JP2003304000A - 発光ダイオード用パッケージの製造方法 - Google Patents
発光ダイオード用パッケージの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱性、信頼性、高生産性に優れたＬＥＤ用
パッケージの製造方法。 【解決手段】 まず、Ｍｇ合金系の金属の射出成形によ
りメタルコア基板を多数個取りできるメタルコア集合体
２を形成する。次に、メタルコア集合体２に化成処理を
施してから、樹脂成形部３の樹脂によりインサート成形
してパッケージ１を多数個取りできるパッケージ集合体
１０を形成する。次に、メタルコア部の化成処理を除去
してから、メタルコア部に光沢Ａｇメッキを施す。最後
に、パッケージ集合体１０を切断線Ｘ４及び切断線Ｙ５
に沿ってダイシングして、単個のパッケージ１に分割す
る。
パッケージの製造方法。 【解決手段】 まず、Ｍｇ合金系の金属の射出成形によ
りメタルコア基板を多数個取りできるメタルコア集合体
２を形成する。次に、メタルコア集合体２に化成処理を
施してから、樹脂成形部３の樹脂によりインサート成形
してパッケージ１を多数個取りできるパッケージ集合体
１０を形成する。次に、メタルコア部の化成処理を除去
してから、メタルコア部に光沢Ａｇメッキを施す。最後
に、パッケージ集合体１０を切断線Ｘ４及び切断線Ｙ５
に沿ってダイシングして、単個のパッケージ１に分割す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（以下ＬＥＤと略記する）用のパッケージの製造方法に
関し、更に詳しくは、特に放熱性・信頼性を重視するメ
タルコア基板から成るＬＥＤ用パッケージの製造方法に
関する。
（以下ＬＥＤと略記する）用のパッケージの製造方法に
関し、更に詳しくは、特に放熱性・信頼性を重視するメ
タルコア基板から成るＬＥＤ用パッケージの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤはＡｌＩｎＧａＰやＧａＮ等の化
合物半導体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順方向
電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであ
り、近年、表示をはじめ、通信、計測、制御等に広く応
用されている。一方、近年の電子機器は、高性能化・多
機能化と共に、小型化・軽量化を追求している。更に、
特に放熱性・信頼性が重視される分野にも適用範囲が拡
大している。そのために電子機器に使用される電子部品
は、プリント配線基板上に表面実装できる部品（ＳＭ
Ｄ）としたものが多い。そしてこのような電子部品は、
一般的に略立方体形状をしており、プリント配線基板上
の配線パターンにリフロー半田付け等の固着手段で実装
される。ＬＥＤにもこうした要求に応えるものが開発さ
れている。
合物半導体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順方向
電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであ
り、近年、表示をはじめ、通信、計測、制御等に広く応
用されている。一方、近年の電子機器は、高性能化・多
機能化と共に、小型化・軽量化を追求している。更に、
特に放熱性・信頼性が重視される分野にも適用範囲が拡
大している。そのために電子機器に使用される電子部品
は、プリント配線基板上に表面実装できる部品（ＳＭ
Ｄ）としたものが多い。そしてこのような電子部品は、
一般的に略立方体形状をしており、プリント配線基板上
の配線パターンにリフロー半田付け等の固着手段で実装
される。ＬＥＤにもこうした要求に応えるものが開発さ
れている。
【０００３】このような従来のＬＥＤについて、図面に
基づいてその概要を説明する。図５は従来のＳＭＤ型Ｌ
ＥＤの縦断面図である。図５において、７０はＳＭＤ型
ＬＥＤである。７１は、予めプレス成形されたＣｕ系や
Ｆｅ系の材料から成るリードフレームにＡｇ等のメッキ
を施し、耐熱性ポリマー樹脂によって光反射面７１ａを
含むように立体形状にインサート成形して成るパッケー
ジである。
基づいてその概要を説明する。図５は従来のＳＭＤ型Ｌ
ＥＤの縦断面図である。図５において、７０はＳＭＤ型
ＬＥＤである。７１は、予めプレス成形されたＣｕ系や
Ｆｅ系の材料から成るリードフレームにＡｇ等のメッキ
を施し、耐熱性ポリマー樹脂によって光反射面７１ａを
含むように立体形状にインサート成形して成るパッケー
ジである。
【０００４】７２は、上面電極７２ａから側面電極７２
ｂを経由して下面の端子電極７２ｃに至るリードフレー
ムである一方の電極パターンであり、７３は同じく上面
電極７３ａから側面電極７３ｂを経由して下面の端子電
極７３ｃに至る他方の電極パターンである。７４は、上
面電極７２ａに一方の電極を導電性樹脂によりダイボン
ディングしたＬＥＤ素子である。７５はＡｕ線等より成
るワイヤであり、ワイヤ７５を用いてＬＥＤ素子７４の
他方の電極と上面電極７３ａとがワイヤボンディング接
続されている。７６は、ＬＥＤ素子７４、ＬＥＤ素子７
４の接続部及びワイヤ７５等の保護と、ＬＥＤ素子７４
の発光を効果的にすることのために封止している、透光
性のエポキシ樹脂等から成る封止樹脂である。
ｂを経由して下面の端子電極７２ｃに至るリードフレー
ムである一方の電極パターンであり、７３は同じく上面
電極７３ａから側面電極７３ｂを経由して下面の端子電
極７３ｃに至る他方の電極パターンである。７４は、上
面電極７２ａに一方の電極を導電性樹脂によりダイボン
ディングしたＬＥＤ素子である。７５はＡｕ線等より成
るワイヤであり、ワイヤ７５を用いてＬＥＤ素子７４の
他方の電極と上面電極７３ａとがワイヤボンディング接
続されている。７６は、ＬＥＤ素子７４、ＬＥＤ素子７
４の接続部及びワイヤ７５等の保護と、ＬＥＤ素子７４
の発光を効果的にすることのために封止している、透光
性のエポキシ樹脂等から成る封止樹脂である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＳＭＤ型ＬＥＤ７０用のパッケージ７１は、リードフレ
ームがＣｕ系等の金属で形成されているのでプレス等に
よる加工しかできず、基板の集合体を用いての多数個同
時生産方式が活用できない、また、金型コストが嵩む
等、生産性の点で問題があった。また、リードフレーム
の容量が小さいので放熱性にも問題があった。
ＳＭＤ型ＬＥＤ７０用のパッケージ７１は、リードフレ
ームがＣｕ系等の金属で形成されているのでプレス等に
よる加工しかできず、基板の集合体を用いての多数個同
時生産方式が活用できない、また、金型コストが嵩む
等、生産性の点で問題があった。また、リードフレーム
の容量が小さいので放熱性にも問題があった。
【０００６】上記発明は、このような従来の問題を解決
するためになされたものであり、その目的は、放熱性、
信頼性に優れたメタルコア基板から成るＬＥＤ用パッケ
ージの製造方法を提供することである。
するためになされたものであり、その目的は、放熱性、
信頼性に優れたメタルコア基板から成るＬＥＤ用パッケ
ージの製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ための本発明の手段は、内面に発光素子を接合する電極
を有し、外面に該電極と導通する端子電極を有する発光
ダイオード用パッケージの製造方法において、金属の射
出成形によりメタルコアを多数個取りできるメタルコア
集合体を形成する工程と、前記メタルコア集合体を化成
処理する工程と、前記メタルコア集合体を樹脂によりイ
ンサート成形して前記パッケージを多数個取りできるパ
ッケージ集合体を形成する工程と、前記パッケージ集合
体の前記メタルコア部の化成処理を除去する工程と、化
成処理除去後のメタルコア部にメッキを施す工程と、前
記パッケージ集合体をダイシングして、単個の前記パッ
ケージに分割する工程とを有することを特徴とする。
ための本発明の手段は、内面に発光素子を接合する電極
を有し、外面に該電極と導通する端子電極を有する発光
ダイオード用パッケージの製造方法において、金属の射
出成形によりメタルコアを多数個取りできるメタルコア
集合体を形成する工程と、前記メタルコア集合体を化成
処理する工程と、前記メタルコア集合体を樹脂によりイ
ンサート成形して前記パッケージを多数個取りできるパ
ッケージ集合体を形成する工程と、前記パッケージ集合
体の前記メタルコア部の化成処理を除去する工程と、化
成処理除去後のメタルコア部にメッキを施す工程と、前
記パッケージ集合体をダイシングして、単個の前記パッ
ケージに分割する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】また、前記パッケージの発光素子が接合さ
れる電極並びに前記端子電極は、スリットを隔てて対向
する一対のメタルコアから構成されていることを特徴と
する。
れる電極並びに前記端子電極は、スリットを隔てて対向
する一対のメタルコアから構成されていることを特徴と
する。
【０００９】また、前記メタルコアはＭｇ合金から成る
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態
であるＳＭＤ型ＬＥＤ用パッケージを斜め上方から見た
斜視図、図２はこのＬＥＤを斜め下方から見たパッケー
ジの斜視図である。図３は図１のＡ−Ａ断面を示す断面
図であり、図４はこのＳＭＤ型ＬＥＤ用パッケージの製
造方法を示す斜視図である。
に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態
であるＳＭＤ型ＬＥＤ用パッケージを斜め上方から見た
斜視図、図２はこのＬＥＤを斜め下方から見たパッケー
ジの斜視図である。図３は図１のＡ−Ａ断面を示す断面
図であり、図４はこのＳＭＤ型ＬＥＤ用パッケージの製
造方法を示す斜視図である。
【００１１】図１〜図３において、１は外形が略立方体
形状のＳＭＤ型ＬＥＤのパッケージである。パッケージ
１の上面１ａには、すり鉢状の凹部１ｂが形成されてい
る。２1、２２はこのパッケージ１を構成する熱伝導性
の高い射出成形が可能なＭｇ合金系のメタルコア材料か
ら成る一対のメタルコアであり、スリット１ｃを隔てて
対向している。３はパッケージ１を構成する樹脂成形部
であり、メタルコア２１、２２を一対の電極としてスリ
ット１ｃにおいて絶縁分離すると共に、上面１ａの凹部
１の周囲と、下面１ｅの十文字状の部分に充填すること
によりメタルコア２１、２２を結束し補強している。
形状のＳＭＤ型ＬＥＤのパッケージである。パッケージ
１の上面１ａには、すり鉢状の凹部１ｂが形成されてい
る。２1、２２はこのパッケージ１を構成する熱伝導性
の高い射出成形が可能なＭｇ合金系のメタルコア材料か
ら成る一対のメタルコアであり、スリット１ｃを隔てて
対向している。３はパッケージ１を構成する樹脂成形部
であり、メタルコア２１、２２を一対の電極としてスリ
ット１ｃにおいて絶縁分離すると共に、上面１ａの凹部
１の周囲と、下面１ｅの十文字状の部分に充填すること
によりメタルコア２１、２２を結束し補強している。
【００１２】メタルコア２１、２２の露出面には、Ｍｇ
の腐食防止用に光沢仕上げのＡｇメッキが施されてい
る。凹部１ｂの底面１ｄにはフリップチップのＬＥＤ素
子が実装される。メタルコア２１、２２の下面は、実装
基板へ接続する端子電極を成しており、凹部１ｂ内面で
ある斜面１ｆは光反射面となっている。
の腐食防止用に光沢仕上げのＡｇメッキが施されてい
る。凹部１ｂの底面１ｄにはフリップチップのＬＥＤ素
子が実装される。メタルコア２１、２２の下面は、実装
基板へ接続する端子電極を成しており、凹部１ｂ内面で
ある斜面１ｆは光反射面となっている。
【００１３】次に、このパッケージ１の製造方法につい
て説明する。この方法はＳＭＤ型ＬＥＤ、或いはＬＥＤ
用パッケージを多数個同時に加工することができる集合
基板を用いた製造方法である。図４において、１０はパ
ッケージ１を多数個取りできるように配列して形成した
集合基板状態のパッケージ集合体である。２はメタルコ
ア材料であるＭｇ合金の射出成形によって平板状に成形
した集合基板状態のメタルコア集合体である。４、５は
パッケージ集合体１０から単個のパッケージ１に切断分
離するための切断線Ｘ、Ｙを示す。
て説明する。この方法はＳＭＤ型ＬＥＤ、或いはＬＥＤ
用パッケージを多数個同時に加工することができる集合
基板を用いた製造方法である。図４において、１０はパ
ッケージ１を多数個取りできるように配列して形成した
集合基板状態のパッケージ集合体である。２はメタルコ
ア材料であるＭｇ合金の射出成形によって平板状に成形
した集合基板状態のメタルコア集合体である。４、５は
パッケージ集合体１０から単個のパッケージ１に切断分
離するための切断線Ｘ、Ｙを示す。
【００１４】製造工程では、まず、メタルコア用金属の
射出成形によりメタルコア基板を多数個取りできるメタ
ルコア集合体２を形成する。次に、メタルコア集合体２
に化成処理を施してから、成形樹脂によりインサート成
形して、樹脂成形部３が充填されたメタルコア集合体２
であるところのパッケージ１を多数個取りできるパッケ
ージ集合体１０を形成する。次に、露出したメタルコア
部分の化成処理を除去してから、パッケージ集合体１０
のＭｇ合金部分に光沢Ａｇのメッキを施す。最後に、パ
ッケージ集合体１０を切断線Ｘ４及び切断線Ｙ５に沿っ
てダイシングして、単個のパッケージ１に分割する。
射出成形によりメタルコア基板を多数個取りできるメタ
ルコア集合体２を形成する。次に、メタルコア集合体２
に化成処理を施してから、成形樹脂によりインサート成
形して、樹脂成形部３が充填されたメタルコア集合体２
であるところのパッケージ１を多数個取りできるパッケ
ージ集合体１０を形成する。次に、露出したメタルコア
部分の化成処理を除去してから、パッケージ集合体１０
のＭｇ合金部分に光沢Ａｇのメッキを施す。最後に、パ
ッケージ集合体１０を切断線Ｘ４及び切断線Ｙ５に沿っ
てダイシングして、単個のパッケージ１に分割する。
【００１５】なお、図４では、パッケージ１の取り個数
を９個として示したが、パッケージ１の取り個数、パッ
ケージ集合体１の大きさはこれに限定されず、適宜選択
できることは勿論である。また、樹脂成形部３の形状
は、一対のメタルコア２１、２を絶縁分離する機能と結
束する機能とを有する限り、必ずしも以上の実施の形態
の形状に限定されるものではない。
を９個として示したが、パッケージ１の取り個数、パッ
ケージ集合体１の大きさはこれに限定されず、適宜選択
できることは勿論である。また、樹脂成形部３の形状
は、一対のメタルコア２１、２を絶縁分離する機能と結
束する機能とを有する限り、必ずしも以上の実施の形態
の形状に限定されるものではない。
【００１６】次に、本実施の形態であるＬＥＤ用パッケ
ージ１の製造方法の効果について説明する。まず、パッ
ケージ１が熱伝導性の高いメタルコア材料で構成されて
いるので、従来のＬＥＤ用パッケージと比べて遙かに放
熱性に優れており、大電流が必要で、発熱量の大きいＬ
ＥＤには特に有効な構成である。また、射出成形で製造
できるので、特殊な技術や設備を必要としない。更に、
パッケージ１を多数個取りのできる集合基板方式を用い
ることで、ＬＥＤ素子の実装も含めて集合状態で同時多
数個の製造が可能になるので、生産性が高く、高品質な
製品とすることができ、製造コストの削減ができる。
ージ１の製造方法の効果について説明する。まず、パッ
ケージ１が熱伝導性の高いメタルコア材料で構成されて
いるので、従来のＬＥＤ用パッケージと比べて遙かに放
熱性に優れており、大電流が必要で、発熱量の大きいＬ
ＥＤには特に有効な構成である。また、射出成形で製造
できるので、特殊な技術や設備を必要としない。更に、
パッケージ１を多数個取りのできる集合基板方式を用い
ることで、ＬＥＤ素子の実装も含めて集合状態で同時多
数個の製造が可能になるので、生産性が高く、高品質な
製品とすることができ、製造コストの削減ができる。
【００１７】なお、本発明は、以上説明した実施の形態
に限定されるものではなく、例えば、光反射面となる凹
部１ｂの内面を略円錐形状、略球面形状、若しくは略放
物面形状等に形成してもよい。これらの形状を採用する
ことで、ＬＥＤの出射光の直行性がより向上する。
に限定されるものではなく、例えば、光反射面となる凹
部１ｂの内面を略円錐形状、略球面形状、若しくは略放
物面形状等に形成してもよい。これらの形状を採用する
ことで、ＬＥＤの出射光の直行性がより向上する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属の射出成形によりメタルコアを多数個取りできるメ
タルコア集合体を形成する工程と、前記メタルコア集合
体を化成処理する工程と、前記メタルコア集合体を樹脂
によりインサート成形して前記パッケージを多数個取り
できるパッケージ集合体を形成する工程と、前記パッケ
ージ集合体の前記メタルコア部の化成処理を除去する工
程と、化成処理除去後のメタルコア部にメッキを施す工
程と、前記パッケージ集合体をダイシングして、単個の
前記パッケージに分割する工程とによりＬＥＤ用パッケ
ージを製造するようにしたので、放熱性、信頼性、耐熱
性に優れ、生産効率の高いＬＥＤ用パッケージを得るこ
とができた。
金属の射出成形によりメタルコアを多数個取りできるメ
タルコア集合体を形成する工程と、前記メタルコア集合
体を化成処理する工程と、前記メタルコア集合体を樹脂
によりインサート成形して前記パッケージを多数個取り
できるパッケージ集合体を形成する工程と、前記パッケ
ージ集合体の前記メタルコア部の化成処理を除去する工
程と、化成処理除去後のメタルコア部にメッキを施す工
程と、前記パッケージ集合体をダイシングして、単個の
前記パッケージに分割する工程とによりＬＥＤ用パッケ
ージを製造するようにしたので、放熱性、信頼性、耐熱
性に優れ、生産効率の高いＬＥＤ用パッケージを得るこ
とができた。
【図１】本発明の実施の形態であるＬＥＤ用パッケージ
の上方から見た斜視図である。
の上方から見た斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態であるＬＥＤ用パッケージ
の下方から見た斜視図である。
の下方から見た斜視図である。
【図３】図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態であるＬＥＤ用パッケージ
の製造方法を示す斜視図である。
の製造方法を示す斜視図である。
【図５】従来のＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図である。
１ パッケージ
１ｃ スリット
２１、２２ メタルコア
２ メタルコア集合体
３ 樹脂成形部
１０ パッケージ集合体
２１、２２ メタルコア
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 道野 貴由
山梨県富士吉田市上暮地１丁目23番１号
株式会社シチズン電子内
(72)発明者 中村 忍
山梨県南都留郡河口湖町船津6663番地の２
河口湖精密株式会社内
Ｆターム(参考） 5F041 AA33 AA42 AA47 DA02 DA12
DA33 DA34 DA36 DB09
Claims (3)
- 【請求項１】 内面に発光素子を接合する電極を有し、
外面に該電極と導通する端子電極を有する発光ダイオー
ド用パッケージの製造方法において、金属の射出成形に
よりメタルコアを多数個取りできるメタルコア集合体を
形成する工程と、前記メタルコア集合体を化成処理する
工程と、前記メタルコア集合体を樹脂によりインサート
成形して前記パッケージを多数個取りできるパッケージ
集合体を形成する工程と、前記パッケージ集合体の前記
メタルコア部の化成処理を除去する工程と、化成処理除
去後のメタルコア部にメッキを施す工程と、前記パッケ
ージ集合体をダイシングして、単個の前記パッケージに
分割する工程とを有することを特徴とする発光ダイオー
ド用パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 前記パッケージの発光素子が接合される
電極並びに前記端子電極は、スリットを隔てて対向する
一対のメタルコアから構成されていることを特徴とする
請求項１記載の発光ダイオード用パッケージの製造方
法。 - 【請求項３】 前記メタルコアはＭｇ合金から成ること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の発光ダイオー
ド用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002105877A JP2003304000A (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002105877A JP2003304000A (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003304000A true JP2003304000A (ja) | 2003-10-24 |
Family
ID=29390358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002105877A Pending JP2003304000A (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003304000A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152808A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007103935A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光構成素子を製作するための方法及び発光構成素子 |
| WO2007100209A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Lg Innotek Co., Ltd | Light-emitting diode package and manufacturing method thereof |
| WO2007105879A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Ye Kun Lee | Manufacturing method of radiant heat circuit board |
| KR200451231Y1 (ko) | 2007-09-27 | 2010-12-03 | 지잉 퉁 텍. 메탈 코., 엘티디. | 복합식 방열 모듈 |
| KR20120079105A (ko) * | 2009-09-17 | 2012-07-11 | 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 | Ｌｅｄ 및 렌즈에 대한 2개의 개구를 가지는 하우징 본체를 구비한 ｌｅｄ 모듈 |
| WO2013042662A1 (ja) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄモジュール及びそれを用いたｌｅｄランプ |
| US9287476B2 (en) | 2008-09-03 | 2016-03-15 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| JP2017050570A (ja) * | 2016-12-07 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
| JP2019505097A (ja) * | 2016-02-12 | 2019-02-21 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びこれを含む照明装置 |
| US11335843B2 (en) | 2017-09-05 | 2022-05-17 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device package |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604275A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH09214002A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JPH11307820A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 |
| JPH11346004A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Citizen Electronics Co Ltd | チップ型半導体のパッケージ構造および製造方法 |
| JP2000064057A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-02-29 | Stc:Kk | マグネシウム材またはマグネシウム合金材の表面処理方法 |
| JP2000244022A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Nichia Chem Ind Ltd | チップ部品型発光素子 |
| JP2002033011A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2002033518A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-01-31 | Sharp Corp | 発光装置 |
-
2002
- 2002-04-08 JP JP2002105877A patent/JP2003304000A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604275A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH09214002A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JPH11307820A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装ｌｅｄとその製造方法 |
| JPH11346004A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Citizen Electronics Co Ltd | チップ型半導体のパッケージ構造および製造方法 |
| JP2000064057A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-02-29 | Stc:Kk | マグネシウム材またはマグネシウム合金材の表面処理方法 |
| JP2000244022A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Nichia Chem Ind Ltd | チップ部品型発光素子 |
| JP2002033011A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2002033518A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-01-31 | Sharp Corp | 発光装置 |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152808A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007103935A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光構成素子を製作するための方法及び発光構成素子 |
| US8796717B2 (en) | 2006-03-03 | 2014-08-05 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode package and manufacturing method thereof |
| WO2007100209A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Lg Innotek Co., Ltd | Light-emitting diode package and manufacturing method thereof |
| US7745844B2 (en) | 2006-03-03 | 2010-06-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode package and manufacturing method thereof |
| US8212274B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-07-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode package and manufacturing method thereof |
| CN101213892B (zh) * | 2006-03-03 | 2012-09-05 | Lg伊诺特有限公司 | 发光二极管封装件及其制造方法 |
| KR101210090B1 (ko) | 2006-03-03 | 2012-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법 |
| WO2007105879A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Ye Kun Lee | Manufacturing method of radiant heat circuit board |
| KR200451231Y1 (ko) | 2007-09-27 | 2010-12-03 | 지잉 퉁 텍. 메탈 코., 엘티디. | 복합식 방열 모듈 |
| US10115870B2 (en) | 2008-09-03 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US10573788B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-02-25 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US11094854B2 (en) | 2008-09-03 | 2021-08-17 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US10700241B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-06-30 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US9287476B2 (en) | 2008-09-03 | 2016-03-15 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US10573789B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-02-25 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US9490411B2 (en) | 2008-09-03 | 2016-11-08 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US9537071B2 (en) | 2008-09-03 | 2017-01-03 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US9755124B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-09-05 | Koninklijke Philips N.V. | LED module with high index lens |
| KR101880767B1 (ko) * | 2009-09-17 | 2018-07-20 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | Ｌｅｄ 및 렌즈에 대한 2개의 개구를 가지는 하우징 본체를 구비한 ｌｅｄ 모듈 |
| KR20120079105A (ko) * | 2009-09-17 | 2012-07-11 | 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 | Ｌｅｄ 및 렌즈에 대한 2개의 개구를 가지는 하우징 본체를 구비한 ｌｅｄ 모듈 |
| JP5551322B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2014-07-16 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄモジュール及びそれを用いたｌｅｄランプ |
| US9360167B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-06-07 | Citizen Holdings Co., Ltd. | LED module and LED lamp employing same |
| JP2014187035A (ja) * | 2011-09-20 | 2014-10-02 | Citizen Holdings Co Ltd | Ｌｅｄモジュール及びそれを用いたｌｅｄランプ |
| WO2013042662A1 (ja) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄモジュール及びそれを用いたｌｅｄランプ |
| JP2019505097A (ja) * | 2016-02-12 | 2019-02-21 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びこれを含む照明装置 |
| JP2017050570A (ja) * | 2016-12-07 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
| US11335843B2 (en) | 2017-09-05 | 2022-05-17 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device package |
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