JP2004063953A

JP2004063953A - ダイシングテ−プ

Info

Publication number: JP2004063953A
Application number: JP2002222670A
Authority: JP
Inventors: Seiji Ishikawa; 石川　誠治; Koji Hayashi; 林　浩二; Kenji Sonoyama; 園山　研二
Original assignee: Ube Industries Ltd
Current assignee: Ube Corp
Priority date: 2002-07-31
Filing date: 2002-07-31
Publication date: 2004-02-26
Also published as: KR20040030244A; TW200401820A; US6929856B2; US20040023043A1

Abstract

【課題】ポリイミド系のダイシングテ−プは室温程度の低温での粘着強度（初期接着力）が小さいため、雰囲気を高温にして粘着力を高めることが必要で、加熱のための付帯設備が必要となり工程上不利であったので、シリコンウエハ−と室温付近においてダイシングできる程に接着力が大きく、しかも硬化後の回路基板との接着強度も大きいダイシングテ−プを提供する。
【解決手段】室温付近の温度（２０〜５０℃）での粘着強度である剥離強度が０．０２Ｎ／ｍｍ（２０ｇｆ／ｃｍ）以上であり、硬化後の剥離強度が０．３Ｎ／ｍｍ（３００ｇｆ／ｃｍ）以上であり、ポリイミドを主成分とする粘接着層を有するダイシングテ−プ。
【選択図】　　　　　　　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、シリコンウエハ−と室温付近の温度で貼着してダイシングが可能であるとともに、ダイシング後に個々のシリコンウエハ−と回路基板とを張り合わせて接着剤として機能し得るポリイミド系のダイシングテ−プに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば、シリコンウエハ−などの半導体ウェハ−は、大径の円盤状で製造され、その表面に回路パタ−ンが形成された後、表面側に回路パタ−ンを保護するために保護テ−プが貼られ、その後、薄くするために裏面側が切削加工され、加工された半導体ウェハ−から、半導体チップを形成するために、先ず、大径の円盤状に製造された半導体ウェハ−を、粘着テ−プを介してリングフレ−ムに貼着し、その後、賽の目状（方形）または短冊状（長方形）に多数のチップに切断分離（ダイシング）している。そして、切断された個々のチップを粘着テ−プから分離し、分離された個々のチップを、例えば、ＩＣ実装用基板のデバイスホ−ルのインナ−リ−ド上などに順次ボンディングされている。
【０００３】
この粘着テ−プをダイシングテ−プといい、ダイシング時には裏面に剥離フィルムを積層した状態で表面に大径の円盤状シリコンウエハ−と粘着力で積層してダイシングし、個々のシリコンウエハ−と基板とを所定の大きさに切断された粘着テ−プ（ダイシングテ−プ）を介して張り合わせ、ワイヤボンディング、モ−ルド封止、ハンダボ−ル形成などの後加工によって半導体パッケ−ジが製造される。
【０００４】
このダイシングテ−プとしては、例えば、特開平１０−３２４８５７号公報に記載の粘着テ−プがが知られている。しかし、前記公報に記載された粘着テ−プは（メタ）アクリル酸系共重合体とフェノ−ル樹脂との粘着剤組成物からなり、高密度実装用には不向きである。
このため、ポリイミド系のダイシングテ−プが検討されているが、ポリイミド系のダイシングテ−プは室温程度の低温での粘着強度（初期接着力）が小さいため、雰囲気を高温にして粘着力を高めることが必要で、加熱のための付帯設備が必要となり工程上不利である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的は、シリコンウエハ−と室温付近においてダイシングできる程に接着力が大きく、しかも硬化後の回路基板との接着強度も大きいダイシングテ−プを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、室温付近の温度（２０〜５０℃）での粘着強度である剥離強度が０．０２Ｎ／ｍｍ（２０ｇｆ／ｃｍ）以上であり、硬化後の剥離強度が０．３Ｎ／ｍｍ（３００ｇｆ／ｃｍ）以上であり、ポリイミドを主成分とする粘接着層を有するダイシングテ−プに関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下にこの発明の好ましい態様を列記する。
１）粘着強度である剥離強度が０．０２〜１Ｎ／ｍｍ（２０〜１０００ｇｆ／ｃｍ）であり、硬化後の剥離強度が０．３〜１．６Ｎ／ｍｍ（３００〜１６００ｇｆ／ｃｍ）である上記のダイシングテ−プ。
２）電気絶縁性を示す体積抵抗率が１０^１４Ω・ｃｍ以上である上記のダイシングテ−プ。
３）厚みが５−５０μｍである上記のダイシングテ−プ。
４）ポリイミドが、ポリイミドシロキサンである上記のダイシングテ−プ。
【０００８】
この発明のダイシングテ−プ（裏面に剥離フィルムなどの剥離材、表面に保護フィルムを積層して保存・運搬・使用される場合がある。）を使用してパッケ−ジングする工程の一例を以下に示す。
１．回路形成済みのシリコンウエハ−を保護フィルムを除いたダイシングテ−プに貼り付ける。
２．ダイシングを行い個々のＩＣチップに分割する。
３．ＩＣチップをテ−プから剥離（この際粘接着層はＩＣチップ裏面に均一に転写される）する。
４．基板にダイボンディングする。
５．加熱によりＩＣチップと基板とを接合する。
６．ワイヤ−ボンディング
７．モ−ルド封止
８．ハンダ−ボ−ル形成
上記のダイシングテ−プとして、基材の両面に粘接着層を有し、外表面に剥離材を配したものであってもよい。
【０００９】
この発明における粘接着剤としては、可溶性ポリイミド、好適にはポリイミドシロキサンと熱硬化性樹脂との架橋によって得られる樹脂組成物が挙げられる。前記の架橋は硬化剤を配合しておき加熱硬化させることによって達成してもよく、また可溶性ポリイミドを得るためのジアミン成分として熱硬化性樹脂との反応性を有するジアミンを使用することによって、可溶性ポリイミドの分子内に熱硬化性樹脂との反応性を有する反応基を導入して両成分を架橋させることによって達成してもよい。
【００１０】
前記のポリイミドシロキサンとしては、テトラカルボン酸成分、特にテトラカルボン酸二無水物と、一般式（１）
Ｈ_２−Ｒ−［Ｓｉ（Ｒ_１）_２−Ｏ−］_ｍ−Ｓｉ（Ｒ_２）_２−Ｒ−ＮＨ_２　（１）
（ただし、式中のＲは、炭素数２〜６個の複数のメチレン基、またはフェニレン基からなる２価の炭化水素残基を示し、Ｒ_１及びＲ_２は炭素数１〜５個のアルキル基又はフェニル基を示し、ｍは３〜６０の整数を示す。）で示されるジアミノポリシロキサン１０〜９０モル％及び芳香族ジアミン１０〜９０モル％からなるジアミン成分（ジアミノポリシロキサンと芳香族ジアミンとの合計１００モル％）とから得られるポリイミドシロキサンが挙げられるが、イミドシロキサンオリゴマ−と云われるものも含まれる。
【００１１】
前記のテトラカルボン二無水物とジアミンとの反応は、溶媒中ランダム、ブロックあるいは２種反応液の混合−再結合反応のいずれによっても行うことができる。反応は高温下（特に好ましくは１４０℃以上の温度下）に、両モノマ−成分を重合及びイミド化するという製法を挙げることができる。またポリイミドシロキサンは溶液から単離することなくそのまま使用することもできる。
【００１２】
前記のジアミノポリシロキサンの具体的化合物の具体例として、α，ω−ビス（２−アミノエチル）　ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノフェニル）　ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル）　ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）　ポリジフェニルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノブチル）　ポリジメチルシロキサンなどを挙げることができる。
【００１３】
前記のテトラカルボン二無水物としては、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エ−テル二無水物、ピロメリット酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，５−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
【００１４】
特に、溶媒への溶解性が高く、得られる粘接着剤の耐熱性も高いテトラカルボン酸二無水物として、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エ−テル二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物などが好ましく、特に２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物が好ましい。
【００１５】
前記の熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂のエポキシ基との反応性官能基を有する芳香族ジアミンとしては、式
Ｈ_２Ｎ−Ｂｚ（Ｒ_３）_ｎ（Ｘ）_ｙ−Ａ−（Ｘ）_ｙ（Ｒ_４）_ｎＢｚ−ＮＨ_２
または、式
Ｈ_２Ｎ−Ｂｚ（Ｒ_３）_ｎ（Ｘ）_ｙ−ＮＨ_２
（ただし、式中、Ｂｚはベンゼン環で、Ｒ_３およびＲ_４は水素原子で、Ａは直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、ＳＯ_２、ＳＯ、ＣＨ_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２、ＯＢｚＯ、Ｂｚ、ＯＢｚＣ（ＣＨ_３）_２ＢｚＯなどの二価の基であり、Ｘはカルボキシル基または水酸基でｎは２または３（好適には３）で、ｙは１または２（好適には１）で、ｎ＋ｙ＝４である。）で示される芳香族ジアミン化合物を使用することができる。
【００１６】
ジアミン成分としては前記の２種類のジアミンを使用することが好ましいが、熱硬化性樹脂との反応性基を有さない複数環を有する芳香族ジアミンを使用してもよい。この複数環芳香族ジアミンとしては、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼンなどのベンゼン環を３個有する芳香族ジアミン、あるいはビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンなどのベンゼン環を４個有する芳香族ジアミンなどが挙げられる。
【００１７】
前記の熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂のエポキシ基等との反応性官能基を有する芳香族ジアミンの具体例として、２，４−ジアミノフェノ−ルなどのジアミノフェノ−ル化合物類、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ，２，２’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ，２，２’，５，５’−テトラハイドロキシビフェニルなどのヒドロキシビフェニル化合物類、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジハイドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジハイドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ，２，２’−ジハイドロキシジフェニルメタン、２，２−ビス〔３−アミノ，４−ハイドロキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−アミノ，３−ハイドロキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−アミノ，４−ハイドロキシフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ，２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニルメタンなどのヒドロキシジフェニルアルカン化合物類、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ，２，２’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ，２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニルエ−テルなどのヒドロキシジフェニルエ−テル化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ，３−ハイドロキシフェノキシ）フェニル〕プロパンなどのビス（ハイドロキシフェニキシフェニル）アルカン化合物類、４，４’−ビス（４−アミノ，３−ハイドロキシフェノキシ）ビフェニルなどのビス（ハイドロキシフェノキシ）ビフェニル化合物などのＯＨ基を有するジアミン化合物を挙げることができる。
【００１８】
また、前記のエポキシ基等との反応性官能基を有する芳香族ジアミンの具体例として、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ，２，２’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ，２，２’，５，５’−テトラカルボキシビフェニルなどのカルボキシビフェニルジアミン化合物類、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジカルボキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジカルボキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ，２，２’−ジカルボキシジフェニルメタン、２，２−ビス〔３−アミノ，４，−カルボキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−アミノ，３−カルボキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−アミノ，４−カルボキシフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ，２，２’，５，５’−テトラカルボキシビフェニルなどのカルボキシジフェニルアルカンジアミン化合物類、３，３’−ジアミノ，４，４’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ，３，３’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ，２，２’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ，２，２’，５，５’−テトラカルボキシジフェニルエ−テルなどのカルボキシジフェニルエ−テルジアミン化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ，３−カルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパンなどのビス（カルボキシフェノキシフェニル）アルカンジアミン化合物類、４，４’−ビス（４−アミノ，３−カルボキシフェノキシ）ビフェニルなどのビス（カルボキシフェノキシ）ビフェニルジアミン化合物類、３，５−ジアミノ安息香酸、２，４−ジアミノ安息香酸などのジアミノ安息香酸等のＣＯＯＨ基を有するジアミン化合物を挙げることができる。
【００１９】
前記の溶媒としては、含窒素系溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタムなど、含硫黄原子溶媒、例えばジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ヘキサメチルスルホルアミドなど、含酸素溶媒、例えばγ−ブチロラクトン、フェノ−ル系溶媒、例えばクレゾ−ル、フェノ−ル、キシレノ−ルなど、ジグライム系溶媒例えばジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（ジグライム）、トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（ジメチルトリグライム）、テトラグライムなど、アセトン、エチレングリコ−ル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどを挙げることができる。
【００２０】
前記の可溶性ポリイミド、好適にはポリイミドシロキサンは、対数粘度（測定濃度；０．５ｇ／１００ミリリットル溶媒、溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、測定温度；３０℃）が０．０５〜７、特に０．０７〜４、さらに好ましくは０．１〜３程度である重合体であり、更に有機極性溶媒のいずれかに（特にアミド系溶媒）少なくとも３重量％、特に５〜４０重量％程度の濃度で均一に溶解させることができることが好ましい。
【００２１】
前記のポリイミドシロキサンは、赤外線吸収スペクトル分析法で測定したイミド化率が９０％以上、特に９５％以上であるか、赤外線吸収スペクトル分析においてポリマ−のアミド酸結合に係わる吸収ピ−クが実質的に見出されず、イミド環結合に係わる吸収ピ−クのみが見られるような高いイミド化率であることが好ましい。
さらに、前記のポリイミドシロキサンは、フィルムに成形した場合に、その弾性率が２５０ｋｇ／ｍｍ^２以下、特に０．１〜２００ｋｇ／ｍｍ^２程度、さらに好ましくは０．５〜１５０ｋｇ／ｍｍ^２であって、熱分解開始温度が２５０℃以上、特に３００℃以上であり、そして、二次転移温度が−１０℃以上、特に５〜２５０℃程度であることが好ましい。
【００２２】
前記の粘接着剤においては、ポリイミドシロキサンとともに熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
前記の熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、エポキシ変性ポリシロキサン、ビスマレイミド−トリアジン系樹脂、ビスマレイミド樹脂、（イソ）シアネ−ト化合物系樹脂などからなる群から選ばれた少なくとも１種の熱硬化性樹脂を可溶性ポリイミド１００重量部に対して１〜１００重量部（特に５〜５０重量部）、および、硬化剤（好ましくは０〜１００重量部、特に０〜２０重量部）が、樹脂成分として含有されている樹脂組成物が良好な粘着性、硬化後の接着性、耐熱性を有するので最適である。
【００２３】
前記のエポキシ樹脂としては、例えば、オルトクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＦ型エポキシ樹脂、フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエ−テル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂などの１個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であるエポキシ樹脂を挙げることができ、前述の各種のエポキシ樹脂を複数併用することもできる。
【００２４】
前記のエポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ビスフェノ−ルＡ型又はビスフェノ−ルＦ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコ−ト８０７、８２８等）、フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、アルキル多価フェノ−ル型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＲＥ７０１、ＲＥ５５０Ｓ等）、多官能型エポキシ樹脂（住友化学工業株式会社製、ＥＬＭ−１００等）、グリシジルエ−テル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名：テトラッドＸ等）等が挙げられる。これらは単独で又は複数併用することもできる。
【００２５】
前記のエポキシ変性ポリシロキサンとしては、末端に水酸基、カルボキシル基、又はアミノ基を有する反応性ポリシロキサンオイルと、ビスフェノ−ル型エポキシ樹脂、フェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエ−テル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ化合物を反応させて得られるものがある。ポリシロキサンの末端又は内部にエポキシ基を少なくとも１つ有するエポキシ変性ポリシロキサンであればよい。
【００２６】
前記のエポキシ変性ポリシロキサンとして、ポリシロキサンの末端又は内部にエポキシ基を少なくとも１つ有するエポキシ・ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサンが好ましい。エポキシ変性ポリシロキサンとしては、具体的には例えば、エポキシ変性ポリシロキサン（東レ・ダウコ−ニング・シリコ−ン株式会社製；ＢＹ−１６−８５５Ｄ、信越シリコン株式会社製；Ｘ−２２−１６３Ａ、Ｘ−２２−１６３Ｂ）、エポキシ・ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサン（東レ・ダウコ−ニング・シリコ−ン株式会社製；ＳＦ−８４２１ＥＧ、ＢＹ−１６−８４５、ＢＹ−１６−８６７等）を挙げることができる。
【００２７】
また、他の熱硬化性樹脂として、ビスマレイミド−トリアジン樹脂が挙げられ、例えばビスマレイミド成分とシアネ−ト基を有するトリアジンモノマ−又はプレポリマ−成分とから得られた、イミド基とトリアジン環とを有する公知の熱硬化性樹脂組成物であって、アクリル酸エステル類、ジビニルベンゼン、スチレン、トリアリルイソシアネ−ト等で０〜３０重量％変性されていてもよく、特に、三菱瓦斯化学株式会社製「ＢＴレジン」などのビスマレイミド−トリアジン樹脂を好適に挙げることができる。
【００２８】
また、他の熱硬化性樹脂として、ビスマレイミド樹脂樹脂、例えば、レイン酸無水物とジアミン化合物とを縮合させて得られるもの、マレイン酸に基づく不飽和（二重結合）基を両末端に有するものが挙げられ、例えば、味の素株式会社製の「ＡＴＵ−ＢＭＩ樹脂」などを挙げることができる。このジアミン化合物としては、ジアミノベンゼン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパンなどの芳香族ジアミン化合物を好適に挙げることができる。
【００２９】
また、他の熱硬化性樹脂としては、（イソ）シアネ−ト化合物系樹脂が挙げられる。
例えば、シアネ−ト化合物が挙げられ、ビスフェノ−ルＡジシアネ−ト、ビス（４−シアネ−トフェニル）エ−テル、１，１，１−トリス（４−シアネ−トフェニル）エタンなどを挙げることができ、特にザ・ダウ・ケミカル社製の［ＸＵ−７１７８７−０２］などを挙げることができる。
【００３０】
また、例えば、イソシアネ−トが挙げられ、１分子中にイソシアネ−ト基を２個以上有するものであればどのようなものでもよい。例えば、このような多価イソシアネ−トとして、脂肪族、脂環族または芳香族のジイソシアネ−ト等があり、例えば１，４−テトラメチレンジイソシアネ−ト、１，５−ペンタメチレンジイソシアネ−ト、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネ−ト、２，２，４−トリメチル−１，６−へキサメチレンジイソシアネ−ト、リジンジイソシアネ−ト、３−イソシアネ−トメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルイソシアネ−ト（イソホロンジイソシアネ−ト）、１，３−ビス（イソシアネ−トメチル）−シクロヘキサン、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネ−ト、トリレンジイソシアネ−ト、　４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネ−ト、１，５−ナフタレンジイソシアネ−ト、トリジンジイソシアネ−ト、キシリレンジイソシアネ−ト等を挙げることが出来る。
【００３１】
さらに、前記多価イソシアネ−トとして、脂肪族、脂環族または芳香族の多価イソシアネ−トから誘導されるもの、例えばイソシアヌレ−ト変性多価イソシアネ−ト、ビュレット変性多価イソシアネ−ト、ウレタン変性多価イソシアネ−ト等であってもよい。また、本発明に用いる多価イソシアネ−トは、好適には多価イソシアネ−トのイシシアネ−ト基をブロック剤でブロックしたブロック多価イソシアネ−トが好適に使用される。
前記のブロック化剤としては例えば、アルコ−ル系、フェノ−ル系、活性メチレン系、メルカプタン系、酸アミド系、酸イミド系、イミダゾ−ル系、尿素系、オキシム系、アミン系、イミド系化合物、ピリジン系化合物等があり、これらを単独あるいは、混合して使用してもよい。
【００３２】
この発明の粘接着剤には、熱硬化性樹脂（特にエポキシ樹脂）の硬化剤、場合により硬化促進剤などを併用してもよい。硬化剤の具体例としては、フェノ−ルノボラック、ｏ−クレゾ−ルノボラック、フェノ−ルレゾ−ル等のフェノ−ル類、２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル、ジエチレントリアミン等のアミン類、無水フタル酸等の酸無水物類などが挙げられる。
また、硬化剤の種類としては、それ自体公知の硬化剤、例えばイミダゾ−ル類、第３級アミン類、トリフェニルフォスフィン類等の硬化触媒、ジシアンジアミド類、ヒドラジン類、芳香族ジアミン類、水酸基を有するフェノ−ルノボラック型硬化剤（明和化成株式会社製、フェノ−ルノボラック：Ｈ−１、Ｈ−５等）等の重付加型硬化剤、有機過酸化物等を挙げることができる。硬化剤は適宜公知の硬化促進剤と共に使用される。
前記硬化剤の使用量は、一般にエポキシ化合物１００重量部に対して０〜１００重量部使用することが好ましい。
【００３３】
この発明のダイシングテ−プは、例えば前記の粘接着剤組成物を含む溶液組成物を、基材、例えば未処理のポリイミドフィルム、剥離性ポリエステルフィルムなどの剥離フィルムに厚み１０〜５００μｍに塗布し、９０〜１５０℃で３０〜４０分間程度乾燥して、粘着性（タック性）を保持して厚みが５〜５０μｍの粘接着層を形成し、さらに埃の付着を防止する必要がある場合には保護フィルムを積層することによって得ることができる。
【００３４】
【実施例】
以下、実施例を示し、この発明をさらに詳しく説明する。
以下の実施例において、対数粘度（η）は、樹脂成分濃度が０．５ｇ／１００ミリリットル溶媒となるように、ポリイミドシロキサンをＮ−メチル−２−ピロリドンに均一に溶解して樹脂溶液を調製し、その溶液の溶液粘度および溶媒のみの溶液粘度を３０℃で測定して算出された値である。
【００３５】
ダイシングテ−プの剥離強度は、シリコンウエハ−あるいは銅箔と圧着した積層体の試料（１ｃｍ幅に切断して得た試料）について、引張試験機（インテスコ社製）を用いて、剥離速度５０ｍｍ／分、測定温度２５℃で１８０°剥離試験によって測定したものである。
【００３６】
絶縁抵抗は、接着剤シ−トを９０℃で１０分、１８０℃で６０分間硬化させて作製した厚み５０μｍの試料を使用して、ＡＳＴＭ　Ｄ１４９に従って体積抵抗率を測定した。
【００３７】
参考例１
温度計、仕込み・留出口及び攪拌機を備えたガラス製フラスコに、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ａ−ＢＰＤＡ）１００モルに対して、ω，ω’−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（ＤＡＰＳｉ）［前記の式（１）において、ｎ：９）６７モル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）３０モル，３，３’−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（ＭＢＡＡ）３モルおよび反応溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドンを入れ、窒素気流中で５０℃まで昇温し、この温度で２時間攪拌して、ポリアミック酸を生成させ、次いで、その反応液を約２００℃に昇温して、その温度で５時間撹拌して、ポリイミドシロキサンを生成させた。反応終了後、貧溶媒であるメタノ−ル／水混合溶媒に反応液を流し込みポリマ−を析出させた。その後メタノ−ル／水混合溶媒で洗浄を行い、２００℃で乾燥を行った。このポリイミドシロキサンは、イミド化率が９５％以上で、対数粘度が０．３であった。
【００３８】
実施例１
容器に、前記のポリイミドシロキサン７ｇ、ＢＴレジン（三菱瓦斯化学社製、ＢＴ−２１７０）２ｇ、エポキシ変性ポリシロキサン（東レダウコ−ニング社製、ＢＹ１６−８５５Ｄ）１ｇ、ジメチルホルムアミド３３ｇを仕込み、５０時間混合した。
混合液を５０μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユ−ピレックスＳ）上にアプリケ−タ−にて約１０μｍ厚になるように塗布した。そして９０℃で３０分間乾燥を行って、ダイシングテ−プを得た。
【００３９】
ダイシングテ−プの硬化層は体積抵抗率が１０^１４Ω・ｃｍ以上であった。
また、得られたダイシングテ−プをシリコンウエハ−と重ねて貼りあわせた。
密着力は９５０ｇｆ／ｃｍであった。
一方、ダイシングテ−プを１８μｍの電解銅箔（鏡面）とをラミネ−タ−で５０℃、０．３ｍ／分にて積層した。そして、１６０℃、１時間、２０ｋｇｆ／ｃｍ^２で熱圧着した。
硬化前の粘着力は１４０ｇｆ／ｃｍで、硬化後の接着力は１５２０ｇｆ／ｃｍであった。
【００４０】
実施例２
各成分の割合を、ポリイミドシロキサン７ｇ、ＢＴレジン（三菱瓦斯化学社製、ＢＴ−２１７０）２ｇ、エポキシ変性ポリシロキサン（東レダウコ−ニング社製、ＢＹ１６−８５５Ｄ）１．５ｇおよびジメチルホルムアミド３３ｇとした他は実施例１と同様に実施して、ダイシングテ−プを得た。
【００４１】
ダイシングテ−プの硬化層は体積抵抗率が１０^１４Ω・ｃｍ以上であった。
また、得られたダイシングテ−プをシリコンウエハ−と重ねて貼りあわせた。
密着力は５６０ｇｆ／ｃｍであった。
一方、ダイシングテ−プを１８μｍの電解銅箔（鏡面）とをラミネ−タ−で５０℃、０．３ｍ／分にて積層した。そして、１６０℃、１時間、２０ｋｇｆ／ｃｍ^２で熱圧着した。
硬化前の粘着力は５００／ｃｍで、硬化後の接着力は５５０ｇｆ／ｃｍであった。
【００４２】
実施例３
各成分の割合を、ポリイミドシロキサン７ｇ、ＢＴレジン（三菱瓦斯化学社製、ＢＴ−２１７０）１ｇ、硬化剤（サスハラケミカル社製、ＹＰ−９０ＬＬ）２ｇおよびジメチルホルムアミド３６ｇとした他は実施例１と同様に実施して、ダイシングテ−プを得た。
【００４３】
ダイシングテ−プの硬化層は体積抵抗率が１０^１４Ω・ｃｍ以上であった。
また、得られたダイシングテ−プをシリコンウエハ−と重ねて貼りあわせた。
密着力は３００ｇｆ／ｃｍであった。
一方、ダイシングテ−プを１８μｍの電解銅箔（鏡面）とをラミネ−タ−で５０℃、０．３ｍ／分にて積層した。そして、１６０℃、１時間、２０ｋｇｆ／ｃｍ^２で熱圧着した。
硬化前の粘着力は７０ｇｆ／ｃｍで、硬化後の接着力は４７０ｇｆ／ｃｍであった。
【００４４】
【発明の効果】
この発明によれば、未硬化の状態での粘接着剤の程に接着強度が大きく、しかも硬化後の回路基板との接着強度も大きいダイシングテ−プを得ることができる。

Claims

室温付近の温度（２０〜５０℃）での粘着強度である剥離強度が０．０２Ｎ／ｍｍ以上であり、硬化後の剥離強度が０．３Ｎ／ｍｍ以上であり、ポリイミドを主成分とする粘接着層を有するダイシングテ−プ。
粘着強度である剥離強度が０．０２〜１Ｎ／ｍｍであり、硬化後の剥離強度が０．３〜１．６Ｎ／ｍｍである請求項１に記載のダイシングテ−プ。
硬化後の粘接着層の電気絶縁性を示す体積抵抗率が１０^１４Ω・ｃｍ以上である請求項１に記載のダイシングテ−プ。
硬化後の粘接着層の厚みが５−５０μｍである請求項１に記載のダイシングテ−プ。
ポリイミドが、ポリイミドシロキサンである請求項１に記載のダイシングテ−プ。