JP2004006703A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 47
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 21
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims 1
Claims (22)
- 基板に形成された半導体層にレーザ光を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材にレーザ光を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを具備してなることを特徴とする半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
- 基板に形成された半導体層にレーザ光を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材にレーザ光を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを備え、前記溶融中の半導体層の露出面を通して前記半導体層に前記元素をドーピングするために、前記半導体層に照射されたレーザ光の前記半導体層からの反射光を前記ターゲット材に入射させて前記元素を気密容器内ヘアブレーションさせることを特徴とする半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
- 基板に形成された半導体層にレーザ光を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させ、結晶化させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材にレーザ光を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを備え、前記半導体層へのドーピング工程と前記結晶化工程とがほぼ同時に行われることを特徴とする半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
- 前記レーザ光は、パルス発振された光または連続発振された光である、請求項１、２または３のいずれかに記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
- 前記レーザ光の波長は、真空紫外から赤外までの全域から選択される、請求項１、２または３のいずれかに記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
- 前記基板は、ガラス、シリコンおよびプラスチックのいずれかの材料からなる、請求項１、２または３のいずれかに記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
- 基板と該基板に直接または間接的に形成された半導体層とを有する被処理板であって前記半導体層の少なくとも一部が露出された被処理板と前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材とが配置される一つの気密容器と、少なくとも前記半導体層の露出面に照射される一のレーザ光を発生するための第１のレーザ光照射器と、前記ターゲット材に照射される他のレーザ光を発生するための第２のレーザ光照射器とを含む半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記被処理板および前記ターゲット材は、前記被処理板の前記一のレーザ光が照射される面と前記ターゲット材の前記他のレーザ光が照射される面とのなす角度が０〜９０°であるように前記気密容器内に配置されている請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記角度は０°（平行）である請求項８に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記第２のレーザ光照射器は、前記ターゲット材に対する前記他のレーザ光の入射角度が１０〜９０°であるように配置されている請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記入射角度は４５°である請求項１０に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記第１および第２のレーザ光照射器は、それぞれ、パルス発振されたレーザ光または連続発振されたレーザ光を発生する請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記第１および第２のレーザ光照射器は、それぞれ、真空紫外から赤外までの全域から選択される波長の光を発する請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記第１および第２のレーザ光照射器からのレーザ光の発射時刻を制御することにより、前記ドーパントのドーピングの開始と前記レーザアニールによる結晶化の開始との間の時間差を変更する請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 基板と該基板に直接または間接的に形成された半導体層とを有する被処理板であって前記半導体層の少なくとも一部が露出された被処理板と前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材とを配置するための一つの気密容器と、少なくとも前記半導体層の露出面に照射され、前記半導体層で反射され、次いで前記ターゲット材に入射するレーザ光を発生するためのレーザ光照射器とを含む半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記被処理板および前記ターゲット材は、前記被処理板の前記レーザ光が照射される面と前記ターゲット材の前記レーザ光が照射される面とのなす角度が０〜９０°であるように前記気密容器内に配置されている請求項１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記角度は０°（平行）である請求項１６に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記レーザ光照射器は、前記ターゲット材に対する前記レーザ光の入射角度が１０〜９０°であるように調整するための反射鏡を含む請求項１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記入射角度は４５°である請求項１８に記載の装置。
- 前記レーザ光照射器は、パルス発振されたレーザ光または連続発振されたレーザ光を発生する請求項１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記レーザ光照射器は、真空紫外から赤外までの全域から選択される波長の光を発生する請求項１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
- 前記基板は、ガラス、シリコンおよびプラスチックのいずれかの材料からなる請求項７または１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003065188A JP2004006703A (ja) | 2002-03-26 | 2003-03-11 | 半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置 |
| US10/394,479 US6911717B2 (en) | 2002-03-26 | 2003-03-21 | Processing method and apparatus for annealing and doping semiconductor |
| US11/058,344 US7241702B2 (en) | 2002-03-26 | 2005-02-14 | Processing method for annealing and doping a semiconductor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084822 | 2002-03-26 | ||
| JP2003065188A JP2004006703A (ja) | 2002-03-26 | 2003-03-11 | 半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004006703A JP2004006703A (ja) | 2004-01-08 |
| JP2004006703A5 true JP2004006703A5 (ja) | 2005-09-22 |
Family
ID=30445960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003065188A Abandoned JP2004006703A (ja) | 2002-03-26 | 2003-03-11 | 半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6911717B2 (ja) |
| JP (1) | JP2004006703A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004044709A1 (de) * | 2004-09-15 | 2006-03-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur gleichzeitigen Rekristalisierung und Dotierung von Halbleiterschichten und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterschichtsysteme |
| US7279387B2 (en) * | 2005-02-25 | 2007-10-09 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating asymmetric semiconductor device |
| TWI450401B (zh) * | 2007-08-28 | 2014-08-21 | Mosel Vitelic Inc | 太陽能電池及其製造方法 |
| US7896381B2 (en) * | 2008-03-20 | 2011-03-01 | Trek Bicycle Corporation | Bicycle wheel assembly |
| TWI509698B (zh) | 2013-12-25 | 2015-11-21 | Ind Tech Res Inst | 用於退火裝置的樣品座與使用此樣品座的電流輔助退火裝置 |
| US9659775B2 (en) | 2015-02-25 | 2017-05-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for doping impurities, method for manufacturing semiconductor device |
| US9972492B2 (en) * | 2015-03-26 | 2018-05-15 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of doping substrate |
| KR102521976B1 (ko) * | 2015-03-26 | 2023-04-17 | 한국전자통신연구원 | 기판 도핑 방법 |
| WO2019123611A1 (ja) | 2017-12-21 | 2019-06-27 | ギガフォトン株式会社 | レーザ照射方法、及びレーザ照射システム |
| WO2019123612A1 (ja) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | ギガフォトン株式会社 | レーザ照射システム |
| US20190378690A1 (en) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4728770A (en) * | 1987-04-27 | 1988-03-01 | Questar Corporation | Dual axis optical system |
| US5231047A (en) * | 1991-12-19 | 1993-07-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | High quality photovoltaic semiconductor material and laser ablation method of fabrication same |
| US5386798A (en) * | 1993-10-06 | 1995-02-07 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method for continuous control of composition and doping of pulsed laser deposited films |
| JPH0851207A (ja) | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP3349965B2 (ja) * | 1998-11-05 | 2002-11-25 | 松下電器産業株式会社 | 微粒子分級方法及び装置 |
| US20020151115A1 (en) * | 2000-09-05 | 2002-10-17 | Sony Corporation | Process for production of thin film, semiconductor thin film, semiconductor device, process for production of semiconductor thin film, and apparatus for production of semiconductor thin film |
| JP2002122881A (ja) | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-03-11 JP JP2003065188A patent/JP2004006703A/ja not_active Abandoned
- 2003-03-21 US US10/394,479 patent/US6911717B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-14 US US11/058,344 patent/US7241702B2/en not_active Expired - Fee Related
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