JP2004045841A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. （Ａ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物及び
   （Ｂ）下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を側鎖に有する繰り返し単位を少なくとも１種有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
   

   

   一般式（Ｉ）中、
   Ｒ₁〜Ｒ₆は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。ただし、Ｒ₁〜Ｒ₆の少なくとも１つは水素原子ではない。また、Ｒ₃に連結している炭素原子は、Ｒ₃に連結する代わりに連結基を介し、又は介さずに該樹脂の主鎖に連結していてもよい。
   Ｘ₁及びＸ₂は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。
   Ｚは、少なくとも１つの環状炭化水素構造を有する、１価の有機基である。
2. 一般式（Ｉ）に於ける、Ｚの環状炭化水素構造が、少なくとも１つの橋かけ構造を有する脂環炭化水素構造であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
3. 一般式（Ｉ）に於ける、Ｚの有機基が、少なくとも１つのフッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
4. 一般式（Ｉ）に於ける、Ｚの環状炭化水素構造が、ノルボルナン環又はアダマンタン環であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
5. 一般式（Ｉ）で表される部分構造を側鎖に有する繰り返し単位が、下記一般式（ＩＡ）〜（ＩＣ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
   

   

   一般式（ＩＡ）〜（ＩＣ）中、
   Ｒ₁〜Ｒ₆は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。ただし、Ｒ₁〜Ｒ₆の少なくとも１つは水素原子ではない。また、Ｒ₃に連結している炭素原子は、Ｒ₃に連結する代わりに連結基を介し、又は介さずに該樹脂の主鎖に連結していてもよい。
   Ｘ₁及びＸ₂は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。
   Ｚは、少なくとも１つの環状炭化水素構造を有する、１価の有機基である。
   ｍは、０又は１を表す。
   Ｒ_1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
   ｎは、１〜５の整数を表す。
   ｌは、０又は１を表す。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。