JP2004303792A - フラッシュランプの照射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザーアニール装置と比較してランニングコストが非常に安価なフラッシュランプを用い、被照射物に対して熱ダメージを与えることのない、ごく短い光を照射することが可能であるフラッシュランプの照射装置を提供すること。
【解決手段】短時間の光照射により薄膜の光処理を行うフラッシュランプの照射装置１０において、フラッシュランプ２と被照射物８との間にはシャッター４を有する。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば表面処理や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造などに利用されるフラッシュランプの照射装置に係り、特に、ごく短時間で尖頭出力（光強度）の高い光を照射することができるフラッシュランプアニールとして好適に利用できるフラッシュランプの照射装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
フラッシュランプを用いた光処理技術は、主に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造や、フォトマスク用光源などに応用されている。フラッシュランプアニールでは、ランプの種類や構造、回路などの放電機構により決められるランプの照射時間により被照射物の処理が行われている。
従来、フラッシュランプアニールによる非晶質シリコンの多結晶化方法が開示されている（たとえば特許文献１。）。また、レーザーアニールによる光処理方法が開示されている（たとえば特許文献２。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−２１８３６７号公報（第１頁、図１）
【特許文献２】
特開平５−５５５８１号公報（第５頁、図４）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
フラッシュランプと同様に、光による処理を行う主な装置として、レーザーアニール装置が挙げられる。
レーザーアニールにより、光処理を行う場合には、数十ｓｅｃ程度の極めて短い時間での光照射が可能であるため、たとえば、半導体デバイスに用いられる比較的安価なガラス基板を始め、様々な基板に対して熱ダメージを与えることなく光処理を完了することができる。
しかし、レーザーアニール装置は、ランニングコストが非常に高く、その装置自体が大型化または複雑化するという問題がある。
【０００５】
これに対して、フラッシュランプアニール装置は、フラッシュランプの寿命が長いことや、装置待機時の消費電力が低いことなど、ランニングコストを非常に低く抑えることができる。フラッシュランプのフラッシュ光のパルス幅は、フラッシュランプの寿命や量産性を考えると０．５ｍｓｅｃ以上の短パルス照射が望ましい。
そのため、フラッシュランプアニールは、レーザーアニールと比較して長い光照射時間を要するため、たとえば、ガラス基板やシリコンウエハなどの基板に対して、熱ダメージを与えてしまい、基板の歪みや割れを生じさせるという問題があった。
そこで本発明は上記課題を解消し、レーザーアニール装置と比較してランニングコストが非常に安価なフラッシュランプを用い、被照射物に対して熱ダメージを与えることのない、ごく短い光を照射することが可能であるフラッシュランプの照射装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のフラッシュランプの照射装置は、短時間の光照射により薄膜の光処理を行うフラッシュランプの照射装置において、前記フラッシュランプと被照射物との間にはシャッターを有することを特徴とする。
この発明では、フラッシュランプの種類によらず、かつランプの構造、回路など放電機構の変更を行うことなしで、フラッシュランプの照射時間の調節が可能となる。このため、フラッシュランプの発光パルスよりも十分に短いパルス光の照射が行える。
【０００７】
上記構成において、前記シャッターは、開口を有し、前記シャッターの開口幅は調節が可能であることを特徴とするのが望ましい。
このような構成によれば、フラッシュランプによる光照射量の調整を行うことができ、被照射物に対する熱ダメージが生じない。
【０００８】
上記構成において、前記シャッターの開閉速度が調節できることを特徴とするのが望ましい。
このような構成によれば、前記シャッターの開閉速度が、たとえば任意に調節できる。そのため、被照射物の材質、基板のサイズ、半導体膜の膜厚など被照射条件に合わせて、適切な照射時間が得られる。したがって被照射物に対する熱ダメージが生じない。
【０００９】
上記構成において、前記シャッターは、そのシャッター羽根を１枚以上有し、１方向もしくは対向する方向に開閉することを特徴とするのが望ましい。
このような構成によれば、２枚のシャッター羽根を対向方向に開閉させる場合、フラッシュ光の照射エネルギーの尖頭値は変化することなく、かつ１枚シャッター型よりもさらに短時間の処理が行える。
【００１０】
上記構成において、前記シャッターは高耐光性もしくは光反射性の処理がなされていることを特徴とするのが望ましい。
このような構成によれば、高い尖頭値（光強度）をもつフラッシュランプ光の照射に対して、被照射物はダメージを受けることがない。
高耐光性もしくは光反射性をもつ材質としては、たとえばＡｌ，Ａｇなどが挙げられるが、その他に、高耐光性もしくは光反射性処理をされた材質を用いてもよい。
【００１１】
上記構成において、前記シャッターは、光検出部を有し、前記光検出部の感知信号により、フラッシュ照射と同期して羽根を駆動するシャッター機構部を有することを特徴とするのが望ましい。
このような構成によれば、フラッシュランプ光の照射のタイミングでシャッターの羽根を駆動でき、フラッシュランプの照射光は、予め設定した開口時間で照射することが可能となる。
【００１２】
上記構成において、前記被照射物を設置するステージとシャッター部を相対的に走査する走査機構を有するのが望ましい。
このような構成によれば、たとえば被照射物の一例として大型ガラス基板上に形成された半導体膜の処理を行う場合には、フラッシュランプ処理毎に前記ステージもしくは前記シャッター機構部を走査させて、未処理部もしくは任意の半導体膜部に対して順次フラッシュランプ処理を行っていくことが可能である。
また、前記走査処理期間中にコンデンサーの再充電も可能である。このため、様々な大きさの基板に対して、特に大型基板に対しても短時間でアニール処理を行うことが可能である。そのため、非常に高い生産性を得ることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
第１の実施形態
図１は、本発明のフラッシュランプの照射装置の好ましい第１の実施形態の構造を示す断面図である。
図１におけるフラッシュランプの照射装置１０は、ステージ１、シャッター４、光検出部９、照射部２０、そして制御部１００を有している。
ステージ１は、被照射物の一例である被照射基板８を着脱可能に搭載するための搭載台である。この被照射基板８の下面８Ａは、ステージ１の搭載面１Ａの上に着脱可能に搭載できる。
【００１４】
図１のシャッター４は、シャッター機構部とも呼ばれており、シャッター４はステージ１に対して平行に配置されている。
照射部２０は、いわゆるフラッシュランプ２とリフレクタ３を備えている。フラッシュランプ２は、電源２１に接続されている。電源２１は制御部１００により制御される。
【００１５】
図１のフラッシュランプ２としては、たとえばキセノンフラッシュランプを用いる。フラッシュランプはこの他に、クリプトンフラッシュランプなど高い尖頭値（光強度）の光を繰り返し照射することができるランプを用いてもよい。
キセノンフラッシュランプを用いる場合には、光照射時間は、回路内のインダクタンスもしくはコンデンサーの調節によりたとえば０．５ｍｓｅｃ程度に設定できる。また、光照射エネルギーは、コンデンサーにチャージする容量を調節することで、１５〜５０Ｊ／ｃｍ^２に設定することができる。
【００１６】
図１のリフレクタ３は、フラッシュランプ２が発生する照射光（フラッシュ光とも呼ぶ）を、効率よく被照射基板８の被照射面８Ｂ側に照射するための反射板である。このリフレクタ３は、フラッシュランプ２の上方に配置されている。
フラッシュランプ２はたとえば棒状形状を有しており、フラッシュランプ２は図１の紙面垂直方向に沿って長手方向に配置されている。
照射部２０とステージ１の間には、上述したシャッター４が配置されている。
しかもシャッター４とステージ１は平行である。
【００１７】
次に、図１のシャッター４の構造について説明する。
シャッター４は、この例では１枚の羽根７を有している。この羽根７は、モータ２３の作動により、Ｘ方向とＸ１方向に移動することが可能である。この羽根７は、Ｘ方向とＸ１方向に移動することにより、シャッター４の開口部６を開閉できるようになっている。
モータ２３としては、たとえば電動モータを用いることもでき、このモータ２３は、制御部１００の指令により動作する。制御部１００は、このモータ２３を制御することにより、羽根７の開閉速度と、開口部６の開口幅を電気的に調整することができる構造になっている。
シャッター４と被照射基板８の被照射面８Ｂとの距離Ｅは、シャッター４の開口部６より入射するフラッシュ光が回折現象を起こすことを考慮して、たとえば０．１ｍｍ〜１．０ｍｍの間で設定するのが望ましい。
【００１８】
図１に示すシャッター４は、光検出部９を有している。
この光検出部９は、たとえば光スイッチもしくは光センサを用いることができる。この光検出部９は、フラッシュ光５を光学的に感知することができる。この光検出部９が発生する感知信号Ｓは、制御部１００に送られるようになっている。
制御部１００は、この感知信号Ｓを受けると、モータ２３を作動する。これによって、羽根７はフラッシュ光５が感知するのと同期して、予め定めた任意の設定速度により開口部６を開閉するようになっている。
【００１９】
この光検出部９と、制御部１００およびモータ２３そして羽根７は、フラッシュ光５の照射量制御部を構成している。したがって、被照射面８Ｂに対して供給されるフラッシュ光５は、フラッシュランプ２の本来有している照射時間よりも短い時間で被照射面８Ｂに照射することができ、被照射面８Ｂに供給される光量が減る。
【００２０】
図１における羽根７は、モータ２３の作動によりＸ方向に移動することで開口部６を一部開けておくかまたは閉鎖し、Ｘ１方向に移動することで開口部６を開けるようになっている。すなわち羽根７は、１枚であり単方向に直線往復移動することにより開口部６を開閉する。
１枚の羽根７を用いることにより、２枚の羽根を用いる場合に比べて構造が単純化できる。
また、シャッター４は、高い尖頭値をもつフラッシュランプ光を遮断するため、高耐光性もしくは光反射性をもつ材質、たとえばＡｌ，Ａｇなどからなっている。しかし、シャッター４の材質は、耐光処理もしくは光反射表面処理した材質であればなんでもよい。
【００２１】
次に、図１と図２を参照しながら、上述した図１に示すフラッシュランプの照射装置１０を用いて、被照射基板８の被照射面８Ｂに対して処理を行う例について説明する。
図２は、このフラッシュランプの照射装置１０により処理を行う場合のフロー図を示している。
図２のステップＳＴ１では、被照射基板８がステージ１の上に置かれる。図１の例では、ステージ１はいわゆるアシスト加熱を行ってはいないが、ステージ１の構造によってはアシスト加熱、すなわち補助加熱を行うことも可能である。
【００２２】
次に、図２のステップＳＴ２では、制御部１００において、シャッター４の開口部６の開口幅と開閉時間の設定値が設定される。
次に、図２のステップＳＴ３では、図１の制御部１００が電源２１を制御して、電源２１はフラッシュランプ２を発光させることにより、フラッシュランプ２はフラッシュ光５を発生する。
【００２３】
このフラッシュ光５はまずシャッター４まで到達し、シャッター４に設置された光検出部９がステップＳＴ４のように感知する。
光検出部９がフラッシュ光５を感知すると、制御部１００がモータ２３を作動して羽根７をＸ方向に移動することにより、開口部６を所定の開口幅を残した形で閉じるか全部閉じることにより、フラッシュ光５の照射時間の制御を行うようにしてフラッシュ光５を被照射面８Ｂに照射する。
これにより、ステップＳＴ５に示すように、光量が制御されたフラッシュ光５、すなわち被照射基板８にはフラッシュランプ２の本来有する照射時間よりも短い時間の間だけフラッシュ光５が照射されることになる。
【００２４】
ここで、図３は、この時のシャッター４の開口部６より照射されたフラッシュ光５の発光パルスを、スペクトルアナライザを用いて測定した結果を示す。図３では、シャッターにより短パルス化したフラッシュランプの照射パルス４１１の幅は、フラッシュランプアニールの照射パルス４１０の幅に比べてかなり小さいことが判る。
この結果から、フラッシュランプのフラッシュ光５は、シャッター４を通過させることで、フラッシュランプが照射可能なパルスよりも十分に短い光が照射できることを確認した。
【００２５】
また、図４は、フラッシュランプの短パルス化によりフラッシュランプ照射時のガラス表層付近の温度が低く抑えられたことを示している。つまり、図４では、シャッターにより短パルス化したフラッシュランプ照射時の基板深さ方向の熱分布が、フラッシュランプ照射時の基板深さ方向の熱分布よりも小さくなっていることを示している。
照射時間がさらに短くなれば、さらにガラス基板内部への熱の伝わりを抑えることも可能である。この時、アモルファスシリコン薄膜は、被照射領域において多結晶化が進んでおり、かつガラス基板も歪みもしくは割れなど熱ダメージを受けていないことも確認した。
【００２６】
本発明の実施例として半導体デバイスの製造プロセスにおいて、フラッシュランプアニールを用いてガラス基板上に形成された非晶質半導体膜（アモルファスシリコン薄膜）の多結晶化を行う場合を説明する。
また、この際に生じるこのフラッシュランプ２の光処理によるガラス基板へのダメージを評価した。
【００２７】
被照射基板８としては、ガラス基板上に３０〜１００ｎｍの厚さにアモルファスシリコン薄膜が形成された３０ｍｍ×３０ｍｍ基板を用いた。通常、この被照射基板８に対して光照射エネルギーが３０Ｊ／ｃｍ^２であり、パルス幅が０．１ｍｓｅｃとしてフラッシュランプアニールを行うと、ガラス基板に熱ダメージを与えてしまい、ガラス基板および半導体膜に歪みや割れなどを生じさせてしまう。
【００２８】
そこで、前記ガラス基板に熱ダメージを与えることなく、かつ十分に前記非晶質半導体膜の多結晶化を行うためには、フラッシュランプ２の光照射エネルギーは約３０Ｊ／ｃｍ^２、照射時間（パルス幅）は１．０μｓｅｃ以下とする照射条件が好ましい。
そのため、今回の実施例では、シャッター４の開口幅を１．０ｍｍとし、シャッター４の開閉速度は０．５×１０^３ｍ／ｓとした。
【００２９】
このようなフラッシュランプの照射装置の第１の実施形態を用いることにより、次のようなメリットがある。
フラッシュランプの種類によらずかつランプの構造、回路など放電機構の変更を行うことなしで、フラッシュランプの照射時間の調節が可能となり、フラッシュランプの本来有する発光パルスよりも十分に短いパルス光の照射が行える効果がある。
【００３０】
シャッターの開閉速度の値とシャッターの開口幅の値が、たとえば任意に調節できる。そのため、被照射物の材質、基板のサイズ、半導体膜の膜厚など被照射条件に合わせて適切な照射時間が得られる。
高い尖頭値をもつフラッシュランプ光の照射に対して、被照射基板は熱ダメージを受けることがない。
【００３１】
第２の実施形態
図５は、本発明のフラッシュランプの照射装置の第２の実施形態を示している。
図５に示す本発明の第２の実施形態のフラッシュランプの照射装置１０の構成要素が、図１に示すフラッシュランプの照射装置１０の構成要素と同じ個所には同じ符号を記してその説明を用いることにする。
【００３２】
図５のフラッシュランプの照射装置１０が図１のフラッシュランプの照射装置１０と異なる部分は、シャッター４の一対の羽根１７，１７である。
図１のフラッシュランプの照射装置１０では、シャッター４は１枚の羽根７を有している。
これに対して、図５のフラッシュランプの照射装置１０では、シャッター４は２枚の羽根１７，１７を有している。これらの羽根１７，１７は、開口部６を開閉するために、それぞれＸ，Ｘ１方向に沿って向かい合う方向に移動して開口部６を任意の速度で閉じることができるものである。これらの羽根１７，１７は、モータ１２３により向かい合う方向、すわなち対向方向に開閉することができる。
このような複数枚の羽根１７，１７を用いて開口部６を開閉するような構造を採用することにより、１枚の羽根を用いるのに比べて開口部６を早く開閉できるので、フラッシュ光の照射エネルギーの尖頭値が変化することなく、かつ短時間の処理が行える。
【００３３】
被照射基板８としては、第１の実施形態と同様にガラス基板である被照射基板８の上に３０〜１００ｎｍの厚さにアモルファスシリコン薄膜が形成された３０ｍｍ×３０ｍｍサンプル基板を用いた。この被照射基板８に対して、シャッター開口幅を１ｍｍ、シャッター４の開閉速度は０．５×１０^３ｍ／ｓとし、第１の実施形態と同じ照射機構でフラッシュランプの照射を行った結果、照射時間は１枚シャッター時の約半分となった。
【００３４】
第３の実施形態
図６は、本発明のフラッシュランプの照射装置の第３の実施形態を示している。
図６の第３の実施形態のフラッシュランプの照射装置１０の構成要素が、図１のフラッシュランプの照射装置１０の構成要素と同じ個所には同じ符号を記してその説明を用いる。
【００３５】
図６のフラッシュランプの照射装置１０が、図１のフラッシュランプの照射装置１０と異なるのは、ステージ１が走査機構３０により、Ｔ方向に直線移動可能になっている。この走査機構３０は、たとえばモータ３１とガイドレール３３を有している。制御部１００の指令によりモータ３１が作動することにより、送りねじ３４が回転する。この送りねじ３４の回転により、ステージ１はガイドレール３３に沿ってＴ方向に直線移動できるようになっている。
このような構造にすることにより、被照射基板８が小型の基板は勿論のこと、大型の基板であってもフラッシュ光の照射処理が確実に行える。
この走査機構３０は、照射部２０およびシャッター４に対して、相対的に被照射基板８を移動させるための走査部である。
【００３６】
たとえば前記アモルファスシリコン薄膜が形成された３０ｍｍ×３０ｍｍ基板を全面にわたり処理する場合、シャッター開口幅１ｍｍ、シャッター開閉速度０．５×１０^３ｍ／ｓでフラッシュランプのフラッシュ光５を照射した後、ステージ１を１ｍｍ走査させて再度フラッシュ照射を行う。
この走査による照射は、基板８の全面にわたり行うことで、基板全面の処理を完了させた。
また、第３の実施形態では走査機構３０は走査の際にステージ１を走査させたが、シャッター４を走査させることも可能である。
このような走査機構３０の構造は、図５の第２の実施形態のフラッシュランプの照射装置１０にも勿論採用することができる。
【００３７】
第４の実施形態
図７は、本発明のフラッシュランプの照射装置の第４の実施形態を示している。
図７に示す第４の実施形態のフラッシュランプの照射装置１０の構成要素が、図１に示すフラッシュランプの照射装置１０の構成要素と同じ個所には同じ符号を記してその説明を用いることにする。
【００３８】
図７のフラッシュランプの照射装置１０は、たとえば大型の被照射基板８を処理効率を上げて確実に処理できるようにした装置である。
このために、ステージ１は大型のテーブルを用いている。このテーブル１は走査機構３０によりＴ方向に直線移動可能である。
図４の実施形態で特に重要なのは、シャッター３０４と照射部３２０の構造である。
シャッター３０４は、複数の開口部６を有している。これらの開口部６は、たとえば等間隔に形成されている。シャッター３０４の羽根３１７は、同様にして羽根開口部３５０を有していて、この羽根開口部３５０は開口部６と同じサイズのものである。
【００３９】
モータ３２３が制御部１００の指令により動作すると、羽根３１７はＸ方向に直線移動する。これによって、羽根開口部３５０と開口部６の一致した状態からずれて、結果として開口部６は所定の開口幅で所定の開閉速度により開閉することができる。シャッター４の大きさは、被照射基板の大きさよりも大きいサイズを有している。
図７に示す照射部３２０は、複数本のフラッシュランプ２を有している。これらのフラッシュランプ２は平行に配列されている。リフレクタ３３３は、これらのフラッシュランプ２が発生するフラッシュ光５を効率よく被照射基板８の被照射面８Ｂ側に導くためのものである。
【００４０】
たとえば２００×２００ｍｍの被照射基板８が設置されたステージ１の上方には複数本の棒状フラッシュランプ２を、互いに平行して同一平面上に配置した。
また、フラッシュランプ２の上方にはリフレクタ３３３が配置されており、フラッシュランプ２のフラッシュ光５を効率的に被照射基板８まで導くことができる。
また、前記ステージ１と前記フラッシュランプ２との間には、たとえば約５０個のシャッター３０４を配置した。各シャッター６の開口幅は１ｍｍでシャッター間隔が３ｍｍである。
【００４１】
前記２００×２００ｍｍの被照射基板８の処理を行う場合は、このシャッター開口部６の幅１ｍｍのスリットに対して、シャッター３０４の羽根３１７の開閉速度は０．５×１０^３ｍ／ｓとしフラッシュ光５の照射を行う。
照射後、走査機構３０がステージ１をＴ方向に走査させて、未処理膜部分の照射を行い同様に繰り返し処理を行う。
これにより、前記４００ｍｍ×５００ｍｍの被照射基板８は、たとえば約４回の照射を行うことにより処理が完了する。
このことより、本発明の装置機構を複数組み合わせて処理を行うことにより、基板の処理効率は大幅に向上した。
【００４２】
本発明のフラッシュランプの照射装置１０に使用される被照射基板としては、上述したようなガラス基板やプラスチック基板あるいはセラミックス基板など各種のものを採用することができる。これらの被照射基板は、たとえば液晶表示体、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示体、プラズマディスプレイ装置、あるいは半導体基板など各種の分野に使用することができるものである。
本発明によれば、レーザーアニール装置と比較してランニングコストが非常に安価なフラッシュランプ装置を用い、被照射物に対して熱ダメージを与えることのない、フラッシュランプの本来有する照射時間より短い時間で、フラッシュ光を照射することが可能である。
【００４３】
本発明の各実施形態において、シャッター４の開口部６の開口幅は、シャッター４を別のシャッターに交換することで任意に調整もしくは選択できる。
また、シャッター４の開口部６における羽根の初期信号を必要に応じて変えることで、開口部の開口幅の当初の値が任意に調整できる。
本発明では、シャッターを交換することでシャッターの開口幅は、任意に調節が可能である。これにより、フラッシュランプによる光照射量の調整を行うことができ、被照射物に対する熱ダメージが生じない。
【００４４】
本発明では、シャッターの羽根の開閉速度が任意に調節できる。これにより、被照射物の材質、基板のサイズ、半導体膜の膜厚など被照射条件に合わせて、適切な照射時間が得られる。したがって被照射物に対する熱ダメージが生じない。
本発明では、光検出部を設けることで、フラッシュランプ光の照射のタイミングでシャッターの羽根を駆動でき、フラッシュランプの照射は予め設定した開口時間で照射することが可能となる。
【００４５】
本発明では、被照射物を設置するステージとシャッター部を相対的に走査する走査機構を有する。このため、たとえば被照射物の一例として大型ガラス基板上に形成された半導体膜の処理を行う場合には、フラッシュランプ処理毎に前記ステージもしくは前記シャッター機構部を走査させて、未処理部もしくは任意の半導体膜部に対して順次フラッシュランプ処理を行っていくことが可能である。
また、前記走査処理期間中にコンデンサーの再充電も可能である。このため、様々な大きさの基板に対して、特に大型基板に対しても短時間でアニール処理を行うことが可能である。そのため、非常に高い生産性を得ることが可能となる。
【００４６】
本発明の実施形態において、フラッシュランプの本数は特に限定されるものではなく、照射条件により変更することは勿論可能である。
本発明は、上記実施形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。
上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフラッシュランプの照射装置の第１の実施形態を示す断面図。
【図２】図１のフラッシュランプの照射装置による照射プロセスの一例を示すフロー図。
【図３】フラッシュランプの照射光のパルス測定結果を示す図。
【図４】フラッシュランプの照射時のガラス基板の深さ方向に関する温度プロファイルを示すグラフ。
【図５】本発明のフラッシュランプの照射装置の第２の実施形態を示す断面図。
【図６】本発明のフラッシュランプの照射装置の第３の実施形態を示す断面図。
【図７】本発明のフラッシュランプの照射装置の第４の実施形態を示す断面図。
【符号の説明】
１・・・ステージ、２・・・フラッシュランプ、３・・・リフレクタ、４・・・シャッター、５・・・フラッシュ光、６・・・シャッターの開口部、７・・・シャッターの羽根、８・・・被照射基板（被照射物の一例）、９・・・光検出部、１０・・・フラッシュランプの照射装置、２０・・・照射部、３０・・・走査機構、１００・・・制御部、４１０・・・フラッシュランプアニールの照射パルス、４１１・・・シャッターによる短パルス化したフラッシュランプの照射パルス、４１２・・・フラッシュランプ照射時の基板深さ方向の熱分布、４１３・・・シャッターにより短パルス化したフラッシュランプ照射時の基板深さ方向の熱分布

Claims (7)

1. 短時間の光照射により薄膜の光処理を行うフラッシュランプの照射装置において、
   前記フラッシュランプと被照射物との間にはシャッターを有することを特徴とするフラッシュランプの照射装置。
2. 前記シャッターは、開口を有し、前記シャッターの開口幅は調節が可能であることを特徴とする請求項１に記載のフラッシュランプの照射装置。
3. 前記シャッターの開閉速度が調節できることを特徴とする請求項１に記載のフラッシュランプの照射装置。
4. 前記シャッターは、そのシャッター羽根を１枚以上有し、１方向もしくは対向する方向に開閉することを特徴とする請求項１に記載のフラッシュランプの照射装置。
5. 前記シャッターは高耐光性もしくは光反射性の処理がなされていることを特徴とする請求項１に記載のフラッシュランプの照射装置。
6. 前記シャッターは、光検出部を有し、前記光検出部の感知信号により、フラッシュ照射と同期して羽根を駆動するシャッター機構部を有することを特徴とする請求項１に記載のフラッシュランプの照射装置。
7. 前記被照射物を設置するステージと、前記シャッターとを相対的に走査するための走査機構を有する請求項１に記載のフラッシュランプの照射装置。

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