[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2004292706A - Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2004292706A
JP2004292706A JP2003089225A JP2003089225A JP2004292706A JP 2004292706 A JP2004292706 A JP 2004292706A JP 2003089225 A JP2003089225 A JP 2003089225A JP 2003089225 A JP2003089225 A JP 2003089225A JP 2004292706 A JP2004292706 A JP 2004292706A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
epoxy
optical semiconductor
component
epoxy resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003089225A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shiro Mio
史朗 実生
Toshinobu Fujimura
俊伸 藤村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NOF Corp
Original Assignee
NOF Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NOF Corp filed Critical NOF Corp
Priority to JP2003089225A priority Critical patent/JP2004292706A/en
Publication of JP2004292706A publication Critical patent/JP2004292706A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】貯蔵安定性優れ、硬化時に組成比が変化しない光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。また本発明の第2の目的は、該エポキシ樹脂組成物を封止剤として用いてなることを特徴とする透明性、耐熱性、耐湿性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決方法】A;エポキシ変性シリコーン樹脂と、B;下記式(1)で表されるカルボン酸をビニルエーテルで保護してなる官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤とを、主成分として含有する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化1】

Figure 2004292706

(式中のR、R及びRはそれぞれ水素原子又は炭素数1〜18の有機基、Rは炭素数1〜18の有機基を示す。)
【選択図】なしThe present invention provides an epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation that has excellent storage stability and does not change its composition ratio during curing. A second object of the present invention is to provide an optical semiconductor device excellent in transparency, heat resistance and moisture resistance, characterized by using the epoxy resin composition as a sealing agent.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A: an epoxy-modified silicone resin; and B: a thermosetting agent having at least two functional groups in one molecule, each of which is obtained by protecting a carboxylic acid represented by the following formula (1) with vinyl ether, An epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor contained as a component.
Embedded image
Figure 2004292706

(In the formula, R 1 , R 2 and R 3 each represent a hydrogen atom or an organic group having 1 to 18 carbon atoms, and R 4 represents an organic group having 1 to 18 carbon atoms.)
[Selection diagram] None

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、LED、フォトトランジスタ、フォトダイオード、CCD等の光半導体素子を封止するために用いられるエポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹脂を用いて封止された光半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、封止材としては、液晶等に用いられる硬化収縮性の少ないエポキシ樹脂と、LED等の光半導体封止材に代表される透明性に優れるエポキシ樹脂が挙げられる。
LED、受光素子等の光半導体の樹脂封止材料としては、透明性、密着性、電気絶縁性、耐熱性等に優れる点からエポキシ樹脂組成物が多く使用されている。エポキシ樹脂の硬化剤としては、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、イミダゾール系硬化剤等が挙げられる。しかし、前記のように透明性や成形性の観点から酸無水物が多用されている。
しかしながら、硬化剤として酸無水物を使用した場合、
(1)エポキシ樹脂との反応性が高いため、貯蔵中にゲル化を生じたりするので、可使時間が短くなるなどその安定性が問題となる、
(2)硬化過程においてエポキシ基とカルボキシル基との反応によりヒドロキシル基が生成するため耐湿性が不十分である、
(3)硬化の前工程である真空脱泡工程において酸無水物が蒸発し、エポキシ樹脂組成物の組成比を一定に保つことが困難である、
などの問題もあった。
【0003】
例えば、封止用ポキシ樹脂としては、特開2000−63635号公報(特許文献1)、特開平10−158474号公報(特許文献2)、特開平09−208865号公報(特許文献3)、特開平08−41168号公報等が開示されている。
特開2000−63635号公報(特許文献1)、特開平10−158474号公報(特許文献2)、特開平09−208865号公報(特許文献3)には、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤およびポリオキシエチレン系活性剤を用いたエポキシ樹脂組成物が開示されている。しかしエポキシ樹脂成分が、フェノールノボラッック型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラッック型エポキシ樹脂のシリコーン基を含まない構造の樹脂であり、耐水性や柔軟性が乏しいなどの問題がある。
一方、特開平08−41168号(特許文献4)には、エポキ変性シリコーン樹脂、フェノール系硬化剤、硬化促進剤および充填材を含む液状エポキシ樹脂組成物が開示されている。この技術の目的とするところでは、低粘度で取り扱い性がよく樹脂封止層をスポットで形成するのに適し、ブリ−ドが発生せず低応力性に優れた硬化物を与える組成物としてエポキシ当量が260以下のエポキシ変性シリコーン樹脂を含有する組成物であり、透明性が求められる用途には使用できない。しかし、充填材を含まない組成としても、この技術では、エポキシ変性シリコーン樹脂のエポキシ当量や粘度が限定されたものに対してのみ使用が可能であり、特に高粘度のエポキシ変性シリコーン樹脂に対しては使用することができず使用範囲の限られたものであった。さらには、また架橋反応が高分子同士の相溶性が悪く反応率が低いため、得られた硬化樹脂は不均一で脆く優れているとはいえない状態であった。充填剤を使用しない場合でも、相溶性が悪く反応率が低いため、多くの場合得られた硬化樹脂は不均一である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記のような背景のもとで課題の検討がなされたものである。
本発明の第1の目的は、樹脂組成物の相溶性、貯蔵安定性に優れ、硬化時に組成比が変化しないでかつ硬化性、硬化した後の透明性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
本発明の第2の目的は、前記の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた硬化方法を提供することにある。
本発明の第3の目的は、該エポキシ樹脂組成物を封止剤として用いてなる、透明性、耐熱性、耐湿性に優れた光半導体装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の問題点に鑑み鋭意検討した結果、エポキシ変性シリコーン樹脂と、特定のカルボン酸をビニルエーテルで変性させた熱硬化剤とを配合して用いると、貯蔵安定等に優れ、硬化後の物性も優れたエポキシ樹脂となる組成物が得られることの知見を得て、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、次の(1)〜(6)である。
(1)A成分;エポキシ変性シリコーン樹脂と、B成分;前記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤とを、主成分として含有する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【0006】
(2)A成分;エポキシ変性シリコーン樹脂と、B成分;前記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤と、さらにC成分;硬化促進剤を含有する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【0007】
(3)A成分のエポキシ変性シリコーン樹脂が、エポキシ当量180〜2000g/当量の樹脂であり、
B成分の前記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤が、コハク酸、アジピン酸、1,2,3,4,−ブタンテトラカルボン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカメチレンジカルボン酸などの脂肪族ポリカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、シクロヘキサントリカルボン酸およびシクロヘキサンテトラカルボン酸などの脂環式ポリカルボン酸からなる酸群より選択される1種または2種以上と、
イソプロピルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルおよび前記のビニルエーテルに対応するチオエーテルからなるビニル(チオ)エーテルの群より選択される1種または2種以上とを付加反応させて得られる反応物である熱硬化剤であり、さらにC成分の硬化促進剤が、プロトン酸および/またはルイス酸である請求項1または2記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【0008】
(4)A成分のエポキシ変性シリコーン樹脂、100重量部に対して、
B成分の前記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤が、{硬化剤の酸とビニル(チオ)エーテルを反応させたブロックカルボン酸(潜在性酸)当量/前記のエポキシ変性シリコ−ン樹脂のエポキシ当量}の比が0.7〜1.2となるようにし、さらにC成分の硬化促進剤をエポキシ変性シリコーン樹脂と熱硬化剤の合計100重量部に対して0.1〜10重量部配合してなる前記(4)に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【0009】
(5)前記(1)〜(4)のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化方法であって、前記の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を100〜250℃に加熱することによる硬化方法。
【0010】
(6)前記(1)〜(4)のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化し、封止材として用いてなることを特徴とする光半導体装置。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について更に詳細に説明する。
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、A成分;エポキシ変性シリコーン樹脂と、B成分;前記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤とを、主成分として含有することを特徴とする。
【0012】
ここで本発明において用いる「光半導体封止用」とは、前記のように(特に透明性が求められる)、LED、受光素子、フォトトランジスタ、フォトダイオード、CCD等の光半導体の素子等に用いる封止材用を意味する。
【0013】
本発明に用いられるエポキシ変性シリコーンは、特に限定されるものではないが、硬化特性の観点からエポキシ当量が180〜2000g/当量の範囲であることが好ましく、特に好ましくは180〜500g/当量である。
【0014】
エポキシ基をシリコーン骨格に導入する方法については、種々の公知の方法を用いることができる。
例えば、(1)ハイドロシリル基を含有するシリコーンオイルに白金等の金属触媒下でアリル基を含有するグリシジル化合物、
(2)アリルグリシジルエーテルをヒドロシリル化反応させる方法、
(3)ビニル基を含有するシリコーンオイルを過酸により、エポキシ化する方法等を例示することができる。
具体的には、例えば、信越化学工業(株)社製、商品名KF−105、X−22−163A、X−22−163B、X−22−163C、KF−1001、KF−101、X−22−2000、X−22−169AS、X−22−169B、KF−102等が挙げられ、さらに東芝シリコーン(株)社製、商品名UV−9300、TSL9906、TSF4730、さらに、日本ユニカー(株)社製、商品名、L−9300、FZ−3720、FZ−3736等が挙げられる。
【0015】
化学式としては、例えば、下記式(2)
【0016】
【化2】

Figure 2004292706
【0017】
[(式中のR及びRはそれぞれ水素原子または炭素数1〜16の有機基であり、少なくとも1つ以上が式(3)〜(5)で表されるエポキシ基である。また、m、nは0以上の整数である。)
【0018】
【化3】
Figure 2004292706
【0019】
(Rは炭素数13以下の有機基である。)
【0020】
【化4】
Figure 2004292706
【0021】
(Rは炭素数12以下の有機基である。)
【0022】
【化5】
Figure 2004292706
【0023】
(Rは炭素数10以下の有機基である。)]で示される。
【0024】
他の物性としては、例えば、粘度100〜20000mm/s、比重0.95〜1.08、屈折率1.40〜1.48が挙げられる。
これらのエポキシ変性シリコーン樹脂は、単独で使用してもよいし、あるいは2種類以上を適宜混合して使用することもできる。
【0025】
本発明で使用される式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤は、分子内にカルボキシル基を2個以上含有する多価カルボン酸とビニルエーテル化合物とを付加反応させることにより得られる化合物である。
本発明に使用される式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤に使用される原料としての、多価カルボン酸としては、例えば、コハク酸、アジピン酸、1,2,3,4,−ブタンテトラカルボン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカメチレンジカルボン酸などの脂肪族ポリカルボン酸;フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸などの芳香族ポリカルボン酸;テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、シクロヘキサントリカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸などの脂環式ポリカルボン酸;及び、一分子内にカルボキシル基を2個以上有するポリエステル樹脂、アクリル樹脂、マレイン化ポリブタジエンなどのポリマーカルボン酸等が挙げられる。
【0026】
さらに好ましくは耐候性の面から芳香環、炭素−炭素二重結合を含まないコハク酸、アジピン酸、1,2,3,4,−ブタンテトラカルボン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカメチレンジカルボン酸などの脂肪族ポリカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、シクロヘキサントリカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸などの脂環式ポリカルボン酸、一分子内にカルボキシル基を2個以上有するポリエステル樹脂、アクリル樹脂、カルボキシ変性シリコーン樹脂などが挙げられる。
【0027】
さらに、その他の多価カルボン酸としては、例えば、
(1)一分子当たりヒドロキシル基を2個以上有するポリオールと酸無水物とをハーフエステル化させてなる多価カルボン酸、
(2)一分子当たりイソシアネート基を2個以上有するポリイソシアネート化合物とヒドロキシカルボン酸またはアミノ酸とを付加させてなる多価カルボン酸、
(3)カルボキシル基含有α,β−不飽和単量体を単独重合または他のα,β−不飽和単量体と共重合させてなる多価カルボン酸、
(4)カルボキシル基末端を有するポリエステル樹脂を合成してなる多価カルボン酸、
などの各種多価カルボン酸が挙げられる。
【0028】
前記の(1)の原料の多価カルボン酸の原料として用いられる、ポリオールとしては例えば、エチレングリコール、1,2−及び1,3−プロパンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトールなどを用いることができ、さらに前記(1)の酸無水物としては例えば、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、フタル酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物などを用いることができる。
また、前記の(2)の多価カルボン酸の原料として用いられる、ポリイソシアネート化合物としては例えば、p−フェニレンジイソシアネート、ビフェニルジイソシアネートなどを用いることができ、また原料のヒドロキシカルボン酸としては例えば、クエン酸、ヒドロキシピバリン酸などを用いることができる。
【0029】
さらに、前記の(3)の多価カルボン酸の原料としては、カルボキシル基含有α,β−不飽和単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などを用いることができ、他のα,β−不飽和単量体としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレートなどを用いることができる。ここで(メタ)アクリレートは、アクリレートまたは/およびメタクリレートを意味する。
また、前記の(4)のカルボキシル基末端のポリエステル樹脂は、多価アルコールに対して多塩基酸過剰下での通常のポリエステル樹脂の合成方法に従い、容易に形成させることにより多価カルボン酸ができる。
【0030】
本発明に使用される式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤の製造に使用されるビニル(チオ)エーテル化合物は、下記式(6)で表される。
【0031】
【化6】
Figure 2004292706
【0032】
(式中のR10、R11及びR12はそれぞれ水素原子又は炭素数1〜18の有機基、R13は炭素数1〜18の有機基を示す。)
ここでビニル(チオ)エーテル化合物は、ビニルエーテル化合物または/およびビニルチオエーテル化合物を意味する。
【0033】
その具体例としては、例えば、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルなどが挙げられる。これらのビニルエーテルのなかでも、好ましくはイソプロピルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルなどが挙げられる。
【0034】
本発明に使用される式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤は、前記のカルボン酸と前記のビニル(チオ)エーテル化合物の少なくとも1種を、場合により用いられる酸触媒の存在下、好ましくは室温ないし200℃の温度で反応させることにより得られる。
前記のカルボン酸と前記ビニル(チオ)エーテル化合物を反応させる際の反応比は、当量比(前記カルボン酸基モル当量/前記ビニル(チオ)エーテル基モル当量)が通常1/0.5〜1/5であればよい。より好ましくは、当量比が1/0.7〜1/3である。この反応の反応温度は、通常室温ないし200℃の範囲の温度であればよく、好ましくは50〜150℃である。また、この反応の反応時間は反応進行状況に応じて適宜選定すればよいが、通常1〜100時間でよい。好ましくは、2時間〜20時間である
【0035】
この際、反応を促進させる目的で、酸触媒を使用することができる。そのような触媒としては、例えば、下記式(7)
【0036】
【化7】
Figure 2004292706
【0037】
(式中のR14は炭素数3〜10のアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基、mは1又は2である。)で表される酸性リン酸エステルが挙げられる。
より具体的には、n−プロパノール、n−ブタノール、n−ヘキサノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール等の第一級アルコール類、及びイソプロパノール、2−ブタノール、2−ヘキサノール、2−オクタノール、シクロヘキサノール等の第二級アルコール類のリン酸モノエステル類あるいはリン酸ジエステル類が挙げられる。
これらの酸触媒は、1種単独で、又は2種以上を組合せて用いることができる。
【0038】
前記の酸触媒の使用量は、特に制限ないが、カルボン酸とビニル(チオ)エーテルの合計量100重量部に対して、通常0.01〜5重量部が好ましく、特に0.1〜1重量部が好ましい。
【0039】
また、反応系を均一にし、反応を容易にする目的で有機溶媒も使用することができる。そのような有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、芳香族石油ナフサ、テトラリン、テレビン油、ソルベッソ#100(エクソン化学(株)製)、ソルベッソ#150(エクソン化学(株)製)等の芳香族炭化水素;ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸メトキシブチル等のエステル及びエーテルエステル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、メシチルオキサイド、メチルイソアミルケトン、エチルブチルケトン、エチルアミルケトン、ジイソブチルケトン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、ジイソプロピルケトン等のケトン類;トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート等のリン酸エステル類;ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
これらの有機溶媒は、1種単独で用いてもよいし、又は2種以上を組合せて用いることもできる。
また、これらの溶媒の配合量としては、特に限定されないが、カルボン酸とビニル(チオ)エーテルの合計重量100重量部に対して、5〜95重量部、より好ましくは20〜80重量部が挙げられる。
カルボン酸をビニル(チオ)エーテルで保護してなる官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤を合成する際に使用した前記有機溶剤は合成終了後に必要に応じて留去し、濃度を調節することができる。
【0040】
本発明におけるA成分のエポキシ変性シリコーン樹脂とB成分のカルボン酸をビニルエーテルで保護してなる官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤との配合比は、(ビニルエーテルで変性された酸のモル当量/エポキシ変性シリコーン樹脂のエポキシ基のモル当量)の比が、1/0.7〜1/1.2モル当量比が好ましく、更に好ましくは1/0.8〜1/1.1モル等量比である。この範囲を外れると、硬化反応が不十分となり硬化物の物性が低下するので好ましくない。
【0041】
本発明に使用されるC成分の硬化促進剤としては、例えば、ハロゲノカルボン酸類、スルホン酸類、硫酸モノエステル類、リン酸モノ及びジエステル類、ポリリン酸エステル類、ホウ酸モノ及びジエステル類などのプロトン酸、BF、FeCl、SnCl、AlCl、ZnCl、オクチル酸亜鉛等の有機酸金属塩類などのルイス酸等を挙げることができる。
これらC成分の硬化促進剤の使用量は、A成分のエポキシ変性シリコーン樹脂とB成分の硬化剤の合計量100重量部に対して、0.1〜10重量部、好ましくは 0.5〜5重量部である。
これらC成分の硬化促進剤の使用量が、0.1重量部より少ないと硬化不良を引き起こし、10重量部より多いと硬化物の着色が著しくなる。
【0042】
また、封止材として使用する場合には、前記のエポキシ樹脂組成物を、熱硬化することにより硬化することができる。
その際には、前記の組成物をオーバーコート、デイップコート等により塗布し硬化させたり、容器内にエポキシ樹脂組成物を入れてその中に、素子をデイップしてそのまま硬化させたりする方法等により本発明の光半導体素子の封止材とすることができる。
【0043】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に応じて本発明の効果を損なわない範囲で、カップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、赤外線吸収剤、変性剤、充填剤等の従来公知の添加剤を用いることができる。
【0044】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
表1に示すように、エポキシ変性シリコーン樹脂として、KF−101{粘度1500mm/s、エポキシ当量350g/当量(信越化学工業(株)製)}73重量部、硬化剤としてコハク酸をn−プロピルビニルエーテルにより保護してなる熱硬化剤(SA―nPr)27重量部(エポキシ樹脂組成物を酸のモル当量/エポキシのモル当量の比が0.9)および硬化促進剤としてオクチル酸亜鉛2重量部を容器にとり、50℃でかき混ぜながら均一に溶解させてエポキシ樹脂組成物を調製した。そのエポキシ樹脂組成物を用いて、下記に示す試験法に合わせた形状に成形し、150℃で3時間硬化させることにより硬化物を得た。
【0045】
実施例2〜9、比較例1〜6
実施例1と同様にして、実施例2〜9および比較例1〜6に使用されるエポキシ樹脂組成物を酸/エポキシの等量比が0.9となるように表1および2に示す組成に従って、各原料を配合し、均一に溶解させることにより調製した。実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を下記に示す試験法に合わせた形状に成形し、150℃で3時間硬化させることにより硬化物を得た。
なお表1および2中の商品名および略号は以下の通りである。
【0046】
1.<A成分のエポキシ変性シリコーン樹脂>
以下のエポキシ変性シリコーン樹脂を実施例及び比較例にて使用する
KF−101:粘度1500mm/s、エポキシ当量350g/当量(信越化学工業(株)製)
TF−4:粘度200mm/s、エポキシ当量190g/当量(開発品)
2.<B成分またはその他の熱硬化剤>
SA−nPr:コハク酸をn−プロピルビニルエーテルにより保護してなる熱硬化剤、
CHTA−nPr:シクロヘキサントリカルボン酸をn−プロピルビニルエーテルにより保護してなる熱硬化剤、
HHW−iPr:ヘキサヒドロフタル酸をi−プロピルビニルエーテルにより保護してなる熱硬化剤、
Me−HHPA:メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)社製、商品名リカシッドMH−700)、
PMDA:無水ピロメリット酸(三菱ガス化学(株)社製)、
3.<C成分およびその他の硬化触媒>
ZnOct:オクチル酸亜鉛(日本化学産業社製)、
2E4MZ:2−エチル−4−メチルイミダゾール(四国化成(株)社製、商品名、キュアゾール2E4MZ)。
【0047】
実施例、比較例における試験法を下記に示す。
(1)耐プレッシャークッカ性試験
上記エポキシ樹脂組成物で封止した評価用IC(外形寸法:20×6.3×2.3mm、ピン数16)をプレッシャークッカ試験(PCT、121℃/100%)を行った後、導通試験を行い断線したものを不良品とした。導通試験は200時間毎に行い、サンプル全体の内10%(20個のサンプルの内2個)が不良品となった時間を試験結果とした。
【0048】
(2)高温高湿試験
上記エポキシ樹脂組成物で封止した評価用IC(外形寸法:20×6.3×2.3mm、ピン数16)を高温高湿試験(85℃/85%)を行った後、導通試験を行い断線したものを不良品とした。導通試験は200時間毎に行い、サンプル全体の内10%(20個のサンプルの内2個)が不良品となった時間を試験結果とした。
(3)耐熱衝撃信頼性試験
上記エポキシ樹脂組成物で封止した評価用IC(外形寸法:20×6.3×2.3mm、ピン数16)をヒートサイクル試験(−40℃〜125℃、各30分)を行った後、導通試験を行い断線したものを不良品とした。導通試験は50サイクル毎に行い、サンプル全体の内10%(20個のサンプルの内2個)が不良品となった回数を試験結果とした。
(4)光線透過率
分光光度計(株式会社島津製作所製UV−2200)を用い、厚さ1mmの成型品について波長600nmにおける光線透過率(%)を測定した。
(5)硬化残膜率
組成物1gを精秤して硬化の前後の重量変化から硬化残膜率(%)を算出した。
(6)貯蔵安定性
25℃に貯蔵した組成物を、25℃のE型粘度計で粘度を測定し、粘度が初期粘度の2倍になるまでの日数を計測した。
【0049】
【表1】
Figure 2004292706
【0050】
表1の試験結果から実施例1〜6は、比較例1〜4と比較して、樹脂組成物は貯蔵安定性に優れ、硬化した樹脂は、透過率(透明性)、耐プレッシャークッカ性、耐高温高湿性(耐湿性)、耐熱衝撃信頼性に優れ、透明性に優れ、硬化の前後において重量変化が少ないことから組成の変化が小さいことがわかる。
【0051】
実施例7〜12、
表1に示した実施例1〜6と同様にして、各原料を配合して均一に溶解してエポキシ樹脂組成物を得た。それを封止材用の容器にとり、電極、LED素子、リードフレームからなる素子をディップして、150℃、3時間の条件で熱硬化させて、図1に示したように光半導体装置を作成した。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、貯蔵安定性に優れる。この光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を光半導体素子の封止材として用いることにより、硬化の前工程である真空脱泡時には揮発したりする組成の変化がなく、透明性、耐熱性、耐湿性に優れた光半導体装置を得ることができる。そのため、電子部品材料や光半導体素子の封止材料として有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の樹脂組成物を封止材として用いた半導体の装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
1.封止材
2.LED素子
3.電極
4.リードフレーム
10.半導体の装置[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an epoxy resin composition used for sealing an optical semiconductor element such as an LED, a phototransistor, a photodiode, and a CCD, and an optical semiconductor device sealed using the epoxy resin.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a sealing material, an epoxy resin having a low curing shrinkage used for a liquid crystal or the like and an epoxy resin excellent in transparency represented by an optical semiconductor sealing material such as an LED are exemplified.
As resin sealing materials for optical semiconductors such as LEDs and light receiving elements, epoxy resin compositions are often used because of their excellent transparency, adhesion, electrical insulation, heat resistance and the like. Examples of the curing agent for the epoxy resin include an acid anhydride-based curing agent, an amine-based curing agent, a phenol-based curing agent, and an imidazole-based curing agent. However, acid anhydrides are frequently used from the viewpoint of transparency and moldability as described above.
However, when using an acid anhydride as a curing agent,
(1) Because of the high reactivity with the epoxy resin, gelation occurs during storage, so that the pot life becomes short and its stability becomes a problem.
(2) In the curing process, a hydroxyl group is generated by a reaction between an epoxy group and a carboxyl group, so that moisture resistance is insufficient.
(3) The acid anhydride evaporates in a vacuum defoaming step which is a step before curing, and it is difficult to keep the composition ratio of the epoxy resin composition constant.
There were also problems such as.
[0003]
For example, as sealing epoxy resins, JP-A-2000-63635 (Patent Document 1), JP-A-10-158474 (Patent Document 2), JP-A-09-208865 (Patent Document 3), Japanese Unexamined Patent Publication No. 08-41168 is disclosed.
JP-A-2000-63635 (Patent Document 1), JP-A-10-158474 (Patent Document 2), and JP-A-09-208865 (Patent Document 3) disclose an epoxy resin, a curing agent, and a curing accelerator. And an epoxy resin composition using a polyoxyethylene-based activator. However, the epoxy resin component is a phenol novolac type epoxy resin or an orthocresol novolac type epoxy resin having a structure containing no silicone group, and has problems such as poor water resistance and flexibility.
On the other hand, JP-A-08-41168 (Patent Document 4) discloses a liquid epoxy resin composition containing an epoxy-modified silicone resin, a phenolic curing agent, a curing accelerator, and a filler. The object of this technique is to use epoxy as a composition having a low viscosity, good handleability, suitable for forming a resin sealing layer by spots, and giving a cured product excellent in low stress without bleeding. This is a composition containing an epoxy-modified silicone resin having an equivalent weight of 260 or less and cannot be used for applications requiring transparency. However, even if the composition does not include a filler, this technique can be used only for those having a limited epoxy equivalent or viscosity of the epoxy-modified silicone resin, and particularly for high-viscosity epoxy-modified silicone resin. Could not be used and had a limited range of use. Furthermore, since the cross-linking reaction is poor in compatibility between the polymers and the reaction rate is low, the obtained cured resin is uneven and brittle and cannot be said to be excellent. Even when no filler is used, the resulting cured resin is often non-uniform due to poor compatibility and low reaction rate.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in consideration of the problems in the background described above.
A first object of the present invention is to provide an epoxy resin for an optical semiconductor encapsulation which is excellent in compatibility and storage stability of a resin composition, does not change its composition ratio during curing, and has excellent curability and transparency after curing. It is to provide a composition.
A second object of the present invention is to provide a curing method using the epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor.
A third object of the present invention is to provide an optical semiconductor device using the epoxy resin composition as a sealing agent and having excellent transparency, heat resistance, and moisture resistance.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies in view of the above problems, and as a result, when used in combination with an epoxy-modified silicone resin and a thermosetting agent obtained by modifying a specific carboxylic acid with vinyl ether, excellent storage stability and the like, The inventor has found that a composition which becomes an epoxy resin having excellent physical properties after curing can be obtained, thereby completing the present invention. That is, the present invention includes the following (1) to (6).
(1) Optical semiconductor encapsulation containing, as main components, A component: an epoxy-modified silicone resin, and B component; a thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in one molecule. Epoxy resin composition for use.
[0006]
(2) A component; an epoxy-modified silicone resin, B component; a thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in one molecule; and C component; a curing accelerator. Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation.
[0007]
(3) The epoxy-modified silicone resin of the component A is a resin having an epoxy equivalent of 180 to 2000 g / equivalent,
Examples of the thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in the component B include succinic acid, adipic acid, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid, and azelaic acid. Selected from the group consisting of aliphatic polycarboxylic acids such as sebacic acid and decamethylene dicarboxylic acid, and alicyclic polycarboxylic acids such as hexahydrophthalic acid, methylhexahydrophthalic acid, cyclohexanetricarboxylic acid and cyclohexanetetracarboxylic acid. One or more types,
1 selected from the group consisting of isopropyl vinyl ether, n-propyl vinyl ether, n-butyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, tert-butyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, and a vinyl (thio) ether composed of a thioether corresponding to the above vinyl ether; The optical semiconductor according to claim 1, wherein the optical semiconductor is a thermosetting agent which is a reaction product obtained by performing an addition reaction with a seed or two or more types, and wherein the curing accelerator of the C component is a protonic acid and / or a Lewis acid. Epoxy resin composition for sealing.
[0008]
(4) 100 parts by weight of the epoxy-modified silicone resin of the component A,
A thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in the molecule of the component B is used as a component (1) of a block carboxylic acid (a latent acid) obtained by reacting a curing agent acid with vinyl (thio) ether. ) The ratio of (equivalent) / (epoxy equivalent of the epoxy-modified silicone resin) is 0.7 to 1.2, and the curing accelerator of the component C is a total of 100 weight of the epoxy-modified silicone resin and the thermosetting agent. The epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to the above (4), wherein the epoxy resin composition is contained in an amount of 0.1 to 10 parts by weight per part.
[0009]
(5) The method for curing an epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to any one of (1) to (4), wherein the epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation is heated to 100 to 250 ° C. Curing method by heating.
[0010]
(6) An optical semiconductor device, wherein the epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to any one of (1) to (4) is cured and used as a sealing material.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor of the present invention comprises: an A component; an epoxy-modified silicone resin; and a B component; a thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in one molecule. Is contained as a main component.
[0012]
The term "for optical semiconductor encapsulation" used in the present invention is used for an optical semiconductor element such as an LED, a light receiving element, a phototransistor, a photodiode, and a CCD as described above (particularly, transparency is required). It means for sealing material.
[0013]
The epoxy-modified silicone used in the present invention is not particularly limited, but from the viewpoint of curing properties, the epoxy equivalent is preferably in the range of 180 to 2000 g / equivalent, and particularly preferably 180 to 500 g / equivalent. .
[0014]
Various known methods can be used for introducing an epoxy group into the silicone skeleton.
For example, (1) a glycidyl compound containing an allyl group in a silicone oil containing a hydrosilyl group under a metal catalyst such as platinum,
(2) a method of subjecting an allyl glycidyl ether to a hydrosilylation reaction,
(3) A method of epoxidizing a silicone oil containing a vinyl group with a peracid can be exemplified.
Specifically, for example, KF-105, X-22-163A, X-22-163B, X-22-163C, KF-1001, KF-101, K-101, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 22-2000, X-22-169AS, X-22-169B, KF-102, and the like. Further, trade names UV-9300, TSL9906, TSF4730, manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd., and Nippon Unicar Co., Ltd. Company name, L-9300, FZ-3720, FZ-3736 and the like.
[0015]
As the chemical formula, for example, the following formula (2)
[0016]
Embedded image
Figure 2004292706
[0017]
[(R 5 and R 6 in the formula are each a hydrogen atom or an organic group having 1 to 16 carbon atoms, and at least one is an epoxy group represented by the formulas (3) to (5). m and n are integers of 0 or more.)
[0018]
Embedded image
Figure 2004292706
[0019]
(R 7 is an organic group having 13 or less carbon atoms.)
[0020]
Embedded image
Figure 2004292706
[0021]
(R 8 is an organic group having 12 or less carbon atoms.)
[0022]
Embedded image
Figure 2004292706
[0023]
(R 8 is an organic group having 10 or less carbon atoms.)].
[0024]
Other physical properties include, for example, a viscosity of 100 to 20000 mm 2 / s, a specific gravity of 0.95 to 1.08, and a refractive index of 1.40 to 1.48.
These epoxy-modified silicone resins may be used alone or as a mixture of two or more.
[0025]
The thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in one molecule used in the present invention comprises a polycarboxylic acid having two or more carboxyl groups in a molecule and a vinyl ether compound. A compound obtained by an addition reaction.
Examples of the polyvalent carboxylic acid as a raw material used in the thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in one molecule used in the present invention include succinic acid and adipic acid , 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid, azelaic acid, sebacic acid, decamethylenedicarboxylic acid and other aliphatic polycarboxylic acids; phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, etc. Aromatic polycarboxylic acids such as tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, methylhexahydrophthalic acid, cyclohexanetricarboxylic acid, and cyclohexanetetracarboxylic acid; and two carboxyl groups in one molecule Polyester resins having the above, acrylic resins, polymer carboxylic acids such as maleated polybutadiene and the like It is.
[0026]
More preferably, succinic acid, adipic acid, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid, azelaic acid, sebacic acid, decamethylenedicarboxylic acid containing no aromatic ring or carbon-carbon double bond from the viewpoint of weather resistance Aliphatic polycarboxylic acids such as aliphatic polycarboxylic acids, hexahydrophthalic acid, methylhexahydrophthalic acid, cyclohexanetricarboxylic acid and cyclohexanetetracarboxylic acid, polyester resins having two or more carboxyl groups in one molecule, An acrylic resin, a carboxy-modified silicone resin and the like can be mentioned.
[0027]
Further, as other polycarboxylic acids, for example,
(1) a polycarboxylic acid obtained by half-esterifying a polyol having two or more hydroxyl groups per molecule and an acid anhydride,
(2) a polyvalent carboxylic acid obtained by adding a polyisocyanate compound having two or more isocyanate groups per molecule to a hydroxycarboxylic acid or an amino acid;
(3) a polyvalent carboxylic acid obtained by homopolymerizing a carboxyl group-containing α, β-unsaturated monomer or copolymerizing it with another α, β-unsaturated monomer;
(4) a polyvalent carboxylic acid obtained by synthesizing a polyester resin having a carboxyl group terminal,
And various polycarboxylic acids.
[0028]
As the polyol used as a raw material of the polyvalent carboxylic acid as the raw material of (1), for example, ethylene glycol, 1,2- and 1,3-propanediol, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol and the like are used. Examples of the acid anhydride of the above (1) include succinic anhydride, glutaric anhydride, adipic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride. And methylhexahydrophthalic anhydride.
Examples of the polyisocyanate compound used as the raw material of the polyvalent carboxylic acid (2) include p-phenylene diisocyanate and biphenyl diisocyanate. Examples of the raw material hydroxycarboxylic acid include citric acid Acid, hydroxypivalic acid and the like can be used.
[0029]
Further, as the raw material of the polycarboxylic acid of the above (3), as the carboxyl group-containing α, β-unsaturated monomer, for example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid and the like can be used. As the α, β-unsaturated monomer, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate and the like can be used. Here, (meth) acrylate means acrylate and / or methacrylate.
The carboxyl group-terminated polyester resin (4) can be easily formed to form a polycarboxylic acid according to a general method for synthesizing a polyester resin in a polybasic acid excess with respect to a polyhydric alcohol. .
[0030]
The vinyl (thio) ether compound used in the production of the thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in one molecule used in the present invention is represented by the following formula (6). You.
[0031]
Embedded image
Figure 2004292706
[0032]
(In the formula, R 10 , R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom or an organic group having 1 to 18 carbon atoms, and R 13 represents an organic group having 1 to 18 carbon atoms.)
Here, the vinyl (thio) ether compound means a vinyl ether compound and / or a vinyl thioether compound.
[0033]
Specific examples thereof include methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, n-propyl vinyl ether, n-butyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, tert-butyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, and cyclohexyl vinyl ether. Among these vinyl ethers, preferably, isopropyl vinyl ether, n-propyl vinyl ether, n-butyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, tert-butyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether and the like are mentioned.
[0034]
The thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in one molecule, which is used in the present invention, comprises at least one of the carboxylic acid and the vinyl (thio) ether compound described above. And preferably at room temperature to 200 ° C. in the presence of an acid catalyst used in the above.
The reaction ratio at the time of reacting the carboxylic acid with the vinyl (thio) ether compound is such that the equivalent ratio (the molar equivalent of the carboxylic acid group / the molar equivalent of the vinyl (thio) ether group) is usually 1 / 0.5 to 1 / 5. More preferably, the equivalent ratio is 1 / 0.7 to 1/3. The reaction temperature of this reaction may be generally in the range of room temperature to 200 ° C, and preferably 50 to 150 ° C. The reaction time of this reaction may be appropriately selected according to the progress of the reaction, and is usually 1 to 100 hours. Preferably, it is 2 hours to 20 hours.
At this time, an acid catalyst can be used for the purpose of accelerating the reaction. As such a catalyst, for example, the following formula (7)
[0036]
Embedded image
Figure 2004292706
[0037]
(Wherein R 14 is an alkyl group having 3 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group or an aryl group, and m is 1 or 2).
More specifically, primary alcohols such as n-propanol, n-butanol, n-hexanol, n-octanol, 2-ethylhexanol, and isopropanol, 2-butanol, 2-hexanol, 2-octanol, cycloalkyl Phosphoric acid monoesters or phosphoric acid diesters of secondary alcohols such as hexanol are exemplified.
These acid catalysts can be used alone or in combination of two or more.
[0038]
The amount of the acid catalyst is not particularly limited, but is usually preferably 0.01 to 5 parts by weight, and particularly preferably 0.1 to 1 part by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the carboxylic acid and vinyl (thio) ether. Parts are preferred.
[0039]
Further, an organic solvent can be used for the purpose of making the reaction system uniform and facilitating the reaction. Examples of such an organic solvent include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, aromatic petroleum naphtha, tetralin, turpentine, Solvesso # 100 (manufactured by Exxon Chemical Co., Ltd.) and Solvesso # 150 (manufactured by Exxon Chemical Co., Ltd.) Aromatic hydrocarbons such as dioxane, tetrahydrofuran, etc .; methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, sec-butyl acetate, amyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate , Methoxybutyl acetate and other esters and ether esters; acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone, isophorone, mesityl oxide, methyl isoamyl ketone, ethyl butyl ketone Ethyl amyl ketone, diisobutyl ketone, diethyl ketone, methyl propyl ketone and diisopropyl ketone; trimethyl phosphate, triethyl phosphate, phosphoric acid esters such as tributyl phosphate; dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide and the like.
These organic solvents may be used alone or in a combination of two or more.
The amount of these solvents is not particularly limited, but is preferably 5 to 95 parts by weight, more preferably 20 to 80 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total weight of carboxylic acid and vinyl (thio) ether. Can be
The organic solvent used in synthesizing the thermosetting agent having two or more functional groups in one molecule in which a carboxylic acid is protected by vinyl (thio) ether is distilled off as necessary after completion of the synthesis. Can be adjusted.
[0040]
In the present invention, the compounding ratio of the epoxy-modified silicone resin of the component A and the thermosetting agent having two or more functional groups in one molecule obtained by protecting the carboxylic acid of the component B with vinyl ether is as follows. Of the epoxy group of the epoxy-modified silicone resin) is preferably 1 / 0.7 to 1 / 1.2, more preferably 1 / 0.8 to 1 / 1.1. It is a molar equivalent ratio. Outside of this range, the curing reaction becomes insufficient and the physical properties of the cured product deteriorate, which is not preferable.
[0041]
Examples of the curing accelerator of the component C used in the present invention include protons such as halogenocarboxylic acids, sulfonic acids, sulfuric acid monoesters, phosphoric acid mono- and diesters, polyphosphate esters, boric acid mono- and diesters. Examples thereof include acids, Lewis acids such as BF 3 , FeCl 3 , SnCl 4 , AlCl 3 , ZnCl 2 , and metal salts of organic acids such as zinc octylate.
The amount of the component C curing accelerator used is 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.5 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the epoxy-modified silicone resin of the component A and the curing agent of the component B. Parts by weight.
If the amount of the component C curing accelerator is less than 0.1 part by weight, poor curing is caused, and if it is more than 10 parts by weight, coloring of the cured product becomes remarkable.
[0042]
When used as a sealing material, the epoxy resin composition can be cured by heat curing.
In that case, the above composition is applied and cured by overcoating, dip coating, or the like, or a method of putting an epoxy resin composition in a container, dipping the element therein, and curing as it is, or the like. It can be used as a sealing material for the optical semiconductor element of the present invention.
[0043]
Further, the epoxy resin composition of the present invention, as long as the effects of the present invention are not impaired as necessary, a coupling agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a visible light absorber, an infrared absorber, a modifier, Conventionally known additives such as fillers can be used.
[0044]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
Example 1
As shown in Table 1, as the epoxy-modified silicone resin, KF-101 (viscosity 1500 mm 2 / s, epoxy equivalent 350 g / equivalent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)) 73 parts by weight, and succinic acid as a curing agent n- 27 parts by weight of a thermosetting agent (SA-nPr) protected by propyl vinyl ether (the epoxy resin composition has a molar ratio of acid equivalents / epoxy equivalents of 0.9) and 2 parts by weight of zinc octylate as a curing accelerator The portion was placed in a container and uniformly dissolved at 50 ° C. while stirring to prepare an epoxy resin composition. The epoxy resin composition was molded into a shape conforming to the test method described below, and cured at 150 ° C. for 3 hours to obtain a cured product.
[0045]
Examples 2 to 9, Comparative Examples 1 to 6
In the same manner as in Example 1, the epoxy resin compositions used in Examples 2 to 9 and Comparative Examples 1 to 6 have the compositions shown in Tables 1 and 2 such that the equivalent ratio of acid / epoxy becomes 0.9. Were prepared by blending and uniformly dissolving each raw material according to In the same manner as in Example 1, the epoxy resin composition was molded into a shape conforming to the test method described below, and cured at 150 ° C. for 3 hours to obtain a cured product.
The product names and abbreviations in Tables 1 and 2 are as follows.
[0046]
1. <Epoxy-modified silicone resin of component A>
KF-101 using the following epoxy-modified silicone resin in Examples and Comparative Examples: viscosity 1500 mm 2 / s, epoxy equivalent 350 g / equivalent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
TF-4: viscosity 200 mm 2 / s, epoxy equivalent 190 g / equivalent (development product)
2. <B component or other thermosetting agent>
SA-nPr: a thermosetting agent obtained by protecting succinic acid with n-propyl vinyl ether;
CHTA-nPr: a thermosetting agent obtained by protecting cyclohexanetricarboxylic acid with n-propyl vinyl ether;
HHW-iPr: a thermosetting agent obtained by protecting hexahydrophthalic acid with i-propyl vinyl ether;
Me-HHPA: methylhexahydrophthalic anhydride (manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd., trade name: RIKACID MH-700),
PMDA: pyromellitic anhydride (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.),
3. <C component and other curing catalysts>
ZnOct: zinc octylate (manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.),
2E4MZ: 2-ethyl-4-methylimidazole (trade name, Curesol 2E4MZ, manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.).
[0047]
Test methods in Examples and Comparative Examples are shown below.
(1) Pressure Cooker Resistance Test A pressure cooker test (PCT, 121 ° C./100%) was performed on an evaluation IC (outer dimensions: 20 × 6.3 × 2.3 mm, 16 pins) sealed with the epoxy resin composition. ), A continuity test was performed, and the broken wire was determined to be defective. The continuity test was performed every 200 hours, and the time when 10% (2 out of 20 samples) of all the samples became defective was determined as the test result.
[0048]
(2) High-temperature and high-humidity test A high-temperature and high-humidity test (85 ° C./85%) of an evaluation IC (outer dimensions: 20 × 6.3 × 2.3 mm, 16 pins) sealed with the epoxy resin composition was performed. After performing the test, a continuity test was performed, and a broken product was determined as a defective product. The continuity test was performed every 200 hours, and the time when 10% (2 out of 20 samples) of all the samples became defective was determined as the test result.
(3) Thermal shock reliability test A heat cycle test (−40 ° C. to 125 ° C.) was performed on an evaluation IC (outer dimensions: 20 × 6.3 × 2.3 mm, 16 pins) sealed with the epoxy resin composition. (30 minutes each), a continuity test was performed, and the broken wire was regarded as a defective product. The continuity test was performed every 50 cycles, and the number of times that 10% (2 out of 20 samples) of all samples became defective was determined as a test result.
(4) Light transmittance (%) The light transmittance (%) at a wavelength of 600 nm was measured for a molded product having a thickness of 1 mm using a light transmittance spectrophotometer (UV-2200 manufactured by Shimadzu Corporation).
(5) Residual cured film ratio 1 g of the composition was precisely weighed, and the residual cured film ratio (%) was calculated from the weight change before and after curing.
(6) Storage stability The viscosity of the composition stored at 25 ° C was measured with an E-type viscometer at 25 ° C, and the number of days until the viscosity became twice the initial viscosity was measured.
[0049]
[Table 1]
Figure 2004292706
[0050]
From the test results in Table 1, in Examples 1 to 6, the resin compositions are superior in storage stability as compared with Comparative Examples 1 to 4, and the cured resin has transmittance (transparency), resistance to pressure cooker, Excellent in high temperature and high humidity resistance (moisture resistance), excellent in thermal shock reliability, excellent in transparency, and small in weight change before and after curing, indicating that the change in composition is small.
[0051]
Examples 7 to 12,
In the same manner as in Examples 1 to 6 shown in Table 1, the respective raw materials were blended and uniformly dissolved to obtain an epoxy resin composition. Put it in a container for a sealing material, dip the elements consisting of electrodes, LED elements, and lead frames, and heat cure at 150 ° C. for 3 hours to create an optical semiconductor device as shown in FIG. did.
[0052]
【The invention's effect】
As described above, the epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation of the present invention has excellent storage stability. By using the epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor as an encapsulant for an optical semiconductor element, there is no change in the composition that volatilizes during vacuum defoaming, which is a pre-curing step, and transparency, heat resistance and moisture resistance An optical semiconductor device having excellent properties can be obtained. Therefore, it is useful as a sealing material for electronic component materials and optical semiconductor elements.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing an example of a semiconductor device using a resin composition of the present invention as a sealing material.
[Explanation of symbols]
1. 1. sealing material LED element3. Electrode4. Lead frame 10. Semiconductor equipment

Claims (6)

A成分;エポキシ変性シリコーン樹脂と、B成分;下記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤とを、主成分として含有する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Figure 2004292706
(式中のR、RおよびRはそれぞれ水素原子または炭素数1〜18の炭化水素基であり、Rは炭素数1〜18の炭化水素基であって、Yは酸素原子またはイオウ原子である。)
Component A: an epoxy-modified silicone resin and component B: an epoxy resin for optical semiconductor encapsulation containing, as main components, a thermosetting agent having two or more functional groups represented by the following formula (1) in one molecule. Composition.
Figure 2004292706
(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are each a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, R 4 is a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and Y is an oxygen atom or It is a sulfur atom.)
A成分;エポキシ変性シリコーン樹脂と、B成分;前記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤と、さらにC成分;硬化促進剤を含有する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。A component; an epoxy-modified silicone resin; B component; a thermosetting agent having two or more functional groups represented by the above formula (1) in one molecule; and C component; an optical semiconductor seal containing a curing accelerator. An epoxy resin composition for stopping. A成分のエポキシ変性シリコーン樹脂が、エポキシ当量180〜2000g/当量の樹脂であり、
B成分の前記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤が、コハク酸、アジピン酸、1,2,3,4,−ブタンテトラカルボン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカメチレンジカルボン酸などの脂肪族ポリカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、シクロヘキサントリカルボン酸およびシクロヘキサンテトラカルボン酸などの脂環式ポリカルボン酸からなる酸群より選択される1種または2種以上と、
イソプロピルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルおよび前記のビニルエーテルに対応するチオエーテルからなるビニル(チオ)エーテル群より選択される1種または2種以上とを付加反応させて得られる反応物である熱硬化剤であり、
さらにC成分の硬化促進剤が、プロトン酸および/またはルイス酸である請求項1または2記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
The epoxy-modified silicone resin of the component A is a resin having an epoxy equivalent of 180 to 2000 g / equivalent,
Examples of the thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in the component B include succinic acid, adipic acid, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid, and azelaic acid. Selected from the group consisting of aliphatic polycarboxylic acids such as sebacic acid and decamethylene dicarboxylic acid, and alicyclic polycarboxylic acids such as hexahydrophthalic acid, methylhexahydrophthalic acid, cyclohexanetricarboxylic acid and cyclohexanetetracarboxylic acid. One or more types,
One kind selected from the group consisting of isopropyl vinyl ether, n-propyl vinyl ether, n-butyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, tert-butyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether and a thioether corresponding to the above vinyl ether; Or a thermosetting agent that is a reaction product obtained by addition reaction with two or more kinds,
3. The epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the curing accelerator of the component C is a protonic acid and / or a Lewis acid.
A成分のエポキシ変性シリコーン樹脂、100重量部に対して、
B成分の前記式(1)で表される官能基を一分子内に2個以上有する熱硬化剤が、{硬化剤の酸とビニル(チオ)エーテルを反応させたブロックカルボン酸(潜在性酸)当量/前記のエポキシ変性シリコ−ン樹脂のエポキシ当量}の比が0.7〜1.2となるようにし、さらにC成分の硬化促進剤を、エポキシ変性シリコーン樹脂と熱硬化剤の合計100重量部に対して0.1〜10重量部を配合してなる請求項3に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
A component epoxy modified silicone resin, 100 parts by weight,
A thermosetting agent having two or more functional groups represented by the formula (1) in the molecule of the component B is used as a component (1) of a block carboxylic acid (a latent acid) obtained by reacting a curing agent acid with vinyl (thio) ether. ) The ratio of (equivalent) / (epoxy equivalent of the epoxy-modified silicone resin) is 0.7 to 1.2, and a curing accelerator of the component C is added to the total of 100 parts of the epoxy-modified silicone resin and the thermosetting agent. The epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein 0.1 to 10 parts by weight is blended with respect to part by weight.
請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化方法であって、前記の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を100〜250℃に加熱することによる硬化方法。It is a curing method of the epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 4, wherein the epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation is heated to 100 to 250 ° C. Curing method. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化し、封止材として用いてなることを特徴とする光半導体装置。An optical semiconductor device obtained by curing the epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to claim 1 and using the epoxy resin composition as an encapsulant.
JP2003089225A 2003-03-27 2003-03-27 Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device Pending JP2004292706A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003089225A JP2004292706A (en) 2003-03-27 2003-03-27 Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003089225A JP2004292706A (en) 2003-03-27 2003-03-27 Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004292706A true JP2004292706A (en) 2004-10-21

Family

ID=33403155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003089225A Pending JP2004292706A (en) 2003-03-27 2003-03-27 Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004292706A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006282988A (en) * 2005-03-08 2006-10-19 Sanyo Chem Ind Ltd Epoxy resin composition for sealing optical semiconductor element
JP2007131782A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Jsr Corp Thermosetting resin composition and its application
JP2007145939A (en) * 2005-11-25 2007-06-14 Toshiba Corp Resin composition and resin-sealed semiconductor device
KR20100133898A (en) * 2009-06-12 2010-12-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Resin composition for sealing optical semiconductor element
WO2011058962A1 (en) * 2009-11-10 2011-05-19 日本化薬株式会社 Epoxy resin composition
WO2011065044A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-03 日本化薬株式会社 Curable resin composition and cured product thereof
JP2011111584A (en) * 2009-11-30 2011-06-09 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin composition, and curable resin composition
WO2011155613A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 日本化薬株式会社 Curable resin composition and substance obtained by curing same
JP2012087249A (en) * 2010-10-21 2012-05-10 Nippon Kayaku Co Ltd Curable resin composition and cured product thereof
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006282988A (en) * 2005-03-08 2006-10-19 Sanyo Chem Ind Ltd Epoxy resin composition for sealing optical semiconductor element
JP2007131782A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Jsr Corp Thermosetting resin composition and its application
JP2007145939A (en) * 2005-11-25 2007-06-14 Toshiba Corp Resin composition and resin-sealed semiconductor device
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US11631790B2 (en) 2006-05-18 2023-04-18 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10971656B2 (en) 2006-05-18 2021-04-06 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10686102B2 (en) 2006-05-18 2020-06-16 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10263161B2 (en) 2006-05-18 2019-04-16 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US9929318B2 (en) 2006-05-18 2018-03-27 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US9634204B2 (en) 2006-05-18 2017-04-25 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
KR20100133898A (en) * 2009-06-12 2010-12-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Resin composition for sealing optical semiconductor element
KR101682717B1 (en) * 2009-06-12 2016-12-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Resin composition for sealing an optical semiconductor device
JP2011102337A (en) * 2009-11-10 2011-05-26 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin composition
WO2011058962A1 (en) * 2009-11-10 2011-05-19 日本化薬株式会社 Epoxy resin composition
JPWO2011065044A1 (en) * 2009-11-30 2013-04-11 日本化薬株式会社 Curable resin composition and cured product thereof
JP2011111584A (en) * 2009-11-30 2011-06-09 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin composition, and curable resin composition
WO2011065044A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-03 日本化薬株式会社 Curable resin composition and cured product thereof
JP5768047B2 (en) * 2010-06-11 2015-08-26 日本化薬株式会社 Curable resin composition and cured product thereof
CN102939315A (en) * 2010-06-11 2013-02-20 日本化药株式会社 Curable resin composition and substance obtained by curing same
WO2011155613A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 日本化薬株式会社 Curable resin composition and substance obtained by curing same
JP2012087249A (en) * 2010-10-21 2012-05-10 Nippon Kayaku Co Ltd Curable resin composition and cured product thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110499025B (en) Thermosetting maleimide resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
EP2141201B1 (en) Heat-curable silicone resin-epoxy resin composition, and premolded package molded from same
CN102782000B (en) Resin composition for sealing an optical semiconductor and optical semiconductor device using said resin composition
CN102791760A (en) Curable resin composition and cured article thereof
CN102939313B (en) Curable resin composition and cured article thereof
SG172173A1 (en) Carboxylic acid compound and epoxy resin composition containing same
CN104684960B (en) polycarboxylic acid resin and epoxy resin composition
KR20120115221A (en) Epoxy resin composition
JP2004292706A (en) Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device
CN104693419B (en) Epoxy curing agent, composition epoxy resin, its solidfied material and optical semiconductor device
JP2004155865A (en) Modified polysiloxane and curable resin composition using the same
CN110819068B (en) Thermosetting resin composition for semiconductor packaging and semiconductor device
JP5556671B2 (en) Curable composition, cured film, and semiconductor light emitting device
JP2004307545A (en) Epoxy resin composition and sealed semiconductor device
JP2020026464A (en) Thermosetting resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device
JP3941559B2 (en) Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device
JP5899025B2 (en) Curable epoxy resin composition
JP6082746B2 (en) Curable epoxy resin composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
TW201807072A (en) Silicon-containing curable composition and cured object obtained therefrom
CN103649216A (en) Resin composition for sealing optical semiconductor, and optical semiconductor device using same
JP2501143B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
KR101972411B1 (en) One-component type epoxy resin for sealing semiconductor
JPS583382B2 (en) Resin-encapsulated semiconductor device
JP6047294B2 (en) Curable epoxy resin composition
JP2002097344A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device