JP2004128048A

JP2004128048A - Solid electrolytic capacitor

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Publication number: JP2004128048A
Application number: JP2002287156A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Yoshizawa; 吉澤　篤志; Norihito Fukui; 福井　典仁
Original assignee: Nippon Chemi Con Corp
Current assignee: Nippon Chemi Con Corp
Priority date: 2002-09-30
Filing date: 2002-09-30
Publication date: 2004-04-22

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid electrolytic capacitor for improving an electrostatic capacity. <P>SOLUTION: In the solid electrolytic capacitor impregnating a polymeric monomer and an oxidizer on a capacitor element winding an anode foil and a cathode foil through a separator and forming a solid electrolytic layer consisting of a conductive polymer, a planar foil consisting of a conductive material is used as the cathode foil, and a membrane consisting of a metal nitride or metal is formed on the surface. In the case that EDT is used as the polymeric monomer, EDT impregnated on the capacitor element can use an EDT monomer, and can also use monomer solution mixed at a volume rate of EDT to a volatile solvent of 1:0-1:3. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体電解コンデンサに係り、特に、静電容量の良好な固体電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
タンタルあるいはアルミニウム等のような弁作用を有する金属を利用した電解コンデンサは、陽極側対向電極としての弁作用金属を焼結体あるいはエッチング箔等の形状にして誘電体を拡面化することにより、小型で大きな容量を得ることができることから、広く一般に用いられている。特に、電解質に固体電解質を用いた固体電解コンデンサは、小型、大容量、低等価直列抵抗であることに加えて、チップ化しやすく、表面実装に適している等の特質を備えていることから、電子機器の小型化、高機能化、低コスト化に欠かせないものとなっている。
【０００３】
この種の固体電解コンデンサにおいて、小型、大容量用途としては、一般に、アルミニウム等の弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔をセパレータを介在させて巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に駆動用電解液を含浸し、アルミニウム等の金属製ケースや合成樹脂製のケースにコンデンサ素子を収納し、密閉した構造を有している。なお、陽極材料としては、アルミニウムを初めとしてタンタル、ニオブ、チタン等が使用され、陰極材料には、陽極材料と同種の金属が用いられる。
【０００４】
また、固体電解コンデンサに用いられる固体電解質としては、二酸化マンガンや７、７、８、８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯体が知られているが、近年、反応速度が緩やかで、かつ陽極電極の酸化皮膜層との密着性に優れたポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＴと記す）等の導電性ポリマーに着目した技術（特許文献１参照）が存在している。
【０００５】
このような巻回型のコンデンサ素子にＰＥＤＴ等の導電性ポリマーからなる固体電解質層を形成するタイプの固体電解コンデンサは、以下のようにして作製される。まず、アルミニウム等の弁作用金属からなる陽極箔の表面を塩化物水溶液中での電気化学的なエッチング処理により粗面化して、多数のエッチングピットを形成した後、ホウ酸アンモニウム等の水溶液中で電圧を印加して誘電体となる酸化皮膜層を形成する（化成）。陽極箔と同様に、陰極箔もアルミニウム等の弁作用金属からなるが、その表面にはエッチング処理を施すのみである。
【０００６】
このようにして表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔とエッチングピットのみが形成された陰極箔とを、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成する。続いて、修復化成を施したコンデンサ素子に、３，４−エチレンジオキシチオフェン（以下、ＥＤＴと記す）等の重合性モノマーと酸化剤溶液をそれぞれ吐出し、あるいは両者の混合液に浸漬して、コンデンサ素子内で重合反応を促進し、ＰＥＤＴ等の導電性ポリマーからなる固体電解質層を生成する。その後、このコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに収納して固体電解コンデンサを作成する。
【０００７】
【特許文献１】
特開平２−１５６１１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、電子情報機器はデジタル化され、さらにこれらの電子情報機器の心臓部であるマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）の駆動周波数の高速化が進んでいる。これに伴って、消費電力の増大化が進み、発熱による信頼性の問題が顕在化してきたため、その対策として駆動電圧の低減化が図られてきた。
【０００９】
上記駆動電圧の低減化を図るため、マイクロプロセッサに高精度な電力を供給する回路として電圧制御モジュールと呼ばれるＤＣ−ＤＣコンバーターが広く使用されており、その出力側コンデンサには、電圧降下を防ぐためＥＳＲの低いコンデンサが多数用いられている。このような低ＥＳＲ特性を有するコンデンサとして、上述したような固体電解コンデンサが実用化され、多用されている。
【００１０】
しかしながら、マイクロプロセッサの駆動周波数の高速化は著しく、それに伴って消費電力がさらに増大し、それに対応するために電圧降下を防ぐためのコンデンサからの供給電力のさらなる増大化が求められている。すなわち、大きな電力を短時間で供給することができなければならず、このために固体電解コンデンサには大容量化が要求されている。
なお、このような問題点は、重合性モノマーとしてＥＤＴを用いた場合に限らず、他のチオフェン誘導体、ピロール、アニリン等を用いた場合にも同様に生じていた。
【００１１】
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、静電容量の向上を可能とした固体電解コンデンサを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題を解決すべく、固体電解コンデンサの静電容量の向上を図るべく、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに至ったものである。
すなわち、導体材料からなるプレーン箔の表面に、蒸着法等で金属窒化物又は金属からなる皮膜を形成することによって、上記の目的を達成できることが判明したものである。
【００１３】
（プレーン箔）
プレーン箔を用いることによって、陰極箔の厚みを従来のエッチング箔の４０〜６０μｍから２０〜３０μｍに低減することができる。その結果、単位体積あたりの箔面積を増大させることができるので、ＥＳＲが低減し、静電容量が増大する。すなわち、巻回型の固体電解コンデンサにおいては、巻回時の引張強度に耐えるために、電極箔のエッチング後に残るアルミニウムの芯の部分（残芯部）の厚みを２０〜３０μｍとしなければならず、エッチングを行うとそれ以上の厚みにならざるを得なかった。そこで、本発明においては、プレーン箔を用いることによって陰極箔の厚みを低減して、箔面積を増大させて、ＥＳＲ、静電容量の向上を図ったものである。
なお、プレーン箔の材質としては、導体材料であれば良く、Ｃｕ等の導体抵抗の低い材料であれば、ＥＳＲが低減するので好ましい。
【００１４】
（皮膜を形成する金属窒化物又は金属）
金属窒化物としては、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＴａＮ、ＮｂＮのいずれかを用いることが望ましく、金属としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂのいずれかを用いることが望ましい。
また、金属窒化物等の皮膜の厚みは、従来は０．０５〜０．１５μｍ程度であるが、本発明においては、０．５〜３μｍとすることが望ましい。金属窒化物等の皮膜の厚みを０．５〜３μｍとすると、ＥＳＲは低減する。
【００１５】
（金属窒化物又は金属からなる皮膜の形成）
上記のプレーン箔に金属窒化物又は金属からなる皮膜を形成する方法としては、形成される皮膜の強度、陰極との密着性、成膜条件の制御等を考慮すると、蒸着法が好ましく、なかでも、陰極アークプラズマ蒸着法がより好ましい。この陰極アークプラズマ蒸着法の適用条件は以下の通りである。
すなわち、電流値は８０〜３００Ａ、電圧値は１５〜２０Ｖである。なお、金属窒化物の場合は、導体材料からなる陰極を２００〜４５０℃に加熱し、窒素を含む全圧が１×１０^−１〜１×１０^−４Ｔｏｒｒの雰囲気で行う。
【００１６】
（ＥＤＴ及び酸化剤）
重合性モノマーとしてＥＤＴを用いた場合、コンデンサ素子に含浸するＥＤＴとしては、ＥＤＴモノマーを用いることができるが、ＥＤＴと揮発性溶媒とを１：０〜１：３の体積比で混合したモノマー溶液を用いることもできる。
前記揮発性溶媒としては、ペンタン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ギ酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類、メタノール等のアルコール類、アセトニトリル等の窒素化合物等を用いることができるが、なかでも、メタノール、エタノール、アセトン等が好ましい。
【００１７】
また、酸化剤としては、エタノールに溶解したパラトルエンスルホン酸第二鉄、過ヨウ素酸もしくはヨウ素酸の水溶液を用いることができ、酸化剤の溶媒に対する濃度は４０〜６５ｗｔ％が好ましく、４５〜５７ｗｔ％がより好ましい。酸化剤の溶媒に対する濃度が高い程、ＥＳＲは低減する。なお、酸化剤の溶媒としては、上記モノマー溶液に用いた揮発性溶媒を用いることができ、なかでもエタノールが好適である。酸化剤の溶媒としてエタノールが好適であるのは、蒸気圧が低いため蒸発しやすく、残存する量が少ないためであると考えられる。
【００１８】
（修復化成の化成液）
修復化成の化成液としては、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム等のリン酸系の化成液、ホウ酸アンモニウム等のホウ酸系の化成液、アジピン酸アンモニウム等のアジピン酸系の化成液を用いることができるが、なかでも、リン酸二水素アンモニウムを用いることが望ましい。また、浸漬時間は、５〜１２０分が望ましい。
【００１９】
（他の重合性モノマー）
本発明に用いられる重合性モノマーとしては、上記ＥＤＴの他に、ＥＤＴ以外のチオフェン誘導体、アニリン、ピロール、フラン、アセチレンまたはそれらの誘導体であって、所定の酸化剤により酸化重合され、導電性ポリマーを形成するものであれば適用することができる。なお、チオフェン誘導体としては、下記の構造式のものを用いることができる。
【化１】

【００２０】
（作用・効果）
本発明の構成によりＥＳＲの低減と静電容量の向上が可能となる理由は、以下の通りと考えられる。すなわち、導体材料からなるプレーン箔に金属窒化物又は金属からなる皮膜を形成し、電解質として固体電解質を用いると、固体電解質と陰極箔が導通状態となり、コンデンサの合成容量は最大となって、静電容量が増大すると考えられる。
【００２１】
一方、従来のエッチング箔の場合は、金属窒化物等の皮膜を形成しても、エッチングピットの内部に皮膜が形成されない部分ができ、その部分の自然酸化皮膜の静電容量が発生する。その結果、図１に示すような等価回路が形成されて、高周波での静電容量が低下する傾向にある。しかしながら、本発明においては、このような陰極の静電容量が発生しないので、高周波での静電容量が向上すると考えられる。
【００２２】
【実施例】
続いて、以下のようにして製造した実施例及び従来例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
【００２３】
（実施例１）
０．１μｍの窒化チタン皮膜を形成した厚さ３０μｍのプレーン箔を陰極箔として用い、表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と共に巻回してコンデンサ素子を形成した後、修復化成を行った。また、４０ｗｔ％のｐ−トルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液を作成し、ＥＤＴとこの酸化剤溶液を１：３の割合で混合し、重合液を作成した。この重合液にコンデンサ素子を浸漬して、重合液をコンデンサ素子に含浸させた。このコンデンサ素子を１２０℃の恒温槽内に１時間放置して重合を行い、固体電解質層を形成した。そして、このコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに挿入し、開口端部に封口ゴムを装着して、加締め加工によって封止した。その後に、１５０℃、１２０分、５．２Ｖの電圧印加によってエージングを行い、固体電解コンデンサを形成した。なお、この固体電解コンデンサの定格電圧は２．５ＷＶ、定格容量は１０００μＦである。
【００２４】
（実施例２）
陰極箔として、１μｍの窒化チタン皮膜を形成した厚さ３０μｍのプレーン箔を用いた。その他の条件及び工程は、実施例１と同様である。
（従来例）
陰極箔として、０．１μｍの窒化チタン皮膜を形成した厚さ５０μｍのエッチング箔を用いた。その他の条件及び工程は、実施例１と同様である。
【００２５】
［比較結果］
上記の方法により得られた実施例１、実施例２及び従来例について、静電容量を調べたところ表１に示したような結果が得られた。
【表１】

【００２６】
表１から明らかなように、陰極箔としてプレーン箔を用い、その表面に窒化チタン皮膜を形成した実施例１及び実施例２においては、エッチング箔を用いた従来例と比較して、静電容量は約１．１倍に上昇した。
【００２７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、陰極箔として導体材料からなるプレーン箔を用い、その表面に金属窒化物又は金属からなる皮膜を形成することにより、静電容量の向上を可能とした固体電解コンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】エッチング箔を用いた場合に形成される等価回路を示す図[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a solid electrolytic capacitor, and more particularly, to a solid electrolytic capacitor having good capacitance.
[0002]
[Prior art]
Electrolytic capacitors using a metal having a valve action, such as tantalum or aluminum, have a valve action metal as an anode-side counter electrode, which is formed by sintering or etching foil or the like to enlarge the dielectric, Since it is small and can obtain a large capacity, it is widely and generally used. In particular, a solid electrolytic capacitor using a solid electrolyte as an electrolyte has characteristics such as being small, large-capacity, low equivalent series resistance, easy to chip, and suitable for surface mounting. It is indispensable for miniaturization, high functionality, and low cost of electronic devices.
[0003]
In this type of solid electrolytic capacitor, for small-sized and large-capacity applications, generally, an anode foil and a cathode foil made of valve metal such as aluminum are wound with a separator interposed therebetween to form a capacitor element. It has a structure in which a capacitor element is housed in a case made of a metal such as aluminum or a case made of a synthetic resin, impregnated with a driving electrolyte, and sealed. Note that as the anode material, aluminum, tantalum, niobium, titanium, or the like is used, and as the cathode material, the same kind of metal as the anode material is used.
[0004]
In addition, manganese dioxide and 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ) complex are known as solid electrolytes used for solid electrolytic capacitors. There is a technique (see Patent Document 1) that focuses on a conductive polymer such as polyethylene dioxythiophene (hereinafter referred to as PEDT) having excellent adhesion to an oxide film layer of an electrode.
[0005]
A solid electrolytic capacitor of a type in which a solid electrolyte layer made of a conductive polymer such as PEDT is formed on such a wound-type capacitor element is manufactured as follows. First, the surface of the anode foil made of a valve metal such as aluminum is roughened by electrochemical etching treatment in a chloride aqueous solution to form a large number of etching pits, and then, in an aqueous solution such as ammonium borate. A voltage is applied to form an oxide film layer serving as a dielectric (chemical formation). Like the anode foil, the cathode foil is also made of valve metal such as aluminum, but its surface is only subjected to etching.
[0006]
In this way, the anode foil having the oxide film layer formed on its surface and the cathode foil having only the etching pits formed thereon are wound via a separator to form a capacitor element. Subsequently, a polymerizable monomer such as 3,4-ethylenedioxythiophene (hereinafter referred to as EDT) and an oxidizing agent solution are respectively discharged onto the capacitor element subjected to the repair formation, or immersed in a mixed solution of both. And promotes a polymerization reaction in the capacitor element to generate a solid electrolyte layer made of a conductive polymer such as PEDT. Thereafter, the capacitor element is housed in a bottomed cylindrical outer case to form a solid electrolytic capacitor.
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-2-15611
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, electronic information devices have been digitized, and the driving frequency of a microprocessor (MPU), which is the heart of these electronic information devices, has been increasing in speed. Along with this, power consumption has increased, and the problem of reliability due to heat generation has become apparent. Therefore, as a countermeasure, drive voltage has been reduced.
[0009]
In order to reduce the drive voltage, a DC-DC converter called a voltage control module is widely used as a circuit for supplying high-precision electric power to a microprocessor. Many low ESR capacitors are used. As a capacitor having such a low ESR characteristic, the above-mentioned solid electrolytic capacitor has been put to practical use and widely used.
[0010]
However, the driving frequency of the microprocessor has been remarkably increased, and the power consumption has further increased. Accordingly, it is required to further increase the power supplied from the capacitor to prevent a voltage drop. That is, it is necessary to be able to supply a large amount of electric power in a short period of time. For this reason, the solid electrolytic capacitor is required to have a large capacity.
Note that such a problem occurs not only when EDT is used as the polymerizable monomer but also when other thiophene derivatives, pyrrole, and aniline are used.
[0011]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to solve the above-described problems of the related art, and an object of the present invention is to provide a solid electrolytic capacitor capable of improving the capacitance.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems and to improve the capacitance of the solid electrolytic capacitor, and as a result, have completed the present invention.
That is, it has been found that the above object can be achieved by forming a film made of a metal nitride or a metal on the surface of a plain foil made of a conductive material by an evaporation method or the like.
[0013]
(Plain foil)
By using the plain foil, the thickness of the cathode foil can be reduced from 40 to 60 μm of the conventional etching foil to 20 to 30 μm. As a result, the foil area per unit volume can be increased, so that the ESR is reduced and the capacitance is increased. That is, in the wound type solid electrolytic capacitor, in order to withstand the tensile strength at the time of winding, the thickness of the aluminum core portion (residual core portion) remaining after etching the electrode foil must be 20 to 30 μm. However, when etching was performed, the thickness had to be increased. Therefore, in the present invention, the thickness of the cathode foil is reduced by using the plain foil, the foil area is increased, and the ESR and the capacitance are improved.
The plane foil may be made of a conductor material, and a material having a low conductor resistance, such as Cu, is preferable since the ESR is reduced.
[0014]
(Metal nitride or metal that forms a film)
It is desirable to use any of TiN, ZrN, TaN, and NbN as the metal nitride, and it is desirable to use any of Ti, Zr, Ta, and Nb as the metal.
Further, the thickness of the film of metal nitride or the like is conventionally about 0.05 to 0.15 μm, but is preferably 0.5 to 3 μm in the present invention. When the thickness of the film such as a metal nitride is 0.5 to 3 μm, the ESR is reduced.
[0015]
(Formation of film made of metal nitride or metal)
As a method of forming a film made of a metal nitride or a metal on the plain foil, in consideration of the strength of the film to be formed, adhesion to a cathode, control of film formation conditions, and the like, an evaporation method is preferable, and among them, The cathode arc plasma deposition method is more preferable. The application conditions of this cathodic arc plasma deposition method are as follows.
That is, the current value is 80 to 300 A, and the voltage value is 15 to 20 V. In the case of metal nitride, the cathode made of a conductive material is heated to 200 to 450 ° C. in an atmosphere containing nitrogen at a total pressure of 1 × 10 ⁻¹ to 1 × 10 ⁻⁴ Torr.
[0016]
(EDT and oxidizing agent)
When EDT is used as the polymerizable monomer, an EDT monomer can be used as the EDT to be impregnated in the capacitor element, but a monomer solution in which EDT and a volatile solvent are mixed at a volume ratio of 1: 0 to 1: 3. Can also be used.
As the volatile solvent, hydrocarbons such as pentane, ethers such as tetrahydrofuran, esters such as ethyl formate, ketones such as acetone, alcohols such as methanol, and nitrogen compounds such as acetonitrile can be used. However, among them, methanol, ethanol, acetone and the like are preferable.
[0017]
Further, as the oxidizing agent, an aqueous solution of ferric paratoluenesulfonate, periodic acid or iodic acid dissolved in ethanol can be used, and the concentration of the oxidizing agent with respect to the solvent is preferably 40 to 65 wt%, more preferably 45 to 57 wt%. % Is more preferred. The higher the concentration of the oxidizing agent in the solvent, the lower the ESR. In addition, as the solvent of the oxidizing agent, the volatile solvent used for the above monomer solution can be used, and among them, ethanol is preferable. It is considered that ethanol is suitable as a solvent for the oxidizing agent because it has a low vapor pressure and thus easily evaporates, and the remaining amount is small.
[0018]
(Chemical solution for restoration chemical formation)
As the chemical liquid for restoration chemical formation, there are phosphoric acid-based chemical solutions such as ammonium dihydrogen phosphate and diammonium hydrogen phosphate, boric acid-based chemical solutions such as ammonium borate, and adipic acid-based chemical solutions such as ammonium adipate. Although a liquid can be used, it is preferable to use ammonium dihydrogen phosphate. The immersion time is desirably 5 to 120 minutes.
[0019]
(Other polymerizable monomers)
Examples of the polymerizable monomer used in the present invention include, in addition to the above-mentioned EDT, thiophene derivatives other than EDT, aniline, pyrrole, furan, acetylene or derivatives thereof, which are oxidatively polymerized by a predetermined oxidizing agent, and Can be applied as long as it forms. As the thiophene derivative, one having the following structural formula can be used.
Embedded image

[0020]
(Action / Effect)
The reason why the configuration of the present invention can reduce the ESR and improve the capacitance is considered as follows. In other words, when a film made of metal nitride or metal is formed on a plain foil made of a conductive material and a solid electrolyte is used as the electrolyte, the solid electrolyte and the cathode foil are brought into a conductive state, the combined capacity of the capacitor is maximized, and the static capacity is increased. It is considered that the capacitance increases.
[0021]
On the other hand, in the case of the conventional etching foil, even when a film such as a metal nitride is formed, a portion where no film is formed is formed inside the etching pit, and the capacitance of the natural oxide film in that portion is generated. As a result, an equivalent circuit as shown in FIG. 1 is formed, and the capacitance at high frequencies tends to decrease. However, in the present invention, since such a capacitance of the cathode does not occur, it is considered that the capacitance at a high frequency is improved.
[0022]
【Example】
Subsequently, the present invention will be described in more detail based on examples manufactured in the following manner and conventional examples.
[0023]
(Example 1)
A 30 μm-thick plain foil on which a 0.1 μm titanium nitride film was formed was used as a cathode foil, wound together with an anode foil having an oxide film layer formed on the surface to form a capacitor element, and then repair formation was performed. Also, a 40 wt% ferric p-toluenesulfonate butanol solution was prepared, and EDT and this oxidizing agent solution were mixed at a ratio of 1: 3 to prepare a polymerization liquid. The capacitor element was immersed in the polymer solution to impregnate the capacitor element with the polymer solution. This capacitor element was left in a thermostat at 120 ° C. for 1 hour to carry out polymerization to form a solid electrolyte layer. Then, this capacitor element was inserted into a bottomed cylindrical outer case, a sealing rubber was attached to the open end, and the capacitor was sealed by caulking. Thereafter, aging was performed by applying a voltage of 5.2 V at 150 ° C. for 120 minutes to form a solid electrolytic capacitor. The rated voltage of this solid electrolytic capacitor is 2.5 WV, and the rated capacity is 1000 μF.
[0024]
(Example 2)
As the cathode foil, a plain foil having a thickness of 30 μm on which a titanium nitride film of 1 μm was formed was used. Other conditions and steps are the same as those in the first embodiment.
(Conventional example)
As the cathode foil, a 50 μm-thick etching foil having a 0.1 μm titanium nitride film formed thereon was used. Other conditions and steps are the same as those in the first embodiment.
[0025]
[Comparison result]
The capacitances of Examples 1, 2 and the conventional example obtained by the above method were examined. The results shown in Table 1 were obtained.
[Table 1]

[0026]
As is clear from Table 1, in Examples 1 and 2 in which a plain foil was used as the cathode foil and a titanium nitride film was formed on the surface thereof, the capacitance was larger than that in the conventional example using the etching foil. Increased about 1.1-fold.
[0027]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to improve the capacitance by using a plain foil made of a conductive material as the cathode foil and forming a film made of a metal nitride or a metal on the surface thereof. A solid electrolytic capacitor can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an equivalent circuit formed when an etching foil is used.

Claims

In a solid electrolytic capacitor in which a capacitor element in which an anode foil and a cathode foil are wound via a separator, a solid electrolyte layer made of a conductive polymer is formed by impregnating a polymerizable monomer and an oxidizing agent,
A solid electrolytic capacitor, wherein a plain foil made of a conductive material is used as the cathode foil, and a film made of a metal nitride or a metal is formed on the surface thereof.

The solid electrolytic capacitor according to claim 1, wherein the metal nitride is any of TiN, ZrN, TaN, and NbN, and the metal is any of Ti, Zr, Ta, and Nb.

3. The solid electrolytic capacitor according to claim 1, wherein a thickness of the film made of the metal nitride or the metal is 0.05 to 3 μm. 4.

The solid electrolytic capacitor according to any one of claims 1 to 3, wherein the polymerizable monomer is a thiophene derivative.

The solid electrolytic capacitor according to claim 4, wherein the thiophene derivative is 3,4-ethylenedioxythiophene.