JP2003313654A5 - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
成膜装置および成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003313654A5 JP2003313654A5 JP2002353774A JP2002353774A JP2003313654A5 JP 2003313654 A5 JP2003313654 A5 JP 2003313654A5 JP 2002353774 A JP2002353774 A JP 2002353774A JP 2002353774 A JP2002353774 A JP 2002353774A JP 2003313654 A5 JP2003313654 A5 JP 2003313654A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- deposition
- movable electrode
- substrate
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
真空排気手段と連結された成膜室と、
前記成膜室に設けられた蒸着源と、前記蒸着源に対向するように基板を固定するホルダと、前記蒸着源と前記基板との間に設けられる蒸着マスクと、可動式の電極とを有し、
蒸着中は前記可動式の電極は前記基板への蒸着を妨げない位置に配置され、
前記可動式の電極と前記蒸着マスクとの間でプラズマを発生する際は、前記可動式の電極は前記蒸着マスクと対向する位置に配置されることを特徴とする成膜装置。
【請求項2】
真空排気手段と連結された成膜室と、
前記成膜室に設けられた蒸着源と、前記蒸着源に対向するように基板を固定するホルダと、前記蒸着源と前記基板との間に設けられる蒸着マスクと、可動式の電極と、防着シールドと、前記防着シールドを加熱する手段とを有し、
蒸着中は、前記可動式の電極は前記基板への蒸着を妨げない位置に配置されるとともに、前記防着シールドは前記加熱する手段により前記蒸着材料の昇華温度以上に加熱され、
前記可動式の電極と前記蒸着マスクとの間でプラズマを発生する際は、前記可動式の電極は前記蒸着マスクと対向する位置に配置されることを特徴とする成膜装置。
【請求項3】
請求項1または請求項2において、前記蒸着マスクは導電性材料でなっていることを特徴とする成膜装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記基板と接するように前記蒸着マスクは設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記蒸着材料は有機化合物であることを特徴とする成膜装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記可動式の電極はメッシュ状またはシャワーヘッド状であることを特徴とする成膜装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記蒸着マスクまたは前記可動式の電極に高周波電源が接続されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項8】
真空排気手段と連結された成膜室と、
前記成膜室に設けられた蒸着源と、前記蒸着源に対向するように基板を固定するホルダと、前記蒸着源と前記基板との間に設けられる蒸着マスクと、可動式の電極とを有する成膜装置を用い、
前記可動式の電極を前記基板への蒸着を妨げない位置に配置した状態で、前記蒸着源から蒸着材料を気化して、前記基板に前記蒸着材料を蒸着し、
前記蒸着終了後、前記基板を前記成膜室から取り出し、
前記可動式の電極を前記蒸着マスクと対向する位置に移動し、
前記可動式の電極と前記蒸着マスクとの間でプラズマを発生することを特徴とする成膜方法。
【請求項9】
真空排気手段と連結された成膜室と、
前記成膜室に設けられた蒸着源と、前記蒸着源に対向するように基板を固定するホルダと、前記蒸着源と前記基板との間に設けられる蒸着マスクと、可動式の電極と、防着シールドと、前記防着シールドを加熱する手段とを有する成膜装置を用い、
前記可動式の電極を前記基板への蒸着を妨げない位置に配置し、前記防着シールドを前記加熱する手段により前記蒸着材料の昇華温度以上に加熱して、前記蒸着源から蒸着材料を気化して、前記基板に前記蒸着材料を蒸着し、
前記蒸着終了後、前記基板を前記成膜室から取り出し、
前記可動式の電極を前記蒸着マスクと対向する位置に移動し、
前記可動式の電極と前記蒸着マスクとの間でプラズマを発生することを特徴とする成膜方法。
【請求項1】
真空排気手段と連結された成膜室と、
前記成膜室に設けられた蒸着源と、前記蒸着源に対向するように基板を固定するホルダと、前記蒸着源と前記基板との間に設けられる蒸着マスクと、可動式の電極とを有し、
蒸着中は前記可動式の電極は前記基板への蒸着を妨げない位置に配置され、
前記可動式の電極と前記蒸着マスクとの間でプラズマを発生する際は、前記可動式の電極は前記蒸着マスクと対向する位置に配置されることを特徴とする成膜装置。
【請求項2】
真空排気手段と連結された成膜室と、
前記成膜室に設けられた蒸着源と、前記蒸着源に対向するように基板を固定するホルダと、前記蒸着源と前記基板との間に設けられる蒸着マスクと、可動式の電極と、防着シールドと、前記防着シールドを加熱する手段とを有し、
蒸着中は、前記可動式の電極は前記基板への蒸着を妨げない位置に配置されるとともに、前記防着シールドは前記加熱する手段により前記蒸着材料の昇華温度以上に加熱され、
前記可動式の電極と前記蒸着マスクとの間でプラズマを発生する際は、前記可動式の電極は前記蒸着マスクと対向する位置に配置されることを特徴とする成膜装置。
【請求項3】
請求項1または請求項2において、前記蒸着マスクは導電性材料でなっていることを特徴とする成膜装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記基板と接するように前記蒸着マスクは設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記蒸着材料は有機化合物であることを特徴とする成膜装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記可動式の電極はメッシュ状またはシャワーヘッド状であることを特徴とする成膜装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記蒸着マスクまたは前記可動式の電極に高周波電源が接続されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項8】
真空排気手段と連結された成膜室と、
前記成膜室に設けられた蒸着源と、前記蒸着源に対向するように基板を固定するホルダと、前記蒸着源と前記基板との間に設けられる蒸着マスクと、可動式の電極とを有する成膜装置を用い、
前記可動式の電極を前記基板への蒸着を妨げない位置に配置した状態で、前記蒸着源から蒸着材料を気化して、前記基板に前記蒸着材料を蒸着し、
前記蒸着終了後、前記基板を前記成膜室から取り出し、
前記可動式の電極を前記蒸着マスクと対向する位置に移動し、
前記可動式の電極と前記蒸着マスクとの間でプラズマを発生することを特徴とする成膜方法。
【請求項9】
真空排気手段と連結された成膜室と、
前記成膜室に設けられた蒸着源と、前記蒸着源に対向するように基板を固定するホルダと、前記蒸着源と前記基板との間に設けられる蒸着マスクと、可動式の電極と、防着シールドと、前記防着シールドを加熱する手段とを有する成膜装置を用い、
前記可動式の電極を前記基板への蒸着を妨げない位置に配置し、前記防着シールドを前記加熱する手段により前記蒸着材料の昇華温度以上に加熱して、前記蒸着源から蒸着材料を気化して、前記基板に前記蒸着材料を蒸着し、
前記蒸着終了後、前記基板を前記成膜室から取り出し、
前記可動式の電極を前記蒸着マスクと対向する位置に移動し、
前記可動式の電極と前記蒸着マスクとの間でプラズマを発生することを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002353774A JP4294305B2 (ja) | 2001-12-12 | 2002-12-05 | 成膜装置および成膜方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-379273 | 2001-12-12 | ||
JP2001379273 | 2001-12-12 | ||
JP2002-46967 | 2002-02-22 | ||
JP2002046967 | 2002-02-22 | ||
JP2002353774A JP4294305B2 (ja) | 2001-12-12 | 2002-12-05 | 成膜装置および成膜方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008205956A Division JP5111287B2 (ja) | 2001-12-12 | 2008-08-08 | 成膜方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003313654A JP2003313654A (ja) | 2003-11-06 |
JP2003313654A5 true JP2003313654A5 (ja) | 2006-03-09 |
JP4294305B2 JP4294305B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=29553949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002353774A Expired - Fee Related JP4294305B2 (ja) | 2001-12-12 | 2002-12-05 | 成膜装置および成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4294305B2 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1723741B (zh) | 2002-12-12 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法 |
JP4596803B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-12-15 | キヤノン株式会社 | 減圧蒸着装置 |
KR100830388B1 (ko) * | 2004-03-29 | 2008-05-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 막 형성 장치 및 막 형성 방법 |
JP5193465B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2013-05-08 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機el素子の製造方法、有機el素子、及び有機el表示パネル |
CN100474993C (zh) | 2004-05-31 | 2009-04-01 | 株式会社爱发科 | 有机el器件的制造方法以及有机el器件制造装置的清洗方法 |
KR100601332B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2006-07-13 | 박병주 | 유기 반도체 소자, 그의 제조 방법 및 제조 장치 |
US9150953B2 (en) | 2004-08-13 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including organic semiconductor |
JP5264013B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2013-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体層の成膜装置 |
JP2006218460A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Pioneer Electronic Corp | 塗布物被塗布材の製造方法および製造装置 |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
EP1715075B1 (de) * | 2005-04-20 | 2008-04-16 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Magnetische Maskenhalterung |
JP4857668B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2012-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用マスク部材 |
WO2007034541A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Tadahiro Ohmi | 減圧蒸着装置及び減圧蒸着方法 |
KR100851125B1 (ko) * | 2006-12-01 | 2008-08-08 | 가부시키가이샤 아루박 | 유기 el소자의 제조방법 및 유기 el소자 제조장치의세정방법 |
JP5095990B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびクリーニング方法 |
TWI353389B (en) * | 2007-02-09 | 2011-12-01 | Au Optronics Corp | Evaporation coater and evaporation source replacem |
CN101271869B (zh) * | 2007-03-22 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件的制造方法 |
KR101563237B1 (ko) | 2007-06-01 | 2015-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 제조장치 및 발광장치 제작방법 |
KR20090041314A (ko) | 2007-10-23 | 2009-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 증착용 기판 및 발광장치의 제조방법 |
US8153201B2 (en) | 2007-10-23 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate |
US8425974B2 (en) | 2007-11-29 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation donor substrate and method for manufacturing light-emitting device |
US7993945B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
US7932112B2 (en) | 2008-04-14 | 2011-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
JP5159689B2 (ja) | 2008-04-25 | 2013-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2010092761A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機el用マスククリーニング装置、有機elディスプレイの製造装置、有機elディスプレイおよび有機el用マスククリーニング方法 |
JP5291607B2 (ja) | 2008-12-15 | 2013-09-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP5302724B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-10-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 有機el用マスククリーニング装置および有機el用マスククリーニング方法 |
EP2230703A3 (en) | 2009-03-18 | 2012-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus and manufacturing method of lighting device |
JP4599469B1 (ja) | 2009-08-31 | 2010-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子 |
JP4579343B1 (ja) | 2010-04-23 | 2010-11-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子 |
JP2012124127A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Canon Inc | 蒸着マスクおよびそれを用いた有機el表示パネルの製造方法 |
JP2015004078A (ja) * | 2011-10-18 | 2015-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5875851B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2016-03-02 | 株式会社アルバック | 薄膜製造方法、薄膜製造装置 |
JP6025591B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
WO2014045904A1 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | コニカミノルタ株式会社 | ガラス製品の製造方法 |
KR102086549B1 (ko) * | 2013-05-06 | 2020-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 어셈블리 |
KR102075527B1 (ko) | 2013-05-16 | 2020-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
JP2015081365A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置、成膜方法、成膜材料の除去方法 |
KR101516713B1 (ko) * | 2013-11-14 | 2015-05-04 | (주)제이원텍 | 유기발광소자 봉지공정의 인라인 질소정화시스템 |
JP2016014175A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
JP6335689B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2018-05-30 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜装置のメンテナンス方法 |
JP6243474B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2017-12-06 | キヤノントッキ株式会社 | 真空蒸着装置、蒸着膜の製造方法および有機電子デバイスの製造方法 |
CN113227436A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-08-06 | 应用材料公司 | 气相沉积装置和用于在真空腔室中涂布基板的方法 |
KR20220002361A (ko) | 2019-04-30 | 2022-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 고체 이차 전지의 제조 장치 및 고체 이차 전지의 제작 방법 |
CN118222994B (zh) * | 2024-05-24 | 2024-07-23 | 电子科技大学 | 一种自清洁的高通量磁控溅射设备及操作方法 |
-
2002
- 2002-12-05 JP JP2002353774A patent/JP4294305B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003313654A5 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
KR910007536B1 (ko) | 고온가열 스퍼터링 방법 | |
TW200505280A (en) | Manufacturing method and manufacturing apparatus of organic thin film | |
JP2010013676A5 (ja) | ||
WO2001036704A3 (en) | Method and apparatus for forming carbonaceous film | |
WO2003035925A1 (fr) | Dispositif et procede de metallisation sous vide, element electroluminescent organique produit par ledit dispositif et procede associe | |
WO2005026409A3 (en) | Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method | |
WO2007097329A1 (ja) | 成膜装置および発光素子の製造方法 | |
DE60122747D1 (de) | Feldemissionsvorrichtung mit kohlenstoffhaltigen spitzen | |
US20090173716A1 (en) | Lift-off patterning processes employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers | |
JP2003115381A5 (ja) | ||
TW200602512A (en) | High thickness uniformity vaporization source | |
JP2007502917A5 (ja) | ||
RU2008138423A (ru) | Способ и устройство для изготовления магниторезистивного элемента | |
TW200847422A (en) | Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate | |
JP2002371351A5 (ja) | ||
JPS6237365A (ja) | ア−ク点孤装置を有するア−クコ−テイング装置 | |
KR100830302B1 (ko) | 증발원 | |
JP2001093882A5 (ja) | ||
JP2003163201A5 (ja) | ||
KR20140066647A (ko) | 전사 마스크를 이용한 구조화된 증착 | |
JP3647653B2 (ja) | クラスタ生成装置 | |
KR100922005B1 (ko) | 박막 증착 장치 | |
JP2019102483A (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
RU2202513C1 (ru) | Способ выращивания слоя твердого углерода |