JP2004004227A5

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Publication number: JP2004004227A5
Application number: JP2002158822A
Authority: JP
Filing date: 2002-05-31
Publication date: 2005-09-22
Anticipated expiration: 2022-05-31

Claims

（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位と、下記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる繰り返し単位の少なくとも１種とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

一般式（Ｉ）中、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。
Ｌ₁は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ₁〜Ｒ₆は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ₁〜Ｒ₆は、少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｘは、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。
ｎは、０又は１を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。

一般式（ＩＩ）中、
Ｒ₁₁〜Ｒ₁₆は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₆は、少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｘ₁は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。
ｍは、０又は１を表す。

一般式（ＩＩＩ）中、
Ｒ_3aは、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。
ｍは、０又は１を表す。

一般式（ＩＶ）中、
Ｒ_1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ₄₁〜Ｒ₄₆は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ₄₁〜Ｒ₄₆は、少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｘ₂は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。
ｎは、１〜５の整数を示す。ｎが２以上である場合に、２つ以上あるＲ₄₁〜Ｒ₄₆及びＸ₂は、同じでも異なっていてもよい。
一般式（Ｉ）中のＲｃが、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
一般式（Ｉ）中のＬ₁が、カルボニル基、エチレン基又は単結合であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。