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JP2005116919A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用粘着テープ又はシート - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用粘着テープ又はシート Download PDF

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Hitoshi Takano
均 高野
Hiroyuki Kondo
広行 近藤
Daisuke Shimokawa
大輔 下川
Shoichi Tanimoto
正一 谷本
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Nitto Denko Corp
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Abstract

【課題】 粘着テープ叉はシートにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも金型の異物を除去し、金型に付着する異物による不具合が発生し難い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アウターパッド側に粘着テープ又はシートを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープ又はシートは、基材層と粘着剤層とを少なくとも有し、前記粘着剤層に対する背面は、金型に対するクリーニング機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレーム又は配線樹脂基板を用いる半導体装置の製造方法に関する。
近年、ＬＳＩの実装技術において、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）技術が注目されている。この技術のうち、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ ｐａｃａｋａｇｅ）に代表されるリード端子がパッケージ内部に取り込まれた形態のパッケージについては、小型化と高集積の面で特に注目されるパッケージ形態のひとつである。このようなＱＦＮの製造方法のなかでも、近年では複数のＱＦＮ用チップをリードフレームのパッケージパターン領域のダイパッド上に整然と配列し、金型のキャビティ内で、封止樹脂にて一括封止したのち、切断によって個別のＱＦＮ構造物に切り分けることにより、リードフレーム面積あたりの生産性を飛躍的に向上させる製造方法が、特に注目されている。
このような、複数の半導体チップを一括封止するＱＦＮの製造方法においては、リードフレームのアウターリード側に粘着テープを貼り付け、この粘着テープの自着力（マスキング）を利用したシール効果により、樹脂封止時のアウターリード側への樹脂漏れを防ぐ製造方法が用いられている。
一方、リードフレームを用いる代わりに、半導体チップを配置する開口部とその外側の表面に配置される端子部とその端子部の裏側面に配置されるアウターパッドとを有する配線樹脂基板を用いて、前記開口部に半導体チップを配置してワイヤボンディング工程や封止樹脂による封止工程を行うことで、半導体装置を製造する方法も知られている。そして、この製法でも、アウターリード側に粘着テープを貼り付け、この粘着テープの自着力（マスキング）を利用したシール効果により、樹脂封止時のアウターリード側への樹脂漏れを防ぐ製造方法が用いられている（たとえば、特許文献１参照）。
しかし、このような複数の半導体チップを一括封止する封止工程を有する半導体装置の製造方法においては、前記封止工程において金型に異物が付着する場合がある。かかる異物によって、変形、樹脂漏れなどの不具合が発生する。このように前記封止工程は、一括封止であるが故に製品の歩留りに及ぼす影響が大きい。
特開２００２−１８４８０１号公報
本発明は、粘着テープ叉はシートにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも金型の異物を除去し、金型に付着する異物による不具合が発生し難い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
また本発明は、前記半導体装置の製造方法に用いる半導体装置製造用の粘着テープ叉はシートを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、下記に示す半導体装置の製造方法およびそれに用いる粘着テープ叉はシートを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、以下の通りである。
１．アウターパッド側に粘着テープ又はシートを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープ又はシートは、基材層と粘着剤層とを少なくとも有し、前記粘着剤層に対する背面は、金型に対するクリーニング機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
２．半導体チップを配置する開口部とその外側の表面に配置される端子部とその端子部の裏側面に配置されるアウターパッドとを有する配線樹脂基板の前記アウターパッド側に粘着テープ又はシートを貼り合わせる貼着工程と、前記開口部に半導体チップを配置する搭載工程と、前記配線樹脂基板の端子部と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープ又はシートは、基材層と粘着剤層とを少なくとも有し、前記粘着剤層に対する背面は、金型に対するクリーニング機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
３．前記背面が不織布であることを特徴とする上記１または２記載の半導体装置の製造方法。
４．基材層が不織布であることを特徴とする上記３記載の半導体装置の製造方法。
５．基材層の粘着剤層に対する反対側に、背面層として不織布層を有することを特徴とする上記４記載の半導体装置の製造方法。
６．前記不織布の目付けが、５〜１０００ｇ／ｍ2 であることを特徴とする上記３〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
７．前記背面が粘着剤層であることを特徴とする上記１または２記載の半導体装置の製造方法。
８．前記粘着剤層のＪＩＳ Ｃ２１０７に準拠した粘着力が０．０５〜１０Ｎ／１９ｍ幅であることを特徴とする上記７記載の半導体装置の製造方法。
９．前記背面が易帯電層であり、静電付着していることを特徴とする上記１または２記載の半導体装置の製造方法。
１０．基材層が易帯電層であることを特徴とする上記９記載の半導体装置の製造方法。
１１．基材層の粘着剤層に対する反対側に背面層として易帯電層を有することを特徴とする上記９記載の半導体装置の製造方法。
１２．前記易帯電層は、体積抵抗が１×１０8 Ω・ｃｍ以上であり、布クロスなどで擦った場合の表面の帯電量が１００Ｖ以上になるものであることを特徴とする上記９〜１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
１３．上記１または２記載の半導体装置の製造方法に用いる粘着テープ又はシートであって、前記粘着テープ又はシートは、基材層と粘着剤層とを少なくとも有し、前記粘着剤層に対する背面は、金型に対するクリーニング機能を有することを特徴とする半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
１４．前記背面が、不織布であることを特徴とする上記１３記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
１５．基材層が不織布であることを特徴とする上記１４記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
１６．基材層の粘着剤層に対する反対側に背面層として不織布層を有することを特徴とする上記１４記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
１７．前記不織布の目付けが、５〜１０００ｇ／ｍ2 であることを特徴とする上記１４〜１６のいずれかに記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
１８．前記背面が、粘着剤層であることを特徴とする上記１３記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
１９．前記粘着剤層のＪＩＳ Ｃ２１０７に準拠した粘着力が０．０５〜１０Ｎ／１９ｍ幅であることを特徴とする上記１８記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
２０．基材層の粘着剤層に対する反対側に背面層として易帯電層を有することを特徴とする上記１３記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
２１．前記易帯電層は、体積抵抗が１×１０8 Ω・ｃｍ以上であり、布クロスなどで擦った場合の表面の帯電量が１００Ｖ以上になるものであることを特徴とする上記２０記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
上記本発明の半導体装置の製造方法では、粘着剤層に対する背面にクリーニング機能を有する粘着テープ叉はシートを用いているため、当該背面により金型の異物を除去することが可能になる。実施例の結果が示すように、前記粘着テープ叉はシートは、封止工程での樹脂漏れを防止しながら、しかも背面のクリーニング機能により、封止工程での金型異物による不具合を抑えることができる。そのため、モールドを連続しても、変形且つ樹脂のはみ出しによる支障を低減でき、歩留りを高くすることができる。
上記本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームの他、半導体チップを配置する開口部とその外側の表面に配置される端子部とその端子部の裏側面に配置されるアウターパッドとを有する配線樹脂基板を用いて上記工程を行う場合も、上記と同様の作用効果を得ることができる。
前記基材層を形成する材料としては、ポリイミド材料が、耐熱性が高いこと、線熱膨張係数が金属製のリードフレームと殆ど同じで、しかも加工性やハンドリング性も良好なため好ましい。加えて、ポリイミド材料は、体積抵抗が１０18Ω・ｃｍであり、静電付着し易いやすいことから、背面を兼ねる基材層または背面層の材料としても好適に用いることができる。前記他の樹脂フィルムを用いる場合も、配線樹脂基板の材質に応じて同様の効果が得られる。
またクリーニング機能を有する基材層または背面層が、目付け５〜１０００ｇ／ｍ2 のアラミド材料の不織布である場合には、耐熱性が高く、前記基材層または背面層の材料として好ましい。
前記接着剤層が、ＪＩＳ Ｃ２１０７に準拠した粘着力が０．０５〜１０Ｎ／１９ｍｍ幅である場合、封止工程での金型の異物の除去に必要な粘着力が得られると共に、封止工程後の引き剥がしが容易になり、封止樹脂パッケージの破損も生じなくなる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の半導体装置の製造方法の一例の工程図である。
本発明の半導体装置の製造方法は、図１（ａ）〜（ｅ）に示すように、半導体チップ１５の搭載工程と、ボンディングワイヤ１６による結線工程と、封止樹脂１７による封止工程と、封止された構造物２１を切断する切断工程とを少なくとも含むものである。
搭載工程は、図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、アウターパッド側（図の下側）にクリーニング機能付き粘着テープ２０を貼り合わせた金属製のリードフレーム１０のダイパッド１１ｃ上に半導体チップ１５をボンディングする工程である。なお、クリーニング機能付き粘着テープ２０は、図５に示す粘着剤層２０ｂの側が、アウターパッド側になるように貼り合わされる。
リードフレーム１０とは、例えば銅などの金属を素材としてＱＦＮの端子パターンが刻まれたものであり、その電気接点部分には、銀，ニッケル，パラジウム，金などのなどの素材で被覆（めっき）されている場合もある。リードフレーム１０の厚みは、１００〜３００μｍが一般的である。
リードフレーム１０は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のＱＦＮの配置パターンが整然と並べられているものが好ましい。例えば図２に示すように、リードフレーム１０上に縦横のマトリックス状に配列された形状などは、マトリックスＱＦＮあるいはＭＡＰ−ＱＦＮなどと呼ばれ、もっとも好ましいリードフレーム形状のひとつである。
図２（ａ）〜（ｂ）に示すように、リードフレーム１０のパッケージパターン領域１１には、隣接した複数の開口１１ａに端子部１１ｂを複数配列した、ＱＦＮの基板デザインが整然と配列されている。一般的なＱＦＮの場合、各々の基板デザイン（図２（ａ）の格子で区分された領域）は、開口１１ａの周囲に配列された、アウターリード面を下側に有する端子部１１ｂと、開口１１ａの中央に配置されるダイパッド１１ｃと、ダイパッド１１ｃを開口１１ａの４角に支持させるダイバー１１ｂとで構成される。
クリーニング機能付き粘着テープ２０は、少なくともパッケージパターン領域１１より外側に貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレーム１０は、通常、樹脂封止時の位置決めを行うための、ガイドピン用孔１３を端辺近傍に有しており、それを塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封止領域はリードフレーム１０の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域を渡るように連続してクリーニング機能付き粘着テープ２０を貼着するのが好ましい。
上記のようなリードフレーム１０上に、半導体チップ１５、すなわち半導体集積回路部分であるシリコンウエハ・チップが搭載される。リードフレーム１０上にはこの半導体チップ１５を固定するためダイパッド１１ｃと呼ばれる固定エリアが設けられており、このダイパッド１１ｃへのボンディング（固定）の方法は導電性ペースト１９を使用したり、接着テープ、接着剤など各種の方法が用いられる。導電性ペーストや熱硬化性の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に１５０〜２００℃程度の温度で３０分〜９０分間程度加熱キュアする。
結線工程は、図１（ｃ）に示すように、リードフレーム１０の端子部１１ｂ（インナーリード）の先端と半導体チップ１５上の電極パッド１５ａとをボンディングワイヤ１６で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤ１６としては、例えば金線あるいはアルミ線などが用いられる。一般的には１５０〜２５０℃に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により結線される。その際、リードフレーム１０に貼着したクリーニング機能付き粘着テープ２０面を真空吸引するなどして、ヒートブロックに固定する。
封止工程は、図１（ｄ）に示すように、封止樹脂１７により半導体チップ側を片面封止する工程である。封止工程は、リードフレーム１０に搭載された半導体チップ１５やボンディングワイヤ１６を保護するために行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封止樹脂１７を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、図３に示すように、複数のキャビティを有する上金型１８ａと下金型１８ｂからなる金型１８を用いて、複数の封止樹脂１７にて同時に封止工程が行われるのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の加熱温度は１７０〜１８０℃であり、この温度で数分間キュアされた後、更に、ポストモールドキュアが数時間行われる。なお、クリーニング機能付き粘着テープ２０はポストモールドキュアの前に剥離するのが好ましい。
切断工程は、図１（ｅ）に示すように、封止された構造物２１を個別の半導体装置２１ａに切断する工程である。一般的にはダイサーなどの回転切断刃を用いて封止樹脂１７の切断部１７ａをカットする切断工程が挙げられる。
クリーニング機能付き粘着テープ２０は、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すように、基材層２０ａと粘着剤層２０ｂとを少なくとも有する。またクリーニング機能付き粘着テープ２０は、前記粘着剤層２０ｂに対する背面が、金型に対するクリーニング機能を有する。図５（Ａ）は、基材層２０ａがクリーニング機能を有している場合であり、この場合には基材層２０ａが背面になる。図５（Ｂ）は、基材層２０ａに、粘着剤層２０ｂとは反対側にクリーニング機能を有する背面層２０ｃを設けた場合であり、この場合には背面層２０ｃが背面になる。
図５（Ａ）または図５（Ｂ）の基材層２０ａの材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ），アラミド、ポリイミド、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などの樹脂材料が挙げられる。基材層２０ａの厚みは、折れや裂けを防止し、好適なハンドリング性に鑑みて５〜１０００μｍ程度、好ましくは１０〜５００μｍ、さらには１０〜２００μｍが好ましい。
また、クリーニング機能付き粘着テープ２０は、封止工程後の任意の段階ではがされることになるが、あまりに粘着剤層２０ｂが強粘着力をもった粘着テープであっては引き剥がしが困難となるだけでなく、場合によっては引き剥がしのための応力によって、モールドした樹脂の剥離や破損を招く恐れもある。このため、粘着剤層２０ｂの粘着力は、封止樹脂のはみ出しを抑える粘着力以上に強粘着であることはむしろ好ましくない。たとえば、ステンレス板に貼り合わせた状態で２００℃にて１時間加熱後の粘着力が０．０５〜４Ｎ／１９ｍｍ幅、好ましくは０．１〜２Ｎ／１９ｍｍ幅である。ここで、粘着力はＪＩＳ Ｃ２１０７に準拠して測定される値である。粘着剤層２０ｂの厚みは、０．１〜２００μｍ程度、さらには１〜５０μｍが好ましい。
粘着剤層２０ｂを形成する粘着剤は層は特に限定されない。例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤等いずれのものでもよいが、中でもシリコーン系粘着剤が特に好ましい。また熱溶融性を有するものでもよい。
このような粘着剤成分の１つとして挙げられるアクリル系粘着剤としては、粘着性を与える低Ｔｇを主モノマーとし、接着性や凝集力を与える高Ｔｇのコモノマー、架橋や接着性改良のための官能基含有モノマー等のモノエチレン性不飽和モノマー等から成るものが用いられる。主モノマーとしては、例えば、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸アルキルエステルや、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸シクロへキシル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸アルキルエステルが挙げられ、これらのものを１種または２種以上を混合して用いることができる。コモノマーとしては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニルエーテル、スチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のビニル基含有化合物が挙げられる。官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のカルボキシル基含有モノマー、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシプチル（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロールアクリルアミド、アリルアルコール等のヒドロキシル基含有モノマー、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート等の三級アミノ基含有モノマー、アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド基含有モノマー、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｔ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−オクチルアクリルアミド等のＮ−置換アミド基含有モノマー、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマーが挙げられる。
このような材料を用いることにより、粘着性や凝集性、耐久性に優れ、また、モノマーの種類や組合せの選択により用途に応じた任意の品質、特性を得ることができる。
粘着剤成分（ベースポリマー）の重量平均分子量は、特に限定されないが、２０万〜１５０万が好ましく、４０万〜１００万がより好ましい。粘着剤成分の分子量が小さ過ぎると、粘着剤の粘着力や凝集力が劣り、分子量が大き過ぎると粘着剤が硬くなり、粘着性が不十分となって貼着の作業性が悪くなる。また粘着剤成分のガラス転移点（Ｔｇ）は、特に限定されないが、−２０℃以下であるのが好ましい。ガラス転移点が−２０℃を超える場合、使用温度によっては粘着剤が硬くなり、粘着性を維持できなくなることがある。
以上のような粘着剤は、架橋型、非架橋型のいずれのものも使用できる。架橋型の場合、エポキシ系化合物、イソシアナート系化合物、金属キレート化合物、金属アルコキシド、金属塩、アミン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド系化合物等の各種架橋剤を用いる方法等が挙げられ、これらは、それぞれの有する宮能基により適宜選択される。
さらに、必要に応じて他の添加剤として、例えば、紫外線吸収材、粘着付与剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、老化防止剤、粘着付与剤、顔料、染料、シランカップリング剤等の各種添加剤を添加することができる。粘着付与剤としては、例えば、ロジンおよびその誘導体、ホリテルペン、テルペンフェノール樹脂、クマロン−インデン樹脂、石油系樹脂、スチレン樹脂、キシレン樹脂が挙げられる。軟化剤としては、例えば、液状ポリエーテル、グリコールエステル、液状ポリテルペン、液状ポリアクリレート、フタル酸エステル、トリメリット酸エステル等が挙げられる。
前記図５（Ａ）のクリーニング機能付き粘着テープ２０は、基材層２０ａの背面が、クリーニング機能を有する。基材層２０ａにクリーニング機能を付与するには、たとえば、基材層２０ａとして、不織布を用いることができる。不織布は、目付けが５〜１０００ｇ／ｍ2 のもの、好ましくは１０〜８００ｇ／ｍ2 が好ましい。不織布の目付けが５ｇ／ｍ2 未満の場合、基材層２０ａとして基材強度が不十分となり、貼り合せおよび引き剥がしの作業性が悪くなる。また、目付けが１０００ｇ／ｍ2 より大きい場合には、異物を取り込む能力が不十分となり、十分なクリーニング機能が得られない。不織布の目付け（坪量）の測定は、坪量の測定方法ＪＩＳ Ｐ ８１２４に準じる方法により測定される値である。なお、基材層２０ａがフィルムの場合には、加工性、ハンドリング性の点から、線熱膨張係数が１．０×１０-5〜３．０×１０-5／Ｋのものが好ましい。線熱膨張係数は、ＡＳＴＭ Ｄ６９６に準拠して、ＴＭＡ（サーモ・メカニカル・アナリシス）により測定され値である。
また基材層２０ａにクリーニング機能を付与するには、基材層２０ａとして、易帯電層になるものを用いることができる。易帯電層は、例えば、体積抵抗が１×１０8 Ω・ｃｍ以上のものが好適に用いられる。体積抵抗は、２３℃／６５％ＲＨの恒温恒湿室に２４時間以上放置し、同環境下にてＪＩＳ Ｃ ２３１８に準じる方法により測定される値である。体積抵抗が１×１０8 Ω・ｃｍ未満の場合には、粘着テープ叉はシートの背面への帯電付与のために布クロスなどで擦っても基材の帯電量が１００Ｖ以上にならないか、１００Ｖに達しても減衰が早く、１００Ｖ以上の帯電を維持できない。帯電量の測定は、集電式電位測定器（春日電機製；ＫＳＤ−０１０１）により行なったものである。これら易帯電層（背面）は、本発明の半導体装置の製造方法に適用するにあたっては、当該背面を１００〜１００００Ｖ程度に静電付着させて用いられる。帯電量が多いほど付着量は上がる傾向がある。静電付着する方法としては、クロス等で擦る方法、コロナ処理等があげられる。
前記図５（Ｂ）のクリーニング機能付き粘着テープ２０は、基材層２０ａの粘着剤層２０ｂに対する反対側に設けられた背面層２０ｃがクリーニング機能を有する。背面層２０ｃの厚みは、特に制限されないが、１〜５００μｍ程度、さらには５〜２００μｍ程度が好ましい。
背面層２０ｃは、前記基材層２０ａにクリーニング機能を付与した方法と同様の方法により形成できる。すなわち、基材層２０ａに、背面層２０ｃとして不織布層または易帯電層を別途設けることによりクリーニング機能を付与できる。背面層２０ｃとなる不織布層は、基材層２０ａに、通常、接着剤等で貼り合わされる。
また、背面層２０ｃとして粘着剤層を設けることにより、クリーニング機能を付与できる。背面層２０ｃを形成する粘着剤層としては、前記粘着剤層２０ｂと同様の材料を用いることができる。ただし、クリーニング機能付き粘着テープ２０は、封止工程の段階で金型から剥がされることになるが、粘着剤層（背面層２０ｃ）があまりに強粘着力をもった粘着テープであっては引き剥がしが困難となるだけでなく、場合によっては引き剥がしのための応力によって、モールドした樹脂の破損を招く恐れもある。このため、粘着剤層（背面層２０ｃ）の粘着力は、金型の異物を付着する粘着力以上に強接着であることはむしろ好ましくない。たとえば、ステンレス板に貼り合わせた状態での粘着力が０．０５〜１０Ｎ／１９ｍｍ幅、好ましくは０．１〜８Ｎ／１９ｍｍ幅である。ここで、粘着力はＪＩＳ Ｃ２１０７に準拠して測定される値である。
〔他の実施形態〕
前述の実施形態では、リードフレームを用いた半導体装置の製造方法の例を示したが、以下のように、配線樹脂基板を用いて、その開口部に半導体チップを配置してワイヤボンデイング工程や封止樹脂による封止工程を行うことで、半導体装置を製造してもよい。
即ち、図４（ｄ1 ）〜（ｄ３）に示すように、半導体チップ１５を配置する関口部２８ｃとその外側の表面に配置される端子部２８ａとその端子部２８ａの裏側面に配置されるアウターパッド２８ｂとを有する配線樹脂基板２８を用いてもよい。なお、図４（ｄ１）〜（ｄ３）は、図１（ｄ）に対応するものであり、半導体チップ１５が封止樹脂１７により封止された状態を示している。
配線樹脂基板２８の端子部２８ａとアウターパッド２８ｂとはビアホール内の導電材料や適当な配線回路等により導電接続されているが、その構造、形状、材質等は何れでもよい。配線樹脂基板２８の樹脂材料としては、熱硬化性樹脂が通常用いられ、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ＢＴ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
まず、この配線樹脂基板２８に対し、そのアウターパッド２８ｂ側にクリーニング機能付き粘着テープ２０を貼り合わせる貼着工程を行う。クリーニング機能付き粘着テープ２０については、前述の実施形態と同様である。
次いで、開口部２８ｃに半導体チップ１５を配置する搭載工程を行う。半導体チップ１５の配置は、クリーニング機能付き粘着テープ２０の粘着剤層２０ｂに直接貼り付けたり、銀ペーストを用いた接着等により行うことができる。
次いで、配線樹脂基板２８の端子部２８ａと半導体チップ１５上の電極パッド１５ａとをボンディングワイヤ１６で電気的に接続する結線工程を行う。この結線工程と、以降の封止工程、切断工程も前述の実施形態と同様である。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製カプトン１００Ｈ、線熱膨張係数２．２×１０-5／Ｋ）を基材として用いた。前記基材の片側に、シリコーン系粘着剤（東レダウコーニング製ＳＤ−４５８７Ｌ）を用いて厚さ５μｍの粘着剤層（以下、アウターパッド側粘着剤と称する）を形成し、その反対面にシリコーン系粘着剤（東レダウコーニング製ＳＨ−４２８０）を用いて厚さ１５μｍの粘着剤層（以下、金型側粘着剤と称する）を形成して、クリーニング機能付き粘着テープを作製した。この粘着テープのアウターパッド側粘着剤の粘着力は１．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度であり、金型側粘着剤の粘着力は５．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度であった。尚、粘着力の測定においては、非測定面側の粘着剤面を二軸延伸ＰＥＴフィルム（＃２５）にて裏打ちした。
このクリーニング機能付き粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリードフレームのアウターバット側に貼り合わせた。このリードフレームのダイパッド部分に半導体チップをエポキシフェノール系の銀ペーストを用いて接着し、１８０℃にて１時間ほどキュアすることで固定した。
つぎに、リードフレームは粘着テープ側から真空吸引する形で２００℃に加熱したヒートブロックに固定し、さらにリードフレームの周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。これらを、６０ＫＨｚワイヤボンダー（日本アビオニクス製）を用いてφ２５μｍの金線（田中貴金属製ＧＬＤ−２５）にて下記の条件でワイヤボンディングを行った。
ファーストボンディング加圧：３０ｇ
ファーストボンディング超音波強度：２５ｍＷ
ファーストボンディング印加時間：１００ｍｓｅｃ
セカンドボンディング加圧：２００ｇ
セカンドボンディング超音波強度：５０ｍＷ
セカンドボンディング印加時間：５０ｍｓｅｃ
さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒間、インジェクション時間１１．５秒間、キュア時間１２０秒間にてモールドした後、粘着テープを剥離した。なお、さらに１７５℃にて３時間ほどポストモールドキュアを行って樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々のＱＦＮタイプ半導体装置を得た。
このようにして得られたＱＦＮは、変形且つ樹脂のはみ出しもなく、またワイヤボンディングなどの各工程も阻害なく、実施することができた。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９８％の歩留りでＱＦＮを得ることができた。
実施例２
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製カプトン１００Ｈ、線熱膨張係数２．２×１０-5／Ｋ、体積抵抗１０１８Ω・c ｍ）を基材として用い、その片側にシリコーン系粘着剤（東レダウコーニング製ＳＤ−４５８７Ｌ）を用いて厚さ５μｍの粘着剤層を設けたクリーニング機能付き粘着テープを作製した。このテープの粘着力は１．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度であった。
このクリーニング機能付き粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリードフレームのアウターバット側に貼り合わせた。このリードフレームのダイパッド部分に半導体チップをエポキシフェノール系の銀ペーストを用いて接着し、１８０℃にて１時間ほどキュアすることで固定した。
つぎに、リードフレームは粘着テープ側から真空吸引する形で２００℃に加熱したヒートブロックに固定し、さらにリードフレームの周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。これらを、６０ＫＨｚワイヤボンダー（日本アビオニクス製）を用いてφ２５μｍの金線（田中貴金属製ＧＬＤ−２５）にてワイヤボンディングを行った。これらの条件は実施例１と同じである。
その後、粘着テープの背面（基材）を布クロスで擦り、５００Ｖ程度に帯電させた。さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒間、インジェクション時間１１．５秒間、キュア時間１２０秒間にてモールドした後、粘着テープを剥離した。なお、さらに１７５℃にて３時間ほどポストモールドキュアを行って樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々のＱＦＮタイプ半導体装置を得た。
このようにして得られたＱＦＮは、変形且つ樹脂のはみ出しもなく、またワイヤボンディングなどの各工程も阻害なく、実施することができた。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９５％の歩留りでＱＦＮを得ることができた。
実施例３
アラミド不織布（日本バイリーン製ＸＬ１０３０、目付け３０ｇ／ｍ2 ，厚さ０．４０ｍｍ）を基材として用い、その片側にシリコーン系粘着剤（東レダウコーニング製ＳＤ−４５８７Ｌ）を用いて厚さ５μｍの粘着剤層を設けたクリーニング機能付き粘着テープを作製した。このテープの粘着力は１．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度であった。
このクリーニング機能付き粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリードフレームのアウターバット側に貼り合わせた。このリードフレームのダイパッド部分に半導体チップをエポキシフェノール系の銀ペーストを用いて接着し、１８０℃にて１時間ほどキュアすることで固定した。
つぎに、リードフレームは粘着テープ側から真空吸引する形で２００℃に加熱したヒートブロックに固定し、さらにリードフレームの周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。これらを、６０ＫＨｚワイヤボンダー（日本アビオニクス製）を用いてφ２５μｍの金線（田中貴金属製ＧＬＤ−２５）にてワイヤボンディングを行った。これらの条件は実施例１と同じである。
さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒間、インジェクション時間１１．５秒間、キュア時間１２０秒間にてモールドした後、粘着テープを剥離した。なお、さらに１７５℃にて３時間ほどポストモールドキュアを行って樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々のＱＦＮタイプ半導体装置を得た。
このようにして得られたＱＦＮは、変形且つ樹脂のはみ出しもなく、またワイヤボンディングなどの各工程も阻害なく、実施することができた。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９５％の歩留りでＱＦＮを得ることができた。
実施例４
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製カプトン１００Ｈ、線熱膨張係数２．２×１０-5／Ｋ）を基材として用いた。前記基材の片側に、シリコーン系粘着剤（東レダウコーニング製ＳＤ−４５８７Ｌ）を用いて厚さ５μｍのアウターパッド側粘着剤層を形成し、その反対面にアラミド不織布（日本バイリーン製ＸＬ１０３０、目付け３０ｇ／ｍ2 ，厚さ０．４０ｍｍ）をエポキシ系接着剤で接着して、クリーニング機能付き粘着テープを作製した。この粘着テープのアウターパッド側粘着剤の粘着力は１．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度であった。
このクリーニング機能付き粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリードフレームのアウターバット側に貼り合わせた。このリードフレームのダイパッド部分に半導体チップをエポキシフェノール系の銀ペーストを用いて接着し、１８０℃にて１時間ほどキュアすることで固定した。
つぎに、リードフレームは粘着テープ側から真空吸引する形で２００℃に加熱したヒートブロックに固定し、さらにリードフレームの周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。これらを、６０ＫＨｚワイヤボンダー（日本アビオニクス製）を用いてφ２５μｍの金線（田中貴金属製ＧＬＤ−２５）にて下記の条件でワイヤボンディングを行った。これらの条件は実施例１と同じである。
さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒間、インジェクション時間１１．５秒間、キュア時間１２０秒間にてモールドした後、粘着テープを剥離した。なお、さらに１７５℃にて３時間ほどポストモールドキュアを行って樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々のＱＦＮタイプ半導体装置を得た。
このようにして得られたＱＦＮは、変形且つ樹脂のはみ出しもなく、またワイヤボンディングなどの各工程も阻害なく、実施することができた。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９８％の歩留りでＱＦＮを得ることができた。
実施例５
２５μｍ厚の銅箔（日本製箔性、圧延鋼箔）を基材として用いた。前記基材の片側に、シリコーン系粘着剤（東レダウコーニング製ＳＤ−４５８７Ｌ）を用いて厚さ５μｍのアウターパッド側粘着剤層を形成し、その反対面に５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製カプトン１００Ｈ、線熱膨張係数２．２×１０-5／Ｋ）をエポキシ系接着剤で接着して、クリーニング機能付き粘着テープを作製した。この粘着テープのアウターパッド側粘着剤の粘着力は１．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度であった。
このクリーニング機能付き粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリードフレームのアウターバット側に貼り合わせた。このリードフレームのダイパッド部分に半導体チップをエポキシフェノール系の銀ペーストを用いて接着し、１８０℃にて１時間ほどキュアすることで固定した。
つぎに、リードフレームは粘着テープ側から真空吸引する形で２００℃に加熱したヒートブロックに固定し、さらにリードフレームの周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。これらを、６０ＫＨｚワイヤボンダー（日本アビオニクス製）を用いてφ２５μｍの金線（田中貴金属製ＧＬＤ−２５）にてワイヤボンディングを行った。これらの条件は実施例１と同じである。
その後、粘着テープの背面（基材）を布クロスで擦り、５００Ｖ程度に帯電させた。さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒間、インジェクション時間１１．５秒間、キュア時間１２０秒間にてモールドした後、粘着テープを剥離した。なお、さらに１７５℃にて３時間ほどポストモールドキュアを行って樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々のＱＦＮタイプ半導体装置を得た。
このようにして得られたＱＦＮは、変形且つ樹脂のはみ出しもなく、またワイヤボンディングなどの各工程も阻害なく、実施することができた。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９８％の歩留りでＱＦＮを得ることができた。
実施例６
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製カプトン１００Ｈ、線熱膨張係数２．２×１０-5／Ｋ）を基材として用いた。前記基材の片側に、アクリル系粘着剤を用いて厚さ５μｍのアウターパッド側粘着剤層を形成した。アクリル系粘着剤は、アクリル酸ブチル：アクリル酸＝９０：１０（重量比）を構成モノマーとするアクリル系共重合体（重量平均分子量５０万）１００重量部にトリメチロールプロパントリレンジイソシアネート２重量部を配合したものを用いた。また反対面にアラミド不織布（日本バイリーン製ＸＬ１０３０、目付け３０ｇ／ｍ2 ，厚さ０．４０ｍｍ）をエポキシ系接着剤で接着して、クリーニング機能付き粘着テープを作製した。この粘着テープのアウターパッド側粘着剤の粘着力は１．０Ｎ／１９ｍｍ幅程度であった。
このクリーニング機能付き粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリードフレームのアウターバット側に貼り合わせた。このリードフレームのダイパッド部分に半導体チップをエポキシフェノール系の銀ペーストを用いて接着し、１８０℃にて１時間ほどキュアすることで固定した。
つぎに、リードフレームは粘着テープ側から真空吸引する形で２００℃に加熱したヒートブロックに固定し、さらにリードフレームの周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。これらを、６０ＫＨｚワイヤボンダー（日本アビオニクス製）を用いてφ２５μｍの金線（田中貴金属製ＧＬＤ−２５）にて下記の条件でワイヤボンディングを行った。これらの条件は実施例１と同じである。
さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒間、インジェクション時間１１．５秒間、キュア時間１２０秒間にてモールドした後、粘着テープを剥離した。なお、さらに１７５℃にて３時間ほどポストモールドキュアを行って樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々のＱＦＮタイプ半導体装置を得た。
このようにして得られたＱＦＮは、変形且つ樹脂のはみ出しもなく、またワイヤボンディングなどの各工程も阻害なく、実施することができた。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９８％の歩留りでＱＦＮを得ることができた。
比較例１
実施例２において、基材として２５μｍ厚の銅箔（日本製箔性、圧延鋼箔）を用いた他は、実施例２と同様にして粘着テープを作製し、同様の検討を行った。なお、ワイヤボンディング後に、実施例２と同様に粘着テープ背面を布クロスで擦ったが、帯電しなかった。得られたＱＦＮは、変形且つ樹脂のはみ出しもなく、またワイヤボンディングなどの各工程も阻害なく、実施することができた。しかしながら、モールドを１００回連続したところ、金型の異物による変形又は樹脂のはみ出しが頻発し、６０％の歩留りでしかＱＦＮを得る事ができなかった。
実施例７
実施例１で作製したものと同様のクリーニング機能付き粘着テープを作製した。貼着工程として、まず半導体チップが配置されるための開口部が設けられた配線樹脂基板（ガラスエポキシ基板，ＦＲ−４）に、前記粘着テープを貼り合せた。次に露出した粘着テープの粘着剤層面に半導体チップを貼り合せ、回路基板と半導体チップをボンディングワイヤーで結線した。これらの条件は実施例１と同じである。その後、液状封止樹脂材料（エポキシ樹脂：日本エイブルスティック株式会社製のＡｍｉｃｏｎ Ｊ９０５−３）をポッティングし、１２０℃で６０分間、大気オーブン炉内で保持して硬化させた。硬化後、前記粘着テープを剥離し、後工程（はんだめつき，はんだボール搭載）に供した。
このようにして得られた片面樹脂封止半導体装置は、問題となる樹脂のはみ出しも無く、またワイヤーボンディングなどの各工程も問題なく、良好な特性を示した。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９５％の歩留りで半導体装置を得ることができた。
実施例８
実施例２で作製したものと同様のクリーニング機能付き粘着テープを作製した。貼着工程として、まず半導体チップが配置されるための開口部が設けられた配線樹脂基板（ガラスエポキシ基板、ＦＲ−４）に、前記粘着テープを貼り合せた。次に露出した粘着テープの粘着剤層面に半導体チップを貼り合せ、回路基板と半導体チップをボンディングワイヤーで結線した。これらの条件は実施例１と同じである。このあと、粘着テープの背面（基材）を布クロスで擦り、５００Ｖ程度に帯電させた。
さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒間、インジェクション時間１１．５秒間、キュア時間１２０秒間にてモールドした後、粘着テープを剥離した。なお、さらに１７５℃にて３時間ほどポストモールドキュアを行って樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々の片面樹脂封止半導体装置を得た。
このようにして得られた片面樹脂封止半導体装置は、問題となる樹脂のはみ出しも無く、またワイヤーボンディングなどの各工程も問題なく、良好な特性を示した。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９５％の歩留りで半導体装置を得ることができた。
実施例９
実施例３で作製したものと同様のクリーニング機能付き粘着テープを作製した。貼着工程として、まず半導体チップが配置されるための開口部が設けられた配線樹脂基板（ガラスエポキシ基板、ＦＲ−４）に、前記粘着テープを貼り合せた。次に露出した粘着テープの粘着剤層面に半導体チップを貼り合せ、回路基板と半導体チップをボンディングワイヤ一で結線した。これらの条件は実施例１と同じである。このあと、粘着テープ背面（基材）を布クロスで擦り、５００Ｖ程度に帯電させた。さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工製ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ製Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート４０秒間、インジェクション時間１１．５秒間、キュア時間１２０秒間にてモールドした後、粘着テープを剥離した。なお、さらに１７５℃にて３時間ほどポストモールドキュアを行って樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々の片面樹脂封止半導体装置を得た。
このようにして得られた片面樹脂封止半導体装置は、問題となる樹脂のはみ出しも無く、またワイヤーボンディングなどの各工程も問題なく、良好な特性を示した。また、モールドを１００回連続しても変形且つ樹脂のはみ出しもなく、９５％の歩留りで半導体装置を得ることができた。
比較例２
比較例１で作製したものと同様の粘着テープを作製した。当該粘着テープを用いたこと以外、実施例８と同様の検討を行った。なお、ワイヤボンディング後に、実施例８と同様に粘着テープの背面を布クロスで擦ったが、帯電しなかった。得られた片面樹脂封止半導体装置は、変形且つ樹脂のはみ出しもなく、またワイヤボンディングなどの各工程も阻害なく、実施することができた。しかしながら、モールドを１００回連続したところ、金型の異物による変形又は樹脂のはみ出しが頻発し、６０％の歩留りでしか半導体装置を得ることができなかった。
本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図である。 本発明におけるリードフレームの一例を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は要部拡大図、（ｃ）は樹脂封止後の状態を示す底面図である。 本発明における樹脂封止工程の一例を示す縦断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の他の例を示す工程図である。 本発明の粘着テープ又はシートの一例を示す断面図である。 本発明の粘着テープ又はシートの一例を示す断面図である。
符号の説明
１０ リードフレーム
１１a 開口
１１ｂ 端子部
１１ｃ ダイパッド
１５ 半導体チップ
１５ａ 電極パッド
１６ ボンディングワイヤ
１７ 封止樹脂
２０ 粘着テープ
２０ａ 基材層
２０ｂ 粘着剤層
２０ｃ 背面層
２１ 封止された構造物
２１ａ 半導体装置
２８ 配線樹脂基板
２８ａ 端子部
２８ｂ アウターパッド
２８ｃ 開口部

Claims (21)

  1. アウターパッド側に粘着テープ又はシートを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープ又はシートは、基材層と粘着剤層とを少なくとも有し、前記粘着剤層に対する背面は、金型に対するクリーニング機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 半導体チップを配置する開口部とその外側の表面に配置される端子部とその端子部の裏側面に配置されるアウターパッドとを有する配線樹脂基板の前記アウターパッド側に粘着テープ又はシートを貼り合わせる貼着工程と、前記開口部に半導体チップを配置する搭載工程と、前記配線樹脂基板の端子部と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープ又はシートは、基材層と粘着剤層とを少なくとも有し、前記粘着剤層に対する背面は、金型に対するクリーニング機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 前記背面が不織布であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
  4. 基材層が不織布であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
  5. 基材層の粘着剤層に対する反対側に、背面層として不織布層を有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記不織布の目付けが、５〜１０００ｇ／ｍ2 であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記背面が粘着剤層であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記粘着剤層のＪＩＳ Ｃ２１０７に準拠した粘着力が０．０５〜１０Ｎ／１９ｍ幅であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記背面が易帯電層であり、静電付着していることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
  10. 基材層が易帯電層であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
  11. 基材層の粘着剤層に対する反対側に背面層として易帯電層を有することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
  12. 前記易帯電層は、体積抵抗が１×１０8 Ω・ｃｍ以上であり、布クロスなどで擦った場合の表面の帯電量が１００Ｖ以上になるものであることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  13. 請求項１または２記載の半導体装置の製造方法に用いる粘着テープ又はシートであって、前記粘着テープ又はシートは、基材層と粘着剤層とを少なくとも有し、前記粘着剤層に対する背面は、金型に対するクリーニング機能を有することを特徴とする半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
  14. 前記背面が、不織布であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
  15. 基材層が不織布であることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
  16. 基材層の粘着剤層に対する反対側に背面層として不織布層を有することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
  17. 前記不織布の目付けが、５〜１０００ｇ／ｍ2 であることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれかに記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
  18. 前記背面が、粘着剤層であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
  19. 前記粘着剤層のＪＩＳ Ｃ２１０７に準拠した粘着力が０．０５〜１０Ｎ／１９ｍ幅であることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
  20. 基材層の粘着剤層に対する反対側に背面層として易帯電層を有することを特徴とする請求項１３記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。
  21. 前記易帯電層は、体積抵抗が１×１０8 Ω・ｃｍ以上であり、布クロスなどで擦った場合の表面の帯電量が１００Ｖ以上になるものであることを特徴とする請求項２０記載の半導体装置製造用粘着テープ又はシート。

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