JP2005085699A - 透明電極用基板の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る透明電極用基板の製造装置1は、基板11の被成膜面11a上に透明導電膜12を設けてなる透明電極用基板10をスプレー熱分解
法を用いて形成する装置であって、基板11を載置する支持手段20と、透明導電膜12の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段30と、この吐出手段30と対向する位置に配される基板11との間の空間を包み込むように配置されるフード50を具備したことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
(1)スプレーを用いて原料溶液を、250〜700℃の範囲で加熱した基板に吹き付けるため、基板上で原料溶液が瞬時に蒸発し、空気中に飛散し易い。このため、スプレーを用いて放出した原料溶液の総量に対して、基板上に付着して膜を形成する量の割合(以下、成膜量と呼ぶ)が非常に少なく、原料溶液の利用効率が低い。
(2)スプレーで吹き付けるため、基板上に付着した膜は、膜厚分布が大きくなり易い。例えば、基板中央部において膜が厚くなり、基板周辺部では膜が薄くなる傾向があった。
前記透明導電膜の原料溶液をスプレー状に噴射(噴霧)する吐出手段と、該吐出手段と対向する位置に配される前記基板との間の空間を包み込むように配置されるフードを具備したことを特徴としている。
図1は、本発明に係る透明電極用基板の製造装置の一例を示す模式的な断面図であり、基板11の被成膜面11a上に透明導電膜12を設けてなる透明電極用基板10をスプレー熱分解法を用いて形成する装置1である。
図5は、吐出口31から基板11の被成膜面を臨む方向において、ヒダ53(53a〜53d)が基板11の被成膜面を覆い隠す位置に存しない状態を表している。換言すると、吐出口31から噴射された原料溶液のうち最も外側が一点鎖線Aで表されるとき、ヒダ53(53a〜53d)の各先端部が一点鎖線Aより外側に位置するように設けることを意味する。ここで、一点鎖線Aは、吐出口31と基板11の外周端とを結ぶ直線である。このような配置を採ることにより、吐出口31から噴霧された原料溶液は、少なくとも直線的に基板11の被成膜面に向かって進むことができる。
図6は、吐出手段30を構成する吐出口31の中心と基板11の被成膜面の中心とを結ぶ直線(二点鎖線B)を回転軸として、フード50を例えば図中のα方向に自転させる回転手段60を備えた状態を表している。この回転手段60を用いてフード50を回転させると、フード50内の空間には、この回転軸に沿って周回する気流が発生する。この気流の強さは、フード50が自転する速度や、上述したフード50の内形の相違、上述したフード50の内側に設けるヒダ52の形状、数量及び配置などにより調整できる。
図7に示すように、基板11の被成膜面とフード50の下端部との間に隙間70を配置すると、吐出口31から噴霧された原料溶液は、下方の基板11に向かうと共に、隙間70からフード50の外部へ漏れる方向(矢印βの方向)へも向かって移動するので、結果的に、点線Cで囲まれるような裾広がりの領域44に分散しながら基板11の被成膜面に到達することになる。また、上述した気流やこの気流に乗った原料溶液のうち、成膜に実質的に使われた分を除いた残分はほぼ全て、フード50内の空間から外部へ向かって、矢印βの方向に規則的に安定して放出される。
FTO膜作製用の原料溶液としては、塩化スズ五水和物(SnCl4・5H2O、Fw:350.60)4.206gをエタノール60mlに溶解させ、さらにフッ化アンモニウム(NH4F、 Fw:37.04)3.552gを飽和水溶液にしたものを加えて超音波洗浄器に約20分かけて完全に溶解させたものを用いた。
図1に示す円筒形のフードを備えた透明電極用基板の製造装置を用いて、FTO膜を基板上に形成した(以下、試料Aと呼ぶ)。その際、基板としては、コーニング社製のガラス基板(型番:#7059、10cm角、板厚1.1mm)を用いた。吐出手段をなすスプレーの噴出口から基板までの距離は60cmであり、円筒形フードの内径は20cmとした。表1に他の設定条件も纏めて示す。温度制御手段21を用い、基板の被成膜表面の温度は400℃を保持した。
円筒形のフードを設けなかった点の他は実施例1と同様として、FTO膜を基板上に形成した(以下、試料Bと呼ぶ)。
吐出手段をなすスプレーの噴出口から基板までの距離を30cmに近づけた点の他は実施例1と同様として、FTO膜を基板上に形成した(以下、試料Cと呼ぶ)。
図3に示すようにフードの内側にヒダ52を設けた他は、実施例1と同様として、FTO膜を基板上に形成した(以下、試料Dと呼ぶ)。その際、ヒダ52の幅(52aから52bまでの長さ)は2cmとし、ヒダが基板の被成膜面を覆い隠す位置に存しないように設けた。
ヒダ52の幅(52aから52bまでの長さ)を5cmとした他は、実施例2と同様として、FTO膜を基板上に形成した(以下、試料Eと呼ぶ)。ヒダ52の幅を5cmとした場合は、ヒダが基板の被成膜面の外周域の一部を覆い隠す状態にあった。
図6に示すように回転手段60を用いてフード50を自転させた点の他は実施例1と同様として、FTO膜を基板上に形成した(以下、試料Fと呼ぶ)。その際、フード50は一分間に360度回転する速度に設定した。
図7に示すように基板11の被成膜面とフード50の下端部との間に隙間70を設けた点の他は実施例1と同様として、FTO膜を基板上に形成した(以下、試料Gと呼ぶ)。その際、隙間70は1cmに設定した。
(a)吐出手段と対向する位置に配される前記基板との間の空間を包み込むようにフードを配置することで、成膜量がおよそ7倍となり、原料溶液の利用効率(成膜効率)を大幅に向上させることができる(試料Aと試料Bの比較)。
(b)吐出手段と基板との距離を半分に近づけると、膜厚の均一性は大きく改善する反面、成膜量は半減以下に落ち込む(試料Aと試料Cの比較)。
(d)フードの内側にヒダを設けても、そのヒダが基板の被成膜面を覆い隠す位置に存在すると、膜厚の均一性が大きく損なわれ、成膜量も低下する(試料Dと試料Eの比較)。
(f)基板の被成膜面とフードの下端部との間に隙間を設けても、膜厚の高い均一性が実現できる。しかしながら、成膜量の低下も生じる(試料Aと試料Gの比較)。
Claims (7)
- 基板の被成膜面上に透明導電膜を設けてなる透明電極用基板をスプレー熱分解法を用いて形成する装置であって、
前記基板を載置する支持手段と、前記透明導電膜の原料溶液をスプレー状に噴射する吐出手段と、該吐出手段と対向する位置に配される前記基板との間の空間を包み込むように配置されるフードを具備したことを特徴とする透明電極用基板の製造装置。 - 前記フードは、円筒状、半球状、円錐状または角錐状をなしていることを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜の製造装置。
- 前記フードの内面側に長尺状のヒダを設けたことを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜の製造装置。
- 前記ヒダは、前記フードの内面に沿って螺旋状をなしていることを特徴とする請求項3に記載の透明導電膜の製造装置。
- 前記吐出口から前記基板の被成膜面を臨む方向において、前記ヒダは前記基板の被成膜面を覆い隠す位置には存しないことを特徴とする請求項3に記載の透明導電膜の製造装置。
- 前記吐出手段を構成する吐出口の中心と前記基板の被成膜面の中心とを結ぶ直線を回転軸として、前記フードを自転させる手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜の製造装置。
- 前記基板の被成膜面と前記フードの下端部との間に隙間を設けたことを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜の製造装置。
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