JP2004197145A - Electrolytic treatment apparatus and electrolytic treatment method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハなどの基板の表面に形成された金属やレジスト材料、エッチング残渣、パーティクルなどの被処理物を電気的なエネルギーを利用して除去する電解処理装置及び電解処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては高度の清浄度が必要とされ、サブミクロン単位の汚れを除去する洗浄技術はますます重要となりつつある。特に、半導体デバイスの微細化及び高集積化が進むに従い、半導体デバイスに導入されつつある新たな材料や製造プロセスに対応した新たな洗浄技術の実現が望まれている。
【0003】
半導体デバイスに導入されつつある新たな材料として、Cu、Ru、Co、Ptなどの金属が挙げられる。このうち、Cu(銅)はメタル汚染の原因となりやすいため、基板上に残留する余剰なCuを完全に除去することが必要とされる。Cuは従来のRCA洗浄法では除去しにくく、一般にHF系の処理液を用いて除去されている。また、オゾン水(O3)を用いた洗浄法はほとんどの金属を除去することができるが、Cuを完全に除去することはできない。
【0004】
また、近年では、半導体デバイスの更なる微細構造化に伴って、Low−k材を絶縁膜として使う傾向にある。このLow−k材の導入に伴い、Low−k材をエッチング処理した後のポリマーの除去や、Low−k材に形成された微細なコンタクトホールの内部の洗浄を可能とする新たな洗浄技術が望まれている。微細なコンタクトホール(配線孔)の孔径は極めて小さいため、従来から、コンタクトホールの内部では洗浄不良が起こりやすいという問題がある。これに加え、コンタクトホールの孔径の更なる微小化やLow−k材の持つ撥水性によりコンタクトホール内の洗浄はさらに困難になりつつある。
【0005】
また、配線孔の形成後のアッシングは、Low−k材へのダメージのためO2プラズマは使えなくなり、新しいウェットによるレジスト剥離プロセスが要求されている。さらに、上述した新たな材料の導入や半導体デバイスの微細化に伴って、半導体デバイスの製造プロセスそのものが変化しつつある。このため、製造プロセスの変化に対応した新たな洗浄技術の実現が要請されている。例えば、新たなレジスト材料の導入やエッチングプロセスの変化に従って、ポリマーやレジスト残渣の絶縁膜など下地への付着強度は従来よりも高くなる可能性があり、従来の洗浄技術ではこれらを除去することが困難と考えられる。
【0006】
また、微細化が進む半導体デバイスにおいては、より微小な粒径のパーティクルを除去する必要が生じている。さらに、最近では、半導体デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物汚染の問題も懸念されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、半導体デバイスに導入されつつある新たな材料や製造プロセスに対応した洗浄効果を奏することができ、しかも、半導体デバイスの微細化及び高集積化が進むに従って今後ますます高まると予想される洗浄技術に対するニーズにも対応し得る多目的な電解処理装置及び電解処理方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するために、本発明は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板と向き合うように配置された陽極電極部及び陰極電極部と、前記基板保持部に保持された基板と前記陽極電極部及び前記陰極電極部との間に処理液を供給する処理液供給部と、前記陽極電極部と前記陰極電極部との間に電圧を印加する電源と、を備えたことを特徴とする。
この場合において、前記陽極電極部及び前記陰極電極部を前記基板保持部に保持された基板に近接させる駆動機構と、前記基板保持部に保持された基板を回転させる回転駆動機構とを更に設けることが好ましい。
【0009】
本発明によれば、いわゆるバイポーラ現象により基板の表面に形成された導電性物質(被処理物)に正の電位が与えられ、導電性物質を酸化させて電気的に溶解させることができる。
【0010】
本発明の好ましい態様は、前記処理液は電解質を含むことを特徴とする。
処理液に電解質を含ませる主な目的は処理液に良好な導電性を付与するためである。また、電解質として塩化水素(HCl)などの酸化力の強いハロゲン化物を用いた場合、電離したハロゲンイオンを利用して被処理物の酸化を増進させて除去することができる。
【0011】
本発明の好ましい他の態様は、前記陽極電極部及び前記陰極電極部に流す電流の波形を、交流波形、直流波形、直流逆電圧波形、パルス波形、PRパルス波形、ダブルパルス波形のうちの少なくとも1つに整流する整流器を更に備えたことを特徴とする。
本発明によれば、目的に応じた最適な電流を陽極電極部及び陰極電極部に流すことにより、導電性物質の酸化のみならず基板上に存在する様々な被処理物を除去することができる。例えば、基板の表面に形成された金属を溶解させる場合にはバイポーラ現象を利用した直流波形が選択され、パーティクルを除去する場合には、バイポーラ現象ではなくイオン性の界面活性剤の電気移動度を利用するためパルス波形やPRパルス波形が選択され、基板表面を還元雰囲気にする必要があれば直流やパルスの逆電圧波形が選択され、処理液の浸透性を上げるために水の分子構造を微細化させる場合には、マイクロ秒(μs)オーダーの細かい波長を有するパルス波形が選択される。
【0012】
本発明の好ましい他の態様は、複数の前記陽極電極部を同一平面上において縦方向及び横方向に沿って等間隔に配置し、複数の前記陰極電極部を、斜め方向において互いに隣り合う2つの前記陽極電極部の略中央部に配置したことを特徴とする。
また、本発明の好ましい他の態様は、複数の前記陰極電極部を同一平面上において縦方向及び横方向に沿って等間隔に配置し、複数の前記陽極電極部を、斜め方向において互いに隣り合う2つの前記陰極電極部の略中央部に配置したことを特徴とする。
本発明によれば、基板の全体に亘って均一な処理が可能となる。
【0013】
本発明の好ましい他の態様は、前記陽極電極部と前記陰極電極部のうち、少なくとも一方が導電性ダイヤモンド又は二酸化鉛からなることを特徴とする。
通常、電解処理装置では不溶解電極としてPt(白銀)が使用される場合が多い。しかし、Ptの触媒反応ではO2は発生するがO3は発生しない。Ptの代わりに導電性ダイヤモンドを使用すれば酸素過電圧(陽極からO2が発生し始めるときの電圧)を上げることができ、O3の発生が可能となる。二酸化鉛も陽極限定として使うならばO3の発生が可能な酸素過電圧が得られる。したがって、本発明によれば、処理液中に溶媒として存在する水が電気分解するときに不溶性の陽極電極部からO2のみならずO3を発生させることができる。そして、O3の持つ強い酸化力を利用してポリマーなどのエッチング残渣やレジスト材料などを分解除去することができる。
【0014】
本発明の好ましい他の態様は、前記基板保持部に保持された基板と前記陽極電極部との距離は、前記基板保持部に保持された基板と前記陰極電極部との距離と異なることを特徴とする。
本発明によれば、基板に近い方の電極部から発生するガスが持つ酸化力あるいは還元力を基板の表面付近に存在する処理液に与えることができ、被処理物の除去作用を向上させることができる。また、周期的に極性が反転する電圧を電極部間に印加する場合、基板表面での電位の変動を大きくすることができる。その結果、静電吸着しているパーティクルなどの被処理物の除去を促進させることができ、さらには、溶媒として存在する水の分子構造を微小化させて、微小なコンタクトホール内への処理液の浸入性を良くして洗浄を良好に行うことができる。
【0015】
従来使用されてきたオゾン水製造装置は、洗浄装置本体とは独立して単独に設置されるため、洗浄装置内の基板の位置までオゾン水を移動させると、配管中を移動させる途中でオゾンが分解して均一なオゾン濃度が得られないことがあった。
また電解イオン水製造装置についても単独で設置されるため、電解によって得られた反応性のイオンや、電気移動性の高い解離イオン、微小分子構造になった溶媒の改質状態が基板上まで維持できないことがあった。
本発明では、これらの電解反応やオゾンの発生を基板のごく近傍で行うことで、電解によって得られる諸現象やオゾンを効果的に働かせることができ、さらにオゾンだけでは遅かったオゾンの酸化反応速度を電気的補助エネルギーを付与することでより速くできるようになった。
【0016】
本発明の好ましい他の態様は、前記処理液供給部の供給口を前記陽極電極部又は前記陰極電極部に設け、前記供給口から供給された処理液を吸入する吸入口を前記陽極電極部又は前記陰極電極部に設けたことを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る電解処理装置の全体構成を示す断面図である。図2は図1に示す電解処理装置の概略平面図である。
【0018】
図1に示すように、本実施形態に係る電解処理装置は、基板Wを保持する基板保持部3と、この基板保持部3の下部に固定されたシャフト4と、基板保持部3の下方に配置された容器5とを備えている。シャフト4は図示しない軸受によって回転自在に支持されており、基板保持部3とシャフト4とは一体的に回転するようになっている。
【0019】
基板保持部3は、円形の基板保持テーブル6と、この基板保持テーブル6の上面に設けられた複数の支持ピン7とを備えている。支持ピン7は基板Wの外周方向に沿って等間隔に配置されており、これらの支持ピン7によって基板Wの周縁部が支持される。なお、支持ピン7に代えて、真空チャック又は静電チャックなどの保持機構を用いて基板を保持させることも可能である。シャフト4の下端には自転用モータ8が連結されており、この自転用モータ8によりシャフト4を介して基板保持部3に保持された基板Wが回転するようになっている。
【0020】
また、本実施形態に係る電解処理装置は、上下動可能、かつ、水平面上を往復動可能なアーム11と、このアーム11の端部に固定された電解ヘッド12を備えている。アーム11の基部11aには、動力伝達機構13を介して往復動用モータ14が連結されており、この往復動用モータ14により電解ヘッド12が図2に示す矢印A方向に沿って揺動するようになっている。また、アーム11には図示しない上下動用モータが連結されており、この上下動用モータによって電解ヘッド12が上下動するようになっている。なお、電解ヘッド12は、基板保持部3に保持された基板Wと電解ヘッド12の下端との距離が約1mmとなる位置まで下降できるようになっている。
【0021】
次に、上述した電解ヘッド12の構成について図3及び図4を参照して詳細に説明する。図3は図1に示す電解ヘッドの断面図であり、図4は図3に示す電解ヘッドを矢印Bが示す方向からみたときの図である。
図3及び図4に示すように、電解ヘッド12は、複数の陽極電極部21及び複数の陰極電極部22を備えている。これらの陽極電極部21及び陰極電極部22は、電解ヘッド12の下端面に設けられており、いずれも所定のパターンに従って規則的に配置されている。
【0022】
図4に示すように、陰極電極部22は、電解ヘッド12の下端面のほぼ全体に亘って配置され、縦方向及び横方向に沿って等間隔に配置されている。陽極電極部21は、斜め方向において互いに隣り合う陰極電極部22間の中央部にそれぞれ配置されている。このように、電解ヘッド12の下端面には陽極電極部21及び陰極電極部22がそれぞれ市松模様状に配置されている。
【0023】
図3及び図4に示すように、陰極電極部22は、下方に突出する断面矩形状の突出部12aの内部に形成され、これらの突出部12aの間に形成される格子状の溝12bに陽極電極部21が形成されている。このような構成により、陽極電極部21と陰極電極部22との間には段差(本実施形態ではαmm)が設けられている。したがって、基板保持部3に保持された基板Wの上面と陰極電極部22との距離が約1mmであるとき、陽極電極部21と基板Wの上面との距離は約(1+α)mmとなる。
【0024】
陰極電極部22には、その中央部を貫通する供給口25が設けられている。これらの供給口25は、いずれも配管26を通じて処理液供給源27に接続されている。処理液供給源27には処理液が貯留されており、この処理液は配管26を介して供給口25から基板Wの上面に供給されるようになっている。陽極電極部21の中央部には、配管28を通じて吸入源(図示せず)に接続された吸入口29が設けられている。基板Wの上面に供給された処理液は吸入源によって吸入口29から吸入され、系外に排出されるようになっている。なお、供給口25を陰極電極部22の外縁部に設けてもよく、また、吸入口29を陽極電極部21の外縁部に設けてもよい。図3に示すように、基板Wの上面に供給された処理液は表面張力の作用によって基板W上に留まるが、その一部は基板Wから流出する。この場合、基板Wから流出した処理液は基板保持部3の下方に設けられた容器5によって回収される。
【0025】
ここで、図5(a)及び図5(b)を参照して処理液の流れを説明する。
図5(a)は図3に示す陽極電極部及び陰極電極部の拡大断面図を示し、図5(b)は陽極電極部及び陰極電極部の他の構成例を示す拡大断面図である。図5(b)に示す構成例では、供給口25は陰極電極部22の外縁部に設けられており、吸入口29は陽極電極部21の外縁部に設けられている。なお、図5(a)及び図5(b)に示す矢印は処理液の流れを表している。
【0026】
図5(a)及び図5(b)に示すように、処理液は陰極電極部22に設けられた供給口25から基板Wの上面に供給され、基板Wの上面を流れた後に陽極電極部21に設けられた吸入口29から吸入される。このように、供給口25及び吸入口29を電極部の中央部又は外縁部のいずれに設けた場合でも、洗浄液はほぼ同様の流れを伴って供給口25から基板Wの上面を経由して吸入口29に流れる。
【0027】
電解処理装置に使用される処理液は、水やアルコールなどの溶媒と、HClやNH3OHなどの電解質と、イオン性の界面活性剤などの添加剤とから基本的に構成されている。処理液に電解質を加える目的は、主として処理液に導電性を付与するためである。さらに、処理液に電解質を加えることによってpHを調整することができ、被処理物の除去作用を促進させる効果が期待できる。すなわち、pHを下げていけば酸化還元電位が上がって強い酸化力を得ることができ、pHを上げてアルカリ側にすればパーティクル吸着要因であるゼータ電位を下げることができパーティクル除去に効果がある。また、HClなどの酸化力の強いハロゲン化物を電解質として用いた場合、ハロゲン化物の一部は処理液中で電離してハロゲンイオンとなり、このハロゲンイオンが除去すべき被処理物と反応して被処理物を酸化させる。
【0028】
陽極電極部21は、配線31を介して電源32の陽極に電気的に接続され、陰極電極部22は、配線33を介して電源32の陰極に電気的に接続されている。陽極電極部21及び陰極電極部22を構成する材料としては、導電性ダイヤモンドが好適に使用される。なお、導電性ダイヤモンドに代えて、二酸化鉛(PbO2)、白銀(Pt)などを用いてもよい。ここで、二酸化鉛を除けば電源32の陽極と陰極とを反転させることにより、陽極電極部を陰極電極部に、陰極電極部を陽極電極部にすることができる。
【0029】
電源32は、電流の波形を所定の波形に整流する整流器(図示せず)を備えている。この整流器は、電源32から出力される電流の波形を、交流波形、直流波形、直流逆電圧波形(極性を反転させた直流波形)、パルス波形、PRパルス波形、ダブルパルス波形のいずれかに整流することができる。また、整流器は、上述した各電流波形の周波数及び波長を変えることができる。なお、上述したパルス波形は、サイン波形、三角波形、方形、矩形に限定されず、これらの波形の中から2つ以上の波形を組み合わせたものでもよい。
【0030】
図6(a)はPRパルス波形を示す図である。図6(b)は、図6(a)に示すa区間での陽極電極部及び陰極電極部の作用を示す断面図であり、図6(c)は、図6(a)に示すb区間での陽極電極部及び陰極電極部の作用を示す断面図である。なお、図6(a)において、横軸は時間(t)を表し、縦軸は電流の大きさ(A)を表す。
【0031】
図6(a)に示すように、PRパルス波形を持つ電流においては、電流の流れる方向が周期的に変化する。このため、図6(b)に示すように、a区間では陰極電極部22が陽極となり、陽極電極部21が陰極となる。また、b区間では、図6(c)に示すように、陰極電極部22はそのまま陰極として機能し、陽極電極部21もそのまま陽極として機能する。
【0032】
電流波形、周波数、及び波長は、被処理物に応じて適宜選択される。例えば、基板Wの表面に形成された金属を溶解させる場合には直流波形が選択され、金属の表面に付着するレジスト材料を除去する場合には直流逆電圧波形が選択される。また、パーティクルを除去する場合にはパルス波形やPRパルス波形が選択され、処理液中の水の分子構造を微細化させる場合には、マイクロ秒(μs)オーダーの細かい波長を有するパルス波形が選択される。このように、本実施形態に係る電解処理装置は、目的に応じた最適な電流を陽極電極部21及び陰極電極部22に流すことができ、基板W上に存在する様々な被処理物を除去することができる。
【0033】
次に、上述のように構成された電解処理装置の動作について説明する。この例においては、除去すべき被処理物は基板Wの表面に形成された銅(Cu)である。
まず、銅が形成されている面が上を向くように基板Wを基板保持部3に保持させる。往復動用モータ14を駆動してアーム11を基板Wの上方に移動させた後、上下動用モータを駆動して電解ヘッド12を下降させ、電解ヘッド12の下端面と基板保持部3に保持されている基板Wの上面との距離が約1mmとなる位置で停止させる。この状態で、自転用モータ8を駆動して基板Wを回転させ、同時に往復動用モータ14を駆動して電解ヘッド12を揺動させる。
【0034】
処理液供給源27に貯留されている処理液は供給口25から基板Wの上面に供給され、同時に、吸入口29から基板W上の処理液が吸入される。そして、電源32により陽極電極部21と陰極電極部22との間に所定の電圧を印加し、電解処理(電解エッチング)が進行する。なお、電源32から出力される電流の波形は、被処理物に応じて選択され、この例では直流波形が選択されている。
【0035】
図7は本実施形態に係る電解処理装置によってバルク金属または汚染金属である銅を基板上から除去する電解処理が進行する様子を説明するための拡大断面図である。図7に示すように、電解質を含む処理液の存在下で陽極電極部21と陰極電極部22との間に電圧を印加すると、陽極電極部21に近接した銅50の部位は負の電位となり、陰極電極部22に近接した銅50の部位は正の電位となる。この現象はバイポーラ現象と呼ばれている。正の電位が与えられた銅50の部位で銅の酸化反応が起こり(Cu→Cu2++2e−)、負の電位が与えられた銅50の部位でH2が発生するように電圧を制御する。銅50の内部では電位差が生じて電子(e−)が移動する。このようにして、正に帯電した銅50の部位で電解処理(電解エッチング)が進行し、処理すべき銅50が溶解する。
【0036】
基板Wの上面に供給された処理液は、基板Wの上面を経由した後、それぞれの吸入口29から吸入され、連続的に系外に排出される。処理液の一部は基板Wの表面からこぼれ落ちるが、基板保持部3の下方に設けられた容器5によって回収される。なお、本実施形態では、電解処理中に往復動用モータ14を駆動させて電解ヘッド12を揺動させているが、揺動運動に代えてスクロール運動をさせるようにしてもよい。
【0037】
金属を溶解させることを目的とした電解処理では、電源32から出力される電流波形は直流波形に設定され、電源32の出力電圧は10〜100Vに設定される。また、陽極電極部21と陰極電極部22との間の電気抵抗率は5〜50Ω・cmであることが好ましい。
【0038】
次に、本実施形態に係る電解処理装置を用いて基板Wの表面に付着したポリマーやレジストなどの有機物を除去する場合について図8を参照して説明する。図8に示すように、本実施形態に係る電解処理装置を用いてポリマーやレジスト材料などの有機物を除去する場合、基板表面は高い酸化力と速やかな反応促進エネルギーが必要となる。この場合は、基板Wに近い電極が陽極電極部21となり、基板Wから遠い電極が陰極電極部22となる。
【0039】
陽極電極部21を構成する材料としては、導電性ダイヤモンドが好適に使用される。その理由は次の通りである。陽極電極部21からO2が発生し始めるときの電圧(以下、酸素過電圧という)は、陽極電極部21を構成する材料の触媒活性の程度に依存する。この酸素過電圧は、白銀(Pt)<二酸化鉛(PbO2)<ダイヤモンドの順に高くなる。したがって、陽極電極部21の材料として導電性ダイヤモンドを採用することにより、陽極電極部21でのO2の発生が抑制されてO3の発生比率が上昇する。
【0040】
一般に、基板Wに付着したポリマーやレジスト材料を除去する場合に、オゾン水(O3)が使用されることがある。従来のスタンドアローン型のオゾン水製造装置では、オゾン水が基板Wに導かれる間にO3の濃度が低下してしまい、有効な酸化力が得られないという問題がある。
【0041】
本実施形態では、導電性ダイヤモンドを陽極電極部21の材料に使用したことにより、基板Wのごく近傍でO3を発生させることができ、発生したO3が持つ酸化力をポリマーやレジスト材料などの有機物の除去に有効に利用することが可能となる。また、陽極電極部21で発生するO、O2 −、O3 −などの活性酸素種が持つ酸化力を利用することもできる。O3の反応速度を高めるため、パルス波形などの電気エネルギーや電解質の力を利用することでアプリケーション範囲はさらに広がる。
【0042】
上述したように、陽極電極部21と陰極電極部22との間には段差αが設けられているため、陽極電極部21と基板Wとの距離(約1mm)は、陰極電極部22と基板Wとの距離(約(1+α)mm)よりも小さくなる。このような段差αを設けた理由は、基板Wの上面付近の処理液の酸化性または還元性などの特性を、より基板Wに近い方の電極部から発生するガスに依存させようとするものである。本実施形態では、陽極電極部21は陰極電極部22よりも基板Wに近い位置に配置されるため、基板Wの上面付近の処理液に強い酸化力を付与することができる。なお、基板Wの上面の全体に亘って処理液の特性を均一にするためには、陽極電極部21及び陰極電極部22をできるだけ細かく配置することが好ましい。
【0043】
また、供給口25は基板Wに近接して配置され、吸入口29は供給口25よりも基板Wから離れた位置に配置されているため、基板Wの表面から除去されたポリマーやレジスト材料(被処理物)が再度基板Wの表面に付着してしまうことが防止できる。
【0044】
次に、本実施形態に係る電解処理装置により基板Wの上に付着した微小パーティクルを除去する場合やLow−k材に形成された微小なコンタクトホールの内部を洗浄する場合について説明する。
【0045】
一般に、パーティクルを基板Wに吸着させる一要因であるゼータ電位は、pH9〜10で減少するといわれている。本実施形態では、微小パーティクルを除去するため、処理液に添加する添加剤としてイオン性界面活性剤が好適に使用される。また、印加すべき電流波形としてはパルス波形が選択される。さらに、陰極電極部22を基板Wの近くに配置することで処理液に還元力を与え、電解質としてNH3OHを加えることでpH調整を行う。このような組み合わせにより、イオン性界面活性剤で微小パーティクルを包み込み、電場(電界)の作用により微小パーティクルを基板Wの表面から離脱させることができる。
【0046】
金属のパーティクルを基板Wから除去する場合は、添加剤としてイオン性キレート剤やめっき光沢剤などを使用し、極性を持った有機系パーティクルを除去する場合は、イオン性を持った界面活性剤や染料剤などの有機吸着物を使用する。すなわち、イオン性の有機吸着物で上述したパーティクルや有機物を吸着させ、電場(電界)の作用により基板Wの表面から離脱させることができる。
【0047】
Low−k材に形成された微小なコンタクトホールの内部を洗浄する場合は、溶媒として存在する水を電解させることにより水の分子構造を小さくし、コンタクトホールの内部への処理液の浸入を促進させることができる。特に、陽極電極部21及び陰極電極部22に流す電流の波形としてパルス波形を使用することで処理液中の移動度が大きいOH−、H+イオンを増加させることができ、コンタクトホールの内部へ処理液を更に浸入させやすくすることができる。また、移動性イオンが増加することでコンタクトホール内の離脱パーティクルの動きを助長しイオン性有機吸着剤の使用と併せて、コンタクトホール内に存在する除去すべき対象物をコンタクトホール外に放出させることができる。微細孔中の有機物除去には前述のO3を有効利用する。
【0048】
次に、本発明に係る電解処理装置が組み込まれた基板処理装置について図9を参照して詳細に説明する。図9は、本発明に係る電解処理装置を備えた基板処理装置の構成を示す平面図である。なお、以下の説明では、基板Wの表面に形成された銅(Cu)を除去する場合の構成を示しているが、他の被処理物を処理する場合も同様である。
【0049】
図9に示すように、この基板処理装置は、表面に被処理物としての銅が形成された基板Wを収納したカセット(図示せず)を搬出入する一対のロード・アンロード部37と、4基の電解処理装置1と、基板Wを搬送する搬送ロボット38と、これらの機器を収容するハウジング39とを備えている。ハウジング39の中央部には搬送レール40が配置され、この搬送レール40上を搬送ロボット38が自在に移動できるようになっている。電解処理装置1は搬送レール40の両側に2基ずつ配置され、ロード・アンロード部37は搬送レール40の端部近傍に配置されている。そして、搬送ロボット38によりロード・アンロード部37と電解処理装置1との間で基板Wの受け渡しが行われる。
【0050】
次に、上述のように構成された基板処理装置の動作について説明する。
基板Wを収納したカセットはロード・アンロード部37にセットされ、このカセットから1枚の基板Wが搬送ロボット38により取り出される。搬送ロボット38は基板Wを電解処理装置1に搬送し、電解処理装置1の基板保持部3(図1参照)に保持させる。基板Wが基板保持部3に保持されるまで、電解ヘッド12は図2の点線で示す退避位置で待機している。そして、基板Wが基板保持部3に保持された後、電解ヘッド12(図1参照)が基板Wの上面近傍まで移動し、基板上の銅の電解処理(電解エッチング)が行われる。電解処理装置1の動作は上述した通りであるので、ここでの説明を省略する。
【0051】
電解処理完了後、電解ヘッド12は上述した退避位置まで移動し、基板保持部3に保持されている基板Wは搬送ロボット38によりロード・アンロード部37のカセットに戻される。この基板処理装置は4基の電解処理装置1を備えているので、複数枚の基板Wを連続的に電解処理することが可能である。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、いわゆるバイポーラ現象により基板の表面に形成された導電性物質(被処理物)に正の電位を与え、導電性物質を酸化させて電気的に溶解させることができる。また、処理液中に溶媒として存在する水を電気分解させ、陽極電極部から発生するO3及び活性酸素の持つ強い酸化力を利用してポリマーやレジスト材料などの有機物を除去することができる。また、基板表面のパーティクルを除去するために還元雰囲気を形成することができ、電気分解で得られた溶媒の浸透性やイオンの移動性向上により微細孔中への処理液の浸入を促進させ、微細孔中のパーティクル除去、有機物除去を効果的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る電解処理装置の全体構成を示す断面図である。
【図2】図1に示す電解処理装置の概略平面図である。
【図3】図1に示す電解ヘッドの断面図である。
【図4】図3に示す電解ヘッドを矢印Bが示す方向からみたときの図である。
【図5】図5(a)は図3に示す陽極電極部及び陰極電極部の拡大断面図を示し、図5(b)は陽極電極部及び陰極電極部の他の構成例を示す拡大断面図である。
【図6】図6(a)はPRパルス波形を示す図である。図6(b)は、図6(a)に示すa区間での陽極電極部及び陰極電極部の作用を示す断面図であり、図6(c)は、図6(a)に示すb区間での陽極電極部及び陰極電極部の作用を示す断面図である。
【図7】本発明の一実施形態に係る電解処理装置によって電解処理が進行する様子を説明するための拡大断面図である。
【図8】陽極電極部と陰極電極部とを反転させたときの電解ヘッドを示す断面図である。
【図9】本発明に係る電解処理装置を備えた基板処理装置の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1 電解処理装置
3 基板保持部
4 シャフト
5 容器
6 基板保持テーブル
7 支持ピン
8 自転用モータ
11 アーム
12 電解ヘッド
13 動力伝達機構
14 往復動用モータ
21 陽極電極部
22 陰極電極部
25 供給口
26,28 配管
27 処理液供給源
29 吸入口
31,33 配線
32 電源
37 ロード・アンロード部
38 搬送ロボット
39 ハウジング
40 搬送レール
50 被処理物(銅)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrolytic processing apparatus and an electrolytic processing method for removing an object to be processed such as a metal or a resist material, an etching residue, and particles formed on a surface of a substrate such as a semiconductor wafer by using electric energy. is there.
[0002]
[Prior art]
In a semiconductor device manufacturing process, a high degree of cleanliness is required, and a cleaning technique for removing submicron-level stains is becoming increasingly important. In particular, as the miniaturization and high integration of semiconductor devices progress, it is desired to realize a new cleaning technique corresponding to a new material and a manufacturing process being introduced into semiconductor devices.
[0003]
New materials being introduced into semiconductor devices include metals such as Cu, Ru, Co, and Pt. Of these, Cu (copper) tends to cause metal contamination, and thus it is necessary to completely remove excess Cu remaining on the substrate. Cu is difficult to remove by the conventional RCA cleaning method, and is generally removed using an HF-based processing solution. Ozone water (O3The cleaning method using ()) can remove most metals, but cannot completely remove Cu.
[0004]
In recent years, with further miniaturization of semiconductor devices, there is a tendency to use a low-k material as an insulating film. With the introduction of the low-k material, a new cleaning technique that enables removal of the polymer after the low-k material is etched and cleaning of the inside of the fine contact hole formed in the low-k material has been developed. Is desired. Since the diameter of the fine contact hole (wiring hole) is extremely small, there has been a problem that cleaning failure easily occurs inside the contact hole. In addition, it is becoming more difficult to clean the inside of the contact hole due to the further miniaturization of the diameter of the contact hole and the water repellency of the Low-k material.
[0005]
Further, ashing after the formation of the wiring hole causes damage to the low-k material, and thus ashing occurs.2Plasma can no longer be used and a new wet resist stripping process is required. Further, with the introduction of new materials and miniaturization of semiconductor devices described above, the semiconductor device manufacturing process itself is changing. Therefore, realization of a new cleaning technique corresponding to a change in the manufacturing process is required. For example, with the introduction of new resist materials and changes in the etching process, the adhesion strength of polymers and resist residues to underlying layers such as insulating films may be higher than before, and conventional cleaning techniques can remove them. It is considered difficult.
[0006]
Further, in a semiconductor device that is being miniaturized, it is necessary to remove particles having a smaller particle size. Further, recently, there is a concern about a problem of organic contamination generated in a semiconductor device manufacturing process.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and can provide a cleaning effect corresponding to a new material and a manufacturing process being introduced into a semiconductor device. Further, the semiconductor device can be miniaturized and highly integrated. It is an object of the present invention to provide a versatile electrolytic processing apparatus and an electrolytic processing method that can meet the needs for a cleaning technique that is expected to increase further in the future.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-described object, the present invention provides a substrate holding unit that holds a substrate, an anode electrode unit and a cathode electrode unit that are arranged to face the substrate held by the substrate holding unit, A processing liquid supply unit that supplies a processing liquid between the substrate held by the unit and the anode electrode unit and the cathode electrode unit, and a power supply that applies a voltage between the anode electrode unit and the cathode electrode unit. , Is provided.
In this case, a driving mechanism for bringing the anode electrode section and the cathode electrode section close to the substrate held by the substrate holding section and a rotation driving mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding section are further provided. Is preferred.
[0009]
According to the present invention, a positive potential is applied to a conductive substance (an object to be processed) formed on a surface of a substrate by a so-called bipolar phenomenon, and the conductive substance can be oxidized and electrically dissolved.
[0010]
In a preferred aspect of the present invention, the treatment liquid contains an electrolyte.
The main purpose of including the electrolyte in the treatment liquid is to impart good conductivity to the treatment liquid. In the case where a halide having a strong oxidizing power such as hydrogen chloride (HCl) is used as the electrolyte, the object to be treated can be removed by using an ionized halogen ion to enhance the oxidation of the object.
[0011]
Another preferred aspect of the present invention is that the waveform of the current flowing through the anode electrode portion and the cathode electrode portion is at least one of an AC waveform, a DC waveform, a DC reverse voltage waveform, a pulse waveform, a PR pulse waveform, and a double pulse waveform. The rectifier further includes a rectifier for rectifying the rectifier.
According to the present invention, not only oxidation of a conductive substance but also various objects to be processed present on a substrate can be removed by flowing an optimal current according to an object to an anode electrode portion and a cathode electrode portion. . For example, when dissolving a metal formed on the surface of a substrate, a DC waveform utilizing a bipolar phenomenon is selected, and when removing particles, the electric mobility of an ionic surfactant is used instead of the bipolar phenomenon. Pulse waveforms and PR pulse waveforms are selected for use. If it is necessary to make the substrate surface a reducing atmosphere, a reverse voltage waveform of direct current or pulse is selected, and the molecular structure of water is refined to increase the permeability of the processing solution. In the case of performing the conversion, a pulse waveform having a fine wavelength on the order of microseconds (μs) is selected.
[0012]
Another preferred embodiment of the present invention is that a plurality of the anode electrode portions are arranged at equal intervals along a vertical direction and a horizontal direction on the same plane, and the plurality of the cathode electrode portions are two adjacent to each other in an oblique direction. It is characterized in that it is arranged at a substantially central part of the anode electrode part.
In another preferred aspect of the present invention, a plurality of the cathode electrode portions are arranged at equal intervals along a vertical direction and a horizontal direction on the same plane, and the plurality of the anode electrode portions are adjacent to each other in an oblique direction. It is characterized in that it is arranged at a substantially central portion between the two cathode electrode portions.
According to the present invention, uniform processing can be performed over the entire substrate.
[0013]
In another preferred aspect of the present invention, at least one of the anode electrode section and the cathode electrode section is made of conductive diamond or lead dioxide.
Usually, in an electrolytic treatment apparatus, Pt (white silver) is often used as an insoluble electrode. However, in the catalytic reaction of Pt, O2Occurs but O3Does not occur. If conductive diamond is used instead of Pt, oxygen overvoltage (from the anode to O2The voltage at which the onset of occurrence begins)3Can be generated. O if lead dioxide is also used as anode only3Oxygen overvoltage which can generate is obtained. Therefore, according to the present invention, when water existing as a solvent in the treatment liquid is electrolyzed, O2Not only O3Can be generated. And O3Utilizing the strong oxidizing power of the compound, it is possible to decompose and remove etching residues such as polymers and resist materials.
[0014]
In another preferred aspect of the present invention, a distance between the substrate held by the substrate holding portion and the anode electrode portion is different from a distance between the substrate held by the substrate holding portion and the cathode electrode portion. And
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the oxidizing power or the reducing power of the gas generated from the electrode part closer to the substrate can be applied to the processing liquid existing near the surface of the substrate, and the action of removing the processing object can be improved. Can be. In addition, when a voltage whose polarity is periodically inverted is applied between the electrode portions, a change in potential on the substrate surface can be increased. As a result, it is possible to promote the removal of an object to be processed such as particles that are electrostatically adsorbed, and further, the molecular structure of water existing as a solvent is miniaturized, and the processing liquid is injected into a minute contact hole. And the cleaning can be performed satisfactorily.
[0015]
Conventionally used ozone water production equipment is installed independently of the main body of the cleaning equipment, so when the ozone water is moved to the position of the substrate in the cleaning equipment, the ozone is generated during the movement in the piping. Decomposition sometimes did not provide a uniform ozone concentration.
In addition, since the electrolytic ion water production equipment is also installed alone, the reactive state obtained by electrolysis, dissociated ions with high electromobility, and the modified state of the solvent having a micromolecular structure are maintained on the substrate There was something I couldn't do.
In the present invention, by performing these electrolytic reactions and generation of ozone very close to the substrate, various phenomena obtained by electrolysis and ozone can be effectively exerted. Can be made faster by applying electrical auxiliary energy.
[0016]
In another preferred aspect of the present invention, a supply port of the processing liquid supply unit is provided in the anode electrode unit or the cathode electrode unit, and a suction port for sucking the processing liquid supplied from the supply port is the anode electrode unit or It is characterized in that it is provided on the cathode electrode section.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the electrolytic processing apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view of the electrolytic processing apparatus shown in FIG.
[0018]
As shown in FIG. 1, the electrolytic processing apparatus according to the present embodiment includes a
[0019]
The
[0020]
The electrolyzing apparatus according to the present embodiment includes an
[0021]
Next, the configuration of the
As shown in FIGS. 3 and 4, the
[0022]
As shown in FIG. 4, the
[0023]
As shown in FIGS. 3 and 4, the
[0024]
The
[0025]
Here, the flow of the processing liquid will be described with reference to FIGS. 5A and 5B.
FIG. 5A is an enlarged sectional view of the anode electrode section and the cathode electrode section shown in FIG. 3, and FIG. 5B is an enlarged sectional view showing another configuration example of the anode electrode section and the cathode electrode section. In the configuration example shown in FIG. 5B, the
[0026]
As shown in FIGS. 5A and 5B, the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W from a
[0027]
The processing liquid used in the electrolytic processing apparatus includes a solvent such as water or alcohol, and HCl or NH.3It is basically composed of an electrolyte such as OH and an additive such as an ionic surfactant. The purpose of adding the electrolyte to the treatment liquid is mainly to impart conductivity to the treatment liquid. Further, the pH can be adjusted by adding an electrolyte to the treatment liquid, and an effect of promoting the action of removing the object can be expected. In other words, if the pH is lowered, the oxidation-reduction potential rises and a strong oxidizing power can be obtained, and if the pH is raised and turned to the alkali side, the zeta potential which is a factor of particle adsorption can be lowered, which is effective for particle removal. . Also, when a halide having a strong oxidizing power such as HCl is used as an electrolyte, a part of the halide is ionized in the processing solution to become a halogen ion, and the halogen ion reacts with the object to be removed to form an object. The processed material is oxidized.
[0028]
The
[0029]
The
[0030]
FIG. 6A shows a PR pulse waveform. FIG. 6B is a cross-sectional view showing the operation of the anode electrode unit and the cathode electrode unit in section a shown in FIG. 6A, and FIG. 6C is a section b shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the operation of the anode electrode unit and the cathode electrode unit in FIG. In FIG. 6A, the horizontal axis represents time (t), and the vertical axis represents current magnitude (A).
[0031]
As shown in FIG. 6A, in a current having a PR pulse waveform, the direction in which the current flows changes periodically. For this reason, as shown in FIG. 6B, in section a, the
[0032]
The current waveform, frequency, and wavelength are appropriately selected depending on the object to be processed. For example, a DC waveform is selected when dissolving the metal formed on the surface of the substrate W, and a DC reverse voltage waveform is selected when removing the resist material attached to the metal surface. When removing particles, a pulse waveform or a PR pulse waveform is selected, and when refining the molecular structure of water in the processing solution, a pulse waveform having a fine wavelength on the order of microseconds (μs) is selected. Is done. As described above, the electrolytic processing apparatus according to the present embodiment allows an optimal current according to the purpose to flow through the
[0033]
Next, the operation of the electrolytic processing apparatus configured as described above will be described. In this example, the object to be removed is copper (Cu) formed on the surface of the substrate W.
First, the substrate W is held by the
[0034]
The processing liquid stored in the processing
[0035]
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view for explaining a state in which electrolytic processing for removing copper, which is a bulk metal or a contaminant metal, from the substrate is progressed by the electrolytic processing apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 7, when a voltage is applied between the
[0036]
The processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W passes through the upper surface of the substrate W, is sucked from each
[0037]
In the electrolytic treatment for dissolving the metal, the current waveform output from the
[0038]
Next, a case of removing an organic substance such as a polymer or a resist attached to the surface of the substrate W using the electrolytic processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 8, when removing an organic substance such as a polymer or a resist material using the electrolytic processing apparatus according to the present embodiment, the substrate surface needs a high oxidizing power and a quick reaction promoting energy. In this case, an electrode close to the substrate W is the
[0039]
As a material forming the
[0040]
Generally, when removing a polymer or a resist material attached to the substrate W, ozone water (O3) May be used. In the conventional stand-alone type ozone water producing apparatus, while the ozone water is3However, there is a problem that the effective oxidizing power cannot be obtained due to a decrease in the concentration.
[0041]
In the present embodiment, since the conductive diamond is used for the material of the
[0042]
As described above, since the step α is provided between the
[0043]
Further, the
[0044]
Next, a case where the electrolytic processing apparatus according to the present embodiment removes minute particles attached to the substrate W and a case where the inside of minute contact holes formed in the Low-k material is cleaned will be described.
[0045]
Generally, it is said that the zeta potential, which is one factor causing particles to be adsorbed to the substrate W, decreases at pH 9 to 10. In the present embodiment, an ionic surfactant is suitably used as an additive to be added to the treatment liquid in order to remove fine particles. A pulse waveform is selected as a current waveform to be applied. Further, by disposing the
[0046]
When removing metal particles from the substrate W, an ionic chelating agent or plating brightener is used as an additive, and when removing organic particles having polarity, an ionic surfactant or Use organic adsorbents such as dyes. That is, the above-mentioned particles and organic substances can be adsorbed by the ionic organic adsorbate, and can be separated from the surface of the substrate W by the action of an electric field (electric field).
[0047]
When cleaning the inside of a small contact hole formed in a low-k material, the molecular structure of water is reduced by electrolyzing water existing as a solvent, and the penetration of the processing solution into the inside of the contact hole is promoted. Can be done. In particular, by using a pulse waveform as the waveform of the current flowing through the
[0048]
Next, a substrate processing apparatus incorporating the electrolytic processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus provided with the electrolytic processing apparatus according to the present invention. Note that, in the following description, a configuration in which copper (Cu) formed on the surface of the substrate W is removed is shown, but the same applies to a case where another workpiece is processed.
[0049]
As shown in FIG. 9, the substrate processing apparatus includes a pair of load / unload
[0050]
Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described.
The cassette storing the substrates W is set in the loading /
[0051]
After the completion of the electrolytic processing, the
[0052]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a positive potential is applied to a conductive substance (object to be processed) formed on the surface of a substrate by a so-called bipolar phenomenon, and the conductive substance is oxidized and electrically dissolved. be able to. Further, water existing as a solvent in the treatment liquid is electrolyzed to generate
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an overall configuration of an electrolytic processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view of the electrolytic processing apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the electrolytic head shown in FIG.
FIG. 4 is a diagram when the electrolytic head shown in FIG. 3 is viewed from a direction indicated by an arrow B.
5 (a) is an enlarged cross-sectional view of the anode electrode section and the cathode electrode section shown in FIG. 3, and FIG. 5 (b) is an enlarged cross section showing another configuration example of the anode electrode section and the cathode electrode section. FIG.
FIG. 6A is a diagram showing a PR pulse waveform. FIG. 6B is a cross-sectional view showing the operation of the anode electrode unit and the cathode electrode unit in section a shown in FIG. 6A, and FIG. 6C is a section b shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the operation of the anode electrode unit and the cathode electrode unit in FIG.
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view for explaining a state in which the electrolytic processing is performed by the electrolytic processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a sectional view showing the electrolytic head when the anode electrode unit and the cathode electrode unit are inverted.
FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus provided with the electrolytic processing apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
1 electrolytic treatment equipment
3 Board holding part
4 shaft
5 containers
6 Board holding table
7 Support pins
8 Rotating motor
11 arms
12 Electrolysis head
13 Power transmission mechanism
14 Reciprocating motor
21 Anode electrode part
22 Cathode electrode
25 Supply port
26, 28 piping
27 Treatment liquid supply source
29 Inlet
31, 33 wiring
32 power supply
37 Load / Unload section
38 Transfer robot
39 Housing
40 transport rail
50 Workpiece (copper)
Claims (15)
前記基板保持部に保持された基板と向き合うように配置された陽極電極部及び陰極電極部と、
前記基板保持部に保持された基板と前記陽極電極部及び前記陰極電極部との間に処理液を供給する処理液供給部と、
前記陽極電極部と前記陰極電極部との間に電圧を印加する電源と、を備えたことを特徴とする電解処理装置。A substrate holding unit for holding the substrate,
An anode electrode unit and a cathode electrode unit arranged so as to face the substrate held by the substrate holding unit,
A processing liquid supply unit that supplies a processing liquid between the substrate held by the substrate holding unit and the anode electrode unit and the cathode electrode unit,
An electrolytic processing apparatus comprising: a power supply for applying a voltage between the anode electrode unit and the cathode electrode unit.
前記基板保持部に保持された基板を回転させる回転駆動機構とを更に設けたことを特徴とする請求項1に記載の電解処理装置。A drive mechanism for bringing the anode electrode portion and the cathode electrode portion close to a substrate held by the substrate holding portion,
2. The electrolytic processing apparatus according to claim 1, further comprising a rotation driving mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding unit.
基板と前記陽極電極部及び前記陰極電極部との間に処理液を供給し、
前記陽極電極部と前記陰極電極部との間に電圧を印加することを特徴とする電解処理方法。Bring the anode and cathode electrodes close to the substrate,
Supplying a processing liquid between the substrate and the anode electrode portion and the cathode electrode portion,
An electrolytic treatment method, wherein a voltage is applied between the anode electrode unit and the cathode electrode unit.
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