JP2005145859A - 脱水素化方法及び芳香族複素環化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 医薬中間体等として有用なベンゾフラン類、ベンゾチオフェン類、インドール類の経済的で、大量生産に適した工業的製造方法を提供する。
【解決手段】 置換又は無置換のテトラヒドロベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン、テトラヒドロベンゾチオフェン、ジヒドロベンゾチオフェン、テトラヒドロインドール及びジヒドロインドールからなる群れから選ばれるヒドロ複素環化合物を脱水素して、置換又は無置換のベンゾフラン、ベンゾチオフェン及びインドールからなる群れから選ばれる芳香族複素環化合物とする脱水素方法において、脱水素触媒として活性炭をヒドロ複素環化合物に対し１〜２００wt％使用し、溶液状態のヒドロ複素環化合物と酸素含有ガスを２０〜２００℃で接触させることを特徴とする脱水素方法。
【選択図】 なし

Description

本発明は医薬中間体等として有用なベンゾフラン類、ベンゾチオフェン類、インドール類の製造に有用な脱水素方法に関するものである。

芳香族環の一部又は全部が水素化された構造を有するヒドロ複素環化合物を脱水素して芳香族化合物とする方法は公知である。工業的にも広く採用されている方法には、（１）パラジウム、ニッケル、白金等の遷移金属触媒を用いて脱水素する方法や、（２）硫黄、セレン、キノン類等の化学量論的脱水素化剤を用いる方法が非特許文献１等で知られている。

特開平６−１００４７２号公報 特開平５−９６１７３号公報 特開平５−２７１１１８号公報 特開２００３−１６０５１６号公報 特開平６−１２８２２６号公報 R. C. Larock Comprehensive Organic Transformations, VCH Publishers: New York, 1989, pp.93-97

特許文献１は、縮合多環化合物の脱水素芳香族化を、Ｐｄ/Ｃ触媒の存在下で、液相で行う方法を開示している。脱水素反応方式としては、固定床式、懸濁床式などがあるとしている。特許文献２は、結晶性アルミノジンコシリケートと亜鉛とアルミニウムの複合酸化物を含有する触媒の存在下で、シクロへキサン等を液相で脱水素芳香族化を行う方法を開示している。しかし、いずれも酸素含有ガス（分子状酸素）の存在を必要とはしない。一方、特許文献３は、炭素質材料含有触媒の存在下、シクロへキサン等を酸素含有ガスと接触させて気相で酸化的脱水素してベンゼン等を製造する方法を開示している。

上記特許文献はいずれも芳香族炭化水素の製造を目的としているが、複素環化合物を目的とするものとしては、特許文献４及び５がある。特許文献４は、脂環式化合物、複素環化合物又は部分核水素化芳香族化合物から対応する芳香族化合物の製造するに当たり、周期律表第VIII族金属又はその化合物等の脱水素触媒が分散した溶液中にニトロ化合物を存在させて脱水素を行う方法を開示しているが、酸化脱水素ではない。特許文献５は、コバルト（II)錯体触媒の存在下、分子状酸素により、ハロゲノインドリン類を酸化脱水素させ、ハロゲノインドール類を製造する方法を開示している。

しかしながら、これらの製造方法には次のような課題があり、改良された工業生産に適した製造方法が求められていた。非特許文献1に開示された製造方法（１）は、高価な貴金属触媒の使用による製造コストの高さであり、製造方法（２）は化学量論量の脱水素化剤に由来する還元副生物類の廃棄処理の問題である。また、特許文献４及び５の方法も上記（１）のような問題が指摘される。
本発明の目的はかかる課題を克服し、経済的で、大量生産に適した工業的脱水素化方法を提供することである。

本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討を行った結果、格別な金属系触媒を使用することなく、活性炭の存在下で脱水素反応させることにより、ベンゾフラン類、ベンゾチオフェン類、インドール類が得られることを見出し、本発明に到達した。

すなわち本発明は、置換又は無置換のテトラヒドロベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン、テトラヒドロベンゾチオフェン、ジヒドロベンゾチオフェン、テトラヒドロインドール及びジヒドロインドールからなる群れから選ばれるヒドロ複素環化合物を脱水素して、置換又は無置換のベンゾフラン、ベンゾチオフェン及びインドールからなる群れから選ばれる芳香族複素環化合物とする脱水素方法において、脱水素触媒として活性炭をヒドロ複素環化合物に対し１〜２００wt％使用し、溶液状態のヒドロ複素環化合物と酸素含有ガスを２０〜２００℃で接触させることを特徴とする脱水素方法である。

また、本発明は、一般式I又はIIIで表されるヒドロ複素環化合物を、活性炭存在下で脱水素反応させることを特徴とする一般式IIで表される芳香族複素環化合物の製造方法である。

（但し、一般式I、II及びIII中、
ＸはＯ、Ｓ、ＮＲ¹を示し、
Ｒ¹は水素原子、−ＳＯ₂Ｒ⁸基、−ＣＯＯＲ⁸基、−ＣＯＲ⁸基、−（ＣＨ₂）_nＯＲ⁸基又は−（ＣＨ₂）_nＲ⁸基を示し、
ｎは１又は２を示し、
Ｒ²〜Ｒ⁷はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、オキソ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、オキシム基、シアノ基、ホルミル基、ハロホルミル基、カルボキシル基、カルボキシラト基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、ヒドロル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、チオール基、アリール基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基を示し（ここで、チオール基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基は更にハロゲン原子、オキソ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、オキシム基、シアノ基、ホルミル基、ハロホルミル基、カルボキシル基、カルボキシラト基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、ヒドロル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、チオール基、フェニル基により置換されていても良い。）、
Ｒ⁸は水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、炭素数１〜６の低級アルキル基、ビニル基、アリル基、フェニル基又はベンジル基を示し、アミノ基は低級アルキル基により置換されていてもよく、低級アルキル基はハロゲン原子又は炭素数１〜６の低級アルコキシ基またはシアノ基、カルボキシラト基、ハロホルミル基、炭素数１〜６の低級アルコキシカルボニル基又は炭素数１〜６の低級アルキルアミノカルボニル基により置換されていてもよく、フェニル基及びベンジル基はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロル基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はフェネチルオキシ基により置換されていてもよい。）

ここで、一般式Iで表されるヒドロ複素環化合物として、一般式IVで表されるヒドロ複素環化合物が好ましいものとして例示される。

（但し、一般式IV中、実線と点線からなる結合は単結合又は二重結合を示し、Ｒ¹は水素
原子、メタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、アセチル基、ベンゾイル基、４−（２−フェニルエチルオキシ）ベンゾイル基又はベンジル基であり、Ｒ⁹はシアノ基、カルボキシラト基、ハロホルミル基、炭素数１〜６の低級アルコキシカルボニル基又は炭素数１〜６の低級アルキルアミノカルボニル基を示す。）

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、置換又は無置換のテトラヒドロベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン、テトラヒドロベンゾチオフェン、ジヒドロベンゾチオフェン、テトラヒドロインドール及びジヒドロインドールからなる群れから選ばれる置換又は無置換のヒドロ複素環化合物を原料として使用し、これを脱水素して対応する芳香族複素環化合物とする方法である。

原料として使用する化合物がテトラヒドロ複素環化合物の場合は、それと対応する芳香族複素環化合物のベンゼン環の二重結合の２つが水素化された化合物が好ましく、ジヒドロ複素環化合物の場合は、それと対応する芳香族複素環化合物の５員環の二重結合の１つが水素化された化合物が好ましく挙げられる。このヒドロ複素環化合物は、脱水素化を阻害しない限り任意の置換基を有することができる。かかる、置換ヒドロ複素環化合物は、特許文献５等により公知である。

原料を脱水素して得られる化合物は、テトラヒドロ複素環化合物から４つ水素が又はジヒドロ複素環化合物から２つの水素が除かれた対応する芳香族複素環化合物である。

好適なテトラヒドロ複素環化合物としては、前記一般式Iで表される化合物が挙げられる。同様に、好適なジヒドロ複素環化合物としては、前記一般式IIIで表される化合物が挙げられる。かかる原料化合物を脱水素して得られる対応する芳香族複素環化合物としては、前記一般式IIで表される化合物が挙げられる。

前記一般式I〜IIIにおいて、Ｒ²〜Ｒ⁷は、本発明における脱水素反応を阻害しないものであれば特に制約を受けることはない。また、５員環部分を構成するＸはＯ、Ｓ又はＮＲ¹を示す。なお、後記するようにＲ²〜Ｒ⁷は、それが二重結合で環構成炭素原子に結合している場合を除き、脱水素化の前後で変化しない。

Ｒ¹の具体例としては、水素原子、ホルミル基、アリル基、ヒドロメチル基、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、プロパンスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシチレンスルホニル基、ｐ−メトキシフェニルスルホニル基等のスルホニル基類、アセチル基、ジクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、４−（２−フェニルエチルオキシ）ベンゾイル基等のアシル基類、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基等のアミノカルボニル基類、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基類、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−クロロエトキシメチル基、t−ブトキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基等のアルコキシメチル基類、２−クロロエチル基、（１−エトキシ）エチル基、エトキシエチル基、２−（４−ニトロフェニル）エチル基等の置換エチル基類、ベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、３，５−ジメトキシベンジル基、２−ニトロベンジル基等のベンジル基類が例示できる。

好ましいＲ¹としては、水素原子、ホルミル基、アリル基、ヒドロメチル基、メタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、アセチル基、ジクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、４−（２−フェニルエチルオキシ）ベンゾイル基、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ジエトキシメチル基、２−クロロエトキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、２−クロロエチル基、２−（４−ニトロフェニル）エチル基、ベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メトキシベンジル基が例示できる。

Ｒ²〜Ｒ⁷の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子類、オキソ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、オキシム基、シアノ基、ホルミル基、フルオロホルミル基、クロロホルミル基、ブロモホルミル基などのハロホルミル基類、カルボキシル基、カルボキシラト基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、ブチルカルボニル基などのアルコキシカルボニル基類、アミノカルボニル基、ヒドロル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、エトキシメチルオキシ基などのアルコキシル基類、フェノキシ基、メチルフェニルオキシ基、エチルフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ジクロロフェニルオキシ基、ニトロフェニルオキシ基、ジニトロフェニルオキシ基、ヒドロフェニルオキシ基、ジヒドロフェニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、ジメトキシフェニルオキシ基、ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基などのアリールオキシ基類、チオール基、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、メタンスルホニル基などの含硫黄置換基類、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ニトロフェニル基、ジニトロフェニル基、ヒドロフェニル基、ジヒドロフェニル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などのアリール基類、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ベンジル基、アリル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基などのアルキル基類、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、クロロビニル基、フェニルビニル基などのアルケニル基類、エチニル基、プロピニル基、フェニルエチニル基、３，３−ジメチル−３−ヒドロプロピン−１−イル基などのアルキニル基類、メチリデン基、カルボキシメチリデン基、メトキシカルボニルメチリデン基、エトキシカルボニルメチリデン基、アミノカルボニルメチリデン基、シアノメチリデン基、クロロカルボニルメチリデン基、メチルアミノカルボニルメチリデン基、ジメチルアミノカルボニルメチリデン基などのアルキリデン基類が例示できる。

好ましいＲ²〜Ｒ⁷としてはオキソ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、ホルミル基、クロロホルミル基、カルボキシル基、カルボキシラト基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アミノカルボニル基、ヒドロル基、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェニル基、メチルフェニル基、ヒドロフェニル基、メトキシフェニル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ベンジル基、アリル基、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、フェニルビニル基、エチニル基、プロピニル基、フェニルエチニル基、３，３−ジメチル−３−ヒドロプロピン−１−イル、カルボキシメチリデン基、メトキシカルボニルメチリデン基、エトキシカルボニルメチリデン基、アミノカルボニルメチリデン基、シアノメチリデン基、クロロカルボニルメチリデン基、メチルアミノカルボニルメチリデン基、ジメチルアミノカルボニルメチリデン基が例示できる。

なお、Ｒ²〜Ｒ⁷のいずれか１〜３つ、好ましくは１つが二重結合で環構成炭素に結合する２価の基であることができる。この場合の、２価の基は置換又は無置換のアルキリデン基であることが好ましい。なお、この２価の基は、脱水素して得られる芳香族複素環化合物の環構成炭素原子がいずれも１つの置換可能な水素原子しか有しないものとなるので、脱水素化後は当然に１価の基となる。例えば、アルキリデン基である場合は水素化されてアルキル基となる。例えば、アルキリデン基である場合は脱水素化とそれに続く異性化反応によりアルキル基となる。
テトラヒドロ複素環化合物の好ましい例としては、前記一般式IVで表される化合物が挙
げられる。前記一般式IVで実線と点線からなる結合が、二重結合である場合は、脱水素化
後はこれが単結合となると共に、Ｒ⁹で置換されたメチレン基は、Ｒ⁹で置換されたメチル基となる。反応式を次に示す。

本発明で使用する触媒は、活性炭である。その他の脱水素触媒能を有する成分は、実質的に存在させないことがよい。しかし、不純物程度の量が存在することは差し支えない。活性炭だけを触媒とすることにより、その入手及び再生又は廃棄処理が容易となる。

活性炭としては、特に制限は無く、粒状、粉末状共に好適に使用でき、市販の活性炭が使用できる。活性炭は多数の細孔と高い比表面を有するが、平均細孔径はおおむね約０．１〜１０nm、好ましくは約１〜６nmであることが望ましい。比表面積は、１００ｍ²/g以上、好ましくは約５００〜１５００ｍ²/gであることが望ましい。

活性炭の使用量は通常脱水素すべき化合物に対して１〜２００重量％であり、好ましくは５〜５０重量％の範囲である。活性炭は多量使用しても特に差し支えないが、大過剰量使用しても格別の意味は無い。

活性炭存在下における脱水素反応は通常、ヒドロ複素環化合物と活性炭を、液相にて加熱し、酸素含有ガス、好ましくは空気の存在する雰囲気下で行われる。脱水素反応の反応温度はヒドロ複素環化合物の種類及び反応溶媒によって異なるが、２０〜２００℃、好ましくは５０〜１８０℃である。反応圧力は、酸化的脱水素が許容し得る速度で進行し、所望な不飽和生成物を生成することが確保されるように選択される。通常は、０．０５〜１０MPaの範囲であるが、好ましくは、常圧又はその近辺である。

酸素含有ガスの使用量は、脱水素すべき水素分子１モル当たり、酸素分子として、約０．１〜５モル、好ましくは０．５〜３モルであるが、脱水素反応を完全にさせるためには理論量以上の酸素が必要である。しかし、大過剰の酸素含有ガスの存在は副反応の発生や発熱や爆発の恐れがあるので、酸素含有ガスを分割して添加することも有利である。気液を混合するためには、攪拌や固定相に気液を共に流通させる等の公知の手段が採用できる。

原料化合物又は目的化合物が、反応条件において固体の場合は、これらを溶解する溶媒を使用する。固体ではない場合であっても、反応を制御するために溶媒を使用することが好ましいことが多い。

溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、石油エーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系溶剤類、アセトニトリル、ベンゾニトリルのようなニトリル類、ギ酸、酢酸等の有機酸類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグライム、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、ジメチルアセトアミド、ジメチルフォルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン、スルフォラン等の所謂非プロトン性極性溶媒類、メタノール、エタノール、２−プロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール等のアルコール類、アニリン、トリエチルアミン、ピリジン、キノリン、イソキノリン等のアミン類及び水を例示することができる。これらは、原料化合物又は目的化合物に対する溶解度、反応条件と沸点の関係、原料化合物と比較しての脱水素化されやすさ等の関係から選択される。

反応時間又は原料化合物の供給速度は、触媒と反応物とを十分な時間接触させるように設定される。これは、触媒の性状、原料化合物の種類、反応温度等により変化するが、反応時間として１〜４８hr程度であり、液体空間速度（ＬＨＳＶ）として０．０１〜１hr^-1程度である。

酸化的脱水素反応は、任意の好適な反応装置で行うことができる。バッチタイプの反応装置を用いることができるが、工業的には流通式反応装置が好ましい。典型的には、空気含有ガスと反応原料液を混合した後、触媒と接触させる方法がある。

反応終了後は、ろ過等により活性炭触媒を分離し、液状物を蒸留等で分離、精製することにより目的化合物を得る。回収された活性炭触媒はそのまま再使用しても、水蒸気や空気等と接触させて再生してもよい。触媒活性がなくなったり、再生不能となった場合は、廃棄することになるが可燃性であるため、安全に処理可能である。

医薬中間体等として有用なベンゾフラン類、ベンゾチオフェン類、インドール類の経済的で、大量生産に適した工業的製造方法が可能となる。

以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明を具体的に説明する。
2-メチル-1-トシルインドール-4-酢酸エチルエステルの合成（化合物１ａ）
4-エトキシカルボニルメチリデン−2-メチル-1-トシル-4,5,6,7-テトラヒドロインドール（化合物１ｂ）３．７g、武田薬品工業製活性炭（粒状白鷺ＫＬ）０.５g、キシレン５０mlの溶液を空気雰囲気下で、１４０℃で２４時間攪拌した。冷却後、活性炭を濾別し、溶媒を減圧下で留去して粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）を用いて精製してペースト状の目的化合物（化合物１ａ）２．９gを得た。収率は７５モル％であった。（化合物１ａ）であることは、元素分析及び13C-NMR(CDCl3)で確認した。

活性炭をアルドリッチ社製活性炭（DarcoG60）０．５ｇに変えた他は、実施例１と同様にして反応させて、（化合物１ｂ）３．７gから目的化合物（化合物１ａ）２．６gを得た。収率は７２モル％であった。

比較例１
（化合物１ｂ）３．７g、ｐ-クロラニル２.５g、トルエン５０mlの溶液を１００℃で２４時間攪拌した。冷却後、析出物を濾別し、有機層を蒸留水及び１Ｍのチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄した後、溶媒を減圧下で留去して粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）を用いて精製してペースト状の目的化合物（化合物１ａ）２．１gを得た。

比較例２
化合物（１ｂ）１１．８g、１０％パラジウム炭素３．２g、ジエチレングリコールジエチルエーテル６０mlの懸濁液を１８０℃で２時間攪拌した。触媒を濾別した後、溶媒を減圧下で留去して粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）を用いて、精製して目的化合物（化合物１ａ）５．９gを得た。収率は５０モル％であった。

Claims (3)

1. 置換又は無置換のテトラヒドロベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン、テトラヒドロベンゾチオフェン、ジヒドロベンゾチオフェン、テトラヒドロインドール及びジヒドロインドールからなる群れから選ばれるヒドロ複素環化合物を脱水素して、置換又は無置換のベンゾフラン、ベンゾチオフェン及びインドールからなる群れから選ばれる芳香族複素環化合物とする脱水素方法において、脱水素触媒として活性炭をヒドロ複素環化合物に対し１〜２００wt％使用し、溶液状態のヒドロ複素環化合物と酸素含有ガスを２０〜２００℃で接触させることを特徴とする脱水素方法。
2. 一般式I又はIIIで表されるヒドロ複素環化合物を、活性炭存在下で脱水素反応させることを特徴とする一般式IIで表される芳香族複素環化合物の製造方法。
   

   

   

   （但し、一般式I、II及びIII中、
   ＸはＯ、Ｓ、ＮＲ¹を示し、
   Ｒ¹は水素原子、−ＳＯ₂Ｒ⁸基、−ＣＯＯＲ⁸基、−ＣＯＲ⁸基、−（ＣＨ₂）_nＯＲ⁸基又は−（ＣＨ₂）_nＲ⁸基を示し、
   ｎは１又は２を示し、
   Ｒ²〜Ｒ⁷はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、オキソ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、オキシム基、シアノ基、ホルミル基、ハロホルミル基、カルボキシル基、カルボキシラト基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、ヒドロル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、チオール基、アリール基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基を示し（ここで、チオール基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基は更にハロゲン原子、オキソ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、オキシム基、シアノ基、ホルミル基、ハロホルミル基、カルボキシル基、カルボキシラト基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、ヒドロル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、チオール基、フェニル基により置換されていても良い。）、
   Ｒ⁸は水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、炭素数１〜６の低級アルキル基、ビニル基、アリル基、フェニル基又はベンジル基を示し、アミノ基は低級アルキル基により置換されていてもよく、低級アルキル基はハロゲン原子又は炭素数１〜６の低級アルコキシ基またはシアノ基、カルボキシラト基、ハロホルミル基、炭素数１〜６の低級アルコキシカルボニル基又は炭素数１〜６の低級アルキルアミノカルボニル基により置換されていてもよく、フェニル基及びベンジル基はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロル基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はフェネチルオキシ基により置換されていてもよい。）
3. 一般式Iで表されるヒドロ複素環化合物が、一般式IVで表されるヒドロ複素環化合物である請求項２記載の芳香族複素環化合物の製造方法。
   

   

   （但し、一般式IV中、実線と点線からなる結合は単結合又は二重結合を示し、Ｒ¹は水素原子、メタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、アセチル基、ベンゾイル基、４−（２−フェニルエチルオキシ）ベンゾイル基又はベンジル基であり、Ｒ⁹はシアノ基、カルボキシラト基、ハロホルミル基、炭素数１〜６の低級アルコキシカルボニル基又は炭素数１〜６の低級アルキルアミノカルボニル基を示す。）で表される請求項２に記載の製造方法。