JP2004273512A

JP2004273512A - 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

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Publication number: JP2004273512A
Application number: JP2003058321A
Authority: JP
Inventors: Katsura Hirai; 桂平井; Hiroshi Kita; 弘志北; Kazuhiro Kudo; 一浩工藤; Masakazu Nakamura; 雅一中村
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2003-03-05
Filing date: 2003-03-05
Publication date: 2004-09-30

Abstract

【課題】キャリア移動度の高い有機半導体層の形成方法を提供し、それによる高性能な有機薄膜トランジスタの製造方法、該製造方法により製造された有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタの製造方法であって、支持体上にソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程、および支持体上に有機半導体材料を配置して有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程、を含むとともに、前記有機半導体層形成工程では、有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液の状態又は加熱により溶融した状態で、電界又は磁界を作用させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機薄膜トランジスタの製造方法、特に有機半導体層の形成方法に関し、該製造方法により製造した有機薄膜トランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報端末の普及に伴い、コンピュータ用のディスプレイとしてフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に対するニーズが高まっている。またさらに情報化の進展に伴い、従来紙媒体で提供されていた情報が電子化されて提供される機会が増え、薄くて軽い、手軽に持ち運びが可能なモバイル用表示媒体として、電子ペーパーあるいはデジタルペーパーへのニーズも高まりつつある。
【０００３】
一般にＦＰＤにおいては液晶、有機ＥＬ、電気泳動などを利用した素子を用いて表示媒体を形成している。またこうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度などを確保するために、画像駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成されたアクティブ駆動素子を用いる技術が主流になっている。
【０００４】
ここでＴＦＴ素子は、通常、ガラス基板上に、主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）などの半導体薄膜や、ソース、ドレイン、ゲート電極などの金属薄膜を基板上に順次形成していくことで製造される。このＴＦＴを用いるフラットパネルディスプレイの製造には通常、ＣＶＤ（化学蒸着）、スパッタリングなどの真空系設備や高温処理工程を要する薄膜形成工程に加え、精度の高いフォトリソグラフ工程が必要とされ、設備コスト、ランニングコストの負荷が非常に大きい。さらに、近年のディスプレイの大画面化のニーズに伴い、それらのコストは非常に膨大なものとなっている。
【０００５】
近年、従来のＴＦＴ素子のデメリットを補う技術として、有機半導体材料を用いた有機ＴＦＴの研究開発が盛んに進められている（特許文献１、非特許文献１等参照）。
【０００６】
この有機ＴＦＴは比較的低温プロセスで製造可能であるため、軽くて、割れにくい樹脂基板を用いることができ、さらに、樹脂フィルムを支持体として用いることによりフレキシブルなディスプレイが実現できると言われている。更に、大気圧下で、印刷や塗布などのウェットプロセスで製造できることになれば、生産性に優れ、非常に低コストのディスプレイが実現できることとなる。
【０００７】
前記文献中には、有機半導体の溶液を塗布し、溶媒のキャストにより有機半導体層を形成する技術が開示されているが、これにより形成された有機ＴＦＴはキャリア移動度が低いと言う問題があることが分かった。有機半導体分子の配向または結晶化の程度がキャリア移動度に寄与すると解釈されているが、キャストするだけでは十分なキャリア移動度を得ることはできていない。
【０００８】
また、有機半導体層に隣接して配向膜を設け、有機半導体材料の融点以上で熱処理することにより、有機半導体の配向性を高めキャリア移動度を向上させる技術が開示されている（特許文献２参照）が、これも未だ十分なものではない。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−１９０００１号公報
【００１０】
【特許文献２】
ＷＯ０１／４９６１７号公報
【００１１】
【非特許文献１】
ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌ誌２００２年第２号９９頁（レビュー）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、キャリア移動度の高い有機半導体層の形成方法を提供し、それによる高性能な有機薄膜トランジスタの製造方法、該製造方法により製造された有機薄膜トランジスタを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下の方法により達成することができた。
【００１４】
（１）有機薄膜トランジスタの製造方法であって、支持体上にソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程、および支持体上に有機半導体材料を配置して有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程、を含むとともに、前記有機半導体層形成工程では、有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液の状態又は加熱により溶融した状態で、電界又は磁界を作用させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１５】
（２）前記有機半導体層形成工程において、前記ソース電極およびドレイン電極間にバイアスを印加することにより、前記電界を作用させることを特徴とする（１）記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１６】
（３）前記有機半導体層形成工程は、更に、前記有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液を塗布する工程、および前記有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液中に電界又は磁界を作用させながら、前記塗布溶媒を乾燥させる工程、を含むことを特徴とする（１）又は（２）に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１７】
（４）前記有機半導体層形成工程では、前記有機半導体材料が加熱により溶融した状態で電界又は磁界を作用させるとともに、冷却することを特徴とする（１）に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１８】
（５）前記有機半導体層形成工程は、更に、前記有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液を塗布する工程、を含むとともに、前記塗布溶媒を乾燥させた後に前記有機半導体材料を加熱により溶融させることを特徴とする（４）に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１９】
（６）前記電極形成工程の後に、前記有機半導体層形成工程が行われることを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２０】
（７）前記（１）〜（６）の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法により製造されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【００２１】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の有機半導体層を形成する有機半導体材料としては、種々のπ共役系材料が用いられ、例えばポリピロール、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）などのポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどのポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなどのポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，３−置換アニリン）などのポリアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリアズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリピレン類、ポリカルバゾール、ポリ（Ｎ−置換カルバゾール）などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンなどのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ポリ（ｐ−フェニレン）などのポリ（ｐ−フェニレン）類、ポリインドールなどのポリインドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素の一部をＮ、Ｓ、Ｏなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体（トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノンなど）、ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平１１−１９５７９０に記載された多環縮合体などを用いることができる。
【００２２】
また、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するたとえばチオフェン６量体であるα−セクシチオフェンα，ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、α，ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α，ω−ビス（３−ブトキシプロピル）−α−セクシチオフェン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に用いることができる。
【００２３】
さらに銅フタロシアニンや特開平１１−２５１６０１に記載のフッ素置換銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニン類、ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドとともに、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）及びＮ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン２，３，６，７テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、及びアントラセン２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミドなどの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、Ｃ_６０、Ｃ_７０、Ｃ_７６、Ｃ_７８、Ｃ_８４等フラーレン類、ＳＷＮＴなどのカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素などがあげられる。
【００２４】
これらのπ共役系材料のうちでも、チオフェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニレン、ｐ−フェニレン、これらの置換体またはこれらの２種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数ｎが４〜１０であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数ｎが２０以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれた少なくとも１種が好ましい。
【００２５】
本発明においては、これらの有機半導体材料を用いた有機半導体層の作製法としては、有機半導体材料の溶液あるいは分散液を用いて、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、インクジェット法等による溶媒塗布法が好ましく、特にインクジェット法が簡便で好ましい方法である。
【００２６】
溶媒塗布時に用いられる溶媒としては、種々の溶媒を用いることができるが、特にジクロロメタン、クロロホルム、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン等の溶剤を用いることが好ましい。
【００２７】
有機半導体層を形成した後、加熱溶融して電界或いは磁界を作用させる場合は、有機半導体層の形成方法としては、上記溶媒塗布法に加えて、従来用いられてきた真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、プラズマ重合法、電解重合法、化学重合法、等の種々の方法を用いることができる。
【００２８】
電界を作用させる方法としては、静電界を印加することが好ましいが、半導体材料の種類や状態、例えば溶媒塗布や溶融等の条件、溶媒の種類、温度条件等により、掃引波形や周波数を変えた交流を印加してもよい。印加電圧も種々選択することができる。
【００２９】
磁界を作用させる方法においても、種々の条件を選択することが可能であり、電界の印加方法に準じて作用させることができる。
【００３０】
本発明の有機ＴＦＴにおいて、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯおよび炭素が好ましい。
【００３１】
本発明において、ソース電極、ドレイン電極として、導電性材料を含む、溶液、ペースト、インク、金属薄膜前駆体材料、液状分散物などを用いて作製した電極であることが好ましい。導電性材料としては、導電性ポリマーや金属微粒子などを好適に用いることができる。また、溶媒や分散媒体としては、有機半導体へのダメージを抑制するため、水を６０％以上、好ましくは９０％以上含有する溶媒または分散媒体であることが好ましい。
【００３２】
金属微粒子を含有する分散物としては、たとえば公知の導電性ペーストなどを用いても良いが、好ましくは、粒子径が１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜２０ｎｍの金属微粒子を含有する分散物である。
【００３３】
金属微粒子の材料としては白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができる。
【００３４】
これらの金属からなる微粒子を、主に有機材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤である分散媒中に分散した分散物を用いて電極を形成するのが好ましい。
【００３５】
このような金属微粒子の分散物の製造方法として、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法などの物理的生成法や、コロイド法、共沈法などの、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学的生成法が挙げられるが、好ましくは、特開平１１−７６８００号、同１１−８０６４７号、同１１−３１９５３８号、特開２０００−２３９８５３等に示されたコロイド法、特開２００１−２５４１８５、同２００１−５３０２８、同２００１−３５２５５、同２０００−１２４１５７、同２０００−１２３６３４などに記載されたガス中蒸発法により製造された金属微粒子の分散物である。これらの金属微粒子分散物を用いて電極を成形し、溶媒を乾燥させた後、必要に応じて１００〜３００℃、好ましくは１５０〜２００℃の範囲で形状様に加熱することにより、金属微粒子を熱融着させ、目的の形状を有する電極パターンを形成するものである。
【００３６】
さらに、ソース電極、ドレイン電極としては、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマーを用いることも好ましく、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。これによりソース電極またはドレイン電極と有機半導体との接触抵抗を低減することができる。
【００３７】
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、金属微粒子を含有する分散液等を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや金属微粒子を含有する導電性インク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【００３８】
本発明の有機薄膜トランジスタ素子のゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【００３９】
本発明において、支持体としてはガラス、シリコン、プラスチック等の基板材料を用いることができ、フレキシブルな有機ＴＦＴを得るためには、プラスチックフィルムシートを用いることが好ましい。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について説明する。
【００４１】
図１は、有機半導体層を有するトランジスタの構成要素を示す断面図である。Ｓｉウェハー１上にＳｉＯ_２の熱酸化膜２を形成し、その上にソース電極３、ドレイン電極４を形成し、ソース電極およびドレイン電極間および両電極に接して、溶媒に溶解した有機半導体材料をインクジェット等により、塗布し、塗布層を乾燥する間にソース、ドレイン電極間に電圧を印可して、電界或いは磁界を作用させて有機半導体層５を形成するものである。
【００４２】
更には、上記有機半導体層の形成過程では、電界、磁界を作用させずに乾燥し、その後形成された有機半導体層を加熱溶融し、徐冷する間に、ソース、ドレイン電極間に電圧を印可して電界或いは磁界を作用させ有機半導体層５を形成する方法も本発明のもう一つの好ましい態様である。
【００４３】
【実施例】
実施例１
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＳｉウェハーに厚さ２０００Åの熱酸化膜を形成し、その上に、マスクを用いて厚さ１０ｎｍのＣｒ、厚さ１５０ｎｍの金を順次蒸着し、チャネル長Ｌ＝２０μｍとなるソース、ドレイン電極を形成した。さらにＺｎおよびＮｉの含有量が１０ｐｐｍ以下になるよう良く精製した、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）のｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ体（アルドリッチ社製）のクロロホルム溶液を調製し、この溶液を、ピエゾ型のインクジェットを用いて、ソース電極、ドレイン電極上とその間に、一様な塗膜が形成されるよう吐出した。クロロホルムの飽和蒸気圧下に調整した窒素ガス雰囲気下で、ソース、ドレイン電極間に１００Ｖのバイアス電圧を印加しながら、クロロホルムを乾燥させた後、窒素ガス置換雰囲気中で、５０℃、３０分間の熱処理を施した。このとき、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）の膜厚は３０ｎｍであった。
【００４４】
この有機薄膜トランジスタは、Ｓｉ基板をゲート電極として駆動させると、ｐチャネルエンハンスメント型ＦＥＴの良好な動作特性を示した。飽和領域におけるキャリア移動度を測定した。
【００４５】
比較例１
実施例１において、ソース、ドレイン間に、バイアス電圧を印加せずに素子を作製した。
【００４６】
実施例２
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＳｉウェハーに厚さ２０００Åの熱酸化膜を形成し、その上に、マスクを用いて厚さ１０ｎｍのＣｒ、厚さ１５０ｎｍの金を順次蒸着し、チャネル長Ｌ＝２０μｍとなるソース、ドレイン電極を形成した。さらにＺｎおよびＮｉの含有量が１０ｐｐｍ以下になるよう良く精製した、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）のｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ体（アルドリッチ社製）のクロロホルム溶液を調製し、この溶液を、ピエゾ型のインクジェットを用いて、ソース電極、ドレイン電極上とその間に、一様な塗膜が形成されるよう吐出した。クロロホルムの飽和蒸気圧下に調整した窒素ガス雰囲気下で、クロロホルムを乾燥させた後、窒素ガス置換雰囲気中で、５０℃、３０分間の熱処理を施した。このとき、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）の膜厚は３０ｎｍであった。
【００４７】
窒素ガス置換雰囲気中で、２７０℃に素子を加熱すると、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）が溶融した。この状態で、ソース、ドレイン電極間に１００Ｖのバイアス電圧を印加しながら、徐冷し、素子を室温まで冷却した。
【００４８】
この有機薄膜トランジスタは、Ｓｉ基板をゲート電極として駆動させると、ｐチャネルエンハンスメント型ＦＥＴの良好な動作特性を示した。飽和領域におけるキャリア移動度を測定した。
【００４９】
各試料の飽和領域におけるキャリア移動度の測定を行い、その結果を下記に示した。
【００５０】
実施例１０．０４
実施例２０．０３
比較例１０．０２
上記結果より、有機半導体層の形成過程で電界を作用させることにより、優れたキャリア移動度が得られることがわかる。
【００５１】
【発明の効果】
電界或いは磁界を作用しつつ、有機半導体層を形成することにより、キャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機半導体層を有するトランジスタの構成要素を示す断面図である。
【符号の説明】
１Ｓｉウェハー
２熱酸化膜
３ソース電極
４ドレイン電極
５有機半導体層

Claims

有機薄膜トランジスタの製造方法であって、支持体上にソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程、および支持体上に有機半導体材料を配置して有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程、を含むとともに、前記有機半導体層形成工程では、有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液の状態又は加熱により溶融した状態で、電界又は磁界を作用させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
前記有機半導体層形成工程において、前記ソース電極およびドレイン電極間にバイアスを印加することにより、前記電界を作用させることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
前記有機半導体層形成工程は、更に、前記有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液を塗布する工程、および前記有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液中に電界又は磁界を作用させながら、前記塗布溶媒を乾燥させる工程、を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
前記有機半導体層形成工程では、前記有機半導体材料が加熱により溶融した状態で電界又は磁界を作用させるとともに、冷却することを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
前記有機半導体層形成工程は、更に、前記有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液を塗布する工程、を含むとともに、前記塗布溶媒を乾燥させた後に前記有機半導体材料を加熱により溶融させることを特徴とする請求項４に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
前記電極形成工程の後に、前記有機半導体層形成工程が行われることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
請求項１〜６の何れか１項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法により製造されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。