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JP2005104845A - 4級アンモニウム系常温溶融塩及び製造法 - Google Patents

4級アンモニウム系常温溶融塩及び製造法 Download PDF

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JP2005104845A
JP2005104845A JP2003336389A JP2003336389A JP2005104845A JP 2005104845 A JP2005104845 A JP 2005104845A JP 2003336389 A JP2003336389 A JP 2003336389A JP 2003336389 A JP2003336389 A JP 2003336389A JP 2005104845 A JP2005104845 A JP 2005104845A
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治之 堀江
Hiroyuki Yoshimura
浩幸 吉村
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Abstract

【課題】 二次電池、電気二重層キャパシタ、燃料電池、色素増感太陽電池等の電気化学デバイスの電解質塩や電解液、さらには、有機合成用の溶媒として有用な新規4級アンモニウム系常温溶融塩を提供する。
【解決手段】 3級ジアミノ化合物とアルキル化剤を反応させ、その後、生成物をアニオン交換することにより、下記一般式(1)
【化1】
(式中、R〜Rは各々独立して炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1〜6の整数を示し、Aはアニオンである。)
で表される4級アンモニウム系常温溶融塩を得る。

Description

本発明は、4級アンモニウム系常温溶融塩及びその製造法に関する。本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩は、二次電池、電気二重層キャパシタ、燃料電池、色素増感太陽電池等の電気化学デバイスの電解質、電解液、さらには、有機合成用の溶媒として有用である。
常温溶融塩はイオン性液体とも呼ばれ、室温付近で液状を呈し広い温度範囲で蒸気圧が低く、また結晶性の塩に比較して有機溶媒等他物質との相溶性が高く、さらに、イオンのみで構成され高いイオン伝導性を示すことから、電気化学デバイスの電解質、電解液、又は、有機合成用溶媒として展開が図られている。
常温溶融塩のカチオン成分に関しては、これまで、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムをはじめとするイミダゾリウム系カチオン、又は、1−ブチルピリジニウムをはじめとするピリジニウム系カチオンが主に検討され(例えば、特許文献1参照)、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(例えば、特許文献2参照)等種々のアニオンを組合せた常温溶融塩が多数合成されている。
一方、イミダゾリウム系、ピリジニウム系以外の4級アンモニウム系カチオンに関しては、テトラアルキル4級アンモニウム(例えば、特許文献3参照)、アルコキシアルキル基を含む4級アンモニウム(例えば、特許文献4参照)等が報告されているが、その報告例はイミダゾリウム系、ピリジニウム系に比較して著しく少ない。
特開平11−307121号公報
特開平8−259543号公報 特許第2981545号明細書 国際公開第02/076924号パンフレット
イミダゾリウム系又はピリジニウム系のような環状アミジニウム化合物は、適切なアニオン種との組合わせにより、比較的容易に常温溶融塩とすることができ、また、高い電気伝導率を示すという特徴があるものの、耐電圧が低いという欠点がある。例えば、リチウム二次電池の電解質とした場合には、イミダゾリウム塩は、リチウムよりも貴な電位で分解してしまい安定性に劣る、また、電気二重層キャパシタの電解質とした場合には、電位窓が狭くなり十分な作動電圧が得られない、といった問題がある。さらに、イミダゾリウム系、ピリジニウム系カチオンは合成が煩雑であり、高価となるといった点が問題となっている。
また、電気二重層キャパシタ等の電解質としてテトラエチルアンモニウム塩等の4級アンモニウム化合物が多く用いられているが、電気化学デバイスとして好適な性能を示すプロピレンカーボネート等有機溶媒への溶解性が十分であるとは言えず、特に低温時に結晶が析出しやすいため、その添加量には制限がある。
一方、テトラアルキル型のアンモニウムカチオンは特定のアニオン、例えば、ビス(フルオロアルキルスルホニル)イミドアニオン等の組み合わせにより常温で液状とすることも可能であるが、一般に融点は高くなる傾向がある。
さらに、有機合成用溶媒に関しては、低揮発性で難燃性の溶媒の開発が望まれている。
本発明は上記の課題に鑑てなされたものであり、その目的は、室温で液状を呈し、かつ、二次電池、電気二重層キャパシタ等の電気化学デバイスの電解質塩や電解液、又は有機合成用の溶媒として有用な4級アンモニウム系常温溶融塩を提供することである。
本発明者らは、上記したような課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、下記一般式(1)
Figure 2005104845
(式中、R〜Rは各々独立して炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1〜6の整数を示し、Aはアニオンである。)
で表される化合物が、室温で液状を呈し、かつ、高いイオン伝動性を示し、電気化学デバイスの電解質塩や電解液として、さらには有機合成用の溶媒として有用であることを見い出し本発明を完成させるに至った。
すなわち本発明は、
1.下記一般式(1)で表される4級アンモニウム系常温溶融塩、
Figure 2005104845
(式中、R〜Rは各々独立して炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1〜6の整数を示し、Aはアニオンである。)
2.下記一般式(9)
Figure 2005104845
(式中、R〜Rは各々独立して炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1〜6の整数である。)
で表される3級ジアミノ化合物とアルキル化剤を反応させ、その後、生成物をアニオン交換することを特徴とする上記一般式(1)で表される4級アンモニウム系常温溶融塩の製造法、
3.上記一般式(1)で表される4級アンモニウム系常温溶融塩からなる電気化学デバイス用電解質塩、並びに
4.上記一般式(1)で表される4級アンモニウム系常温溶融塩からなる電気化学デバイス用電解液、
である。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩は、上記一般式(1)で示される化合物である。上記一般式(1)中、置換基R〜Rは各々独立して炭素数1〜4のアルキル基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基等が挙げられる。nは1〜6の整数を示し、Aはアニオンである。
本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩に使用される4級アンモニウムカチオンとしては、特に限定するものではないが、例えば、(2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム、(2−ジメチルアミノエチル)エチルジメチルアンモニウム、(2−ジエチルアミノエチル)トリエチルアンモニウム、(2−ジエチルアミノエチル)ジエチルメチルアンモニウム、(3−ジメチルアミノプロピル)トリメチルアンモニウム、(3−ジメチルアミノプロピル)エチルジメチルアンモニウム、(3−ジエチルアミノプロピル)トリエチルアンモニウム、(3−ジエチルアミノプロピル)ジエチルメチルアンモニウム、(4−ジメチルアミノブチル)トリメチルアンモニウム、(4−ジメチルアミノブチル)エチルジメチルアンモニウム、(4−ジエチルアミノブチル)トリエチルアンモニウム、(4−ジエチルアミノブチル)ジエチルメチルアンモニウム、(6−ジメチルアミノヘキシル)トリメチルアンモニウム、(6−ジメチルアミノヘキシル)エチルジメチルアンモニウム、(6−ジエチルアミノヘキシル)トリエチルアンモニウム、(6−ジエチルアミノヘキシル)ジエチルメチルアンモニウム等が好適なものとして挙げられる。このような4級アンモニウムカチオンを適用することにより、広範な対アニオンとの組合せにおいて、融点が50℃以下となり、50℃以下の低温領域で溶融塩とすることが可能となる。
本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩に使用されるアニオンAとしては、特に限定するものではないが、本発明のカチオンと組合せて融点が低くなるようなアニオンが好適に用いられる。このようなアニオンとしては、例えば、下記一般式(2)
RfSO (2)
(式中、Rfはフルオロアルキル基を表す)
で示されるフルオロアルキルスルホネートアニオン、下記一般式(3)
(RfSO (3)
(式中、Rfは上記と同じ定義である)
で示されるビス(フルオロアルキルスルホニル)イミドアニオン、下記一般式(4)
(RfSO (4)
(式中、Rfは上記と同じ定義である)
で示されるトリス(フルオロアルキルスルホニル)カルボアニオン、下記一般式(5)
(FSO (5)
で示されるビス(フルオロスルホニル)イミドアニオン、下記一般式(6)
(RfCO) (6)
(式中、Rfは上記と同じ定義である)
で示されるビス(フルオロアルキルカルボニル)イミドアニオン、下記一般式(7)
(RfSO)N(CORf) (7)
(式中、Rfは上記と同じ定義である)
で示される(フルオロアルキルスルホニル)(フルオロアルキルカルボニル)イミドアニオン、及び下記一般式(8)
RfCOO (8)
(式中、Rfは上記と同じ定義である)
で示されるフルオロアルキルカルボキシアニオン等が挙げられる。具体的には、トリフルオロメタンスルホネート、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)イミド、トリス(トリフルオロメチルスルホニル)カルバニオン、ビス(フルオロスルホニル)イミド、ビス(トリフルオロメチルカルボニル)イミド、(トリフルオロメチルスルホニル)(トリフルオロメチルカルボニル)イミド、トリフルオロ酢酸等のアニオンが好適なものとして挙げられる。これらアニオンは単独で用いられる他、2種以上を組合せても良い。
本発明の4級アンモニウム塩の製造法については、特に制限はなく、各種の方法を用いることができる。例えば、上記一般式(9)で示されるN,N,N’,N’−テトラアルキルアルキレンジアミン化合物をモノアルキル4級塩化し、その後、生成物をアニオン交換することによって本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩を製造することができる。
上記一般式(9)中、置換基R〜Rは各々独立して炭素数1〜4のアルキル基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基等が挙げられる。また、nは1〜6の整数を示す。本発明の方法において、上記一般式(9)で示される化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラエチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,3−プロパンジアミン、N,N,N’,N’−テトラエチル−1,3−プロパンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,4−ブタンジアミン、N,N,N’,N’−テトラエチル−1,4−ブタンジアミン、エチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,6−ヘキサンジアミン、N,N,N’,N’−テトラエチル−1,6−ヘキサンジアミン等が挙げられる。
本発明の方法において、モノアルキル4級塩化に際しては、ジアルキルカーボネートを使用する方法、ハロゲン化アルキルを使用する方法の他、硫酸アルキルエステル、カルボン酸アルキルエステルを使用する方法等も採ることができる。
ジアルキルカーボネートによるモノアルキル4級塩化反応としては、特に限定するものではないが、例えば、次のような方法を採ることができる。すなわち、上記一般式(9)で示される化合物に対し、通常0.1〜3倍モル量の、より好ましくは0.5〜1.2倍モル量のジアルキルカーボネートを、無溶媒、又はメタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、キシレン等の有機溶媒の存在下、通常80〜150℃の温度で、常圧下又はオートクレーブを用いた加圧下、通常1〜100時間の反応で行うことにより、一般式(1)で示されるアンモニウムカチオンのアルキルカーボネート塩を得ることができる。なお、ジアルキルカーボネートとしては、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジ−n−プロピルカーボネート等が挙げられる。
また、ハロゲン化アルキルを4級化剤として用いた場合には、特に限定するものではないが、例えば、次のような方法により反応を行うことができる。すなわち、上記一般式(9)で示される化合物に対し、通常0.1〜3倍モル量の、より好ましくは0.5〜1.2倍モル量のハロゲン化アルキルを反応させればよい。反応溶媒としては、特に限定するものではないが、モノアルキル4級塩化によりハロゲン塩が析出するような溶媒、例えば、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒が好適に用いられる。反応は通常0〜120℃の温度で、常圧下又は加圧下、0.5〜50時間で行うことにより進行し、本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩に使用される4級アンモニウムカチオンのハロゲン塩を得ることができる。なお、該反応において使用されるハロゲン化アルキルとしては、例えば、ヨードメタン、ブロモメタン、クロロメタン、ヨードエタン、ブロモエタン、クロロエタン、1−ヨードプロパン、1−ブロモプロパン、1−クロロプロパン、2−ヨードプロパン、2−ブロモプロパン、2−クロロプロパン、1−ヨードブタン、1−ブロモブタン、1−クロロブタン等が挙げられる。
こうして得られた4級アンモニウム塩は、容易に所望のアニオンに交換することができ、特に生成塩が疎水性を有するフルオロアルカンスルホネートアニオン、フルオロアルカンスルホニルイミドアニオン、フルオロアルカンスルホニルカルボアニオン、トリフルオロアルキルカルボン酸アニオン等では、水洗により容易に副生塩を除去することができる。例えば、アルキルカーボネート塩からビス(フルオロアルカンスルホニル)イミド塩への変換は、室温下、等モル量の4級アンモニウムメチルカーボネート塩とビス(フルオロアルカンスルホニル)イミドのアルカリ金属塩を用い、水、又は水と混和する有機溶剤との共存下で混合することにより直ちに進行し、その際炭酸ガスの発生が見られる。また、副生するアルカリ金属の炭酸塩は水洗することにより容易に除去できる。またハロゲン塩、硫酸塩からのアニオン交換も同様の方法で行うことができる。
本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩は、室温領域において液状を示しており、また高いイオン電導性を示すことから、二次電池、電気二重層キャパシタ、燃料電池、色素増感太陽電池等の電気化学デバイスにおいて、電解質塩や電解液として使用することができる。また、電解液用途では常温溶融塩単独の他、有機溶媒に溶解した状態で使用することができる。
電解液を構成する溶媒としては、本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩を溶解することができ、電気化学デバイスの作動電圧範囲で安定なものであれば、特に限定されるものではないが、一般的には、電解質を良く溶解し、誘電率が高く、低粘度であり、さらには、高沸点の溶媒が好適である。具体的には、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、スルホラン等が挙げられる。これらの溶媒は単独で使用しても良いし、また2種以上混合して使用しても良い。
電解液として使用する際の、4級アンモニウム塩の濃度については、特に限定するものではないが、性能面から好ましくは0.1mol/l以上、より好ましくは0.5mol/l以上として使用する。
本発明の電解液においては、本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩以外の電解質を併用しても良い。このような電解質としては、二次電池、電気二重層キャパシタ、燃料電池、色素増感太陽電池等の電気化学デバイスに使用できるものであればよく、特に限定されない。また、本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩をリチウム二次電池の電解液として使用する際には、リチウムテトラフルオロボレート、リチウムヘキサフルオロホスフェート、リチウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、過塩素酸リチウム等のリチウム塩を添加することが好ましい。
また、本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩は極性が高く、有機系化合物、高分子化合物等多数の物質を溶解することから、有機合成用の反応溶媒、抽出、分離溶媒として有用である。適用反応としては、例えば、オレフィンの重合・二量化、水素化、酸化、芳香族のアルキル化、メタセシス反応、カルボニル化反応、ヘック反応、ヒドロホルミル化、不均化、フリーデルクラフト反応、ディースアルダー反応、テロメリゼーション、Wittig反応、バイリス・ヒルマン反応といった反応が挙げられる。
本発明の4級アンモニウム系常温溶融塩は、上記したように室温付近で液状を呈し、高い電気伝導性を示し、また電解液用有機溶媒への高い溶解性を示すことから、二次電池、電気二重層キャパシタ、燃料電池、色素増感太陽電池等の電気化学デバイス、さらには有機合成用の溶媒として極めて有用である。
以下、実施例、比較例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
実施例1 (2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドの合成
攪拌機、冷却管、温度計を附した200mlフラスコに、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン29.1g(0.25mol)、ジメチルカーボネート22.6g(0.25mol)、及び、n−プロパノール30mlを仕込み、還流条件下で23時間反応を行った。なおこの間、反応液の温度は90から100℃まで徐々に上昇した。その後、未反応のジメチルカーボネート、n−プロパノールを留去、さらに、ジエチルエーテル中で洗浄操作を行い不純物を除去、乾燥を行い、(2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム・メチルカーボネート塩26.8gを得た。
次いで、得られた(2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム・メチルカーボネート10.0gを水30gに溶解し、等モル量のリチウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド14.1gの30%水溶液を攪拌しながら滴下した。滴下終了後さらに30分間攪拌、熟成を行い、静置により水相と有機相(目的物)に2相分離させ、有機相を水洗、乾燥を行い、室温(25℃)で液状の(2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド13.3gを得た。なお、生成物の確認はH−NMRにより行った(図1参照)
実施例2 (2−ジメチルアミノエチル)エチルジメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドの合成
実施例1と同様の装置に、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン11.6g(0.10mol)をテトラヒドロフラン100mlに溶解させ、ヨードエタン15.6g(0.10mol)を30分かけて滴下し、滴下終了後、室温で1時間熟成、その後、60℃で4時間反応を行い、析出物をろ過、乾燥し、(2−ジメチルアミノエチル)エチルジメチルアンモニウム・ヨーダイド25.6gを得た。
次いで、得られた(2−ジメチルアミノエチル)エチルジメチルアンモニウム・ヨーダイド10.0gを水10gに溶解し、等モル量のリチウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド10.6gの50%水溶液を攪拌しながら滴下した。以下実施例1と同様の操作を行い、(2−ジメチルアミノエチル)エチルジメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド12.4gを得た。
実施例3 (2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム・トリフルオロメタンスルホネートの合成
実施例1の方法で得られた(2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム・メチルカーボネート10.0gを水30gに溶解し、攪拌下、等モル量のトリフルオロメタンスルホン酸ナトリウム8.45gの30%水溶液を攪拌しながら滴下した。滴下終了後さらに30分間攪拌、熟成を行い、静置により水相と有機相(目的物)に2相分離させ、有機相を水洗、乾燥を行い、室温(25℃)で液状の(2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム・トリフルオロメタンスルホネート12.9gを得た。
実施例4 (3−ジメチルアミノプロピル)トリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドの合成
N,N,N’,N’−テトラメチル−1,3−プロパンジアミン13.0g(0.10mol)を用いた以外は実施例2と同様の方法により、(3−ジメチルアミノプロピル)トリメチルアンモニウム・ヨーダイド25.0gを得た。
次いで、得られた(3−ジメチルアミノプロピル)エチルジメチルアンモニウム・ヨーダイド10.0gを用いた以外は実施例2と同様に塩交換、処理を行い、(3−ジメチルアミノプロピル)トリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド12.7gを得た。
実施例5〜実施例8(電気伝導率の評価)
実施例1〜実施例4で得られた常温溶融塩の25℃における電気伝導率を測定した。その結果を表1に示す。
Figure 2005104845
実施例9〜実施例12
実施例1〜実施例3で得られた常温溶融塩をプロピレンカーボネートに溶解した電解液の、電気伝導率の測定結果を表1にあわせて示す。
比較例1、比較例2
溶媒にプロピレンカーボネートを用いた場合のテトラエチルアンモニウム・テトラフルオロボレート(試薬)の電気伝導率の測定結果を表1に合わせて示す。
テトラエチルアンモニウム・テトラフルオロボレートはプロピレンカーボネートに対する溶解性が低く1.5mol/lの濃度では塩が析出し、電気伝導率は測定できなかった。
実施例1で得られた(2−ジメチルアミノエチル)トリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドのH−NMRスペクトル図である。

Claims (9)

  1. 下記一般式(1)で表される4級アンモニウム系常温溶融塩。
    Figure 2005104845
    (式中、R〜Rは各々独立して炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1〜6の整数を示し、Aはアニオンである。)
  2. 融点が50℃以下である請求項1記載の4級アンモニウム系常温溶融塩。
  3. 上記一般式(1)で表される4級アンモニウム系常温溶融塩において、アニオンAが、下記一般式(2)
    RfSO (2)
    (式中、Rfはフルオロアルキル基を表す)
    で示されるフルオロアルキルスルホネートアニオン、下記一般式(3)
    (RfSO (3)
    (式中、Rfは上記と同じ定義である)
    で示されるビス(フルオロアルキルスルホニル)イミドアニオン、下記一般式(4)
    (RfSO (4)
    (式中、Rfは上記と同じ定義である)
    で示されるトリス(フルオロアルキルスルホニル)カルボアニオン、下記一般式(5)
    (FSO (5)
    で示されるビス(フルオロスルホニル)イミドアニオン、下記一般式(6)
    (RfCO) (6)
    (式中、Rfは上記と同じ定義である)
    で示されるビス(フルオロアルキルカルボニル)イミドアニオン、下記一般式(7)
    (RfSO)N(CORf) (7)
    (式中、Rfは上記と同じ定義である)
    で示される(フルオロアルキルスルホニル)(フルオロアルキルカルボニル)イミドアニオン、及び下記一般式(8)
    RfCOO (8)
    (式中、Rfは上記と同じ定義である)
    で示されるフルオロアルキルカルボキシアニオンからなる群より選ばれる1種又は2種以上のアニオンであることを特徴とする請求項1又は2記載の4級アンモニウム系常温溶融塩。
  4. 上記一般式(1)で表される4級アンモニウム系常温溶融塩において、アニオンAが、トリフルオロメタンスルホネート、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)イミド、トリス(トリフルオロメチルスルホニル)カルバニオン、ビス(フルオロスルホニル)イミド、ビス(トリフルオロメチルカルボニル)イミド、(トリフルオロメチルスルホニル)(トリフルオロメチルカルボニル)イミド、及びトリフルオロ酢酸からなる群より選ばれる1種又は2種以上のアニオンであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の4級アンモニウム系常温溶融塩。
  5. 下記一般式(9)
    Figure 2005104845
    (式中、R〜Rは各々独立して炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは1〜6の整数である。)
    で表される3級ジアミノ化合物とアルキル化剤を反応させ、その後、生成物をアニオン交換することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の4級アンモニウム系常温溶融塩の製造法。
  6. アルキル化剤がジアルキルカーボネート又はハロゲン化アルキルであることを特徴とする請求項5に記載の4級アンモニウム系常温溶融塩の製造法。
  7. 請求項3又は請求項4に記載のアニオンによりアニオン交換することを特徴とする請求項5に記載の4級アンモニウム系常温溶融塩の製造法。
  8. 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の4級アンモニウム系常温溶融塩からなる電気化学デバイス用電解質塩。
  9. 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の4級アンモニウム系常温溶融塩からなる電気化学デバイス用電解液。
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