【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線基板の表面にマウントされる表面実装型の半導体発光装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表面実装型の半導体発光装置として、チップＬＥＤが従来から利用されている。チップＬＥＤは、プリント配線基板に直に導通搭載できるようにしたいわゆる表面実装タイプのものであり、例えば、携帯電話等のように小型化が進んでいる電子機器に多用されており、これからもますます電子機器の小型化の要望とともに用途が広がっていくと思われる。
【０００３】
また、車載用照明用として使用される場合では、光学特性として視野角が広い範囲となるよりも、狭視野で高輝度となる半導体発光装置が求められる場合が多くなってきている。
【０００４】
図５に基づいて、従来の表面実装型の半導体発光装置の説明をする。
【０００５】
図５（ａ）は、樹脂封止する前の従来の面実装型の半導体発光装置を示す斜視図、（ｂ）は樹脂封止した後の従来の面実装型の半導体発光装置を示す斜視図である。
【０００６】
図５（ａ）において、半導体発光装置は、リードフレームである第１電極３０と第２電極３１と、発光素子３２を搭載するリードフレーム部分を露出させる凹部３３を有する樹脂モールド部３４と、発光素子３２とで構成される。
【０００７】
樹脂モールド部３４は、樹脂を射出成型法にて一体成型し、発光素子３２の光を反射させるポリフタルアミド（ＰＰＡ）で略直方体状に形成される。
【０００８】
樹脂モールド部３４を成型した後に、第１電極３０に発光素子３２をダイスボンドし、第２電極３１と発光素子３２をワイヤボンディングにより導通接続した後に、エポキシ樹脂等の光透過性樹脂３５をポッティングにより発光素子３２を封止する。このエポキシ樹脂は、光の透過率を向上させるため、フィラーの添加をおさえた、またはフィラーを添加しない高純度のものを使用している。
【０００９】
ポッティングによる光透過性樹脂３５の量は、半導体発光装置の発光面が水平となる程度の量を充填する。光透過性樹脂３５が硬化しレンズ部３６となった半導体発光装置を図５（ｂ）に示す。
【００１０】
封止が完了すると、第１電極３０および第２電極３１を樹脂モールド部３４の下部側に曲げて完成する。このような半導体発光装置が特許文献１に記載がある。
【００１１】
また、同様の構成において、リードフレームを樹脂にて一体成型する際に、リードフレーム間に樹脂で隔壁を形成し、半導体発光装置をリフロー処理する際にも樹脂の熱膨張に強い半導体発光装置が特許文献２に記載されている。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００２−２８０６１６号公報（段落番号０００７−０００９）
【特許文献２】
特開２００１−１７７１６０号公報（段落番号００３０−００３６）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体発光装置においては、光透過性樹脂をポッティングによりレンズ部３６を形成する際に、光透過性樹脂の温度や粘度により、一定量を樹脂モールド部３４に形成された凹部３３に充填するのは困難であり、バラツキが大きいという問題がある。
【００１４】
光透過性樹脂の充填する量が均一とならない場合、封止した光透過性樹脂が一定の形状とならないため、光軸が所定の方向から外れ、配光特性が悪くなったり、白色発光装置の場合では、色ムラが発生したりするという問題が発生する。
【００１５】
また、光透過性樹脂をポッティングで、狭視野でかつ高輝度を実現する半球状のレンズ部を形成する場合では、レンズの厚みを光軸方向に厚くしようとすると、光透過性樹脂の表面張力に限界があるので、光透過性樹脂が周りに流れてしまい、指向特性の良いレンズ部を形成することは不可能であった。
【００１６】
この課題を解決するために本発明は、半導体発光装置の製造のバラツキを防止し、狭視野で高輝度な優れた光学特性を有する半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明は、基台部と、基台部に接続され、凹部を有する反射部と、凹部の底面に搭載した発光素子とを備え、反射部の外周に沿って基台部面上に形成された接続部を有する半導体発光装置であって、反射部を覆うように、反射部の外周に沿って前記基台部面上に形成された接続部に接続してレンズ部を形成することを特徴とする半導体発光装置であり、そのレンズ部の形成方法は、樹脂を充填させた略半球形状をした金型へ、接続部が樹脂に当接するまで浸漬し、樹脂を加熱し硬化させ、略半球形状をしたレンズ部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１８】
これにより、レンズ部を所定の形状に精度良く形成できるので、光軸のズレや、色ムラの発生を防止でき、狭視野で高輝度な光学特性の良い半導体装置とすることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本願の請求項１に記載の発明は、基台部と、前記基台部に接続され、凹部を有する反射部と、前記凹部の底面に搭載した発光素子とを有する半導体発光装置において、前記反射部を覆うように、前記反射部の外周に沿って前記基台部面上に形成された接続部に接続されたレンズ部を備えたことを特徴とする半導体発光装置としたものであり、基台部にレンズ部と接続する接続部を形成したことで、レンズ部が接続する反射部および基台部の面積が増えるという作用がある。
【００２０】
請求項２に記載の発明は、前記反射部の外形は、前記基台部の外形と同形状に形成され、前記反射部を覆うように、前記反射部の外周側面に接続して形成された前記レンズ部を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置としたものであり、半導体発光装置の形成に際して、基台部および反射部の形成に、従来の金型が使用できる。
【００２１】
請求項３に記載の発明は、基台部と、前記基台部に接続され、凹部を有する反射部と、前記凹部の底面に搭載した発光素子とを備え、前記反射部の外周に沿って前記基台部面上に形成された接続部を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記基台部および前記反射部を、樹脂を充填させた略半球形状をした金型へ、前記接続部が前記樹脂に当接するまで浸漬し、前記樹脂を加熱し硬化させ、略半球形状をしたレンズ部を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法としたものであり、レンズ部を形成する金型を使用することで、所定の形状が容易に精度良く形成できる半導体発光装置の製造方法である。
【００２２】
請求項４に記載の発明は、前記反射部の外形を、前記基台部の外形と同形状に形成し、樹脂を充填させた略半球形状をした前記金型へ、前記反射部の外周面が浸かるまで浸漬し、前記樹脂を加熱し硬化させ、レンズ部を形成することを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の製造方法としたものであり、半導体発光装置の形成に際して、基台部および反射部の形成に、従来の金型が使用できる。
【００２３】
本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法および半導体装置について、図１から図３を用いて説明する。なお、説明にあたっては、反射部の発光素子搭載面を上側、反対側を下側とする。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置の製造方法によって得られる半導体発光装置であり（ａ）は同半導体発光装置の斜視図、（ｂ）は同半導体発光装置の平面図である。
【００２５】
まず、図１に基づいて、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法によって得られる半導体発光装置の構成から説明をする。
【００２６】
実施の形態１の半導体発光装置１は、電極であるリードフレーム２と、電圧を印加することで発光する発光素子３と、リードフレーム２を封止する基台部４と、基台部４に接続されて凹部６を有する反射部５と、発光素子３を封止するレンズ部７から構成され、表面実装型である。
【００２７】
リードフレーム２は、第１電極８および第２電極９から構成され、基台部４の底面の下部側に折り曲げてあり、垂直断面が略コ字状に形成されている。
【００２８】
第１電極８および第２電極９は、対向して配設され、一側である第１電極８には、発光素子３がダイスボンディングにより導通接続されており、他側である第２電極９とは、発光素子３とワイヤ２０にてワイヤボンディングにて導通接続されている。
【００２９】
基台部４は、略直方体状に形成されており、アノード、カソードを識別する切欠き部１９を有しており、第１電極８がカソードであることを示している。
【００３０】
反射部５は、基台部４の上面に接続され、開口部１０を有する凹部６が形成されており、開口部１０から見て略円形をした筒状をしており、底面は、リードフレーム２が露出するよう形成されている。また、凹部６の側面は、底面から開口部１０へ向かって広がる傾斜面に形成されている。
【００３１】
基台部４と反射部５は、光を反射させる樹脂であるポリフタルアミド（ＰＰＡ）を射出成型法にて一体的に形成されている。
【００３２】
反射部５の凹部６の底面に搭載された発光素子３からの射光は、凹部６の側面に反射され、開口部１０から照射される。
【００３３】
レンズ部７は、略半球状をしており、反射部５の凹部６および反射部５の外周面を覆うように形成され、基台部４の反射部５の外形に沿って形成された接続部１１と接続している。レンズ部７は、光透過性樹脂であり、例えばエポキシ樹脂で形成され、光の透過率を向上させるため、フィラーの添加をおさえた、またはフィラーを添加しない高純度のものを使用している。レンズ部７は、発光素子３の射光に、狭視野となる指向性を持たせ、輝度を向上させる役目をする。
【００３４】
ワイヤ２０は、Ａｕで形成され、ボンディング装置にて接続される。
【００３５】
以上で構成される半導体発光装置において、その製造方法について、図２および図３に基づいて説明する。
【００３６】
図２は、実施の形態１の半導体発光装置の製造方法を説明する図であり、図３は、レンズ部を形成する方法を説明する図である。
【００３７】
まず、加工前のリードフレーム２の第１電極８および第２電極９を、金型（図示せず）にて型締めし、樹脂を金型に圧入し、射出成型法にて基台部４および反射部５を一体的に形成する。そして、反射部５の底面に露出した第１電極８に発光素子３をダイスボンディングにより導通搭載する（同図（ａ））。
【００３８】
発光素子３と第２電極９をワイヤ２０にてワイヤボンディングにより導通接続し、半導体発光装置部材１２とする（同図（ｂ））。
【００３９】
次に、レンズ部７を形成するが、図３にてその形成方法を説明する。
【００４０】
発光素子３をリードフレーム２に搭載し、ワイヤボンディングした半導体発光装置部材１２を、上下を逆さにし、光透過性樹脂１３を充填させたレンズ部７の形状に内側を略半球状に形成したレンズ金型１４に、基台部４の接続部１１が光透過性樹脂１３に当接するまで浸漬する（同図（ａ））。
【００４１】
レンズ金型１４を加熱し、光透過性樹脂１３を硬化させ、レンズ金型１４から半導体発光装置部材１２を取り外し、レンズ部７を半導体発光装置部材１２に形成することができる（同図（（ｂ））。
【００４２】
図２に戻って、レンズ部７を形成した半導体発光装置部材１２のリードフレーム２を、基台部４の底面の下部側に折り曲げて、半導体発光装置１が完成する（同図（ｃ））。
【００４３】
以上により、本実施の形態の半導体発光装置は、狭視野で高輝度な光学特性を持つレンズ部を容易に形成することが可能であり、基台部にレンズ部と接続する接続部を形成したことで、レンズ部が、接続する基台部および反射部の面積が増え、衝撃にも強い半導体発光装置とすることができる。
【００４４】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置を図４に基づいて説明する。
【００４５】
図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置の製造方法によって得られる半導体発光装置の側断面図である。
【００４６】
実施の形態２の半導体発光装置１５は、実施の形態１のレンズ部の底面に接続する、基台部に形成した接続部を省略したものである。
【００４７】
反射部１６は、その外周部が基台部１７と同じ形状に形成されている。
【００４８】
こうすることにより、反射部１６および基台部１７とを一体的に形成し、外形を同形状した従来の金型で、半導体発光部材を製造することが可能である。
【００４９】
この場合においても、反射部１６の上面に形成されたレンズ部１８により、狭視野で高輝度な半導体発光装置１５とすることができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によれば以下の効果を奏することができる。
【００５１】
（１）レンズ部を樹脂が充填された略半球形状の金型で形成することで、ポッティングによる樹脂封止を行う必要がないため、製造時のバラツキが防止でき、容易に所定の形状に精度よく形成することができる。よって、配光特性が良く、色ムラの発生しないレンズ部とすることができる。
【００５２】
（２）レンズ部を基台部面上に形成した接続部に接続させることで、接続する面積が増え、衝撃にも強いレンズ部とすることができる。
【００５３】
（３）レンズ部を略半球状とすることで、狭視野で高輝度な光学特性を持つレンズ部を有する半導体発光装置および製造方法とすることができる。
【００５４】
（４）レンズ部を樹脂が充填された略半球形状の金型で形成することで、表面実装型でなく、基板の貫通孔へリードフレームを挿入して実装するタイプの半導体発光装置の製造に使用していた金型がそのまま流用できるため、新たな設備を備える必要がない。
【００５５】
（５）反射部の外形は、前記基台部の外形と同形状に形成することで、基台部および反射部を一体的に形成する金型が流用でき、新たな金型を備える必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置の製造方法によって得られる半導体発光装置であり、
（ａ）は同半導体発光装置の斜視図
（ｂ）は同半導体発光装置の平面図
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置の製造方法を説明する図
【図３】レンズ部を形成する方法を説明する図
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置の製造方法によって得られる半導体発光装置の断面図
【図５】従来の表面実装型の半導体発光装置の説明する図であり、
（ａ）は樹脂封止する前の従来の面実装型の半導体発光装置を示す斜視図
（ｂ）は樹脂封止した後の従来の面実装型発光装置を示す斜視図
【符号の説明】
１ 半導体発光装置
２ リードフレーム
３ 発光素子
４ 基台部
５ 反射部
６ 凹部
７ レンズ部
８ 第１電極
９ 第２電極
１０ 開口部
１１ 接続部
１２ 半導体発光装置部材
１３ 光透過性樹脂
１４ レンズ金型
１５ 半導体発光装置
１６ 反射部
１７ 基台部
１８ レンズ部
１９ 切欠き部
２０ ワイヤ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface mount type semiconductor light emitting device mounted on the surface of a printed wiring board and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, chip LEDs have been used as surface mount semiconductor light emitting devices. Chip LEDs are of the so-called surface mount type that can be directly conductively mounted on a printed wiring board. For example, they are widely used in electronic devices that are becoming smaller, such as mobile phones. Applications are expected to expand with the demand for smaller electronic devices.
[0003]
In addition, when used for in-vehicle lighting, a semiconductor light-emitting device that has a narrow field of view and high brightness is often required rather than a wide viewing angle range as optical characteristics.
[0004]
A conventional surface-mount semiconductor light-emitting device will be described with reference to FIG.
[0005]
FIG. 5A is a perspective view showing a conventional surface mount semiconductor light emitting device before resin sealing, and FIG. 5B is a perspective view showing a conventional surface mount semiconductor light emitting device after resin sealing. It is.
[0006]
5A, the semiconductor light emitting device includes a first electrode 30 and a second electrode 31 that are lead frames, a resin mold portion 34 having a recess 33 that exposes a lead frame portion on which the light emitting element 32 is mounted, and light emission. It is comprised with the element 32. FIG.
[0007]
The resin mold portion 34 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape by polyphthalamide (PPA) that integrally molds resin by an injection molding method and reflects the light of the light emitting element 32.
[0008]
After molding the resin mold portion 34, the light emitting element 32 is die-bonded to the first electrode 30, and after the second electrode 31 and the light emitting element 32 are conductively connected by wire bonding, a light transmissive resin 35 such as epoxy resin is potted. Thus, the light emitting element 32 is sealed. In order to improve the light transmittance, this epoxy resin uses a high-purity resin that does not contain a filler or does not contain a filler.
[0009]
The amount of the light transmissive resin 35 by potting is filled so that the light emitting surface of the semiconductor light emitting device is horizontal. FIG. 5B shows a semiconductor light emitting device in which the light transmissive resin 35 is cured to form the lens portion 36.
[0010]
When the sealing is completed, the first electrode 30 and the second electrode 31 are bent to the lower side of the resin mold portion 34 to complete. Such a semiconductor light emitting device is described in Patent Document 1.
[0011]
Also, in the same configuration, when the lead frame is integrally molded with resin, a partition wall is formed with resin between the lead frames, and a semiconductor light emitting device that is resistant to thermal expansion of the resin even when the semiconductor light emitting device is reflow-treated. It is described in Patent Document 2.
[0012]
[Patent Document 1]
JP 2002-280616 A (paragraph numbers 0007-0009)
[Patent Document 2]
JP 2001-177160 A (paragraph numbers 0030-0036)
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional semiconductor light emitting device, when the lens portion 36 is formed by potting the light transmissive resin, a certain amount is applied to the concave portion 33 formed in the resin mold portion 34 due to the temperature and viscosity of the light transmissive resin. It is difficult to fill, and there is a problem that variation is large.
[0014]
If the amount of the light-transmitting resin to be filled is not uniform, the sealed light-transmitting resin does not have a certain shape, so that the optical axis is deviated from the predetermined direction, the light distribution characteristics are deteriorated, or the white light emitting device In some cases, color unevenness may occur.
[0015]
In addition, in the case of forming a hemispherical lens portion that realizes high brightness with a narrow field of view by potting the light-transmitting resin, the surface tension of the light-transmitting resin is increased if the lens thickness is increased in the optical axis direction. Therefore, it is impossible to form a lens portion with good directivity because the light-transmitting resin flows around.
[0016]
In order to solve this problem, an object of the present invention is to provide a semiconductor light-emitting device that has excellent optical characteristics with a narrow field of view and high brightness, and a method for manufacturing the same.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve this problem, the present invention includes a base part, a reflective part connected to the base part and having a concave part, and a light emitting element mounted on the bottom surface of the concave part, and is based on the outer periphery of the reflective part. A semiconductor light emitting device having a connection portion formed on a base portion surface, wherein the lens is connected to the connection portion formed on the base portion surface along the outer periphery of the reflection portion so as to cover the reflection portion The lens is formed by immersing the resin in a substantially hemispherical mold filled with resin until the connecting portion comes into contact with the resin. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: heating and curing to form a substantially hemispherical lens portion.
[0018]
Accordingly, since the lens portion can be accurately formed in a predetermined shape, the optical axis can be prevented from being shifted and color unevenness can be prevented, and a semiconductor device with a narrow field of view and high luminance can be obtained.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The invention according to claim 1 of the present application is the semiconductor light emitting device including a base portion, a reflection portion connected to the base portion and having a recess, and a light emitting element mounted on a bottom surface of the recess. A semiconductor light emitting device comprising a lens portion connected to a connecting portion formed on the base portion surface along the outer periphery of the reflecting portion so as to cover the portion, By forming the connection part connected to the lens part on the base part, there is an effect that the area of the reflection part and the base part to which the lens part is connected increases.
[0020]
According to a second aspect of the present invention, the outer shape of the reflecting portion is formed in the same shape as the outer shape of the base portion, and is formed by connecting to the outer peripheral side surface of the reflecting portion so as to cover the reflecting portion. 2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising a conventional mold for forming the base portion and the reflection portion when forming the semiconductor light emitting device.
[0021]
The invention according to claim 3 includes a base portion, a reflection portion connected to the base portion and having a concave portion, and a light emitting element mounted on the bottom surface of the concave portion, and along the outer periphery of the reflective portion. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device having a connection portion formed on the base portion surface, wherein the connection of the base portion and the reflection portion to a substantially hemispherical mold filled with resin. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device is characterized by forming a lens portion having a substantially hemispherical shape by dipping until the portion comes into contact with the resin, and heating and curing the resin. This is a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device in which a predetermined shape can be easily and accurately formed by using a mold that performs the above-described process.
[0022]
According to a fourth aspect of the present invention, an outer peripheral surface of the reflecting portion is formed into an approximately hemispherical mold in which the outer shape of the reflecting portion is formed in the same shape as the outer shape of the base portion and filled with resin. 4. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 3, wherein the lens portion is formed by dipping until the substrate is immersed, and heating and curing the resin to form a lens portion. A conventional mold can be used for forming the part and the reflection part.
[0023]
A method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the description, the light emitting element mounting surface of the reflecting portion is the upper side, and the opposite side is the lower side.
[0024]
(Embodiment 1)
1A and 1B are semiconductor light-emitting devices obtained by the method for manufacturing a semiconductor light-emitting device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1A is a perspective view of the semiconductor light-emitting device, and FIG. 1B is a plan view of the semiconductor light-emitting device. It is.
[0025]
First, a configuration of a semiconductor light emitting device obtained by the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
[0026]
The semiconductor light emitting device 1 of the first embodiment includes a lead frame 2 that is an electrode, a light emitting element 3 that emits light by applying a voltage, a base portion 4 that seals the lead frame 2, and a base portion 4. It is composed of a reflective part 5 connected to have a recess 6 and a lens part 7 that seals the light emitting element 3, and is a surface mount type.
[0027]
The lead frame 2 is composed of a first electrode 8 and a second electrode 9, is bent to the lower side of the bottom surface of the base portion 4, and has a substantially U-shaped vertical cross section.
[0028]
The first electrode 8 and the second electrode 9 are disposed to face each other, and the light emitting element 3 is conductively connected to the first electrode 8 on one side by die bonding, and the second electrode 9 on the other side. Is electrically connected to the light emitting element 3 by wire bonding.
[0029]
The base part 4 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape, and has a notch part 19 for identifying the anode and the cathode, indicating that the first electrode 8 is a cathode.
[0030]
The reflecting portion 5 is connected to the upper surface of the base portion 4, has a recess 6 having an opening 10, has a substantially circular cylindrical shape when viewed from the opening 10, and the bottom surface is a lead frame. 2 is exposed. Further, the side surface of the recess 6 is formed as an inclined surface that widens from the bottom surface toward the opening 10.
[0031]
The base part 4 and the reflection part 5 are integrally formed by injection molding of polyphthalamide (PPA), which is a resin that reflects light.
[0032]
The incident light from the light emitting element 3 mounted on the bottom surface of the concave portion 6 of the reflecting portion 5 is reflected on the side surface of the concave portion 6 and is irradiated from the opening portion 10.
[0033]
The lens portion 7 has a substantially hemispherical shape, is formed so as to cover the concave portion 6 of the reflecting portion 5 and the outer peripheral surface of the reflecting portion 5, and is formed along the outer shape of the reflecting portion 5 of the base portion 4. Connected to the unit 11. The lens portion 7 is a light-transmitting resin, and is formed of, for example, an epoxy resin, and uses a high-purity resin that suppresses the addition of the filler or does not add the filler in order to improve the light transmittance. The lens unit 7 serves to improve luminance by giving the light emitted from the light emitting element 3 directivity with a narrow field of view.
[0034]
The wire 20 is made of Au and connected by a bonding apparatus.
[0035]
A manufacturing method of the semiconductor light emitting device configured as described above will be described with reference to FIGS.
[0036]
FIG. 2 is a diagram illustrating a method for manufacturing the semiconductor light emitting device of the first embodiment, and FIG. 3 is a diagram illustrating a method for forming a lens portion.
[0037]
First, the first electrode 8 and the second electrode 9 of the lead frame 2 before processing are clamped with a mold (not shown), a resin is press-fitted into the mold, and the base 4 is injected by an injection molding method. And the reflection part 5 is formed integrally. Then, the light emitting element 3 is conductively mounted by die bonding on the first electrode 8 exposed on the bottom surface of the reflecting portion 5 (FIG. 1A).
[0038]
The light emitting element 3 and the second electrode 9 are electrically connected by wire bonding with a wire 20 to form a semiconductor light emitting device member 12 (FIG. 2B).
[0039]
Next, the lens portion 7 is formed. The forming method will be described with reference to FIG.
[0040]
A lens in which a light-emitting element 3 is mounted on a lead frame 2 and a wire-bonded semiconductor light-emitting device member 12 is turned upside down, and a lens portion 7 filled with a light-transmitting resin 13 is formed in a substantially hemispherical shape. It is immersed in the metal mold 14 until the connection part 11 of the base part 4 comes into contact with the light-transmitting resin 13 ((a) in the figure).
[0041]
The lens mold 14 is heated, the light-transmitting resin 13 is cured, the semiconductor light emitting device member 12 is removed from the lens mold 14, and the lens portion 7 can be formed on the semiconductor light emitting device member 12 ((( b)).
[0042]
Returning to FIG. 2, the lead frame 2 of the semiconductor light emitting device member 12 in which the lens portion 7 is formed is bent to the lower side of the bottom surface of the base portion 4 to complete the semiconductor light emitting device 1 ((c) in FIG. 2). .
[0043]
As described above, the semiconductor light emitting device of the present embodiment can easily form a lens portion having a narrow field of view and high-brightness optical characteristics, and a connection portion connected to the lens portion is formed on the base portion. Accordingly, the area of the base portion and the reflection portion to which the lens portion is connected is increased, and a semiconductor light emitting device that is resistant to impact can be obtained.
[0044]
(Embodiment 2)
A semiconductor light-emitting device according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG.
[0045]
FIG. 4 is a side sectional view of a semiconductor light emitting device obtained by the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention.
[0046]
In the semiconductor light emitting device 15 according to the second embodiment, the connecting portion formed on the base portion that connects to the bottom surface of the lens portion according to the first embodiment is omitted.
[0047]
The reflection portion 16 has an outer peripheral portion formed in the same shape as the base portion 17.
[0048]
By doing so, it is possible to manufacture a semiconductor light emitting member with a conventional mold in which the reflecting portion 16 and the base portion 17 are integrally formed and the outer shape is the same.
[0049]
Also in this case, the lens unit 18 formed on the upper surface of the reflection unit 16 can provide the semiconductor light emitting device 15 with a narrow field of view and high brightness.
[0050]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
[0051]
(1) Since the lens part is formed of a substantially hemispherical mold filled with resin, it is not necessary to perform resin sealing by potting, so that variations during manufacturing can be prevented and accuracy to a predetermined shape can be easily achieved. Can be well formed. Therefore, it is possible to obtain a lens portion that has good light distribution characteristics and does not cause color unevenness.
[0052]
(2) By connecting the lens part to the connection part formed on the base part surface, the area to be connected is increased, and the lens part can be made resistant to impact.
[0053]
(3) By making the lens part substantially hemispherical, it is possible to provide a semiconductor light emitting device and manufacturing method having a lens part having a narrow field of view and high luminance optical characteristics.
[0054]
(4) By forming the lens part with a substantially hemispherical mold filled with resin, it is not a surface mount type but a semiconductor light emitting device of a type that is mounted by inserting a lead frame into a through hole of a substrate. Since the used mold can be used as it is, there is no need to provide new equipment.
[0055]
(5) By forming the outer shape of the reflecting portion into the same shape as the outer shape of the base portion, a mold that integrally forms the base portion and the reflecting portion can be diverted, and it is necessary to provide a new die. Absent.
[Brief description of the drawings]
1 is a semiconductor light emitting device obtained by a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention;
FIG. 2A is a perspective view of the semiconductor light emitting device. FIG. 2B is a plan view of the semiconductor light emitting device. FIG. 2 illustrates a method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of a semiconductor light-emitting device obtained by the method for manufacturing a semiconductor light-emitting device according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 5 is a diagram illustrating a conventional surface-mount type semiconductor light-emitting device. It is a figure explaining
(A) is a perspective view showing a conventional surface mount type semiconductor light emitting device before resin sealing, and (b) is a perspective view showing a conventional surface mount type light emitting device after resin sealing.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor light-emitting device 2 Lead frame 3 Light-emitting element 4 Base part 5 Reflection part 6 Concave part 7 Lens part 8 First electrode 9 Second electrode 10 Opening part 11 Connection part 12 Semiconductor light-emitting device member 13 Light transmitting resin 14 Lens mold DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Semiconductor light-emitting device 16 Reflection part 17 Base part 18 Lens part 19 Notch part 20 Wire