JP2004095854A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を有し且つ反りを生じないか、あるいは反りにくい多層配線基板を提供する。
【解決手段】表面３および裏面４を有するコア基板２と、かかるコア基板２の表面３上方に形成され且つ複数の絶縁層１８，２４およびその層間に位置する複数の配線層２２，２８からなるビルドアップ層ＢＵと、を含み、上記コア基板２は、表面６および裏面７を有する中間絶縁層５と、かかる中間絶縁層５の表面６に形成した表面絶縁層８と、上記中間絶縁層５の裏面７に形成した裏面絶縁層９と、を備え、かかる裏面絶縁層９の厚みｔ２が上記表面絶縁層８の厚みｔ１よりも厚い、多層配線基板１。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の絶縁層からなるコア基板とその表面上方にのみビルドアップ層を形成した多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、低コスト化の要請に応じるため、図６（Ａ）に示すように、コア基板４１の片面（表面）４２上方にのみ複数の絶縁層４５，４９，５１および複数の配線層４４，４７，５０を積層したビルドアップ層ＢＵを形成した配線基板４０が提案されている。上記コア基板４１は、厚み約８００μｍの絶縁板であり、その表面４２上方に厚み約３０μｍの絶縁層４５，４９，５１と厚み約１５μｍの配線層４４，４７，５０とを交互に積層している。
また、図６（Ａ）に示すように、配線層４４，４７，５０間を導通するため、ビア導体４６，４８が絶縁層４５，４９に形成されている。更に、最上層の配線層５０上の所定の位置には、絶縁層５１を貫通し且つ第１主面５３よりも高く突出するハンダバンプ５４が複数形成され、第１主面５３上に実装する図示しないＩＣチップなどの電子部品の端子と個別に接続される。
【０００３】
以上のような配線基板４０おいては、コア基板４１の表面４２側に絶縁層４５，４９，５１と配線層４４，４７，５０とからなるビルドアップ層ＢＵを形成しているのに対し、コア基板４１の裏面４３側には何も形成されていない。
このため、コア基板４１と絶縁層４５，４９，５１との熱膨張率の差により、図６（Ａ）中の一点鎖線で示すように、配線基板４０全体が、当該配線基板４０の厚み方向と垂直方向の長さ３３０ｍｍに対し、厚み方向に約４〜５ｍｍ変形した反りを生じることがある。かかる反りにより、例えば配線層４４，４７，５０、ビア導体４６，４８、およびハンダバンプ５４相互間の接続が不十分になったり、ハンダバンプ５４とＩＣチップなどの電子部品との接続が不十分となるため、これらの間において導通が取れなくなる、という問題があった。
【０００４】
以上の問題点を解決するため、図６（Ｂ）に示すような配線基板６０も検討されている。即ち、配線基板６０は、厚み約８００μｍの絶縁板であるコア基板６１と、その表面６２上方に厚み約３０μｍの絶縁層７０，７６，８２と厚み約１５μｍの配線層６８，７４，８０とを交互に積層したビルドアップ層ＢＵと、コア基板６１の裏面６３に形成した厚み約１５μｍの配線層６９および厚みが約４０μｍの裏面絶縁層（ソルダーレジスト層）７１と、を備えている。
コア基板６１には、その表面６２と裏面６３との間を貫通する複数のスルーホール６４が形成され、それらの内壁に沿ってスルーホール導体６６および充填樹脂６７が形成されている。各スルーホール導体６６は、上端と下端で配線層６８，６９と接続している。
【０００５】
図６（Ｂ）に示すように、上記配線層６８，７４，８０間を導通するため、ビア導体７２，７８が絶縁層７０，７６に形成されている。最上層の配線層８０上の所定の位置には、絶縁層（ソルダーレジスト層）８２を貫通し且つ第１主面８４よりも高く突出するハンダバンプ８６が複数形成され、第１主面８４上に実装する図示しないＩＣチップなどの電子部品の端子と個別に接続される。
一方、図６（Ｂ）に示すように、コア基板６１の裏面６３に形成した配線層６９から延び且つ絶縁層７１の開口部７５から第２主面７３側に露出する配線７７は、図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子として用いられる。
以上の配線基板６０では、コア基板６１を挟んでビルドアップ層ＢＵと厚めの絶縁層（ソルダーレジスト層）７１が配置されている。このため、コア基板６１と絶縁層７０，７６，８２との熱膨張率の差による反りは、図６（Ｂ）中の一点鎖線で示すように、第２主面７３寄りのある程度の変形に抑制される。
【０００６】
【発明が解決すべき課題】
しかしながら、図６（Ｂ）に示す反りによっても、配線層６８，７４，８０、ビア導体７２，７８、ハンダバンプ８６、スルーホール導体６６、および、配線層６９の相互間の接続が不十分になり得るため、これらの間において導通が取れなくなる、という問題があった。また、ハンダバンプ８６とＩＣチップなどの電子部品との接続も不十分になる、という問題もあった。
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を有し且つ反りを生じないか、あるいは反りにくい多層配線基板を提供する、ことを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、コア基板を３つの絶縁層から形成し、それらの間における厚みや材質を相違させるか、コア基板の表面および裏面に個別に形成する表面配線層と裏面配線層との面積を相違させる、ことに着目して成されたものである。
即ち、本発明の第１の多層配線基板（請求項１）は、表面および裏面を有するコア基板と、かかるコア基板の表面上方に形成され且つ複数の絶縁層およびその層間に位置する複数の配線層からなるビルドアップ層と、を含み、上記コア基板は、表面および裏面を有する中間絶縁層と、かかる中間絶縁層の表面に形成した表面絶縁層と、上記中間絶縁層の裏面に形成した裏面絶縁層と、を備え、かかる裏面絶縁層の厚みが上記表面絶縁層の厚みよりも厚い、ことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、コア基板における裏面絶縁層の厚みを表面絶縁層よりも厚くしたため、かかるコア基板の表面上方に形成されるビルドアップ層の熱膨張・収縮による反り変形をなくすか、抑制することが可能となる。従って、複数の平坦な絶縁層および複数の平坦な配線層からなるビルドアップ層を有するため、信頼性の高い多層配線基板となる。上記裏面絶縁層の厚みと上記表面絶縁層の厚みとは、同じ素材の場合、少なくとも３０μｍ以上の差を設けるものとする。
尚、コア基板の中間絶縁層の表面および裏面には、所定パターンを有する一対のコア配線層が個別に形成されていても良い。また、コア基板の表面および裏面にも、所定パターンの表面配線層と裏面配線層とがされていても良い。更に、コア基板の表面と裏面との間に上記３層の絶縁層を貫通するスルーホール導体が形成されていても良く、かかるスルーホール導体は、その中間で上記一対のコア配線層と個別に接続されていても良い。
【０００９】
また、本発明の第２の多層配線基板（請求項２）は、表面および裏面を有するコア基板と、かかるコア基板の表面上方に形成され且つ複数の絶縁層およびその層間に位置する複数の配線層からなるビルドアップ層と、を含み、上記コア基板は、表面および裏面を有する中間絶縁層と、かかる中間絶縁層の表面に形成した表面絶縁層と、上記中間絶縁層の裏面に形成した裏面絶縁層と、を備え、上記裏面絶縁層は硬化収縮の大きな無機繊維を含み且つ上記表面絶縁層はかかる無機繊維を含まないか硬化収縮の小さな無機繊維を含む、ことを特徴とする。
【００１０】
これによれば、コア基板の裏面絶縁層は硬化収縮の大きな無機繊維を含むのに対し、コア基板の表面絶縁層はかかる無機繊維を含まないか硬化収縮の小さな無機繊維を含むため、かかるコア基板の表面上方に形成されるビルドアップ層と裏面絶縁層との熱膨張・収縮が互いに打ち消し合う。このため、反り変形をなくすか抑制可能で、平坦性が確保された多層配線基板となる。
尚、裏面絶縁層に含まれる無機繊維の硬化収縮と表面絶縁層に含まれる無機繊維の硬化収縮との差は、少なくとも１０００ｐｐｍ以上とすることが必要である。また、上記無機繊維は、ガラスやシリコンなどの無機材からなるフィラ、不織布、あるいはクロスの何れかである。更に、前記第１の多層配線基板のコア基板における裏面絶縁層の厚みを表面絶縁層の厚みよりも厚くする構成を、上記第２の多層配線基板に併用した形態としても良い。
【００１１】
更に、本発明の第３の多層配線基板（請求項３）は、表面および裏面を有するコア基板と、かかるコア基板の表面および裏面に個別に形成された表面配線層および裏面配線層と、上記コア基板の表面上方に形成され且つ複数の絶縁層およびその層間に位置する複数の配線層からなるビルドアップ層と、を含み、上記コア基板は、表面および裏面を有する中間絶縁層と、かかる中間絶縁層の表面に形成した表面絶縁層と、上記中間絶縁層の裏面に形成した裏面絶縁層と、を備え、平面視における上記裏面配線層の面積は、上記表面配線層の面積よりも大きく形成されている、ことを特徴とする。
【００１２】
これによれば、コア基板の表面に形成される表面配線層に対し、かかるコアの裏面に形成される裏面配線層の面積率を大きくしているため、かかるコア基板の表面上方に形成されるビルドアップ層と上記裏面配線層との熱膨張・収縮が互いに打ち消し合う。このため、反り変形をなくすか抑制可能で、平坦性が確保された多層配線基板となる。同じ素材で且つ同じ厚みの裏面配線層と表面配線層との面積率の差は、少なくとも１０％以上が必要である。
尚、前記第１の多層配線基板のコア基板における裏面絶縁層の厚みを表面絶縁層の厚みよりも厚くする構成を、上記第３の多層配線基板に併用した形態、前記第２の多層配線基板のコア基板における無機繊維の有無または硬化収縮が相違する構成を、第３の多層配線基板に併用した形態、あるいは、前記第１および第２の多層配線基板の構成を上記第３の多層配線基板に併用した形態としても良い。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１は、本発明の第１の多層配線基板１における主要部の断面を示す。
かかる多層配線基板１は、図１に示すように、表面３および裏面４を有するコア基板２と、かかるコア基板２の表面３上方に形成され且つ複数の絶縁層１８，２４および複数の配線層２２，２８からなるビルドアップ層ＢＵと、を含む。
上記コア基板２は、図１に示すように、表面６および裏面７を有し且つ厚みが約４００μｍの中間絶縁層５と、かかる中間絶縁層５の表面６に形成され且つ厚みｔ１が約３０μｍの表面絶縁層８と、中間絶縁層５の裏面７に形成され且つ厚みｔ２が約６０μｍの裏面絶縁層９と、を備えている。中間絶縁層５の表面６および裏面７には、所定パターンのコア配線層１０，１１が個別に形成され、これらを含めたコア基板２は、図１に示すような多層基板である。
【００１４】
上記中間絶縁層５、表面絶縁層８、および裏面絶縁層９は、それぞれガラス繊維などの無機繊維を含むエポキシ系樹脂などからなる。また、コア配線層１０，１１は、厚みが約１５μｍの銅メッキ膜からなる。
尚、表面絶縁層８の表面はコア基板２の表面３であり、裏面配線層９の表面はコア基板２の裏面４である。
図１に示すように、コア基板２の表面３と裏面４との間には、複数のスルーホール１４が貫通し、その内壁面に沿って上記同様の銅メッキ膜からなるほぼ円筒形のスルーホール導体１５が形成され、かかるスルーホール導体１５の内側には、非導電性または導電性の樹脂からなる充填樹脂１６が形成されている。スルーホール導体１４は、その中間の位置でコア配線層１０，１１と接続されている。
【００１５】
また、図１に示すように、コア基板２の表面３および裏面４には、所定パターンを有し前記同様の銅メッキ膜からなる表面配線層１２および裏面配線層１３が個別に形成されている。表面配線層１２は、各スルーホール導体１４の上端と接続し、裏面配線層１３は、各スルーホール導体１４の下端と接続している。このため、コア配線層１０，１１、表面配線層１２、および裏面配線層１３は、スルーホール導体１４を介して互いに導通可能されている。
図１に示すように、コア基板２の表面３および表面配線層１２の上方には、ビルドアップ層ＢＵを形成する絶縁層１８，２４と配線層２２，２８とが交互に積層されている。かかる絶縁層１８，２４は、シリカフィラなどの無機フィラを含み厚みが約４０μｍのエポキシ系樹脂などからなり、上記配線層２２，２８は、前記同様の銅メッキ膜からなる。
表面配線層１２、配線層２２，２８の相互の間は、図１に示すように、絶縁層１８，２４を貫通する銅メッキからなるビア導体（フィルドビア）２０，２６を介して導通されている。
【００１６】
更に、図１に示すように、絶縁層２４および最上層の配線層２８の上には、厚みが約３０μｍの絶縁層（ソルダーレジスト層）３０が形成され、配線層２８上の適所からは絶縁層３０を貫通して第１主面３２よりも高く突出するハンダバンプ３４が複数形成されている。かかるハンダバンプ３４は、例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点合金からなり、図１に示すように、第１主面３２上に実装するＩＣチップ（半導体素子）３６の図示しない端子と個別に接続される。尚、かかる端子と各バンプ３４とは、図示しないアンダーフィル材により埋設されて保護される。
一方、図１に示すように、コア基板２の裏面４の上方（図示で下側）には、厚みが約３０μｍのエポキシ系樹脂などからなる絶縁層（ソルダーレジスト層）１７が形成され、その表面である第２主面２３に開口する開口部１９の底面にはね裏面配線層１３から延びた配線２１が露出する。かかる配線２１は、その表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキが施され、図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続に活用される。
【００１７】
以上のような第１の多層配線基板では、コア基板２を形成し且つその中間絶縁層５を挟んで位置する一方の裏面絶縁層９の厚みｔ２が他方の表面絶縁層８の厚みｔ１よりも厚く形成されている。このため、かかる裏面絶縁層９とコア基板２を挟んで反対側の表面３上方に形成されるビルドアップ層ＢＵの熱膨張・収縮による反り変形をなくすか、抑制することが可能となる。従って、複数の平坦な絶縁層１８，２４および複数の平坦な配線層２２，２８からなるビルドアップ層を含むため、信頼性の高い多層配線基板となる。
尚、前記裏面絶縁層９の厚みｔ２は、表面絶縁層８の厚みｔ１よりも少なくとも３０μｍ以上厚くすることにより、上述した効果を得ることができる。
【００１８】
ここで、第１の多層配線基板１の製造方法について説明する。
図２（Ａ）は、表面６および裏面７を有し且つこれらに厚みが１８μｍの銅箔６ａ，７ａを個別に貼り付けた中間絶縁層５の断面を示す。かかる銅箔６ａ，７ａの上に図示しない感光性樹脂を形成し、所定パターンの露光および現像を行う。
その結果、図２（Ｂ）に示すように、銅箔６ａ，７ａの上には、上記パターンに倣ったエッチングレジスト６ｂ，７ｂが形成される。次に、かかるレジスト６ｂ，７ｂの間から露出する上記銅箔６ａ，７ａをエッチングした後、上記レジスト６ｂ，７ｂを公知の剥離液により剥離する。
その結果、図２（Ｃ）に示すように、中間絶縁層５の表面６と裏面７とには、上記パターンに倣ったコア配線層１０，１１が形成される。
【００１９】
次いで、図２（Ｄ）に示すように、中間絶縁層５の表面６およびコア配線層１０の上に厚みが前記ｔ１の表面絶縁層８を、中間絶縁層５の裏面７およびコア配線層１１の上（図示で下側）に厚みが前記ｔ２の裏面絶縁層９を、形成する。
この結果、図２（Ｄ）に示すように、３つの絶縁層５，８，９およびこれらの間に位置するコア配線層１０，１１からなり、表面３および裏面４を有する多層基板のコア基板２が形成される。
更に、コア基板２における所定の位置に図示しないレーザを照射するか細径のドリルを挿入する。その結果、図３（Ａ）に示すように、コア基板２の表面３と裏面４との間を貫通し且つ中間でコア配線層１０，１１を貫通する内径が約２００μｍのスルーホール１４が複数形成される。
【００２０】
次に、各スルーホール１４の内壁に予めＰｄなどを含むメッキ触媒を付着した後、コア基板２の全面に対して無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。
その結果、図３（Ｂ）に示すように、各スルーホール１４の内壁に沿ってスルーホール導体１５が形成され、コア基板２の表面３および裏面４には、銅メッキ膜３ａ，４ａが個別に形成される。この際、各スルーホール導体１５は、その中間でコア配線層１０，１１と接続される。
次いで、図３（Ｃ）に示すように、各スルーホール導体１４の内側に、シリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂からなる充填樹脂１６を形成した後、銅メッキ膜３ａ，４ａの上に前記同様のエッチングレジストを形成し且つかかるレジストの間から露出する上記銅メッキ膜３ａ，４ａをエッチングする。
その結果、図３（Ｃ）に示すように、コア基板２の表面３および裏面４には、所定パターンの表面配線層１２および裏面配線層１３が個別に形成される。
【００２１】
更に、コア基板２の表面３および表面配線層１２の上方に、ビルドアップ層ＢＵを形成する。かかるビルドアップ工程は、図１で示したように、ビルドアップ層ＢＵを形成する絶縁層１８，２４、配線層２２，２８、ビア導体２０，２６、およびソルダーレジスト層（絶縁層）３０を、公知のビルトアップ技術（セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術）によって形成する。加えて、最上層の配線層２８の適所には、ハンダバンプ（ＩＣ接続端子）３４を第１主面３２側に形成する。
【００２２】
そして、前記図１で示したように、コア基板２の裏面４および裏面配線層１３の上方（図３（Ｃ）で下側）にソルダーレジスト層（絶縁層）１７を形成し、その所定の位置に第２主面２３側に開口する複数の開口部１９を、レーザ加工などにより形成する。裏面配線層１３から延び且つ開口部１９の底面に露出する配線２１の表面に、ＮｉメッキおよびＡｕメッキを形成する。
これにより、前記図１に示した多層配線基板１を得ることができる。
以上の各工程は、製品単位である複数のコア基板２を有する多数個取り用の基板（パネル）の状態で行っても良い。
【００２３】
図４は、本発明の第２の多層配線基板１ａにおける主要部の断面を示す。
多層配線基板１ａもコア基板２およびその表面３上方のビルドアップ層ＢＵを備えている。上記コア基板２は、図４に示すように、表面６および裏面７を有し且つ厚みが約６００μｍの中間絶縁層５と、かかる中間絶縁層５の表面６に形成され且つ厚みが約３０μｍの表面絶縁層８と、中間絶縁層５の裏面７に形成され且つ厚みが約６０μｍの裏面絶縁層９ａと、を前記同様に備えた多層基板である。中間絶縁層５の表面６と裏面７には、前記同様のコア配線層１０，１１が個別に形成されている。
【００２４】
上記中間絶縁層５、表面絶縁層８、および裏面絶縁層９ａは、それぞれガラス繊維などの無機繊維を含むエポキシ系樹脂などからなる。このうち、裏面絶縁層９ａには、硬化収縮が大きなガラスクロスが含まれ、且つ表面絶縁層８には、硬化収縮が小さなガラスクロスが含まれている。両者間における硬化収縮の差は、少なくとも１０００ｐｐｍ以上に設定される。
また、図４に示すように、コア基板２の表面３と裏面４との間には、前記同様のスルーホール１４やスルーホール導体１５が複数貫通し、コア基板２の表面３および表面配線層１２の上方には、前記同様のビルドアップ層ＢＵ、絶縁層３０、および複数のハンダバンプ３４が形成される。
【００２５】
更に、図４に示すように、上記コア基板２の裏面４および裏面配線層１３の上方（図示で下側）には、前記同様に絶縁層１７、開口部１９、および表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキが被覆された配線２１が形成される。
以上のような第２の多層配線基板１ａによれば、コア基板２の裏面絶縁層９ａは硬化収縮の大きな無機繊維を含むのに対し、コア基板２の表面絶縁層８は硬化収縮の小さな無機繊維を含むため、かかるコア基板２の表面３上方に形成されるビルドアップ層ＢＵと裏面絶縁層９ａとの熱膨張・収縮が互いに打ち消し合う。このため、反り変形をなくすか抑制可能で、平坦性が確保された多層配線基板となる。尚、表面絶縁層８は無機繊維を含まないものとしても良い。また、かかる第２の多層配線基板１ａも前述した各工程によって製造することができる。
【００２６】
図５は、本発明の第３の多層配線基板１ｂにおける主要部の断面を示す。
多層配線基板１ｂもコア基板２およびその表面３上方のビルドアップ層ＢＵを備えている。上記コア基板２は、図５に示すように、表面６および裏面７を有し且つ厚みが約５００μｍの中間絶縁層５と、かかる中間絶縁層５の表面６に形成され且つ厚みが約３０μｍの表面絶縁層８と、中間絶縁層５の裏面７に形成され且つ厚みが約６０μｍの裏面絶縁層９と、を前記同様に備えた多層基板である。中間絶縁層５の表面６と裏面７には、前記同様のコア配線層１０，１１が個別に形成されている。
【００２７】
上記中間絶縁層５、表面絶縁層８、および裏面絶縁層９は、それぞれガラス繊維などの無機繊維を含むエポキシ系樹脂などからなる。
また、図５に示すように、コア基板２の表面３と裏面４との間には、前記同様のスルーホール１４やスルーホール導体１５が複数貫通し、コア基板２の表面３および表面配線層１２の上方には、前記同様のビルドアップ層ＢＵ、絶縁層３０、および複数のハンダバンプ３４が形成される。
更に、図５に示すように、上記コア基板２の裏面４および裏面配線層１３ａの上方（図示で下側）には、前記同様に絶縁層１７、開口部１９、および表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキが被覆された配線２１が形成される。
【００２８】
裏面配線層１３ａは、表面配線層１２と同じ厚みの銅メッキ膜からなるが、図５に示すように、平面視における裏面配線層１３ａの面積は、表面配線層１２の面積よりも大きく形成されている。かかる裏面配線層１３ａの面積を大きくすることにより、コア基板２の表面３上方に形成されるビルドアップ層ＢＵの熱膨張による反りをなくすか、極く僅かに抑制することが可能となる。かかる効果を得るため、裏面配線層１３ａの面積は、平面視において表面配線層１２の面積よりも少なくとも１０％以上大きく形成することが必要である。併せて、コア基板２における裏面４寄りのコア配線層１１の面積を、表面３寄りのコア配線層１０の面積よりも大きくすると、更に反りを防ぐ上で好適となる。
以上のような第３の多層配線基板１ｂによっても、反り変形をなくすか抑制可能で、平坦性が確保された多層配線基板とすることができる。尚、かかる第３の多層配線基板１ｂも前述した各工程によって製造することができる。
【００２９】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記コア基板２を形成する絶縁層５，８，９，９ａの材質は、前記ガラス繊維または炭素繊維を含むものであれば、エポキシ系樹脂の他、ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いても良い。あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複合材料などを用いることも可能である。
前記スルーホール導体１５、表面配線層１２、配線層２２などの材質は、前記Ｃｕ（銅）の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系合金などにしても良く、あるいは金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
【００３０】
更に、前記ビルドアップ層ＢＵの絶縁層１８，２４などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性などを有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス繊維またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
また、ビア導体は、前記フィルドビア導体２０などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタックガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【００３１】
【発明の効果】
以上に説明した本発明の第１の多層配線基板（請求項１）によれば、コア基板における裏面絶縁層の厚みを表面絶縁層よりも厚くしたため、かかるコア基板の表面上方に形成されるビルドアップ層による反り変形をなくすか、抑制することが可能となる。従って、複数の平坦な絶縁層および複数の平坦な配線層からなるビルドアップ層を有する信頼性の高い多層配線基板となる。
【００３２】
また、第２の多層配線基板（請求項２）によれば、コア基板の裏面絶縁層は硬化収縮の大きな無機繊維を含み、コア基板の表面絶縁層はかかる無機繊維を含まないか硬化収縮の小さな無機繊維を含むため、コア基板の表面上方に形成されるビルドアップ層と裏面絶縁層とが反りを互いに打ち消し合う。このため、反り変形をなくすか抑制可能で、平坦性が確保された多層配線基板となる。
更に、第３の多層配線基板（請求項３）によれば、コア基板の表面に形成される表面配線層よりも、コアの裏面に形成される裏面配線層の面積率を大きくしているため、かかるコア基板の表面上方に形成されるビルドアップ層と上記裏面配線層との熱膨張・収縮が互いに打ち消し合う。従って、反り変形をなくすか抑制可能で、平坦性が確保された多層配線基板となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の多層配線基板における要部を示す断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は図１の多層配線基板の製造工程を示す概略図。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は図２（Ｄ）に続く製造工程を示す概略図。
【図４】本発明の第２の多層配線基板における要部を示す断面図。
【図５】本発明の第３の多層配線基板における要部を示す断面図。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は従来の配線基板における主要部を示す断面図。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ…配線基板、　　　　　２………………コア基板、
３，６…………表面、　　　　　　　４，７…………裏面、
５………………中間絶縁層、　　　　８………………表面絶縁層、
９，９ａ………裏面絶縁層、　　　　１２……………表面配線層、
１３，１３ａ…裏面配線層、　　　　１８，２４……絶縁層、
２２，２８……配線層、　　　　　　ＢＵ……………ビルドアップ層、
ｔ１，ｔ２……厚み

Claims (3)

1. 表面および裏面を有するコア基板と、
   上記コア基板の表面上方に形成され且つ複数の絶縁層およびその層間に位置する複数の配線層からなるビルドアップ層と、を含み、
   上記コア基板は、表面および裏面を有する中間絶縁層と、かかる中間絶縁層の表面に形成した表面絶縁層と、上記中間絶縁層の裏面に形成した裏面絶縁層と、を備え、かかる裏面絶縁層の厚みが上記表面絶縁層の厚みよりも厚い、
   ことを特徴とする多層配線基板。
2. 表面および裏面を有するコア基板と、
   上記コア基板の表面上方に形成され且つ複数の絶縁層およびその層間に位置する複数の配線層からなるビルドアップ層と、を含み、
   上記コア基板は、表面および裏面を有する中間絶縁層と、かかる中間絶縁層の表面に形成した表面絶縁層と、上記中間絶縁層の裏面に形成した裏面絶縁層と、を備え、
   上記裏面絶縁層は硬化収縮の大きな無機繊維を含み且つ上記表面絶縁層はかかる無機繊維を含まないか硬化収縮の小さな無機繊維を含む、
   ことを特徴とする多層配線基板。
3. 表面および裏面を有するコア基板と、
   上記コア基板の表面および裏面に個別に形成された表面配線層および裏面配線層と、
   上記コア基板の表面上方に形成され且つ複数の絶縁層およびその層間に位置する複数の配線層からなるビルドアップ層と、を含み、
   上記コア基板は、表面および裏面を有する中間絶縁層と、かかる中間絶縁層の表面に形成した表面絶縁層と、上記中間絶縁層の裏面に形成した裏面絶縁層と、を備え、
   平面視における上記裏面配線層の面積は、上記表面配線層の面積よりも大きく形成されている、ことを特徴とする多層配線基板。

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