明する。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
この第4実施例では本発明のチップサイズパッケージと外部回路との電気接続に半田ボール等は使用せずパッケージの配線板の一部を加工して接続端子とする手法について説明する。 In the fourth embodiment, a method will be described in which a solder ball or the like is not used for electrical connection between the chip size package of the present invention and an external circuit, and a part of the wiring board of the package is processed to form a connection terminal.
図8は本発明の第4実施例を示すLSIを実装するための単層の樹脂基板の平面図、図9は図8のD−D′断面図、図10はその樹脂基板を有する小型パッケージの断面図である。 8 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 9 is a sectional view taken along the line DD 'of FIG. 8, and FIG. 10 is a small package having the resin substrate. FIG.
これらの図に示すように、400は配線板を支える絶縁基板、配線板401,402,403,…408等にLSIが接続される。421,422,423,424,…428は絶縁板に形成された穴である。411は配線板401に連なり外部回路と接続する端子である。414は配線板404に連なり外部基板と接続する端子である。同様に、418は配線板408に連なり外部回路に接続する端子である。
As shown in these figures,
端子411は穴421の場所で宙に浮いている。端子414は穴424の場所で宙に浮いている。端子418は穴428で宙に浮いている。他も同様である。この様な構造は通常の技術で容易に作製できる。例えば、穴を予め形成した絶縁基板に金属板を張り付け、これを表面からエッチングすればよい。
The terminal 411 floats in the air at the
次に、宙に浮いたこれら端子を加工する。この加工も通常の手段で容易に実現できる。端子414,418は外部回路と接続し易いように変形している。
Next, these terminals floating in the air are processed. This processing can also be easily realized by ordinary means. The
LSIを接続した状態が図10に示されているが、要部を明確にするために、絶縁シートやモールド樹脂は図示されておらず、省略されている。 FIG. 10 shows a state where the LSI is connected, but in order to clarify the main part, the insulating sheet and the mold resin are not shown and are omitted.
また、454,458はLSI450に形成されたバンプであり、配線板404,408に接続されている。
さらに、以下のような利用形態をとることができる。 Furthermore, the following usage forms can be taken.
(1)上記実施例では説明を容易にするため(樹脂)基板にLSIを一個搭載した例を説明したが、複数個搭載することも可能であり、また同時にチップ部品等を搭載することも可能である。 (1) In the above embodiment, an example in which one LSI is mounted on a (resin) substrate has been described for ease of explanation. However, it is possible to mount a plurality of LSIs, and it is also possible to mount chip parts and the like at the same time. It is.
(2)LSI、チップ部品群を複数個基板に搭載後、それぞれを工程の途中、または最後に切り離すようにしてもよい。 (2) After mounting a plurality of LSI and chip component groups on a substrate, each may be cut off during or at the end of the process.
(3)半田ボールを設置する場合は、半田レジストの記述は行わなかったが、基板の絶縁層部分にレジスト層の役目を兼ねさせたためであり、改めて半田レジスト層を塗布するようにしてもよい。 (3) When the solder balls are installed, the description of the solder resist is not performed, but it is because the insulating layer portion of the substrate also serves as the resist layer, and the solder resist layer may be applied again. .
(4)第2実施例において、絶縁シートを用いた。この絶縁シートはLSIをダイスボンドするときの接着剤で代用することができる。 (4) In the second embodiment, an insulating sheet was used. This insulating sheet can be substituted with an adhesive for die bonding LSI.
(5)第3実施例においては、バンプを用いたが、そのバンプは金、銅等の場合、鉛−錫半田の場合等がある。また、絶縁シートはバンプが接続時溶融して流出するのを防ぐ半田ダムの役割を持たせるもので、金、銅等を用いた場合は特に必要としなかった。 (5) In the third embodiment, bumps are used, but the bumps may be gold, copper or the like, or lead-tin solder. In addition, the insulating sheet has a role of a solder dam that prevents the bump from melting and flowing out at the time of connection, and was not particularly necessary when gold, copper, or the like was used.
(6)第4実施例においては、LSIがフリップチップ実装されているが、この実装方法に限ったものではなく、ワイヤボンド実装等他の実装方法によってもよい。また、外部回路との接続場所が常にLSI直下にある必要はない。 (6) In the fourth embodiment, the LSI is flip-chip mounted, but is not limited to this mounting method, and may be another mounting method such as wire bond mounting. Further, the connection place with the external circuit does not always have to be directly under the LSI.
更に、単層配線基板の配線の先端部分を加工して接続端子とする説明を行ったが、必ずしも先端で有る必要はなく、途中部分を開口(スルーホール)上に浮かし、これを加工するようにしてもよい。 Furthermore, although the explanation has been made that the tip portion of the wiring of the single-layer wiring board is processed into the connection terminal, it is not always necessary to be at the tip, and the middle portion is floated on the opening (through hole) and processed. It may be.
次に、本発明の第5実施例について説明する。 Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
図13〜図18は本発明の第5実施例を示す構成図であり、図13は本発明の第5実施例を示すLSIの実装基板を示す斜視図、図14は図13のE−E′線断面図、図15はそのLSIの実装基板の平面図、図16は本発明の第5実施例を示す小型パッケージの製造工程断面図である。 FIGS. 13 to 18 are block diagrams showing a fifth embodiment of the present invention. FIG. 13 is a perspective view showing an LSI mounting board according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. FIG. 15 is a plan view of the LSI mounting substrate, and FIG. 16 is a sectional view of a manufacturing process of a small package showing a fifth embodiment of the present invention.
図13において、500は金属基板、例えばコバール板または銅板であり、30〜100μm厚である。この金属基板500にLSI511,512,513,514,515,516,…を規則正しくダイスボンドする。例えば、LSI511とLSI512との間隔L1 、LSI511とLSI514との間隔L2 は既知である。お互いの角度も既知である。501,502…はボンディングを行う場合の基準孔である。基準孔501,502…と各LSIとの位置関係は既知である。
In FIG. 13,
また、521,522,523,…,531,536は、LSI511の各々のパッド(電極)から金属基板500に張られたワイヤである。これらは通常のワイヤボンドによるものである。同様に、541,542,543,…,556はLSI512の各パッドと金属基板500をつなぐワイヤ、561,…563,…,571はLSI514から金属基板500にボンドされたワイヤである。
In addition, 521, 522, 523,..., 531, 536 are wires stretched from the respective pads (electrodes) of the
点線で示された円部610は金属基板500における位置を示すもので、円部610にワイヤ521が接続される。同様に円部611にワイヤ522が接続され、円部612にワイヤ523が接続される。円部631にはワイヤ563が、円部632にはワイヤ571が接続されている。各円部はその位置が既知である。
A
上記したように、金属基板500にLSIがダイスボンド、ワイヤボンドされた後、全面に樹脂(ここでは、エポキシ樹脂)を被着した。図14において、650は樹脂であり、この樹脂650を押圧しつつ加熱硬化させた。
As described above, after the LSI was die-bonded and wire-bonded to the
この工程では金属基板500をホットプレスにセットし、その表面からプレスを行った(この工程は理解が容易であるので図示していない)。
In this step, the
なお、今回はモールド金型は用いないので、樹脂650と金属基板500、樹脂650とLSI511,512,513,…との密着を良くするための、カップリング剤を十分に活用することができた。また、樹脂650に離型剤は添加しなかった。
In addition, since a mold is not used this time, a coupling agent for improving the adhesion between the
金属の種類、特にその熱膨張係数、厚さ、寸法により樹脂との間で応力が許容値以上の値で発生し、好ましくない状態が生ずることがある。予め金属基板500を切断し、樹脂の収縮を許容する方法も有効であった。
Depending on the type of metal, particularly its thermal expansion coefficient, thickness, and dimensions, stress may occur between the resin and the allowable value, which may lead to undesirable conditions. A method of cutting the
ホットプレスと樹脂650との間には、プレス時に薄いエポキシ製のシートを挿入し、シートが樹脂650と接着した状態の時はシートはそのままにし、剥離作業は行わなかった。
A thin epoxy sheet was inserted between the hot press and the
プレスに際しては金属基板500とプレス板間にスペーサーを入れ、圧力15kg/cm2 、温度80℃で加圧時間1時間にわたって硬化した。スペーサーの寸法により樹脂の厚さをコントロールでき、また加圧硬化させることにより、LSI等の存在による表面の凹凸も発生していなかった。
During the pressing, a spacer was inserted between the
次に、金属基板500を所望の形状にエッチングすることを試みた。金属基板500は通常の金属を用いているので、そのエッチング加工は既存の技術を用いることができた。例えば、金属基板500の表面にドライフィルムを被着し、マスクを用いて現像後、エッチング液で不要な部分を除去する。位置合わせは基準孔501,502…等を用いた。金属基板500が銅の場合は、塩化鉄、塩化錫等による良好なエッチング液が開発されている。コバール等他の金属についても同様である。
Next, an attempt was made to etch the
図15はエッチング終了後の金属基板である。511Aはその裏面に図1のLSI511が搭載された部分であり、リードフレームのダイパッドに相当し、図13ではLSI511の周辺に点線でその位置が示されている。512A,513A,…等についても同様である。
FIG. 15 shows the metal substrate after etching.
また、円部610の裏面にはワイヤ521(図13参照)がつながっている。円部611の裏面にはワイヤ522(図13参照)がつながっている。他の円部についても同様である。
A wire 521 (see FIG. 13) is connected to the back surface of the
図16は金属基板のエッチング後の工程断面図である。つまり、図13のA−A′線に沿った断面図である。 FIG. 16 is a process cross-sectional view after etching the metal substrate. That is, it is a cross-sectional view along the line AA ′ of FIG.
まず、図16(a)に示すように、LSI511,514は樹脂650で封止されている。
First, as shown in FIG. 16A, the
次に、図16(b)に示すように、上記した全ての円部に半田ボールを接続するために、これら円部の接続場所以外の部分に半田レジスト701をコーティングする。 Next, as shown in FIG. 16B, in order to connect the solder balls to all the circular portions described above, a solder resist 701 is coated on the portions other than the connection portions of these circular portions.
次いで、図16(c)に示すように、通常の半田ボール形成方法により、半田ボール702,703を形成した後、最後の工程として図15に示した一点破線C1,C3,…,C2,C4,C6,C8,…に沿ってカッティングを行う。
Next, as shown in FIG. 16 (c), after forming
次に、LSIの放熱を良好にするため、図16(d)に示すように、511A,512A、513A,…にも半田等を被着し、基板との熱的接触を改良することも可能である。ここでは、熱伝導良好材704を半田ボールとともに具備した状況を示す。
Next, in order to improve the heat radiation of the LSI, as shown in FIG. 16 (d), it is also possible to improve the thermal contact with the substrate by applying solder or the like to 511A, 512A, 513A,. It is. Here, a situation in which the heat conduction
図17は本発明の第6実施例を示すLSIの実装基板の平面図である。 FIG. 17 is a plan view of an LSI mounting board according to the sixth embodiment of the present invention.
図17において、1000は支持体であり、これに金属片(矩形部)1210,1220,1230,1240,1250,1260、また、金属片(円部)1010、1020、…1050,…が設置されている。作り方の一例として、1000は支持体としての接着剤を塗布したカプトンテープであり、これに金属基板を張り付けた後エッチングにより図に示すような金属片の配置を得る。
In FIG. 17, 1000 is a support, on which metal pieces (rectangular parts) 1210, 1220, 1230, 1240, 1250, 1260 and metal pieces (circular parts) 1010, 1020,... 1050,. ing. As an example of the manufacturing method,
次いで、金属片1210にLSIを図15と同じ様にダイボンドしたLSIのパット(電極)から金属片1010,1020,…,1050…に各々ワイヤボンドを行う。金属片1220、1230、…についても同様である。
Next, wire bonding is performed to the
更に、エポキシ樹脂を全面に十分に被着後、既に第1実施例で述べたように、ホットプレスにより押圧、加熱しつつ硬化させる。次に、同じように、第5実施例で示したように、半田レジストの塗布、半田ボールの設置を行いその後、図17に一点破線で示したC1,C3,C5,…,C2,C4,C6,C8等の位置をカッティングする。 Further, after sufficiently covering the entire surface of the epoxy resin, as already described in the first embodiment, it is cured by pressing and heating with a hot press. Next, similarly, as shown in the fifth embodiment, the solder resist is applied and the solder balls are installed, and thereafter, C1, C3, C5,. Cutting positions such as C6 and C8.
図18は本発明の第7実施例を示すLSIの実装基板の平面図、図19は図18のF−F′線断面図である。ここでは、図18に即して説明するが、他の小型パッケージ領域においても同様である。この実施例では金属片が配線の役目も担うものである。 18 is a plan view of an LSI mounting board according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a cross-sectional view taken along line FF ′ of FIG. Here, description will be made with reference to FIG. 18, but the same applies to other small package regions. In this embodiment, the metal piece also serves as a wiring.
この図において、金属片4030にはLSIのパッドからのワイヤがボンドされるが金属片4030の裏面には半田ボールは設置されない。金属片4030はこれに連なる配線4031を経て金属片4032に達する。配線4031はLSIの直下を通過する。この金属片4032の裏面に実装用の半田ボールが形成される。
In this figure, a wire from an LSI pad is bonded to the
また、金属片4060にもLSIのパッドからのワイヤがボンドされるが配線4061を通って金属片4062に達し、この金属片4062の裏面に半田ボールが形成される。同様に、金属片4110にワイヤは接続されるが、金属片4110の裏面に半田ボールは形成されず、これに連なる配線4111を通って金属片4112に達し、この金属片4112の裏面に半田ボールが設置される。
Further, a wire from the LSI pad is also bonded to the
ここで、金属片の形状を得る作業はLSIの実装前であっても、樹脂の硬化後であってもよい。LSIの固定のためには、配線4111,4031等の幅を広く設計することも可能であるし、電気的につながっていない金属片を4210′,4220′,…の領域に相当する場所に設置しても良い(図示なし)。
Here, the work of obtaining the shape of the metal piece may be before the LSI is mounted or after the resin is cured. In order to fix the LSI, the
図19の断面においては、4100は半田レジスト、4406,4416はワイヤ、4514はLSI、4650はモールド樹脂である。 19, 4100 is a solder resist, 4406 and 4416 are wires, 4514 is an LSI, and 4650 is a mold resin.
エポキシ樹脂モールド、半田マスクの塗布、半田ボールの設置、樹脂のカッティング等は第5実施例及び第6実施例と全く同じである。全工程終了後における図18のF−F′線に相当する場所の要部断面を図19に示す。図19において4060、4061は半田ボールである。
The epoxy resin mold, the application of the solder mask, the installation of the solder balls, the cutting of the resin, etc. are exactly the same as in the fifth and sixth embodiments. FIG. 19 shows a cross-section of the main part at a location corresponding to the line FF ′ in FIG. 18 after the completion of all the steps. In FIG. 19,
図20〜図22は本発明の第8実施例を示す構成図であり、図20はそのLSIの実装基板の斜視図、図21は図20の裏面図、図22は図20のG−G′線断面図である。 20 to 22 are configuration diagrams showing an eighth embodiment of the present invention. FIG. 20 is a perspective view of the LSI mounting board, FIG. 21 is a rear view of FIG. 20, and FIG. FIG.
この実施例では、いわゆるマルチチップモジュール方式について説明する。 In this embodiment, a so-called multichip module system will be described.
BGAに搭載するのは、LSI4020とLSI4030、チップ部品4040であり多層配線4500を含んでいる。
The
この実施例の工程では、LSI4020とLSI4030、チップ部品4040を金属板4010の所定の場所にダイスボンドする(金属板4010は第5実施例におけるものと同様であるので、本実施例では図示しない)。ダイスボンドは、図20に示すように行う。ただし、この工程では基板は4010であり、図の様な配線パターンは、まだ、形成されていない。形成されるとして実装の作業を行う。このダイスボンドの工程は全く通常の接続技術で行える。
In the process of this embodiment, the
次に、LSI4020とLSI4030の各パッドから金属板4011に所定の場所にそれぞれワイヤボンドする。本ワイヤボンドの要領は第5実施例と同じである。また、多層配線部4500をボンディング技術等で形成する。
Next, wire bonding is performed from the pads of the
LSI、チップ部品及びワイヤの各々のボンディングの順序はこだわらない。 The order of bonding of LSI, chip parts, and wires is not particular.
これらLSI4020とLSI4030、チップ部品4040、多層配線4500、ボンディングされた多数のワイヤの群を、図20に示すように、規則正しく金属板4010に形成していく。
These
次に、第5実施例のように、全面にエポキシ樹脂4650を被着し、ホットプレスで加熱、押圧してエポキシ樹脂を硬化させる。さらに、金属板4010の露出している側から、これも、第5実施例と同じ工程でエッチング加工する。エッチング加工後を図21に示す。
Next, as in the fifth embodiment, an
図21において、4071、4072の反対側の面にはLSI4020、4030が接続されている。4040はチップ部品である。その他基板4010がエッチング加工されて、金属片4401,4402,4403,4404,4405,4406,…になる。
In FIG. 21,
このBGAでは、接続用の半田ボールは完成後のモジュールの両端に設置するとした。この方針に基づいて、既成の手法で半田用レジストを塗布し、次に半田ボールを設置した。さらに、図20の一点破線C1,C3,C5,…,C2,C4,C6,C8…に沿ってカッティングを行った。 In this BGA, the solder balls for connection are installed at both ends of the completed module. Based on this policy, a soldering resist was applied by an established method, and then solder balls were installed. Further, cutting was performed along the dashed lines C1, C3, C5,..., C2, C4, C6, C8.
図22に示すように、カッティングされた小型パッケージには、半田ボール4031,4033、半田レジスト4100が形成されている。
As shown in FIG. 22,
図23は本発明の第9実施例を示すLSIの実装基板の平面図、図24は本発明の第9実施例を示す小型パッケージの断面(図23のH−H′線断面)図である。 FIG. 23 is a plan view of an LSI mounting substrate according to the ninth embodiment of the present invention, and FIG. 24 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along the line H-H 'in FIG. 23) of the small package according to the ninth embodiment of the present invention. .
この実施例ではBGAの接続用半田ボールをLSI直下にも設置するようにしている。 In this embodiment, BGA connection solder balls are also installed directly under the LSI.
金属基板(図示なし)に第5実施例と同様に、複数のLSIをダイスボンドするが、ダイスボンド前に絶縁シート5210,5220,…,5260をLSIを設置する場所に接着しておく。(図23は金属片1010をエッチング加工した後の図であるが、LSI1021と絶縁シート5210等の関係を、この図から理解することができる)。
A plurality of LSIs are die-bonded to a metal substrate (not shown) as in the fifth embodiment, but before the die bonding, insulating
LSIのダイスボンディング後は、図23に示す金属片1010,1020,1030,1040,1050,…の各場所にLSIの各パッドからワイヤボンディングを行う。この工程は第1実施例とほぼ同じである。さらにエポキシ樹脂の被着(図示せず)、加熱押圧による樹脂硬化を行う。
After the die bonding of the LSI, wire bonding is performed from each pad of the LSI to each of the
次に、金属板4010を、図23に示すように、エッチング加工する。この図において、金属片1020(裏面にワイヤが接続されている)に配線1021が連なり、更に、LSI1021の直下にある金属片1022に達している。金属片1022には半田ボールが後ほど設置される。金属片1122に関しても同様である。
Next, the
半田ボール設置後、図23の一点破線C1,C3,C5,…,C2,C4,C6,C8,…に沿いカッティングを行う。 After the solder balls are installed, cutting is performed along the dashed lines C1, C3, C5,..., C2, C4, C6, C8,.
更に、以下のような利用形態をとることができる。 Furthermore, the following usage forms can be taken.
第5実施例で金属基板の材質を、銅、またはコバールとしたが、これらの金属に限ることではなく銅合金、または全く他の金属を用いることが可能であり、表面のメッキについても規定するものではない。 In the fifth embodiment, the metal substrate is made of copper or Kovar. However, the present invention is not limited to these metals, and copper alloys or other metals can be used, and surface plating is also specified. It is not a thing.
金属基板については他の実施例についても同様である。またその厚さも限定するものではない。 The same applies to the other examples of the metal substrate. Further, the thickness is not limited.
本発明の実施例においては、LSIの実装はワイヤボンディングにおいて説明したが、フリップチップ方式等他の方式によっても可能であることは言うまでもない。 In the embodiments of the present invention, the mounting of the LSI has been described by wire bonding, but it is needless to say that it can be performed by other methods such as a flip chip method.
また、LSI等をモールドするモールド材としてエポキシ樹脂として説明した。使用される状況により、例えば、耐熱が必要な雰囲気では耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられるべきである。 Moreover, it demonstrated as an epoxy resin as a molding material which molds LSI etc. Depending on the situation used, for example, heat-resistant epoxy resin, polyimide resin, etc. should be used in an atmosphere that requires heat resistance.
第5実施例においてホットプレスと樹脂間にプレス時樹脂膜を挿入するとしたが、これは硬化される樹脂とプレスとの接着を防ぐものであり、他の実施例においても同様である。樹脂膜でなく、紙等であってもよい。不要な場合も多い。 In the fifth embodiment, a resin film is inserted during pressing between the hot press and the resin, but this prevents adhesion between the cured resin and the press, and the same applies to the other embodiments. Paper or the like may be used instead of the resin film. Often unnecessary.
上記実施例では、モジュールは外部との接続を半田ボールで行うと説明した。しかし、状況によっては半田ボールのかわりにリード線、リード端子を接続することも可能であり、またいわゆるリードレスパッケージと同様な実装方法も可能である。 In the above embodiment, it has been described that the module is connected to the outside with solder balls. However, depending on the situation, it is possible to connect lead wires and lead terminals instead of solder balls, and a mounting method similar to a so-called leadless package is also possible.
上記のような構成になっているので、半田ボールによる接続点を最も効率的な場所に設置することが可能となる。 Since it is configured as described above, the connection point by the solder ball can be installed at the most efficient place.
従来のリードフレームを用いた手法ではLSIのパッドとパッケージのピンとが、そのまま対応してしまうので設計の自由度が無く、結果としてLSIを搭載するプリント基板の配線を大きく引き回す必要もしばしば生じた。また、BGAでも、その内部で配置を変えようとするとプリント基板の総数が増え、価格上昇につながった。 In the conventional method using the lead frame, the LSI pad and the package pin correspond to each other as they are, so there is no degree of freedom in design, and as a result, the wiring of the printed circuit board on which the LSI is mounted often needs to be largely routed. Also, even with BGA, the total number of printed circuit boards increased when trying to change the arrangement inside, leading to an increase in price.
本発明の構造では簡単に接続点の配置を変更することができる。 In the structure of the present invention, the arrangement of the connection points can be easily changed.
更に、プリント基板を用いないMCM(マルチチップモジュール)を得ることが可能である。近年電子機器の発達に伴い、例えば自動車のエンジンの近傍に低価格のMCMを設置する要望も多い。従来のFR−4基板からなるモジュールでは耐熱性等に問題があって搭載は不可能であった。 Furthermore, it is possible to obtain an MCM (multichip module) that does not use a printed circuit board. In recent years, with the development of electronic devices, for example, there is a large demand for installing a low-cost MCM in the vicinity of an automobile engine. A conventional module comprising an FR-4 substrate has a problem in heat resistance and cannot be mounted.
更に、本発明によるMCMでは十分対応が可能である。 Furthermore, the MCM according to the present invention can sufficiently cope.
また、通常のBGAに比べ、作製するのが容易である。またプリント基板を用いていないので実装時反りが生じ難く実装に便利である。 In addition, it is easier to manufacture than a normal BGA. Further, since no printed circuit board is used, warpage is unlikely to occur during mounting, which is convenient for mounting.
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。 Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and they are not excluded from the scope of the present invention.
本発明の半導体装置は、価格を低く抑えることができるLSIのパッケージとして利用可能である。 The semiconductor device of the present invention can be used as an LSI package that can keep the price low.
100,200,300 樹脂基板
101〜108,201〜208 銅配線板
111〜118,211,214,218,311〜318 ランド
121〜128,221,224,228,321〜328,421〜428 穴
130,151,511A,512A,513A,…516A ダイパッド
131 開口
140,240,350,450,511〜516,1021,4020,4030,4514 LSI
141,142,241,242,521,522,523,…531,536,541,542,543,…,556,561,…563,…571,4406,4416 ワイヤ
143,243,4650 モールド樹脂
152,153,234,238,334,338,702,703,4031,4033 半田ボール
231,341,5210,5220,…,5260 絶縁シート
301〜308 金属配線板
344,348,454,458 バンプ
400 絶縁基板
401〜408 配線板
411,414,418 端子
500 金属基板
501,502… 基準孔
610,611,612,614,620,621,631,632 円部
650,4650 樹脂
701,4100 半田レジスト
704 熱伝導良好材
1000 カプトンテープ(支持体)
1010,1020,1022,1050,1160,1210,1220,1230,1240,1250,1260,4030,4032,4060,4062,4110,4112,4401,4402,…4406 金属片
1031,1061,1111,4031,4061,4111 配線
4011 金属板
4040 チップ部品
4500 多層配線
100, 200, 300 Resin substrate 101-108, 201-208 Copper wiring board 111-118, 211, 214, 218, 311-318 Land 121-128, 221, 224, 228, 321-328, 421-428
141, 142, 241, 242, 521, 522, 523, ... 531, 536, 541, 542, 543, ..., 556, 561, ... 563, ... 571, 4406, 4416
1010, 1020, 1022, 1050, 1160, 1210, 1220, 1230, 1240, 1250, 1260, 4030, 4032, 4060, 4062, 4110, 4112, 4401, 4402, ... 4406
Claims (12)
(b)一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前記第1の表面上に形成された金属配線と、
(c)前記金属配線に接続された複数のバンプ電極を備えるとともに前記樹脂基板の前記第1の表面上の前記貫通孔に対応する領域上に搭載された半導体チップと、
(d)前記バンプ電極と接続される領域を除く前記金属配線を覆う絶縁シートと、
(e)前記樹脂基板の前記第2の表面側に形成され、前記貫通孔内に露出する前記金属配線に接続された半田ボールと、
を含むことを特徴とする半導体装置。 (A) a resin substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and provided with a through-hole penetrating the first surface and the second surface; ,
(B) a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate so as to partially cover the through hole;
(C) a semiconductor chip including a plurality of bump electrodes connected to the metal wiring and mounted on a region corresponding to the through hole on the first surface of the resin substrate;
(D) an insulating sheet covering the metal wiring excluding a region connected to the bump electrode;
(E) a solder ball formed on the second surface side of the resin substrate and connected to the metal wiring exposed in the through hole;
A semiconductor device comprising:
(b)前記樹脂基板の前記第1の表面上に形成され、一部が前記貫通孔を介して前記樹脂基板の前記第2の表面側に突出するように折り曲げられている金属配線と、
(c)前記第1の表面上の前記金属配線に接続された複数のバンプ電極を備えるとともに前記樹脂基板の前記第1の表面側に搭載された半導体チップと、
を含むことを特徴とする半導体装置。 (A) a resin substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and provided with a through-hole penetrating the first surface and the second surface; ,
(B) a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate and bent so as to partially protrude toward the second surface of the resin substrate through the through hole;
(C) a semiconductor chip including a plurality of bump electrodes connected to the metal wiring on the first surface and mounted on the first surface side of the resin substrate;
A semiconductor device comprising:
一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前記第1の表面上に形成された金属配線と、
前記金属配線の前記貫通孔に対応する領域上に設けられた絶縁シートと、
前記絶縁シートの前記貫通孔に対応する領域上に搭載され、前記金属配線の前記絶縁シートから露出する部分に電気的に接続された複数の電極を有する半導体チップと、
前記樹脂基板の前記第1の表面の一部を露出するように前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記樹脂基板の前記第2の表面側に形成され、前記貫通孔内に露出する前記金属配線に接続された半田ボールと、を含むことを特徴とする半導体装置。 A resin substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and provided with a through-hole penetrating the first surface and the second surface;
A metal wiring formed on the first surface of the resin substrate so that a part thereof covers the through hole;
An insulating sheet provided on a region corresponding to the through hole of the metal wiring;
A semiconductor chip mounted on a region corresponding to the through hole of the insulating sheet and having a plurality of electrodes electrically connected to a portion of the metal wiring exposed from the insulating sheet;
A sealing resin for sealing the semiconductor chip so as to expose a part of the first surface of the resin substrate;
A solder ball formed on the second surface side of the resin substrate and connected to the metal wiring exposed in the through hole.
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