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JP2003327911A5 - - Google Patents

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JP2003327911A5
JP2003327911A5 JP2002139958A JP2002139958A JP2003327911A5 JP 2003327911 A5 JP2003327911 A5 JP 2003327911A5 JP 2002139958 A JP2002139958 A JP 2002139958A JP 2002139958 A JP2002139958 A JP 2002139958A JP 2003327911 A5 JP2003327911 A5 JP 2003327911A5
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Claims (4)

  1. (a)下記一般式(1)で表されるオルガノシラン類、下記一般式(2)で表されるアルミニウムアルコキシド類、下記一般式(3)で表されるチタンアルコキシド類又はジルコニウムアルコキシド類及びそれらの部分縮合物からなる群から選ばれる1種類以上の化合物、(b)アルミニウム錯体、チタン錯体及びジルコニウム錯体からなる群から選ばれる1種類以上の金属錯体、及び(c)有機溶媒を含有し、含水率が0〜0.4質量%である組成物を基材に塗布した後、前記有機溶媒を蒸発させることを特徴とする被膜の形成方法。
    Figure 2003327911
    (式中、R、R、RおよびRのうちの1〜4つは、それぞれ独立的に、(a)水酸基、アルコキシル基、アリールオキシ基及びアシルオキシ基から成るA群から選ばれる基を表わし、残りは、(b)水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、一部の水素原子がハロゲン原子、芳香族基、脂環基、エポキシ基、ビニル基、メルカプト基及びアミノ基からなる群から選ばれる基で置換されたアルキル基の部分の炭素原子数が1〜8のアルキル基からなるB群から選ばれる基を表わす。)
    Figure 2003327911
    (式中、R、R及びRは、それぞれ独立的に、水素原子、アルキル基、アリール基又はアシル基を表わす。)
    Figure 2003327911
    (式中、R、R、R10及びR11は、水素原子、アルキル基、アリール基又はアシル基を表わす。Mは、チタン又はジルコニウムを表わす。)
  2. 請求項1に記載された形成方法を用いて形成されたことを特徴とする被膜。
  3. 請求項1に記載された形成方法を用いて形成されたことを特徴とする反射防止膜。
  4. 請求項1に記載された形成方法を用いて形成されたことを特徴とする光触媒膜。
JP2002139958A 2002-05-15 2002-05-15 被膜の形成方法、該方法によって得られる被膜、反射防止膜及び光触媒膜 Pending JP2003327911A (ja)

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