JP2004363298A - 液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置 - Google Patents

Abstract

【課題】比較的簡単な構成で、短時間で、基板上に成膜されているシリコン膜をポリシリコン化できる液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置に使用される基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与えるための第１の工程と、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含む液晶表示装置の製造方法。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと呼ぶ）を使用した液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶表示装置に使用されるＴＦＴの動作速度（反応速度、移動度）を速くするため、ＴＦＴのチャンネルである、アモルファスシリコンを含む全体を、例えば紫外光のエキシマレーザ（パルスレーザ）を所定時間照射することで、アモルファスシリコンがポリシリコンになる。このようにパルスレーザを何回か照射、停止させることを繰り返すことで、結晶粒径が少しずつ大きくなり、結果として、ＴＦＴの動作速度が向上する。
【０００３】
しかしながら、エキシマレーザはハロゲンを使ったガスレーザであることから、ガス交換やチューブの交換を必要とし、長期に亘って使用した場合には、出力やプロファイルの変動が生じる。
【０００４】
このようなエキシマレーザの問題点を改善するため、従来、ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｓ Ｗａｖｅ：連続波）−ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザを使用した半導体装置のアニール方法が公開開示されている（特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２９１６６６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
該特許文献１に記載されているＣＷ−ＹＡＧレーザを使用した半導体装置のアニール方法は、前述したエキシマレーザの問題点を改善することはできるものの、以下のような問題点が存在する。
【０００７】
図６に示すように、基板６の成膜面６３に、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光１０のみを照射した場合、基板内の温度分布は図７＜図６の７−７線断面図＞に示すようになり、また最高到達温度の時間変化は図８のようになる。このことから明らかなように、ＣＷ−ＹＡＧレーザエネルギーを少しずつ上げていくと、あるしきい値を超えたエネルギーから急激に温度上昇が起こり、沸騰状態となる。このため、実際にアニール処理が可能なエネルギ範囲（プロセスウインドウ）が存在しなくなる可能性がある。
【０００８】
一方、半導体装置のアニール方法に使用するＳＨＧ−ＹＡＧレーザの方法がある。この場合は、加工機１台の出力が小さく、かつレーザビーム径が例えば２００μｍと非常に短いので、レーザビームの照射面積が小さく、ＴＦＴの基板全面に照射することは困難である。実際に、ＴＦＴの基板全面に照射することは、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ加工機を何台も並設してこれらを制御して同時にレーザビームを発生させることにより可能である。しかながら、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ加工機の台数が増えることで、制御が複雑で、構成が複雑で、その設備コスト、メンテナンスコストが多くかかるので、実用的ではない。
【０００９】
本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、比較的簡単な構成で、短時間で、基板上に成膜されているシリコン膜をポリシリコン化できる液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、請求項１に対応する発明は、液晶表示装置に使用される基板上にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、可視光又は可視光より短い波長のレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与えるための第１の工程と、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記可視光より長い波長のレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含む液晶表示装置の製造方法である。
【００１１】
前記目的を達成するため、請求項４に対応する発明は、液晶表示装置に使用される基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、可視光又は可視光より短い波長のレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の手段と、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記可視光より長い波長のレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の手段を含む液晶表示装置の製造装置である。
【００１２】
前記目的を達成するため、請求項７に対応する発明は、基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、可視光より短い波長のレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の工程と、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記可視光又は可視光より長い波長のレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含むレーザアニール方法である。
【００１３】
前記目的を達成するため、請求項８に対応する発明は、基板に多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に可視光又は可視光より短い波長の第１のレーザ光を照射して該成膜を溶かす第１のレーザ光照射手段と、前記基板の成膜を溶かした後であって、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記可視光より長い波長のレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化するための第２のレーザ光照射手段と、を含むレーザアニール装置である。
【００１４】
前記目的を達成するため、請求項１０に対応する発明は、液晶表示装置に使用される基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の工程と、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記第１の所定領域に照射する前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値の前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含む液晶表示装置の製造方法である。
【００１５】
前記目的を達成するため、請求項１１に対応する発明は、液晶表示装置に使用される基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の手段と、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記第１の所定領域に照射する前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値の前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の手段を含む液晶表示装置の製造装置である。
【００１６】
前記目的を達成するため、請求項１２に対応する発明は、基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の工程と、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記第１の所定領域に照射する前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値の前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含むレーザアニール方法である。
【００１７】
前記目的を達成するため、請求項１３に対応する発明は、基板に多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜が成膜されている第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与えるＣＷ−ＹＡＧレーザ光照射手段と、前記基板の成膜を溶かした後であって、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記第１の所定領域に照射する前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値を照射して前記成膜面をポリシリコン化するポリシリコン化手段と、を含むレーザアニール装置である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置を説明するための概略構成図である。
【００１９】
本発明の液晶表示装置の製造装置又はレーザアニール装置の実施形態は、第１の手段又は第１のレーザ光照射手段と、第２の手段又は第２のレーザ光照射手段を備えている。第１の手段又は第１のレーザ光照射手段は、例えばＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光源４と、反射ミラー５１、５２、５３、ダイクロィックミラー３とからなる。これは、液晶表示装置の表示器を構成する基板６のガラス基板６１に、例えばＳｉＯ２とＳｉＮからなる絶縁膜（アンダーコート）６２を介してアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面６３の第１の所定領域６ａに、可視光より短い波長例えば５３０ｎｍのレーザ光を照射して成膜面６３を溶かすためのトリガーを与える。
【００２０】
また、第２の手段又は第２のレーザ光照射手段は、例えばＣＷ−ＹＡＧレーザ光源１と、光学系２と、ダイクロィックミラー３とからなる。これは、基板６の第１の所定領域６ａを含む成膜面６３の第２の所定領域６ｂに、可視光より長い波長例えば１．０６μｍのレーザ光を照射して成膜面６３をポリシリコン化する。
【００２１】
そして、基板６は、図示しないステージに載置され、該ステージは図示しない駆動手段により、所定方向ＸＹ方向の少なくともいずれか一方向に駆動される。ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源１とＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光源４の切換えは、図示しない制御手段により、行われるようになっている。ガラス基板６１、絶縁膜６２、成膜面６３からなる基板６は、図示しないプロセスチャンバ内に収納されることは言うまでもない。
【００２２】
以下、このように構成された実施形態の作用効果について、図３を参照して説明する。図３（ａ）、（ｂ）は図１の作用効果を説明するための図であって、基板の成膜面におけるレーザ強度（照射エネルギー）と時間の関係を示す図及び基板の成膜面における温度（最高到達温度）と時間の関係を示す図である。
【００２３】
始めに、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光源４からのレーザ光を反射ミラー５１、５２、５３及びダイクロイックミラー３を介して基板６の成膜面６３の第１の所定領域６ａに、可視光以下の波長例えば５３０ｎｍのライン状のレーザ光を所定時間ΔＴだけ照射すると、成膜面６３が溶ける。この場合、Ｓｉの融点は１４２０℃なので、図３（ｂ）に示すように全体を例えば１４００℃で所定時間ΔＴだけ、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光を成膜面６３に照射すると、成膜面６３のＳｉは溶ける。これにより、成膜面６３のＳｉは固体から液体に変わる。このようにしてＳｉが固体から液体に変わると、Ｓｉの熱吸収係数が増大する。
【００２４】
図３（ａ）のように成膜面６３のＳｉは、第１のレーザ光照射手段により溶けた後、第１のレーザ光照射手段の動作を停止させると共に、第２のレーザ光照射手段を動作させると該成膜面６３のＳｉがポリシリコン化される。
【００２５】
ここで、第１のレーザ光照射手段からのレーザ光を成膜面６３に照射することで、成膜面６３が溶けるのは、実験結果又は次のような光の強度の計算結果からも明らかである。具体的には、成膜面６３に照射レーザ光の強度と、成膜面６３の材料の熱吸収係数と、成膜面６３の厚さから求められる光の強度であり、この求められた光の強度は、大きな値となることから、成膜面６３においてレーザ光が吸収されるからである。
【００２６】
また、第１のレーザ光照射手段からのレーザ光により成膜面６３が溶けてＳｉが液体に変わった時点で、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光源４の動作を止め、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源１を動作させて、波長が例えば１．０６μｍのＣＷ−ＹＡＧレーザ光を、該成膜面６３の第２の所定領域において、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光（６ａ）に対して直交する方向に照射する。具体的には、成膜面６３を含む基板６は、図２に示すようにＸＹ駆動手段によりライン状のＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光（６ａ）に対して直交する方向に駆動走査される。
【００２７】
前述したように第２のレーザ光照射手段からのレーザ光を照射することで成膜面６３がポリシリコン化されるのは、実験結果又は次のような光の強度の計算結果からも明らかである。具体的には、成膜面６３に照射レーザ光の強度と、成膜面６３の材料の熱吸収係数と、成膜面６３の厚さから求められる光の強度であり、この求められた光の強度は、小さな値となることから、成膜面６３においてレーザ光が透過（通過）されるからである。この結果、成膜面６３がポリシリコン化される。
【００２８】
以上述べた第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造費装置、レーザアニール方法、レーザアニール装置を用いると、従来不可能であった、ＣＷ−ＹＡＧレーザ装置が１台では長さの長いレーザビームを実現することができず、大面積の処理が一度にできないことによる問題点を改善できる。具体的には、比較的簡単な構成で、短時間で、基板上に成膜されている大面積のシリコン膜をポリシリコン化できる。
【００２９】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置を説明するための概略構成図である。本実施形態は、第１及び第２の手段を構成するレーザ光源として、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源７が１個と、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源７から出射されるレーザ光の強度を調節して成膜面６３に照射できるように電源８を備え、これにより以下に述べる第１の手段と、第２の手段を構成したものである。
【００３０】
具体的には、第１の手段はガラス基板６１にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面６３の第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して成膜面６３を溶かすためのトリガーを与えるものである。
【００３１】
第２の手段は、第１の所定領域を含む成膜面６３の第２の所定領域に、第１の所定領域に照射するＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して成膜面６３をポリシリコン化するものである。
【００３２】
以下、このように構成された第２の実施形態の作用効果について、図５を照して説明する。図５（ａ）、（ｂ）は図４の作用効果を説明するための図であって、基板の成膜面におけるレーザ強度（照射エネルギー）と時間の関係を示す図及び基板の成膜面における温度（最高到達温度）と時間の関係を示す図である。
【００３３】
始めに、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源７からのレーザ光の強度を、所定時間ΔＴ（Ｓｉが溶けて沸騰するまでの時間）だけ、最大になるように調節する。この場合、Ｓｉの融点は１４２０℃なので、全体を例えば１４００℃で所定時間ΔＴだけ、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を成膜面６３に照射すると、Ｓｉは沸騰し、Ｓｉは固体から液体に変わる。
【００３４】
このようにしてＳｉが固体から液体に変わると、Ｓｉの熱吸収係数が増大する。Ｓｉが液体に変わった時点で、所定時間ΔＴ経過後、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源７のレーザ強度を小さくして、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を、該成膜面６３の第２の所定領域において、図４に示すようにライン状のレーザ光に対して直交する方向に照射する。具体的には、基板６の成膜面６３を含む基板６は、ＸＹ駆動手段によりライン状のレーザ光に対して直交する方向に駆動走査される。
【００３５】
このように構成された第２の実施形態の液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法、レーザアニール装置を用いると、前述した第１の実施形態と同様に、従来不可能であった、ＣＷ−ＹＡＧレーザ装置が１台では長さの長いレーザビームを実現することができず、大面積の処理が一度にできないことによる問題点を改善できる。具体的には、比較的簡単な構成で、短時間で、基板上に成膜されている大面積のシリコン膜をポリシリコン化できる。
【００３６】
【発明の効果】
以上述べた本発明によれば、比較的簡単な構成で、短時間で、基板上に成膜されているシリコン膜をポリシリコン化できる液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置を説明するための概略構成図。
【図２】図１のレーザ光の加工点のイメージを説明するための図。
【図３】図１の作用効果を説明するための図であって、基板の成膜面におけるレーザ強度と時間の関係を示す図及び基板の成膜面における温度と時間の関係を示す図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造装置、レーザアニール方法及びレーザアニール装置を説明するための概略構成図。
【図５】図４の作用効果を説明するための図であって、基板の成膜面におけるレーザ強度と時間の関係を示す図及び基板の成膜面における温度と時間の関係を示す図。
【図６】従来のＣＷ−ＹＡＧレーザを使用したレーザアニール方法における問題点を説明するための図。
【図７】図６の７−７線に沿って断面した図。
【図８】従来のＣＷ−ＹＡＧレーザを使用したレーザアニール方法における問題点を説明するための図であって、基板の成膜面における温度と時間の関係を示す図。
【符号の説明】
１…ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源、２…光学系、３…ハーフミラー、４…ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光源、６…基板、６ａ…第１の所定領域、６ｂ…第２の所定領域、７…ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源、８…電源、１０…ＹＡＧレーザ光、５１、５２…ハーフミラー、６１…ガラス基板、６２…絶縁膜、６３…成膜面。

Claims (13)

1. 液晶表示装置に使用される基板上にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、可視光または、可視光より短い波長のレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与えるための第１の工程と、
   前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記可視光より長い波長のレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含む液晶表示装置の製造方法。
2. 前記可視光または、可視光より短い波長のレーザ光は、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光又はエキシマレーザ光であり、前記可視光より長い波長のレーザ光は、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光である請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 前記第１の工程はレーザ光を第１の所定方向に走査し、前記第２の工程は前記基板を載置しているステージにより前記第１の所定方向と直交する方向に移動させる請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
4. 液晶表示装置に使用される基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、可視光または、可視光より短い波長のレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の手段と、
   前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記可視光より長い波長のレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の手段を含む液晶表示装置の製造装置。
5. 前記可視光より短い波長の波長のレーザ光は、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光源又はエキシマレーザ光源により与え、前記可視光より長い波長のレーザ光は、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源で与える請求項４記載の液晶表示装置の製造装置。
6. 前記第１の手段はレーザ光を第１の所定方向に走査するものであり、前記第２の手段は前記基板を載置しているステージにより前記第１の所定方向と直交する方向に移動させるものである請求項４記載の液晶表示装置の製造装置。
7. 基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、可視光または、可視光より短い波長のレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の工程と、
   前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記可視光より長い波長のレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含むレーザアニール方法。
8. 基板に多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に可視光または、可視光より短い波長の第１のレーザ光を照射して該成膜を溶かす第１のレーザ光照射手段と、
   前記基板の成膜を溶かした後であって、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記可視光より長い波長のレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化するための第２のレーザ光照射手段と、
   を含むレーザアニール装置。
9. 前記可視光または、可視光より短い波長のレーザ光は、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ光源又はエキシマレーザ光源により与え、前記可視光より長い波長のレーザ光は、ＣＷ−ＹＡＧレーザ光源で与える請求項８記載のレーザアニール装置。
10. 液晶表示装置に使用される基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の工程と、
    前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記第１の所定領域に照射する前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値の前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含む液晶表示装置の製造方法。
11. 液晶表示装置に使用される基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の手段と、
    前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記第１の所定領域に照射する前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値の前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の手段を含む液晶表示装置の製造装置。
12. 基板にアモルファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜が形成されている成膜面の第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与える第１の工程と、
    前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記第１の所定領域に照射する前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値の前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面をポリシリコン化する第２の工程を含むレーザアニール方法。
13. 基板に多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜が成膜されている第１の所定領域に、所定強度のＣＷ−ＹＡＧレーザ光を照射して前記成膜面を溶かすためのトリガーを与えるＣＷ−ＹＡＧレーザ光照射手段と、
    前記基板の成膜を溶かした後であって、前記第１の所定領域を含む前記成膜面の第２の所定領域に、前記第１の所定領域に照射する前記ＣＷ−ＹＡＧレーザ光の強度より小さい値を照射して前記成膜面をポリシリコン化するポリシリコン化手段と、
    を含むレーザアニール装置。

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